Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»
Волгодонский инженерно-технический институт
Н. В. Ермолаева, А. Ю. Смолин,
Н. В. Литвин
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии»

в качестве учебного пособия
для студентов высших учебных заведений
Москва 2013
УДК 621.383 (075.8)
ББК 32.852
Е74
Ермолаева Н.В., Смолин А.Ю., Литвин Н.В. Фотопреобразователи

солнечной энергии: Учебное пособие. – М.: НИЯУ МИФИ, 2013. −
228 с.
В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

в полупроводниковых и органических солнечных элементах при преобра-
зовании солнечного излучения в электрическую энергию. Представлены
соотношения, позволяющие оптимизировать конструкцию и параметры
солнечных элементов. Проведен анализ особенностей различных видов и
конструкций солнечных элементов, их преимуществ и недостатков, даль-
нейших перспектив развития и применения. Приведены и проанализиро-
ваны факторы, влияющие на эффективность и выходные характеристики
солнечных элементов.
Пособие составлено в соответствии с Государственным образователь-
ным стандартом по дисциплине «Фотопреобразователи солнечной энер-
гии». Предназначено для организации самостоятельной работы студентов
очной формы обучения по направлению подготовки 210100 «Электрони-
ка и наноэлектроника», профиль подготовки «Микроэлектроника и твер-
дотельная электроника», а также для аспирантов, научных сотрудников и
инженеров-технологов, специализирующихся в области технологии мате-
риалов электронной техники.
Пособие подготовлено в рамках Программы создания и развития
НИЯУ МИФИ.
Рецензент: А.А. Баранник, канд. техн. наук, доцент каф. «Физика и

микроэлектроника» ВИТИ НИЯУ МИФИ
ISBN 978-5-7262-1722-2 © Национальный исследовательский

ядерный университет «МИФИ», 2013
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие .................................................................................................. 5
Введение......................................................................................................... 6
1. Солнечная энергетика. Основные понятия ............................................ 8
1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.
Основные направления использования солнечной энергии ........... 8
1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических преобразователей..... 16
1.3. Состав солнечного излучения ......................................................... 23
1.4. Концентрирование света .................................................................. 26
Вопросы для самопроверки .................................................................... 28
2.Физические принципы работы солнечного элемента .......................... 30
2.1. Принцип работы приборов с электронно-дырочными
переходами ........................................................................................ 30
2.2. Физический принцип работы элемента с гомогенным
переходом ........................................................................................... 43
2.3. Физический принцип работы элемента с гетерогенным
переходом ........................................................................................... 52
2.4. Физический принцип работы структур с барьером Шоттки
и в системах металл–диэлектрик–полупроводник,
полупроводник–диэлектрик–полупроводник .................................. 62
2.5. Омические контакты ........................................................................ 67
Вопросы для самопроверки .................................................................... 72
3. Расчет КПД преобразования солнечной энергии ................................. 74
3.1. Идеальный солнечный элемент, параметры и характеристики
работы, идеальная эффективность преобразования ....................... 74
3.2. Вольт-амперная характеристика реальных СЭ ............................. 94
3.3. Влияние температуры и радиации на КПД солнечного
элемента .............................................................................................. 98
Вопросы для самопроверки .................................................................. 105
4. Кремниевые солнечные элементы ...................................................... 107
4.1.Кремниевый солнечный элемент на основе гомогенного
р-n-перехода ..................................................................................... 107
4.2. Конструкции кремниевых солнечных элементов ........................ 118
5. Солнечные элементы ч гетеропереходами и
гетероструктурами ................................................................................ 138
5.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе
гетероструктур соединений АIIIВV................................................. 138
3
5.2. Гетеропереход проводящее стекло–полупроводник ................... 154
5.3. Каскадный солнечный элемент с гетеропереходами................... 155
5.4. Арсенид0галлиевые солнечные элементы
с переменной шириной зоны и барьерами Шоттки ...................... 165
5.5. Солнечные элементы на МДП-структурах, их преимущества
и конструкции. Перспективы практического использования ...... 167
6. Тонкопленочные солнечные элементы................................................ 170
6.1. Оценка параметров работы тонкопленочных солнечных
элементов......................................................................................... 170
6.2. Тонкопленочные солнечные элементы на основе сульфидов
и теллуридов кадмия....................................................................... 173
6.3. Солнечные элементы на основе многокомпонентных
соединений со структурой халькопирита ..................................... 175
7. Органические солнечные элементы .................................................... 187
7.1. Преимущества и недостатки органических солнечных
элементов ................................................................................................187
7.2. Принцип работы органических фотоэлементов........................... 189
7.3. Типы органических фотоэлементов ............................................. 192
7.4. Перспективы использования органических фотоэлементов....... 198
8. Концентрирование света ...................................................................... 200
8.1. Виды концентраторов, зависимость идеального КПД
элемента от степени концентрации ............................................... 200
8.2. Примеры использования Si- и GaAs-элементов
для концентраторных систем ........................................................ 206
8.3. СЭ с использованием селективного разложения
солнечного спектра ........................................................................ 209
8.4. Перспективы применения концентраторных солнечных
модулей ........................................................................................... 212
9. Наноструктуры в солнечной энергетике ............................................ 215
Заключение ............................................................................................... 220
Список использованной литературы ...................................................... 223
4
ПРЕДИСЛОВИЕ
В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

в полупроводниковых и органических солнечных элементах при преобра-
зовании солнечного излучения в электрическую энергию. Представлены
соотношения, позволяющие оптимизировать конструкцию и параметры
солнечных элементов. Приведены и проанализированы факторы, влияю-
щие на эффективность и выходные характеристики солнечных элементов:
интенсивность солнечного излучения и его спектральный состав, рабочая
температура, ионизирующее излучение космического пространства, кон-
структивные особенности солнечных элементов. Проведен анализ осо-
бенностей различных видов и конструкций солнечных элементов, их пре-
имуществ и недостатков, дальнейших перспектив развития и применения.
Все конструкции и технологические приемы по получению усовер-
шенствованию данных конструкций нами подробно не описаны, посколь-
ку технологии быстро совершенствуются. Сведения о получении того или
иного конкретного фотоэлемента можно получить из научных статей, мо-
нографий и учебных пособий, ссылки на которые приведены в данном
пособии, а также используя ресурсы Интернет.
Данное пособие позволит сформировать у студентов такие производ-
ственно-технологические и научно-исследовательские компетенции как
КМ.П.ПТ.1.1 (готовность к применению современных технологических
процессов и технологического оборудования на этапах разработки и про-
изводства электронных приборов и устройств) и КМ.П.НИ.1.1 (способ-
ность идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в
сфере физики, проектирования, технологии изготовления и применения
электронных приборов и устройств). В целом же пособие позволяет полу-
чить общее представление о наиболее широко используемых в промыш-
ленности фотоэлектрических преобразователей, их структуре и свойст-
вах, технологиях и методах их изготовления. Эти знания будут полезны
студентам для понимания специальной литературы по технологии полу-
проводниковых материалов.
Материалы данного пособия могут быть использованы в рамках дис-
циплины «Фотопреобразователи солнечной энергии» для направления
подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника» профиль подготов-
ки «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также аспиран-
тами, научными сотрудниками и инженерами-технологами, специализи-
рующимися в области технологии материалов электронной техники.
5
ВВЕДЕНИЕ
Преобразование солнечной энергии в электричество является

наиболее перспективным и активно развиваемым направлением
возобновляемой энергетики. Солнечная энергия широко доступна,
обладает практически безграничными ресурсами, при ее фотоэлек-
трическом преобразовании не происходит загрязнения окружаю-
щей среды. Для прямого преобразования солнечной энергии в
электрическую используется явление фотоэффекта в солнечных
элементах (СЭ) на основе структуры с p-n-переходом. На сего-
дняшний день максимальная эффективность некоторых типов по-
лупроводниковых СЭ составляет более 35 % [1–3].
Единичные фотоэлементы генерируют ограниченную мощность.
Для получения требуемых энергетических характеристик элементы
объединяют последовательно между собой в модули и последова-
тельно-параллельным способом в батареи. Мощность модулей и
батарей складывается из выходных мощностей отдельных СЭ. Су-
ществуют различные виды солнечных элементов. Наиболее широ-
ко распространены кристаллические фотоэлектрические преобра-
зователи, изготовленные из моно- или мультикристаллического
кремния, а также тонкопленочные СЭ на основе аморфного крем-
ния, теллурида кадмия, арсенида галлия, фосфида индия и некото-
рых других соединений. Следует отметить, что сейчас более 80 %
производимых в мире солнечных фотоэлементов изготавливается
на основе кристаллического кремния [2, 4].
В настоящее время наблюдается устойчивая динамика роста
производства тонкопленочных СЭ. Если в 2007 г. доля тонкоплё-
ночных технологий составляла около 8 %, то в 2010 г. она превы-
сила 12 % [1, 4].
Перспективным направлением является разработка фотопреоб-
разователей на основе органических материалов. Преимуществом
органических фотопреобразователей является их экологическая
безопасность, технологичность, дешевая утилизация, очень низкая
стоимость производства. Основными недостатками является доста-
точно невысокий КПД (около 5–10 %) и проблема стабильности
свойств органических материалов.
6
По интенсивности собирания света СЭ разделяются на еди-
ничные и концентраторные. Как правило, концентраторные эле-
менты изготовляются из дорогих светопоглощающих материалов с
наилучшими показателями фотовольтаического преобразования
света и характеризуются более высоким КПД.
Широкое внедрение солнечной энергетики в космосе и на земле
ставит перед проектировщиками проблему оценки эффективности
работы фотоэлектрических систем (ФЭС). Необходимо иметь воз-
можность предсказать мощность солнечных батарей (СБ) под дей-
ствием разнообразных факторов окружающей среды, сравнить эф-
фективность использования СБ из различных материалов, оценить
поведение фотоэлектрических преобразователей в различных ре-
жимах работы.
7
1. СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ
1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.

Основные направления использования солнечной
энергии
Солнечная энергия относится к альтернативным (нетрадицион-

ным) возобновляемым источникам энергии. Напомним, что аль-
тернативными источниками энергии также являются энергия ветра,
энергия приливов, геотермальная энергия, энергия биомассы и др.
Солнечная энергия доступна для человечества как в непосредст-
венном виде – световое излучение, так и в преобразованном – ве-
тер, волны, биомасса, рассеянное тепло атмосферы и гидросферы.
Соответственно для сбора солнечной энергии также могут быть
использованы различные способы [6]:
- превращение солнечного излучения в электричество с помо-
щью фотоэлементов, а также в тепловую энергию с помощью кон-
центраторов;
- использование энергии ветра на ветряных электростанциях
(общий мировой ресурс, который технически может быть исполь-
зован, оценивается в 53000 ТВт⋅ч);
- утилизация энергии волн волновыми электростанциями (энер-
гия ветровых волн суммарно оценивается в 2,7 млрд. кВт в год);
- получение биотоплива из всех видов биомассы;
- использование рассеянного тепла окружающей среды с помо-
щью тепловых насосов и т.д.
Практическое использование солнечной энергии получило ощу-
тимое распространение во многих странах благодаря таким ее по-
ложительным качествам, как возобновляемость, почти повсемест-
ная распространенность, экологическая чистота.
Солнечную энергию используют для освещения зданий (свето-
вой колодец), для нагрева воды, для производства электроэнергии,
в качестве топлива на транспорте, в различных химических про-
цессах, для дистанционной связи и телесвязи. Фотоэлектрические
элементы могут устанавливаться на различных транспортных сред-
ствах: лодках, электромобилях, самолётах, дирижаблях и т. д. Фо-
тоэлектрические элементы вырабатывают электроэнергию, которая
8
используется для бортового питания транспортного средства, или
для электродвигателя электрического транспорта.
В настоящее время солнечные батареи (СБ) широко использу-
ются в космонавтике, снабжают электроэнергией аппаратуру
спутников и системы жизнеобеспечения космических кораблей и
станций, заряжают электрохимические аккумуляторы, используе-
мые на теневых участках орбиты.
Первый солнечный преобразователь появился в 1904 г. Первые
фотоэлектрические элементы появились в пятидесятых годах ХХ
века, однако мощность их была невелика, а себестоимость произ-
веденной ими электроэнергии очень высокая. В 1958 г. были запу-
щены искусственные спутники Земли, оснащенные кремниевыми
СБ – советский «Спутник-3» и американский «Авангард-1». Широ-
кое применение они получили в шестидесятых годах на космиче-
ских спутниках. В начале 1960-х годов были созданы и первые
солнечные фотоэлементы с p-n-переходом на основе арсенида гал-
лия. СБ на основе данного материала обеспечивали электроснаб-
жение советских космических аппаратов, работающих в окрестно-
стях планеты Венера (1965 г.), а также самоходных аппаратов «Лу-
ноход-1» и «Луноход-2» [2]. Следует отметить, что СБ и сегодня
остаются основным источником электроэнергии для космических
аппаратов.
В 1970-х годах СБ начали широко применяться в наземных ус-
ловиях в США, в Австралии. В восьмидесятые годы Франция уста-
новила солнечные модули в Сахаре, во Французской Полинезии
(Океания). В дальнейшем, солнечные батареи стали широко при-
менять в ряде стран Африки и Центральной Америки.
В настоящее время интерес к солнечной энергии наблюдается в
112 странах мира. Гелиоэнергетические программы приняты более
чем в 70 странах мира, лидерами являются США, Япония, Фран-
ция, Алжир [1, 7]. В Израиле правительство издало постановление
об оснащении каждого дома солнечно-энергетической установкой
(уже 2/3 израильтян пользуется «солнечной» горячей водой).
Если в 1985 г. все установленные мощности мира составляли
21 МВт, то в 2004 г. – уже 1256 МВт. За один только 2006 г. мощ-
ность составила 1744 МВт, что на 19 % больше, чем в 2005 г. В
Германии установленные мощности выросли на 960 МВт, что на
16 % больше, чем в 2005 г. В Японии установленные мощности
9
выросли на 296,5 МВт. В США установленные мощности выросли
на 139,5 МВт (+ 33 %) [1, 4, 8].
Мировое производство солнечных модулей в 2009 г. достигло
9,34 ГВт в сравнении с 6,85 ГВт в 2008 г. Высокие темпы набирает
это производство в Китае и Тайване, где оно уже составляет 49 %.
В 2009 г. оборот на мировом рынке солнечной энергии вырос на
20 % по сравнению с 2008 г., и к его концу составил 7,3 ГВт. В 2009
г. компании, производящие солнечную энергию выручили 38,5
млрд.долл., отрасли удалось привлечь более 13,5 млрд.долл. собст-
венных и заемных средств, что на 8 % больше, чем в 2008 г. [8].
Для России широкое использование фотоэнергетики также при-
обретает большое значение. Сейчас более 10 млн. граждан России
живут без централизованного электрообеспечения. Даже если 1
млн. граждан будет использовать фотоэлектрическую энергию (на
каждого гражданина ~ 2 кВт·ч/сут), то необходимо установить фо-
тоэнергосистемы с мощностью более 500 МВт. Вторым огромным
российским потенциальным потребителем фотоэнергетики являет-
ся сельскохозяйственный сектор, который самостоятельно спосо-
бен потреблять сотни мегаватт мощности солнечных батарей в год.
Кроме того, автономные фотоэнергосистемы нужны для навигаци-
онного обеспечения, систем телекоммуникаций, систем для ку-
рортно-оздоровительного и туристического бизнеса, коттеджей,
уличных солнечных фонарей и т.д. Поэтому в перспективе, сум-
марно потребности в России в солнечных батареях могут составить
более 1 ГВт/год [1, 2].
По данным Института энергетической стратегии, теоретический
потенциал солнечной энергетики в России составляет более 2300
млрд. тонн условного топлива (т.у.т.), экономический потенциал –
12,5 млн. т.у.т. Потенциал солнечной энергии, поступающей на
территорию России в течение трех дней, превышает энергию всего
годового производства электроэнергии в нашей стране. Ввиду рас-
положения России (между 41 и 82 градусами северной широты)
уровень солнечной радиации существенно варьируется: от 810
кВт⋅ч/м2 в год в отдаленных северных районах до 1400 кВт⋅ч/м2 в
год в южных районах. На уровень солнечной радиации оказывают
влияние и большие сезонные колебания: на ширине 55 градусов
солнечная радиация в январе составляет 1,69 кВт⋅ч/м2, а в июле –
11,41 кВт⋅ч/м2 в день.
10
Потенциал солнечной энергии наиболее велик на юго-западе
(Северный Кавказ, район Черного и Каспийского морей) , в Южной
Сибири и на Дальнем Востоке.
Наиболее перспективные регионы в плане использования сол-
нечной энергетики: Калмыкия, Ставропольский край, Ростовская
область, Краснодарский край, Волгоградская область, Астрахан-
ская область и другие регионы на юго-западе, Алтай, Приморье,
Читинская область, Бурятия и другие регионы на юго-востоке.
Причем некоторые районы Западной и Восточной Сибири и Даль-
него Востока превосходит уровень солнечной радиации южных
регионов. Так, например, в Иркутске (52 градуса северной широты)
уровень солнечной радиации достигает 1340 кВт⋅ч/м2, тогда как в
Республике Якутия-Саха (62 градуса северной широты) данный
показатель равен 1290 кВт⋅ч/м2 [5].
Таким образом, в указанных регионах целесообразно использо-
вать солнечную энергетику наряду с традиционными источниками
энергии.
По мнению В.М. Андреева развитие фотоэнергетики в нашей
стране соответствует большинству высших приоритетов в утвер-
жденной в 2003 г. «Энергетической стратегии России до 2020 го-
да». Сюда относится снижение вредного влияния ТЭК на окру-
жающую среду, комплексное использование местных топливно-
энергетических источников, создание экологически чистой энерге-
тики, снижение эмиссии вредных веществ в атмосферу на 30–40 %
к 2010 г. [2].
В целом в России наземная солнечная энергетика на текущий
момент является активно развивающейся отраслью. Рассматрива-
ются проекты по созданию фотоэлектрических солнечных электро-
станций, развиваются технологии производства солнечных элемен-
тов и солнечных батарей.
На базе российских предприятий (НПФ «Кварк», «Солнечный
ветер», ФГУП НПП «Квант» и «Телеком-СТВ») в РФ создан и раз-
вивается мощный производитель высокоэффективных наземных
солнечных батарей, не уступающих по качеству ведущим мировым
фирмам, с объемом производства в 2007 г. более 15 МВт.
Существуют два основных направления практического приме-
нения солнечной энергии: преобразование ее в электроэнергию и
тепло.
11
Перечислим основные способы получения электричества и теп-
ла из солнечного излучения:
- получение электроэнергии с помощью фотоэлементов;
- преобразование солнечной энергии в электричество с помо-
щью тепловых машин;
- гелиотермальная энергетика;
- термовоздушные электростанции (преобразование солнечной
энергии в энергию воздушного потока, направляемого на турбоге-
нератор);
- солнечные аэростатные электростанции (генерация водяного
пара внутри баллона аэростата за счет нагрева солнечным излуче-
нием поверхности аэростата, покрытой селективно-поглощающим
покрытием).
В настоящем пособие основное внимание будет уделено сол-
нечной электроэнергетике.
Солнечная электроэнергетика подразделяется по виду примене-
ния на сетевую и автономную.
К сетевой относятся солнечные электростанции (СЭС), которые
входят в существующие в современной электроэнергетике системы
централизованного производства, транспортировки и распределе-
ния электроэнергии. В данном случае на солнечных электростан-
циях не требуется наличия значительных аккумулирующих уст-
ройств, так как колебания мощности СЭС демпфируются энерго-
системой. Такие системы, установленные в городе на крышах и
стенах зданий, могут обеспечить электричеством как само здание,
так и компенсировать энергодефицит при пиковом потреблении
энергии в полуденное время. Мощность таких станций может дос-
тигать нескольких МВт [9].
К автономным относятся солнечные энергоустановки, обеспе-
чивающие энергией отдельных потребителей как связанных, так и
не связанных с системой централизованного энергоснабжения. В
первом случае аккумулирующие устройства также не применяют-
ся, так как недостаток энергии от солнечной установки восполняет-
ся от централизованной сети, а избыток направляется в сеть.
При автономном энергообеспечении потребителей используется
либо достаточно емкий аккумулятор электроэнергии для обеспече-
ния данного потребителя по заданному графику нагрузки, либо
12
дублер – какое-либо генерирующее устройство на традиционных
энергоносителях, способное оперативно восполнять недостаток
энергии от солнечной установки.
Автономные системы предназначены для электроснабжения пе-
редвижных объектов или объектов, удаленных от основных линий
электропередач, в труднодоступных местах или местах, куда про-
кладка линии затруднена или невыгодна по экономическим причи-
нам [9].
Использование в таких условиях фотоэлектричества наиболее
эффективно и оправдано, стоимость 1 кВт⋅ч электроэнергии оказы-
вается значительно ниже. Мощность таких систем лежит в преде-
лах 0,01…100 кВт.
По используемому принципу преобразования солнечной энер-
гии солнечные энергоустановки делятся на фотоэлектрические,
реализующие метод прямого (безмашинного) преобразования сол-
нечной энергии в электрическую, и термодинамические, в которых
лучистая энергия преобразуется сначала в тепло, которое в термо-
динамическом цикле тепловой машины, в свою очередь, преоб-
разуется в механическую энергию, а затем в генераторе – в элек-
трическую.
Преобразование солнечной энергии в тепло может иметь боль-
шой энергетический эффект. Это обусловлено тем, что наибольшая
часть производимой в мире энергии используется в виде теплоты.
Кроме того, преобразование солнечной энергии в тепло реализует-
ся с помощью наиболее простых, а следовательно, и относительно
дешевых технических устройств. Между тем, как показывают ре-
зультаты соответствующих расчетов, удельная годовая теплопро-
изводительность установок солнечного горячего водоснабжения в
климатических условиях России достаточно высока и составляет
500–750 кВт⋅ч (тепловых) на 1 м2 коллектора при коэффициенте
замещения нагрузки (доли солнечной энергии в покрытии нагруз-
ки) 0,4–0,6. Что же касается применения активных (коллекторных)
систем солнечного отопления, то в климатических условиях России
они, в целом, не эффективны (за исключением некоторых районов)
вследствие малой удельной теплопроизводительности [9].
Во многих странах используется пассивные системы солнечного
отопления. В этом случае не используется какое-либо специальное
оборудование, а поглощение и аккумулирование энергии солнечно-
13
го излучения осуществляется непосредственно архитектурно-
строительными элементами здания. Однако в России пассивные
системы пока широкого применения не получили.
Рассмотрим основные проблемы, связанные с использованием
солнечной энергии и методы решения данных проблем. Сюда мож-
но отнести необходимость использования больших площадей зем-
ли под электростанции, зависимость эффективности работы фото-
элементов от их географического положения, сезона и климата,
времени суток и атмосферных явлений, высокую стоимость фото-
элементов, проблемы утилизации отработавших СЭ.
Для фотоэлементов первого (на основе пластин кристаллическо-
го кремния) и второго поколения (на основе тонких пленок неорга-
нических и органических полупроводников) требуется использова-
ние больших площадей земли под электростанции. Например, для ЭС
мощностью 1 ГВт это может быть несколько десятков квадратных
километров (для сравнения: гидроэнергетика при таких же мощностях
выводит из пользования заметно большие участки земли), но строи-
тельство СЭС такой мощности может привести к изменению микро-
климата в прилегающей местности, и поэтому в основном устанавли-
ваются фотоэлектрические станции мощностью 1–2 МВт недалеко от
потребителя или даже индивидуальные и мобильные установки [8, 9].
В настоящее время фотоэлектрические элементы на крупных
СЭС устанавливаются на высоте 1,8–2,5 м, что позволяет исполь-
зовать земли под электростанцией для сельскохозяйственных нужд,
например, для выпаса скота. Проблема нахождения больших пло-
щадей земли под СЭС решается в случае применения солнечных
аэростатных электростанций, пригодных как для наземного, так и
для морского и высотного базирования.
Фотоэлектрические преобразователи работают днём и с мень-
шей эффективностью – в утренних и вечерних сумерках. При этом
пик электропотребления приходится именно на вечерние часы.
Кроме того, производимая ими электроэнергия может резко и не-
ожиданно колебаться из-за смены погоды. Для преодоления этих
недостатков на СЭС либо используют эффективные электрические
аккумуляторы, либо преобразуют солнечную энергию в другие ви-
ды энергии, например, строят гидроаккумулирующие станции, ко-
торые занимают большую территорию. На сегодняшний день эта
проблема решается созданием единых энергетических систем, ко-
14
торые перераспределяют вырабатываемую и потребляемую мощ-
ность. Проблема некоторой зависимости мощности СЭС от време-
ни суток и погодных условий решается также с помощью солнеч-
ных аэростатных электростанций [8, 9].
В настоящее время стоимость электричества, получаемого СБ,
пока остается достаточно высокой, его стремительное удешевление
прогнозируется уже в ближайшем будущем. В 1990–2005 гг. цены
на фотоэлементы снижались в среднем на 4 % в год. Снижение
стоимости тонкопленочных ФЭП до 1 $/Вт, сделает фотоэлектри-
чество конкурентно-способным с электроэнергией, производимой
на тепловых электростанциях [2, 9].
Поверхность фотопанелей и зеркал (для тепломашинных элек-
тростанций) нужно очищать от пыли и других загрязнений. В слу-
чае крупных фотоэлектрических станций, при их площади в не-
сколько квадратных километров это может вызвать затруднения.
Эффективность фотоэлектрических элементов падает при их на-
греве (в основном это касается систем с концентраторами), поэтому
возникает необходимость в установке систем охлаждения, обычно
водяных. Также в фотоэлектрических преобразователях третьего и
четвёртого поколений используют для охлаждения преобразование
теплового излучения в излучение наиболее согласованное с погло-
щающим материалом фотоэлектрического элемента (так называемое
up-conversion), что одновременно повышает КПД [8].
Через 30 лет эксплуатации эффективность фотоэлектрических
элементов начинает снижаться. Отработавшие фотоэлементы, хотя
и незначительная их часть в основном специального назначения,
содержат компонент (кадмий), который требует специальных спо-
собов утилизации.
В последнее время активно развивается производство тонкоплё-
ночных фотоэлементов, в составе которых содержится всего около
1 % кремния, по отношению к массе подложки, на которую нано-
сятся тонкие плёнки. Из-за малого расхода материалов на погло-
щающий слой тонкоплёночные кремниевые фотоэлементы дешевле
в производстве. Однако эти фотоэлементы пока имеют меньшую
эффективность и неустранимую деградацию характеристик во вре-
мени. Кроме того, развивается производство тонкоплёночных фо-
тоэлементов на других полупроводниковых материалах, в частно-
сти CIS и CIGS, достойных конкурентов кремнию.
15
В заключение отметим перспективы развития солнечной энер-
гетики.
Сгенерированная на основе солнечного света энергия, как пола-
гают эксперты Международного энергетического агентства (IEA),
сможет к середине XXI века обеспечить до 25 % потребностей че-
ловечества в электричестве, что будет составлять около 9 тысяч
тераватт-часов. Это обеспечит сокращение выбросов углекислого
газа на 6 млрд. т ежегодно[1–3, 8].
Растет использование солнечной энергии на транспорте, в быту,
сервисе, и производстве.
Согласно прогнозам объем фотоэнергосистем в 2020 г. превысит
50 ГВт, т.е. за 20 лет объем рынка увеличится в 140 раз (в 2000 г.
было произведено 280 МВт). Фотоэнергетика экономически рента-
бельна уже сейчас, например, для обеспечения электроэнергией
автономных потребителей, а также для низковольтного электро-
обеспечения (дежурное освещение, датчики, сенсоры и др.).
К 2031 г. в мире планируется иметь совокупную установленную
мощность электрогенераторов на солнечной энергии 1700 ГВт (для
сравнения: в 2004 г. – 1256 МВт).
Если сегодня солнечная энергетика занимает менее 1 % в обще-
мировом балансе произведенной электроэнергии, то к 2040 г. эта
доля должна возрасти до 30 % [4].
1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических

