Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»
Волгодонский инженерно-технический институт
Н. В. Ермолаева, А. Ю. Смолин,
Н. В. Литвин
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
Москва 2013
УДК 621.383 (075.8)
ББК 32.852
Е74
Предисловие .................................................................................................. 5
Введение......................................................................................................... 6
1. Солнечная энергетика. Основные понятия ............................................ 8
1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.
Основные направления использования солнечной энергии ........... 8
1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических преобразователей..... 16
1.3. Состав солнечного излучения ......................................................... 23
1.4. Концентрирование света .................................................................. 26
Вопросы для самопроверки .................................................................... 28
2.Физические принципы работы солнечного элемента .......................... 30
2.1. Принцип работы приборов с электронно-дырочными
переходами ........................................................................................ 30
2.2. Физический принцип работы элемента с гомогенным
переходом ........................................................................................... 43
2.3. Физический принцип работы элемента с гетерогенным
переходом ........................................................................................... 52
2.4. Физический принцип работы структур с барьером Шоттки
и в системах металл–диэлектрик–полупроводник,
полупроводник–диэлектрик–полупроводник .................................. 62
2.5. Омические контакты ........................................................................ 67
Вопросы для самопроверки .................................................................... 72
3. Расчет КПД преобразования солнечной энергии ................................. 74
3.1. Идеальный солнечный элемент, параметры и характеристики
работы, идеальная эффективность преобразования ....................... 74
3.2. Вольт-амперная характеристика реальных СЭ ............................. 94
3.3. Влияние температуры и радиации на КПД солнечного
элемента .............................................................................................. 98
Вопросы для самопроверки .................................................................. 105
4. Кремниевые солнечные элементы ...................................................... 107
4.1.Кремниевый солнечный элемент на основе гомогенного
р-n-перехода ..................................................................................... 107
4.2. Конструкции кремниевых солнечных элементов ........................ 118
Вопросы для самопроверки .................................................................. 136
5. Солнечные элементы ч гетеропереходами и
гетероструктурами ................................................................................ 138
5.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе
гетероструктур соединений АIIIВV................................................. 138
3
5.2. Гетеропереход проводящее стекло–полупроводник ................... 154
5.3. Каскадный солнечный элемент с гетеропереходами................... 155
5.4. Арсенид0галлиевые солнечные элементы
с переменной шириной зоны и барьерами Шоттки ...................... 165
5.5. Солнечные элементы на МДП-структурах, их преимущества
и конструкции. Перспективы практического использования ...... 167
Вопросы для самопроверки .................................................................. 169
6. Тонкопленочные солнечные элементы................................................ 170
6.1. Оценка параметров работы тонкопленочных солнечных
элементов......................................................................................... 170
6.2. Тонкопленочные солнечные элементы на основе сульфидов
и теллуридов кадмия....................................................................... 173
6.3. Солнечные элементы на основе многокомпонентных
соединений со структурой халькопирита ..................................... 175
Вопросы для самопроверки .................................................................. 185
7. Органические солнечные элементы .................................................... 187
7.1. Преимущества и недостатки органических солнечных
элементов ................................................................................................187
7.2. Принцип работы органических фотоэлементов........................... 189
7.3. Типы органических фотоэлементов ............................................. 192
7.4. Перспективы использования органических фотоэлементов....... 198
Вопросы для самопроверки .................................................................. 199
8. Концентрирование света ...................................................................... 200
8.1. Виды концентраторов, зависимость идеального КПД
элемента от степени концентрации ............................................... 200
8.2. Примеры использования Si- и GaAs-элементов
для концентраторных систем ........................................................ 206
8.3. СЭ с использованием селективного разложения
солнечного спектра ........................................................................ 209
8.4. Перспективы применения концентраторных солнечных
модулей ........................................................................................... 212
Вопросы для самопроверки .................................................................. 214
9. Наноструктуры в солнечной энергетике ............................................ 215
Вопросы для самопроверки .................................................................. 219
Заключение ............................................................................................... 220
Список использованной литературы ...................................................... 223
4
ПРЕДИСЛОВИЕ
5
ВВЕДЕНИЕ
7
1. СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ
8
используется для бортового питания транспортного средства, или
для электродвигателя электрического транспорта.
В настоящее время солнечные батареи (СБ) широко использу-
ются в космонавтике, снабжают электроэнергией аппаратуру
спутников и системы жизнеобеспечения космических кораблей и
станций, заряжают электрохимические аккумуляторы, используе-
мые на теневых участках орбиты.
Первый солнечный преобразователь появился в 1904 г. Первые
фотоэлектрические элементы появились в пятидесятых годах ХХ
века, однако мощность их была невелика, а себестоимость произ-
веденной ими электроэнергии очень высокая. В 1958 г. были запу-
щены искусственные спутники Земли, оснащенные кремниевыми
СБ – советский «Спутник-3» и американский «Авангард-1». Широ-
кое применение они получили в шестидесятых годах на космиче-
ских спутниках. В начале 1960-х годов были созданы и первые
солнечные фотоэлементы с p-n-переходом на основе арсенида гал-
лия. СБ на основе данного материала обеспечивали электроснаб-
жение советских космических аппаратов, работающих в окрестно-
стях планеты Венера (1965 г.), а также самоходных аппаратов «Лу-
ноход-1» и «Луноход-2» [2]. Следует отметить, что СБ и сегодня
остаются основным источником электроэнергии для космических
аппаратов.
В 1970-х годах СБ начали широко применяться в наземных ус-
ловиях в США, в Австралии. В восьмидесятые годы Франция уста-
новила солнечные модули в Сахаре, во Французской Полинезии
(Океания). В дальнейшем, солнечные батареи стали широко при-
менять в ряде стран Африки и Центральной Америки.
В настоящее время интерес к солнечной энергии наблюдается в
112 странах мира. Гелиоэнергетические программы приняты более
чем в 70 странах мира, лидерами являются США, Япония, Фран-
ция, Алжир [1, 7]. В Израиле правительство издало постановление
об оснащении каждого дома солнечно-энергетической установкой
(уже 2/3 израильтян пользуется «солнечной» горячей водой).
