1, Concepto de solicitacién eléctrica 1 1. Solicitacién de tension : Llamamos Sistema de Aislacion a la configuracion de electrodos y materiales dieléctricos destinados a sustentar, para un fin determinado, cierto nivel de solicitacion eléctrica. Para el estudio de las aislaciones debemos distinguir entre la solicitacién eléctrica Global que se aplica a un sistema de aislacién y la solicitacién Interna que afecta a la estructura cristalina de las componentes. Solicitacién de Tension, (U): es la aplicacién de un potencial eléctrico a un sistema de aislacion. Los ensayos y los criterios de instalacién de los equipos de alta tension, son referidos a solicitaciones de tensién. Solicitacion de Campo , (E) : es el efecto que sobre un volumen microscépico de ‘material, origina la aplicacién de una solicitacién de tensién en ei sistema. El disefio de las aislaciones se refiere a solicitaciones de campo. Para que un sistema sustente con éxito una solicitacién de tensidn, es necesario que cada microvolumen de sus componentes participe adecuadamente en el trabajo dieléctrico Microvolumen, con solicitaciones de campo débil Microvolumen con solicit de campo intenso gu Solicitacién de tensién \ pete Material aislante Electrodo esféricoLa solicitacion de tension suele también recibir algunas de las siguientes denominaciones Tension de Servicio: es la tensién nominal del sistema eléctrico, al cual se incorpora un determinado sistema de aislacian. Ejemplo > 13,2 kV, 13,8 kV. Tension Critica de Servicio : es la maxima variacién sostenida de la tension de servicio Ejemplo : regulacién de tension + 10%, Clase de Aislacién : es ta tension que caracteriza los ensayos de un sistema aislante y lo determina para incorporarse a una instalacion de alta tension, Ejemplo: clase 12 kV, clase 17,5 kV, clase 115 KV. Al definir la clase, se fija una serie de parametros que la aislaciéu debe cumplir : Maxima tensién alterna de corta duracién (minutos) ‘Maxima tensi6n continua de corta duracién (minutos) Maxima tensién de impulso de breve duracién (milisegundos) Serie 1 (Internacional) 36 KV - 7,2 KV - 12 kV ~ 17,5 kV - 24 KV - 36 KV - 52 KV - 48,3 KV - 72,5 kV. Serie Il (USA y Canadé) 4,76 kV -8,25 kV - 15 kV - 15,5 kV - 25,8 kV - 38 kV - 48,3 kV - 72,5kV -1.2. Solicitacion de Campo Eléctrico Se denomina intensidad de Campo Eléctrico a la solicitacion que afecta @ cada vofumen microscépico de material dieléctrico. Se mide en V/m o kV/cm, y su simbolo es E. La solicitacién depende del voltaje aplicado y de la geometria de los electrodos Cada material se caracteriza por un valor limite de tolerancia a Ja solicitacién de campo, denominada Rigides Dielécirica, cuyo simbolo es Eo. Las configuraciones geométricas mas frecuentes en los equipos eléctricos son las siguientes Condensador de Placas Paralelas : Es la configuracién que menos solicitacién interna provoca en el material. Se la considera como Referencia para calcular todas las dems solicitaciones en otras geometrias. CCondensador de placas paralelas Se denomina Campo Homogéneo a esta configuracién, pues todos los puntos del dieléctrico poseen idéntica solicitacién. Esto es estrictamente cierto séfo si las placas tienen superficie infinita El campo tiene oriemtacién desde la placa energizada hacia la placa aterrizada.Condensador Cilindrico Coaxial [kV Fem] b R, Condensador de cilindros coasiales La orientacién del campo es desde el cilindro interno energizado, hacia el cilindro externo aterrizado. En este caso, la solicitacion interna no es homogénea, pues como se observa en la formula, E depende de la distancia al eje, “r”, * que se encuentre el microvolumen, Se habla entonces de un Campo in-Homogéneo. La maxima intensidad de campo ocurre cuando r es minima, sea para r= R, y su valor es Se dice que el campo eléctrico se “Concentra” en la cercania del cilindro interior. Ejemplo : Un material cuya rigidez dieléctrica Ep 60 [V/cm] se somete a prueba a) entre dos placas, separadas 1,5 [em] b) entre dos cilindros coaxiales, con didmetros 2 y 5 [cm] respectivamente Calcular los potenciales de ruptura en cada caso. a) Campo homogéneo U,=Epd=60x15=90 [AV]b) Campo cilindrico Andlisis : El espesor del dieléctrico es el mismo en los dos casos. Sin embargo, en Ia solicitacién inhomogénea, el material soporta sdlo el 61% del caso homogéneo. Para la geometria indicada, se dice que el campo cilindrico tiene un 61% de rendimiento, tomando como referencia el campo homogéneo al cual se le asigné un 100% de rendimiento 1.3. Esfuerzos Transversales y Longitudinales En los dos ejemplos del punto anterior, el material es solicitado internamente por el campo eléctrico en forma Transversal, es decir el campo Atraviesa todo el material. Existen aplicaciones dieléctricas en que {a solicitacién de campo es de tipo Longitudinal, 8 decir ai /o largo de una frontera entre dos materiales. fe Frontera Sélido-Aire Tubo de ‘ro $< Solicitacion Longitudinal La importancia de estas configuraciones radica en que las Fronteras Dieléctricas tienen una tolerancia muy restringida al campo eléctrico, es decir baja rigidez longitudinal. Ello se complica mas aun con los fendmenos de contaminacion que analizaremos posteriormente.1.4 Esfuerzo localizado en microvolumen. Se denomina Descarga Parcial a una descarga de baja energia, localizada en un volumen incremental del espacio de campo, que no compromete al volumen global. Estas descargas se originan cuando se sobrepasa en algun punto cierto nivel de intensidad de campo, llamado Intensidad de Iniciacion de descargas parciales, EqkV/em] Puntos sensibles para la generacién de descargas parciales son * cercania de electrodos muy agudos (efectos de punta) * inclusiones de gas en dieléctricos sélidos o liquidos * superficies aislantes contaminadas Ui; @ i lec] Microvolumen con D. E> Descarga parcial Interna En general estas descargan ocurren en microvolumenes de gas. Se presentan como pulsos de corta duracion ~ 100 [ns] y se caracterizan por los siguientes pardmetros + Tensién de iniciacion U, [RV], que es la amplitud del voltaje aplicado, para el cual se manifiestan las primeras descargas. Carga eléctrica Q (pC] transferida en la descarga y que se manifiesta también en Jos terminales de medicion «Energia o potencia [mW ]envuelta en et proceso. Las aislaciones sdlidas son especialmente sensibles a las descargas parciales internas, Su efecto es de un Deterioro Progresivo, que tarde 0 temprano termina en una Ruptura Dieléctrica Total del material2. El desafio del Disefio en fa Técnica de Alta Tensién Ensayos Ensayos oK Materiales Estructuras Sistemas de Larga vida Protaripos | Aislantes | Recepcién de] Aislacion ‘ail | 7 ‘Componentes 7 Ensayos de Capacitacién Ensayos Supervision Calidad | finales | Caractersticas Manufacturas Solicitaciones Programacion medias Inhomogénea Estadisticas ide Mantencién Disefio de Base Probabilistica . Consecuencias: " Necesidad de laboratorios " Necesidad de personal calificado " Necesidad de investigacién aplicada3. Rangos de Solicitaciones Clasificacién de los niveles de voltaje Clase Eléctrica Rango [kV ml Baja tension vsi Alta tensién media i= V <7 ‘Alta tension t 110 Extra alta tension 275 < V <800 Ultra alta tension > 1000 Solicitaciones de tensién en sistemas trifasicos de alta tensién Vmax / V2 * Vatase V9 S.T. Externas S.T. Internas (Maniobras) 1 10" 1 10” 1 107 10° 10 [segundos] Rangos de amplitud y duracién de solicitaciones de censi6n en sistemas eléctricos trifasicosValores caracteristicos de los parametros de disefio en equipo de alta tension Esfuerzo de | Esfuerzode | Esfuerzo Grado de Equipo operacién disefio mecénico Automatiza- [kVac/em]_| [kVugs/em] | relative | aislamiento cién Generadores 25 130 10 10 0,2 ‘Transformadores 15 1s 10 09 03 SIE en SF6 40 180 0,2 03 <0 Condensadores | 600-1000 | 2000-3000 OI 02 08 (Fuente: A. Cookson, IEEE El, Ins. Mag: ine, vol 6 ,N* 6, 1990)4. Conceptos de Electrostatica Intensidad de campo eléctrico Concepto relativo a la fuerza electrostitica ejercida sobre una particula cargada ubicada en un espacio de influencia electrostatica: Donde: acl E [V/em| Densidad de Flujo Es la especificacién de la intensidad de campo para un medio especifico de permitividad « Donde: D [C/cm’| [Flom] = £96 = 8,859- 10 [ F/cm] & mide la capacidad relativa de un medio para asumir carga eléctrica Ecuacién de campo En un medio sin carga espacial: Ecuacién de Laplace | @=0 | Donde: — © = - [E+dl = potencial espacial En un medio con carga espacial media p, : Ecuacién de PoissonFormas de distribucion de campo Distribucién de campo homogénea: igual intensidad de campo en ‘odo el espacio. Distribucidn de campo in-homogénea: Ia intensidad de campo cambia de un punto a otro. En un campo Laplaciano no homogéneo, |E | esta referido ala geometria, |E | + etectrodo de mayor curvatura 1 | + electrodo de curvatura menor Entre estos valores extremos existe un rango de intensidades intermedias, calificadas fundamentalmente por la geometria del sistema de electrodos. La condicién homogénea de un campo es una situacién ideal. Las geometrias priicticas califican mas bien como campos cuasi— homogéneos , como el caso del campo esférico externo con distancia de electrodos inferior al didmetro de las esferas. Un campo de denomina fuertemente inkomogénco , cuando sostiene actividad corona importante. Métodos de célculo del campo eléctrico + Solucién cerrada de la ecuacién de Laplace: Configuraciones mis frecuentes: cilindro — superficie, cilindros paralelos , esferas de igual didmetro , placas paralelas de canto redondeado , cilindros coaxiales, esferas concéntricas. + Transformaciones matemiiticas de Ia ecuacién de Laplace: Representacién conforme Representacién poligonal Cambio de coordenadas + Aproxima Diferencias finitas, Elementos finitos, Monte Carlo, Momentos, Imagenes, Simulacién de carga, Simulacién de carga superfici Métodos practicos de disefio En la mayor parte de los casos priicticos, el disefio del aistamiento consiste en dimensionar el espesor minimo suficiente para soportar la mdxima solicitacidn , es decir la especificada para el punto critica. En consecuencia, el interés inicial del ingeniero se centra en conocer el valor de | E |, para lo cual se ayuda de datos tedrico — experimentales acumulados por la experiencia.FACTORES DE CAMPO Ud f= Enas/ Ew Table 1.2 Field Enhancement Factor for Some Common Configurations Configuration f value ‘Comment (a) Parallel plates tb) Concentric spheres c) Coaxial cylinders (d) Hyperbolic point- plane e) Equal diameter spheres (1) Equal diameter spheres (2) Sphere-plane «thy Equal diameter parallel cylinders (i) Conductor-plane i) Cylinder surrounded by a torus 'k) Hemispherical rod- plane 4) Bipolar DC Tine with 2 subconductors mi 3-phase line with 2 subconductors 1 Rit (R = 1)/(r In R/r) 2x/In(1 + 4x) 0.25[B + VB? + 8] 0.943 + 0.458x + 0.121x? x +055 x A a2 In [: oe ]) 2 + 0.32x 2.642 + 0.216x — 0.0002x? 0.433 + 0.307 (R/t) + 0.0095 (R/r)? 0.85 (1 + x) 0.45x In (6x) In (x) lid 2 d ¢: + B)nn (4h? /rD) wo) Uniform field R = outer sphere radius R = outer cylinder radius Symmetrical voltages and B= x +1 x <2 and one sphere earthed x > 2 and plane earthed A=VETR xs5 5 =x = 2000 R = tonus radius ¥ = cylinder and torus cross-sectional radius x53 35x 5500 d = distance between bundle centers d = distance between adjacent phases «11 Two hyperboloidal xVI + 27K points i tan ho! nn \x+2 4 = cup length. r = high voltage electrode radius, x = d/r. h = height above ground, and D = tundle diameter,5. Calculo de aislamientos en La condicién limite tolerada por una aislacion en forma sostenida, equivale a la iniciacion de descargas localizadas en el punto de maxima solicitacion En campo homogéneo, esta condicién es inestable y desemboca en la ruptura total, apenas se desarrollan las primeras descargas parciales, Entonces rige la relacion donde Up = Tension de ruptura {kV] u, Tension de iniciacién de descarga a distancia entre electrodos [cm] E, = _rigidez dieléctrica intrinseca del material [kV/cm] Ej se determina para cada gas con mucha precisién, y de acuerdo @ normas que prescriben para ello distancias de electrodos no inferiores a 25 {cm] Para electrodos con acabado superficial no perfecto, es decir con rugosidad no despreciable, y ara separacién entre electrodos inferior a 25 (cml, se post-ia la siguiente relacion donde ee factor de correccién por rugosidad ex =* factor de correccién por distancia, Hamado también FACTOR DE CURVATURA En campo In-homogéneo, se introduce como sabemos una descripcion matemitica complicada de la distribuckin de esfuerzos dieléctricos, En general, lo que interesa en este caso es conocer solamente la situacion en el punto mis solicitado del sistema de aislacidn, la que ocurre normalmente en la zona de mayor acercamiento de los electrodos. BBasandonos en dicha distancia minima d, [cm] entre los electrodos, podemes postular que entre la tensién de solicitacién U [kV] y el maximo esfuerzo dieléctrico localizado Exiay (kW/em], existe una relacién simple d, = minima distancia entre electrodos n= FACTOR DE RENDIMIENTO de la configuracion de electrodos que se determina analiticamente para una gran cantidad de electrodos Tal como ocurre en el campo homogéneo, se hace indispensable corregir esta ecuacion por los Factores en y ex quedando finalmente la relacin Factor de curvatura para electrodos esféricos y cilindricos eK Radio r [mm] Curva Z Campo cilindrico y electrodos agudo ee Campo homogéneo rx 1hFactor de Rendi Sacre: femem e ee A i ewes || VEE fee hic] vx ‘ lespecsi YG Boe} gf imiento 1) 2 Ib 6 8 Bm 1040 6) 81D Seometrefaktor 9 i G2 S450 5 SH DH 6 BID Gewsnelrektar p 5Factores de Homogeneidad (n) Sistemas de 3 pardmetros geométricos y un dieléctrico. 1. Platos de canto redondeado 2. Plato contra superficie 3. Toroides paralelos 4, Toroide contra superficie ‘Geometaoktarp5, Superficies con nervaduras 6. Nervadura simple contra superfici 7. Cilindros paralelos de diferente radio 8. Cilindos anaxiales Parameter: 2 a8 a7| as|— Aan Bas a3} ae Homey B98 Pony & 29+ 690 5m ww Geometiceltor p rr a Gesmecnetoitor p 79. Cilindros paralelos contra cilindro envolvente 95 a0 aoa a0 — 7089 —ae00 Geometietetio-p 10. Cilindros cuadruples contra cilindro envolvente Parameter 406 x aes} 1 ” E ot NG “0 5 a L 4Factores de Campo (f = 1') Sistemas multi — aislados (Un.= Eres q-d/f) Placas paralelas con doble dieléctrico racron of cara f oe aD eee Grenriatone tad 2. Cilindros coaxiales con doble dieléctrico ( £1/e2 = 5) Li-407] a awn zyimier [227 [Inmenrainaey oho tee | rattterriine [Plow | tae 2 2 05 ons fa Ze Eien | Sitarmaty 3 4% 420 nos 22 a = eo — 7 18) atte 22 : aal } a4 sr ‘ . 3 é a ~19-4, indro aislado frente a superficie ( &;/ex = 1,4) 20) 15 0 @ a6 gs ‘lndesietvade 4 oe i 3 me mt 4 2 =e 0) 3g % a0 25 a = aL = w wp oe vse foe a4 4 jen tt cra de sos Fenner 222 | Blu Be | ! ae } ; mo 3 f & g, (LLL | = | 2 - j i Se Perret) 5. Cante aislado frente a esquina interior "234 620s we wet a) (E1/ex = 3,4) ” Seonetrictohtom p b) (e1/e2 = 14) gre [ez] : ee che. ~ s 3 005- t pmennitiche | Sd (tonmtead 2 be + asks 5 s Be SI \ I ‘ pene i 2 3 + 6 6 0 5D ww vy Geomelnetehiorpa TABLE * (continued) = Sphere giameter tp cm stacing - E om s [es] wo] ns| as] as | so | a | 1 | aso | am | ! ieee 6s | (4 | 54) | 161 173, 477 |. a7 a7 177 10 | a9 | dey | 16 | age | ta [390 | 90 | 90 1s 55) | 68) | 177 195. 202, 203 203 203 fo cig | dss | 306 | ate | ts | ais | ai 30 85) | 98) | as | aap | do | dar | dat 10 a9 | Gos | 244 | 263 | 265 | 266 | 266 | 266 n | Gis | ast | da | 350 | ae | ase | dso 2 I | Ga] zs | Sos | Sis | ate | te | die 3 j | es | 31 | 33 | 3a | 3a | ae 4 om | asa | 3 | 366 | 366 | 366 5 | gia | 3m | 387 | 390 | 90 | 350 6. | G26 | 392 | a0 | aie | ae | ate ” gin | a | 2) oe | os | oe fi om | a | 43 | 4a | de | de » oan | as | a | ae | fae |e 20 | 5 | 460 | a2] sio | so | sto n } as | 530 | S55 | 500 | Seo 2 | sis | ss | 95 | aio | 610 6 | i sao) | 0 | Gas | oss | Geo 2 6) | 65 | 6s | 400 | Sos x0 4 | 9 | 66s | no | aes | 750 2 | 3) | 5 | 4s | no | is Fr | | i a) | 25 | feo | ass | m0 36 ca) | 750 | ais | sas | as 8 i; 4 1 (62s) | 75) | was] 91s | 0 i ca A _ (00) | exo) | ars | 955 | ons ‘ | 3) | 945 | 1050 | 1080 5 | | (5) | 1010 | 1130 | 1180 55 ! r J 35 [cos | i310 | 1340 | & | i for jae) | ie | 130 | 6 i | F Jre) | 340 | rao | ‘o i 7 tf (20) | 1390 | 1430 | 3 [eee ee eee 230) | 1420. | 1580 Fe i; | 4 a3) | 1600 Fa ,oy oy ff jt 0) 1600 | 5 \ fe 1330) | 1720 100 i (160) | 180 10 | (1730) | ct 940p 120 | | ee) | (1800) | Bom) Bo | | I | | (2100) 140 | | | 1 i i 2 180 10 re 2) i | | 1 i ! i | it I ! 2Técnicas de Alta Tensién I 2004 ‘uestionario N° 1 de campo, Dé ejemplos que justifiquen esta diferenciaciéa. 2 Defina los siguientes conceptos relatives a esfuerzos eléctricos en un aislamiento: esfuerzo tranversal, esfuerzo longitudinal, esfuerzo de Srontera, esfuerzo en microvolumen. 3. En relacién a la malla de actividades asociadas al disefio de * La necesidad de laboratorios de certificacin + Lanecesidad de normativas de ensayo La necesidad de informacién acerca del sistema de alimentacion tamientos de alta tensi6n, justifique: 4. Ejemplifique instalaciones eléctricas chilenas de AT, ATM y EAT. 5. Qué interés tiene la forma envolvente de Ia carta de sobretensiones ocurrentes en un sistema de otencia en relacion a la proteccién del mismo? 6. Justifique los factores de seguridad en el esfuerzo eléctrico de campo, que se emplea en generadores, cables y transformadores. 2. 10° [e/seg], zcudntos € iniciales son requeridos para un sistema de placas paralelas separadas 5 [mm}, si para el gas bajo estudio a = 0,25 {ion /mm] ? 14, Recalcule el caso anterior considerando un efecto de ionizacién secundaria por bombardeo catédico, evaluado con un rendimiento y=3 [%] 15, Describa Ia teoria de descarga en canales (streamers) y explique la limitacién de la teoria de Townsend que le da origen. 16. Explique la ley de Paschen en zona lineal, y en zona inversa.| 17. ,Cual es el criterio para diferenciar una solicitacién de campo cuasi — homogénea de una solicitacién in-homogénes? 18. Calcule la intensidad de iniciacién, E, [kVmus/em], de electrodos cilindricos contra superficie, para radios en el rango 0,1 a 3 [em|. Si se define para un gas, el factor de curvatura “e,-, como Ia razén entre La intensidad de iniciacién y la rigidez intrinseca del 288, graficar e, en fancién del radio para cilindros en aire. 19, Describa el mecanismo de “Trichel”, para el corona negative. :Cual es la caracteristica mis relevante de este mecanismo, y cudles son sus consecuencias? 20, Describa el mecanismo de incandescencia para el corona positivo (Hermstein) 21. ,Cudles son los problemas y cudles las aplicaciones ttiles del efecto corona en aire? 2. {Por qué la tensién de ruptura a solicitaci6n continua positiva de campo in-homogénco es sensiblemente menor que la correspondiente para polaridad negativa? ;Qué consecuencia tiene este fenémeno para el disefio de aislamientos en aire? ZA qué se denomina “tiempo estadistico” en la respuesta a impulso de un aislamiento en gas? 24. Por qué Ia tensién de ruptura a impulso resulta mayor que Ia tensién continua de Tuptura estética de la misma polaridad? 25, Explique las condiciones para la ruptura de un gas solicitado por una sefial de alta tensién de duracién ultra corta. 26. ;Por qué la rigidex dieléctrica de un gas solicitado por sefiales de alta tensién de duracién ultra corta es mucho mayor que para solicitacién estitica o de impulso? 27. sPor qué la actividad de descargas de corta duracién es de baja energia? 28, Haga un esquema circuital para explicar el “efecto gap” y describa sus propicdades.Dieléctricos Liquidos Cuestionario 1. Indique las principales aplicaciones de los dieléctricas liquidas en {a técnica de alta tensién ‘Qué funciones cumple el dieléctrico liquido en los transformadores de potencia? {Qué propiedades fisicas son deseables en un dieléctrico tiquido aplicado a: 1) Transform: otencia; 2) Transformadores de distribucién de uso interior; 3) Interruptores de potencia 4. Dibuje tas cadenas orgdnicas caracteristicas de los aceit 3) Aromticos. 1) parafinicos; 2) Nafténicos: 5. Indique una combinacién porcentual tipica de aceites madres empleada en transformadon 6 ;Qué propiedades se busca desarrollar en los hidrocarburos sintéticos y qué aplicaciones Fundamentales Genen? 7. Explique las caracteristicas de los hidrocarburos clorados y sus aplicaciones. 4 Dibuje ia estructura orginica de los aceites de silicona (siloxanos) y vineule sus component sus propiedades fisicas. 9. ,Qué diferencia esencialmente el aceite mineral def aceite de silicona, desde un punto de v: electrotécnico? 10, ;Cual ¢s 1a propiedad mis interesante de los ésteres para sus aplicaciones en sistemas de a eléctrica? 11. {Qué clase térmica tiene el accite mineral? 12, Compare el aceite mineral com Jos accites HTH para aplicaciones en transformadores. 13. {Por qué se sefiala que el GALDEN es el sustituto ideal de los PCB? 14, ,Cuales son las lamadas “propiedades de calidad” del aceite mineral? 15. ZA qué se denomina “coeficiente de conveceién” de un aceite y de qué parimetros depend 16. Desde el punto de vista de la refrigeracién, discuta la calidad relativa del aceite mineral y silicon. 17. Explique los agentes de degradacién del aceite mineral. 18. ,Qué objetivo cumplen los llamados “aditivos anti — oxidantes” que se incorporan al aceit transformadores? 19. Describa ol procedimieato de mantenimiento mayor que se aplica aun aceite de transform potencia. 20. Describa el proceso de electrificacién por circulacién, indicands los modos de control.21. 27. ‘Qué parimetros se debe controlar en Ia vida itil de un aceite mineral, y qué procedimientos existen para su re acondicionamiento? Qué diferencia un liquido “polar” de uno “no-polar”? Dé ejemplos. Explique el mecanismo de conduccién de un aceite mineral sometida a baja solicitacion de campo (<20kV/em). A qué se deaomina “mecanismo de doble estrato” en el proceso de conduccién de un aceite? Describa Ias etapas del proceso de conducciéa en un aceite sometido a campo eléctrico elevado: (> 100 kV em). Explique la teoria de “puentes conductores” para la ruptura de dieléctricos liquidos. Id, Para la teoria de “eavita Cudl es of aporte de la teoria de “burbujas” en la ruptura dieléctrica del aceite mineral? ;Qué aplicaciones précticas encuentra?Técnicas de Alta Tensién I Dieléctricos s6lidos Cuestionario 1. Explique los mecanismos de polarizacién que afectan a los dieléctricos sélidos. 2 zA4qué se denomina “dominio de dispersibn” en un dicléctrico sometido a soliitacién de campo con frecuencia variable? 3. {Qué parimetros condicionan dl “factor de pérdidas” de un material aislante sélido? 4. 2Qué mecanismo de pérdidas predomina en el XLPE libre de impurezas? 5. {Cémo influye la absorcién de humedad en el factor de pérdidas de un polisero? 6. {Qué mecanismo de pérdidas predomina en los dieléctricos cerémicos? ;Y en el vidrio alealino? 7. zQué mecanismos condicionan la ruptura dietéctrica de los aislantes sétidos? 8 A quése denomina “rupturs intrinseca” de un material cristalino homogénco? 9. Explique ¢ mecanismo “termo-electrénico” de ruptura de los materiales amorfos. 10, Esto implica una acumulacién temporal de carga en la frontera dieléctrica de dos medios con permitividad diferente Este fenomeno se conoce como polarizacion interfacial transitoria, que afecta a los dieléctricos compuestaso inhomogéneos no ideales2.2 Respuesta Dietéctrica a solicitacién escalon 2.2.1 Modelo fundamental Condensador con dieléctrico homogéneo, no-ideat pao 4 i) t v on, fay fe pw L Ex R = f (7), Resistencia de aislacién, variable con la temperatura = permitividad del medio vacio intermolecular &X = permitividad del medio cristalino a interfacial Le = corriente de conduccién glavanica I, = corriente de carga capacitiva ip = cottiente de absorcién 2.2.2. Corriente de conduccidn (galvanica) =u | Res.un valor constante en el tiempo, pero dependiente de la temperatura segin laley. y v= const 9, Tenacidad del material Conductividad del material . Resistencia de aislacion Usualmente ULV] RIMQ) I (HA]2.2.3. Corriente de carga (capacitiva) R.