преобразователей
Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, уст-

ройствами для превращения солнечной энергии в электрическую
являются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи
(ФЭП), поскольку это – прямой одноступенчатый переход энергии.
КПД производимых в промышленных масштабах фотоэлементов в
среднем составляет 16 %, у лучших образцов до 25 %. В лабора-
торных условиях уже достигнут КПД 40,7 % [1, 2].
Фотоэлектрическое преобразование обладает значительными
потенциальными преимуществами [9]:
- нет движущихся частей, что существенно упрощает и снижает
стоимость обслуживания, срок службы, вероятно, будет достигать
100 лет (проблема не в самих преобразователях, а в герметизи-
16
рующих материалах) при незначительном снижении эксплуатаци-
онных характеристик;
- эффективно используется как прямое, так и рассеянное (диф-
фузное) солнечное излучение,
- не требуется высокой квалификации обслуживающего персо-
нала;
- существует возможность создания установок практически лю-
бой мощности.
Принцип работы ФЭП. Преобразователи работают на принци-
пе внутреннего фотоэффекта, при котором фотоны, поглощающие-
ся в базовом полупроводниковом слое ФЭП, передают свою энер-
гию непосредственно электронам. В результате этого электроны
становятся свободными, что приводит к увеличению числа свобод-
ных носителей заряда в полупроводниках. На месте свободным от
электронов остаются положительно заряженные дырки. Таким об-
разом, поглощение света в идеальном полупроводнике приводит к
появлению электрон-дырочной пары, которая существует в полу-
проводнике некоторое время, определяемое временем жизни, кото-
рое, в свою очередь, зависит от структурного совершенства полу-
проводникового материала [10, 16].
Процесс аннигиляции электрон-дырочных пар называется реком-
бинацией. Отметим, что генерацию электрон-дырочной пары вызы-
вает излучение с энергией, достаточной для разрушения связи элек-
трона с ядром атома. Поэтому не все полупроводники являются чув-
ствительными к солнечному излучению в наземных условиях. По
своему строению наиболее подходящими являются кремний (Si),
арсенид галлия (GaAs), теллурид кадмия (CdTe), диселенид меди и
индия и галлия CuInSe2. и Cu(In,Ga)Se2 и др.
Преобразование энергии в ФЭП основано на фотовольтаическом
эффекте, который возникает в неоднородных полупроводниковых
структурах при воздействии на них солнечного излучения. Неод-
нородность структуры ФЭП может быть получена [16]:
- легированием одного и того же полупроводника различными
примесями (создание p-n-переходов);
- созданием гетеропереходов;
- за счёт изменения химического состава полупроводника, при-
водящего к появлению градиента ширины запрещённой зоны (соз-
дание варизонных структур).
17
Возможны также различные комбинации перечисленных спосо-
бов.
Эффективность работы ФЭП зависит от оптических и электро-
физических свойств полупроводникового материала [5, 10, 11]:
1) от коэффициента отражения света от поверхности полупро-
водника: чем больше света проникает вглубь базового слоя, тем
выше КПД;
2) от квантового выхода полупроводника, который показывает
отношение числа поглотившихся фотонов к числу генерировав-
шихся при этом электронов. Этот коэффициент всегда меньше еди-
ницы, так как часть фотонов поглощается на различных структур-
ных несовершенствах полупроводника, что не приводит к генера-
ции электрон-дырочной пары;
3) от диффузионной длины носителей заряда, которая должна
обеспечить возможность диффузии пар к энергетическому барьеру,
на котором происходит их разделение. Соотношения между диф-
фузионной длиной носителей заряда, глубиной залегания p-n-
перехода относительно освещаемой поверхности и толщиной нахо-
дящегося за ним полупроводникового слоя должно быть совместно
оптимизировано;
4) от спектрального положения основной полосы поглощения
солнечного излучения;
5) от выпрямляющих характеристик p-n-перехода, которые оп-
ределяют эффективность разделения носителей заряда;
6) от степени легирования областей полупроводника по обе сто-
роны p-n-перехода, что совместно с требованием минимизации со-
противления других слоев ФЭП, формы и места расположения то-
косъемных контактов обеспечивает низкое внутреннее последова-
тельное электросопротивление источника тока.
Таким образом, эффективность преобразования зависит от элек-
трофизических характеристик неоднородной полупроводниковой
структуры, а также оптических свойств ФЭП, среди которых наи-
более важную роль играет фотопроводимость. Она обусловлена
явлениями внутреннего фотоэффекта в полупроводниках при облу-
чении их солнечным светом.
Основные необратимые потери энергии в ФЭП связаны с [10, 16]:
18
- отражением солнечного излучения от поверхности преобразо-
вателя;
- прохождением части излучения через ФЭП без поглощения в
нём;
- рассеянием на тепловых колебаниях решётки избыточной
энергии фотонов;
- рекомбинацией образовавшихся фото-пар на поверхностях и в
объёме ФЭП;
- внутренним сопротивлением преобразователя и т.д.
Для уменьшения всех видов потерь энергии в ФЭП разрабаты-
ваются и успешно применяются различные мероприятия. К их чис-
лу относятся [1, 4, 5, 8, 10]:
- использование полупроводников с оптимальной для солнечно-
го излучения шириной запрещённой зоны (около 1,4 эВ);
- улучшение свойств полупроводниковой структуры путём её
оптимального легирования и создания встроенных электрических
полей;
- переход от гомогенных к гетерогенным и варизонным полу-
проводниковым структурам;
- оптимизация конструктивных параметров ФЭП и разработка
новых конструкций;
- применение многофункциональных оптических покрытий,
обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту
ФЭП от космической радиации;
- разработка ФЭП, прозрачных в длинноволновой области сол-
нечного спектра за краем основной полосы поглощения;
- создание каскадных ФЭП;
- переход на наноразмерные структуры.
Также существенного повышения КПД ФЭП удалось добиться
за счёт создания преобразователей с двухсторонней чувствительно-
стью (до +80 % к уже имеющемуся КПД одной стороны), примене-
ния люминесцентно переизлучающих структур, предварительного
разложения солнечного спектра на две или более спектральные об-
ласти с помощью многослойных плёночных светоделителей с по-
следующим преобразованием каждого участка спектра отдельным
ФЭП и т. д. [8].
19
Отметим, что ряд перспективных материалов трудно получить в
необходимых для создания СЭС количествах из-за ограниченности
природных запасов исходного сырья или сложности его переработ-
ки. Отдельные методы улучшения энергетических и эксплуатаци-
онных характеристик ФЭП (например, за счёт создания сложных
структур) плохо совместимы с возможностями организации их
массового производства при низкой стоимости и т.д. Высокая про-
изводительность может быть достигнута лишь при организации
полностью автоматизированного производства ФЭП, например, на
основе ленточной технологии, и создании развитой сети специали-
зированных предприятий соответствующего профиля, то есть фак-
тически целой отрасли промышленности, соизмеримой по масшта-
бам с современной радиоэлектронной промышленностью. Изготов-
ление фотоэлементов и сборка солнечных батарей на автоматизи-
рованных линиях обеспечит многократное снижение себестоимо-
сти батареи [2].
Принципы классификации ФЭП. Преобразователи можно
классифицировать по интенсивности собирания света, по химиче-
скому составу, кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ, толщине и кристаллической структуре слоев, количеству
совмещенных на одной подложке элементов, по типу используемых
барьеров и их количеству, по сфере применения и т. д.
По интенсивности собирания света СЭ разделяются на
единичные и концентраторные. Единичные СЭ не имеют спе-
циальных устройств для собирания света и поглощают только то
количество светового потока, которое падает на занимаемую
ими площадь поверхности. Концентраторные СЭ имеют специаль-
ные концентрирующие световые устройства (линзы или зеркала),
которые позволяют увеличивать плотность светового потока на
поверхности элементов в несколько раз. Как правило, концентра-
торные элементы изготовляются из дорогих светопоглощающих
материалов с наилучшими показателями фотовольтаического пре-
образования света. В обозначении таких СЭ обязательно указыва-
ется коэффициент собирания света [3].
Коэффициент собирания показывает, во сколько раз увеличится
плотность потока падающего на СЭ излучения после его оптиче-
ского собирания концентрирующими системами.
20
В зависимости от химического состава различают органические
и неорганические фотоэлектрические преобразователи.
Преимуществом органических ФЭП является их экологическая
безопасность, технологичность, дешевая утилизация, очень низкая
стоимость производства, гибкость модулей, малый вес и связанное
с этим удобство транспортировки и монтажа. Основными недос-
татками является достаточно невысокий КПД (около 5–10 %) и
проблема стабильности свойств органических материалов.
К неорганическим ФЭП относятся приборы на основе кремния,
арсенида галлия, полупроводниковых соединений АIIIBV, АIIBVI (в
основном CdTe), АIВIIIC VI
2 полупроводников и других неорганиче-
ских материалов. Следует отметить, что сейчас более 80 % произ-
водимых в мире СЭ изготавливается на основе кристаллического
кремния. Поэтому ФЭП можно также классифицировать как крем-
ниевые фотоэлементы и фотоэлементы на некремниевой основе.
В зависимости от степени регулярности и упорядочения кри-
сталлической структуры кремния различают ФЭП на основе мо-
нокристаллического, мультикристаллического, поликристалличе-
ского или аморфного кремния. Абсолютное большинство СЭ изго-
тавливают из монокристаллических либо мульти кристаллических
подложек.
В целом по кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ подразделяются на монокристаллические, мультикристал-
личекие, поликристаллические, микрокристаллические, нанокри-
сталлические. Монокристаллические солнечные элементы пред-
ставляют собой солнечные элементы с поглотителем в виде цель-
ного кристалла полупроводникового вещества. Мульти-, поли-,
микро- и нанокристаллические СЭ имеют в качестве поглощаю-
щего вещества смесь полупроводниковых кристаллитов с различ-
ной ориентацией, структурой и формой, размер которых и опреде-
ляет тип солнечного элемента при размерах кристаллитов от 1 до
100 мм вещество называют мультикристаллическим, от 1 до 1000
мкм – поликристаллическим, менее 1 мкм – микрокристалличе-
ским, менее 1 нм – нанокристаллическим [3].
В зависимости от толщины светопоглощающего материала
солнечные элементы подразделяются на тонкопленочные и тол-
стопленочные. Тонкопленочные СЭ имеют толщину в несколько
мкм, толстопленочные – в десятки или сотни мкм.
21
Отметим, что в 2005 г. на тонкоплёночные фотоэлементы при-
ходилось 6 % рынка. В 2006 г. тонкоплёночные фотоэлементы за-
нимали 7 % долю рынка. В 2007 г. доля тонкоплёночных техноло-
гий увеличилась до 8 %, а в 2009 г. – выросла до 16,8 % [8].
Рассматриваемые ФЭП производятся в виде тонких пленок та-
ких материалов, как аморфный кремний (α-Si:H), теллурид кадмия,
диселенид меди и индия (CIS), арсенид галлия, фосфид индия и
других, нанесенных на различные подложки [5].
Основное достоинство тонкопленочных СЭ заключается в том,
что их стоимость достаточно низкая из-за дешевой технологии из-
готовления и применения сравнительно дешевых материалов. К
основным недостаткам относятся низкий КПД и постепенная де-
градация характеристик.
Наибольшую эффективность демонстрируют СЭ на основе пле-
нок полупроводниковых поликристаллических соединений CdTe,
Cu(In,Ga)Se2, толщиной порядка нескольких мкм и пленок гидро-
генизированного аморфного кремния [5, 10, 12].
По типу используемых барьеров различают ФЭП на основе p-n-
переходов, гетеропереходов, на основе потенциальных барьеров
металл–полупроводник. Отметим, что в фотоэлементах с гетеропе-
реходами на сегодняшний день достигнуты максимальные КПД.
По способу соединения используемых барьеров различают одно-
каскадные и многокаскадные СЭ.
По сфере применения различают солнечные элементы для на-
земного использования и для применения в космосе.
Развитие ФЭП. В настоящее время ведутся работы по созданию
фотогальванических элементов, использующих квантовые точки и
устройств со встроенными углеродными нанотрубками. Их КПД,
по мнению ученых, к моменту начала широкомасштабного произ-
водства достигнет 45 %. Сюда также относятся фотоэлектрохими-
ческие, нанокристаллические и полимерные солнечные батареи,
применение которых будет осуществимо только на земной поверх-
ности [15]. Цель разработки этих элементов – снижение стоимости
электроэнергии ниже 0,5 долл./Вт. Способ реализации этой задачи
– существенно увеличить эффективность фотопреобразования при
сохранении (или незначительном повышении) стоимости произ-
водства и издержек на утилизацию и экологическую безопасность
[13].
22
Следующим этап в развитии солнечной энергетики – это созда-
ние и использование композитных фотогальванических элементов,
в которых будут сочетаться полимеры и наночастицы, образующие
один монослой. В дальнейшем эти тонкие слои могут быть совме-
щены с образованием полноценных, более эффективных и эконо-
мичных солнечных батарей [15].
В заключении отметим, что единичные фотоэлементы генери-
руют ограниченную мощность, поэтому для получения требуемых
энергетических характеристик единичные ФЭП объединяют по-
следовательно между собой в модули и последовательно-
параллельным способом в батареи. Мощность модулей и батарей
складывается из выходных мощностей отдельных СЭ. В зависимо-
сти от технологии изготовления фотоэлектрических преобразова-
телей, существуют различные виды солнечных батарей.
1.3. Состав солнечного излучения
Источник энергии. Источником энергии солнечного излуче-