Если в 1985 г. все установленные мощности мира составляли
21 МВт, то в 2004 г. – уже 1256 МВт. За один только 2006 г. мощ-
ность составила 1744 МВт, что на 19 % больше, чем в 2005 г. В
Германии установленные мощности выросли на 960 МВт, что на
16 % больше, чем в 2005 г. В Японии установленные мощности
9
выросли на 296,5 МВт. В США установленные мощности выросли
на 139,5 МВт (+ 33 %) [1, 4, 8].
Мировое производство солнечных модулей в 2009 г. достигло
9,34 ГВт в сравнении с 6,85 ГВт в 2008 г. Высокие темпы набирает
это производство в Китае и Тайване, где оно уже составляет 49 %.
В 2009 г. оборот на мировом рынке солнечной энергии вырос на
20 % по сравнению с 2008 г., и к его концу составил 7,3 ГВт. В 2009
г. компании, производящие солнечную энергию выручили 38,5
млрд.долл., отрасли удалось привлечь более 13,5 млрд.долл. собст-
венных и заемных средств, что на 8 % больше, чем в 2008 г. [8].
Для России широкое использование фотоэнергетики также при-
обретает большое значение. Сейчас более 10 млн. граждан России
живут без централизованного электрообеспечения. Даже если 1
млн. граждан будет использовать фотоэлектрическую энергию (на
каждого гражданина ~ 2 кВт·ч/сут), то необходимо установить фо-
тоэнергосистемы с мощностью более 500 МВт. Вторым огромным
российским потенциальным потребителем фотоэнергетики являет-
ся сельскохозяйственный сектор, который самостоятельно спосо-
бен потреблять сотни мегаватт мощности солнечных батарей в год.
Кроме того, автономные фотоэнергосистемы нужны для навигаци-
онного обеспечения, систем телекоммуникаций, систем для ку-
рортно-оздоровительного и туристического бизнеса, коттеджей,
уличных солнечных фонарей и т.д. Поэтому в перспективе, сум-
марно потребности в России в солнечных батареях могут составить
более 1 ГВт/год [1, 2].
По данным Института энергетической стратегии, теоретический
потенциал солнечной энергетики в России составляет более 2300
млрд. тонн условного топлива (т.у.т.), экономический потенциал –
12,5 млн. т.у.т. Потенциал солнечной энергии, поступающей на
территорию России в течение трех дней, превышает энергию всего
годового производства электроэнергии в нашей стране. Ввиду рас-
положения России (между 41 и 82 градусами северной широты)
уровень солнечной радиации существенно варьируется: от 810
кВт⋅ч/м2 в год в отдаленных северных районах до 1400 кВт⋅ч/м2 в
год в южных районах. На уровень солнечной радиации оказывают
влияние и большие сезонные колебания: на ширине 55 градусов
солнечная радиация в январе составляет 1,69 кВт⋅ч/м2, а в июле –
11,41 кВт⋅ч/м2 в день.
10
Потенциал солнечной энергии наиболее велик на юго-западе
(Северный Кавказ, район Черного и Каспийского морей) , в Южной
Сибири и на Дальнем Востоке.
Наиболее перспективные регионы в плане использования сол-
нечной энергетики: Калмыкия, Ставропольский край, Ростовская
область, Краснодарский край, Волгоградская область, Астрахан-
ская область и другие регионы на юго-западе, Алтай, Приморье,
Читинская область, Бурятия и другие регионы на юго-востоке.
Причем некоторые районы Западной и Восточной Сибири и Даль-
него Востока превосходит уровень солнечной радиации южных
регионов. Так, например, в Иркутске (52 градуса северной широты)
уровень солнечной радиации достигает 1340 кВт⋅ч/м2, тогда как в
Республике Якутия-Саха (62 градуса северной широты) данный
показатель равен 1290 кВт⋅ч/м2 [5].
Таким образом, в указанных регионах целесообразно использо-
вать солнечную энергетику наряду с традиционными источниками
энергии.
По мнению В.М. Андреева развитие фотоэнергетики в нашей
стране соответствует большинству высших приоритетов в утвер-
жденной в 2003 г. «Энергетической стратегии России до 2020 го-
да». Сюда относится снижение вредного влияния ТЭК на окру-
жающую среду, комплексное использование местных топливно-
энергетических источников, создание экологически чистой энерге-
тики, снижение эмиссии вредных веществ в атмосферу на 30–40 %
к 2010 г. [2].
В целом в России наземная солнечная энергетика на текущий
момент является активно развивающейся отраслью. Рассматрива-
ются проекты по созданию фотоэлектрических солнечных электро-
станций, развиваются технологии производства солнечных элемен-
тов и солнечных батарей.
На базе российских предприятий (НПФ «Кварк», «Солнечный
ветер», ФГУП НПП «Квант» и «Телеком-СТВ») в РФ создан и раз-
вивается мощный производитель высокоэффективных наземных
солнечных батарей, не уступающих по качеству ведущим мировым
фирмам, с объемом производства в 2007 г. более 15 МВт.
Существуют два основных направления практического приме-
нения солнечной энергии: преобразование ее в электроэнергию и
тепло.
11
Перечислим основные способы получения электричества и теп-
ла из солнечного излучения:
- получение электроэнергии с помощью фотоэлементов;
- преобразование солнечной энергии в электричество с помо-
щью тепловых машин;
- гелиотермальная энергетика;
- термовоздушные электростанции (преобразование солнечной
энергии в энергию воздушного потока, направляемого на турбоге-
нератор);
- солнечные аэростатные электростанции (генерация водяного
пара внутри баллона аэростата за счет нагрева солнечным излуче-
нием поверхности аэростата, покрытой селективно-поглощающим
покрытием).
В настоящем пособие основное внимание будет уделено сол-
нечной электроэнергетике.
Солнечная электроэнергетика подразделяется по виду примене-
ния на сетевую и автономную.
К сетевой относятся солнечные электростанции (СЭС), которые
входят в существующие в современной электроэнергетике системы
централизованного производства, транспортировки и распределе-
ния электроэнергии. В данном случае на солнечных электростан-
циях не требуется наличия значительных аккумулирующих уст-
ройств, так как колебания мощности СЭС демпфируются энерго-
системой. Такие системы, установленные в городе на крышах и
стенах зданий, могут обеспечить электричеством как само здание,
так и компенсировать энергодефицит при пиковом потреблении
энергии в полуденное время. Мощность таких станций может дос-
тигать нескольких МВт [9].