= resistencia del circuito exterior Cy= capacidad equivalente con medio vacio La Constante de tiempo de esta funcién esta en el rango de segundos 2.2.4 Corriente de absorcién UCkI™ [A] C= capacidad del medio dieléctrico k= constante de proporcionalidad n= factor de decaimiento La presencia de la corriente de absorcion esta en el rango de los minutos. Representacién grifica de la corriente de respuesta ifpal2.2.6 La corriente de conduccién final se determina por: PG16) 11)+7(10)-27 BAS) donde [(t) es el valor de la corriente total medida en t Luego, sera de interés medir i(t) en un rango de a lo menos 10 minutos, con especial observacién de los instantes: 1 ~ 3, 16 y 10 minutos Cireuitos de medicién de ta respuesta de absorcién Considerando que la corriente de carga capacitiva decae en pocos segundos, se suele denominar “respuesta de absorcién” a la corriente medida en el ensayo a escalén, segun alguno de los siguientes circuitos: Circuito 1 yn? ie) Circuito de medicién en baja tension Fuente ideal U - 500 [V], polaridad negativa ( 0 ambas) Rj: resistencia equivalente (instrumento) G: _ hilos de guardia Desventaja: sensible a ruido (modo comin) Ventaja: elemento de medida sin aislacion especialCircuito 2 Circuito de medicién en alta tension Ventaja: Mayor sensibilidad Desventaja: Requiere aislacion especial del instrumento2.2.7 Anillisis del ensayo de respuesta a escalén (absorci6n) De los datos de este ensayo se obtienen los siguientes parametros de anilisis * Corriente de conduccién: tx [WA] * Corriente de conduccién reducida: (Ix) [mA/VF] * Corriente de absorcién: : Ty (WAT * Corriente de absorcin reducida: (14) [mA/VF] + Resistencia de aislacion. {M2] = Indice de polarizacién: [-] = Indice de absorcién: [-] * Constante de secado: +, {seg} 2.2.7.1 Corriente de conduccién Es el valor asinténico de la funcién i(/), para t = 20 Se puede extrapolar segin la ecuacién: El interés de este valor es que al ser restado de i(t), permite determinar la corriente de absorcién para ¢ 21" 2.2.7.2 Corriente de conduccién reducida A fin de comparar aislaciones de diferente diseiio, se normaliza el valor de la corriente de conduccién en PU, de 1 [kV] y 1 {uF} j=l Al 7 (d= Gg rcpuny ena” F] Segiin estindares de Empresas Generadoras de Energia (Chile), se exige como criterio de contro) para aislaciones clase B (Iq) 500 [seg] siempre que Ry esté referido a 20°C. Enel capitulo (4) se entregaran criterios para la funcién Ry (0).HEWLETT PACKARD HP Deskjet 600°" Inkjet printer for nessppal camputetidal Es una sefial de frecuencia in Professional circuito de laboratorio, print qualityicion sinusoidal 50-60 Hz), generada a partir de PptiongtCoredkmente 2 la with HP ColorSmart we DeskJet ratus Monitor Up 10 4 pages/minute ABO) cara note Many scalable TrueType fonts for Windows, including.» . Ves = amplitud [kV] Lucida Casual xf = frecuencia Gmpstatd iajsez] Milestones <*GO1@ Phyllis GILL SANS SHADO Wasa fines de ensayo se defingmpstab Baers. Built-in Fonts ¥, , CG Times seter"o = 0,707 Vine Courtier CG Times Bold etter Goth¥e Bold Courjier Bold CG Times Kali Univers ttlic etter Gothic Italic Courier Tealic CG Times Bold Nalic Univers Bold ttatic tetter Gotnic Bold Italic Courier Bold Italic 2.3.2 Histérisis dieléctrica y permitividad media Media 3-year warranty Dieléctrico ideal (lineal) ...and HP Quality! Paper: Letter, legal, executive, custom, A4, AS, BS Envelopes: U.S. # 10, Invitation (A2), nDL, C6 Cards: 4x6 in.,5 x8 in., A6, Hagaki D ‘Transparencies: Letter, Ad vrDieléctrico no ideal en solicitacion alterna ©, 4 1s elektrische Polarisation P, Flussdichle D Ag [PeUzeTIO, T > iclo de histéresis dicks AS |mit Nd,O; D =P, Ms st oe 673 [Zusotz ; 0,2 ! " I on T ‘ . f E é -o1 —+ 1 -0,2 0.4 3-2-1 0 7 2hN3 elektrische Feldstarke E E, intensidad cohersitiva P, polasizacion de remanencia D, desplazamiento de remanencia Permitividad media Consecuencias: ¢ depende de la solicitacion ciclo con densidad de pérdidas proporcional a su area2.3.3 Permitividad dieléctrica compleja Funcion de campo arménico simple E (= E,,, “sen (+9) Densidad de corriente total dD (t) Tr W)=rEW+ =yEM+ 4 Ew) dt y en nomenclatura fasorial JW =7E + jock = jw E(e-jy/o) Sea y la corriente total compleja en el dielectrico. OT2.3.4 Potencia compleja en un dieléctrico real En un condensador homogéneo con capacidad Co aire (gas) A y para un contenido dieiéctrico de permitividad e, la corriente total en el medio es. Leaded jo g +6,(e- je") A =j@C,U (e'- je") Entonces la potencia dieléctrica es: Q=Imf-u}=/'C, oe y la potencia de disipacion es P=Refi-U'}=|UPC, 6" 2.3.5. Factor de Pérdidas. Concepto fisico. Fisicamente, se denomina factor de pérdidas, al porcentaje de la potencia dieléctrica que representa la disipacion interna FP= P/Q=e"/e’=y/ae - 100[%]2.3.6. Modelos Dieléctricos para excitacién arménica Los siguientes modelos representan con buena aproximacion el comportamiento de un dieléctrico sometido a una solicitacién sinusoidal. Circuito equivalente paralelo Circuito equivalente de un dieléctrico en corriente alterna Cp y Cs: representan en el circuito respectivo la capacidad de! material, es decir sus propiedades dieléctricas, Rp y Rs: repre-entan en el circuito respectivo las resistencias eléctrica ¢ 1 material, es decir sus pérdidas de conduccién. jentes diagramas fac>“~'es A esios circuitos se asocian los Circuito Paralelo Circuito serieEl angulo entre el voltaje U y la corriente total I es llamado dngulo de potencia y se denomina © El coseno de este angulo es conocido como el factor de potencia del circuito. En materiales aislantes este angulo es cercano a los 90° y por lo tanto el cosy ~ 0 El angulo agudo del triangulo de corrientes en el circuito paralelo, o del tridngulo de valtajes en el circuito serie, denominado “8”, es conocido como argufo de pérdidas y en las aislaciones de buena calidad es < 1° La tangente del Angulo de pérdidas se conoce como Factor de Pérdidas : tan & = Factor de Perdidas EI factor de pérdidas es una excelente medida de 1a calidad de una aislacién y existe una amplia experiencia para interpretar su significado. Por ello se ha constituido en una medida normalizada para calificar el estado de una aislacién y como parametro predictivo de su vida uti La medicién del factor de pérdida ( tan 5) se puede realizar en forma directa, midiendo las pérdidas del circuito y la potencia total que absorbe : Perdidas|mW| sen 5 tand = Bay Una forma mas precisa de medicion es mediante el puente de pérdidas, que compara el circuite dieléctrico sometido a ensayo, con un condensador ideal (de gas a presion), que no tiene pérdidas ° | ==> P| ; (Cp= Condensador patrén sin pérdidas uv PUENTE COMPARADOR P:: probeta, capacidad con pérdidas Medicién de tan por puente de pérdidasEI sistema de puente permite ademas una medicién muy exacta de la capacidad de la probeta. El valor de C y tané se leen directamente cuando el puente est equilibrado 2.3.7. Analisis del ensayo de tan. Circuito de medicion —_— T | a ii Geavance Puente para a medicion capacidad y la tangente delta Ejemplo de medicion wns f ° Ejemplo de anilisis (VDE 0530) Medicion Valor 1) tan 6 0,2 30 x 107 2| 1/2 (tan 6 0,6 - tan 6 0,2) | 2,8 x 1079 3| 1/2 (tan 6 0,6 - tan 6 0,2) | 3x 197? 3 4{ dif tan 6 por intervalo 5 x 107 de medicion (0,2 Vnom) ne eae en ex 19737, Fundamentos te6ricos de la ruptura dieléctrica } Ruptura Micrascopica por Descargas Parciales Se denomina Descarga Parcial a una descarga de baja energia. localizada en un microvolumen del material, que no compromete el espacio dieléctrico existente entre los electrodos. cuando éstos se someten a una solicitacion de voltaje Se ha comprobado que la existencia de Descargas Parciales (D.P.) en un sistema de aislaciin. esta en directa relacién con el acortamiento de su vida uitil Toda descarga se origina al sobrepasarse en algin punto de la aislacién, cierto nivel de esfuerzo de campo, designado por Eimix (kV/mm), Puntos sensibles para la ocurrencia de estos esfuerzos son las vacuolas de gas en dieléctricos sélidos, las burbujas en liquidos. el entorno de ¢lectrodos muy agudos, las grietas entre estratos, etc. En general, se trata de puntos o regiones cuya permitividad es sensiblemente menor que la del medio que fo rodea. En tales circunstancias, el esfuerzo en la zona critica puede aumentar hasta ¢, veces en relacidn al medio que la rodea. Asi por ejemplo, una vacuola en vidrio. con ¢,=7, presenta 7 veces el esfurerzo calculado para el vidrio sano en ese punto Muchas veces, las vacuolas tienen su origen en inclusiones de particulas extraflas, tales como polvo, particulas metalicas, fibras, etc., que se introducen durante el praceso de manufactura En estos caso, s¢ provoca una concentracion del campo eléctrica en la zona de la inclusion, que provoca una descarga localizada. De ella se desprenden gases que a la larga conducen al modeio anterior pie El modelo eléctrico para las D.P. es el siguiente iF {fe Modelo de Descargas Parciales GQ capacidad de ta vacuola Ce capacidad del medio sano, en serie con la zona de ensayo ic capacidad del medio sano que rodea la zona de descargaAnalisis a siguiente figura ilustra el proceso de generacién de pulsos, cuando la tension solicitante supera la “vensidn ele mictacion” de DP Vv, Tensionaplicada Ve Tension en la vacuola u Tension de iniciacion U, Tension residual ( 100V) AV Escalon de tension en fa ruptura Mediame instrumentacién adecuada, se miden los pulsos de corriente, los que se traducen a contenido de carga eléctrica Q, , medidos en [pC]. Estos pulsos tienen duracion del orden de 10° fs}, y ef nivel de carga transferida en aistaciones sotidas nuevas esta en el rango siguiente J SISTEMAS DE AISLACION DESCARGA TIPO [canes aislados con XLPE 5 pc Transformadores en Aceite 300 pC [Motores y Generadores 5000 pCLa existencia de DP. en un sistema aislante provoca un doble dao. Por un lado, la energia asociada a la descarga pravoca una erdsién localizada en ef dieféctrico. que en el lareo plazo se transforma en un camino de descarga total. Por otra parte, los residuos de las descargas son elementos activos qué atacan fisica 0 quimicamente el material santo Circuito de Medicion DP. Circuito de Medicion D.P. Al elevar potencial en la barra de alta tensién del transformador T, se alcanzara el nivel de solicitacion que provoca D.P. en la probeta P. Los pulsos de corriente de alta frecuencia que alimentan ta descarga circulan por el condensador de acoplamiento Cx, provocando una caida de potencial en la impedancia de medicién Zx. Esta seffal de voltaje es llevada a un instrumento de medicién MDP, que entrega la amplitud maxima de los pulsos y los sobrepone en una sinusoide de referencia. Ejemplos de oscilogramas “Descarga corona en Descargas internas en vacuolas Descargas de fuga por superficies de frontera,La imerpretacion de un ensayo de D.P requiere diversos criterios, como los siguientes a) Una aislacién nueva debe cefirse a las especificaciones de norma (Existen para cables transformadores) b) Al medir periddicamente D.P como ctiterio de control del envejecimiento, en una aislacion antigua, debe observarse que el incremento de D-P. sea app homogéneo en todas las fases. y que mantenga cierta gradualidad de crecimiento en el tiempo ¢) El incremento repentino de las descargas en solo una fase de la maquina, es signo de deteriora rieseoso2 Rupwura Mactosedpica Se denomina asi a las descargas que comprometen la totalidad del espacio de aislacion. constituyendo un arco conductor entre Jos electrodos, Se debe distinguir dos modalidades de la ruptura total 0 macroscopica a) Ruptura dieléctrica transversal Es aquella en que la descarga atraviesa totalmente el cuerpo aislante, por superacién de la Rigidez Dieléctrica del material Pueden darse dos situaciones: Si el dieléctrico es solido, la descarga transversal conducira a la formacién de un canal carbonizado, que inutiliza totaimente el sistema aislante, Si el dieléctrico es liquide © gaseoso y las descargas son controlados por la proteccién del sistema, la aislacién se “recupera”, en el sentido que puede re-utilizarse previa limpieza simple del entorno de descarga. Esto da origen a una clasificacidn en dos grandes familias de los materiales aislantes los materiales auto-regenerativos, fundamentalmente los gases, y los materiales no- regenerativos, fundamentaimente los sélidos. Los liquidos pertenecen al primer grupo pero por un limitado numero de fallas. Ejemplos de ruptura transversal — oho ERE En aire En solido En liquido Descargas Transversales Para la medicién de Ja Ruptura Transversal de un material se debe tener en cuenta lo siguiente * Tipo de electrodos empleados en la solicitacion * Cantidad de material aislante que participa en ei ensayo ‘+ Gradualidad con que se eleva el voltaje solicitanteEjemplo. _ Ensayo de aceite, Rigidez Dieléctrica transversal segin norma ASTM D877 250ml de aceite Electrodos disco 25 mm ¢ Separacion U progresa a 3 kV/seg Temperatura: 10-25°C Resultados Aceite nuevo. Aceite usado, E, om Ejemplo: Rigidez Dieléctrica del Aire Solicitacién continua positiva ut } Electrodos : esferas 25 en? OC 20°C, p=1013 mbar d= 250mm Leal Progresién : { KViseg Resultado ; +24,5 kV/cm6) Ruptura dieléctrica longitudinal Es aquella en que el arco de ruptura no penetra el cuerpo de aislacién, sino que recorre la trontera o pertil det s6lido, que esti en aire En estricto rigor. [a falla no se produce en el material sélido, sino en el gas que lo rodea. por ejemplo aire. Diversos factores contribuyen a que la rigidez de frontera entre un sdlido y un yas. sea baja. Discutiremos esto en el acapite siguiente. Ejemplo ae Platos separados por barra sélida de 15 em de largo a Aire Ey = 30kV/em E, = 6kVlem Sdlido ; Ey = 300 kV/em La ruptura ocurre “a lo largo” de la frontera Para L = 15 cm, bastan 90 kV para provocar el arco de frontera, En aire solo, se requiere 450 kV para ruptura transversal. El sélido puro, se requiere 4500 kV para ruptura transversal. La ruptura longitudinal es sensible a la humedad y a la densidad del aire. El resultado de una medicién debe ser “normalizado” a las siguientes condiciones r=20°C: p= 1013 mbar humedad : 11 gr/m?. 7 0,289 +b [mbar] b= et 27346 PC]Presién de Vapor del Agua en funcién de la Temperatura T Presion T Presion T Presién PC] [mm ig | gem? | FC] | mmBg | grim | PC] | mm Bg | grim 35 0,24 0,29. 10 2.2 2,4 is 12,8 12,8 34 0,27 0,32. 2 2,3. 2,6 16, 13,6 13,6 0,29 0,35. 3 25 2,7 17 14,5 245 0,32 0,38 7 2,7. 3,0 13, 15, 15,4 0,36, 0,42 6 29 3,2 19 16,5 163 039 0,46 5 3,2 34 20 17,5 173 043 0.50 | 4 3.4 3.7 [21 | 487 18,4 0.47 0,55 3 3,7 39 22 19,8 19,5 0.51 0,60 2 4.0 42 | 23 211 20,6 0,56, 6,65, “1 43 45 24 22.4 21,8 0,61 0,71 0 4,6 49 25 23,8 23,1 0.67 O77 1 49, 352. 26 | 252 244 0,73 0,84 2 5,3. 5,6 27 26,7 25,3 8,80 0,92 = 5,7 6,0 28 28.4 273. 0.88 1,01 4 6.1 64 | 29 | 300 28.8 0,96 5 65 63 30, 318 30,4 10 6 7,0 73. 31 33,7 321 Aa 7 7,5. 7,8 32 35,7 33,9 ae oe 8 3,6 83 33, 31,7 45,7 13 9 8.6 88, 34 39,9 376 14 10 2 94 | 35 42.2 39.6 16 11 9.8. 10,0 | 36 446 418 1,7 iz 10,5 10,7 37 EXAT 44,0 / 18 13 11,2 11,4 38. 49,7 463 2.0 14 12,0 121 39 | 52,5 48,7 40 | 553 312 JLDI02 A [mmHg] = 1 [Tort] 1{Pa] = 10° bar] PIgrim’] = p(T] - 2888/ (273+ 6°C)OS CSA EH ROO JOTS ATR ROG For St units: Ka= 0002955 aaa where barometcic pressure in pascals air temperature in degrees Celsius P Kq=0392 os Z where ‘barometric pressure in millimeters of mercury i temperature in degrees Celsius 43 Low-Frequency Wet Flashover Voltage Tests 43.1 Mounting Acrangement. The test specimen mounting for wet flashover voltage tests shall be in ac cordance with Section 3. 4.3.2 Precipitation. The precipitation shell be ap- plied in accordance with subsection 1,3.3.2 and Table 1.2 (Practice in USA) of ANSI/IEEE 4.1978, vf A | B Suspension insulators i | & | | | Re erase ernanc: | CT rere} 28 Fig.1 Low-Frequency Humidity Correction Factors AMERICAN NATIONAL STANDARD €29.1-1988 43.3 Preparation of Test Specimen. The prepara tion of the (est specimen shal be in accordance with subsection 1.3.3.2 of ANSI/IEEE 4-1978. 4.3.4 Voltage Application. At not less than 1 min- ute after the fina} adjustment of the spray, the applied voltage may be raised quickly to approximately 75% of the expected average wet flashover voltage value. ‘The continued rate of voltage increase shel be such that the time to flashover will be not less than 5 sec~ fonds nor more than 30 seconds after 75% of the wet flashover voltage Value is reached. 4.3.5 Wet Flashover Voltage Value.? The wet flash- over voltage value of a test specimen shall be the arith- ‘metical mean of not less than five individual lashovers taken consecutively, The period between consecutive flashovers shall be not less than 15 seconds nor more than 5 minutes. 4.3.6 Corrections, Corrections shall be made in ac+ cordance with 4.2.4, except that no correction for humidity shall be made. 4,4 Low-Frequency Dry Withstand Voltage Tests 4.4.1 Mounting Arrangement. The test-specimen mounting fos dry withstand voltage tests shall be ia accordance with Section 3. 4.4.2 Voltage Application, 75% of the rated dry withstand voltage may be applied in one step and gradu- ally raised to the required value in not less than S nor more than 30 seconds, 4.4.3 Test Voltage and Time. The test voltage, which is the rated dry withstand voltage with appro priate atmospheric corrections applied, shall be held (on the test specimen for 1 minute. 4.4.4 Corrections. Corrections shalf be made in ac- cordance with 4.2.4. The test voltage applicable to existing atmospheric conditions is obtained from the rated withstand volage, as given for standard atmo- spheric conditions, by use of the following equation = of vev,x where = test voltage, in kilovolts, applied 10 test specimen V, = rated withstand voltage, in kilovalts 6 = relative air density H = humidity correction factor applicable for the particular test specimen * Probable variation: Due to variations in water spray, inaccu- racies of cortection methods, dificultes of precue calibrations, and oiher uncontrollable conditions, «variation of £8 rom the probable true average wer flashover voltage vakie may be expected in tests conducted in one laboratory. Values obtained by tests conducted in different laboravries may vary by # 12%.AMERICAN NATIONAL STANDARD €29.1-1988, 45 Low-Frequency Wet Withstand Voltage Tests 45.4 Mouncing Arrangement. The testspecimen mounting for wet withstand voltage tests shall be in accordance with Section 3. 4.5.2 Precipitation. The precipitation shall be ap- plied in accordance with subsection 1.3.3.2 and Table 1.2 (Practice in USA) of ANSI/IEEE 4-1978. 4.5.3 Preparation of Test Specimen. The prepara: tion of the test specimen shall be in accordance with subsection 1.3.3.2 of ANSI/IEEE 4-1978. 4.3.4 Voltage Application. 75% of the rated wet withstand voltage may be applied in ane step and grad- ually raised to the required value in not less than 5 nor more than 30 seconds. 4.8 Test Voltage and Time. The test voltage, which i che rated wet withstand voltage, with appro: priate atmospheric corrections applied, shall be held fom the test specimen for 10 seconds. 4.5.6 Corrections. Corrections shall be ia accor- dance with 4.2.4, except that no correction shall be rade for humidity. The test voltage applicable to existing atmospheric conditions is obtained from the sated withstand voltage, as given for standard atmo: spheric conditions, by use of the following equation: VEVAXS where = test voltage, in kilovolt, applied to test specie = rated withstand voltage, in kilovolts lative air density 46 Low-Frequeney Dew Withstand Voltage Tests 46.1 Preparation of Test Specimen, The test speci- ‘men shall be placed in a chamber having a temperature of from =10°C to -15°C (14°F to S*F) until the speci- ‘men 3s thoroughly cooted. (Cooling may take 10 10 12 hours.) 4.6.2 Mounting Arrangement. The test specimen shall be mounted in accordance with Section 3 im a test > E,, & &© Si el campo es paralelo a la frontera, entonces se cumple Es decir no hay diferencias entre la solicitacion de campo en cada uno de los medios. b) Si un campo llega a la superficie con una direccién cualquiera, se podra descomponer en dos partes + Una componente perpendicular a la frontera, que operara como “amplificador” del campo en e! dieléctrico con menor permitividad, Por ejemplo una frontera porcelana-aire, obligaré al campo perpendicular en aire a crecer entre 6 a7 veces por ser €, de la porcelana 6 a 7 veces mayor que , del aire. Obviamente, tan elevada concentracién de campo, provocara descargas localizadas en el material de menor ¢, ‘+ Una componente paralela a la superficie frontera, cuya intensidad es igual en el solido y en el aire, Esta componente actéa como “gatillo”, que une entre si los diferentes puntos de descarga localizada que originan las componentes transversales. De este modo no se necesita mucha solicitacion longitudinal para lograr la ruptura. ¢) Las aislaciones estan generalmente operando con cierto grado de contaminacian superficial. Estos materiales contribuyen a aumentar el efecto de “amplificacion” transversal al deformar el campo eléctrico y concentrarlo en puntos especificos. Si la contaminacién se encuentra en presencia de humedad, entonces el efecto se agudiza, y la rigidez dieléctrica puede bajar a 2 kV/cm, o menos.4, Contaminacion de Aislaciones Los diversos ambientes contaminantes se clasifican de acuerdo a los siguientes parametros a) Depésito de contaminacién salina, equivalente a un depésito de N, Cl [mgr/cm?] Para aisladores de soporte, se calcula con la superficie total soporte. se calcula con la superficie total superficie inferior b) Distancia de la costa oceanica [km] ¢) Velocidad del viento [m/s]. d) Cercanias de areas industriales, Para aisladores de Para aisladores de suspension, con la Segin esto, se distinguen 6 categorias 0 niveles de contaminacion Minima Recomendada [crvkV] PARAMETROS CLASE DE CONTAMINACION AA A B a D E a) [mgr/cm?] <0,01 0,03 0,06 0,12 035 05 Soporte Suspension | <0,01 | 0,063 [0,125] 0.25 05 $10 b) [km], ¢)v> 10 [mvs] |__- 50 [10-50] 3-10 03 O05 v 70 [kV/em] ), resultan valores deb em el orden de 6000 fea/s / Vier] 1.2. Fenémenos de ionizacién Energia de ionizacién, W; Es Ia energia que debe suministrarse externamente a un étomo para Hlevarlo a un estado de ionizacién. Es un parémetro que depende de la estructura molecutar del gas y se mide en [eV] . Para gases varia entre 3 y 25 [eV) - Tabla 3: Energia de ionizacién en gases * Las moléculas simples (Hay Ne) presentan mayor cohesién a las fuerzas electrostaticas. pero una ver jonizados ofrecen mayor movilidad en el campo eléetrico, Tonizacién natural E} aire presenta cierto nivel de ionizacién en condiciones naturales, originado cn ta radiacién césmica y en la radioactividad. En aire seco se puede medir hasta 2000 liones / cm*}; en aire bajo Iluvia, hasta 5000 Jiones / cm*] y en condiciones previas a tormenta, hasta 50.000 [iones / cm*|. Si se considera que el aire contiene 2,77 - 10" [mol / em’, se observa que el conte nico natural del aire es muy bajo.Ionizacién por campo eléctrico Las particulas ionizadas y los electrones son acelerados en el campo cléctrico, provocando nuevas ionizaciones al chocar con moléculas neutras. Se puede estimar ta intensidad de campo teérica requerida para que un electron proveque ion por choque en aire normal: Ey = Wi Ae = 15/5-108 = 3+ 10° V/cm: electron} En la practica la ionizacién se inicia con menos de 30 {kV / cm], lo que indica que un elevado ndmero de electrones posee un camino libre mayor que el camino media estadistico, lo que aumenta notablemente Ia eficiencia del mecanismo de ionizacion. Termoionizacion Con temperaturas sobre 5000 [K], la agitacin térmica de las moléculas es capaz de provocar por si sola ionizaciones por choques Fotoionizacion una radiacion electromagnética con frecuencia ¥j [Iz] incide sobre un atomo, pucde provocar su ionizacién si se cumple gue: hey > We siendo “h” la constante de Plank ( 6,62 - 1077 |erg / Hz] ) y con la enc nizacién en [Joule]. Entonces, la longitud de onda requerida para el cfcety de ionizacion resulta: da fem) < coh JW = 124-108 Wi tev En aire resultan vafores de 4, < 15+ 10 Jem]. que corresponde al range de bi lux ultravioleta. Los rayos X (107° E; {kV / cm}, siendo E; la intensidad minima de ionizacién. Los electrones acelerados en estas condiciones provocan colisiones ionizantes, generando nuevos electrones, que a su vez repiten y multiplican el efecto de ionizacin. A medida que esta nube electronica avanza hacia el contraclectrodo, es mayor ef ntimero de electrones arrastrados, y se forman las condiciones 1 avalancha. En una istancia Ax [cm], los electrones que se agregan a la av AN = a-N-Ax Para una distanci I fem] , en cuyo origen hay No electrones, se encuentra al final: Ni = No« exp {fa-dx} Esta ecuacién caracteriza la avalancha o corriente autoamplificada. En un campo homogéneo y para presibn de gas constante. la ionizacién diferencial es un valor constante a lo largo del camino de avalancha. Entonees: Ni es el Hlamado frente de Ia avalancha, y el exponente {a= 1}. & amplificacin. La velocidad del frente en direccién al anode pucde alcanzar érdencs de 10” [em /s}. Los iones positives, subsecuentes de las colisiones inckisticas, se desplazan hacia ct cétodo con velocidades en el orden de 10° jem /s}. por Iw que se tes pucde considte como carga espacial estacionaria en relacién al frente de avalancha, Sin embargo, si la intensidad de campo es suficientemente clevada, estos iones pueden a su vez colisionar con moléculas neutras, gencrando nuevas ionizaciones. Si lam: “B” a este efecto de ionizacién secundaria , y lo superponemos con riginal, se tiene al final del recorrido “I” Ni = No -(a-Byre™P" / fae prelPrlyAdicionalmente, cuando la avalancha iénica alcanza eleitodo, puede provocar en el impacto la generacién de nuevos electrones libres, efecto denominado La superposicién de este efecto al frente de avalancha original se cuantifica segin N= Nove"! / [t-y(e%'-1)] | Finalmente, cuando el frente de avalancha alcanza el inodo, puede generar fotones en el impacto, los que al neutralizarse en el citodo provocan nuevas emisi electrénicas. “Sects & Si los efectos secundarios mencionados son suficientemente efectivos, permiten una clevada liberacién de electrones y la descarga se hace independiente de ta alimentacién externa de cargas, es decir, se hace autosostenida. Mecanismo de canales Para valores de amplificacién de avalancha del orden de (a=!) = 7. 