ния служит термоядерная реакция. Каждую секунду около 6⋅1011 кг
водорода превращается в гелий. При этом выделяется энергия
4⋅1020 Дж. Основная часть этой энергии испускается в виде
электромагнитного излучения в диапазоне от ультрафиолетово-
го до инфракрасного (0,2–3 мкм) [5].
При прохождении через атмосферу солнечный свет ослабля-
ется в основном благодаря поглощению инфракрасного излуче-
ния парами воды, поглощению ультрафиолетового излучения озо-
ном и рассеянию излучения находящимися в воздухе частица-
ми пыли и аэрозолями.
Параметром, отражающим влияние атмосферы на интенсив-
ность и спектральный состав солнечного излучения, доходящего
до земной поверхности, является атмосферная масса (АМ).
При нулевой воздушной массе АМ0 интенсивность излучения
ЕС = 1360 Вт/м2. Это значение иногда называется солнечной посто-
янной. Спектр АМ0 определяет работу солнечных батарей на спут-
никах и космических кораблях.
Величина АМ1 соответствует прохождению солнечного излу-
чения через безоблачную атмосферу до уровня моря при зениталь-
ном расположении Солнца (ЕС = 925 Вт/м2) [5].
23
Наиболее характерной в земных условиях является величина
АМ1,5 (θ = 42°). Она принята за стандартную при интегральной
поверхностной плотности солнечного излучения ЕС = 844 Вт/м2,
что необходимо при обеспечении сравнимости результатов иссле-
дований различных солнечных элементов. Спектр АМ2 реализует-
ся при угле θ = 60° (ЕС = 691 Вт/м2).
Воздушная масса для любого уровня земной поверхности в
любой момент дня определяется по формуле
Р 1
АМ ( Р ) = ⋅ , (1.1)
Р0 sin θ
где P – атмосферное давление, Па; P0 – нормальное атмосферное
давление (1,013·105 Па); θ – угол высоты Солнца над горизонтом.
Количество солнечного излучения, поступающего к поверхно-
сти Земли в определенном географическом районе, называют инсо-
ляцией. Инсоляция зависит от широты местности и местного кли-
мата, уровня загрязнения воздуха, изменяется с сезонными колеба-
ниями расстояния Земля–Солнце, зависит от атмосферной массы.
Инсоляцию обычно выражают средними значениями количества
солнечного излучения за год, месяц, день и др.
При рассмотрении оптических свойств поверхности Земли
также используется понятие альбедо Земли.
Альбедо поверхности Земли – это отношение потока излучения,
отраженного от поверхности Земли в окружающее пространство, к
потоку, упавшему на неё. Среднее альбедо Земли, рассчитанное по
диффузному отражению поверхности равно 0,34. Считается, что
спектр отраженного излучения подобен спектру солнечного излу-
чения у поверхности Земли при атмосферной массе, равной 1.
Состав солнечного излучения. Солнечное излучение имеет
спектральный состав от 0,1 мкм до 30 м. Наибольшая часть энергии
солнечного излучения сосредоточена в диапазоне 0,2–3 мкм. Наи-
более распространенные названия частей солнечного спектра сле-
дующие: ультрафиолетовая часть спектра от 0,1 до 0,38 мкм, види-
мая часть спектра от 0,38 до 0,78 мкм, инфракрасная часть спектра
от 0,78 мкм и более.
Инфракрасное излучение подразделяется на – близкое инфра-
красное и далекое инфракрасное.
24
Ультрафиолетовое излучение, обладающее в космических ус-
ловиях высокой интенсивностью, поглощается в верхней части ат-
мосферы Земли озоном, поэтому до Земли доходит лишь незначи-
тельная часть излучения с длиной волны около 0,3 мкм.
На рис. 1.1 приведено распределение числа фотонов, прихо-
дящихся на единичный энергетический интервал на 1 см2 за 1 с в
условиях АМ0 и АМ1,5.
Рис. 1.1. Спектральное распределение потока фотонов,

поступающих от Солнца в условиях АМ0 и АМ1,5 [5]
Рис. 1.2. Распределение солнечной энергии по спектру
25
На рис. 1.2 приведены четыре кривые, иллюстрирующие спек-
тральное распределение интенсивности солнечного излучения
(мощность на единицу площади в единичном интервале длин
волн). Верхняя кривая соответствует солнечному спектру за преде-
лами земной атмосферы, т.е. при нулевой воздушной массе (АМ0).
Это распределение можно аппроксимировать распределением ин-
тенсивности черного тела при температуре 5800 К.
Значение величины интенсивности солнечного излучения ис-
пользуют при расчете КПД солнечного элемента, при сравнении
параметров различных солнечных элементов, работающих при
одинаковых условиях.
1.4. Концентрирование света
Как уже отмечалось, более 80 % объема рынка солнечных эле-

ментов приходится на кремниевые СЭ. Более высокий КПД имеют
гетеропереходные солнечные элементы на основе соединений
А3В5, особенно – каскадные СЭ. Однако многопереходные фото-
элементы имеют сложную структуру и высокую стоимость, обу-
словленную сложной технологией изготовления и стоимостью ма-
териалов. Поскольку экономический фактор является определяю-
щим при выборе определенного типа фотоэлемента, то для круп-
номасштабного использования фотоэлементов требуется снижать
их стоимость и повышать КПД.
Для увеличения КПД фотоэлементов и снижения их стоимости
переспективно осуществлять фотоэлектрическое преобразование
концентрированного солнечного излучения. При использовании
концентраторных фотоэлектрических модулей с сильноточными
гетерофотоэлементами генерируемый фототок возрастает линейно
с увеличением светового потока, а выходное напряжение в свою
очередь возрастает с увеличением тока по логарифмическому закону.
Таким образом, выходная мощность растет сверхлинейно при концен-
трировании излучения и эффективность фотоэлектрического преобра-
зования увеличивается.
Концентрирование заключается в фокусировании солнечных
лучей на приемник солнечного излучения с помощью различных
оптических элементов – зеркал, линз и т.д. При высоких уровнях
26
мощности концентрируемого излучения в основном используются
зеркальные отражатели.
Основным энергетическим показателем концентратора солнеч-
ного излучения является коэффициент концентрации, который оп-
ределяется как отношение средней плотности сконцентрированно-
го излучения к плотности лучевого потока, падающего на отра-
жающую поверхность при условии точной ориентации на Солнце.
Концентрирующая способность реальных систем определяется,
прежде всего, геометрией концентратора и углом падения солнечного
излучения на его поверхность. Существенно на неё влияет и отража-
тельная способность зеркальной поверхности, особенно в случае мно-
гократных отражений.
Главной движущей силой при создании концентраторных моду-
лей является возможность снижения расхода полупроводниковых
материалов для выработки заданной электрической мощности про-
порционально кратности концентрирования светового потока. В
этом случае полупроводниковые фотоэлементы относительно ма-
лой площади перехватывают солнечное излучение, находясь в фо-
кальной плоскости концентраторов. Вклад стоимости фотоэлемен-
тов в стоимость солнечных модулей становится незначительным, в
то время как эффективность модулей напрямую зависит от эффек-
тивности используемых фотоэлементов.
В целом, оптическое концентрирование излучение обеспечива-
ет следующие преимущества [16]:
1) снижается стоимость солнечных элементов, поскольку при
этом бóльшая часть площади солнечного элемента заменяется по-
верхностью концентратора;
2) возрастает КПД элемента;
3) появляется возможность создания гибридных систем, кото-
рые одновременно вырабатывают элкектрическую энергию и
тепло;
4) ослабляется зависимость эффективности работы элемента от
температуры окружающей среды.
Таким образом, концентрирование света создало предпосылки
для экономически оправданного использования в наземной
энергетике наиболее эффективных, хотя и дорогих, фотоэлементов
на основе соединений AIIIBV.
27
Ключевой проблемой при разработке концентраторных
фотоэлементов являлось радикальное снижение внутренних
омических потерь [2]. Например, в гетероструктуре AlGaAs/GaAs
слой AlGaAs играет основную роль в собирании тока, поэтому не-
обходим некоторый компромисс между его слоевым сопротивле-
нием (толщиной и удельным сопротивлением), расстояниями меж-
ду токосъемными полосками и количеством света, прошедшего
через него. Критичен также характер рисунка токосъемной сетки, а
многие другие параметры: контактное сопротивление, ширина то-
косъемных полосок, их толщины и расстояния между ними, сопро-
тивление общего токосъема – должны быть надлежащим образом
оптимизированы [10].
_____________________________________________________
V Вопросы для самопроверки
1. Перечислите основные способы сбора солнечной энергии. Какие

способы, на Ваш взгляд, более перспективны для нашей страны?
2. Перечислите преимущества практического использования солнеч-
ной энергии.
3. Укажите наиболее значимые недостатки использования солнечной
энергии. Как эти недостатки минимизируются либо устраняются?
4. Укажите сферы применения солнечной энергии. Как наиболее целе-
сообразно применять солнечную энергию в Вашем регионе, в России?
5. Перечислите основные способы получения электричества и тепла из
солнечного излучения.
6. Что такое сетевая солнечная электростанция? Поясните принцип ее
действия.
7. Что такое автономная солнечная электростанция? В каких случаях
эффективно и целесообразно ее применение?
8. Укажите основные проблемы, связанные с использованием солнеч-
ной энергии. Какие методы решения данных проблем существуют?
9. Каковы перспективы дальнейшего развития солнечной энергетики в
нашей стране и в мире?
10. Что такое фотоэлектрический преобразователь (ФЭП)? Отметьте
основные преимущества фотоэлектрического преобразования солнечно-
го излучения.
11. Какими оптическими и электрофизическими свойствами должен
обладать полупроводниковый материал для изготовления на его основе
фотоэлектрического преобразователя?
28
12. Перечислите основные необратимые потери энергии в ФЭП? Ка-
ким образом данные потери минимизируются?
13. Перечислите принципы классификации фотоэлектрических преоб-
разователей. Укажите основные виды фотоэлектрических преобразовате-
лей, их преимущества и недостатки.
14. В чем физический смысл параметра «атмосферная масса»? Как этот
параметр учитывается и используется на практике?
15. Перечислите преимущества и недостатки применения концентри-
рованного света.
29
2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СОЛНЕЧНОГО
ЭЛЕМЕНТА
Для качественного понимания физических процессов, проте-

кающих при работе СЭ, необходимо иметь базовые знания по фи-
зике твердого тела, кристаллографии, технологии полупроводнико-
вых материалов. В настоящей главе рассмотрены основные типы
потенциальных барьеров, используемых в фотоэлектрических по-
лупроводниковых преобразователях, достоинства и недостатки
различных типов потенциальных барьеров (металл – полупровод-
ник, p-n-переход, гетеропереход) с точки зрения их использования
в СЭ.
2.1. Принцип работы приборов

с электронно-дырочными переходами
2.1.1. Понятие, виды и образование

электронно-дырочного перехода
Электрический переход между областями полупроводника с

электропроводностью p- и n-типов называют электронно-дыроч-
ным переходом (ЭДП) или p-n-переходом. Такой переход обладает
выпрямляющими или вентильными свойствами: он гораздо лучше
пропускает ток в одном направлении, чем в другом, что использу-
ется в полупроводниковых диодах.
Различают следующие виды электрических переходов:
- электронно-дырочный (p-n-переход или гомопереход) – пере-
ход между двумя областями полупроводника, имеющими разный
тип электропроводности;
- переход металл – полупроводник – переход между двумя об-
ластями, если одна из них является металлом, а другая полупро-
водником p- или n-типа;
- изотипные переходы – переходы между двумя областями с од-
ним типом электропроводности, отличающиеся значением концен-
трации примесей;
- гетеропереход – переход между двумя полупроводниковыми
материалами с различной шириной запрещенной зоны.
30
Поверхность, по которой контактируют слои p- и n-, называется
металлургической границей, а прилегающая к ней область объем-
ных зарядов p-n-переходом. Два других (внешних) контакта диода
– невыпрямляющие, поэтому их называют омическими.
По резкости металлургической границы p-n-переходы делят на
ступенчатые и плавные, а по соотношению удельных сопротивле-
ний слоев – на симметричные и несимметричные.
Ступенчатым (резким) переходом называют переход с иде-
альной границей, по одну сторону которой находятся доноры с по-
стоянной концентрацией Nd, а по другую – акцепторы с постоянной
концентрацией Na. Смена типа примеси в таком переходе происхо-
дит на расстоянии, соизмеримом с диффузионной длиной. Такие
переходы наиболее просты для анализа.
В плавном переходе концентрации примесей изменяются на
расстоянии, значительно большем диффузионной длины, метал-
лургическая граница в этом случае соответствует равенству при-
месных концентраций (Nd = Na).
В симметричном переходе концентрации примесей в p- и n-
областях примерно одинаковы, такой переход не типичен для по-
лупроводниковой техники.
В несимметричном переходе концентрация акцепторов Na в
области полупроводника p-типа на несколько порядков отличается
от концентрации доноров Nd в области полупроводника n-типа:
Na>>Nd или Na<<Nd. При этом концентрации основных носителей
заряда в областях будут различны: pp >> nn или pp << nn.
Рассмотрим образование несимметричного резкого p-n-
перехода. Поясним процесс образования p-n-перехода с помощью
диаграмм, представленных на рис. 2.1.
В первый момент после образования перехода в результате раз-
ности концентраций подвижных носителей заряда на границе кон-
такта полупроводников p- и n-типов имеет место градиент кон-
центрации носителей заряда каждого знака (рис. 2.1, а). Под дейст-
вием градиента концентрации будет происходить диффузия основ-
ных носителей заряда из области с высокой концентрацией в об-
ласть с меньшей их концентрацией. Так как концентрация дырок в
p-области выше, чем в n-области, то часть дырок в результате диф-
фузии перейдет в n-область, где вблизи границы окажутся избы-
точные дырки, которые будут рекомбинировать с электронами. Со-
31
ответственно, в этой зоне уменьшится концентрация свободных
электронов и образуется область нескомпенсированных положи-
тельных ионов донорной примеси.
Рис. 2.1. Диаграммы, поясняющие процесс образования p-n-перехода
В p-области уход дырок из граничного слоя способствует обра-

зованию области с нескомпенсированными отрицательными заря-
дами ионов акцепторной примеси. Подобным же образом происхо-
дит диффузионное перемещение электронов из n-слоя в p-слой
(рис. 2.1, б).
Отрицательные ионы акцепторов и положительные ионы доно-
ров находятся в узлах кристаллической решетки и поэтому не мо-
гут двигаться по кристаллу полупроводника. Область образовав-
шихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) и есть об-
ласть p-n-перехода (рис. 2.1, в). В ней имеют место пониженная
концентрация основных носителей заряда и, следовательно, повы-
шенное сопротивление, которое определяет электрическое сопро-
тивление всей системы. В зонах, прилегающих к месту контакта
двух разнородных областей, нарушается условие электронейтраль-
32
ности. Но за пределами p-n-перехода все заряды взаимно компен-
сируют друг друга, и полупроводник остается электрически ней-
тральным.
Электрическое поле, возникающее между разноименными ио-
нами, препятствует перемещению основных носителей заряда (рис.
2.2, а). Поэтому поток дырок из p-области в n-область и электронов
из n-области в p-область уменьшается с ростом напряженности
электрического поля. Однако это поле не препятствует движению
через переход неосновных носителей, имеющихся в p- и n-
областях. Эти носители заряда собственной электропроводности,
имеющие энергию теплового происхождения, генерируются в объ-
еме полупроводника и, диффундируя к электрическому переходу,
захватываются электрическим полем. Они перебрасываются в об-
ласть с противоположной электропроводностью.
Рис. 2.2. Распределение напряженности

и потенциала электрического поля
в p-n-переходе
Переход неосновных носителей приводит к уменьшению объ-