К автономным относятся солнечные энергоустановки, обеспе-
чивающие энергией отдельных потребителей как связанных, так и
не связанных с системой централизованного энергоснабжения. В
первом случае аккумулирующие устройства также не применяют-
ся, так как недостаток энергии от солнечной установки восполняет-
ся от централизованной сети, а избыток направляется в сеть.
При автономном энергообеспечении потребителей используется
либо достаточно емкий аккумулятор электроэнергии для обеспече-
ния данного потребителя по заданному графику нагрузки, либо
12
дублер – какое-либо генерирующее устройство на традиционных
энергоносителях, способное оперативно восполнять недостаток
энергии от солнечной установки.
Автономные системы предназначены для электроснабжения пе-
редвижных объектов или объектов, удаленных от основных линий
электропередач, в труднодоступных местах или местах, куда про-
кладка линии затруднена или невыгодна по экономическим причи-
нам [9].
Использование в таких условиях фотоэлектричества наиболее
эффективно и оправдано, стоимость 1 кВт⋅ч электроэнергии оказы-
вается значительно ниже. Мощность таких систем лежит в преде-
лах 0,01…100 кВт.
По используемому принципу преобразования солнечной энер-
гии солнечные энергоустановки делятся на фотоэлектрические,
реализующие метод прямого (безмашинного) преобразования сол-
нечной энергии в электрическую, и термодинамические, в которых
лучистая энергия преобразуется сначала в тепло, которое в термо-
динамическом цикле тепловой машины, в свою очередь, преоб-
разуется в механическую энергию, а затем в генераторе – в элек-
трическую.
Преобразование солнечной энергии в тепло может иметь боль-
шой энергетический эффект. Это обусловлено тем, что наибольшая
часть производимой в мире энергии используется в виде теплоты.
Кроме того, преобразование солнечной энергии в тепло реализует-
ся с помощью наиболее простых, а следовательно, и относительно
дешевых технических устройств. Между тем, как показывают ре-
зультаты соответствующих расчетов, удельная годовая теплопро-
изводительность установок солнечного горячего водоснабжения в
климатических условиях России достаточно высока и составляет
500–750 кВт⋅ч (тепловых) на 1 м2 коллектора при коэффициенте
замещения нагрузки (доли солнечной энергии в покрытии нагруз-
ки) 0,4–0,6. Что же касается применения активных (коллекторных)
систем солнечного отопления, то в климатических условиях России
они, в целом, не эффективны (за исключением некоторых районов)
вследствие малой удельной теплопроизводительности [9].
Во многих странах используется пассивные системы солнечного
отопления. В этом случае не используется какое-либо специальное
оборудование, а поглощение и аккумулирование энергии солнечно-
13
го излучения осуществляется непосредственно архитектурно-
строительными элементами здания. Однако в России пассивные
системы пока широкого применения не получили.
Рассмотрим основные проблемы, связанные с использованием
солнечной энергии и методы решения данных проблем. Сюда мож-
но отнести необходимость использования больших площадей зем-
ли под электростанции, зависимость эффективности работы фото-
элементов от их географического положения, сезона и климата,
времени суток и атмосферных явлений, высокую стоимость фото-
элементов, проблемы утилизации отработавших СЭ.
Для фотоэлементов первого (на основе пластин кристаллическо-
го кремния) и второго поколения (на основе тонких пленок неорга-
нических и органических полупроводников) требуется использова-
ние больших площадей земли под электростанции. Например, для ЭС
мощностью 1 ГВт это может быть несколько десятков квадратных
километров (для сравнения: гидроэнергетика при таких же мощностях
выводит из пользования заметно большие участки земли), но строи-
тельство СЭС такой мощности может привести к изменению микро-
климата в прилегающей местности, и поэтому в основном устанавли-
ваются фотоэлектрические станции мощностью 1–2 МВт недалеко от
потребителя или даже индивидуальные и мобильные установки [8, 9].
В настоящее время фотоэлектрические элементы на крупных
СЭС устанавливаются на высоте 1,8–2,5 м, что позволяет исполь-
зовать земли под электростанцией для сельскохозяйственных нужд,
например, для выпаса скота. Проблема нахождения больших пло-
щадей земли под СЭС решается в случае применения солнечных
аэростатных электростанций, пригодных как для наземного, так и
для морского и высотного базирования.
Фотоэлектрические преобразователи работают днём и с мень-
шей эффективностью – в утренних и вечерних сумерках. При этом
пик электропотребления приходится именно на вечерние часы.
Кроме того, производимая ими электроэнергия может резко и не-
ожиданно колебаться из-за смены погоды. Для преодоления этих
недостатков на СЭС либо используют эффективные электрические
аккумуляторы, либо преобразуют солнечную энергию в другие ви-
ды энергии, например, строят гидроаккумулирующие станции, ко-
торые занимают большую территорию. На сегодняшний день эта
проблема решается созданием единых энергетических систем, ко-
14
торые перераспределяют вырабатываемую и потребляемую мощ-
ность. Проблема некоторой зависимости мощности СЭС от време-
ни суток и погодных условий решается также с помощью солнеч-
ных аэростатных электростанций [8, 9].
В настоящее время стоимость электричества, получаемого СБ,
пока остается достаточно высокой, его стремительное удешевление
прогнозируется уже в ближайшем будущем. В 1990–2005 гг. цены
на фотоэлементы снижались в среднем на 4 % в год. Снижение
стоимости тонкопленочных ФЭП до 1 $/Вт, сделает фотоэлектри-
чество конкурентно-способным с электроэнергией, производимой
на тепловых электростанциях [2, 9].
Поверхность фотопанелей и зеркал (для тепломашинных элек-
тростанций) нужно очищать от пыли и других загрязнений. В слу-
чае крупных фотоэлектрических станций, при их площади в не-
сколько квадратных километров это может вызвать затруднения.
Эффективность фотоэлектрических элементов падает при их на-
греве (в основном это касается систем с концентраторами), поэтому
возникает необходимость в установке систем охлаждения, обычно
водяных. Также в фотоэлектрических преобразователях третьего и
четвёртого поколений используют для охлаждения преобразование
теплового излучения в излучение наиболее согласованное с погло-
щающим материалом фотоэлектрического элемента (так называемое
up-conversion), что одновременно повышает КПД [8].