11 conc ” de carga negativa es tan alta, que el campo cléctrico original se deforma. apareciendo zonas de mayor intensidad. Las avalanchas ya no son guiadas por las lineas de campo y se transforman en canales zigzaguentes que viajan hacia los clcetrodos con velocidades en el orden de 10° [cm/s]. nia A esta etapa del proceso corresponden las descargas corona . caracterizadas por su clevada frecuencia y baja amplitud. Se les conoce como impulsos Trichet . Paralelamente, las concentraciones de carga positiva originan canales conocidos como « streamers, caracterizados por una frecuencia menor y una gran amplitud. Estos impulsos causan fuertes efectos de radio y TV - interferencia.Ruptura dieléctrica en campo homogéneo Para el campo homogéneo rige: (a/p) = f(E/p) = P(U/p-d) nizacion diferencial presion del gas distancia entre electrodos voltaje aplicady soon a Si consideramos que para campo homogéneo ef factor de amplificacién de avalancha (a-d) = constante, se puede expresar: (p-d)-f(U/ pd) = constante Esta relacién es conocida como Ley de Paschen, y se comprueba experimentalmente, lo que demuestra que fas consideraciones de! modelo son razonablemente exactas, Se interpreta de la siguiente manera: “ Si se mantiene constante eI producto (pd ). la tensién de ruptura det espacio gaseoso no varia”. Este se cumple para distancias no demasiado pequefias (< 1 mm ), ni presiones demasiado altas (> 10 bar ). La siguiente figura ilustra esta relacién para algunos gas: 2: Ley de Paschen para algunos gasesLa densidad del aire es un factor determinante en la ionizacién, por lo cual los valores deben normalizarse a presi y temperatura ( 20 °C y 760 T ). Se define como densidad unitaria del aire al valor : Para distancias pequefias en campo homogéneo se puede estimar la intensidad de iniciacion de descargas en aire y la tensi6n de ruptura segdn: 30 + 1,35/d [kV/cm] ¢ ¢ 4 30d + 1,35 [kV] Para distancias de descarga elevadas se puede estimar estos valores segin: 2454+ 9/Vd [kV /cm} Up = 245-d + 7d 1kY] ae Fig. 3 : Intensidad de iniciacién en campo homogénce5. Ruptura en campo inhomogéneo En un gas sometido a campo inhomogénes, ta ruptura se inicia por descargas parciales localizadas, lamadas efecto corona. Soticitacién de inictacién corona Configuracién cilindro — superficie: By = 30-e,-8-[ £40301 / V8-r J, tkVnn fem] Ver = Eg rein (2H/ 6) 6 [kV Donde: r= radio del conductor [em] 5 = densidad relativa del aire €,- factor de rugosidad de les efectrodos H = altura sobre ef suelo [em] Configuracién de cilindros coaxiales: Bg = 31-6, -8- [140308 / Vom J. thVeu fem Vo = Eg riot (ra! ry) 5 kV} Donde: ry > radio interno fem] 1 = radio externo [em]Modos de Descarga Corona Existen 6 nrodos de descarga corona desde un clectrodo energizado con tensién alterna: Tanah Tarai Pubes rhe Fabs a lnondecenasnaniia |inceniocaca Rema | | Canal de pre-rupers €) [Canal fe papi Mods de Corona negativo: Patsos Trichel electrones y Ia carga espacial posi permite a 10s electrones acceder a la zona de menor solicitacién, donde son acelerados hasta aleanzar ta energia necesaria para ionizar stomos neutros por choques ineliisticos. La condicién de estabilizacin de los pulsos Trichel es: E, > E Fig. 4. Zona de accién Trichel y forma del pulso corona Incandescencia negativa Al cumplirse la condicién E, > Ei, los pulsos no cesan y se forma wnersefial de corriente que genera incandescencia ow oy Fig. 5. Incandescencia negativaCanales de preruptura negativa Al incrementar 's solicitacién, ef esquema anterior se desplaza hacia el anodo, abarcando mayor volumen dieléctrico. Se generan canales incomplets conocidos como dle preruptura. Modos de Corona positivo Pulsos La figura 6 muestra las etapas inicial y final del proceso de pulsos de modo positivo: > Iniciat Final akan Fig. 6: Proceso de puisos corona positives En ta etapa inicial, la avalanche electrénica que se acerea al 4nodo genera una carga espacial positiva, fa que una ver absorbida la carga negativa, se transforma en una pantalla de homogenizacién del campo original, situacién que detiene el praceso transitoriamente. Incandescencia positiva Al elevarse la solicitacién, los canales superan el efecto de homogenizacién, y se establece una + corriente que tiene efectos luminiscentes. Canales de preraptura ‘Con mayor solicitacién, los canales alcanzan Ia cercania del contraclectrado, La actividad corona en lineas e instalaciones de #lt2 tensién provor pérdidas de energia y radiointerferencia. Por otro lado, la activi encuentra aplicaciones prieticas como et proceso de fotocopiado, Ia pr electrostatica, Ia generacian de UHV mediante aparatos de Van der Gritif, clectrostitica de aviones, ta generacién de azono (O:) para aplicaciones médicas, entre otros ejemplos. controlada“0 EJEMPLOS Disposicién esfera - plano El campo asociado a esta disposicién de electrodos puede ser: Cuasi-homogéneo -> f < 5 -> condicién de corona inestable (pulsos) Inhomogéneo > _ f > 5 ->_condicién de corona sostenido En el caso inhomogéneo, los indices de ionizacién a y y no son constantes a lo largo del espacio de ruptura y se establecen condiciones de especial interés para solicitacién continua: Electrodo esférico positive: Ia carga espacial positiva extiende el nodo hacia ia placa, disminuyendo la distancia efectiva de aislamiento Electrodo esférico negativo: in carga espacial negativa se concentra en la cercania de Ia esfera, provocando un efecto homogenizador de pantalla. A consecuencia de lo anterior, resulta: Up" Up = 1 (d) Corona moderado > Up = f(d, D} ‘Tl: Corone fuerte,d >D, U, < 1 en campo inhomogéneo) = factor de rendimiento del campo+ Parad =d) > q = 1 y Ep =F homogénca” , lo que representa la Hamada “frontera cuasi- + Para d q > 1 y representa un factor de adecuacién de Ep; al verdadero valor experimental = Para d >dy > eq > 1 y representa la relacién entre Up y Up; , ¢s decir entre el establecimiento de la actividad corona y la ruptura. Para diferentes gases y diferentes tipos de geometria se han desarrollado experimentos para obtener valores de ex y de Ep; que permitan configurar el disefio de distancias en gas. De los muchos gases evaluados por sus buenas caracteristicas dieléctricas, no todos encuentran aplicacion técnica, ya que ésta queda codicionada a una adecuada combinacién de rigidez. dieléctrica y comportamiento térmico (punto de condensacién), ademas de aspectos econdmicos y ecoldgicos. La tabla 1 muestra Ia Rigider Dieléctrica y la temperatura de condensacién de los principales gases empleados en la actualidad en la técnica de alta tension : GAS Epi lkViem] | Oc PC] APLICAGION | He [Helio 37 -269 | Tubos luminosos | Ne |Neén a2 “246 | Tubos Luminosos Hi; | Hidrégeno 15 “243 | Refrigerante = ©; {Oxigeno 27 “183 | Aplicacion del Aire N: | Nitrégeno | 3 -196 | Condensadores Ch [Clore | 32 “35 | Aplicaciones del Aire | [70 | Vapor de Agua 30 100 ~ |Secado de Aisiaciones | SO; | Dioxido S o “10 | Precipitacién Electrostitica [SFe | Hexafluoruro ‘39 ~63 Interruptores [CCK [Tetractoruro C 232, 77 | Limpieza’ ‘Tabla 1 : Principales gases de aplicacién técnica Nota: {Los datos de la Tabla 7 estin referidos a una temperatura de 20 [°C] , salvo en aquellos gases cuya temperature de condensaciin es mayor que 20 [°C], en euyo caso el valor especificado corresponde a Ia temperatura de condensacién, .. La distancia entre electrodos emapleada fue de 10 [mm] en toWos los ejemplos y Ia soliitacion fue continua de polaridad negativao alterna.Nota: Los datos de la Tabla 1 estin referidos a una temperatura de 20 [°C] , salvo en aquellos gases cxya temperatura de condensacién es mayor que 20 ["C], en cuyo caso el valor especificado corresponde a la temperatura de condensacién, Gc. La distancia entre electrodos empleada fue de 10 [mm] ev todos los jemplos y Ia solicitacién fue continua de polaridad negativa 0 alterna. A temperatura constante, y asumiendo un comportamiento de gas ideal, la rigidez dieléctrica intrinseca varia linealmente con la presién. ‘También encuentran aplicacién las mezclas de gases, como el aire ( 80% Nz ~ 20 % Oz ), aislacién propia de las lineas de transmisin y los interruptores de aire comprimido, 0 la combinacién SK6 - Nz, empleada en lineas encapsuladas por sus ventajas econdmicas y termodinimicas. La Fig. 1 muestra la caracteristica de rigidex dieléctrica de esta mezcla, expresada en P,U. de la caracteristica del SF6 puro. Se observa que un 20 % de SF6 procura a Ja mezcla el 75 % de su rigider.dieléctrica. Epu/Epsrs 10 08 7 “EH 4 o 02 04 06 08 1,0 -> SF6 [pul 10 08 06 04 = 02 0 + N Fig, 1: Rigidez dieléctrica porcentual de la mezcla SF6 - Nz 2. Comportamiento del SF6 en campo cuasi-homogéneo. La in-homogencidad de un campo se califica en términos de la condicién de potencial requerida para la iniciacién de descargas parciales y la condicién para su establecimiento sostenido. Por lo tanto es una valoracién que depende de la presiOn del gas. La diferenciacion entre un campo ligeramente inhomogéneo y otro fuertemente inhomogéneo corresponde entonces a una frontera definida por el factor de rendimiento del campo en funcion de la presion del gas. Para el SF6 , dicha funcién se muestra en la Fij jones experimentales efectuadas a 20 [°C]. . 2, correspondiente aN11 [pul 0,35 0,30 | 0 Of 02 (03 BS > pIMpal ‘my, de comportamiento del SF6 Para 1 ~ n1L, Son validas las siguientes consideraciones: = La Rigidez dieléctrica intrinseca del SF6 para diferentes presiones y a 20 [°C| se expresa por: eel LEp; [kV/em] = 890+ pay tial | + EI factor de curvatura empleado en disefios en gas SF6 para configuracién ciildrica coaxial se muestra en la fig. 3: 1 oo oleae 20s us 13 eso RoR SY : SSS ya 6 € Bw ao 4 eo tee Ri imen] Fig, 3: Factor de curvatura ey para configuracién cilindrica coaxial en SF63. Probabilidad de ruptura a impalso de distancias en aire Bajo solicitacién estacionaria, las variables que influyen en la ruptura dieléctrica son: Forma y distanciamiento de los electrodos Condicién det gas (p, T) Actividad corona Asimetrias de polaridad en campos muy concentrados. Para solicitact es altamente dindmicas, estos mecanismos operan con diferentes retardos, dando a la funcién de ruptura un cardcter probabilistico, con distribucién normal: Te Veo ier > Voltaje [KV] Fig. tribucién normal de Ia probabilidad de ruptura a impulso de distancias en aire En esta funcién, obtenida experimentalmente, se asume un modelo normal definido por los pardmetros: Vay = valor medio de Ia oscilacién alrededor del SI~NO del método UP and DOWN Vp = Ven = 30 ta Vues = Va +o Vis = Van =o Vin = Ve +30 © = desviacién estindar de la muestra Con estos valores se configur: a recta en el lano normal para un sistema de electrodos determinado, A fin de facilitar la informacién disponible, los experimentos se afinaron para ¢l sistema burra - superficie , que sirve de referencia normalizada para las demas configuraciones mediante un sistema de factores de aproximacién.4. Modelo Barra ~ Superficie La respuesta de una distancia de aire en la configuracién barra — superficie, depende fuertemente de la forma de la sefal solicitante, es decir de su contenido de frecuencia. La Fig. 5 muestra las funciones de ruptura para diferentes solicitacion BREAKDOWN VOLTAGE (MV) GAP LENGTH (m) Fig. 5 : Caracteristicas de la tensién de ruptura de distancias barra — superficie En sistemas de ATM (<70 kV )y sistemas de AT (<245 kV ), el disefio de las distancias entre conductores y entre conductor a torre se rige por: Limite admisible de actividad corona + Respuesta a impulso de rayo ( 1,2 /50) En sistemas de EAT ( 245 -> 765 KV ), ei disefio de distancias en aire es por respuesta a impulso de maniobra de polaridad positiva. Este criterio se conoce como PSI (Positive Switching Impulse). La Tabla 2 resume los resultados de varios investigadores en relacién a la respuesta PSI de distancias en aire de electrodos barra — superficie para condi temperatura.Range of Vo (KV) dm) Reference 500 (a) 2=4=8 Paris (i) 3400/(1 + 8/d) ds 15 Gallet etal. (6) 450 [1 + 1.33 In (d ~ Ind) ds 10 Lemke {7} [15 x 10° + 32 x 10° dP ~ 390 d= 20 Waters [8] 1260r(1 — (efa)pP* tanh"VT= (7d) d= 20 Aleksandrov (9) 1400 + 554 13=ds_ Pigini etal, 30 {10} (11556 + SOd/C1 + 3.89/d) +78] d= 4 Rizk IN) 1080 In (0.46 d + 1) 4525 Kishizima et al ‘Tabla 2 : Formulas de ruptura de distancias barra — superficie para solicitacién PSI d = distancia [m] = radio de lz barra [m] Para otras configuraciones, se determina experimentalmente un factor de aproximacién K, . Entonces se calcula la tensién de ruptura V% segiin: Vy = Ky Vm La Tabla 3 muestra I configuraciones . valores de K, usualmente empleados en el disefio de varias En situaciones muy particulares y especialmente bajo condiciones de elevads humedad ambiental, algunos sistemas resultan mds ‘sensibles al impulso de maniobra negative, (NSI), No existe normalizacién a este respecto. Gap configur Gap factor (K) Rod-plane 1 Conductor-plane 1.12 ~ 1.25 (depends on d) Horizontal rod-rod above ground 135 ~ (@/H, ~ 05) 1H, = Height of rods above ground Vertical rod-rod H 1+ 06505 ‘Conductor-rod (1.1 to 115) exp (0.7 H/(H/H + a) Parallel conductors 1.6 — 1.75 (depends on d) Conductor-rope 14 Conductor-cross arm 1.45 (typical value) Conductor windows 1.25 (typical value) Tabla 3: Factores K, para diversas configuraciones H=longitud dela barra d= distancia de aiInfluencia de te forma de onda Se debe considerar ademas Ia influencia de la forma de la onda PSI, ya que Ia tensién de ruptura depende de la velocidad de inyecciém de carga al medio dieléctrico. Frentes mas rapidos favorecen el establecimiento de carga espacial alrededor de la barra, que apantallan el campo original y clevan la tensién de ruptura. En algunas distancias, existe un tiempo de frente critica, es decir de minima tensién de ruptura, que debe ser considerado en los disefios. La Figura 6 muestra resultados experimentales de la tensién de ruptura en funcién del tiempo de frente de le soticitacién PSL. BREAKDOWN VOLTAGE (MV) 20 200600800 RISE TIME (ys) Fig. 6 : Influencia del frente del impulso en la tensin de ruptura del modelo barra ~ superficie La peor condicién , es decir el tiempo de frente critico, se puede determinar por a j Tere 180-38 a T= ds sd | ee Siendo K el factor de aproximacién de ta configuracién bajo estudio, Las condiciones aarbientales influyen por la densidad relativa del aire y por el contenido de humedad [gr / m’], Se definen entonces dos factores de correccién, ky (5) y ke (Il). Entonces: = | Veouere = Vnormat * ky (5) ke (H)8) = 6) ke (A) = (" Los exponentes_m y w se determinan de acuerdo a Ia Fig. 7, a Ia cual se ingresa con el pardmetro g , definido por: B= Vu 1 S00-d- KS siendo k un pariimetro mixto que depende de Ia densidad relativa del aire y de su humedad absoluta: k= T+ AUH/8 - 1] En esta iltima relacién: A = 0,010 para solicitacién de impulso = 0,012 para solicicacién alterna = 0,014 para solicitacién continua Fig. 7: Factores m y w (IEC 60-1)5. Fenémenos asociados al efecto corona Pérdidas de potencia por efecto corona Estas pérdidas son importantes en sistemas de transmisién de EAT, y se magnifican bajo condiciones de Huvia. La siguiente relacién permite evaluar los [kW] de pérdidas por {km| de linea trifisiea: Py [kW / km) = Prw | (ViL/V3)-S-7-n (4 +10R) [> ECE) Donde: = (242/5) =] £4 25]-V (r/D) “(Ven ~ Vie = 10° [kW / km} tension nominal del sistema Jk¥i} constante —> 7,04- 107" , para V = 400 [kV] $,35-10°™ para V = 500 KV] y 700 [kV] radio del subconductor fem] ‘nimero de subconductores f= frecuencia [tz] Ruido audible Las normas internacionales fijan el limite de ruido audible en 52 [dB], para lineas de alta fensién operando bajo luvia, referidos a un nivel de presion de sonido de 20 |: Pal. En etapa de disefio, se puede evaluar Ia expectativa de Ruido Audible (RA ) en |B} por: RA = 20 log n + 44 fog Dy - 665/E + Ky - 10 log Dim - 0,02 Dim + Ax + By [22,9(n-1)D./D] Donde: siimero de subconductores ddidmetro de cada subconductor [em] tametro de enda fase [em] gradiente maximo [kV / em] Dim ~ distancia desde el conductor al punto de medieién [m| nosz 1S (n=1) , = 26 (n=2), = 0 (a2 3) 752 (n= Ly n=2), = 679 (n> 3) 0 (m=ly m=2), = 1 (9239pRadio — interferencia (RI, EMI) Los pulsos corona se pueden modelar como una sefial doble-exponencial en corriente: T() = Jy fexp (t/t) -exp(t/t2)} Donde: (uy) = 30 [ns] (ay 6 Ins} (a) = 180 [ns] (uy = 45 [ns] (lo) = 60 {mA} (lp) = 27 may Estos pulsos se propagan en ambas direcciones de la linea, con una intensidad espectrat: Sim = Jie Y un rango defreeuencias 0,15 < Aw < 30 [MHz]. Elefecto de RI depende de Ia funci6n de longitud de onda asociada a la intensidad espectral, 2 (W)- Para el rango indicado, 2 estd en el arden de decenas de km, y se establece un modo de propagacién electromagnético del tipo guia de onda plana, de muy baja atenuacién. Entonces la interferencia queda definida por Ia sumatoria de todos los efectos de todas las descargas ocurrentes en varias decenas de kilémetros. Para frecuencias > 30 [MHz], 4 queda en el rango de los metros y la propagacién de Ia RI es mas bien por radiacién directa. Medicién del ruido de RI ‘Se desea medir el valor efectivo del ruido aleatorio estacionario RN, en una banda estrecha Aw. RN = {(12n)-S!(0)-Aw J Los detectores de RI pueden ser de “valor medio”, de “valor peak” o de valor “cuasi peak”. Estos iiltimos se adaptan mejor a la seasibilidad del oido humano, es decir recogen mejor Ia sensacién de molestia. Su modeto basico es: 4 Ry — 1 Fig. 8 : modelo bisico de un detector de RI def tipo cuasi-peak Ve & VansModelo CIGRE La CIGRE (Comisién internacional para grandes redes eléctricas), ha propuesto una formula que tiene buena aplicabilidad en la mayoria de las lineas de transmisin. El rango de parémetros que define el modelo es el siguiente: ‘Tensién nominal de Ja linea: 200 - 765 [kV] Gradiente méximo: 12 - 20 [Vem / em] Radio de conductor: 1 - 2,5 [em] Namero de subconductores por fase: 1-4 Espaciamiento de los subconductores: 10 — 20 veces el didmetro del conductor. La formula expresa los niveles de ruido més probables (NP), que se medirian con un detector CISPR (IEC) de frecuencia central 0,5 {MEz], 2 [m] del suelo y a una distancia lateral de 15 Jm} desde ef conductor externo de Ia linea, expresados en [dB] referidos a 1 [2V / m] . La formula se expresa en tres campos: NPL = 3,5 gm + 121 - 330g (Dy /20) - 30 NP; = 3,5 a2 + 12%: - 33 fog (Dz /20) - 30 NPs = 3,5 ges + 1215 - 33 log (D3/20) - 30 Donde: J méximo gradiente sobre et conductor de la fase “i” , [kVima / em] distancia de la faxe “7 al punto de medicion , [m] & D, El analisis del resultado de las f6rmul: es el siguiente: + Si uno de los campos es a Jo menos 3 [dB] mayor que los otros, entonces los campos menores se desprecian. + Siningin campo se destaca, el ruido probable se calcula por: NP = %{NP, +NP,} + 1,5 [4B] Donde NP, y NP, son los mayores valores obtenidos. + En lineas de doble circuito, se calcula para cada uno de los 6 conductores y luego se suman cuadraticamente los valores de las fases que se corresponden en tiempo. Posteriormente el anilisis es como para fas lineas simples. = Si se quiere conocer los valores de NP a una frecuencia F diferente de 0,5 [Mhz], se aplican las siguientes formulas de corrercién: Para lineas horizontales: NP = NP, - (23 log F + 12 log’ F + 5,8)Para lineas triangulares y circuitos dobles: NP = NPp - (18log F + 10 log" F + 43) = Sise desea conocer los valores de NP a una distancia lateral D diferente de los 15 [m] postulados en la formula, se aplica la siguiente correccién: NP = NPy- 20-Ky- log(D/Dp) 1,4 para fineas triangulares, verticales y doble circuito 1,631,9 pare lineas horizontates, dependiendo del nivel de voltaje. Radio y TV interferencia en media tension Los problemas de RI también afectan a sistemas eléctricos de media tensién, empleados en redes de distribucién de tnergia eléctrica. La principal causa de interferencia esta en las descargas de micro- gap, ya mencionadas en el capitulo anterior. También contribuyen los aistadores contaminados. Sus efectos suelen ser ms molestos que los originados en lineas de transmisién de AT 0 EAT, dado que los sistemas de distribucién estim inaersas en sectores urhanos e industriales con mayor densidad de poblacién, y alcanzan en muchos casos a provocar TV interferencia a cientos de metros de distancia,10. Dieléctricos liquidos Aplicaciones Los dieléctricos liquidos se emplean ampliamente en la técnica de alta tensién, como ser en transformadores, cables, interruptores, condensadores, bushings y contactores. Esta gran difusion se fundamenta en las propiedades de estos materiales: ‘Buen desempetio en estratificaciones sélido - liquido y liquide - gas Eficientes clementos de refrigeracion Excelente capacidad de impregnacién de masas aislantes Buena capacidad de extincién de arco Propiedades lubricantes Cardcter de dieléctrico auto-regenerativo, Tipos de liquidos dieléctricos ‘Los dieléctricos liquidos se dividen en dos grandes familia = Liquidos de origen orginico natural, derivados del petréleo. * Liquidos sintéticos, que a su vez pueden ser = de origen orgénico, como Ia silicona y el 4C1—etileno, = de origen inorganico, como el agua uftra-refinada y los gases criogénicos. cctricos liquidos, después del aire, constituyen el aislamiento mas empleado por la ingenieria de alta tensién. En general son clementos reciclables, eco- compatibles y de larga vida atil, por lo que constituyen un elemento de alta confiabilidad para el disefiador.Aceites minerales Composicion Se distingue dos grupos de aceites minerales: a) Aceites parafinicos: contienen mas de un 66% en volumen de cadenas orginicas lineales, come ser: CHy- (CHedy CM CH (Clade CH=CH, chs b) Aceites nafténicos: contienen mas de un 66% en volumen de cadenas orginicas ciclicas saturadas, por ejemplo: Hr ie HC me a WN AN th He Ambas bases pueden contener un orden de 30% del grupo menor y hasta un 10% de hidrocarburos aromaticos, esto es de estructuras no saturadas, como grupos bencénicos: bt m5 Ne se He AN h OR Composicién tipica: Parafinas 66% Naftenos 30% Aromiiticos 4%Caracteristicas