емного заряда и электрического поля в переходе. Как следствие,
имеет место дополнительный диффузионный переход основных
носителей, в результате чего электрическое поле принимает исход-
ное значение. При равенстве потоков основных и неосновных но-
сителей заряда и соответственно токов наступает динамическое
равновесие.
Переход в целом нейтрален: положительный заряд в левой час-
ти равен отрицательному заряду в правой части перехода (см. рис.
2.1, в). Однако плотности зарядов различны (из-за различия в
концентрациях примесей). Поэтому различны и протяженности
обедненных слоев: в слое с меньшей концентрацией примеси (в
33
нашем случае в n-слое) область объемного заряда значительно ши-
ре (см. рис. 2.1, а). Как говорят, несимметричный переход сосредо-
точен в высокоомном слое.
Ширина p-n-перехода аналитически может быть найдена с по-
мощью формулы
⎛ 1 1 ⎞
2 ⋅ ε ⋅ ε 0 ⋅ ϕк
l0 = l p + ln = ⋅⎜ + ⎟, (2.1)
q
⎝ Na Nd ⎠
где ε – диэлектрическая проницаемость полупроводника; ε0 – элек-
трическая постоянная; q – заряд электрона; ϕк – контактная раз-
ность потенциалов; Na – концентрация акцепторов; Nd – концентра-
ция доноров.
Поскольку Na >> Nd, то lp << ln, и приближенно можно записать
2⋅ε⋅ε 0 ⋅ϕ к 1
l0 ≈ ln ≈ ⋅ . (2.2)
q Nd
Электрическое поле препятствует переходу основных носителей
заряда через p-n-переход. Таким образом, при контакте двух полу-
проводников возникает потенциальный барьер (рис. 2.2, б). При
увеличении концентрации примеси возрастает максимальное зна-
чение напряженности электрического поля в p-n-переходе (см. рис.
2.2, а).
Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна
контактной разности потенциалов ϕк:
⎛ nn ⋅ p p ⎞ k ⋅ T ⎛ N ⋅N ⎞
ϕк = ϕТ ⋅ ln ⎜ 2 ⎟= ⋅ ln ⎜ d 2 a ⎟ . (2.3)
⎝ ni ⎠ q ⎝ ni ⎠
Формула (2.3) определяет зависимость контактной разности по-
тенциалов p-n-перехода от трех факторов: ϕк = f [материал полу-
проводника; Nпр; T].
Зависимость ϕк от материала полупроводника определяется раз-
личным значением их ширины запрещенной зоны. Чем больше ши-
рина запрещенной зоны полупроводника, тем больше контактная
разность потенциалов. При комнатной температуре ориентировоч-
ные значения контактной разности потенциалов p-n-переходов из
различных полупроводниковых материалов составляют величины:
ϕк GE = (0,3÷0,4) В, ϕк SI = (0,6÷0,8) В, ϕк GaAs = (1,0÷1,2) В.
34
Чем больше степень легирования полупроводника, то есть чем
больше вносится в полупроводник атомов примеси (Nпр – концен-
трация примеси), тем большее значение имеет контактная разность
потенциалов.
Контактная разность потенциалов зависит от температуры ок-
ружающей среды. С увеличением температуры контактная раз-
ность потенциалов уменьшается. Это связано с тем, что в выраже-
нии для ϕк с увеличением температуры окружающей среды возрас-
kT
тает значение температурного потенциала ϕТ = , но
q
⎛ ΔWз ⎞
ni = A ⋅ T 3 2 exp ⎜ − ⎟ также возрастает и это увеличение проис-
⎝ 2kT ⎠
ходит быстрее, чем рост температурного потенциала, поэтому кон-
тактная разность потенциалов при увеличении температуры
уменьшается [16].
2.1.2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода

в равновесном состоянии
В условиях равновесия p-n-перехода, когда отсутствует внешнее

напряжение, энергия Ферми одинакова для любого объема полу-
проводника (EF = const), поэтому уровень Ферми на энергетической
диаграмме, представленной на рис. 2.3, горизонтален.
Рис. 2.3. Энергетическая диаграмма несимметричного p-n-перехода

в равновесном состоянии
35
Уровень Ферми в полупроводнике p-типа расположен вблизи
энергетического уровня потолка валентной зоны, а в полупровод-
нике n-типа – вблизи энергетического уровня дна зоны проводимо-
сти, причем уровень Ферми ближе расположен к энергетическому
уровню потолка валентной зоны, чем к энергетическому уровню
дна зоны проводимости, из-за того, что Na >> Nd.
У изолированных p- и n-областей энергии Ферми неравны, по-
этому при составлении энергетической диаграммы p-n-перехода в
равновесном состоянии необходимо сместить энергетические
уровни n-области относительно энергетических уровней p-области,
как и показано на рис. 2.3.
В результате смещения энергетических уровней создается энер-
гетический (потенциальный) барьер величиной
qϕк = EFn – EFp.
Основные носители заряда областей полупроводника p- и n-
типов, энергия которых больше высоты барьера, преодолевают его.
Основные носители заряда, переходящие p-n-переход в тормозя-
щем для них электрическом поле, образуют диффузионную состав-
ляющую тока перехода iD. В то же время неосновные носители за-
ряда, находящиеся вблизи p-n-перехода и совершающие тепловое
хаотическое движение, попадают под действие электрического по-
ля p-n-перехода, увлекаются им и переносятся в противоположную
область: электроны p-области в n-область; дырки n-области в p-
область. Неосновные носители заряда, двигающиеся через переход
под действием напряженности электрического поля Eк, образуют
дрейфовую составляющую тока iE через переход.
Условие равновесия выполняется, когда диффузионный ток iD
будет компенсирован встречным дрейфовым током iE и полный ток
через переход будет равен нулю: iD + iE = 0 .
2.1.3. Неравновесное состояние p-n-перехода
Если подключить источник ЭДС между p- и n-слоями, то равно-

весие перехода нарушится и в цепи потечет ток. Поскольку удель-
ное сопротивление обедненного слоя намного выше, чем удельные
сопротивления нейтральных слоев, то внешнее напряжение прак-
тически полностью падает на переходе и изменяет высоту потенци-
ального барьера.
36
Прямосмещенный p-n-переход. Если к p-области подсоеди-
нить положительный полюс внешнего источника напряжения, а к
n-области – отрицательный, то получится такое включение p-n-
перехода, которое получило название прямого смещения p-n-
перехода. В этом случае под действием внешнего электрического
поля основные носители заряда начнут перемещаться в сторону p-
n-перехода, а также уменьшится высота потенциального барьера и
ширина перехода, что видно из потенциальной диаграммы рис. 2.4.
ϕпр = ϕк – Uпр, (2.4)
ϕк − U пр
lпр = l0 ⋅ . (2.5)
ϕк
Рис. 2.4. Схема включения p-n-перехода при прямом смещении

и потенциальная диаграмма p-n-перехода:
1 – распределение потенциала вдоль p-n-перехода в равновесном состоянии;
2 – распределение потенциала вдоль p-n-перехода при прямом смещении
В результате частичной компенсации внешним напряжением

потенциального барьера происходит резкое увеличение тока диф-
фузии через переход jD = jDp + jDn, так как все больше основных
носителей заряда оказываются способными преодолеть уменьшив-
шийся потенциальный барьер. Следовательно, существовавший в
37
равновесном состоянии баланс токов диффузии и дрейфа наруша-
ется и через переход потечет ток, который называется прямым.
В несимметричном p-n-переходе ток диффузии создается в ос-
новном потоком дырок из p-области в n-область, а так как встреч-
ный поток электронов мал, им можно пренебречь: jDp >> jDn. При
этом в n-области существенно возрастает концентрация избыточ-
ных неосновных носителей заряда – дырок, перешедших из p-
области. Это образование избыточной концентрации носителей
заряда получило название инжекции.
В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний
характер. Область, инжектирующая носители заряда, называется
эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет
низкое удельное электрическое сопротивление. Область, в которую
инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется
базой. База меньше легирована примесями и имеет большое значе-
ние удельного электрического сопротивления.
При прямом смещении уровень Ферми полупроводника в n-
области смещается вверх относительно его положения в p-области
на величину, равную q⋅Uпр. Соответственно, на эту же величину
снижается высота энергетического барьера (рис. 2.5).
Рис. 2.5. Энергетическая диаграмма прямосмещенного p-n-перехода
Вблизи p-n-перехода концентрации дырок в n-области и элек-

тронов в p-области оказываются больше равновесной концентра-
ции, определяемой по закону действующих масс:
38
pn = pn 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] , n p = n p 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] . (2.6)
Избыточные концентрации неосновных носителей вычисляются
по формулам:
Δpn = pn 0 ⋅ ⎡⎣exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ ,
Δn p = n p 0 ⋅ ⎡⎣ exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ . (2.7)
Из (2.7) следует, что избыточные концентрации неосновных но-
сителей заряда на границе p-n-перехода увеличиваются по экспо-
ненциальному закону в зависимости от напряжения, приложенного
к нему.
Дополнительные неосновные носители заряда в течение време-
ни (3÷5) τε компенсируются основными носителями заряда, кото-
рые приходят из объема полупроводника (где τε – время диэлек-
трической релаксации). В результате на границе p-n-перехода по-
является заряд, созданный основными носителями заряда, и вы-
полняется условие Δnn ≈ Δpn , Δp p ≈ Δn p .
Электронейтральность полупроводника восстанавливается. Та-
кое перераспределение основных носителей заряда приводит к по-
явлению электрического тока во внешней цепи, так как по ней по-
ступают носители заряда взамен ушедших к p-n-переходу и исчез-
нувших в результате рекомбинации.
Дрейфовая составляющая тока при приложении прямого напря-
жения остается практически без изменения. Это обусловлено тем,
что создающие этот ток неосновные носители генерируются вблизи
p-n-перехода на расстоянии, меньшем диффузионной длины L (L –
среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время
жизни). Те заряды, которые рождаются на большом расстоянии, в
основном рекомбинируют, не дойдя до перехода. Изменение ши-
рины перехода для носителей заряда этого происхождения не игра-
ет существенной роли. Они как генерировались в пределах толщи-
ны, определяемой диффузионной длиной, так и будут генериро-
ваться. Соответственно ток, обусловленный движением этих носи-
телей заряда, останется без изменения, т.е. таким же, как и в равно-
весном состоянии.
Таким образом, для несимметричного (Na >> Nd) прямосмещен-
ного p-n-перехода характерны следующие соотношения между то-
ками: jDp >> jDn, jD >> jE.
39
Обратносмещенный p-n-переход. Если к p-области подклю-
чить отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-
области – положительный, то такое включение p-n-перехода полу-
чило название обратного смещения p-n-перехода (рис. 2.6).
Рис. 2.6. Схема включения p-n-перехода при обратном смещении и потенциальная

диаграмма p-n-перехода
Под действием обратного напряжения Uобр основные носители

заряда будут перемещаться от границ p-n-перехода вглубь приле-
гающих к нему областей. При этом общий потенциальный барьер
повышается, ширина p-n-перехода увеличивается, что хорошо де-
монстрируется потенциальной диаграммой рис. 2.6:
ϕобр = ϕк + U обр , (2.8)
ϕк + U обр U обр
lобр = l ⋅ ≈l .. (2.9)
0 ϕк 0 ϕк
Приближенная запись (2.9) оправдана, так как ⎜Uобр⎜>> ϕк. Из
(2.9) видно, что p-n-переход расширяется нелинейно с увеличением
40
приложенного напряжения Uобр: сначала быстрее, затем расшире-
ние p-n-перехода замедляется. Уже при |Uобр⎜ = (0,1÷0,2) В ток диф-
фузии становится равным нулю, а через p-n-переход протекает только
ток неосновных носителей заряда, образующих дрейфовую состав-
ляющую тока.
В результате действия обратного напряжения снижается кон-
центрация неосновных носителей заряда у границ p-n-перехода и
появляется их градиент концентрации. Возникает диффузия неос-
новных носителей заряда к границам p-n-перехода, где они подхва-
тываются электрическим полем p-n-перехода и переносятся через
p-n-переход. Это поясняется диаграммой распределения концен-
траций основных и неосновных носителей заряда в областях p-n-
перехода, приведенной на рис. 2.7, на котором обозначено: Ln, Lp –
длина диффузии электронов и дырок.
Рис. 2.7. Распределение концентраций носителей заряда

в обратносмещенном p-n-переходе [16]
Как показано на рисунке, концентрация неосновных носителей

заряда на границах p-n-перехода практически падает до нуля. Сни-
жение концентраций неосновных носителей заряда у границ p-n-
перехода, появление градиента их концентрации и диффузия неос-
новных носителей заряда к p-n-переходу характеризуются экс-
тракцией.
41
В несимметричном p-n-переходе экстракция преобладает из ба-
зы в эмиттер.
При обратном смещении уровень Ферми полупроводника в n-
области смещается вниз относительно его положения в p-области
на величину, равную q⋅Uобр (рис. 2.8). Соответственно, на эту же
величину повышается высота энергетического барьера.
Рис. 2.8. Энергетическая диаграмма обратно смещенного p-n-перехода
Обратный ток определяется дрейфовой составляющей и равен

jE = jE p + jEn = q ⋅ pn ⋅μ p ⋅ E + q ⋅ n p ⋅μ n ⋅ E . (2.10)
Поскольку мы рассматриваем несимметричный переход, то име-
ем pn >> np и jE p >> jEn , а следовательно, можно приближенно за-
писать jE ≈ jE p . Таким образом, дрейфовый ток несимметричного
p-n-перехода – ток обратно смещенного p-n-перехода создается
преимущественно неосновными носителями базы.
42
2.2. Физический принцип работы элемента
с гомогенным переходом
2.2.1. Механизмы поглощения света полупроводниками
При поглощении света полупроводниками энергия фотонов

превращается в другие виды энергии. Она может идти на из-
менение энергетического состояния свободных или связанных с
атомами электронов, а также на изменение колебательной энергии
атомов. Поглощение обусловлено, в основном, действием следую-
щих механизмов:
- собственного, или фундаментального поглощения – межзон-
ных электронных переходов из валентной зоны в зону проводимо-
сти;
- экситонного поглощения – переходов, связанных с участием
экситонных состояний;
- поглощения свободными носителями заряда – переходов элек-
тронов или дырок внутри соответствующих разрешенных зон, т. е.
переходов, связанных с наличием свободных носителей заряда;
- примесного поглощения – переходов с участием примесных со-
стояний;
- решеточного, или фононного поглощения – поглощения энер-
гии световой волны колебаниями кристаллической решетки.
Отметим, что коэффициент поглощения α ( λ ) имеет смысл ве-
роятности поглощения фотона с длиной волны λ на единичной
длине образца. Если в кристалле действуют несколько механизмов
поглощения и они независимы друг от друга, то полная вероят-
ность поглощения выражается соотношением
α ( λ ) = ∑ αi ( λ ) . (2.11)
i
Таким образом, полный спектр поглощения полупроводника

складывается из спектров поглощения, связанных с действием раз-
личных механизмов. В разных спектральных интервалах преобла-
дают те или иные механизмы поглощения.
Ясно, что при взаимодействии света с электронами полупровод-
ника должны выполняться законы сохранения энергии и импульса.
Требование выполнения этих законов приводит к тому, что почти
43
во всех механизмах поглощения света, связанных с различными
электронными (или дырочными) переходами, принимают участие
фононы. Это происходит потому, что значительное изменение им-
пульса электронов в некоторых переходах не может быть обуслов-
лено малыми импульсами фотонов, поглощенных при этих перехо-
дах; Это изменение импульса достигается за счет участия в процес-
се поглощения фононов, которые могут иметь достаточно большой
импульс.
Собственное поглощение полупроводников. Собственное по-
глощение связано с переходами электронов из валентной зоны в
зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полу-
проводнике при Т = 0 К валентная зона заполнена электронами
полностью, так что переходы электронов в этой же зоне невозмож-
ны. Единственно возможным процессом здесь является поглоще-
ние фотона с энергией, достаточной для переброса электронов че-
рез запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости
появляется свободный электрон, а в валентной зоне — дырка.
Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовав-
шиеся в результате поглощения света свободные носители заряда
приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким
образом, для фотонов с энергией hν < Eg полупроводник прозрачен
(т. е. фотоны не поглощаются). В области малых длин волн (т. е.
больших hν) имеет место сплошной спектр интенсивного поглоще-
ния, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при
hν < Eg. Для большинства полупроводников этот край находится в
инфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энер-
гетических зон межзонное поглощение может быть связано с пря-
мыми или непрямыми оптическими переходами.
Рис. 2.9. Прямые (а) и непрямые (б) оптические переходы

(ЗП – зона проводимости; ВЗ – валентная зона)
44
Расчеты показывают, что для прямых разрешенных переходов
зависимость коэффициента поглощения от энергии фотонов имеет
вид
α = A ( hν − Eg ) 2 ,
1
(2.12)
где A — некоторый коэффициент. Это соотношение выполняется
в ограниченной области изменения (hν – Eg). Зависимость α2 от hν в
некотором интервале hν является линейной (рис. 2.10). По точке
пересечения прямой α2(hν) с осью hν можно определить ширину
запрещенной зоны Eg для прямых переходов.
Из формулы (2.12) видно, что в случае прямых переходов не
должно быть поглощения фотонов с энергией меньше Eg. Поэтому
край собственного поглощения должен быть очень резким. Действи-
тельно, это имеет место, например, у очень чистых монокристаллов
антимонида индия.
В полупроводниках, имеющих сложные энергетические зоны,
возможны не только прямые переходы, но и непрямые переходы. В
случае непрямых переходов требуется участие фононов, обеспечи-
вающих сохранение квазиимпульса при изменении волнового век-
тора электрона. В процессе оптического поглощения фононы могут
поглощаться или испускаться.
Энергия фотона, необходимая для
перевода электрона через запрещенную
зону, составляет hν ≥ Eg + Eф при ис-
пускании фонона с энергией Eф и hν ≥
≥ Eg – Eф при поглощении фонона.
Вероятность непрямых переходов
значительно меньше вероятности пря-
мых переходов, поскольку в них участ-
вует большее число частиц (электрон,
фотон, фонон). Поэтому поглощение,
обусловленное непрямыми перехода- Рис. 2.10. Зависимость квадрата
ми, является более слабым, чем погло- коэффициента поглощения
щение, связанное с прямыми перехо- от энергии фотона при прямых
переходах
дами.
Спектральная зависимость коэффициента поглощения для не-
прямых переходов определяется выражением
45
α ( hv ) = B ( hν − Eg ± Eф ) ,
2
(2.13)
где В – некоторый коэффициент, в который в качестве множителя
входит функция распределения фононов:
1
N ф = Eф . (2.14)
c k BT − 1
Если процесс происходит с поглощением фонона, то (2.13) с
учетом (2.14) приобретает вид
c ( hν − Eg + Eф )
2
α ( hν ) = Eф
(2.15)
c −1 k BT
для hν > Eg – Eф.