Через 30 лет эксплуатации эффективность фотоэлектрических
элементов начинает снижаться. Отработавшие фотоэлементы, хотя
и незначительная их часть в основном специального назначения,
содержат компонент (кадмий), который требует специальных спо-
собов утилизации.
В последнее время активно развивается производство тонкоплё-
ночных фотоэлементов, в составе которых содержится всего около
1 % кремния, по отношению к массе подложки, на которую нано-
сятся тонкие плёнки. Из-за малого расхода материалов на погло-
щающий слой тонкоплёночные кремниевые фотоэлементы дешевле
в производстве. Однако эти фотоэлементы пока имеют меньшую
эффективность и неустранимую деградацию характеристик во вре-
мени. Кроме того, развивается производство тонкоплёночных фо-
тоэлементов на других полупроводниковых материалах, в частно-
сти CIS и CIGS, достойных конкурентов кремнию.
15
В заключение отметим перспективы развития солнечной энер-
гетики.
Сгенерированная на основе солнечного света энергия, как пола-
гают эксперты Международного энергетического агентства (IEA),
сможет к середине XXI века обеспечить до 25 % потребностей че-
ловечества в электричестве, что будет составлять около 9 тысяч
тераватт-часов. Это обеспечит сокращение выбросов углекислого
газа на 6 млрд. т ежегодно[1–3, 8].
Растет использование солнечной энергии на транспорте, в быту,
сервисе, и производстве.
Согласно прогнозам объем фотоэнергосистем в 2020 г. превысит
50 ГВт, т.е. за 20 лет объем рынка увеличится в 140 раз (в 2000 г.
было произведено 280 МВт). Фотоэнергетика экономически рента-
бельна уже сейчас, например, для обеспечения электроэнергией
автономных потребителей, а также для низковольтного электро-
обеспечения (дежурное освещение, датчики, сенсоры и др.).
К 2031 г. в мире планируется иметь совокупную установленную
мощность электрогенераторов на солнечной энергии 1700 ГВт (для
сравнения: в 2004 г. – 1256 МВт).
Если сегодня солнечная энергетика занимает менее 1 % в обще-
мировом балансе произведенной электроэнергии, то к 2040 г. эта
доля должна возрасти до 30 % [4].
18
- отражением солнечного излучения от поверхности преобразо-
вателя;
- прохождением части излучения через ФЭП без поглощения в
нём;
- рассеянием на тепловых колебаниях решётки избыточной
энергии фотонов;
- рекомбинацией образовавшихся фото-пар на поверхностях и в
объёме ФЭП;
- внутренним сопротивлением преобразователя и т.д.
Для уменьшения всех видов потерь энергии в ФЭП разрабаты-
ваются и успешно применяются различные мероприятия. К их чис-
лу относятся [1, 4, 5, 8, 10]:
- использование полупроводников с оптимальной для солнечно-
го излучения шириной запрещённой зоны (около 1,4 эВ);
- улучшение свойств полупроводниковой структуры путём её
оптимального легирования и создания встроенных электрических
полей;
- переход от гомогенных к гетерогенным и варизонным полу-
проводниковым структурам;
- оптимизация конструктивных параметров ФЭП и разработка
новых конструкций;
- применение многофункциональных оптических покрытий,
обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту
ФЭП от космической радиации;
- разработка ФЭП, прозрачных в длинноволновой области сол-
нечного спектра за краем основной полосы поглощения;
- создание каскадных ФЭП;
- переход на наноразмерные структуры.
Также существенного повышения КПД ФЭП удалось добиться
за счёт создания преобразователей с двухсторонней чувствительно-
стью (до +80 % к уже имеющемуся КПД одной стороны), примене-
ния люминесцентно переизлучающих структур, предварительного
разложения солнечного спектра на две или более спектральные об-
ласти с помощью многослойных плёночных светоделителей с по-
следующим преобразованием каждого участка спектра отдельным
ФЭП и т. д. [8].
19
Отметим, что ряд перспективных материалов трудно получить в
необходимых для создания СЭС количествах из-за ограниченности
природных запасов исходного сырья или сложности его переработ-
ки. Отдельные методы улучшения энергетических и эксплуатаци-
онных характеристик ФЭП (например, за счёт создания сложных
структур) плохо совместимы с возможностями организации их
массового производства при низкой стоимости и т.д. Высокая про-
изводительность может быть достигнута лишь при организации
полностью автоматизированного производства ФЭП, например, на
основе ленточной технологии, и создании развитой сети специали-
зированных предприятий соответствующего профиля, то есть фак-
тически целой отрасли промышленности, соизмеримой по масшта-
бам с современной радиоэлектронной промышленностью. Изготов-
ление фотоэлементов и сборка солнечных батарей на автоматизи-
рованных линиях обеспечит многократное снижение себестоимо-
сти батареи [2].
Принципы классификации ФЭП. Преобразователи можно
классифицировать по интенсивности собирания света, по химиче-
скому составу, кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ, толщине и кристаллической структуре слоев, количеству
совмещенных на одной подложке элементов, по типу используемых
барьеров и их количеству, по сфере применения и т. д.
По интенсивности собирания света СЭ разделяются на
единичные и концентраторные. Единичные СЭ не имеют спе-
циальных устройств для собирания света и поглощают только то
количество светового потока, которое падает на занимаемую
ими площадь поверхности. Концентраторные СЭ имеют специаль-
ные концентрирующие световые устройства (линзы или зеркала),
которые позволяют увеличивать плотность светового потока на
поверхности элементов в несколько раз. Как правило, концентра-
торные элементы изготовляются из дорогих светопоглощающих
материалов с наилучшими показателями фотовольтаического пре-
образования света. В обозначении таких СЭ обязательно указыва-
ется коэффициент собирания света [3].
Коэффициент собирания показывает, во сколько раз увеличится
плотность потока падающего на СЭ излучения после его оптиче-
ского собирания концентрирующими системами.
20
В зависимости от химического состава различают органические
и неорганические фотоэлектрические преобразователи.