fisicas medias: Densidad : 0,87 |gr/cm*| Permitividad 224] 37 [cS] 107 (25°C), 10° (85°C) hasta 100°C 145°C >200 [kV/em] Envejecimiento: El aceite se degrada por la accién del campo eléctrico elevado y por excesiva temperatura de trabajo. El contacto con cuerpos metalicos (cobre, fierro) actiia como catalizador. El envejecimiento def aceite se manifiesta como un proceso de oxidacién, producto del cual segrega materias dcidas, hidrocarburos de bajo peso molecular, agua y gases. Se distingue dos procesos de oxida a) Oxidacién por extremo de cadena, en que ef oxigeno conforma un radical OH, de fuerte momento dipolar, que provoca un aumento del factor de pérdidas: H H | | -C-H + %0. > -C-O-H | | H H b) Oxidacién por polimerizacién, en que el oxigeno actia como puente entre dos moléculas de aceite, con el consiguiente aumento de Ia viscosidad: » i -c-H | 4 4 4 + 0, +> -C-O-c- + 40 4 1 H 4 Oxidaci 2 -+ Contenido de cobre > Saturac 3 > Tensién interfacial 4 + Comenido de peréxidos 55 Acider 6 > Contenido de barros Los pardmetros eléctricos tan 5 y resistividad volumétricareNejan de manera bastante exacta el proceso de oxidacién sefalado aateriormente, y se emplean como criterios de anilisis y diagnéstico para este objetivo.Reacondicionamiento del aceite mineral El proceso de tratamiento de aceites degradados se ilustra en la siguiente figura: Fic,3 | Unidad de reacondicionamiento del aceite mineral El aceite se tempera @ un rango de 30 ~ 60 [°C] y se filtra antes de pasar a Ia etapa de desgasificaci6n por vacio (< 10 mbar ), en que el aceite es expuesto a grandes superficies para facilitar la extraccién de humedad y gases disueltos. En la etapa final del proceso, después de varias recirculaciones, se puede agregar los inhibidores de oxidacién, Los aceites reacondicionados tienen, en el mejor de los casos, una vida util del orden del 50 [%| en relacién al aceite nuevo.Innovaciones en la fase liquida Askareles Esta innovacién ( Du Pont, 1930 ) estuvo relacionada con el uso de transformadores en recintos con riesgo de incendio catastréfico (mineria subterranea, edificios de altura, transporte publico de traccién eléctrica, ete. }. Son liquidos sintéticos, resultado de mezclar bifenilos po! y se les conocié genéricamente como askareles. La experiencia mostré Ia toxicidad de estos productos tanto en la fase de fabricacién y manipulaciéa, como en su descompos efectos de pirdlisis. Actualmente, su fabricacién y comercializacién esté prohibida universalmente, quedando en operacién sélo unidades de dificil reemplazo, sujetas 2 eatastro offcial y permanente supervision para prevenir fugas. La necesidad de mantener la caracteristica de no-inflamabilidad, pero bajo compatibilidad total con usuarios y medio ambiente, llevé al desarrallo de dos lineas de productos de reemplazo: aceites de silicona y ésteres sintéticos. Siliconas La estructura molecular de mejor comportamiento para fines dieléctricos es la cadena lineal polidimetilsiloxano: Cy Hs | ie [ HsC~$i—,O—Si---O—Si-— Cy : CH cw], CH Las propiedades mas destacables de este fluido son: Elevada estabilidad térmica Baja actividad quimica Elevado punto de inflamacién Auto-extincién de encendido ‘Compatible con el medio ambienteLimitaciones de los liquidos de silicona son: rigidez dieléctrica disminuye considerablemente mineral Para distancias de arco elevadas, I Pro lades de transferencia térmica inferiores a las del ac Coeficiente de difatacién cabica elevado Residuos de polimerizacién bajo actividad de descargas parciales, Esteres sintéticos Son estructuras orgdnicas de gran estabilidad térmica, conformadas sobre la base de ester-carbaxitatos: ees Ry R,- COOH; C—C—CH,00C -R CH,00C—R; Penta ~eritritol — éster IR,» radicales con varios stomos de carbén Sus cuaiidades mas destacables son: © Compatibilidad biolégica, fisiolégica y ambiental Sus limitaciones: + Elevada viscosidad © Inestabilidad del factor de pérdidas por efectos de hidrélisis,Inhibidores de electrificacién por circulacién En aiios recientes se ha empleado especial atencién a fendmenos de descarga eléctrica al interior de transformadores, originados en la acumulacién de energia electrostatica por efecto de la circulacién del aceite. La siguiente figura ilustra el proceso de separacién de cargas en el sistema dieléctrico: Fiv30 Flpdioe © » © 3 Poo © 2 e°§ © & ge ° é ® © © F5,4 i Distribucin de iones en una estratificacién dieléctrica papel — aceite La circulacién del aceite a través de los ductos de refrigeracién y bombas, induce carga electrostitica dispersa en el volumen liquide. 1.2 celulosa ofrece radicales OH que resultan especialmente adecuados para la atraccién de iones negativos, formandose una pelicula de carga sobre la superficie sélida. Los iones positives del aceite se acumulan formando una pantalla con carga de signo puesto frente al papel, con lo cual se constituye un condensador capaz de acumular suficiente energia electrostatica para generar una descarga. EI proceso se cataliza con el envejecimiento y polimerizacién de la celulosa, la temperatura , la velocidad de circulacién y la turbulencia del flujo. Una forma de atenuar el fenémeno es disminuir la velocidad de circulacién y mejor: el proceso de bombeo para evitar turbulencias. Pero la solucién mas eficiente es el ‘empleo de imhibidores de ionizacién, como el alkyl-benceno y el benzotriazol (BTA), que operan como absorbedores de carg:Tabla comparativa de propiedades de tiquidos dieléctricos Propiedad Unidad | Aceite mineral | _Silicona Ester Permitividad (25°C) : 22-24 27 | 32 [Peso especifico (25°C) gem? | 0,84-0,88 09 | (0,98 Viscosidad cinética (25°C) mm/s 11-18 50 | 90 (100°C) 15-25 16 | 6 Punto de congelamiento *c -40 2-60 55 | “82 \Conductividad térmica (25°C) | W/mK 0,132 0,151 | 0,155 Calor especifico (40°C) Wek 193 us| 2 Coeficiente de expansion VK 8-107 10-10" | 8-10" [Punto de inflamacion °C 130 - 160 305, | 257 Punto de auto-encendido "c 330 430 438 [Calor de combustién ke 46 2 37 |Comportamiento al fuego Quema Auto extingue Quema NOTA: La transferencia de calor se efectiia principalmente por conveccién, El indice de conveccién N se expresa: N=f{K-A-C/v}" conductividad térmica soeficiente de expansién Calor especifico ‘Se observa que N es fundamentalmente dependiente de K, ¢ inversamente dependiente de v. Como Ay C no varian con la temperatura, los factores regulantes de la transferencia de calor son K y v. Deseable es un valor elevado de Ky un valor dew decreciente con Ia temperatura.Requerimientos limites del aceite mineral (ASTM D 3487) * Propiedad Norma | Limite para Aceite tipo! | Limite para aceite tipo IT Punto anifina [°C] DYsT 3-84 G-& Color, maximo grado | D 1500 05 os to, Iuflamacién [°C| [0 92 145 min 145 ein T. Interfacial {dina/em] | 0 971 40 min 40min e- Couseaniens | [B97 =40 = 40 Peso espec. 15°C [p/em"| |D-1298 ‘O91 max O91 max Viscosidad, 100°C JeS} {D445 - D&S 3,0 max TC 3,0 max Viscosidad, 40°C [eS] | 1d 12,0 mix 12,0 max Viscosidad, 0°C [eS|_|1d 76.0 max Rigidez Diel. 25°C, [kV] |D 877 30 min Rigidez Diel, Elect. VDE, 1,02 mm, [kV] Disi6 2,03 mm. {kV} Rigidez Diel. Impulso Aguja ()/esfera a tierra | D.3300 45 min j= 2544 mm , 25°C Tan 3, 50Mz, 25°C [D924 5-107 max 100°C 30-10 max Humedad [ppm], 1533 35 max Estabilidad oxidacion | D240 0,2 % lodos ficidos en 72 bs. Acidez total {mg KOH /g]| D 974 (0.03 max, 03 max Inhibidores Ox [% masa] [D 1473, (*) Accites Tipo I : estabilidad a oxidacién normal Aceites Tipo II: estabilidad a oxidacién elevadaANEXOS Normas de ensayo de materiales dieléctricos, ASTM Aceites derivados de petréteo (ASTM D 117) — Propiedad ‘Norma Significado ‘Punto anilina D6iL Minima temperatura para la cual iguales volimeaes de anilina |y aceite som miseibles ‘Coeficiente expansién| D 1903 | Valor requerido para diseio de tanques y sistema refrigerante_| | térmica ‘Color y examen visual | 1500 | Aumento def indice de color es indicador de deterioro, el ‘examen visual ratifica la ausencia de contaminantes fisicos Punto de inflamacion | 92 | Temperatura a Ia cual el aceite genera suficiente vapor para formar con el aire una mezcia iaflamable. "Tension interfacial D971 | Un valor elevado indica ausencia de contaninantes polares 2285 | Punto congdamiento | D97 _ | Minima temperatura a la cual dl aceite fuye Peso especifico D247 | Tafiuye en ia transferencia de calor Viseosidad Bae |Kafluye en Ia transferencia de calor y diseho del sistemal refrigerante D36i2 | La tendencia de absoreion de gases por el aceite es indieador del estado general del aislamiento D877 |Indiea Ia capacidad de resistir solicitaciones de tension de D 1816 | frecuencis industrial, criterio de disefio y mantenimiento. 3300 Factor de pérdidas D924 ‘Un elevado valor de la tan S indica alto grado de; contaminacién soluble Resistividad D116) | Un elevado valor de la resistividad indies bajo contenido de| j iones libres ‘eldez D134 |Un valor clevado indies oxidacion y pérdida de propiedades fisicas. Humedad D 1533 [Se requiere bajo contenido de humedad para sostener Tas cualidades fisicas y quimicas del sistema aislanteTeoria de la conduccién dieléctrica en liquidos Liquidos polares y no-polares ‘Los liquidos dieléctricos pueden ser polares y no-polares. Los primeros mantienen permanentemente dipolos por asimetrias de su estructura molecular. Ejemplo: H,0 , (c, = 80). Los segundos sélo polarizan bajo Ia influencia del camapo eléctrico, que introduce en su estructura cambios cristalinos ‘transitorios. La mayoria de los liquidos tiene cardcter no-polar. Curva de corriente Alsolicitar un medio dieléctrico tiquido por campo eléctrico, se obtiene una curva de comportamiento como se ilustra en la Fig. i “ current 10) & current density hectic etd strength del campo solicitante para dieléctricos liquidus Se puede distinguir 4 regiones caracteristicas: Corresponde a solicitacién débil: E< 20 [kV/cm] La causa bésica de la conduccin ¢s In disociacién de impurezas iénicas y Ia existencia de particulas solidas en suspensiOn que arrastran carga eléctrica. Regién 1 Corresponde a solicitacién intermedia : 20 100 [kV/cm]Regién IV Corresponde a la solicitacién limite para la ruptura dieléctrica. El proceso general se puede esquematizar como sigue: a) Tonizacién de moléculas neutras por procesos electrostiiticos, (regién I). 1b) Proceso electroquimico en la superficie de los electrodos, que origina los sistemas de doble estrato, (region I). ©) Impurezas s6lidas no conductoras son arrastradas hacia los electrodos, en un proceso que absorbe energia, provocando el decaimiento de la corriente de conduccién, (regién [1). d) Emisién electronica en el citodo y de jones positives en el Anodo que provocan turbulencias, (regién IM), evaluadas por ef parimetro movilidad electrohidrodindmica: ena = Veo" fp donde: p = densidad det iquido Estas turbulencias aumentan hasta en 100 veces la movilidad normal existente en el liquido. ©) Generacién de burbujas en el liquide que origina descargas parciales pulsatorias, en el rango de los [pC], (regién 111). 1) Establecimiento de corrientes oscilatorias, fuertemente dependientes de la viscosidad, (regién Wy). Teorlas de ruptura dieléctrica en liquidos. Teoria de avalanchas electrénicas Es similar a In teoria de descarga en gases. Actualmente es poco aceptada, ya que los caminos amedios medidos en diferentes dieléctricos, son < 10% [cm], distancia muy insuficiente para generar energias ionizantes ( > 10 eV). De esta teoria no existe evidencia experimental clara. Teoria de puentes conductores Esta teoria es bastante aceptada para explicar el proceso de conduccién en liquidos contaminados. Se desglosa en las siguientes etapas: a) Existencia de particulas contaminantes de clevada permitividad ( portadores de humedad 0 metiticas)b) Actuacion de una fuerza de alineamiento que depende fuertemente del tamafio de Ia particula y de su permitivid F = %e { (ep - &1)/ (26; +62) } grad E* ¢) Si las fibras son polarizables, como el caso de la celulosa, la carga absorbida es: tq = 1 @- ec) eK Y si 2 >> 1, la fuerza de alineamiento se expresa por: F= P+ ey -grdE Teorta de cavitacién Segn esta teoria, los pasos que sigue el proceso de descarga son: a) La fuerza electrostitica comprime las superficie de las particulas contaminantes, desplazando de ellas el liquido ( presién Py) b) Esta presion es opuesta a la presin hidrostitica (Py) y tensién superficial (P,.). ©) Se generan zonas de presién nula, o vacuolas, en las que se generan avalanchas electrénicas que zolpean las paredes de In vacuola, haciéndola crecer hasta su explosin. 4) Elencadenamiento de este proceso provoca la ruptura dieléctrica del medio. Teoria de burbujas ‘Se asume un grado de humedad contenida en el dieléctrico. Se sigue luego el proceso: a) La corriente circulante produce burbujas de vapor. El calor requerido es: H = G(T -T VFL Donde: Cy = calor especifico Ty, = temperatura de ta burbuja T, = temperatura del ambiente L = calor latente de vaporizacién b) En el rango de pre-ruptura, Ia corriente emitida desde el céitodo se ve limitada por Ia carga ‘espacial que lo cireunda, y se expresa por: I=a-vt Donde: A es una constante experimental y x un exponente que varia en el rango 1,8 11. Dielectricos sélidos Propiedades dieléctricas generales Se considera aislantes eléctricos aquellos materiales cuya resistividad volumétrica esté en el rango superior a 10" [Q-em]: Aislantes Conductores Resistores Agua Dieléctricos Metilicos sélidos liquidos Gases L L L _t L 108 1 10° 10” 10 p[2-cm) Fig. 1 ; Rangos de resistividad de los materiales La siguientes son las caracteristicas que enmarcan el comportamiento dieléctrico de los materiales sélidos a) Las descargas de ruptura transversu! comprometen la vida de los dieléctricos sélidos. Son materiales ao-regenerativos para este tipo de falla. b) La tension de iniciaciOn de descargas localizadas es varias veces menor que la tensién de ruptura. Esta dltima, rara vez se alcanza en servicio, por la que el envejecimiento progresivo de Ia aislacién esté gobernado fundamentalmente por la actividad de descargas parciales, ©) La temperatura €s un parimetro fundamental en el comportamiento de los sélidos, dada su débil capacidad refrigerante. Para cada material sétido existe una temperatura de operacién recomendatia (clase (érmica). 4) En general las aislaciones sélidas actian en combinacién con aislantes liquidos (transformadores, condensadores, cables) 0 con aislantes gaseosos (lineas, motores), por To que entran en consideraciéa fenémenos de ruptura longitudinal en las fronteras dickéctrieas. €) Muchos aistantes sélidos, en especial Jos de origen organico, se ven sometidos a cambios ‘quimicos durante su vida atil, lo que condiciona su duracion. 1) Los parimetros dieléctricos fundamentales (permitividad, conductividad, factor de pérdidas) varian con Io frecuencia de la solicitacién (Fig. 2). Por lo tanto no es lo mismo et comportamiento en corriente continua que a frecuencia frecuencia, Ademés, ¢ y tan 5, dependen fuertemente del nivel de Ia soli resin mecinica y de la temperatura.La permitividad relativa de los dieléctricos sélidos naturales de uso prictico esté en el rango de 2....8, en tanto los materiales sintéticos especiales pueden presentar valores de permitividad may superiores (100 ...1000). La rigidec dieléctrica de Yos materiales més comunmente utilizados esté en el rango superior a los 200 [kV/cm], en condiciones de pureza y ambiente normaies. Muchas de las aplicaciones de los aislantes sélidos quedan aco(adas por Ia temperatura de trabajo, por lo que resulta pertinente una clasificacién térmica de los materiales dieléctricos. Se debe considera que los materiales dieléctricos sélidos tienen, en general, una muy baj conductividad térmica, por lo que el correcto disefio de aislamientos es muy sensible espesor del material y a la eficiencia del medio refrigerante empleado. Clasificacién térmica de los dieléctricos sélidos, segin IEC 85. Clase ¥ (hasta 90°C) Papel sin impregnar. Algodén. Seda. Formaldehidos. Goma natural, Termoplisticos. Clase A (hasta 105°C) Papel impreganado en aceite mineral. Papel laminado en resinas fendlicas (Prespan). Fibras de celulosa impregnadas en resina. Madera impreganada. Barnices de base organica (derivados de petréleo). Laca natural, Clase E (hasta 120°C) Fenol. Melamina. Poliuretano. Resinas epéxicas. Asfalto. Clase B ( hasta 130°C) Cintas flexibles en base de materiales de clase superior, como Mica, Vidrio, Asbesto, aglomerados en resinas organicas. Clase F (hasta 155°C) Como clase B, pero impreganados en resina epéxica. Clase H ( hasta 180°C ) ‘Como clase B, pero impregnados en resina de silicona o similar. Clase C (sobre 180°C) Mica. Asbesto. Cerdmica. Vidrio. Solos o impregnados en resinas de silicona 0 similares.Formas de polarizacion en dieléctricos sélidos Polarizacién electronica, P., ‘Son los aportes de los momentos dipolares miicleo — electrén, separados por una distancia d = bp = a,°E G, = polarizabilidad electronica, valor constante con la frecuencia, hasta el espectro ultra (<400 fam} ,f > 10 [Hz] ) Polarizacién atémica (iénica), P, Gcurre en moléculas complejas formadas por stomos de diferente estructura, donde los &° se distribuyen en mallas asimétricas, He =a, ° E donde: = polarizabilidad at6mica, valor constante con la frecuencia, hasta el espectro infrarojo (A> 700 [nm], < 10" {Elz} ) Nota: ea materiales no polares, Gy >> a, (> 10:1) Polarizacién de orientacién o dipolar , Pg Los centroides de carga (+) y ¢) quedan atrapados en Ia estructura cristalina de los materiales, configurando dipolos permanentes que se orientan en Ia direccién del vector de campo solicitante. Tiempos de respuesta de la polarizacién Para una solicitacién uni activan muy répidamente. jreceional instantdnea, las polarizaciénes iénica y electrénica se Para una solicitacién unidireccional sostenida, (escalén), se logra 1a polarizacién de orientacién después de “s,” {5}, tlamado tiempo de relajacién. E\ valor reciproco de 1, es la frecuencia de relajacién, Wo :un material bajo solicitacién Para solicitacién alterna, la polarizacién de orientacin desaparece a frecuencias elevadas, Jo que conlleva valores de permitividad muy bajos. Ex ta cercania de w, prevalece Ia polarizacién de orientacién, lo que eleva la permitividad y el factor de pérdidas del material (fig. 3).Mecanismos de pérdidas dieléctricas En dieléctricos sdtidos, las pérdidas no sélo dependen de ta polarizacién, sino de fenémenos de ionizacién en vacuolas e impurezas. Las pérdidas aumentan con la solicitacién E y con Ia temperatura 7, aparte de la ya mencionada dependencia de la frecuencia. En sintesis, Ia tand de los materiales sélidos es una funcién de la estructura molecular del material, de su homogeneidad y de su pureza, parametrizados por el campo solitante y Ia temperatura. El modelo bésico de la tand visto anteriormente, recoge en buena medida los modos de Polarizacién, pero debe complementarse con una malta de descargas parciales. A manera de ejemplo, resumiremos a continuacién los mecanismos mis tipificados en algunas materiales de uso frecuente. Polimeros En estado de alte pureza, el mecanismo fundamental de pérdidas es por el roce inter- molecular que genera la orientacién dipolar a la frecuencia de la solicitacién. En estado de contaminacién, el mecanismo es mayoritariamente de conduccién iénica . La Fig. 4 muestra la variacién con la temperatura de la permitividad y el factor de pérdidas para el Poli-etileno reticulado (XLPE), y el Etileno propileno (EPR), materiales ampliamente empleados en aislamiento de cables de alta tensién. & — 27 ae = vf ay | att i ; Ag ad a ee eee ere o 3% 80 70 90 nO BO WO 170 Temperature (C) 0% 8070 8 nO eS Temperature (€) Fig. 4 : Espectro de temperaturs para ¢, y tand en el XLPE y EPRLa disminucién de c, af aumentar Ia temperatura de operacién se explica por una relajacién de Ie actividad de polarizacién interfacial. Se observa que la presencia del particulado de carga permite recuperar este efecto en el caso del XLPE. Los puntos de inflexién que se observan a los 110°C se explican por el comienzo de la fusién del material. La tand del XLPE sin carga, a frecuencia industrial, muestra un claro punto de relajacién a los 120 °C, producto del cambio cristalino por fusién, que atentia Ia ionizacién intermolecular (P,). La absorcién de humedad en estos materiales provoca un aumento de ¢, por polarizacién interfacial (sélido — agua) asi como un crecimiento de la ten5 por un aumento de la conductividad a través de las impurezas del agua. Cerémicas y vidrios Bisicamente, estos materiales presentan un mecanismo de pérdidas por conduccién iénica y electronica, Las cerimicas son fases reanidas por procesos de termo-sinterizacién. Si se introducen ‘cargas, las impurezas de éstas elevan considerablemente las pérdidas por ionizacién, Los vidrios lamados al Boro-silicato son combinaciones de bxidos (SiO; - B:03 - P:0s) , en estructuras abiertas, que permiten abundante migracién idnica, Si se introduce una fase alcalina (NaO), se denominan vidrios alcalinos , donde predoy conduccién electronica. Mecanismos de ruptura dieléctrica en sélidos Desde el punto de vista de Ia estructura molecular, los sélidos pueden ser Cristalinos: poseen estructuras cristalinas regulares = Amorfos: carecen de regularidad Al aplicar campo eléctrico a un elemento sélido, se generan los siguientes mecanismos de conduecién, originando calor de disipacién: Desplazamiento de portadores Inyeccién de carga eléctrica desde electrodos Avalanchas intermedias ‘Acumulacién de carga espacial La conduccién puede conducir a una ruptura no regenerativa, dependiendo del tiempo de aplicacin de la solicitacién eléctrica, segiin alguno de los siguientes mecanismos: * Avalanchas electrénicas * Ruptura térmica = Ruptura electromecénica (erosién por electro- estriccién).La fig. 5 esquematiza esta secuencia de mecanismos, segiin la duracién de la solicitaci et, | ist | 3) (ee Fl g nt 3 ee 3 | 6 0 0 ‘Time (seconds) Fig. 5: Variacin de la rigidez dieléctriea segiin la duracién de la solicitacion Ruptura intrinseca En materiales puros y homogéneos, bajo solicitacién de campo ultra-rapida, la aceleracién electrénica provoca deformacién de Ia estructura cristalina y da origen al mecanismo Mamado de ruptura intrinseca, que se esquematiza como sigue: + Las bandas de valencia y de conduccién estiin inicialmente separadas por un fuerte escalén energético, Las inoperfecciones ¢ impurezas atrapan electrones La agitacién térmica impulsa electrones a Ia banda de conduccién, donde son acelerados bajo la accién del campo. * Cuando Ia energia de los electrones supera las pérdidas de roce, se produce la avalancha de ruptura, Ruptura termo-electrinica En s6lidos amorfos, la cantidad de electrones atrapados en los pozos de las asimetrias es mayor que en el caso de los materiales cristalinos, y gana energia cinética desde el campo eléetrico hasta adquirir una temperatura mayor que la de Ia red , siendo finalmente transferidos a las bandas de conduccién.Ruptura de avalancha Este mecanismo es similar a los descritos por Ia teoria de Townsend para gases dieléctricos, en que basicamente los electrones son acelerados hasta obtener energia cinética de ionizacién por choques inctisticos. Se ha demostrado experimentalmente que se requiere alrededor de 40 pasos de multiplicacin para una avalancha sostenida, de donde se puede definir la ionizacién critica a @_= 40 / d [colisiones / cm] Siendo d = espesor del material En general, @ es una funcién del campo solicitante, pudiendo postularse una funcionalidad del tipo: ae Ate Siendo A y B constantes experimentales. La ionizacién diferencial se ve disminuida por la energia de barrera, ® , que opera por los electrones que escapan del cdtodo. Entonces, la magnitud del frente de avalancha se puede expresar por: J = hy BP-exp {ard - hz-(@/ E)} Finalmente, para la condicién de avalancha, se requiere: ard = hy (O/ de donde se puede calcular la magnitud de la solicitacién requerida para Ia avalancha: Ep ©” lad La principal conclusi6n de esta teoria es que Ep ~ 1/d., esto es que la rigides dieléctrica de un sélido es inversamente proporcional a su espesor. Experimentalmente, esto se cumple con buena precisién par solicitaciones muy rpidas.Ruptura térmica La fig. 6 muestra un modelo general para el andlisis de la transmisin de calor en un volumen sélido: Direceién det Calor Flujo de calor Fig. 6: Flajos térmicos en un volumen unitario Elcalor de ingreso a la superficieles: Bg = k-A-dT/dx El calor egresado desde Ia superficie 2 @ y= keAsdT/dx + b+ A+ dldx JaT/dx] - Ax Siendo & la conductividad térmica del material. Entonces el flujo neto de ealor que aporta el sélido por unidad de volumen es : @ fem? = k-d/dx [dT/dx| = div(k- grad T) e En una condici6n de equifibrio electro-térmico, se cumple: Calor generado = calor absorbido + calor difundido Y por unidad de volumen: re (QT /dt) + div(A-gradT) siendo C, el coeficiente de absorcién térmica volumétricaLa predominancia de los términos de absorcién o difusin depende de la velocidad de la solicitacién, lo que permite distinguir entre los modelos a impulso y a condicién estacionaria. 