Коэффициент поглощения в случае испускания фонона
c ( hν − Eg + Eф )
2
α ( hν ) = Eф
(2.16)
1− c k BT
(для hν > Eg +Eф) поскольку вероятность испускания фонона про-

порциональна Nф +1.
Экситонное поглощение. При экситонном поглощении света
возможно такое возбуждение валентного электрона, при котором
он не совершает межзонный переход, а образует с дыркой связан-
ную электронно-дырочную пару, которая получила название «экси-
тон». В экситоне электрон и дырка связаны кулоновским взаимодей-
ствием. Экситон принято рассматривать как электрически нейтраль-
ную квазичастицу с собственной эффективной массой m*.
Поглощение света, связанное с образованием экситонов, перво-
начально не ведет к возникновению свободных носителей заряда.
Однако в реальных кристаллических структурах экситоны имеют
большую вероятность диссоциировать безизлучательно (с образо-
ванием электронов и дырок), чем рекомбинировать с испусканием
кванта света. Таким образом, образование экситонов в конечном
итоге ведет к возникновению свободных носителей заряда, а сле-
довательно, и фототока.
Экситон характеризуется набором собственных значений энер-
гии, образующих водородоподобный энергетический спектр, ле-
жащий в пределах запрещенной зоны полупроводника. Спектр эк-
46
ситонного поглощения полупроводника содержит, таким образом,
ряд экстремумов, отвечающих образованию экситона с энергией,
соответствующей одному из возможных состояний. Экситонное
поглощение, характеризующееся узкими полосами поглощения,
определяет и узкие полосы фототока. При этом спектр фототока в
области экситонного поглощения будет зависеть от состояния по-
верхности. Состояние поверхности полупроводника можно легко
изменить путем воздействия на нее (механическое, химическое и
т.д.). Таким образом, можно изменить характер наблюдаемого
спектра фототока, обусловленного экситонным поглощением.
Примесное поглощение. Такое поглощение при наличии в за-
прещенной зоне полупроводника локальных уровней примеси мо-
жет вызвать переходы электронов между уровнями примеси и зо-
нами. Фотопроводимость, обусловленная такими переходами, на-
зывается примесной фотопроводимостью. Для реализации таких
переходов нужна меньшая энергия кванта, чем для реализации пе-
реходов из валентной зоны в зону проводимости. Поэтому примес-
ное поглощение имеет место при больших длинах волн падающего
света.
Поглощение свободными носителями заряда. Поглощение
света свободными носителями заряда сопровождается увеличением
их энергии. При этом в отличие от рассмотренных выше трех видов
поглощения число свободных носителей не изменяется. Но вместе
с тем изменяется подвижность носителей заряда.
Поглощение кристаллической решеткой. В результате тако-
го поглощения увеличивается амплитуда колебаний узлов решетки.
В этом случае не изменяется ни концентрация носителей заряда, ни
их подвижность. Поэтому поглощение света кристаллической ре-
шеткой не является фотоактивным.
Поглощение света свободными носителями заряда и кристалли-
ческой решеткой не могут непосредственно вызвать изменение
концентрации носителей заряда. Однако возрастание концентрации
носителей заряда в этих случаях может происходить в результате
вторичных эффектов, когда поглощение света значительно увели-
чивает кинетическую энергию свободных носителей заряда или
увеличивает концентрацию фононов, которые затем отдают свою
энергию на возбуждение носителей заряда.
47
2.2.2. Фотовольтаический эффект в p-n-переходе
Солнечный элемент (СЭ) или фотоэлектропреобразователь

(ФЭП) позволяет превращать энергию оптического излучения не-
посредственно в электроэнергию, минуя стадии тепловой и меха-
нической форм энергии. Работа СЭ основана на внутреннем фото-
эффекте в полупроводниковой структуре с p-n-переходом (гетеро-
переходом, барьером Шоттки).
СЭ наиболее простой конструкции представляет собой кри-
сталл, состоящий из двух слоев различных типов проводимости
(электронной – n и дырочной – p) (рис. 2.11).
Полупроводник n-типа содержит некоторое количество примес-
ных атомов донорного типа, которые при комнатной температуре
практически все ионизованы. Таким образом, в таком полупровод-
нике содержится n0 свободных равновесных электронов и такое же
количество неподвижных положительно заряженных ионов.
Рис. 2.11. Схема кремниевого монокристаллического солнечного элемента
В дырочном полупроводнике (полупроводнике p-типа) реализу-

ется схожая ситуация. В нем существует p0 свободных дырок и
столько же отрицательно заряженных ионов.
Принцип образования p-n-перехода наглядно продемонстриро-
ван на рис. 2.12.
48
Рис. 2.12. Образование p-n-перехода
При контакте p- и n-областей в них, вследствие градиента кон-

центраций электронов и дырок, возникает диффузионный поток
электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа и,
наоборот, поток дырок из p- в n-полупроводник. Электроны, пере-
шедшие из n-области в р-область, рекомбинируют с дырками вбли-
зи границы раздела. Аналогично рекомбинируют дырки, перейдя
из р-области в n-область. В результате вблизи p-n-перехода практи-
чески не остается свободных носителей заряда (электронов и ды-
рок). Тем самым по обе стороны от p-n-перехода образуется сфор-
мированный неподвижными ионами двойной заряженный слой
(другие названия – слой обеднения или область пространственно-
го заряда (ОПЗ)).
Электрическое поле области пространственного заряда проти-
водействует процессу диффузии основных носителей заряда из об-
ластей удаленных от p-n-перехода в обедненную область. Такое
состояние является равновесным и при отсутствии внешних воз-
мущений может существовать сколь угодно долго.
49
Оптическое излучение, поглощаемое в полупроводниковой
структуре с p-n-переходом, создает пары “электрон–дырка” при
условии, что энергия кванта превышает ширину запрещенной зо-
ны. Процессу разделения подвергаются носители, генерируемые в
обедненной области перехода и прилегающих к ней областях, раз-
меры которых примерно равны диффузионной длине для неоснов-
ных носителей. Только с расстояния, меньшего, чем диффузионная
длина, неосновной носитель успевает в процессе движения достичь
ОПЗ до своей рекомбинации (рис. 2.13).
Рис. 2.13. Разделение

электронов и дырок
в p-n-переходе
(пунктиром указаны края
энергетических зон
в темноте)
Неосновные носители, генерируемые в p- и n-областях на боль-

шем расстоянии от границы перехода, не попадают в обедненную
область вследствие своей рекомбинации. Разделение зарядов в
данном случае встроенным электрическим полем p-n-перехода
есть, по определению, электродвижущая сила (ЭДС). Таким обра-
зом, поглощение света полупроводниковой структурой с p-n-
переходом приводит к возникновению фото-ЭДС, а при существо-
вании внешней цепи – току в этой цепи.
Возникающий фототок пропорционален количеству электронно-
дырочных пар, синтезированных в результате поглощения излуче-
ния, которое в свою очередь пропорционально количеству квантов
излучения, поглощенных в веществе.
Рассмотрим гомогенный p-n-переход, у которого толщины p- и
n-областей составляют Ln (диффузионная длина электронов в p-
50
области) и Lp (диффузионная длина дырок в n-области), соответст-
венно, отсутствуют отражение от тыльного контакта и поверхност-
ная рекомбинация. В этом случае большинство неосновных носи-
телей, генерированных светом, разделяется полем перехода.
Через переход протекает дрейфовый фототок неравновесных не
основных носителей заряда. Неравновесные основные носители не
могут преодолеть потенциальный барьер перехода и остаются в
области генерации. В результате разделения оптически генерируе-
мых носителей концентрации дырок в p-области и электронов в n-
области повышаются, что приводит к компенсации объёмного за-
ряда неподвижных примесных ионов на границе перехода. Потен-
циальный барьер перехода уменьшается на величину фото-ЭДС,
называемую напряжением холостого хода при разомкнутой внеш-
ней цепи.
Снижение потенциального барьера увеличивает ток диффузии
основных носителей через переход, который направлен навстречу
фототоку. В стационарном состоянии при постоянстве светового
потока плотность тока диффузии Jдиф равна плотности дрейфового
тока, состоящей из плотности фототока Jф и плотности теплового
тока перехода J0, есть выполняется условие динамического равнове-
сия:
Jдиф = Jф + J0. (2.17)
Разность Jдиф – J0 представляет собой плотность тока диода и
обозначается как Jд. В идеальном p-n-переходе плотность тока
диффузии и плотность теплового тока связаны соотношением:
U хх
J диф = J T e VT , (2.18)
и тогда
⎛ UVхх ⎞
J ф = J д = J T ⎜ e T − 1⎟ , (2.19)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
kT
где Uхх – напряжение холостого хода; VT = – тепловой потен-
e
циал. Напряжение холостого хода может быть выражено через ве-
личину фототока:
⎛ J ⎞
U хх = VT ln ⎜1 + ф ⎟ . (2.20)
⎝ JT ⎠
51
Однако напряжение холостого хода (при любом значении Jф) не
может превышать контактной разности потенциалов p-n-перехода.
В противном случае, из-за полной компенсации электрического
поля, разделение носителей, оптически генерируемых полем пере-
хода, прекращается.
Если электроды СЭ замкнуты на внешнюю нагрузку, то напря-
жение между ними U будет меньше Uхх, и ток диода не будет ком-
пенсировать фототок. В приближении идеального диода для плот-
ности тока через внешнюю нагрузку имеем
eU
J = J ф − J д = J ф − J T (e kT − 1) . (2.21)
Уравнение (2.21) описывает вольтамперную характеристику
(ВАХ) идеального СЭ (рис. 2.12) [17].
В случае тонкоплёночных солнечных элементов с поглощаю-
щим слоем толщины l при условии l < Ln, Lp возникает необходи-
мость учета отражения от тыльного контакта. Для таких СЭ мощ-
ность поглощаемого излучения задаётся формулой:
( ( ))
Pпогл = Pпад 1 − R 1 − e −αA + Rтк ( e −αA − e −2 αA ) = APпад , (2.22)
где Rтк – коэффициент отражения от тыльного контакта СЭ.
Для удобства рассмотрения будем считать, что Солнце является
абсолютно чёрным телом, спектральная плотность излучения кото-
рого подчиняется формуле Планка [17]:
2πν 2 hν
εν ,Т = 2 ⋅ hν , (2.23)
с
e −1
kT
где k = 1,38×10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, T – термодинами-

ческая (абсолютная) температура.
2.3. Физический принцип работы элемента

с гетерогенным переходом
2.3.1. Определение гетероперехода
Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструк-

ции современных транзисторов, приборов квантовой электроники,
СВЧ-техники, электронной техники для систем связи, телекоммуни-
каций, вычислительныхсистем и светотехники [18].
52
Основным элементом гетероструктур различного типа является
гетеропереход.
Под гетеропереходом понимается контакт двух различных по
химическому составу полупроводников, при котором кристалличе-
ская решетка одного материала без нарушения периодичности пе-
реходит в решетку другого материала.
Различают изотипные и анизотипные гетеропереходы. Если
гетеропереход образован двумя полупроводниками одного типа
проводимости, то говорят об изотипном гетеропереходе. Анизо-
типные гетеропереходы образуются полупроводниками с разным
типом проводимости.
Существует три модели гетероперехода:
- идеальный гетеропереход;
- неидеальный гетеропереход;
- гетеропереход с промежуточным слоем.
В идеальном гетеропереходе в отличие от неидеального на гра-
нице раздела материалов отсутствуют локальные энергетические
состояния для электронов.
Гетеропереход с промежуточным слоем формируется через
слой конечной толщины, и локальные энергетические состояния
могут существовать как в самом промежуточном слое, так и на
границах его раздела. Здесь мы рассмотрим построение энергети-
ческой диаграммы в модели идеального гетероперехода.
2.3.2. Энергетическая диаграмма идеального

гетероперехода
Для построения энергетической диаграммы часто применяют

простое «правило электронного сродства» (в англоязычной литера-
туре – правило Андерсона), согласно которому разрыв зоны прово-
димости равен разности электронного сродства двух материалов.
Но следует иметь в виду, что данный подход далеко не всегда
справедлив, так как в разрыв зон зависят еще и от деталей форми-
рования связей на гетерогранице и деформационного потенциала.
Для построения энергетической диаграммы идеального гетеро-
перехода должны быть известны следующие характеристики полу-
проводников:
53
- ширина запрещенной зоны (Eg1, Eg2). При построении считаем,
что Eg2>Eg1;
- термодинамическая работа выхода (Ф1, Ф2) – расстояние от
уровня Ферми полупроводника до уровня вакуума. Следует учиты-
вать, что термодинамическая работа выхода зависит от положения
уровня Ферми, то есть от уровня легирования материала;
- сродство к электрону (χ1, χ2) – расстояние от дна зоны прово-
димости до уровня вакуума.
При построении диаграммы считаем, что [20]:
- ширина запрещенной зоны и внешняя работа выхода неизмен-
ны до плоскости контакта, на которой они скачком изменяют свою
величину;
- в приконтактном слое каждого из полупроводников происхо-
дит изменение потенциальной энергии электрона. Полное измене-
ние потенциальной энергии равно разности работ выхода, что
обеспечивает неизменное положение уровня Ферми вдоль гетеро-
перехода.
До «приведения в контакт» двух полупроводников потенциаль-
ная энергия электронов в них разная из-за разной термодинамиче-
ской работы выхода. При «соприкосновении» двух полупроводни-
ков, как и в случае обычного p-n-перехода, электроны начнут «пе-
реходить» из полупроводника с меньшей работой выхода в полу-
проводник с большей. Это будет происходить до тех пор, пока
диффузионный ток не будет скомпенсирован дрейфовым током
носителей заряда под воздействием поля, созданным избыточными
носителями. При этом возникнет контактная разность потенциалов
ϕ0 = Ф2 – Ф1
и образуется область пространственного заряда шириной d (рис.
2.14).
При таком построении видно, что из-за различия электронного
сродства в контактирующих полупроводниках дно зоны проводи-
мости первого полупроводника выходит на плоскость контакта в
точке, не совпадающей в общем случае с точкой выхода на эту
плоскость дна зоны проводимости второго полупроводника – фор-
мируется разрыв зоны проводимости ΔEc. Он равен ΔEc = χ1 – χ2.
Аналогично формируется и разрыв валентной зоны. Он определя-
ется по формуле ΔEν = Eg2 – Eg1 − ΔEc.
54
Рис. 2.14. Энергетические диаграммы
полупроводников (а) и диаграмма
идеального гетероперехода (б) [21]
Следует заметить, что разрывы зон могут быть как положитель-

ными таки отрицательными.
Можно выделить следующие разновидности гетеропереходов
[18]:
- охватывающий переход возникает, когда разрыв зоны прово-
димости ΔEc и разрыв валентной зоны ΔEv положительны. Такой
случай реализуется, например, в гетеропереходе GaAs–AlGaAs. В
литературе данный тип гетероперехода называют гетеропереходом
I типа, или стандартным;
- ступенчатый переход возникает в случае, когда разрыв один из
разрывов зон положителен, а другой отрицателен. В этом случае
говорят о переходе II типа. Данный случай реализуется в гетеропе-
реходе InP – In0,52Al0,48As;
- разрывный гетеропереход, возникает когда запрещенные зоны
вообще не перекрываются по энергии. Данный гетеропереход на-
зывают гетеропереходом III типа. Классический пример – гетеро-
переход InAs–GaSb
Экспериментально измеренные параметры основных типов ге-
теропереходов изображены на рис. 2.15.
55
Рис. 2.15. Экспериментально определенные разрывы валентной зоны и зоны
проводимости двух наиболее близких по параметрам решетки гетеропар:
a – In0.53Ga0.47As–In0.52Al0.48As-In0.53Ga0.47As–InP;
б – InAs–GaSb–AlSb [20]
Для характеристики гетероперехода также применяют параметр,

называемый разрывом зоны проводимости, показывающий процент
разрыва зоны, приходящийся на зону проводимости:
ΔEc
Q= , (2.24)
ΔEg
где
ΔEg = Eg2 – Eg1 . (2.25)
Для построения энергетической диаграммы конкретного гетеро-
перехода, нужно вычислить контактную разность потенциалов φ0.
Для этого необходимо сначала рассчитать положение уровня Фер-
ми в каждом из материалов гетеропары.
56
Для вычисления положения уровня Ферми относительно дна зо-
ны проводимости (μ = F – Ec) потребуется знать температуру, кон-
центрацию основных носителей и плотность состояний в зонах Nc и
Nv.
Для невырожденного примесного полупроводника n-типа поло-
жение уровня Ферми относительно зоны проводимости находится
из выражения
N
μ = − kT ln c , (2.26)
Nd
для дырочного:
N
μ = − kT ln v − Eg , (2.27)
Na
где Na, Nd – концентрации акцепторов и доноров, которые мы счи-
таем полностью ионизованными.
В справочниках обычно приведены величины эффективных
масс плотности состояний для электронов mn* и дырок m*р .
Тогда Nc и Nv вычисляются по формулам
2 ( 2πmn* kT ) 2 ( 2πm*p kT )
3/2 3/2
Nc = , Nv = . (2.28)
h3 h3
Если приведены поперечная m⊥ и продольная m|| составляющая
эффективных масс, число эквивалентных эллипсоидов M, то плот-
ность состояний в этом случае рассчитывается по формуле
(
N c = M 2 / 3 m⊥2 m|| )
1/ 3
. (2.29)
В полупроводниках p-типа необходимо также учесть вклад двух
подзон от легких и тяжелых дырок:
mh3/2 = mlh3/2 + mhh
3/2
. (2.30)
Вычисляем положение уровня Ферми и контактную разность
потенциалов:
ϕк = Ф1 − Ф 2 = ( χ1 + μ1 ) − ( χ 2 + μ 2 ) . (2.31)
Для вычисления распределения потенциала в области простран-
ственного заряда требуется решить совместно уравнение Пуассона
и уравнение плотности тока, при условии, чтобы в равновесии
диффузионный ток через переход уравновешивался дрейфовым
током.
57
В приближении Шоттки в случае равномерного легирования полу-
проводников для анизотипного гетероперехода получается линейная
зависимость поля и параболическая зависимость потенциала:
в области − d1 ≤ x ≤ 0 :
en
E = − 1 ( x + d1 ) , (2.32)
ε 0ε1
e 2 n1
( x + d1 ) .
2
ϕ = ϕк − (2.33)
2ε0ε1
В области 0 ≤ x ≤ d2 :
en2
E=− ( d2 − x ) , (2.34)
ε 0ε1
e 2 n2
( d2 − x ) .
2
ϕ= (2.35)
2ε 0 ε 2
Размер области пространственного заряда получаются равными:
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d1 = ⎜ 20 1 ϕ1 ⎟ , (2.36)
⎝ e n1 ⎠
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d 2 = ⎜ 20 2 ϕ2 ⎟ , (2.37)
⎝ e n2 ⎠
где φ1, φ2 – контактные разности потенциалов, приходящиеся на n-
и p-области, которые для идеального гетероперехода равны
1 1
ϕ1 = ϕ0 , ϕ2 = ϕ0 . (2.38)
ε1n1 ε 2 n2
1+ 1+
ε 2 n2 ε1n1
Полная длина ОПЗ:
1
⎡ 2ε ε ε ( n + n ) ⎤2
d = d1 + d 2 = ⎢ 2 0 1 2 1 2 ϕ0 ⎥ . (2.39)
⎢⎣ e n1n2 ( ε1n1 + ε 2 n2 ) ⎥⎦
Распределение поля и потенциала показано на рис. 2.16.
Следует также принимать во внимание, что материалы гетеро-
пары могут иметь минимумы зоны проводимости в разных точках
зоны Брюллиена. К примеру, минимум зоны проводимости GaAs
находится в точке Г (рис. 2.17), в то время как наименьший мини-
мум в AlAs близок к точке X. Таким образом, природа низшего ми-
58
нимума зоны проводимости меняется при изменении доли Al в
твердом растворе AlxGa1-xAs.
Рис. 2.16. Распределение поля и потенциала в резком анизотипном

гетеропереходе [21]
Рис. 2.17. Расположение валентной зоны и зоны проводимости

в AlxGa1-xAs [20]
59
Низший минимум в AlxGa1-xAs изменяется от прямого располо-
жения (минимум в Г) зон до непрямой зонной структуры (мини-
мум в Х) при содержании алюминия x ≈ 0,45.
2.3.3. Требования к материалам, образующим гетеропереход
Для того чтобы в кристаллической решетке двух материалов,