Преимуществом органических ФЭП является их экологическая
безопасность, технологичность, дешевая утилизация, очень низкая
стоимость производства, гибкость модулей, малый вес и связанное
с этим удобство транспортировки и монтажа. Основными недос-
татками является достаточно невысокий КПД (около 5–10 %) и
проблема стабильности свойств органических материалов.
К неорганическим ФЭП относятся приборы на основе кремния,
арсенида галлия, полупроводниковых соединений АIIIBV, АIIBVI (в
основном CdTe), АIВIIIC VI
2 полупроводников и других неорганиче-
ских материалов. Следует отметить, что сейчас более 80 % произ-
водимых в мире СЭ изготавливается на основе кристаллического
кремния. Поэтому ФЭП можно также классифицировать как крем-
ниевые фотоэлементы и фотоэлементы на некремниевой основе.
В зависимости от степени регулярности и упорядочения кри-
сталлической структуры кремния различают ФЭП на основе мо-
нокристаллического, мультикристаллического, поликристалличе-
ского или аморфного кремния. Абсолютное большинство СЭ изго-
тавливают из монокристаллических либо мульти кристаллических
подложек.
В целом по кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ подразделяются на монокристаллические, мультикристал-
личекие, поликристаллические, микрокристаллические, нанокри-
сталлические. Монокристаллические солнечные элементы пред-
ставляют собой солнечные элементы с поглотителем в виде цель-
ного кристалла полупроводникового вещества. Мульти-, поли-,
микро- и нанокристаллические СЭ имеют в качестве поглощаю-
щего вещества смесь полупроводниковых кристаллитов с различ-
ной ориентацией, структурой и формой, размер которых и опреде-
ляет тип солнечного элемента при размерах кристаллитов от 1 до
100 мм вещество называют мультикристаллическим, от 1 до 1000
мкм – поликристаллическим, менее 1 мкм – микрокристалличе-
ским, менее 1 нм – нанокристаллическим [3].
В зависимости от толщины светопоглощающего материала
солнечные элементы подразделяются на тонкопленочные и тол-
стопленочные. Тонкопленочные СЭ имеют толщину в несколько
мкм, толстопленочные – в десятки или сотни мкм.
21
Отметим, что в 2005 г. на тонкоплёночные фотоэлементы при-
ходилось 6 % рынка. В 2006 г. тонкоплёночные фотоэлементы за-
нимали 7 % долю рынка. В 2007 г. доля тонкоплёночных техноло-
гий увеличилась до 8 %, а в 2009 г. – выросла до 16,8 % [8].
Рассматриваемые ФЭП производятся в виде тонких пленок та-
ких материалов, как аморфный кремний (α-Si:H), теллурид кадмия,
диселенид меди и индия (CIS), арсенид галлия, фосфид индия и
других, нанесенных на различные подложки [5].
Основное достоинство тонкопленочных СЭ заключается в том,
что их стоимость достаточно низкая из-за дешевой технологии из-
готовления и применения сравнительно дешевых материалов. К
основным недостаткам относятся низкий КПД и постепенная де-
градация характеристик.
Наибольшую эффективность демонстрируют СЭ на основе пле-
нок полупроводниковых поликристаллических соединений CdTe,
Cu(In,Ga)Se2, толщиной порядка нескольких мкм и пленок гидро-
генизированного аморфного кремния [5, 10, 12].
По типу используемых барьеров различают ФЭП на основе p-n-
переходов, гетеропереходов, на основе потенциальных барьеров
металл–полупроводник. Отметим, что в фотоэлементах с гетеропе-
реходами на сегодняшний день достигнуты максимальные КПД.
По способу соединения используемых барьеров различают одно-
каскадные и многокаскадные СЭ.
По сфере применения различают солнечные элементы для на-
земного использования и для применения в космосе.
Развитие ФЭП. В настоящее время ведутся работы по созданию
фотогальванических элементов, использующих квантовые точки и
устройств со встроенными углеродными нанотрубками. Их КПД,
по мнению ученых, к моменту начала широкомасштабного произ-
водства достигнет 45 %. Сюда также относятся фотоэлектрохими-
ческие, нанокристаллические и полимерные солнечные батареи,
применение которых будет осуществимо только на земной поверх-
ности [15]. Цель разработки этих элементов – снижение стоимости
электроэнергии ниже 0,5 долл./Вт. Способ реализации этой задачи
– существенно увеличить эффективность фотопреобразования при
сохранении (или незначительном повышении) стоимости произ-
водства и издержек на утилизацию и экологическую безопасность
[13].
22
Следующим этап в развитии солнечной энергетики – это созда-
ние и использование композитных фотогальванических элементов,
в которых будут сочетаться полимеры и наночастицы, образующие
один монослой. В дальнейшем эти тонкие слои могут быть совме-
щены с образованием полноценных, более эффективных и эконо-
мичных солнечных батарей [15].
В заключении отметим, что единичные фотоэлементы генери-
руют ограниченную мощность, поэтому для получения требуемых
энергетических характеристик единичные ФЭП объединяют по-
следовательно между собой в модули и последовательно-
параллельным способом в батареи. Мощность модулей и батарей
складывается из выходных мощностей отдельных СЭ. В зависимо-
сти от технологии изготовления фотоэлектрических преобразова-
телей, существуют различные виды солнечных батарей.
25
На рис. 1.2 приведены четыре кривые, иллюстрирующие спек-
тральное распределение интенсивности солнечного излучения
(мощность на единицу площади в единичном интервале длин
волн). Верхняя кривая соответствует солнечному спектру за преде-
лами земной атмосферы, т.е. при нулевой воздушной массе (АМ0).
Это распределение можно аппроксимировать распределением ин-
тенсивности черного тела при температуре 5800 К.
Значение величины интенсивности солнечного излучения ис-
пользуют при расчете КПД солнечного элемента, при сравнении
параметров различных солнечных элементов, работающих при
одинаковых условиях.
_____________________________________________________
V Вопросы для самопроверки
28
12. Перечислите основные необратимые потери энергии в ФЭП? Ка-
ким образом данные потери минимизируются?
13. Перечислите принципы классификации фотоэлектрических преоб-
разователей. Укажите основные виды фотоэлектрических преобразовате-
лей, их преимущества и недостатки.