4) Ruptura térmica a impulso Para un flujo térmico muy rapido, se puede despreciar el calor de difusién, entonces: YEE = GC, +(aT/d) = C, - (ATE): (AEA) Y si modetamos la solicitacién por una funcién rampa: E(t) = (Ep/tp) -t Y siendo : 1 = wrexptwi/k-T} Con k = constante de Boltzman Yo = conductividad at" ambiente ‘energia de barrera fe % Entonees: J (60 1B)“ (7/G, ) Ea = fo exptw/k-T}-dT n Resulta finalmente: Es = (3 k= Tp" )/ Yor ws to] > exp {w/2kTs Esto es que el producto (Ep ty) es constante: cuanto mds répida la rampa de solicitacién, tanto mayor solicitacién se requiere para la ruptura. b) Ruptura térmica estacionaria $- Vora Fig. 7: modelo para solicitacién térmica estacionariaConsideremos ua médulo de andilisis centrado entre grandes electrodos, que operan como extractores del calor absorbido por el sélido. Entoces el término de absorcién es despreciable re div (4- grad T) y siendo: YE=J, B= 6Vidx S-dV/dx = k -d/dx(AT/ax ) ve £ J3-av = &-J didx (dT /dx) dx Se puede considerar tres casos: Dieléctrico grueso: La maxima temperatura se ubica en el centro del médulo, entonees para la con VeVp/2 , T=T=To Y resulta: wv? oe = Sk ly) aT Vp = V8S(ksy) aT Se concluye que Ia tensién de ruptura térmica para espesores mayores no depende de Ia ‘geometria involucrada, pero si fuertemente de la temperatura de operacién. Se sabe que a mayor temperatura, tanto menor es la vida util de fos dieléctricos sélidos. La Ley de Arrehnius sefiala que por cada 10 °C de sobretemperatura en relacién a la clase térmica del material, a vida util del sistema dieléctrico se disminuye a Ia mitad, Una manera de compensar esto es disminuyendo Ia conductividad eléctrica y 0 aumentando Ia conductividad térmica £. Dieléctrico fino Como modelo de anilisis consideremos un canal fino de alta concentracién térmica que irradia su calor en forma radial al volumen dieléetrico, como se muestra en la fig. 8, donde: = radio de) canal emisor d= altura del canal = separacién de electrodos Se asume que el radio del canal crece proporcionalmente con Ia distancia entre electodos.Fig. 8: Modelo de andlisis con evacuacién radial de calor La potencia térmica generada en el canal es: Po= Vey- arid = V-(n-P/d): yore?” Donde y = yo- €°™ = conductividad de! medio aislante Et calor radiado por las paredes del canal es proporcional a la superficie de éste y a la Aifererencia de temperatura entre el canal y el ambiente: Pe = 2ar-d-k-O conductividad térmica del material diferencia de temperatura Donde k ° ? 2 2 (4 fas (ds) Fig, 9 : Funciones de potencia térmica generada y radiadaDe la Fig. 9 se observa que para una tensién dada V2 y una determinada conductividad térmica k; (factor de refrigeraciin), se establece un proceso de calentamiento estable a la temperatura 0, . Sila tensién aumenta a un valor V; , y la refrigeracién empeora a una conductividad k, , el proceso de calentamiento se hace incontrolado. En un caso particular de V;_y ky se establece un equilibrio critico ala temperatura Qc. En este caso se cumple simultineamente: Py = Pe OPs 100 = OPx/ 90 @Ps 10 = B-Ps OPR/ 90 =PR! Gc Resulta: Oe = 1/8 Siendo £ el coeficiente de variaciSba térmica de la conductividad. Entonees se puede caleular la tensién Kiazite con que se puede solicitar el material bajo equilibrio térmico: Vo = A V2K I rreryy-B Y bajo la hipétesis que ef radio del canal es proporcional a la distancia entre electrodos, se concluye que: Vo = Va 2k Fe-m-B Esta relacién indica que Ia fensiéa de ruptura térmica, es decir la tensién critica que conduce a un calentamiento inestable, aumenta proporcionalmente con Ia raiz euadrada del espesor del material, Esta ley se cumple con buena aproximacién en espesores del orden de los mm y bajo solicitacion cussi-homogénes, Dieléctrico extra - fino En dieléctricos muy delgados, Ia distribucién de los puntos de concentracién térmica es aleatoria, segin las inhomogeneidades, configurindose los denominados filamentes de conduccién, Este mecanismo de ruptura es por ello tamado filamentario, y se puede demostrar que el radio det canal o filamento es proporcional a la raiz cuadrada del tiempo de ruptura,conocido como electro-estriccién. La presidn eléctrica se expresa por: F/A = UASE-+dq = [(V/d)-e9*e,*(1d)dv = %-ege,-V/d? = %-e9° 6," EP La presién mecanica que se obtiene al comprimir un especimen de espesor original dy es: P = Y-In(d/d) Siendo y a médulo de Young del material espesor final La inestabilidad ocurre cuando dy /d ~ 0,6 Entances: Ep = Vide = 06 VY /eq-e Este modelo no considera la deformacién plistica, por lo que no es exactamente real. Una teoria reciente conocida como “cracking filamentario” postula un modelo mejorado que considera Ia tenacidad plistica del material. Se basa en Ia evidencia de grietas 0 filamentos en forma de pequeiios canales cilindricos que acompafian este tipo de ruptura. Entonces: Ep = (16G+¥/ (69-69 ry 3 ‘Se observa que Ep « Y* Donde G [J/m?| — tenacidad plastica ry > radio del filamento ParaelXLPE: — r, <10 [um] G > 6500 [J/m?} Y = 3-10" [Pal La Fig. 10 muestra resultados experimentales para este material,5 * 106 Breakdown voltage) 5 T & % 7 Th 76 78 80 82 L0G Young's Modulus /(Pa) Fig. 10 : Ruptura del XLPE por electro-estricci6n42. MATERIALES DIELECTRICOS 1. Clasificacién Térmica de los materiales sélidos En general se acepta como materiales aislantes, aquellos cuya resistividad volumétrica esta en el rango superior a 10° [Q cm]. La siguiente figura nos muestra un panorama de los materiales electrotécnicos desde este punto de vista. MATERIALES AISLAMTES 3 8 a » z x s g 8 T am T T - 105 1 108 1% -§ Laem) Fig. 2.1; Resistividad de los materlales Flectrotéenicas ico esta en el rango de 2...6, idad relativa de los aistantes de uso pric fen excepciones como el agua (¢, = 80). La permit aunque La rigider dieléctrica de los aislantes mas empleados queda a lo menos en el rango superior a los 200 [kV/cm], en condiciones de pureza y ambiente normales, Muchas de las aplicaciones de los materiales aistantes sdlidos quedan definidos por ja temperatura de trabajo, por lo que resu..a de interés Ja siguiente clasificacién de Jos materiales, normalizada segan IEC-85 : Clase ¥ (hasta 90°C) Papel impregnar. Algodén, Seda, Formaldehidos. Goma natural. Termoplisticos, Clase A (hasta 105°C) Papel impregnado en aceite mineral, Pape! laminado en resinas fendlicas, (Prespan), Fibras de celulosa impregnadas en resina, Madera impregnada. Barnices de base orgdnica (derivados de petréleo). Laca natural,Clase E (hasta 120°C) Fenol. Melamina, Poliuretano. Resinas epéxicas. Papel baquelizado. Asfalto. Clase B (hasta 130°C) Cintas flexibles en base de materiales de clase superior, como Mica, Vidrio, Asbesto, Aglomerado en resinas orginicas. Clase F (hasta 155°C) Como en clase B, pero impregnado en resina epéxica. Clase H (hasta 180°C) Como en clase B, pero impregnada en resina de silicona u otra similar. Clase C (sobre 180°C) Asbesto. Cerimica. Vidrio. Solos o impregnados en resinas de silicona, nen en general una muy Se debe considerar que los materiales aislantes sélidos jaciones es muy sensible al baja conductividad térmica, por lo que el disefio de espesor y al medio refrigerante empleado. Asi por ejemplo, las bobinas de maquinas rotatorias emplazadas en las ranuras, presentan una condi fcil refrigeracién natural. Es imposible evitar intersticios de aire entre el aislante y el fondo de ranura, y la conductividad térmica de los gases es extremadamente débil (del orden de 10 veces menor que un aislante sélido). RESUMEN : Los materiales aislantes sélidos som también buenos aislantes térmicos y sus aplicaciones quedan limitadas por la temperatura de trabajo ue pueden tolerar en forma sostenida PREGUNTAS : * ¢Es buen criterio de disefio sobredimensionar el espesor de aislaci6n ? + cEs buen criterio de disefio sobredimensionar Ia clases térmica de la aislacién en una aplicacion 2 © gPor qué es conveniente emplear materiales de clase térmica homogénea en el disefio de aislaciones ?2 Materiales Dieléctricos Inorganicos Se pueden clasificar en dos grandes grupos : * Materiales naturales : mica, asbesto, pétreos © Materiales derivados de productos naturales : vidrios-cerémicas iones diversas, Con estos materiales se puede fabricar cintas y placas para apli en general de clase térmica elevada (B o superior). 2.1 Mica La Mica es apreciada por Ia excelente estabilidad térmica de sus propiedades dieléctricas y por su estructura fisica foliable hasta décimas de micrén, conservado sus propiedades bajo ciertas condiciones. Esta caracteristica de foliacién hace que la mica y sus derivados sean resistentes en dos direcciones geométricas y débiles en Ia tercera dimensién paralela a los ejes de foliacién. Existen dos tipos de minerales de mica de interés eléctrico, amados : moscovita y flogopita. Las micas de mejor calidad se obtienen en India. La estructura fisica de la moscovita consiste en capas de tomos de oxigeno agrupados alrededor de u otros dtomos metilicos. Estas capas se aglomeran través de ditomos de potasio. La Fig. 2.2 muestra un modelo icada. La estabilidad térmica de la moscovita alcanza hasta los La flogopita es similar, pero los étomos de aluminio son reemplazados por magnesio, y su estabilidad térmica alcanza a los 800°C.Fig. 2.2: Modelo estructural de Ia Moscovita potasio silicio aluminio oxigeno Es Eeferas puntendas No se representaron los atomos de Hidrogeno:La estabilidad térmica se quiebra cuando por efecto del calor, la humedad presente ena estructura (grupos OH), se evapora, desintegrando el material. La moscovita presenta factor de pérdidas del orden de 10“ en un rango de frecuencia de MHZ, a temperatura ambiente. Sobre los 200°C, la tand crece ripidamente. Su permitividad esté en el rango 5,5 a7 y su rigidez dieléctrica para espesores de décimas de mm, esti en el orden de 10° [V/mm]. Desde el punto de vista dieléctrico, Ia caracteristica mas apreciada de la Mica es su resistencia a las descargas parciales, que es superior a la de cualquier otro material flexible. Se ha desarrollado Mica sintética, imitando el modelo natural, y eliminando los grupos OH para darle mayor estabilidad térmica. Su costo no puede competir con Ja Mica natural. Pliegos y Cintas de Mica : La Mica en su forma natural se puede conseguir en superficies pequefias (algunos centimetros), Ei modo usual de aplicacién es por una “re-foliacién” de las escamas, aglomeriindolas mediante resinas, para conformar pliegos de espesor variable entre 50 um a 0,25 mm. (flexibilidad, rigidez, dureza), y de sus tolerancias térmicas (resinas fendlicas, epéxicas 0 siliconas). EI proceso de des-foliacion es muy delicado, pues se debe conseguir una separacién natural de las escamas, sin dobleces que desfiguren su estructura. Para ello se sigue los siguientes pasos : 1. Calentamiento sobre 800°C para provocar la desintegracién por vaporizacién, 2. Temperar en agua. 3. Desfoliacién por medios mecanicos o hidréulicos 4, Tamizar por diversos calibres. Aplicaciones : Entre las aplicaciones mas notables de los productos de Mica, se pueden mencionar * Aislacién de segmentos de conmutadores. En este caso es deseable una a cantidad de aglomerante, ya que estos elementos reciben fuertes aciones de arco, que solo es resistido por la mica. (Micanita blanca,© Calefactores eléctricos de uso doméstico (tostadores, hervidores, planchas). Se combina con fibra de vidrio 0 resinas de silicona para * Soportes de mica vidriada, se aglomera polvo de mica con vidrio de boro- silicato, a temperaturas sobre 600°C. EI producto tiene propiedades ceramicas. * Aislacién principal de estatores de maquinas de alta tensién. La mica -ada en forma de cintas 0 mantos flexibles, y reforzada por resinas que curan térmicamente, sigue siendo Ia forma ideal de construccién de estas aislaciones, tanto por su capacidad térmica (B 5 F), como por sus Este tema se desarrollaré en mayor detalle en el punto 2.5 ‘© Condensadores de baja tensién y alta frecuencia. IRESUMEN: La Mica es una obra de ingenieria de la naturaleza, que ciones de alta tensién con gran resistencia a las descargas temperatura. j6n y re-foliacién de este material soluciona los problemas de aislacién por cintas o pliegos en maquinas de alta te PREGUNTAS : © {Cuil es la razén fisica de la propiedad de foliacién de la mica ? fabricacién de la cinta de mica. + Explique los pasos que se sigue en Explique tres cualidades de la mica que la califican como aislante indispensable en el disefio de maquinas rotatorias.2.2 Asbesto Los asbestos son minerales fibrosos con estructuras cristalinas anulares, consistentes en cadenas de silicatos y otros éxidos metilicos. El ejemplo mas comin es la Crysotila, cuya estructura global se representa por : Mge Sig 01 (OH)s- Otro ejemplo es ta Amosita cuya estructura global es R,(Si, Ad); Ox (OH):, donde R puede ser Ca, Na, Mn, Fe, Mg. Las fibras de Crysotila son muy adecuadas para formar tejidos, tienen hasta 2 [em] de largo y didmetro del orden de 20 [nm], ¢s decir una estructura cuyo largo es 1 millon de veces su didmetro. Los principales minerales de asbesto se encuentran en Sudafrica y Canada. Con la fibra refinads, se ejecutan toda suerte de tejidos y cuerdas. Para uso eléctricos es importante que sea purificada de todo rastro de fierro. La estabilidad térmica de la Crysotila se mantiene hasta los 300°C - 450°C, y Ia desintegracién opera por evaporacién de los radicales OH . La amosita es estable a temperaturas algo mayores. Las pérdidas dieléctricas son elevadas en estos materiales, y sus aplicaciones se limitan a bajas tensiones. Ademas son propensas a la absoreién de humedad. En trabajos de alta temperatura son irremplazables, sobre todo bajo actividad de arco eléctrico, Las aplicaciones mas notables de los asbestos son : revestimiento de barnos transformadores clase H calefactores domésticos (sellados) trajes de incendio soldadoras al arco 2.3 Vidrio El vidrio es una estructura amorfa, esto es un ordenamiento regular de planos atémicos que mantienen espaciamientos claramente definidos. Adolece de formas microcristalinas. Las componentes del vidrio sin embargo son éxidos con estructuras cristalinas Propias, que al combinarse en proporciones muy precisas generan la estructura amorfa, Los éxidos que cumplen las condiciones “vitrificables” son : * Oxido de silicio * Oxido de Boro ‘© Pentéxido de fosforo © Oxido de arsénico Oxido de Germanio‘También otros 6xidos pueden participar de la estructura amorfa, pero solo como acompaiiantes, ya que por si solos no cumplen con los requerimientos. Por ejemplo, el éxido de aluminio AZ Os, el 6xido de Bario, BaQ y otros. Estos agregades, conocidos como “impurezas” modifican las propiedades dieléctricas 0 quimicas del vidrio. La mayor parte de los vidrios de uso industrial se fabrican en base 2 Sitica (S, O;), Cuarzo. Una composicién tipica de “vidrio alealino” es la siguiente : SiO, > 75% N20 > 13% K0> 2% Cao > 10% EI llamdo vidrio al Boro-silicato, 0 vidrio libre de dlcali, tiene una composicion como sigue : S02 > 82% KO> 4% CO > 1% BO; > 13% Este vidrio mejora notablemente el comportamiento diekctrico, y se observa que por Ia climinacién del ion N,” y ia disminucién del ion C,” disminuye la conductividad y el factor de pérdidas. Ver figura 2.3. 0-08 Fay 0-08 04 oo2 ” Sas L_E————————— 1 IP ot I AO trequeny, He Fig. 2.3: Factor de pérdidas en el vidrio (1) Vidrio alealino (2) Vidrio boro-silicatoLos vidrios empleados en aisladores se someten a un proceso de temple para hacerlos mas resistentes mecénicamente. Para ello se les somete a un calentamiento de unos 700°C y se enfrian luego con corrientes de aire. De este modo el vidrio queda sometido a una traccién interna y s una compresién externa. ‘Los aisladores de vidrio tienen excelente resistencia al arco. Fibra de Vidrio Una de las aplicaciones mas importantes del vidrio ent la técnica de aislaciones, es su uso como fibra o “mat”. Para ello se emplea vidrio no alcalino, de aluminio- borosilicato, cuya composicién tipica es : (Vidrio E) SiO. > 56% AL,0;> 16% Ca0 > 16% B,0; > 10% MgO > 2% © bien vidrio no alcalino - aluminio, con composicién : (Vidrio S) Si0, > 65% Al20;> 25% MgO > 10% Las fibras tienen didmetros entre 4 y 10 [um}, y permitividad del orden de 5 a 6. La telas de fibra de vidrio son térmicamente estables a temperaturas superiores a los 300°C. Tratadas con resinas de clase adecuada son empleadas como primera aislacién en devanados de maquinas rotatorias de gran potencia, La calidad de la debe ser alta, para evitar las descargas en la porosidad propia de la RESUMEN : El vidrio es un material de estructura amorfa producto de un ldelicado equilibrio de éxidos especificos. Sus caracteristicas eléctricas se pueden controlar regulando el contenido de dlcalis y agregando boro- silicato. La fibra de vidrio es factible a partir de un alto contenido de 6 lidad térmica y resistenciaPREGUNTAS : + ¢Cudles ie materia prima fundamental del vidrio ? * Qué componentes mejoran y qué componentes empeoran la conductividad eléctrica del vidrio ? * Seale tres ventajas de los aisladores de vidrio. * Explique las cualidades de la fibra de vidrio que la hacen apta pai de alta corriente en alta tensién. aistaciones2.4 Ceramicas A diferencia del vidrio al que puede darse forma por soplado, moldeado 0 presién, las cerimicas se forman por un complejo proceso térmico y mecinico, A consecuencia de ello, su estructura es heterogénea, preseutando dos 0 mas fases sélidas, con densidad irregular, conteniendo vacuolas y con terminacién superficial permeable, Ello exige un proceso de vitrificacién para hacerlas aptas para el uso eléctrico. La cerdmica se forma de Ia mezcla y fusién de materias primas finamente molidas, a temperaturas del orden de 1400°C, durante unas 50 horas continuas. Esta condicin es preponderante desde ef punto de vista econémico, pues el costo de Ia cerimica esté directamente asociado a la energia requerida para su formacién. EI proceso de esmaltado requiere um nuevo calentamiento de las piezas, para fundir el esmalte pulverizado que se aplica a las superficies. El espesor del esmaltado modifica el comportamiento de Iz cerémica, en especial su resistencin al arco y su compatibilidad con ambientes contaminantes agresivos. Para uso eléctrico se maneja fundamentalmente dos modalidades : las cerdmicas duras, que se emplean en aisladores de lineas de alta tensién y bushings, y las esteatitas, con mejor resistenciz al arco eléctrico y aplicadas en aislacién de alta frecuencia, Para la cerémica dura, las materias primas son : Cuarzo (S, 02) Feldespato (Siticato de aluminio alcalino) Oxidos (Caolina o Silicato de aluminio) Para la esteatita, los éxidos son aportados por el talco 0 silicato de magnesio. El producto sintetizado contiene dos fases cristalinas: A¢, S,2 Ors y cristales de cuarzo no solubles, empotrados en una fase de vidrio que resulta del feldespato fu lo. Las propiedades mas sobresalientes de la porcelana son de indole mecinica, a saber : Resistencia a traccién : 300 ... 500 kg/cm? (dura) : 609 ... 1000 kg/em* (estestita) Resistencia a compresién : 4000 ... 5000 kg/em? (dura) 10.000 kg/cm’ (estestita) 1200 kg/cm” en traccién 6000 kg/cm? en compresién) Fierro de funEstas propiedades se mantienen en piezas de diferentes formas y volimenes, condicién que hace de la cerdmica uno de los elementos aislantes més usados en Ia Electrotecnia. La Figura 2.4 muestra la influencia de las componentes en las propiedades de la poreelana. FELDESPATO CUARZO ARCILLA Fig. 24: Propiedades de Ia Porcelana En valores medios, las propiedades eléctricas son las siguientes : 200 ... 450 [kV/em] 64.7 170 ... 250 + 10% (dura) 10... 30+ 10% (esteatita) Rigidez dieléctrica transversal Permitividad relativa (6,) Factor de pérdidas (tand) a 50 Hz y 20°C La resistividad volumétrica disminuye fuertemente para temperaturas sobre los 100°C, como se muestra en la figura (2.5). Esto implica un aumento sustan Ja tané, por lo que se recomienda la porcelana como aislante de clase efectiva B, aunque su tolerancia térmica esta en la clase C,[em] °c o 400 800 1000 Fig. 25: Variacion dela Resstividad cop la Temperature Existen cerdimicas especiales para aplicaciones particulares en Electrotecnia : Cerdmicas al Rutilo (éxido de Titanio) : por su alta permitividad (~ 100) y su baja tan (~10 - 10%) y su estabilidad en frecuencia, se les emplea en ta fabricacién de condensadores. de 1800°C, se jones de trabajo Ceramica de corundo (Af ; 03), cuya temperatura de fusion empfean en la fabricacién de bujias, que deben considerar com con elevada soli in térmica y eléctrica, RESUMEN: Las cerdmicas de uso eléctrico juegan un rof de gran importancia en {os sistemas de aislacién, por sus caracteristicas de buena tolerancia a esfuerzos térmicos, mecinicos y dieléctricos, Deben trabajar con una adecuada terminacién de superficie (esmaitado) para superar su deficiencia de porosidad y débil tolerancia al arco, PREGUNTAS : Indique algunas diferencias entre vidrios y cerimicas, * {Qué limitantes tiene la técnica de aistacién cerimica para tensiones muy elevadas ? ° {Por qué Is porcelana se considera de clase efectiva B, siendo térmicamente apta para clase C?3 MATERIALES DIELECTRICOS ORGANICOS 3.1 Aceites Naturales En el punto 1.8 se describié ef comportamiento del aceite derivado del petréleo. Veremos ahora algunos aspectos relativos a su composicién y comportamiento. Composicién del Aceite Mineral : Segin su composicién se distingue dos grupos de aceites minerales : a) Aceites Parafinices : Corresponden a aquellos que contienen mas de un 66% en volumen de cadenas organicas lineales, como ser : H zr-A— Er W | Se a | 4 4 b) Aceites Nafténicos: Que contienen més del 66% en volumen de cadenas orginicas ciclicas saturadas, por ejemplo: AWN H— CH" y—c dH | | W#-¢ ——c—u i ! H 4 Ambas bases (parafinica nafténica) pueden contener un orden de 30% del grupo menor y hasta uo 10% de hidrocarburos aromiticos, esto es de estructuras no saturadas como :n tipica de un aceite de transformador es la siguiente t Parafina =: 66% Naftenos 30% Aromiticos : 4% Las caracteristicas fisicas de um aceite de este tipo son en promedio las siguientes : Densidad d 0,87 (gr/cm*} Permitividad : 221-] Viscosidad (20°C) : 37 [eS] Factor de pérdidas | 10* [+] @5°C} Factor de pérdidas _ 10° [-} (85°C) Estabilidad térmica : hasta 100°C Puntodeinflamacifn =: 145°C Rigidez dieléctrica : >200 [kV/em} Calor especifico : 0,5Carc Envejecimiento El aceite se degrade por la accién del campo eléctrico elevado y por la temperatura de trabajo, El contacto con campos metilicos (cobre, acero) hace las veces de catalizador para cambios quimicos. El envejecimiento del aceite se manifiesta por un proceso de oxidacién, producto del cual junto con perder sus propiedades dieléctricas, agrega materias dcidas, hidrocarburos de bajo peso molecular, agua ¥ gases. Se distingue entre dos pracesos de oxidacié 4) Oxidacién por extremo de la cadena, en que el oxigeno conforma un grupo OH de fuerte momento dipolar. f pepe a ensues —5-0-") ' | : El efecto practico de este proceso es el aumento del factor de pérdidas. 