составляющих гетеропереход, не было дефектов, необходимо как
минимум, чтобы два материала имели одну и ту же кристалличе-
скую структуру и близкие периоды решеток. В этом случае струк-
тура получается без напряжений. Ясно, что не все материалы могут
быть использованы для создания гетероперехода.
На рис. 2.18 представлены наиболее часто применяемые мате-
риалы для создания гетеропереходов. Руководствуясь приведен-
ным рисунком, можно создавать гетеропереходы с требуемой ве-
личиной разрыва зон или квантовую яму с заданной формой по-
тенциала.
Затененные области объединяют группы полупроводников с
близкими постоянными решеток. Полупроводники, соединенные
сплошными линиями, образуют между собой стабильные твердые
растворы. Отрицательное значение, приведенное для энергии запре-
щенной зоны HgSe, является спорным. Штриховые линии указывают
на непрямые запрещенные зоны [22].
При определении свойств тройных и четверных соединений можно
пользоваться обобщенным правилом Вегарда. В этом случае тройной
состав AxB1-xC можно описать как сочетание двух, а четверной AxB1-
xCyD1-у, как сочетание трех или четырех двойных соединений. При этом
значения физических параметров (θABC или θABCD) сложного соединения
представляют собой средние значения параметров двойных соедине-
ний, взятых с весом, пропорциональным их доле:
θ АВС = (1 − x ) θ АС + xθ ВС , (2.40)
θ АВСD = xyθ АС + x (1 − y ) θ AD + (1 − x ) yθBС + (1 − x )(1 − y ) θBD . (2.41)
Для согласования эмпирических зависимостей с эксперимен-
тальными данными в правую часть этих соотношений вводят чле-
ны, квадратичные по x и y.
60
61
Рис. 2.18. График зависимости энергии запрещенной зоны при низкой температуре от постоянной решетки
для ряда полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки[22]
Из правила Вегарда следует, что можно подобрать такой состав
тройного соединения, при котором будут совпадать параметры ре-
шеток, но зонные параметры будут различные. Таким образом,
можно получать гетеропереходы с заданными зонными параметра-
ми. Так на подложке GaAs может быть выращен без значительных
напряжений AlAs, а также твердый раствор AlxGa1-xAs практически
любого состава.
Как видно из графика, у твердого раствора AlxGa1-xAs период ре-
шетки меняется менее чем на 0,15% при изменении х от 0 до 1.
Существует очень мало материалов, которые образуют гетеропере-
ход с GaAs без напряжений. Альтернативой подложки арсенида
галлия является InP. Но на данной подложке могут быть без на-
пряжений выращены только два твердых раствора: Al0,48In10,52As и
Ga0,47In0,53As.
2.4. Физический принцип работы структур с барьером

Шоттки и в системах металл–диэлектрик–полупроводник,
полупроводник–диэлектрик–полупроводник
2.4.1. Солнечные элементы на барьерах Шоттки
Диаграмма энергетических зон освещенного солнечного эле-

мента с барьером Шоттки представлена на рис. 2.19. При этом слой
металла должен быть достаточно тонким, чтобы основная доля све-
та достигала полупроводника.
Можно выделить три компоненты фототока. Одна из них обу-
словлена поглощением в металле фотонов с энергией hν = qϕ B (qϕB
– высота барьера), что вызывает возбуждение дырок через барьер в
полупроводник (эта компонента на рис. 2.19 обозначена цифрой 1).
Этот процесс используется для фотоэлектрических измерений вы-
соты барьера.
Попадающий в полупроводник коротковолновый свет поглоща-
ется главным образом в обедненном слое (соответствующий фото-
ток на рис. 2.19 обозначен цифрой 2). Длинноволновый свет, по-
глощаясь в нейтральном объеме полупроводника, создает элек-
тронно-дырочные пары; затем электроны, так же как и в случае
обычного p-n-перехода, диффундируют к краю обедненного слоя,
где происходит их коллектирование (этот фототок на рис. 2.20 обо-
62
значен цифрой 3). В условиях, типичных для работы солнечных
элементов, возбуждение светом носителей из металла в полупро-
водник составляет менее 1 % полного фототока, и поэтому этим
процессом можно пренебречь.
Рис. 2.19. Диаграмма энергетических зон освещенного солнечного элемента

с барьером Шоттки
Две основные компоненты спектрального отклика и фототока

связаны с генерацией носителей в обедненном слое и в электроней-
тральной базовой области. Коллектирование носителей в обеднен-
ном слое происходит так же, как и в p-n-переходе. Сильное поле в
обедненном слое выносит из него генерируемые светом носители
еще до того, как они успевают рекомбинировать, вследствие чего
фототок оказывается равным
J ф = qT ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣1 − exp ( −αW ) ⎤⎦ , (2.42)
где T(λ) – коэффициент пропускания металлом монохроматическо-
го света с длиной волны λ.
Если тыловой контакт является омическим и толщина прибора
гораздо больше диффузионной длины H>>Lp, выражение для фо-
тотока базовой области можно представить в виде
J n = qT ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣ αLn ( αLn + 1) ⎤⎦ exp ( −αW ) . (2.43)
Полный фототок равен сумме выражений (2.42) и (2.43). Видно,
что для увеличения фототока следует повышать коэффициент про-
пускания T и диффузионную длину Ln. Коэффициент пропускания
63
света золотыми пленками (толщиной 10–100 ангстрем) с просвет-
ляющим покрытием может достигать 90–95 %.
ВАХ освещенного солнечного элемента с барьером Шоттки
имеют вид
(
I = I s e qV nkT
)
−1 − IL , (2.44)
где
I s = A**ST 2 exp ( −qϕB kT ) ,
(2.45)
**
где n – фактор идеальности, А – эффективная постоянная Ричард-
сона, S – площадь, qϕB – высота барьера.
Используя выражение для эффективности преобразования и
формулы (2.44) и (2.45), можно вычислить зависимость КПД от
высоты барьера для данного полупроводника. Такие идеальные за-
висимости (не учитывается отражение света и резистивные потери
и предполагается, что фактор идеальности равен 1) приведены на
рис. 2.20. Видно, что КПД возрастает с увеличением высоты барье-
ра и в предельном случае qϕB макс = Eg его максимальное значение
составляет ∼25%. Показанные на рис. 2.20 предельные значения
КПД для различных полупроводников сравнимы с предельными
значениями КПД в случае гомопереходов.
На рис. 2.21 показана зонная диаграмма барьера Шоттки в сис-
теме металл–р+-n- полупроводник.
Рис. 2.20. Зависимость эффективности преобразования от высоты барьера.

Огибающая соответствует максимальным значениям КПД, вычисленным
при qϕB=Eg
64
Рис. 2.21. Зависимость высоты
барьера от уровня легирования
и толщины p-слоя в солнечных
элементах с барьерами Шоттки
Au-GaAs.
На вставке показана диаграмма
энергетических зон элемента
со структурой
металл–p+-n-полупроводник
Тогда эффективная высота барьера равна

qϕ B = qϕm − qχ + qV pm , ( 2.46)
где qϕm – работа выхода из металла, χ – электронное сродство по-
лупроводника, Vpm – высота максимума потенциала в полупро-
воднике, равная
⎛ q ⎞
( )
2
V pm = ⎜ ⎟ N AW p − N DWn . (2.47)
⎝ 2ε s N A ⎠
Эти выражения получены в предположении N AW p 〉〉 N DWn , что
соответствует полной ионизации тонкого p-слоя и существованию
максимума потенциала внутри этого слоя. При перестановке n- и p-
слоев получается комплиментарный прибор со структурой металл–
п+-p-полупроводник.
На рис. 2.21 приведены также вычисленные зависимости высо-
ты барьера от NA и Wp в GaAs при ND = 1016 см-3. Сильнолегирован-
ный приповерхностный слой можно создавать с помощью ионной
имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии. Другим методом
получения такого слоя будет металлургический. Высота барьера в
контакте Аl–Si (n-типа) при термообработке (<580 °С) возрастает
от 0,68 до 0,9 эВ. При этом образуется тонкий рекристаллизован-
ный p+-слой (∼100 Å), содержащий ≥1019 см-3 акцепторов (Аl), и
зонная диаграмма приобретает вид, показанный на рис. 2.21.
65
2.4.2. Солнечные элементы на МДП-структурах
В большинстве приборов с барьером Шоттки между слоями ме-

талла и полупроводника содержится, по крайней мере, несколько
атомных слоев какого-либо случайно образовавшегося оксида. Ус-
тановлено, что в результате преднамеренного создания (при тща-
тельном контроле условий роста) диэлектрического слоя (обычно
оксидного) на границе раздела металл–полупроводник значительно
повышается Uхх. Вместе с этим преимущество солнечных
элементов на МДП-структурах связано с тем, что в них имеется
сильное электрическое поле вблизи поверхности полупроводника,
которое направлено так, что помогает коллектированию носителей,
создаваемых коротковолновым светом. Кроме того, в активной об-
ласти таких элементов нет кристаллических дефектов, возникаю-
щих при диффузии примесей и присущих солнечным элементам с
диффузионными p-n-переходами.
В структурах с барьером Шоттки темновой ток обусловлен в ос-
новном термоэлектронной эмиссией основных носителей заряда,
проходящих над барьером. В туннельных МДП-структурах выра-
жение для плотности тока насыщения отличается от соответст-
вующего выражения для барьеров Шоттки дополнительным тун-
нельным множителем
I s = A**ST 2 exp ( −qϕ B kT ) exp ⎡ − ( qϕT ) δ ⎤ ,
12
(2.48)
⎣ ⎦
где qϕT – средняя высота барьера в изолирующем слое (мкм) и δ –
толщина изолирующего слоя (ангстрем).
Подставляя в уравнение (2.44) U = Uхх и J = 0, получаем
nkT ⎡ ⎛ J L ⎞ qϕB 12 ⎤
U хх = ⎢ ln ⎜ ** 2 ⎟ + + ( qϕT ) δ ⎥ . (2.49)
q ⎣ ⎝ A ST ⎠ kT ⎦
Из формулы (2.49) видно, что в СЭ на МДП-структурах Uхх рас-
тет с увеличением δ. В то же время при увеличении толщины ди-
электрика δ уменьшается ток короткого замыкания (снижается
вероятность туннелирования), что может приводить к уменьшению
эффективности преобразования [19].
Таким образом, варьируя толщину диэлектрика можно влиять на
эффективность преобразования структуры СЭ.
66
2.5. Омические контакты
2.5.1. Основные характеристики омических контактов

и механизмы протекания тока
Омический контакт служит для связи активной области прибора

с другими элементами или компонентами интегральной схемы или,
в случае дискретного исполнения прибора, с внешними выводами
его корпуса. Обычно омический контакт имеет структуру Me-n+
или Me-p+.
Как известно, контакт металл–полупроводник может быть либо
выпрямляющим (барьерным), если потенциальный барьер между
металлом и полупроводником туннельно непрозрачный, либо оми-
ческим, если потенциальный барьер отсутствует или он туннельно
прозрачен для электронов. Омический контакт обычно образуется в
случаях, когда [14]:
- потенциальный барьер между металлом и полупроводником
отсутствует, то есть для полупроводника n-типа с низкой плотно-
стью поверхностных состояний в запрещенной зоне выбирается
металл с работой выхода электронов из металла меньшей, чем
сродство к электрону полупроводника (контакт первого типа);
- потенциальный барьер присутствует, но он узкий (туннельно
прозрачный), что обычно достигается сильным легированием при-
поверхностной области полупроводника (контакт второго типа);
- потенциальный барьер присутствует, но он низкий и легко
преодолевается за счет термоэлектронной эмиссии носителей, что
обычно достигается изменением химического состава полупровод-
ника вблизи контакта, например, созданием узкозонного прикон-
тактного слоя (контакт третьего типа).
Омические контакты являются важным компонентом конструк-
ции солнечных элементов. Доказано, что допустимые потери мощ-
ности на сопротивлении контактов в СЭ обычно составляют ~1 %
выходной мощности, что соответствует падению напряжения на
контактах, равному 6 мВ. При работе элемента в условиях одно-
кратной освещенности (С = 1) такие потери возможны при сопро-
тивлении сплошного тыльного контакта ρс ≈ 0,2 Ом⋅см2 и фрон-
тального сетчатого контакта ρс ≈ 0,01 Ом⋅см2. Требуемые для полу-
чения достаточно высоких КПД элементов значения ρс в первом
67
приближении обратно пропорциональны коэффициенту концен-
трации излучения, и поэтому к технологии изготовления контактов
для СЭ, используемых при большой облученности, предъявляют
высокие требования.
Омический контакт должен удовлетворять следующим требова-
ниям:
- сопротивление такого контакта должно быть очень низким
(R → 0); на практике оно может быть пренебрежимо мало по отно-
шению к объемному сопротивлению полупроводника;
- контакт не должен быть инжектирующим, поскольку при ин-
жекции с контакта увеличивается ток;
- ВАХ контакта должна быть линейной.
Рассмотрим основные параметры омических контактов.
Скорость рекомбинации на контакте
Φp pV p
Sp = = , (2.50)
( pгр − p0 ) ( pгр − p0 )
где Фр – плотность потока носителей заряда через контакт; (pгр – p0)
– избыточная концентрация носителей заряда у контакта; p – кон-
центрация носителей вблизи границы контакта; Vp – скорость дви-
жения потока носителей вблизи границы контакта.
При большой Фр скорость Sp будет определяться скоростью
движения носителей через контакт. Максимальная скорость дви-
жения не может превышать тепловую (рис. 2.22).
Рис. 2.22. Зависимость скорости рекомбинации носителей заряда на контакте

от плотности потока носителей заряда через контакт:
1 – идеальный контакт с бесконечно большой скоростью рекомбинации;
2 – реальный контакт со скоростью Sp равной максимально возможной скорости
движения носителей заряда; 3 – реальный контакт со скоростью Sp меньшей мак-
симальной скорости движения носителей
68
Сопротивление омического контакта:
U
статическое ρk = [Ом/см2], где j – плотность тока;
j
−1
⎛ ∂I ⎞
динамическое (дифференциальное) ρдk = ⎜ ⎟ .
⎝ ∂U ⎠ u =0
Параметры нелинейности:
I′
- коэффициент выпрямления k = , чем ближе k к 1, тем лучше
I ′′
качество контакта;
ρk
- коэффициент нелинейности β = , чем ближе β к 1, тем
ρдk
лучше омический контакт.
Основной характеристикой омического контакта является его
сопротивление, приведенное к единице площади контакта (рис.
2.23). Сопротивление контакта состоит
из последовательно соединенных со-
противления приконтактной области и
сопротивления, связанного с прохож-
дением электронами потенциального
барьера.
Сопротивление приконтактной об-
ласти – это сопротивление сильно ле-
гированной области и сопротивление
p-n-перехода. Рис. 2.23. ВАХ омического
Сопротивление сильно легирован- контакта
ной области обычно очень мало. Например, сопротивление n+-
GaAs слоя (n+ = 1019см–3) с толщиной 1 мкм и подвижностью элек-
тронов около 103 см2/(В⋅с) составляет примерно 6⋅10–8 Ом⋅см2.
Сопротивление p-n (в частности, n-n+-перехода) обратно про-
порционально концентрации электронов.
Удельное контактное сопротивление определяют при нулевом
напряжении смещения в соответствии с соотношением
⎛ dU ⎞
ρc 0 = ⎜ ⎟ . При малых падениях напряжения (менее 20 мВ)
⎝ dJ ⎠ U =0
ρс0 является хорошим приближением для эффективного контактно-
69
го сопротивления солнечного элемента в рабочем режиме. Как пра-
вило, ρс0 резко уменьшается при увеличении концентрации носите-
лей заряда в полупроводнике и возрастает при понижении темпера-
туры.
Существует несколько методик теоретического расчета величи-
ны ρс. Однако на практике на ρс могут оказывать существенное
влияние слои на границе раздела (например, естественные оксиды),
повреждения поверхности, инжекция неосновных носителей заряда
и глубокие примесные уровни. Сложность учета этих факторов за-
трудняет сопоставление теоретических и экспериментальных дан-
ных, и поэтому основная часть исследований омических контактов
направлена главным образом на изучение технологических мето-
дов, которые позволяют получить контакты с малым полным со-
противлением.
Так как на границе полупроводник – металлический контакт об-
разуется потенциальный барьер Шоттки, то основными механиз-
мами протекания зарядов будут термоэлектронная полевая эмиссия
и прямое туннелирование. Обычный способ создания такого эф-
фективного контакта связан с сильным легированием тонкого по-
лупроводникового слоя, прилегающего к металлу, обеспечиваю-
щим уменьшение толщины барьера до 10 нм. При формировании
этой тонкой сильно легированной области необходимо предотвра-
тить внедрение компенсирующих примесей или образование де-
фектов, которые могут уменьшить концентрацию носителей заря-
да. Таким образом, свойства контактов могут существенно зависеть
от особенностей метода их изготовления.
Полупроводники групп A4 и A3B5 (кроме нитридов и n-InAs)
обычно имеют высокую концентрацию поверхностных состояний,
расположенных в глубине запрещенной зоны, что приводит к же-
сткому закреплению уровня Ферми на поверхности. Поэтому для
образования омического контакта к ним можно поступить двумя
способами:
1) понизить плотность поверхностных состояний, например, об-
работкой растворами, содержащими серу,
2) использовать второй или третий тип контакта.
В большинстве областей применения полупроводников исполь-
зуется туннелирование носителей через тонкий потенциальный
барьер.
70
Подобные контакты с туннельным механизмом протекания тока
делят на два класса:
1) пассивные на основе металлического слоя, образующего оми-
ческий контакт с предварительно созданными областями проводи-
мости n+- или р+-типов;
2) активные, у которых металл (или один из компонентов спла-
ва) после нанесения на поверхность полупроводника диффундиру-
ет в глубь него или сплавляется с полупроводниковым материалом,
образуя области n+- или р+-типов.
2.5.2. Основные требования к материалам

и методы нанесения омических контактов
Рассмотрим вопрос о свойствах контактов в связи с созданием