14. В чем физический смысл параметра «атмосферная масса»? Как этот
параметр учитывается и используется на практике?
15. Перечислите преимущества и недостатки применения концентри-
рованного света.
29
2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СОЛНЕЧНОГО
ЭЛЕМЕНТА
34
Чем больше степень легирования полупроводника, то есть чем
больше вносится в полупроводник атомов примеси (Nпр – концен-
трация примеси), тем большее значение имеет контактная разность
потенциалов.
Контактная разность потенциалов зависит от температуры ок-
ружающей среды. С увеличением температуры контактная раз-
ность потенциалов уменьшается. Это связано с тем, что в выраже-
нии для ϕк с увеличением температуры окружающей среды возрас-
kT
тает значение температурного потенциала ϕТ = , но
q
⎛ ΔWз ⎞
ni = A ⋅ T 3 2 exp ⎜ − ⎟ также возрастает и это увеличение проис-
⎝ 2kT ⎠
ходит быстрее, чем рост температурного потенциала, поэтому кон-
тактная разность потенциалов при увеличении температуры
уменьшается [16].
38
pn = pn 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] , n p = n p 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] . (2.6)
Избыточные концентрации неосновных носителей вычисляются
по формулам:
Δpn = pn 0 ⋅ ⎡⎣exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ ,
Δn p = n p 0 ⋅ ⎡⎣ exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ . (2.7)
Из (2.7) следует, что избыточные концентрации неосновных но-
сителей заряда на границе p-n-перехода увеличиваются по экспо-
ненциальному закону в зависимости от напряжения, приложенного
к нему.
Дополнительные неосновные носители заряда в течение време-
ни (3÷5) τε компенсируются основными носителями заряда, кото-
рые приходят из объема полупроводника (где τε – время диэлек-
трической релаксации). В результате на границе p-n-перехода по-
является заряд, созданный основными носителями заряда, и вы-
полняется условие Δnn ≈ Δpn , Δp p ≈ Δn p .
Электронейтральность полупроводника восстанавливается. Та-
кое перераспределение основных носителей заряда приводит к по-
явлению электрического тока во внешней цепи, так как по ней по-
ступают носители заряда взамен ушедших к p-n-переходу и исчез-
нувших в результате рекомбинации.
Дрейфовая составляющая тока при приложении прямого напря-
жения остается практически без изменения. Это обусловлено тем,
что создающие этот ток неосновные носители генерируются вблизи
p-n-перехода на расстоянии, меньшем диффузионной длины L (L –
среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время
жизни). Те заряды, которые рождаются на большом расстоянии, в
основном рекомбинируют, не дойдя до перехода. Изменение ши-
рины перехода для носителей заряда этого происхождения не игра-
ет существенной роли. Они как генерировались в пределах толщи-
ны, определяемой диффузионной длиной, так и будут генериро-
ваться. Соответственно ток, обусловленный движением этих носи-
телей заряда, останется без изменения, т.е. таким же, как и в равно-
весном состоянии.
Таким образом, для несимметричного (Na >> Nd) прямосмещен-
ного p-n-перехода характерны следующие соотношения между то-
ками: jDp >> jDn, jD >> jE.
39
Обратносмещенный p-n-переход. Если к p-области подклю-
чить отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-
области – положительный, то такое включение p-n-перехода полу-
чило название обратного смещения p-n-перехода (рис. 2.6).
ϕк + U обр U обр
lобр = l ⋅ ≈l .. (2.9)
0 ϕк 0 ϕк
Приближенная запись (2.9) оправдана, так как ⎜Uобр⎜>> ϕк. Из
(2.9) видно, что p-n-переход расширяется нелинейно с увеличением
40
приложенного напряжения Uобр: сначала быстрее, затем расшире-
ние p-n-перехода замедляется. Уже при |Uобр⎜ = (0,1÷0,2) В ток диф-
фузии становится равным нулю, а через p-n-переход протекает только
ток неосновных носителей заряда, образующих дрейфовую состав-
ляющую тока.
В результате действия обратного напряжения снижается кон-
центрация неосновных носителей заряда у границ p-n-перехода и
появляется их градиент концентрации. Возникает диффузия неос-
новных носителей заряда к границам p-n-перехода, где они подхва-
тываются электрическим полем p-n-перехода и переносятся через
p-n-переход. Это поясняется диаграммой распределения концен-
траций основных и неосновных носителей заряда в областях p-n-
перехода, приведенной на рис. 2.7, на котором обозначено: Ln, Lp –
длина диффузии электронов и дырок.
42
2.2. Физический принцип работы элемента
с гомогенным переходом
45
α ( hv ) = B ( hν − Eg ± Eф ) ,
2
(2.13)
где В – некоторый коэффициент, в который в качестве множителя
входит функция распределения фононов:
1
N ф = Eф . (2.14)
c k BT − 1
Если процесс происходит с поглощением фонона, то (2.13) с
учетом (2.14) приобретает вид
c ( hν − Eg + Eф )
2
α ( hν ) = Eф
(2.15)
c −1 k BT
α ( hν ) = Eф
(2.16)
1− c k BT
47
2.2.2. Фотовольтаический эффект в p-n-переходе
48
Рис. 2.12. Образование p-n-перехода
J диф = J T e VT , (2.18)
и тогда
⎛ UVхх ⎞
J ф = J д = J T ⎜ e T − 1⎟ , (2.19)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
kT
где Uхх – напряжение холостого хода; VT = – тепловой потен-
e
циал. Напряжение холостого хода может быть выражено через ве-
личину фототока:
⎛ J ⎞
U хх = VT ln ⎜1 + ф ⎟ . (2.20)
⎝ JT ⎠
51
Однако напряжение холостого хода (при любом значении Jф) не
может превышать контактной разности потенциалов p-n-перехода.
В противном случае, из-за полной компенсации электрического
поля, разделение носителей, оптически генерируемых полем пере-
хода, прекращается.
Если электроды СЭ замкнуты на внешнюю нагрузку, то напря-
жение между ними U будет меньше Uхх, и ток диода не будет ком-
пенсировать фототок. В приближении идеального диода для плот-
ности тока через внешнюю нагрузку имеем
eU
J = J ф − J д = J ф − J T (e kT − 1) . (2.21)
Уравнение (2.21) описывает вольтамперную характеристику
(ВАХ) идеального СЭ (рис. 2.12) [17].