'b) Oxidacién por polimerizacién, en que el oxigeno se fija entre dos moléculas de aceite. = 4 —C-H | Hu 10. a ' —C-HPor este proceso las longitudes de las cadenas se multiplican, lo que conduce al aumento de Ia viscosidad del aceite. La liberaciéa de agua disminuye ta rigidez ieléctrica del aceite mismo, pero afecta fundamentalmente al papel que trabaja asociado al aceite en la mayor parte de las aplicaciones. Estos procesos de acidifieacion se catalizan por microchispas o descargas parciales, a través de le formacién de ozono, elemento especialmente activo en los procesos de oxidacién, Formas de prevenir Ia oxidacién del aceite son Ia extraccién de humedad por secado intensivo, la extraccién de gases por vacio (~ 10° T) y Ja saturacién det aceite con atmésfera de nitrégeno, Gases Disueltos Muchos gases se van disolviende en et volumen de aceite a fo fargo de su vida de trabajo, Se puede decir que en esa forma van registrandose en el aceite todos los eventos como descargas, sobretemperaturas, arcos, degradaciones de parimetros fisicos, ete. ‘Asi por ejemplo, las descargas parciales producen predominantemente Hidrégeno y Metano (CH). Los arcos de mayor energia producen cantidades importantes de acetileno, El contacto con metales « temperaturas de 200-300°C produce una variedad de gases en pequeiias dosis. Por otra parte los calentamientos y fallas provocan efectos sobre el papel aislante, que segrega monéxido y diéxido de carbono en grandes cantidades. De esta forma analizando el contenido de gases disueltos es posible detectar fallas puntuales o permanentes que 2fecten al transformador estudiado, Si este proceso de control es regular, constituye una excelente herramienta de diagnéstico para monitorear mantenciones preventivas. Humedad La presencia de humedad en el aceite se debe a dos fuentes principales subproducto de la oxidacitn y contact con aire atmostérico. Un transformador de potencia en operacién normal puede contener entre 10 y 26 mgr Aguaskgr Aceite, esto es 10 a 20 ppm (partes por millén). 30 ppm se considera un limite adecuado, y sobre 40 ppm el aceite debe ser sometido a secado, En el caso de cambiadores de taps bajo carga, el limite 20 ppm ya es considerado peligroso para la operacion,IRESUMEN : El aceite derivado de petréleo es un aislante de ampli difusién por sus caracteristicas dieléctricas estables hasta {0s 100°C, su| jafinidad con otros materiales s6lidos especialmente el papel, y su capacidad| refrigerante. Es un material sensible a la oxidacién y Ia humedad que requiere una supervision regular para una operacién confiable. Se aplica en transformadores, cables, condensadores e interruptores. PREGUNTAS : © ¢Qué rol juega la viscosidad en las funciones del aceite ? © Explique los procesos de oxidacién def aceite y sus consecuencias + {Qué procesos de mantencién se hacen al aceite de transformadores ? '3.2 Aceites Sintéticos Una de Jas limitaciones del aceite mineral es su bajo punto de inflamacién (145°C), lo que desaconseja su empleo en subestaciones de faena subterninea o en edificios residenciales. Como alterzativa ai aceite mineral se recurre a lps liquidos llamados Askareles y al aceite de silicona, Askareles Estas sustancias sintéticas se obtienen por cloracin (40-60%) de cadeuas difenilos © bencenos : ce ce 4 H Cloro difenilos Cloro benceno Son estructuras extraordinariamente estables, térmicamente y para un amplio rango de frecuencias. Son peligrosas para la salud, y su fabricacién esta probibida, pero su existencia actual es autorizada bajo estrictas condiciones de control. Las ventajas mis evidentes de los hidrocarburos clorados son No inflamabilidad Alta permitividad Densidad 1,4— 1,6 Viscosidad graduable segiin grado de cloracién Estabilidad térmica a temperatura >> 100°C Rigider dieléctrica > 200 kV/cm ciones importantes de los H.C. Cé son : © Intolerancia al arco eléctrico : la presencia de H y Cé induce a la formacién de H Cf con la actividad térmica del arco. + El factor de pérdidas es elevado, como se aprecia en la figura 2.6 (b) ‘* Su temperatura de solidificacién esta en el orden de -15°C, superior en 25°C ala del aceite mineral.3.4 Derivados de Celulosa EI papel de celulosa es el material mas barato y simple de aplicar en muchas soluciones de aislacién en alta tensién, combinandolo con impregnantes o resinas aglomerantes, La celulose es una macro-molécula de unidades de glucosa (poli-sacirido), de origen vegetal. La estructura es fibrosa con fibras de 15-30 um de diimetro y 1-20 mm de largo. La celulosa de uso eléctrico se obtiene en pulpa de madera de pino, que es hervida en una solucién alcalina, (soda céustica). El producto debe ser puro, libre de resinas, ligninas y residuos alcalinos, lo que se consigue después de sucesivos Javados. Se aprecia igualmente Ia resistencia mecinica, la densidad, la impermeabilidad, la porosidad y 1a uniformidad. Su permitividad es del orden de 6. Para mantener sus propiedades I pape} debe trabajar en un medio sellante. En tal sentido sus aplicaciones principales son el papel impregnado en aceite mineral y el papel prensado con resina. Veremos algunas caracteristicas de! papel impregnado, por su amplio uso en transformadores y condensadores. El papel impregaado, correctamente secado, presenta una permitividad en el rango 3,02 3, 5 y un factor de pérdidas del orden de 2 - 10° a 20°C, que sube a 3+ 10° a 100°C. Con papel de alts deasidad se puede aicanzar soficitaciones de trabajo de 100 @ 150 kV/mm, En general se trabaja con factores de seguridad > 10, para compensar la inevitable existencia de descargas parciales que aparecen con el uso. Los bushings de alta tensién, tipo condensador, empleados en transformadores clase 115 kV y superiores, se disefian con solicitaciones criticas de 3,5 kV/mm. En estas condiciones, el aceite y el aire quedan solicitados normalmente cerca de su limite corona. En caso de sobretensiones, tas descargas deben ocurrir preferentemente en el aire. Et papel impregnado tiene como limite térmico el rango 100-110°C, por lo que su trabajo sostenido no debe ser a mas de 70 - 80°C. Esto condiciona el disefio de Jos transformadores. El contenido de humedad altera sustanciaimente ia resistividad del papel, como se observa en la Figura 2.9, te10cm) 70" % Saturacién ‘Fig. 29; Resistividad de} Papel Impregnado EI papel prensado puro 0 con resina, se aplica como pantallas aislantes de transformadores y condensadores y en ia fabricacién de (ubos y ductos de conductores.4 NORMA DE ENSAYO PARA PROPIEDADES DIELECTRICAS Las condiciones de diseio de las aislaciones se basan en sus parametros dieléctricos: permitividad, factor de pérdidas, resistividad, rigidez dieléctrica, resistencia al ambiente, resistencia a! arco, resistencia a descargas, estabilidad térmica y en frecuencia, etc. Muchos de estos datos se pueden obtener de los fabricantes, pero en algunos casos seri mecesario corroborarlos, sea para aplicaciones especiales, o por dudas acerca del envejecimiento del material. Se indica 2 continuacién tas normas més usadas para estos procedimientos : PROPIEDADES NORMAS ‘OBSERVACIONES Resistividad en sélidos |IEC93- ASTM D 257 | Condensadores planos de tres DIN 53482 electrodos ‘Resistividad en liquidos |IEC 247 Celdas de 2 y 3 electrodos ASTM D 1169 Cilindros coaxiales, d=2...3mm Resistencia de aislacion |IEC 167 Electrodos exteriores de facil ASTM D257 i DIN 53482 Permitivided y TEC 250 ‘Condensadores pianos en Factor de Pérdidas | ASTM D 150 sélidos, cilindricos en liquidos. IEEE 51 Uso de 3 electrodes. DIN 53483 Rigides Dieléctrica [IEC 243 Electrodos simétricos en sélidos DIN 53481 Progresién de voltaje ASTM D 149 Rigidez Dieléctrica TEC 156 Electrodos Simétricos en liquidos VRE 0370 Progresion de —_—_voltaje ASTM D 877 ‘volimenes ASTM D 1816 Resistenci IEC 112 ‘Arqueo bajo hum al “tracking” VDE 0303-1 por gotas de agua. {agrietamiento} ‘ASTM D 495, Descargas Parciales [IEC 270 Circuites de amplificacion ASTM D 1868 jprecalibrades para un rango VDE 0434 de frecuencia Resistencia a Descargas | IEC 343 Electrodos inhomogéneos parciales DIN 53485 Humedad ambiente ASTM 2275 Tensiones de ensayo ‘Absorcion de Humedad | ASTM D 570 Variaciones de peso ‘Contenido de Humedad | ASTM D 1533 ‘Kart-FisherEstas limitantes, ademas del tema ecolégico, impidieron el uso extendido de estos materiales, como ser aplicaciones en interruptores, cables y transformadores de potencia. Se aplicaron fundamentalmente en condensadores y en transformadores de distribucién subterraneos. g gs = f %e , 4 5 Ps 2 104 o% 104 a z “he 5 105} 5 10! 80 i WO 200 20 40 60 60 100 12 temperature, 669 Fig. 26: cy tan8 de difenilosclorados Aceite de Silicona Es un producto de silice de alto peso molecular, cuyos parimetros dieléctricos son muy semejantes al aceite mineral, y para casos de elevada exigencia de no inflamabilidad, son una excelente alternativa. Sus caracteristicas fisicas mas relevantes son : Densidad 0,96 g/mt Viscosidad 2-4 6S Solidificacién -s0°C Inflamacién >> 100°C Estabilidad : hasta 120°C en aire hasta 250°C sin aire Permitividad P22 29 Factor Pérdidas =: < 30% (20°C, 10°... 10" Bz) Rigidez : 200 kV/em Repelentes a la humedadSu comportamiento ai arco es conflictivo, pues aun cuando no se inflama, deja como residuo arena reconstituida, y en caso de incendio exterior se reconstituye en silice. 'RESUMEN : Las alternativas no inflamables del aceite mineral no rednen todas sus propiedades, y son de elevado costo 0 manejo complicado por, PREGUNTAS : © {A qué deben su estabitidad los clorodifenilos y los clorobencenos ? © Explique las deventajas de los H. C.Cé © Qué limitantes tiene el aceite de silicona en sus aplicaciones dieléctricas ?3.3 Barnices y Resinas Una gran variedad de aislantes sélidos se aplican a partir de formas liquidas componentes en gel, que por um proceso de evaporacién de solvente 0 curado térmico o natural, encuentran su endurecimiento definitive, Tales materiales son indispensables para la aislacién de conductores magnéticos 0 la impregnacién de cintas y mats, asi como en Ia proteccién final de bobinas 0 devanados completos. Se puede agrupar en dos familias estos materiales : Resinas naturales © Resinas sintéticas . 3.1 Resinas naturales Se obtienen de las secreciones de especies arbéreas, que en contacto con el aire endurecen, Son solubles en solventes orginicos (alcoholes, parafinas), pero insolubles en agua y resistentes af vapor. De abi su adecuada aplicacién como impregnante, La mas comin y barata de las resinas es el COLOFON destilado de la resina de diversas variedades de coniferas. Esta resing funde 2 80°C, Es un buett impregnante del papel en combinacién con aceite mineral. Su aplicacién es en bajas tensiones. Otras resinas naturales son el COPAL y el DAMAR, productos de Arboles del trépico african y Malasia, Son ia materia prima de barnices al alcohol. La LACA (shellac) es Ia secreciém del insecto de la laca, que se reproduce en algunos arboles nativos de la India, mezclando la resina con la suya propia. Su conformacién quimica es indefinida, y sus aplicaciones se basan en su excelente dureza, adhesin y resistencia al agua. Es uno de los aglomerantes empleados para a refoliacion de la Mica, aplicada en méquinas de alta tensién y en separadores de conmutadores, La siguiente tabla muestra algunas propiedades de ia iaca y sus aplicaciones derivadas : Material Ep [kV/em] e tand Clase Térmica Lace 1000 ... 2000 3.5 100-107 E Laca-aceite 600... 1200 3.5 50 ...200 10° E Seda-laca 50... 90 34 10-10 ARESUMEN ; Las resinas naturales son de bajo costo y satisfacen muchos| requerimientos en aparatos eléctricos de baja y media tensién, principalmente en conductores y mats impregnados. Son hidro-resistentes. PREGUNTAS : * {Que debilidades presentan los productos basados en resinas naturales ? © {Como se pueden mejorar estas debilidades ?_ 3.3.2 Resinas sintéticas Hay tres caminos para la formacién de macro estructuras quimicas (sintetizaci6n) : a) Policondensacién : distintos grupos con capacidad de reaccién son unidos por calor y la accién de catalizadores, debiendo extraerse los subproductos, especialmente el agua. Ejemplos : melamina, poliéster, nylon, silicona. b) Poliadi similar a Ia policondensacién, pero sin sub-producto de reaccién, Ejemplo: resina epéxica. ©) Polimerizacién: estructuras simples (monémeros) se unen en cadenas sin cambiar su composicién y sin segregacién de sub-productos. Ejemplo: polietileno, teflén, poliacrilicos, PVC. Las macromoléculas pueden tener formas de cadenas lineales o de redes planas 0 espaciales. Segan esta forma, las propiedades mecdnicas del material, como dureza tenacidad, y el comportamiento dieléctrico varian fuertemente. Desde el punto de vista térmico, los productos sintetizados se pueden agrupar en dos familias : ‘* Termoplisticos: son estructuras de cadenas lineales, sélidas a bajas temperaturas, pero que plastifican con calor, tomando una forma pastosa. Este estado es reversible, lo que se aprovecha para Ia manufactura de sus aplicaciones. Los procesos son por inyeccién. Ejemplo: PVC. * Duroplisticos: son estructuras lineales, que por calentamiento se vuelven plisticas, pero en ese proceso modifican sus estructura espacial conformando redes superpuestas, por lo que el proceso no es reversible. Ejemplo : polietileno. a) Resinas Policondensadas Las principales resinas policondensadas son Resinas Fendlicas Su estructura se basa en el ENOL (__) CH; que reacciona con formaldehido, zo uc7, “a en presencia de catalizadores y en caliente. Su aplicaciOn es como aglomerante en fibras de celulosa, asbesto, fibra de vidrio, madera, etc, asi como en barniz de alambre magnético.La temperatura de trabajo esta en el rango 105 - 130°C (clase B). Permitividad 2 4u5 Tand z 50... 100-107 Son sensibles al agrietamiento (tracking), especialmente en sus aplicaciones con papel (papel baquelizado, presspan). Se puede mejorar con recubrimiento de barniz de alta dureza. Se aplican en motores clase A, y son aptas para ambientes quimicos agresivos. Son indispensables en la fabricacion de tubos de papel y bushings de uso interior, Resinas Poliester Son resinas que se forman por Ia policondensacién lineal de alcoholes y dcidos, en una estructura reticulada tridimensional. Se aplican en Ja preparacién de barnices, resinas aglomerantes y resinas de impregnacién, Un uso clisico es su aplicacién a estructuras de fibra de vidrio (cientas, mats). Su curado es por temperatura en espacios abiertos, y puede ser ada en vacio sobre encintados de mica o fibra de vidrio. Son compatibles con la mayor parte de los barnices de conductores. Permitividad 36 ‘Tand 10... 50-10 Rigidex 120... 180 [kV/em] Estabilidad térmica: hasta 155°C Resinas Poliamidas Alkylicas Esta familia de resinas son conocidas como Nylon, destacables por sus propiedades de alta resistencia mecanica a la abrasién, pero no tienen muchas aplicaciones eléctricas pues estén limitadas a la clase A y son severamente afectadas por Ia humedad atmosférica. Se emplean como recubrimiento de cables o en alambres de baja tensién. Resinas Poliamidas Arométicas Estas resinas incorporan estructuras ciclicas (difenilos) lo que mejora sus propiedades mecinicas y las hace mas estables a In temperatura (180°C) y a la humedad. Son aplicadas en forma de citas 0 mats combinados con poliester en aislaciones de ranura para motores clase F (155°C), y en transformadores secos que trabajan a temperatura elevada. Estan limitadas por su clevada tan.Resinas Polimidas Aromdticas Mediante reacciones quimicas complejas es posible obtener _estados. policondensados intermedios, que permiten la formacién de peliculas con espesores en ef orden de 25 um, Las polimidas son estables hasta 250°C, tolerando temperaturas criticas de 400°C por algunas horas. Son retardantes a la Hama, pero por su elevada absorcién de humedad (3% o mis) no som recomendables en aplicaciones que impliquen aceite o papel. Se emplean en recubrimiento de conductores y barnices clase C para transformadores o miquinas rotatorias clase H. Permitividad tand, 3,5 (25°C , 1 kHz) >3-107 Resinas de Silicona Estas resinas se caracterizan por su estabilidad térmica, producto de incorporar tomes de silicio en las cadenas organicas. Son tipicamente clase H. Tienen baja absorcién de humedad (0,1 2 0.2%). Resisten el aceite mineral, acidos débiles y ‘ozone. Permitividad : 3,8 (25°C, 1000 Hz) tan : 5+ 10” (25°C, 1000 Hz) 3+10° (100°C) h) Resinas de Poliadicién (Epéxicas) Las resinas epéxicas, llamedas también “de dos componentes”, deben su nombre al grupo “epéxico” que conforma una de sus componentes : 0 \ S co cH , Sus propiedades mas sobresalientes son su facilidad de moldeo, su capacidad de mezclarse con otros materiales sin segregacién de sub-productos, su poder adhesivo y Sus elevada resistencia a la corriente superficial y 2 la humedad. Son estables hasta 250°C. Su permitividad esti en el rango 3,5... 5 y Ia tand en el rango 5 ...30- 10” a temperatura ambiente y en un amplio rango de frecuencias. Para el curado definitive se emplean tratamientos térmicos a temperaturas de 180°C, Mientras no se alcance este estado, la resina se mantiene flexible, lo que facilita su incorporacién como impregnante en tejidos (fibra de vidrio o mi Todas tos elementos que se encapsulan en resina epéxica deben ser secados al vaci previamente. Para piezas de gran tamaio se emplea algin material de relleno, bisicamente cuarzo, conservindose en general todas ias propiedades de la resina.Resinas epdxicas de curado al ambiente son de bajas cualidades térmicas y eléctricas. c) Resinas de Polimerizacion Polietileno Es un polimero del Etileno P.E. de baja densidad Se forma a 400°C, 1500 atm, con oxigeno como catalizador. Su estabilidad térmica, entre -0 y +100°C, y posee baja absorcin de humedad (<0,1%). Es resistente a dcidos y alealis. Permitividad 2 23 tand : <0,5+ 10° Temperatura de trabajo: hasta 90°C (clase A) Cristalinidad : 50-60% EI polietileno de baja densidad es sensible a Ia radiacién solar y para uso en exteriores debe ser cargado con negro de humo (2 - 3%), PE. de alta densidad Es un material de mayor peso molecular formado a partir de polietileno mediante un proceso de catalizacién. Su cristalinidad alcanza un 90%, lo que le confiere mayor estabilidad mecinica y térmica, PE. Reticulado (XLPE) Mediante un proceso térmico ay conductores eléctricos, se puede lograr la polimeracién transversal del P.E., condiciéa en fa cual se hace mas resistente a las descargas parciales. Las cables de alta tension (hasta 69 kV se disefian con solicitaciones maximas del orden de 2,5 kV/mm. Para disminuir las irregularidades y homogenizar el campo eléctrico solicitante, el dieléctrico debe instalarse entre peliculas semticonductoras, las que se estrusionan conjuntamente con él P.E.Polipropileno Este polimero se sintetiza de manera similar al PE, a partir del propileno : CBs CHs CHs-CH=CB, > ~ dt cH— ba-cn,— Propileno Polipropileno Sus caracteristicas son similares a las del P.E. EI pp es susceptible a la degradacién por radiacién U.V., lo que limita sus aplicaciones, por los autioxidantes que requiere para su estabilidad, Su mejor Propiedad es la elasticidad, que se aprovecha en Ia fabricacién de cintas y pliegos. Una excelente aplicacién de este material es su combinacién copolimérica con el PE, para la goma PE/PP, conocida como EPR (60% Pe, 40% PP}. Sus propiedades elisticas som apreciadas en Ia fabricacién de cables de alto tréfico, hasta clase 15 kV. Poliestireno Es un material sintetizado a partir del vinil-benceno : Hw 4 1 1 CH, ~ ¢ — CHa — © — CH 0 0 Se aplica en condensadores, como cinta flexible metafizada por ambas caras, con temperaturas limites de 70-75°C. Combinado con fibra de vidrio forma Ia conocida placa para circuitos impresos de uso electrénico, con estructura final : Tiene muy baja absorciém de humedad (<0,03%), y su permitividad es 2,5, estable en frecuencia. Politetrafluoretileno (Teflon) Se obtiene por polimerizacién del gas CF, (tetrafluaretileno). Su estructura es muy homogénea y estable quimica y mecanicamente t eyeeres é iz EE TE Sus propiedades mecinicas son muy apreciadas, y eléctricamente se emplea en cables de baja tensién para ambientes agresivos (humedad, acidez, calor, llama), en alambres magnéticos para ambientes térmicos.También se aplica en placa de circuito impresos, combinado con fibra de vidria, Cloruro de polivinilo (PVQ) Se forma del monémero cloruro de vinilo, originado de agregar H Cé al acetileno C2 B2, con estructura final 4 wo H et —c—¢-c —c = aw oe u Para uso a temperatura ambiente, ef PVC necesita un plastificante, cuyas moléculas se introducen entre las uniones inter-cadenas de la macromolécula, aumentando su flexibilidad. Su aplicacién es en aislacién de conductores de baja tensién, Es resistente a la agregacién quimica, al ozono, a la humedad. Su temperatura de trabajo esté fimitada a 80°C. Para temperaturas mayores, la permitividad y ia tand se disparan, provocando efectos capacitivas indeseables entre los conductores, y corrientes de fuga no despreciabies. 2 40 100 temperature, 9 Fig. 2.7. Varincion de Ia Permitividad det PVCae 20 o4 or a ee ee eT) vemperotore, deg © Fig. 282 Var Poli-Metil-Metacrilato (Acrilico) Es una resing resistente al agua y de excelente terminacién superficial, lo que la ha popularizado como moldante en estructuras a la vista, Tiene elevada resistencia a corrientes de fuga y ala agresién ambiental. Se aplica en forma de placas o tubos. (Plexiglass). Permitividad 3,6 tand 20 ... 70-10" Temperatura limite: 80°C Poli-Etileno Tereftalato (Mylar) Es una resina poli-éster, producto de la reaccién del alcohol etileno glicol y el écido tereftilico,Se le conoce comercialmente como Terilen, Melinex o Mylar, ¢ simplemente como “Poliéster”. Como aislante eléctrico es estable hasta los 120°C. Es absorbedor de humedad, por lo que se degrada en ambiente libre. Conviene operarlo en aceite mineral o si Permit 32 « 60°C) tand t 10°- 107 _inestable en frecuencia Aplicaciones en condensadores, (aunque de pérdidas altas), barreras térmicas, cinta magnética, placas en transformadores, cintas aislantes adhesivas, aislacion de resinas en motores de baja tensién, Resinas de Poliéster Reticulado Se obtienen por efecto de reacciones de resinas de poliéster no saturadas {maptienea enlaces dobles) en ambientes acidos y de alcohol, y endurecen en presencia de estabilizadores que se aplican “in situ”, (estireno). El catalizador actia como solvente y una vex curada le pieza, no es remitido al ambiente, De este modo, Ia estructura es auto-compactada y no pose vacuolas, ademis de ser amigable para su manufactura, ion cléctrica es en barnices de impregnacién para devanados de alta pues son compatibles con todo tipo de cintas. La dificultad radica en que su contacto con cobre metilico inhibe su curado y deben tomarse medidas especiales para evitarlo, Estas resinas aumentan sw factor de pérdidas con las sobre-temperatura (> 20°C), ‘Se recomiendan para clase F (< 185°C). Son resistentes a ambientes de hidrocarburos, pero son sensibles a solventes polares, alcalis y écidos, Resinas de Poli-Uretano (Isocianato) Son Resinas que incorporan el grupo iso R- donde R es algin grupo o cadena organica. dureza Jos hacen aplicables como barnices en idos. Sus propiedades de elasticidad conductores e impreguantes de t. Su estabilidad térmica alcanza los 150°C y combinado con fibra de vidrio forma un sistema clase F (155°C). En conductores magnéticos, su limite de aplicacién es de 120°C.Son resistentes a In humedad, pero se degradan al vapor o en condiciones de alta humedad y alta temperatura. Tienen buena resistencia al aceite y al ozono. La tand a 50 Hz, 20°C, es del orden 20 - 10°, pero crece ripidamente sobre los 80°C. &43. Distribucion de Esfuerzos en un Sistema Dieléctrico Multicapas Muchos sistemas de aislacion se forman por estratos de diversos materiales, a fin de aprovechar en forma dptima sus caracteristicas. sjemplos Aislatin de transformadores estratos de papel-aceite-presspan Bushing de alta tension papel-aceite-porcelana-aire Motores de alta tensi6n vidrio-mica-poliester Ei correcto disefio de una estratificacién debe considerar la distribucion de esfuerzos eléctricos y térmicos, para un rango de frecuencias y temperaturas posibles. \Veremos ahora en detaile las ecuaciones que caracterizan una estratificacién simple ‘Condensador de placas paralelas Estratificacién simple En la Figura, ¢ es la vermitividad relativa de cada material, y su conductividad factor de pérdidas. Trdos 2stos parametros se conocen por catdlogo para diferentes temperaturas y frecuenci"s, > 2n su defecto deben ser ensayados en laboratorio,Caso | : Solicitacién : Escalén de tensién continua Los esfuerzos dependen de la permitividad y la conductividad de los materiales. 