солнечных элементов. Необходимо обеспечить выполнение сле-
дующих требований.
1. Контакт должен обладать довольно низким удельным сопро-
тивлением.
2. Для уменьшения сопротивления полос контактной сетки их,
как правило, значительно утолщают, погружая в расплавленный
припой. Металлическое контактное покрытие не должно разру-
шаться при такой термообработке.
3. Необходимо, чтобы характеристики контакта сохраняли ста-
бильность при осуществлении последующих высокотемператур-
ных технологических операций.
4. При наличии герметизирующего покрытия контакт должен
обладать устойчивостью к воздействию внешней среды в течение
продолжительного времени.
5. Необходимо максимально ограничить применение дорого-
стоящих и редких материалов.
6. В элементах с отражающим тыльным контактом следует при-
нимать во внимание оптический коэффициент отражения контакта.
Для нанесения слоя металла обычно используют вакуумное ис-
парение, ионное распыление, электрохимическое и химическое
осаждения и т.п. каждый метод обладает определенными достоин-
ствами. Для получения высокой концентрации примеси в поверх-
ностном слое применяют следующие методы легирования:
71
1) высокотемпературную диффузию из твердотельного источ-
ника или паровой фазы;
2) диффузию материала контакта (металла или сплава), напри-
мер цинка из структуры Au-Zn-Au в p-InP;
3) ионную имплантацию легирующей примеси с последующей
термообработкой для отжига дефектов и электроактивации примеси;
4) эпитаксиальное выращивание n+- или р+-слоев (что осущест-
вимо в том случае, когда активные слои СЭ создаются методами
химического осаждения из паровой фазы или жидкофазной эпитак-
сии);
5) сплавление материала контакта с полупроводником и его рек-
ристаллизация (образование так называемого сплавного контакта).
В кремниевых СЭ наиболее широко используются контактные
структуры Al–p-Si и Ag–Pd–Ti–n+-Si, получаемые методом вакуум-
ного испарения. Хотя серебро образует хороший туннельный кон-
такт с n+-Si, его адгезия неудовлетворительна. Введение тонкого
промежуточного слоя Ti способствует его улучшению, сохраняя
неизменными электрические свойства. Однако испытания СЭ в ес-
тественных условиях показали, что такие контакты корродируют.
При введении тонкого промежуточного слоя Pd или Mo, предот-
вращающего химическую реакцию, были получены контакты с хо-
рошими электрическими свойствами и высокой стабильностью.
Поскольку СЭ на основе AlGaAs предназначены для работы в
системах с концентраторами излучения, стоимость контактов не
является решающим фактором. Поэтому в них используются кон-
такты типа Ag – AuZn – p-AlGaAs (AgZn – p-GaAs) и Ni – AuGe –
Ni – n-GaAs.
______________________________________________________
V Вопросы для самопроверки
1. Что называют электронно-дырочным переходом? Назовите виды p-

n-переходов.
2. Как на энергетической диаграмме p-n-перехода определяется высо-
та потенциального барьера? От чего она зависит?
3. Как выглядит энергетическая диаграмма p-n-перехода при прямом
и при обратном смещении?
4. Назовите механизмы поглощения света полупроводниками.
5. Что такое собственное поглощение полупроводников?
72
6. Что такое экситонное поглощение? Как данный тип поглощения
влияет на величину фототока?
7. Что такое примесное поглощение и поглощение кристаллической
решеткой?
8. В чем заключается фотовольтаический эффект в p-n-переходе?
9. Приведите уравнение, описывающее вольт-амперную характери-
стику идеального солнечного элемента.
10. Что такое гетерогенный p-n-переход? Каковы требования к мате-
риалам, образующим гетеропереход?
11. Объясните физический принцип работы структур с барьером
Шоттки.
12. Объясните физический принцип работы структур металл-
диэлектрик-полупроводник (МДП-структур).
13. Каковы основные характеристики омических контактов?
14. Назовите основные требования к материалам и методы нанесе-
ния омических контактов.
73
3. РАСЧЕТ КПД ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
3.1. Идеальный солнечный элемент, параметры

и характеристики работы, идеальная эффективность
преобразования
Широкое внедрение солнечной энергетики в космосе и на земле

ставит перед проектировщиками проблему оценки эффективности
работы фотоэлектрических систем (ФЭС). Необходимо иметь воз-
можность предсказать мощность солнечных батарей под действием
разнообразных факторов окружающей среды, сравнить эффектив-
ность использования СБ из различных материалов, оценить пове-
дение фотоэлектрических преобразователей в различных режимах
работы. Предсказание поведения и воспроизведение характеристик
СЭ и СБ осуществляется с помощью моделирования. По сравне-
нию с экспериментом, математическое моделирование предостав-
ляет более быстрый, гибкий и дешевый способ отработки ФЭС.
Для воспроизведения характеристик СЭ и СБ чаще всего исполь-
зуются аналитические модели, которые строятся на базе эквива-
лентной электрической схемы и основного уравнения СЭ [21].
В качестве входных параметров исследуемых СЭ и СБ исполь-
зуются значения тока короткого замыкания Iкз (или Isc в зарубежных
источниках), напряжения холостого хода Uхх (или Uoc), максималь-
ной мощности и температурные коэффициенты.
В зависимости от условий эксплуатации входными данными
модели СБ также являются различные уровни освещенности и
спектральный состав падающего излучения, затенение отдельных
элементов, коэффициент потерь падающего излучения, характери-
стики полупроводникового материала СЭ и его паразитные пара-
метры, рабочая температура СБ, потоки радиационного облучения
на орбите, коэффициент потерь, учитывающий воздействие дест-
руктивных факторов и старение СЭ, коэффициенты разброса тех-
нологических параметров, способ объединения СЭ в батарею [19].
Выходные параметры модели СЭ: максимальная мощность, КПД,
коэффициент заполнения FF, ВАХ, зависимость выходной емко-
сти от рабочего напряжения.
Рассмотрим физический смысл параметров и характеристик исхо-
дя из принципа действия СЭ.
74
3.1.1. Вольт-амперная характеристика идеального
солнечного элемента
Работа обычного полупроводникового СЭ (например, p-n-

перехода) зависит от ширины запрещенной зоны Eg полупроводни-
ка. Когда на элемент попадает солнечный свет, фотоны с энергией,
меньшей Eg, не дают вклада в выходную мощность элемента. Каж-
дый фотон с энергией, большей Eg, дает вклад в выходную мощ-
ность, равный Eg, а остальная часть энергии фотона переходит в
тепло [16]. Для работы СЭ необходимо, чтобы фотоэлектроны из
СЭ поступали во внешнюю цепь, отдавали полученную энергию во
внешней цепи и возвращались обратно.
В целом, основные стадии работы СЭ следующие [23]:
- генерация носителей под действием излучения;
- сбор сгенерированных носителей и получение тока;
- образование напряжения;
- рассеяние энергии через нагрузку и паразитные сопротивления.
Отметим, что последнюю стадию важно учитывать при рас-
смотрении работы реальных солнечных элементов и анализа эф-
фективности их функционирования.
Рассмотрим первые три перечисленные стадии.
При облучении СЭ светом с энергией фотонов, превышающей
энергию запрещенной зоны, в нем будут создаваться электронно-
дырочные пары. Созданные электроны и дырки могут рекомбини-
ровать и, следовательно, не будут вносить вклад в создаваемую СЭ
мощность. Если носители разделяются полем p-n-перехода, то это
предотвращает их рекомбинацию. Вероятность разделения носите-
лей, появившихся в обедненной области, равна единице, так как все
электроны и дырки сразу же разделяются полем.
Вероятность разделения падает с увеличением расстояния до
перехода. На расстоянии, превышающем диффузионную длину,
вероятность разделения носителей очень мала. Также вероятность
разделения мала вблизи поверхности, являющейся областью с вы-
сокой скоростью рекомбинации.
Поскольку фототок в СЭ создается в результате генерации и
разделения неравновесных носителей, то скорость генерации и ве-
роятность разделения имеют определяющее значение для его обра-
зования.
75
Фототок в СЭ можно представить как интеграл по всей толщине
устройства от скорости генерации в определенной точке, умножен-
ной на вероятность разделения носителей в этой точке. Плотность
фототока JL с произвольной скоростью генерации G(x) и вероятно-
стью разделения CP(x) определяется формулой [23]:
W
J L = q ∫ G ( x)CP( x)dx =
0
W
(3.1)
= q ∫ ⎡ ∫ α(λ) H 0 exp( −α(λ) x)d λ ⎤CP( x)dx,
⎣ ⎦
0
где q – заряд электрона; W – толщина устройства; α(λ) – коэффици-
ент поглощения; H0 – число фотонов определенной длины волны.
Скорость генерации электронно-дырочных пар на расстоянии x
от поверхности полупроводника (рис. 3.1, а) определяется выраже-
нием [16]
G ( λ, x ) = α ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣1 − R ( λ ) ⎤⎦ exp ( −α ( λ ) x ) , (3.2)
где F(λ) – плотность потока падающих фотонов в единичном спек-
тральном интервале; R(λ) – доля фотонов, отражающихся от
поверхности.
В солнечном элементе с резким р-n-переходом и постоянными
уровнями легирования по обеим сторонам перехода (рис. 3.1, б и в)
вне обедненной области (т.е. области p-n-перехода) электрическое
поле отсутствует.
Фототок возникает вследствие генерации носителей внутри
обедненного слоя. В этой области электрическое поле настолько
велико, что электроны и дырки, появляющиеся под действием све-
та, выносятся из обедненного слоя еще до того, как успеют
рекомбинировать между собой. Поэтому фототок обедненного слоя
в единичном спектральном интервале равен числу фотонов, по-
глощаемых в этом слое в единицу времени [16]:
( )
J dr = qF (1 − R ) exp −αx j ⎡⎣1 − exp ( −αW ) ⎤⎦ , (3.3)
где W – ширина обедненного слоя.
Полный фототок, возникающий при поглощении света с задан-
ной длиной волны, равен:
J L ( λ ) = J p ( λ ) + J n ( λ ) + J dr ( λ ) , (3.4)
76
где Jp(λ) и Jn(λ) – плотность дырочного и электронного фототока
соответственно.
Рис. 3.1. Зависимость скорости генерации электронно-дырочных пар

от расстояния от поверхности для длинноволнового и коротковолнового света (а),
размеры солнечного элемента и характерные длины диффузии неосновных
носителей (б), а также предполагаемый профиль легирования солнечного
элемента (в) [16]
Отметим, что дырочный фототок будет коллектироваться с

лицевой стороны n-p-перехода солнечного элемента с р-базой при
заданной длине волны падающего излучения и в предположении,
что время жизни носителей, их подвижность и уровень легирова-
ния в этой области постоянны.
77
Если эмиттер и база СЭ соединить между собой, то носители,
сгенерированные светом, будут протекать через внешнюю цепь.
Такой ток носителей называется током короткого замыкания.
Таким образом, ток короткого замыкания – это ток, протекаю-
щий через СЭ, когда напряжение равно нулю (то есть когда СЭ
замкнут накоротко). Ток короткого замыкания обычно обозначает-
ся как Iкз. Получим выражение для тока короткого замыкания, по-
скольку данный параметр имеет важное значение для характери-
стики работы солнечного элемента.
В идеальном СЭ при условии умеренных резистивных потерь
ток короткого замыкания равен световому току. Поэтому ток ко-
роткого замыкания можно считать максимальным током, который
способен создать СЭ.
Ток короткого замыкания зависит от ряда параметров [20]: пло-
щади СЭ, мощности падающего излучения и его спектра, оптиче-
ских свойств материала СЭ, пассивации поверхности и времени
жизни неосновных носителей в базе. Отметим, что обычно вместо
тока короткого замыкания рассматривают плотность тока короткого
замыкания (Iкз в мА/см2). Это позволяет не учитывать площадь СЭ.
При сравнении однотипных СЭ критическим параметром явля-
ется диффузионная длина и пассивация поверхности. В СЭ с иде-
ально пассивированной поверхностью и равномерной генерацией
ток короткого замыкания можно записать, как
I кз = qG ( Ln + L p ), (3.5)
где G – скорость генерации; Ln и Lp диффузионная длина электро-
нов и дырок соответственно.
Хотя это уравнение использует некоторые допущения, не вы-
полняющиеся в большинстве реальных СЭ, оно показывает, что ток
короткого замыкания сильно зависит от скорости генерации и
диффузионной длины [20].
Разделение носителей, сгенерированных светом, само по себе не
ведет к производству энергии. Для того чтобы получить энергию,
вместе с током нужно создать напряжение. Напряжение в СЭ соз-
дается в процессе фотоэффекта.
Как уже отмечалось, разделение носителей, сгенерированных
светом, приводит к тому, что электроны оказываются в n-области, а
дырки – в p-области. При коротком замыкании заряды в этих об-
ластях не накапливаются, а уходят из СЭ в виде светового тока.
78
Однако если для сгенерированных носителей создать препятствие,
то разделение носителей будет приводить к увеличению количест-
ва электронов в n-области и дырок в p-области. В результате в p-n-
переходе будет создано поле, направленное противоположно уже
существующему полю в обедненной области. Результирующее по-
ле, таким образом, уменьшается. Так как электрическое поле явля-
ется барьером для протекания прямого диффузионного тока, его
уменьшение увеличивает диффузионный ток. Устанавливается но-
вое равновесие, при котором в p-n-переходе образуется напряжение
[20].
Ток СЭ будет определяться разностью между фототоком и то-
ком прямого смещения. Если цепь разомкнута, диффузионный ток
прямого смещения в p-n-переходе увеличивается на столько, что
полностью компенсирует световой ток, и суммарный ток обраща-
ется в нуль.
Напряжение, необходимое для уравновешивания этих двух то-
ков, называется напряжением холостого хода.
Таким образом, напряжение холостого хода Uхх – это макси-
мальное напряжение, создаваемое СЭ и возникающее при нулевом
токе. Напряжение холостого хода равно прямому смещению, соот-
ветствующему изменению напряжения p-n-перехода при появлении
фототока. Выражение для расчета напряжения холостого хода бу-
дет приведено ниже.
При равновесии (то есть в темноте) диффузионный и дрейфовый
токи незначительны. При коротком замыкании концентрация неос-
новных носителей на обеих сторонах перехода увеличивается и ток
дрейфа, который зависит от числа неосновных носителей, также
увеличивается. При разомкнутой цепи сгенерированные светом
носители смещают переход в прямом направлении, увеличивая
диффузионный ток. Так как токи дрейфа и диффузия направлены
противоположно, суммарный ток СЭ становится равным нулю.
Рассмотрим диаграмму энергетических зон освещаемого р-n-
перехода (рис. 3.2, а). Предположим, что солнечный элемент имеет
идеальную ВАХ. Соответствующая эквивалентная цепь показана
на рис. 3.2, б, где параллельно переходу введен источник
постоянного тока IL, называемый фототоком и описывающий
возбуждение неравновесных носителей солнечным излучением.
79
б
Рис. 3.2. Энергетическая диаграмма солнечного элемента с p-n-переходом
при солнечном освещении (а) и идеализированная эквивалентная схема
солнечного элемента (б) [16]
Отметим, что ВАХ СЭ представляет собой суперпозицию ВАХ

диода в темноте и фототока СЭ (IL). Диод представляет собой
неосвещенный p-n-переход. Под действием света ВАХ смещается
вниз в четвертую четверть, в которой находится полезная мощ-
ность.
ВАХ такого прибора (идеальный случай) определяется выраже-
нием:
( )
I (U ) = I s eqU kT − 1 − I L , (3.6)
где Is – темновой ток диода; IL – фототок (световой ток); RL – нагру-
зочное сопротивление.
При варьировании RL фототок перераспределяется между на-
грузкой и p-n-переходом.
Плотность темнового тока рассчитывается как [16]:
⎛ 1 D 1 D p ⎞ − Eg kT
J s = I s S = qni2 ⎜ n
+ ⎟e , (3.7)
⎜ N a τn N d τ p ⎟
⎝ ⎠
80
где S – площадь прибора (p-n-перехода); q – заряд электрона; ni –
собственная концентрация носителей заряда; Na и Nd – концентра-
ции акцепторной и донорной примесей; τn и τp – время жизни элек-
тронов и дырок; Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и
дырок.
Например, для кремниевого СЭ минимальное значение
плотности темнового тока, полученное из формулы (3.7) при
300 К, составляет примерно 10–15 А/см2.
Следует отметить, что существуют условия, когда фототок (IL)
и ток короткого замыкания Iкз (или Isc) не эквивалентны друг другу.
В частности, в случае очень высокой плотности последовательного
сопротивления (>10 Ом см2) Iкз становится меньше IL и использо-
вать его в уравнении СЭ не правильно. Также следует учитывать,
что в некоторых СЭ IL зависит не только от падающего излучения,
но и от напряжения [20].
График ВАХ, определяемой формулой (3.6), приведен на рис.
3.3, а для следующих параметров: IL = 100 мА, Is = 1 нА, S = 4 см2 и
Т = 300 К.
Рис. 3.3. ВАХ освещенного солнечного элемента [16]
Поскольку ВАХ проходит через четвертый квадрант, это озна-

чает, что прибор служит источником энергии. При соответствую-
щем подборе нагрузочного сопротивления вырабатываемая энергия
может достигать 80 % произведения Iкз⋅Uхх (Iкз – ток короткого за-
мыкания (Isc), Uхх – напряжение холостого хода элементов (Uoc)).
81
Чаще ВАХ элемента изображают так, как показано на рис. 3.3,б.
Из рисунка видно, что значения Iкз и Uхх можно определить графи-
чески как точки пересечения ВАХ с осями тока (Iкз) и напряжения
(Uхх).
На рис. 3.3,б также определены величины Im и Um – значения
тока и напряжения, при которых реализуется максимальная выход-
ная мощность Pm (Pm= ImUm).
В целом ВАХ солнечного элемента показывает зависимость
выходного тока солнечного элемента от напряжения на его выво-
дах. При изменении величины светового потока, падающего на
солнечный элемент, его ВАХ изменяется. Поэтому для получения
достоверных значений стремятся добиться стандартных условий
измерения, при которых каждый из тестируемых образцов нахо-
дился бы в одинаковом состоянии [3].
3.1.2. Идеальная эффективность преобразования СЭ
Для определения степени идеальности солнечного элемента рас-

сматривается значение идеальной эффективности преобразования.
Рассмотрим методику расчета идеальной эффективности пре-
образования [16]. Из уравнения (3.6) получаем, что напряжение
холостого хода (при I = 0) равно
kT ⎛ I L ⎞ kT ⎛ I L ⎞
U хх = ln ⎜ + 1⎟ ≈ ln ⎜ ⎟ . (3.8)
q ⎝ Is ⎠ q ⎝ Is ⎠
Это уравнение показывает, что Uхх зависит от темнового тока
СЭ и фототока. При заданном токе IL напряжение холостого хода
логарифмически возрастает при уменьшении темнового тока Is
Обычно Iкз изменяется незначительно, поэтому основное влияние
на Uхх оказывает темновой ток, который зависит от рекомбинации
в СЭ. Значит, напряжение холостого хода характеризует рекомби-
нацию в устройстве.
Напряжение холостого хода монокристаллических кремниевых
СЭ высокого качества достигает 730 мВ при условии АМ1,5, С = 1
солнце. В коммерческих устройствах оно обычно находится на
уровне около 600 мВ [20].
Параметр Uхх также можно определить, зная концентрацию но-
сителей:
82
kT ⎛ ( N a + Δn ) Δn ⎞
Uхх = ln ⎜ ⎟, (3.9)
q ⎝ ni2 ⎠
где kT/q – тепловое напряжение; Nа – концентрация легирующей
примеси; Δn – концентрация избыточных носителей; ni – собст-
венная концентрация.
Определим с учетом (3.6) выражение для мощности:
P = IU = I sU (e qU kT − 1) − I LU . (3.10)
Определим условия, при которых мощность максимальна. Для
этого найдем производную, приравняем ее нулю. Из условие
максимума (dP/dU = 0), получим [16]:
⎛ 1 ⎞
I m = I s β U m eβ U m ≅ I L ⎜ 1 − ⎟, (3.11)
⎝ βU m ⎠
1 ⎛ I I +1⎞ 1
U m = ln ⎜ L s ⎟ ≅ U хх − ln (1 + βU m ) , (3.12)
β ⎝ 1 + βU m ⎠ β
где β = q/kT.
Важным параметром работы СЭ является характеристическое
сопротивление. Это выходное сопротивление СЭ, когда он работа-
ет в режиме максимальной мощности. Если сопротивление нагруз-
ки равно характеристическому сопротивлению СЭ, то вся мощ-
ность передается на нагрузку и мощность СЭ максимальна. Опре-
U
деляется данный параметр по формуле R = m .
Im
Исходя из уравнений (3.10)–(3.12) получим выражение для мак-
симальной выходной мощности:
⎡ 1 1⎤
Pm = I mU m ≅ I L ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ = I L ( Em q ) , (3.13)
⎣ β β⎦
где
⎡ 1 1⎤
Em ≡ q ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ . (3.14)
⎣ β β⎦
Величина Em соответствует той максимальной энергии, которая
выделяется в нагрузке при поглощении одного фотона и при опти-
мальном согласовании элемента с внешней цепью [16].
83
Если значения Js и JL известны, величину Еm можно получить с
помощью численного решения трансцендентных уравнений (3.9),
(3.11) и (3.14). Поскольку величина Em зависит от Js, она зависит
также от параметров материала (таких, как τ, D и уровни легирова-
ния) [16]. Идеальная эффективность преобразования реализуется
при оптимальном выборе параметров материала, когда величина Js
минимальна. Поведение Em для полупроводников с различной ши-
риной запрещенной зоны показано на рис. 3.4.
Рис. 3.4. Зависимость плотности потока фотонов в солнечном спектре от энергии

