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1ª QUESTÃO:
O circuito é alimentado com a tensão em rampa também dada abaixo.
a) Trace V0(t) no mesmo gráfico de Vi(t) dado abaixo, indicando todas coordenadas de
interesse. Explique.
b) Para cada faixa de Vi(t) determine os estados do par de diodos. Explique.
Respostas a) e b):
2ª QUESTÃO:
Esquematize os mecanismos de condução do diodo para
i) junção reversamente polarizada;
ii) junção diretamente polarizada
Para cada uma das situações acima, indique no esquema:
a) Portadores majoritários, portadores minoritários, íons doadores, íons aceitadores e
região de depleção.
b) Sentido do movimento dos portadores, estabelecendo para cada caso, se a corrente
é alta ou baixa.
d) Modelo linearizado do diodo, com seu respectivo circuito equivalente por região de
trabalho. Considere para este caso a tensão limiar ON de 0,7 volts.
3ª QUESTÃO:
Complete no parêntesis com V ou F caso a afirmação seja, respectivamente, totalmente certa ou
contenha algo errado. Se a opção escolhida for F, circunde o trecho errado e esclareça o que está
errado e a razão. Observe que uma opção selecionada corretamente como falsa implica três
respostas, enquanto uma opção selecionada corretamente como verdadeira implica apenas uma
resposta, daí a primeira valer três vezes a segunda.
a) Se doparmos um material de Si (concentração intrínseca de 1,5 × 1010 / cm 3 ) com
0,3 × 1011 / cm 3 átomos aceitadores e 1,0 × 1010 / cm 3 átomos doadores, então certamente
teremos um semicondutor tipo n. ( F )
NA = 3 x 1010; ND = 1 x 1010, então NA > ND, então as lacunas são majoritárias , portanto o
material é do tipo p. Uma alternativa de análise é que n – p = ND – NA = − 2 × 1010 , o que mostra
existir mais lacunas. Uma terceira alternativa (que não seria necessário fazer) é:
Lei de Ação de Massas: (1,5 × 1010 ) 2 = n × p = 2,25 × 10 20 (1)
Pg. 4 Eletrônica IPadrão de Respostas 1ª Prova
0,8 × 1010.................(OK )
Equilíbrio elétrico: n = p − 2 × 10 ∴ (2) , resolvendo (1) e (2) n =
10
d) A Lei da Ação de Massas nos diz que, para um certo material de Germânio ou Silício, a
concentração intrínseca é constante, não importando se o semicondutor é intrínseco,
dopado tipo n ou dopado tipo p. ( V )