2) Esfuerzos dieléctricos iniciales En los primeros instantes de la solicitacion, los esfuerzos de campo (esfuerzos microscépicos), se expresan por ed, +6, d, Se observa que los esfuerzos iniciales s6lo dependen de las permitividades. b) Esfuerzos Dieléctricos finales | -—Un | E. Oy det rath ie Los esfuerzos finales dependen solo de las conductividades. El tiempo para pasar de un tipo de solicitacién a otra esta en ef rango del minutoCaso 2: Solicitacién de corriente alterna En este caso los esfuerzos dependen de la permitividad y el factor de pérdidas de los materiales La distribucién de esfuerzos es estacionaria, es decir se establece en un valor permanente desde la aplicacion de la solicitacion. Se define el factor 4, a, N= a {e fi+andy «, f1+ 2 bdr ids Eres d oo 5 DiaTNcevcton Final > + — 2 eo ve Kaede 7 ae cane RPE. el & a Ww we TRRMINe Ge PON eNcar 62 sae a oistinvuction Saracionagia,EQTMATI Bicacion PARAULLA MULTIPLE ton Excitacion Aamdnica a, di da PE, yy, Gnd, EC, YS, tin S 32 e fpr? [as tn ty Y con tand « Sot arctan (90- Ewe fs +tawS (son 5 —- abMiTancia nisiecTnicn con Si cep — Wo |s SE & Ferns ai Tstratizicncien, Loncaicn SEnia DE avmirancias se sre rat fer Ye | wee Tt bes Jr eta ~ di sta Ne JZ bar Exe vi + tewS,, we Prom, © oi, 20 — (3p) = concranre Yop: Or . Yo, - 8 = ConaranrEe N bee te Sau Si iASTMATINcacuNES Cilinemcess — = - a ke, be 2. 2h . 5 S * Died Gr fe aa Coe ametes 7 Kk @ = consranre —e UC e UG Avot _ ae -U eK WereneinaD a€ canPo in tarmaro “i” zi). ——#__- . _¥ a ist ae bei. a Méacwo C&FUCREO + . & o i = —_ Paes &; = COMMTAWTE EM TODOS los ESTRATOR —e fe+kay & Consr TENSioNES & TicTEARA ga esteato bo i Eqs a d. a be 2 aA ne fA 2 Uta Aly 7 bes ta,:% . 4 42 Owe Ub, et <. a fw asrears mf ofr. ta Alas | | : Fai K ine & “|Gun embers fmol ses gi Coa} oc = ee 5 sh SAFE Oke BR OP UTSR GC ARABORES MACROS s3sabe net Be cmeug tree ~ ® g& artes Bd ais & & ease festa) we 2 fb om BOER I HERE z (eal) O55 2% me BRS eh wb cd WEES AS fas SBb 2g! — Boh {vil agt sgh = £68 re Stes) See : 2 a mind} dab 2g2 ~ ass8t Ei sb pte.na - Eo nb ose. oe ‘@ val Bak og we ae40 30 20 10 ovsraiaucion 5€ POTEN CALE sLee eininwones pe Linnse sc CbTRUdEH tomo UNA comainmetcn Eu CACEMA DE ELEMEN Tee IEWinOAES © Le Dlerninvcion OE Porsuetauns CO Cevewme Linwian 4 secee DETEOEE PL Lee Comciceeen Disree. RwiOas pEL TeTENG. Ca Antavenes couTaninvaees LA SerTnisoase Ean Concetace Tom le neeiarancca De La capa suremeicur. Sauire COeis. vane eeoeaa Lourenier: © teieracsn cunwoe. Cawiwe CA.eu ea. Cacewe Limvia Din ename Eeaoinaricn Cat Cemetean rmoria bE Cf Aintecen Ce: capmctone BE Ciertasion 4 anes Ce CAwaccoee te BiarERsion AL toneucron, Ecvecen ME Dieminucion, Comer eeng OM Cimesivs CE Biarmimucion tonrinun + Relaciones: bu = a4 ax oxcon Ax wo die. ce de Yo swewpe : Resseire : case ESPECAL: Saveaccvan Ce Desrasco ae Le Euaeiy euvenet We mio A: 2 | ae aie yu: A ocen de) re (1fem) dx? romain: ated aekts Bet Senronwe : ale) = GQ — 4+8=0 mies u~ aettsae Meu Resucra As Y » Baa 2 senk yt 2 senk yd aa (x) = sewh Vx U Semk yh EMneLo : Chrewe oe 8 atalerones to eb/ea [= — tito Yop — 1/20 — 1! 26) — 1tfe % be Ccaminesion SE rerewecoee ez MePene A cntcen be Resweiw Co/ey cate rities : C/ey = A /s0 ey 5% gg = 30% ayy 5MFiventcia SE La caracteas DE Overensiod ab Codpueron Ce EFERCE Uwe inciwenctn DE EQviltenio Rtsrecre 4 ta Etencoe Pom Cy. Uscatmenre Cee ce, YA OUk Le tererenie eFtacipe Fon te wonae Ea Maven. La Sieunn itsarme Les Tedoeneing Gt ticor te Diarrimseod be Pevencias Tana Dihemeared caret = 3: Sbeano | bs Cy mee et Cem ce p 2 WY, d: co =e #0 Lo mas cenceno at wer es (a) Z| Pane loenen tem meritene s¢ YA) 6 Reewnes 2: = Twavate con te snmanones Y MW Porencial ce Linke - Bieta EL Codeseren En ° 2 4 6 a Seeconvcrones . TEnNige Lmire Ex cocemm cE Sintavenes, PhRe UNA COvcwa DE “N” BiaLacones, con Cl >> Ce , Le ote Becisns we Merncees 4 ELPreee TENSton EY AShLacem, EL mitawon mee sebicitape Bs G1 CoMtters Oboe Linte: Oye uf ae sen lnc} seh yn Pana un Weten ware we Yo) Un HEEL oon ween corre | A N>e@ . ee Gk Unin, Pane me On Creed v (a - F)| Sen “ar” La mening Seniecrmciég accPTROe Pen ON Siatacen BEL TEnmiuace - ENTeNces Le Ranine BebieiTAc nuterace Toe be Cowese TOTAL Sa Eurnene ten Vnae (820)catwie ct La Copacivar EQuivauun of UNA sansa tetwre ve te serciver Heinen see "K” Lh cameciven Teree Sauiv. we te cecenn . Pon Cau Sune te tonmigune OE canee Ce Le cavene vorer , Eco? Or = On Con Vostence On = vfs - soak ron) | Sent Yn Reuire ie ee fo 7 sot yin | sen Yn Voce Connaceicn (WWEAt VE LA Dierminu cont Ue verenciaes ev covena DE Rintecenes aime Ateiaeen PE une coven : wt (ue ~ 4%. ‘Apparatus insulators B D E Bushings B D EString Flashover Data for Lapp Suspension Insulators Based on laboratory tests in accordance with USA Standard C29.1-1967 5%" x 10” and 5%" x 10%" Fog Suspensions 6%" x 10” and 6%" x 10%" Fog Suspensions Numbers—61305, 61205, 95095 Lapp Catalog Numbers—61306, 61206, 95058, 95030, 9, 98391, 98120, 96388 98592, 98394, 97566, 98387 Trmpolae Flashaver KV 305 | 420 | ae | 8 220 | 51 1010 its 1200 Boo Hiss | t4s0 1475 1 iss | iso 1 sean | s680 io | i9e0 tars | ida row | 730 Hien | seo iow | 780 j Bee) Bits as | a5 |g zs ie | at Bis | de ibs | &tn i doe | 3880 iss | Bao 1 Hay | Bie iis | aks zim! Bak 6M" x 10%" Fog Suspensions 7" x 10%" and 7" x 13%" 8" x 13%" Fog Suspensions Fog Suspensions Lapp Catalog Number 98068 netar saan Lapp Catalog Number 98390 Talive | Neste ais | 00 #35 | un tox tan Fn | bass ri 1075 | i 1750 Taso 1970 2020 2160 203 aus 2218 20 | izi | 870AMERICAN NATIONAL STANDARD €29.2-1983 nores: (2) Far pec mer nd tolerance, se manstactre's draws G) Ai dlsemfons are ches: fon eis eqalenti ee Table G) ‘The connecting length fs stg ofS inaators seid at andom shall be eq] o 6 ties she om tnd) paceg ofthe lnion © 3m 19 wn (ce) Desi an len hal be delet ae ving hee aplble, by the bal and 0 voatel peeing 2nd 1 13) onnecing hardware prs defined by xgsin Fig. 12 and 13 are designated 9: Type B. ; See : ANSI-C2S.1-1982, : + Rating Seation Dir | Leskage dbtance inches (sn) 11472 @92) 252 Mechanical Vales ‘Combined mechanical and electrical strength, pounds (RN) 15 000 667) $2 Mechanical impact strength ineh-pounds () $5 (6.0) $422 Tension proof, pounds (KN) 7.500 (33.5) 721 Time lend, pounds (2N) 10.000 (44) 53 teetrca Values TLow-{tequency dry Mashove,kilovolis 20 42 Low-requency wet fashoret,kilovalls 30 43 ‘fila impulse Mashove, postive, ovis 125 3 Ciel Impulse fashove, negative, klovolts 130 a Low-frequency puncture, Hlovlts 10 an Rediodatvence Voltage Data ‘Low frequency test voltage, ms to ground, ilovolts 10 49 Maximum RIV at 1000 bie, microvolts, 30 3 ! Fig.3 Suspension Insulator, Class $2.3AMERICAN NATIONAL STANDARD €29.21983 (wore 1) NOTES: . {Q) For specific dlameter and tolerance, see manufacturer’ drawings. : @) Alldimensions are in inches; for mete equivalents, see Table 1. G) The connecting length ofa string of six insulators selected at random shall be equal to 6 times the nom ° Inal spacing of the insulators 43/4 In (419.1 mmm). ‘) Dimensions and tolerances shall be determined, after galvanizing (where applicable), by the ball and socket gages in Fig. 15 and 16, (5) The connecting hardware parts defined by popes in Fig, 15 and 16 are designated as Type K. See : ‘ANSI-C29.1-1982, ' Rating Section Dimensions ——— ‘Leakage distance, inches (mm) 11 @79) 252 ‘Mechanical Values ‘Combined mechanical and electrical strength, pounds (kN) 36 000 (160) $2 Mechanical impact strength, inch-pounds (Nem) 90 (10) $122 Tension proof, pounds (kN) 18 000 (80) Ta ‘Time load, pounds (oN) 24 000 (107) s3 Bec Vacs . Oo ‘Low-frequency dty Nashover, kilovolts 80 42 ‘Low-frequency wet flashover, kilovolts 50 43 : Critical impulse Mashover, positive, kilovolts 128 aa Critical impulse fashover, negative, kilovolts 130 47 : Low-frequency puncture, Kilovolts 20 sat Radio-Influence Voltage Data Low-frequency test voltage, rms to ground, Kilovolls 10 49 . Maximum RIV at 1000 KHz, microvolts 50 49 . Fig.7 Suspension Insulator, Class 52-8 16AMERICAN NATIONAL STANDARD €29.5-1984 BorToM oF 1. ‘Tor GRoovE 1 a 2 ax 2 centenor £ or Groove NOTES. (1) °F neck. @) Al dimensions are in inches. GQ) Ihighesistnce coatings are applied to the insulator, such coatings shall be considered as effective leakage mfact, and the distance over them shall be included inthe leakage distance. (G) The sde-wire groove shall seat a mand el with a diameter of 1-1/16 inches, but shall not seat a mandrel ‘witha diameter of 13/8 inches. The top-wize groove hall seat a mandrel with a diameter of 1-3/4 inches, See American National Rating Standard C29.151982, Phin Radio ‘Section Dimensions ‘Leakage dias, ‘mhea a n 252 Dryatcing distance, inches 61 6K 283 Minimum pin height, inches 6 é 5 Mechanical Values ‘Camtlever strength, pounds (kilonewtons) 300013) 300003) S13 Blectical Values Low-frequency dry ashover, kilovolts as 80 Low-frequency wet flashover, kllovolts 45 43 (Grice impulse flashover, postive, kilovets M0 130 (Critical impulse flashover; negative, kilovolts 170 150 Low-frequency puncture voltage, kilovolts us us Radio-inuence Voltage Data ‘Low-frequency test voltage, rms to ground, kilovolts 1S 1s 49 Maximum RIV at 1000 KHz, microvolts 8000 100 49 Figure 5 Pin Insulator, Class $5.5 2Capitulo | 45 ESFUERZOS DIELECTRICOS EN TRANSFORMADORES 3.1. Distribucion de esfuerzos estacionarios Esquema de la estructura dieléctrica A la frecuencia industrial, los devanados de transformadores presentan una distribucién lineal de esfuerzos a lo largo de la bobina, quedando los aislamientos entre espiras uniformemente solicitados. Por su parte, las solicitaciones a masa distribuyen sus esfuerzos de acuerdo a la configuracién de campo eléctrico correspondiente. Un esquema basico de la estructura dieléctrica es el siguiente: AISLAMIENTOS (a) principal (b) secundario (6) de espiras (menor) (d) longitudinal Aislamiento Descripcion Material Principal | Distancias a masa (nucleo o tanque) Papel y placas impregnadas Distancias deAceite Secundario | Distancias entre bobinados (alta, fases| Papel y placas impregnadas, vecinas,alta-baja) Distancias de aceite Menor ‘Separacion entre espiras Papel impregnado Longitudinal _ | Fronteras papel-aceite AceiteFormas constructivas de transformadores Bobinas helicoidales (cilindricas 0 de capas) Capas de unién paralela Esfuerzo no uniforme entre capas. Construccién simple con polaridades alternadas . Bobinas espirales (de discos) Discos simples Esfuerzos uniformes entre discos. Polaridades homogéneas Aislamiento complejo 26 Capas de unién cruzada Esfuerzo uniforme entre capas. Construccién compleja (cruce). Polaridades homogéneas Discos dobles on Esfuerzos no uniformes entre discos. Polaridades alternadas Aislamiento sencilloNiveles de aislamiento (IEC 76-3) Tensién maxima de equipo: Uys es el maximo valor de la tensién linea — linea para el cual se disefia el aislamiento de un devanado de transformador. Se expresa en kVir. Nivel nominal de aislamiento: (para Um< 300 kV), es el valor de la Zensién soportada en solicitacién de fmpulso y frecuencia industrial de corta duracién. ate wrtada que definen los niveles de aislamiento se verifican medi Valores normalizados para Um se dan en las tablas If 2 V de fa Norma IEC 76-3, segiin acuerdos usuales en diferentes paises, junto con los niveles de tensién soportada que definen el correspondiente nivel de aislamiento. Nota; Para valores de Um, 2 123 kV, se dan alternativas de tensién soportada, las que seran discernidas de acuerdo a las condiciones de operacién del sistema (IEC 71-1: Coordinaci6n de aistamientos). Rated shor Hignen Rated lightning vohage or uration pow. impulse withstand cent etary | t= 22 | Nee yen | him BE pioment | nu Yea | wisn f ” Ja tY footage U,V Group | [ Group? 36 2 10 49 0 © 65.138 12 39 ~ 43 © @ 68102 2 38 rn 40 oo 61 77 ns 43, 38 38 3% 85 S66 » 196 0 36 9 Sak 6d x6 pa 0 be 459049. 58 2 es 95 32 20 39 ns 392 10 4 325 33 15 26 450 “3 33 too: 230 $50 55.464 us 84 215 650 3547 10 1388 328 33:23 150 $4,375 2s 2000 360 23 350 425 385, 28 950 as Tabla Hl, IEC 76-3: “Tensiones soportadas para transformadores con tensién mixima de equipo Un <300 kV" 2?Aislamiento transversal lamiento entre devanados, el aislamiento de cabezales de los nto de acometidas de bobina. Se calcula para la solicitacién de industrial [kV.¢, y debe chequearse para la s Comprende el bobinados y el aisla ensayo de frecuenci impulso. Aistamiento entre devanados: EI esfuerzo transversal entre devanados es soportado por estratificaciones de pantallas cilindrieas de placas de papel (Transformer-board, Prespan) y canales de aceite. Fig, 3. 2 Pantallas cilindricas aislantes entre bobinas 28Se disefia para solicitaciones criticas de frecuencia industrial, siendo el aceite el elemento miis solicitado, por su menor permitividad relativa. El espesor de! canal se puede estimar segin la siguiente figura: LCA. [kV max! €m] nS 2 4 6mmig Rigidez di Espesor del canal [mm} Fig. 3.3: Canales de aceite en corriente alterna: rigidez dieléctrica v/s espesor aceite desgasificado aceite saturado de gas Aislamiento de cabezales Las cabezas de las bobinas se refuerzan con uno 0 mas flanches de papel prensado que se ajustan a los cilindros aislantes principales. La disposicién de estas estructuras aislantes debe realizarse siguiendo lineas equipotenciales, a fin de minimizar los esfuerzos logitudinales en el papel. Fig. 3.4 : Aislamiento de cabezales de bobina conforme a lineas equipotenciales 29El aislamiento del cabezal al yugo requiere distancias mayores que las aplicadas entre devanados y entre devanado y columnas, debido al campo menos homogéneo, y para permiti un flujo laminar del aceite, (sin torbellinas), 2 través de les canales. De esta distancia, normafmente no mas del 20% es papel. La siguiente figura permite estimar la distancia recomendada al yugo , segiin la tensién de ensayo del transformador [kV«d, y la presencia de uno o mas flanches: Distancia al yugo Tensi6n de ensayo en C.A. [kVed Fig. 3.5: Aislamiento de cabezales: flanches, distancia al yugo v/s tensién de ensayo [kVud Aislamiento de acometidas de bobina Las acometidas de conductores a la bobina se realizan mediante barras cilindricas de 5 a 25 [mm] de didmetro, con aislamiento de papel. El esfuerzo critico es radial y ocurre en el aceite, junto a la frontera con el papel. La siguiente figura ilustra el calculo del conjunto geométrica “a- D; - Ds, respectivanrente: distancia de aceite, didmetro de barra, didmetro total. = : 7 lo Z 3 “SOU & 3 5 100 Fig.3.6:Acometida de bobinas: Tensién de ensayo vis distancia de aceite, Parametro: raz6n de \etros barra/total 30Aislamiento longitudinal Comprende el aislamiento entre espiras, entre discos (bobinas espirales) 0 entre capas (bobinas helicoidales). Se calcnlan para la solicitacién de ensayo de impulso, que se hace equivalente a la tensién con 2% de probabilidad de provocar ruptura, Upo2- Aislamiento entre espiras EI papel impregnado, en Jas condiciones éptimas ya descritas, alcanza una rigidez dietéctrica del orden de 500 [kV/cm]. La seleccién del espesor de aislamiento entre espiras debe considerar la distribuciia de potenciales transitorios esperada, tema del cual mos ocuparemos en capitulo posterior. Idealmente, Ja distribucién es lineal, y el aistamiento de papel a lo largo de la bobina puede ser homogéneo. La siguiente figura muestra la relactén entre el espesor de papel y Ja arapticud def impulso de tensidn con 98% de probabilidad de ser soportado ( Up: )- (a Le ‘Tensién de ruptura a impulso Vox | KV er] Espesor total de papel “2s” [mm] Fig. 3.7: “Aislamiento entre espiras, discos y capas, para impulso con tensién de ruptura 2% , en funcidn del espesor del papel y la distancia de aceite”. EyAislamiento entre discos (bobinas espirales) La solicitacién es controlada por el espacio de aceite y el papel impregnado. Para una mejor aproximaci6n a la distribucién lineal de los potenciales transitorias, conviene elegir espesores pequefios y separacién de discos reducidas. En disefios modernos de transformadores, la distribucién de potenciales se controla mediante el entrefazamiento de las espiras, tema que analizaremos en capitulo posterior, Aislamiento entre capas (bobinas helicoidales) Se distingue varias posibilidades: + Sin canal de aceite entre las capas: el cileulo corresponde a 1a curva d ~ 2s de la figura anterior. Con canal de aceite entre las capas: el cilculo corresponde a las curvas con d # 2s. Con pantalla cilindrica en el canal de aceite: en los cabezales se acepta solicitaciones mayores, segiin se estima en la siguiente figura. Tension de ruptura a impulso V2x [ KV ma] Espesor de la pantalla [ mm | Fig. 3.8: Solicitacién de imputso con 2% probabilidad de ruptura, en cabezales de bobinados helicoidates reforzados con flanche de papel. 32encia industrial mayores Los bobinados helicoidales mantienen entre capas esfuerzos de fre que los que pueden ocurrir entre discos de las bobinas espirales, ori corona incompatibles con la calidad de los disefios. Se puede estimar Ia tensién de iniciacin de este efecto segin: UIky] = Ka" d = espesor del papel [em] K =305 para canto redondcado = 22,1 para canto vivo La maxima tensién solicitante entre capas, debe ser menor que la tensién de iniciacion de las descargas corona. Fig. 3.9 : Patrones tipicos de descargas parciales en papel impregnado 1: Descargas superficiales 2: Descargas erosivas3.2 Distribucion de esfuerzos transitorios en devanados Consideraciones previas El comportamiento de los devanados de transformadores ante solicitaciones transitorias debe ser anatizado bajo las siguientes consideraciones: + Elespectro de frecuencia de una sefial transitoria en los sistemas eléctricos abarea contenidos arménicos en ef orden de 100 [kHz] para sobretensiones de maniobra y de varios [M*z] para sobretensiones de rayo. + Las longitudes de onda de estos contenidos arménicos estn en e! orden de los [m], de acuerdo a la relaci jongitud de onda [m] velocidad de propagacién = C/V, e, [m/s] T = periodo temporal =f" [s] Para frecuencia industrial de $0 [Hz], en aire: 3+10* [m/s] = 300 [m/s] 2. = 6000 [km] nica de 1 [MHz], en papel impregnado: 1, 6 =3,5 C INBS = 160 [m/ ps} 2 = 160{m) Es decir, la geometria de las componentes de un devanado de transformador tiene magnitudes en el orden de la longitud de onda, y el andlisis no puede ser ya realizado con modelos de parametros concentrados, sino requiere un tratamiento de modelo distribuido.* La penetracién de los pulsos en los devanados debe considerar los efectos: - Pelicular de alta frecuencia, que implica que la onda solicitante se desplaza superficialmente al conductor en el medio papel — aceite, - corona, que determina una pérdida de energia en el pulso y su progresiva atenuacién - Joule, que contribuye asimismo a la atenuacién del pulso, dado que tos materiales dieléctricos involucrados tienen tan 5 #0. Modeto distribuido para devanado Fig. 3.10 : Cireuito equivalente distribuido C.[ pF + cm) = capacidad incremental serie, entre espiras y secciones (discos 0 capas) Cu [pF /em] = eapacidad incremental paralela (a masa ) w/n [F] Para “n” espiras: Cm=neCy [FI] En este modelo, las variables de corriente y potencial son funcién de las variables tiempo y espaci é(x%t) , v (st) 35Distribucién inicial de potenciales de impulso Si modelamos Ia solicitacién como un escalén de tensién, de amplitud Uy [kV], aplicado al terminal de entrada de la bobina y referido a la masa, asumimos: * Em los primeros instantes, el frente de onda no penetra los conductores (efecto pelicular de alta frecuencia) * El modelo para esos instantes se simplifica a una red de capacidades distribuidas, que determina la distribucién inicial de esfuerzos «Esta distribucién de esfuerzos es la més critica en lo que dice rela solicitaciones en el cabezal del devanado ‘* El siguiente anilisis, llamado de ecuaciones estiticas, s6lo tiene validez para t=0 spp I 1 1 Ta - ; 1. 20) Fig. 3.11: Circuito equivalente para ecuaciones estiticas en devanado dq = Cy-de-u > dg /dx = Cu q =(Ce/dx)+ du dude = q/C Combinando: a@usde = (Cy/CLa solucién de la ecuacién diferencial para la distribucién inicial de potenciales se postata: u(xo) = Ase + Bee A= VO/C, [em] Las constantes 4 y B se deben evaluar para dos posibles condiciones en el extremo de la bobina: conectado a tierra o aislado de tierra. © Extremo conectado a tierra u(x=0) =0 > AtB=0 +» A=-B U(O0) = Afe* - e*] = 2AsenhAx u(x=L) =Uo > u(L0)= 2-A+senh AL = 2A senh a =U, Con a=L-2= V7 >» A= Us/Zsenha Finalmente, para extremo a tierra: u(%,0) = Uo senh (rx /L) /senh a io aislado de tierra 10.0)=0 > q(0)=0=Cy-du/dx > du/dx = > A=B U (0) =A e* + &*] = 2A cosh ix Enx=L > U(LO= Up +» A= Up /2cosha 7Finalmente, para extremo aistado: Ip + cosh (ax/L) /cosha Nota: Para un devanado de “N” vueltas, de largo “L” [em] de conductor, @ = LVG/C, = NVC, = VON (GIN) = YC/K C= capacidad total a tierra [F] K = capacidad serie total [F] Las siguientes figuras resumen el resultado de este anslisi UN 0.8 420 os 04 f 2 02 10 1008 06 04 02 9 %/¢ 10° 08 0.6 04 0.2 Neutro Aterrizado Neutro Aislado Fig. 3.12: Distribucién inicial de potenciales en bobina homogéneaConclusiones: + Enel caso mas comin, de neutro aterrizado, la situacién de distribucién ideat séto se fogra disminuyendo el parémetro a al valor cero. Para otro valor, la distribucién no es lineal, y el cabezal de la bobina absorbe mayor potencial. * Ef disefio de transformadores con respuesta adecuada a las solicitaciones transitorias, pasa por acercar lo mejor posible la caracteristica al valor a = 0, lo que implica aumentar la capacidad distribuida serie por encima de ta paratela. Maxima solicitaci6n inicial en el devaado Para el caso de bobinas con extremo aterrizado, el maximo valor del gradiente de potencial, es decir de solicitacién de campo, se alcanza en el extremo superio, x= L. d(x) /de Un (a /L) + cosh ( /L) /sente a y para x=L, Emax = Uo*(a/L)*coth & Para a>4, el valor de coth a1, de modo que el esfuerzo ini entrada del devanado resulta: E max = (@/L)+Uo Se concluye que en el devanado, la maxima solicitacién dieléctrica es proporcional al indice a, en tanto disminuye proporcionatmente con fa fongitud del devanado.3.3. Distancias exteriores Las distancias exteriores del transformador son separaciones de aire 0 fronteras aire- sélido: Distancias libres entre terminales de fase, reguladas con difusores de campo Distancias libres fase — estanque de expansién u otros objetos en la superficie del tanque Distancias fibres entre cada terminal de fase y la superficie del tanque Distancias de fuga de los aisladores pasantes al tanque del transformador. Fig. 3.13 : Distancias externas en transformadores Estas distancias se ven solicitadas en forma critica por los esfuerzos transitorios del sistema eléctrico, y su especificacién debe tomar en cuenta el nivel de impulso de rayo o el nivel de imputso de maniobra adjudicado al sistema, segtin el estudio de coordinacién de aislamientos. 40En los sistemas de AT (Vx < 245 kV), predomina normalmente el nivel de impulso de rayo como solicitacién critica, de acuerdo al cual se selecciona el aislador pasante (bushing) en altura y longitud de fuga, manteniéndose como criterio general que fa distancia entre fases sea a lo menos igual a la altura del terminal de fase respecto del tanque. Estos criterios asumen que las solicitaciones de impulso de rayo son Gnicas para un instante dado, es decir afectan a una sola fase, desprecidndose el efecto de induccidn por onda viajera en las fases no afectadas directamente por el rayo. En todo caso, el nivel de impulso critico de rayo corresponde siempre a la polaridad positiva para distancias de aire. En los sistemas de EAT (Vy > 245 kV), las solicitaciones transitorias de mayor amplitud corresponden a esfuerzos de maniobra, y el criterio anterior 20 es suficientemente adecuado, puesto que una maniobra de interruptores afecta normalmente a mas de una fase del sistema y de forma asimétrica. Entonces la manera adecuada de orientar el estudio de distancias geométricas para solicitaciones de maniobra es mediante un modelo de doble excitacién, positiva y negativa, aplicadas cada una de ellas a dos fases vecinas en forma simultinea, como indica la figur: Generavoncs fo So “o oy 1 ' ! 