В случае тонкоплёночных солнечных элементов с поглощаю-
щим слоем толщины l при условии l < Ln, Lp возникает необходи-
мость учета отражения от тыльного контакта. Для таких СЭ мощ-
ность поглощаемого излучения задаётся формулой:
( ( ))
Pпогл = Pпад 1 − R 1 − e −αA + Rтк ( e −αA − e −2 αA ) = APпад , (2.22)
где Rтк – коэффициент отражения от тыльного контакта СЭ.
Для удобства рассмотрения будем считать, что Солнце является
абсолютно чёрным телом, спектральная плотность излучения кото-
рого подчиняется формуле Планка [17]:
2πν 2 hν
εν ,Т = 2 ⋅ hν , (2.23)
с
e −1
kT
54
Рис. 2.14. Энергетические диаграммы
полупроводников (а) и диаграмма
идеального гетероперехода (б) [21]
56
Для вычисления положения уровня Ферми относительно дна зо-
ны проводимости (μ = F – Ec) потребуется знать температуру, кон-
центрацию основных носителей и плотность состояний в зонах Nc и
Nv.
Для невырожденного примесного полупроводника n-типа поло-
жение уровня Ферми относительно зоны проводимости находится
из выражения
N
μ = − kT ln c , (2.26)
Nd
для дырочного:
N
μ = − kT ln v − Eg , (2.27)
Na
где Na, Nd – концентрации акцепторов и доноров, которые мы счи-
таем полностью ионизованными.
В справочниках обычно приведены величины эффективных
масс плотности состояний для электронов mn* и дырок m*р .
Тогда Nc и Nv вычисляются по формулам
2 ( 2πmn* kT ) 2 ( 2πm*p kT )
3/2 3/2
Nc = , Nv = . (2.28)
h3 h3
Если приведены поперечная m⊥ и продольная m|| составляющая
эффективных масс, число эквивалентных эллипсоидов M, то плот-
ность состояний в этом случае рассчитывается по формуле
(
N c = M 2 / 3 m⊥2 m|| )
1/ 3
. (2.29)
В полупроводниках p-типа необходимо также учесть вклад двух
подзон от легких и тяжелых дырок:
mh3/2 = mlh3/2 + mhh
3/2
. (2.30)
Вычисляем положение уровня Ферми и контактную разность
потенциалов:
ϕк = Ф1 − Ф 2 = ( χ1 + μ1 ) − ( χ 2 + μ 2 ) . (2.31)
Для вычисления распределения потенциала в области простран-
ственного заряда требуется решить совместно уравнение Пуассона
и уравнение плотности тока, при условии, чтобы в равновесии
диффузионный ток через переход уравновешивался дрейфовым
током.
57
В приближении Шоттки в случае равномерного легирования полу-
проводников для анизотипного гетероперехода получается линейная
зависимость поля и параболическая зависимость потенциала:
в области − d1 ≤ x ≤ 0 :
en
E = − 1 ( x + d1 ) , (2.32)
ε 0ε1
e 2 n1
( x + d1 ) .
2
ϕ = ϕк − (2.33)
2ε0ε1
В области 0 ≤ x ≤ d2 :
en2
E=− ( d2 − x ) , (2.34)
ε 0ε1
e 2 n2
( d2 − x ) .
2
ϕ= (2.35)
2ε 0 ε 2
Размер области пространственного заряда получаются равными:
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d1 = ⎜ 20 1 ϕ1 ⎟ , (2.36)
⎝ e n1 ⎠
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d 2 = ⎜ 20 2 ϕ2 ⎟ , (2.37)
⎝ e n2 ⎠
где φ1, φ2 – контактные разности потенциалов, приходящиеся на n-
и p-области, которые для идеального гетероперехода равны
1 1
ϕ1 = ϕ0 , ϕ2 = ϕ0 . (2.38)
ε1n1 ε 2 n2
1+ 1+
ε 2 n2 ε1n1
Полная длина ОПЗ:
1
⎡ 2ε ε ε ( n + n ) ⎤2
d = d1 + d 2 = ⎢ 2 0 1 2 1 2 ϕ0 ⎥ . (2.39)
⎢⎣ e n1n2 ( ε1n1 + ε 2 n2 ) ⎥⎦
Распределение поля и потенциала показано на рис. 2.16.
Следует также принимать во внимание, что материалы гетеро-
пары могут иметь минимумы зоны проводимости в разных точках
зоны Брюллиена. К примеру, минимум зоны проводимости GaAs
находится в точке Г (рис. 2.17), в то время как наименьший мини-
мум в AlAs близок к точке X. Таким образом, природа низшего ми-
58
нимума зоны проводимости меняется при изменении доли Al в
твердом растворе AlxGa1-xAs.
59
Низший минимум в AlxGa1-xAs изменяется от прямого располо-
жения (минимум в Г) зон до непрямой зонной структуры (мини-
мум в Х) при содержании алюминия x ≈ 0,45.
60
61
Рис. 2.18. График зависимости энергии запрещенной зоны при низкой температуре от постоянной решетки
для ряда полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки[22]
Из правила Вегарда следует, что можно подобрать такой состав
тройного соединения, при котором будут совпадать параметры ре-
шеток, но зонные параметры будут различные. Таким образом,
можно получать гетеропереходы с заданными зонными параметра-
ми. Так на подложке GaAs может быть выращен без значительных
напряжений AlAs, а также твердый раствор AlxGa1-xAs практически
любого состава.
Как видно из графика, у твердого раствора AlxGa1-xAs период ре-
шетки меняется менее чем на 0,15% при изменении х от 0 до 1.
Существует очень мало материалов, которые образуют гетеропере-
ход с GaAs без напряжений. Альтернативой подложки арсенида
галлия является InP. Но на данной подложке могут быть без на-
пряжений выращены только два твердых раствора: Al0,48In10,52As и
Ga0,47In0,53As.
64
Рис. 2.21. Зависимость высоты
барьера от уровня легирования
и толщины p-слоя в солнечных
элементах с барьерами Шоттки
Au-GaAs.