фотона и графический метод определения эффективности проеобразования [16]
Идеальная эффективность преобразования равна отношению

максимальной выходной мощности к внешней мощности (мощности
падающего излучения) Pin при стандартной плотности солнечной
радиации 1кВт/м2 (1000 Вт/м2):
P I ( E q)
η= m = L m = ⎡⎣U m2 I s ( q kT ) e qU m kT ⎤⎦ Pin . (3.15)
Pin Pin
Например, при КПД = 10 % с 1м2 СЭ можно получить 100 Вт
электрической мощности.
Также идеальная эффективность преобразования может быть
определена графически из рис. 3.4 как отношение площади прямо-
угольника со сторонами Em и nph к площади под кривой 1. Макси-
84
мальная эффективность оказывается равной 31% и достигается при
Еg =1,35 эВ, если использовать параметры материала, характерные
для полупроводников типа А3В5.
На рис. 3.5 приведена зависимость КПД = f (Eg) при 300 К. Кри-
вая с отметкой С = 1 соответствует АМ1,5. Небольшие осцилляции
на ней связаны с характером поглощения излучения в атмосфере.
Отметим, что кривая эффективности имеет широкий максимум, в
пределах которого КПД слабо зависит от Eg. Поэтому все полупро-
водники, которые имеют ширину запрещенной зоны от 1 до 2 эВ,
относятся к материалам, пригодным для создания солнечных
элементов [16]. Реальные значения эффективности преобразования
ниже идеальных из-за ряда процессов, которые будут рассмотрены
ниже.
Рис. 3.5. Зависимость идеального КПД солнечного элемента от Eg

при солнечном освещении и при 1000-кратной концентрации
солнечного излучения (Т = 300 К) [16]
На рис. 3.5 приведена также кривая идеальной эффективности

для случая оптически сконцентрированного излучения интенсив-
ностью 1000 солнц (т.е. 844 кВт/м2). Максимум идеальной эффек-
тивности преобразования возрастает с 31 % (без концентрации
солнечного излучения, т.е. С = 1) до 37 % (при 1000-кратной кон-
85
центрации солнечного излучения, т.е. С = 1000 солнц). Это возрас-
тание связано с увеличением Uхх, которое приводит к увеличению
Em в соответствии с формулой (3.14).
Заметим, что КПД является самым распространенным парамет-
ром, по которому можно осуществлять сравнение различных сол-
нечных элементов. Поскольку КПД также зависит от спектра, ин-
тенсивности падающего солнечного излучения и температуры СЭ,
то сравнение СЭ надо выполнять при одинаковых стандартных ус-
ловиях. Наземные СЭ измеряются при АМ1,5 и температуре 25 °С;
СЭ, предназначенные для использования в космосе, измеряются
при АМ0 [20].
Подчеркнем, что максимальное значение теоретического КПД
преобразования для СЭ с гомопереходом сильно зависит от шири-
ны запрещенной зоны материала [16].
Следует отметить сложную и неоднозначную зависимость иде-
ального КПД от ширины запрещенной зоны материала Eg. Видно,
что идеальная КПД СЭ снижается как при увеличении (для Eg
больше 1,9 эВ), так и при уменьшении (для Eg меньше 0, 8 эВ) ши-
рины запрещенной зоны полупроводникового материала.
Как уже говорилось, основная энергия солнечного излучения
распределена в диапазоне от 0,4 мкм (энергия квантов ~3 эВ) до
1 мкм (энергия квантов ~1,24 эВ). Поэтому фундаментальное по-
глощение материала, используемого для преобразования солнечно-
го излучения, должно находиться в этом диапазоне.
Также следует учитывать, что в однопереходных (однозонных)
СЭ, изготовленных из полупроводникового материала с шириной
запрещенной зоны Eg, в процессе преобразования солнечного излу-
чения участвуют фотоны с энергиями Eф ≥ Eg. Поэтому с увеличе-
нием Eg материала СЭ количество фотонов, участвующих в про-
цессе получения электричества, уменьшается, а следовательно,
уменьшается Iкз. Таким образом, уменьшение Eg позволяет полезно
использовать большую часть спектра излучения, т.е. повышает-
ся величина фототока, следовательно, и тока короткого замыкания,
что приводит к увеличению КПД преобразования.
С другой стороны, с увеличением Eg возрастает энергия фото-
нов, участвующих в процессе преобразования солнечного излуче-
ния, что приводит к росту Uxx. Таким образом, предельно высокую
эффективность достигают СЭ, изготовленные из полупроводнико-
86
вого материала, обеспечивающего максимальные значения произ-
ведения Iкз×Uxx.
Следует отметить, что для повышения эффективности преобра-
зования желательно, чтобы каждый фотон поглощался именно в
том месте активного слоя, в которой ширина запрещенной зоны
примерно равна энергии кванта, т.е. желательно иметь активную
область с переменной запрещенной зоной (варизонный материал).
На рис. 3.6. показаны зависимость плотности потока фотонов от
их энергии в спектре концентрированного солнечного излучения и
поведение плотности тока короткого замыкания JL. Также на рис.
3.6 приведена зонная диаграмма многокаскадного солнечного эле-
мента. В нем несколько p-n-переходов располагаются последова-
тельно друг за другом по мере уменьшения ширины запрещенной
зоны. Это приводит к поглощению излучения в более широкой
области и к росту КПД.
Рис. 3.6. Зависимость плотности потока фотонов от их энергии в спектре

концентрированного солнечного излучения и графический метод определения
КПД в каскадных солнечных элементах с последовательно соединенными
p-n-переходами [16]
Расчеты показывают, что для двух последовательных p-n-

переходов максимально возможный КПД достигает 50 % и реали-
87
зуется при Eg1 = 1,56 эВ и Eg2 = 0,94 эВ. Для трех переходов КПД
достигает 56 % при Eg1 = 1,75 эВ, Eg2 = 1,18 эВ и Eg3 = 0,75 эВ. При
дальнейшем увеличении числа переходов КПД растет очень медлен-
но. Так, при 36 переходах максимум КПД равен 72 % [16].
Следует отметить, что еще в 1955 г. была высказана идея о пре-
образовании всего спектра солнечного излучения, падающего на
определенную поверхность, путем использования набора СЭ, пре-
образующих соответствующие части солнечного спектра, с после-
дующим суммированием полученной электрической энергии. Реа-
лизация этой идеи осуществляется путем изготовления различных
сверхвысокоэффективных солнечных элементов (СВЭСЭ), преоб-
разующих большую часть солнечного спектра, а именно [36]:
- каскадных (тандемных, многопереходных, многозонных)
СВЭСЭ;
- многоспектральных СВЭСЭ, преобразующих разложенные на
спектральные полосы солнечного света с помощью соответствую-
щих СЭ, с последующим суммированием полученной электриче-
ской энергии;
- однопереходных СВЭСЭ на основе композитного полупровод-
никового материала.
Суммарная эффективность преобразования СВЭСЭ оказывается
выше предельной эффективность ВЭСЭ, созданного на основе лю-
бого полупроводникового материала, используемого при формиро-
вании СВЭСЭ.
Структура и принцип работы указанных СЭ будет рассмотрена в
последующих главах.
3.1.3. Коэффициент заполнения
Максимальные ток и напряжение, которые можно получить от

СЭ – это ток короткого замыкания и напряжение холостого хода.
Однако, мощность СЭ в обеих этих точках равна нулю. В качестве
параметра, характеризующего работу СЭ в точке максимальной
мощности, используется коэффициент заполнения, который обыч-
но обозначается «FF».
FF определяется, как отношение максимальной мощности СЭ к
произведению Uхх и Iкз:
88
I mU m
FF = . (3.16)
I кзU хх
Таким образом, фактор заполнения показывает, какая часть
мощности, вырабатываемой солнечным элементом, используется в
нагрузке. Значение фактора заполнения определяется выбором
режима работы солнечного элемента, то есть значениями Uхх и Iкз.
С учетом (3.16) выражение для нахождения эффективности
преобразования (КПД) элемента можно записать в виде
I U FF ⋅ I L ⋅ U хх
η= m m = , (3.17)
Pin Pin
где Pin – внешняя мощность (мощность падающего излучения).
Графически FF представляет собой меру квадратичности СЭ и
равен максимальной площади прямоугольника, который можно
вписать в вольтамперную кривую (рис. 3.7):
S
FF = A . (3.20)
SB
где S – площади прямоугольников, SA = ImUm, SB = IкзUхх.
Так как FF является мерой квадратичности вольт-амперной
кривой, то СЭ с более высоким напряжением будет иметь более
большой возможный FF. Это следует из того, что закругленная
часть кривой занимает меньше места.
Рис. 3.7. Зависимость выходного тока СЭ от напряжения
Для определения максимального значения фактора заполнения

часто используют следующее эмпирическое уравнение [20]:
89
U xx − ln(U xx + 0,72)
FF = . (3.19)
U xx + 1
Это уравнение показывает, что чем больше напряжение, тем
больше теоретическое значение FF. Для СЭ, выполненных по оди-
наковой технологии и из одного материала, значения Uхх обычно
отличаются не очень сильно. FF может различаться существенно
для СЭ из разных материалов. Отметим, что на практике FF всегда
ниже идеального значения из-за наличия в цепи паразитных со-
противлений. Фактор заполнения измеряется в процентах и варьи-
руется от 50 до 85 % для различных типов СЭ.
3.1.4. Квантовая эффективность и спектральная

чувствительность
На практике, для оценки характеристики работы СЭ анализи-

руется его спектральная характеристика (спектральный отклик),
которая представляет собой зависимость величины квантовой эф-
фективности от длины волны падающего излучения.
Спектральный отклик SR равен отношению фототока к вели-
чине qF, если речь идет о наблюдаемом (внешнем) отклике, или
к величине qF(1 – R), если речь идет о внутреннем спектральном
отклике [16]:
1
SR ( λ ) = ⎡ J p ( λ ) + J n ( λ ) + J dr ( λ ) ⎤⎦ . (3.20)
qF ( λ ) ⎡⎣1 − R ( λ ) ⎤⎦ ⎣
где F(λ) – плотность потока падающих фотонов в единичном спек-
тральном интервале; R(λ) – доля фотонов, отражающихся от
поверхности.
Квантовая эффективность – это отношение числа носителей,
собранных солнечным элементом, к числу фотонов данной энер-
гии, падающих на солнечный элемент. Данная величина представ-
ляет собой функцию энергии, либо функцию длины волны и явля-
ется количественной мерой световой чувствительности.
Квантовая эффективность равна единице, если были поглоще-
ны все фотоны определенной длины волны и собраны все неоснов-
ные носители. Квантовая эффективность фотонов с энергией,
меньшей энергии запрещенной зоны, равна нулю.
90
Отметим, что квантовая эффективность большинства реальных
СЭ уменьшается в связи с наличием рекомбинации, в то время как
кривая идеальной квантовой эффективности имеет квадратную
форму. Обусловлено это процессами и факторами, влияющими на
вероятность разделения носителей.
Например, наблюдается снижение квантовой эффективности в
кремниевых СЭ в синей части спектра, так как пассивация лицевой
поверхности кремниевого СЭ оказывает влияние на носители, рож-
денные около поверхности. Поскольку синий свет поглощается
очень близко к поверхности, высокая скорость поверхностной ре-
комбинации понижает значение квантовой эффективности в дан-
ной области спектра. Аналогичное уменьшение квантовой эффек-
тивности наблюдается в зеленой части спектра. Большая часть зе-
леного света поглощается в объеме полупроводника, и низкая диф-
фузионная длина будет влиять на вероятность разделения носите-
лей, рожденных в объеме СЭ, и уменьшать квантовую эффектив-
ность.
На рис. 3.8,а показан реальный внутренний спектральный от-
клик для кремниевого СЭ с p-базой. Этот отклик существенно от-
личается от идеальной ступеньки при больших энергиях фотонов.
Рис. 3.8. Рассчитанный внутренний спектральный отклик кремниевого элемента

с p-базой (а) (отдельно приведены вклады каждой из трех областей)
и тот же рассчитанный отклик с p-базой при разных скоростях поверхностной
рекомбинации (б) [5]
Также на рис. 3.8, а проведены расчетные зависимости вклада

каждой из трех областей (трех компонент тока). Здесь исполь-
зовались следующие параметры прибора: Nd = 5⋅1019 см-3, NA =
91
=1,5⋅1016 см-3, τр = 0,4 мкс, τn = 10 мкс, xj = 0,5 мкм, толщина эле-
мента Н = 450 мкм, лицевая поверхность Sp = 104 см/c, тыловая по-
верхность Sn = ∞.
При поглощении фотонов с низкими энергиями основная доля
носителей генерируется в базовой области, поскольку коэффициент
поглощения в кремнии при этом мал. Если же энергия фотонов
превышает 2,5 эВ, основной вклад в фототок вносит лицевой слой.
При энергиях фотонов выше 3,5 эВ α превышает 106 см-1, и спек-
тральный отклик полностью определяется лицевым слоем. По-
скольку величина Sp предполагается достаточно большой, поверх-
ностная рекомбинация на лицевой поверхности элемента приводит
к значительному уменьшению спектрального отклика по сравне-
нию с идеальным значением [16].
Скорость поверхностной рекомбинации Sp сильно влияет на
спектральный отклик, особенно при высоких энергиях фотонов. На
рис. 3.8, б приведены кривые спектрального отклика для приборов
с теми же параметрами, что и на рис. 3.8, а, но с одним отличием:
здесь Sp меняется в диапазоне 102–106 см/с.
Следует отметить сильное уменьшение спектрального отклика при
увеличении Sp. При заданной величине Sp спектральный отклик улуч-
шается при увеличении диффузионной длины Lp. В общем случае для
увеличения спектрального отклика в диапазоне используемых длин
волн следует уменьшать Sn и Sp и увеличивать Ln и Lp [16].
Важной характеристикой СЭ является его спектральная чув-
ствительность. Под спектральной чувствительностью СЭ пони-
мается зависимость тока короткого замыкания (фототока, напря-
жения холостого хода) от длины волны падающего монохромати-
ческого излучения, нормированная на единицу энергии падающего
излучения данной длины волны.
Спектральная чувствительность отличается от квантовой эф-
фективности следующим. Квантовая эффективность дает число
электронов на выходе из СЭ, отнесенное к числу падающих фото-
нов, в то время как спектральная чувствительность определяется
как отношение тока, произведенного СЭ, к мощности падающего
на него излучения. Кривая спектральной чувствительности приве-
дена на рис. 3.9.
Поскольку стекло поглощает большую часть коротковолнового
излучения, то чувствительность СЭ в этой области очень низкая.
92
Посередине графика спектральная чувствительность приближается
к идеальному значению. В длинноволновой части чув

Язык

Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии»

Ермолаева Н.В., Смолин А.Ю., Литвин Н.В. Фотопреобразователи

В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

Рецензент: А.А. Баранник, канд. техн. наук, доцент каф. «Физика и

ISBN 978-5-7262-1722-2 © Национальный исследовательский

В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

Преобразование солнечной энергии в электричество является

1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.

Солнечная энергия относится к альтернативным (нетрадицион-

1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических

Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, уст-

1.3. Состав солнечного излучения

Источник энергии. Источником энергии солнечного излуче-

Рис. 1.1. Спектральное распределение потока фотонов,

Рис. 1.2. Распределение солнечной энергии по спектру

1.4. Концентрирование света

Как уже отмечалось, более 80 % объема рынка солнечных эле-

1. Перечислите основные способы сбора солнечной энергии. Какие

Для качественного понимания физических процессов, проте-

2.1. Принцип работы приборов

2.1.1. Понятие, виды и образование

Электрический переход между областями полупроводника с

Рис. 2.1. Диаграммы, поясняющие процесс образования p-n-перехода

В p-области уход дырок из граничного слоя способствует обра-

Рис. 2.2. Распределение напряженности

Переход неосновных носителей приводит к уменьшению объ-

2.1.2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода

В условиях равновесия p-n-перехода, когда отсутствует внешнее

Рис. 2.3. Энергетическая диаграмма несимметричного p-n-перехода

2.1.3. Неравновесное состояние p-n-перехода

Если подключить источник ЭДС между p- и n-слоями, то равно-

Рис. 2.4. Схема включения p-n-перехода при прямом смещении

В результате частичной компенсации внешним напряжением

Рис. 2.5. Энергетическая диаграмма прямосмещенного p-n-перехода

Вблизи p-n-перехода концентрации дырок в n-области и элек-

Рис. 2.6. Схема включения p-n-перехода при обратном смещении и потенциальная

Под действием обратного напряжения Uобр основные носители

Рис. 2.7. Распределение концентраций носителей заряда

Как показано на рисунке, концентрация неосновных носителей

Рис. 2.8. Энергетическая диаграмма обратно смещенного p-n-перехода

Обратный ток определяется дрейфовой составляющей и равен

2.2.1. Механизмы поглощения света полупроводниками

При поглощении света полупроводниками энергия фотонов

Таким образом, полный спектр поглощения полупроводника

Рис. 2.9. Прямые (а) и непрямые (б) оптические переходы

для hν > Eg – Eф.

(для hν > Eg +Eф) поскольку вероятность испускания фонона про-

Солнечный элемент (СЭ) или фотоэлектропреобразователь

Рис. 2.11. Схема кремниевого монокристаллического солнечного элемента

В дырочном полупроводнике (полупроводнике p-типа) реализу-

При контакте p- и n-областей в них, вследствие градиента кон-

Рис. 2.13. Разделение

Неосновные носители, генерируемые в p- и n-областях на боль-

где k = 1,38×10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, T – термодинами-

2.3. Физический принцип работы элемента

2.3.1. Определение гетероперехода

Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструк-

2.3.2. Энергетическая диаграмма идеального

Для построения энергетической диаграммы часто применяют

Следует заметить, что разрывы зон могут быть как положитель-

Для характеристики гетероперехода также применяют параметр,

Рис. 2.16. Распределение поля и потенциала в резком анизотипном