На вставке показана диаграмма
энергетических зон элемента
со структурой
металл–p+-n-полупроводник
65
2.4.2. Солнечные элементы на МДП-структурах
66
2.5. Омические контакты
71
1) высокотемпературную диффузию из твердотельного источ-
ника или паровой фазы;
2) диффузию материала контакта (металла или сплава), напри-
мер цинка из структуры Au-Zn-Au в p-InP;
3) ионную имплантацию легирующей примеси с последующей
термообработкой для отжига дефектов и электроактивации примеси;
4) эпитаксиальное выращивание n+- или р+-слоев (что осущест-
вимо в том случае, когда активные слои СЭ создаются методами
химического осаждения из паровой фазы или жидкофазной эпитак-
сии);
5) сплавление материала контакта с полупроводником и его рек-
ристаллизация (образование так называемого сплавного контакта).
В кремниевых СЭ наиболее широко используются контактные
структуры Al–p-Si и Ag–Pd–Ti–n+-Si, получаемые методом вакуум-
ного испарения. Хотя серебро образует хороший туннельный кон-
такт с n+-Si, его адгезия неудовлетворительна. Введение тонкого
промежуточного слоя Ti способствует его улучшению, сохраняя
неизменными электрические свойства. Однако испытания СЭ в ес-
тественных условиях показали, что такие контакты корродируют.
При введении тонкого промежуточного слоя Pd или Mo, предот-
вращающего химическую реакцию, были получены контакты с хо-
рошими электрическими свойствами и высокой стабильностью.
Поскольку СЭ на основе AlGaAs предназначены для работы в
системах с концентраторами излучения, стоимость контактов не
является решающим фактором. Поэтому в них используются кон-
такты типа Ag – AuZn – p-AlGaAs (AgZn – p-GaAs) и Ni – AuGe –
Ni – n-GaAs.
______________________________________________________
V Вопросы для самопроверки
73
3. РАСЧЕТ КПД ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
76
где Jp(λ) и Jn(λ) – плотность дырочного и электронного фототока
соответственно.
79
б
Рис. 3.2. Энергетическая диаграмма солнечного элемента с p-n-переходом
при солнечном освещении (а) и идеализированная эквивалентная схема
солнечного элемента (б) [16]
82
kT ⎛ ( N a + Δn ) Δn ⎞
Uхх = ln ⎜ ⎟, (3.9)
q ⎝ ni2 ⎠
где kT/q – тепловое напряжение; Nа – концентрация легирующей
примеси; Δn – концентрация избыточных носителей; ni – собст-
венная концентрация.
Определим с учетом (3.6) выражение для мощности:
P = IU = I sU (e qU kT − 1) − I LU . (3.10)
Определим условия, при которых мощность максимальна. Для
этого найдем производную, приравняем ее нулю. Из условие
максимума (dP/dU = 0), получим [16]:
⎛ 1 ⎞
I m = I s β U m eβ U m ≅ I L ⎜ 1 − ⎟, (3.11)
⎝ βU m ⎠
1 ⎛ I I +1⎞ 1
U m = ln ⎜ L s ⎟ ≅ U хх − ln (1 + βU m ) , (3.12)
β ⎝ 1 + βU m ⎠ β
где β = q/kT.
Важным параметром работы СЭ является характеристическое
сопротивление. Это выходное сопротивление СЭ, когда он работа-
ет в режиме максимальной мощности. Если сопротивление нагруз-
ки равно характеристическому сопротивлению СЭ, то вся мощ-
ность передается на нагрузку и мощность СЭ максимальна. Опре-
U
деляется данный параметр по формуле R = m .
Im
Исходя из уравнений (3.10)–(3.12) получим выражение для мак-
симальной выходной мощности:
⎡ 1 1⎤
Pm = I mU m ≅ I L ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ = I L ( Em q ) , (3.13)
⎣ β β⎦
где
⎡ 1 1⎤
Em ≡ q ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ . (3.14)
⎣ β β⎦
Величина Em соответствует той максимальной энергии, которая
выделяется в нагрузке при поглощении одного фотона и при опти-
мальном согласовании элемента с внешней цепью [16].
83
Если значения Js и JL известны, величину Еm можно получить с
помощью численного решения трансцендентных уравнений (3.9),
(3.11) и (3.14). Поскольку величина Em зависит от Js, она зависит
также от параметров материала (таких, как τ, D и уровни легирова-
ния) [16]. Идеальная эффективность преобразования реализуется
при оптимальном выборе параметров материала, когда величина Js
минимальна. Поведение Em для полупроводников с различной ши-
риной запрещенной зоны показано на рис. 3.4.
88
I mU m
FF = . (3.16)
I кзU хх
Таким образом, фактор заполнения показывает, какая часть
мощности, вырабатываемой солнечным элементом, используется в
нагрузке. Значение фактора заполнения определяется выбором
режима работы солнечного элемента, то есть значениями Uхх и Iкз.
С учетом (3.16) выражение для нахождения эффективности
преобразования (КПД) элемента можно записать в виде
I U FF ⋅ I L ⋅ U хх
η= m m = , (3.17)
Pin Pin
где Pin – внешняя мощность (мощность падающего излучения).
Графически FF представляет собой меру квадратичности СЭ и
равен максимальной площади прямоугольника, который можно
вписать в вольтамперную кривую (рис. 3.7):
S
FF = A . (3.20)
SB
где S – площади прямоугольников, SA = ImUm, SB = IкзUхх.
Так как FF является мерой квадратичности вольт-амперной
кривой, то СЭ с более высоким напряжением будет иметь более
большой возможный FF. Это следует из того, что закругленная
часть кривой занимает меньше места.
89
U xx − ln(U xx + 0,72)
FF = . (3.19)
U xx + 1
Это уравнение показывает, что чем больше напряжение, тем
больше теоретическое значение FF. Для СЭ, выполненных по оди-
наковой технологии и из одного материала, значения Uхх обычно
отличаются не очень сильно. FF может различаться существенно
для СЭ из разных материалов. Отметим, что на практике FF всегда
ниже идеального значения из-за наличия в цепи паразитных со-
противлений. Фактор заполнения измеряется в процентах и варьи-
руется от 50 до 85 % для различных типов СЭ.