1 L ® tam x Lams bm _—tn—4 or Fig. 3.14 : Estudio de distancias criticas para solicitaciones de maniobra atLa solicitacién simulténea del sistema modifica sustancialmente el resultado en relacién a aplicar una solicitacién en una fase estando la otra a tierra, pues entran en consideracién aspectos fisicos de la respuesta del aire tales como: + Formacién de pantallas electrénicas en la vecindad del electrodo solicitado con polaridad negativa + Redistribucién de carga espacial a lo largo del eje vertical, que genera puntos de muy alto gradiente de potencial en zonas intermedias del aislador, propensas por tanto a la ruptura dieléctrica La siguiente figura ilustra el resultado de estos experimentos ( Studinger-Weck / 1986 ), donde se aprecia la gran disminucién de la tensién soportada efectiva, por efecto de la solicitacién simulténea con ondas de maniobra: o > sm = fA $00] ts S. a Fig. 3.15: Flashover por STM, Vea para solicitacién simultinea ambas polaridades Las lineas punteadas enmarcan el rango mds frecuente de relacién de amplitudes entre la solicitacién positiva y negativa. Si se toma como referencia un eje intermedio entre estas fronteras para varias configuraciones de aisladores con diferente altura, y se asume el criterio tradicional de hacer iguales la altura al tanque y la distancia entre fases, se puede graficar la altura H {m] en términos de la amplitud de la sefal de maniobra solicitante [kV]: 421000 +500 ww 700 Yo — Fig. 3.16 : Altura minima del aislador de fase, segan criterio de STM Desde el puato de vista de la coordinacién de los aislamientos, esta tensibn critica Vsovs se iguala a la tensin solicitante Vyo, es decir la amplitud de STM con 10% de probabilidad de ocurrencia, Para especificar la distancia minima “s” entre fase y tanque de expansién , se puede referir al siguiente diagrama: jeer +000 is | soo 1: valores ealeladon acer sear a eee Fig. 3.17: Tensién Vio en términos de la distancia fase - tanque para STM positive a3Capituio 16 Ensayos de Alta Tension en Transformadores de Potencia 7.1. Enfoque del Tema Los transformadores dé potencia se someten a un variado conjunto de ensayos, a fin de verificar sus especificaciones de disefio, y prevenir eventuales debilidades de materiales frente a solicitaciones tipo. El transformador de potencia trabaja con una elevada densidad de energia, del orden de 1 [MW/m’], lo que implica una gran solicitacién a los materiales que lo compones conductores, materiales magnéticos y materiales dieléctricos. De estos tres, el més solicitado energéticamente es el elemento dieléctrico dadas las bajas permitividades relativas de los materiales empleados ( papel-aceite, c,< 4). Wp = %-D-E = %-e-E? [J/m'] La densidad de energéz admisible en el aislamiento del transformador esti limitada por la estabilidad térmica de la misma, la que se compromete criticamente sobre los 130 °C. El papel impregnado es tipicamente c!~sificado en clase térmica A, lo que implica una maxims temperatura de trabajo de 105°C. Las nuevas tecnologias de dieléctricos sintéticos aspiran a la clase térmica B, con temperaturas de trabajo de 130°C. De este modo, es légico comprobar que las pruebas mas restrictivas a que son sometidos los Transformadores, corresponden a aquellas en que se solicita criticamente el aislamiento: pruebas dieléctricas, calentamiento e impuiso. Complementariamente, ensayos de indole electromecinica, como cortocircuito y desplazamiento de bobinas, prevenir deformaciones del aislamiento s6lido, mas alld de su limite elastico, El presente tema se enfoca desde el punto de vista de los ensayos mas exigentes dirigidos a ia especificacién dieléctrica del Transformador, como son Descargas Parciales e Impulso. Como contexto, se informa del total de pruebas y su clasificacion general.72. Clasificacién de los Ensayos a Transformadores Las pruebas se clasifican en tres grupos: (1) Pruebas individuales. (2) Pruebas de tipo. (3) Pruebas especiales. Pruebas Individuales * Medicién de resistencias en devanados. 5 © Medicién de razén de transformacién, grupo de conexién y polaridad. © Medicién de impedancia de cortocircuito y pérdidas de Joule. © Medicién de pérdidas de vacio y corriente de magnetizacién. © Pruebas dieléctricas: tensién aplicada, tensién inducida, descargas parciales, * Control al aceite mineral: rigidez dieléctrica, factor de pérdidas, resistividad volumétrica, tensién interfacial, acidez, humedad, etc. Pruebas de Tipo © Ensayo de calentamiento. + Ensayo de Impulso. + Ensayo de cortocircuito. Pruebas Especiales ¢ Impedancia de secuencia cero. ¢ Nivel de ruido. * Arménicas en corriente de vacio.73. Esquema Dieléctrico de un Transformador (Aislamiento interno) La Fig. (1) nos muestra em forma esquemética los grupos internos de aislamiento correspondientes a un Transformador: a) aislamiento principal b) Aislamiento secundari ©) Aislamiento entre espiras 8) aislamiento longitudinal Fig. 7.1. : Esquema dieléctrico del Transformador AISLAMIENTO PRINCIPAL: distancias dieléctricas a masa (miicleo 0 tanque). Consiste de papel impregnado, placas impregnadas y distancias de aceite, AISLAMIENTO SECUNDARIO; distancias dieléctricas entre bobinas (alta tensidn, fases vecinas y alta—baja tensién). Consiste de papel impregnado, placas y distancias de aceite. AISLAMIENTO DE ESPIRAS: separacién dieléctrica entre vueltas de una misma bobina. Consiste en papet impregnado. AISLAMIENTO LONGITUDINAL: fronteras dieléctricas papel-aceite que pueden verse solicitadas tangencialmente por una componente de campo eléctrico. Los ensayos dieléctricos, mas ef ensayo de impulso, componen la gama de solicitaciones que verifican estos aistamientos, a sabe TENSION APLICADA Aislamiento principal y secundario, Verificacién de la clase de aislamiento. TENSION INDUCIDA + Aislamiento secundario y principal. DESCARGAS PARCIALES : Estado microscépico del aislamiento total (transversal y longitudinal). IMPULSO + Aislamiento de espiras.7.4. Niveles de Aislamiento, Segtin IEC 76-3 Definiciones: Tension méxima de equipo, Um , €s el maximo valor de tensién linea-linea para el cual se isefia el aislamiento de un devanado de transformador. Se expresa en [kVef]. Nivel nominal de aislamiento (para Uz < 300 kV), es el valor de Ia tensién soportada en solicitacion de impulso y frecuencia industrial de corta duracion, in se verifican mediante Los niveles de tensién soportada que definen los niveles de aisla ensayos dieléctricos, segin el nivel de Un. Valores normalizados para Um, s¢ dan en las tablas II a V de la norma indicada (segin les en diferentes paises), junto con los nivel de tension sopertada que definen te nivel de aistacién. Rated short dur Rated lightning impulse ree power frequency for equipment Ug Tensiones de ensayo soportadas para transformadores con Um <300 kV Para valores de Un > 123 kV, se dan alternativas de tensiin soportada, ! que seran discernidas de acuerdo a las condiciones de operacién del sistema (coordinacién de sislaciones, IEC 71-1).7.5. Ensayo de Descargas Parciales 7.5.1. Conceptos Generales DESCARGA PARCIAL (DP) es una descarga localizada de baja energia que ocurre en puntos del aislamiento donde la solicitacién supera la rigidez dieléctrica de un espacio microseépico, designado como vacuola. Por solicitacién se entiende la intensidad de campo eléctrico, o gradiente de potenci E(a)=0U |x. La rigidez dieléctrica, Edjes la maxima intensidad de campo tolerado por el material en un volumen incremental. En aire, se toma como referenci 4,5 [kV/cm] Las D.P. se pueden clasificar en dos tipos, segiin ocurran en espacios abiertos (por ejemplo, una descarga punta-placa) o al interior de un material. Lay primeras se laman cominmente “descargas corona”, y son caracteristicas de sistemas de alta tensién en aire. Las segundas se denominan “descarga internas”, y son las que comprometen el aislamiento ido de los transformadores. La FIG. (3) muestra el desarrollo temporal caracteristico de una descarga corona abierta. Se aprecia una duracién del pulso principal del orden de 100 [ns], con un frente muy abrupto, en el orden de 1 [ns] “t 1008 Fig. 7.2: Desarrollo temporal de la desearga parcialUn modelo fisico para un dieléctrico solicitado con D.P. y su correspon circuital se muestran e0 las siguientes figuras: DieLicreico Fig. 7.3 : Modelo fisico para dieléctrico con descargas parciales U: tensién aplicada Z: impedancia de alimentaciin capacidad de la vacuola -apacidad de material sano, en serie dieléctrico sano resistencia de descarga S: espinterémetro de descarga ircuito equivalente En un dieléctrico sélido, las vacuolas corresponden a espacios vacios, rellenos de gas, ‘regularidad del volumen, que bajo ciertas condiciones clectro- originados en alguna quimicas, sufre un proceso de gasificacién.7 Las D.P. son repetitivas y pueden ocurrir varias en cada ciclo de la sefial de frecuencia industrial que solicita al dieléctrico. El dafio es progresivo, y puede acelerar el envejecimiento del transformador. La siguiente figura ilustra este proceso: oft) 7 %e, (€) i (0: pulsos de corriente Carga transferida: Q= J (0) dt 7.5: Desarrollo temporal de las descargas La D.P. se puede caracterizar por los siguientes parametros: ‘+ Tensién de iniciacién, U,, es decir, el valor de la tensién U para el cual se activa el proceso de descarga en la vacuola, + Tensién de extincién, U, 0 valor de U para el cual se desactiva el proceso de descarga en la vacuola, ‘+ Carga Q transferida a C; durante el proceso de descarga. + Potencia de pérdidas o tané del circuito dieléctrico solicitado en D.P. EI pardmetro mas significativo es la carga eléctrica Q transferida en la vacuola, En la prictica, sélo es posible conocer la carga desplazada desde los terminales externos, ya que Ci no es determinable (capacidad, ni ubicacién). Se le denomina descarga aparente y su unidad de medida es [pC].8 Qa €s una imagen de la descarga real, pero no es cuantificable la proporcién en que Ia representa. Se puede demostrar que la potencia de dafio de las D.P., es proporcional a la descarga aparente, por lo que es un pardmetro eficaz. La descarga aparente no es directamente leida por el instrumental de Laboratorio, pues ocurre una atenuacién propia del circuito de medida. El factor correspondiente se puede medir o calcular. La interpretacién del resultado de medicién de Q, es especialmente dificil, por las siguientes causas: + La descarga real encuentra miiltiples caminos de acceso al terminal medicién, como ser la malla de capacidades de dispersién, los acoplamientos entre devanados. + El pulso real sufre en su desplazamiento, rebotes y deformaciones segiim las leyes de fas ondas viajeras. 7.5.2, Circuitos de Medicién IEC La FIG. (6) muestra los ci a) a a7 condensador de scoplamiento Zu: Impedancia de medicién Fig. 7. 6 : Circuitos IEC para medicién de Descargas Parciales Los circuitos se diferencian en Ia ubicacién de la impedancia de medida Zy segin si la probeta C, esti o no conectada a tierra duraate el ensayo.9 Cy Cx y Zw forman un circuito de baja impedancia para la circulacién de la carga transferida en la D.P. Se puede demostrar que la descarga aparente y Ia descarga medida se relacionan segin: K = factor de correccién En ua circuito real, ademas de Cy y Cm se debe contar con la capacidad de Ia fuente, la capacidad del divis ny las capacidades pardsitas del circuito, por lo que K no tiene una formul: Por esta raz6n se emplea un pulso de calibracién Qo (valor conocido), que se inyecta al terminal de C, estando el circuito desactivado. La lectura Quip permite entonces conocer el valor exacto de K: La realizacion prictica de Zm puede seguir 2 modelos: + Resistencia pura, de respuesta exponencial. * Impedancia mixta, RLC paralela, de respuesta oscilatoria. El modelo 6hmico tiene una respuesta en frecuencia més extendida, en tanto las impedancias RLC son tipicamente sintonizadas. Ambas deben estar calculadas para reflejar en forma adecuada la amplitud y la duracion del pulso de la D.P.7.5.3. Montaje del ensayo de D.P. La FIG. (7) muestra el esquema de montaje para el ensayo de D.P. en un transformador monofisico. Fig. 7.7 : Medicin de DP. en Transformador monofisico Se describe a continuacién los requerimientos de sus principales componentes: F: Filtro pasabajos, consiste de un ci I- LC, cuya banda de rechazo en frecuencia, coincide en lo posible con la banda de sensibilidad del detector, previnierdo asi la medicion de ruides externos, No debe amortige.r sefiales en frecuencias bajas (< 500 Hz), correspondientes al rango de excitacién en tensién inducida. Cx: Condensador de Acoplamiento, se elige de acuerdo # Ia frecueni buscando una adecuada respuesta de am-litud relativa, como se indica en la FIG. (8). En general, 500 < Cx < 2000 [pF] — A= J ec | 7 i Oro2 05 1 2 8 10 20 CyInFl Respuesta relativa segin valor de CyM: Detector de D.P. El conjunto Cx- M forma un sistema pasabanda, cuya sensi en ef espectro de frecuencia deberé ajustarse a {as caracteristicas de las D.P. medidas. El espectro de frecuencia de un tren de D.P. presenta una amplitud pricticamente constante, desde 0,1 a 2 [MHz|, por lo que tipicamente se fabrican detectores en los siguientes rangos: Modelo de banda amplia : 40 - 500 kHz Modelos de bandaestrecha: fo = 0,5- 1- 1,9 MBz Af 20KBz Las D.P. son amplificadas con mayor 0 menor ganancia segdn sea fa sensibildad def detector. Las mediciones alternativas son en general comparables puesto que el circuito calibrador (inyector de carga Qu) hace las veces de patrén de referencia. Qo: Cafibrador, consiste de un generador de pulsos de tensién, (~ 10 V ), que son transferidos a través de condensadores de alta estabilidad. Entonces Qu = Cy Uy . El frente del pulso esta en el rango de 1 [ns], para representar adecuadamente las D.P. Las lecturas se obtienen en [pC], en escalas tipicas de 5 - $0 — 500-5000 y 50.000 [pC] . La FIG (9) representa el montaje del ensayo para un Transformador 3, en que Ia medicién se va realizando sucesivamente a cada una de las fases. Si se dispone de tres condensadores de acoplamiento, se puede hacer la medicién en forma simultinea, usando una fave selectora que conecte fa impedancia Zx a cada fase. Fig. 7.9: Montaje para medicién de D-P. en Transformador 3La FIG, (10) representa en forma esquemitica ia modalidad ffamada del “Tap capacitivo”, que consiste en reemplazar el C,, externo por el condensador incorporado al pasador, que normalmente se emplea como divisor de voltaje. La limitacién en este caso es et bajo vaior de Cx que suete conseguirse, fo que redunda en una atenuacién de amplitud en la descarga medida (FIG. 8). Fig. 7.10 : Ensayo de Transformador 3 segiin método de “Tap ~ capacitive” 7.5.4, Desarrollo del Ensaye de D.P. Preparacién del campo de prueba. El ensayo debe realizarse en bajas condiciones de interferencia, las que pueden provenir de tres fuentes: * Desde la red, lo que se pretende controlar con los filtros de potencia ya mencionados. + Par radio emisién desde antenas o fuentes de ruido cercanas. * Por descargas corona externas, causadas en la misma probeta por el elevado potencia) de ensayo,3B La radio emisién slo se puede controlar mediante blindajes en la sala ensayos, lo que no siempre es posible realizar. Como alternativa, se puede medir en horas 0 dias de menor emisién; se recomienda un nivel base <5 pC para el ensayo de Transformadores, El control de las descargas corona si depende del experimentador, para lo cual es importante respetar las 1s minimas entre puntos energizados y partes metalicas vecinas, y dimensionar difusores de campo adecuados los terminales de medicién. (FIG. 11). Las normas especifican como nivel total de ruido limite aceptable, 100 [pC] a plena tensién de ensayo. Ute 1000 10 10 100 1000 Fig, 7. 11: Difusores de campo pai ‘apantallamiento del efecto corona Preparacién de la probeta. Después del secado y llenado de aceite, el Transformador debe permanecer en reposo un plazo minimo de tiempo, a fin aleanzar una adecuada impregnacién del aistamiento, la decantacién de fibras y particulas, asi como la separacién de gases. Se debe limpiar cuidadosamente el tanque y los pasadores, y cortocircuitar los transformadores de corriente incorporados. Finalmente se controla el nivel de aceite y se procede a una desgasificacion final de los pasadores.4 Calibracion del circuito de medicion: Mediante la inyeccién de un pulso de carga conocida Qo, se procede a medir el factor de correccién K. La sensibilidad del detector se compromete con este factor, y es mejor cuanto menor sea K. En sistemas con condensador de acoplamiento auxiliar, K = 1 ... 2. En ensayos que emplean el tap capacitivo, K = 4... 20, Perfil de solicitacién: El ensayo de D-P. se realiza conjuntamente con 1a prueba de tensién inducida, siguiendo el perfil de tensién v/s tiempo que se muestra en la FIG, (12), segin [EC 76-3. Fig. 7.12 : Perfil de solicitacién segin TEC 76-35 EI valor base de la ordenada es Ia tensién Um es decir, la maxima condicién de tension linea-linea, en JkVef]. Los escalamientos inicial y final pueden tener mas o menos niveles, segan el acuerdo entre fabricante y cliente. La duracién de cada escalén es asimismo ajustada de comin acuerdo. En cada escalén se realizan mediciones en las tres fases, pero los limite de aceptacién se realizan como se indica, al 130% o al 150% de la tensidn de fase correspondiente 4 Um. Estos limites son los siguientes: 500[pC] paral,5 oy 300[pC] para1,3 “ Los niveles de ruido deben mantenerse inferiores al 50% de los limites aceptados en cada caso. La solicitacién extrema, que tiene como limite la tensién Um {kVef .-1], aplicada entre fase y neutro, simulando la condicién temporaria critica por falla a tierra, se mantiene durante algunos segundos, (5 segundos segiin IEC, 30 segundos segin otros usuarios). No existe restriccién para el nivel de D.P. en este periodo, y la medicién suele ir acompafiada de un elevada descarga corona. 7.5.5. Interpretacion de Resultados EI nivel aleanzado por las D.P. no constituye por si solo un diagnéstico de! transformador. Es necesario compiementarlo con una interpretacin de los diagramas osciiogrificos que acompaiian la medicion. Estos pueden presentarse en dos formas: diagramas sinusoidales y diagramas elipticos. En realidad contienen idéntica informacién y uno puede ser referido al otro. La FIG. (13) muestra algunos casos de D.P. claramente identificables en diagrama sinusoidal, FIG. (14) muestra lo equivalente en el diagrama eliptico alternativo.(rosye ts aize) Doster Beasuses Courmc ros fermeotay : i xB, CD, : feeeseed co wae 4 OBIETOS METALICOS J CE RCANGS , NO CONECTADOS Emacionaria owe ye iene i creicemio | [Amborsemiciton |Sélocean ‘ viele sero t i Fee Sepin aaciin & | Ferman comt | v Smplted a [ Lo | Se Aine ocas clevarvoliaje Aumenta, J | = | WY renee Contante | " cambio dels | Decne es M | + p= tiosive flsdensl [ree tooe TJ z somes Cree rape fh pas courses COPE Posibiesituacion | A&C OF FSH J KLM iagramas sinusoidales de Descargas Parciales y criterias de diagnéstico Fig. 7.13:Fuente de descarga Patron de descargas Patrones frecuentes de Descargas Parciales en Transformadores Caracterist Pulsos de amplitud fj ‘Aumento en el numero Cavidad en sal Corona de punta = distribucién uniforme | de pulsos aguda en aire alrededor de cresta de 7 voltaje ‘VID bien definidy por | Pequesio o ningiin efecto Descurga interna Ee lo encima del MDD. Pulsos con amplitud similar o diferencias de hasta 3: Descargas internas mil descargas superficiales Pulsos simétricos en ambos semiciclos, Diferencias de amplitud hasta 1:3 vID> MDD VED VED Amplitud variable Resolucion para baja tension, pero no | resueltos en alta tension. } ‘Amplitud erece | al aumentar, Fig. 7.14 : Diagramas elipticos de Descargas Parciales7 Para calificar el estado de un aislamiento respecto de sus descargas internas, son validos Jos siguientes criterios compiementarios: La tensién de mn de extincién U, deben queda razonablemente por encima de la tensin de servicio del sistema. De este modo se garantiza que cuando tensiones temporarias desencadenan las descargas, éstas ao permaneceran cuando ta tensién recupere su valor normal. EI grifico de D.P. v/s solicitacién en los escalamientos de subida y bajada, puede tener una histéresis importante. Esto es indicacién de D.P en el aceite (burbujas), en cuyo caso se debe repetir el ensayo, previo reposo y desgasificacién del transformador. El grafico de L-P. v/s tiempo de solicitacién puede indicar una tendencia creciente 0 estable. Este Ultimo caso es atenuante, cuando el nivel supera tevemente fos limites prescritas. + De persistir dudas acerca del estado del aislamiento, se puede realizar un anilisis mas protongado, por ejemplo durante algunas horas, a 130% de la solicitacién. La localizacién de las descargas por métodos Spticos o aciisticos de ultrasonide son un eficiente complemento para el diagnéstico. Las causas mas frecuentes de un excesivo nivel de D.P. soi + secado insuficiente de las partes activas control inadecuado del vacio durante la impregnacién * mala puesta a tierra de partes constructivas no eléctricas fattas de materiales 0 fallas de montaje errores de dimensionamiento de materiales.CARAT 7.6. Ensayo de Impulso de Transformadores 18 7.6.1. Conceptos Generales Sabretensiones en redes de alta tension diferentes La Fig. (15) muestra un esquema amplitud-tiempo para definir tos rangos de | sobretensiones en redes de alta tensién. : TTT io* 30% 107 10% 107 iO" 10 10 10° 1 f Fig. 7. 15 : Sobretensiones en redes de alta tensién, Se distingue 3 rangos: Rango A: Sobretensiones externas (Rayo). asociada al lugar de descarga. En el caso de ffneas de transmisiGn, conforman sefiales con frentes de! orden de [ys] y tiempo de decaimiento del orden de 100 [us]. Valores estadisticos de corrientes de rayo son del orden 10* [A], y las impedancias asociadas a los canales de descarga, del orden de 100 [Q] . Es frecuente que por efecto de sobretensiones externas, se operen descargadores o espinterémetros de proteccién, o se contorneen cadenas de aisladores. La FIG. ({6) muestra las formas de onda normalizadas que modelan estos fenémenos.Fig. 7. 16: Formas normalizadas para sobretensiones de rayv. (a) Plena, (b) Cortada, IEC 76-3 Rango B: Sobretensiones internas (maniobras). La operacién de interruptores conduce a fendmenos de redistribucién de energia en las redes, que van asociadas a sobretensiones, cuya amplitud y forma dependen de ta configuracién del sistema operado. La FIG. (17) indica la normaliza ondas para fines de ensayo. Yo os] oa 26 US a Fig. 7. 17: Impulso de maniobra, [EC 76~3Rango C: Sobretensiones temporarias Son sobretensiones de frecuencia industrial, con duracién en el orden de los [s}- Se originan principalmente en: Rechazo de carga : 1,1 a 1,4 [PU] Fallas 2 tierra : 1,2. a 1,7 [PU] Ferroresonanci Efecto Ferranti Tension soportada por diferentes sistemas de aislacién La FIG. (18) indica las caracteristicas de toferancia a solicitaciones tensién de los dos sistemas de aislacién presentes en transformadores: oly 3 spar 19 [rot 10 fio Ta Ho oh Go for wor | 12780 20/5000 — con Duracién de los ensayos. —————~ Caract ¥ :papel impregnado Caracteristica IT: distancias en aire Fig, 7. 18 : Tensién soportada por los sistemas de aislamiento NOTA: éctrica no es uniforme, sino depende de duracién de la solicitacién. Para cada rango de sobretensién se ha disefiado un tipo de ensayo, como se indica en la figura.7.6.2. Solicitacién Transitoria de Devanadas de Transformadores En la FIG. (19) se muestra el circuito equivalente para un devanado de transformador, consistente de una malla de inductancias y capacidades: L; inductancia distribuida ~ a capacidad distribui a i" del devanado 22 )¢ C,: capacidad distribuida & tierra = U-¥ : terminales Fig. 7. 19 : Circuito equivalente transitorio de un devanado de Transformador Durante el frente de onda, las inductancias llevan una corriente muy débil comparada con la que se distribuye por los condensadores. La distribucién inicial de esfuerzos a lo largo, del devanado, fuertemente no lineal, se regula por el factor de distribucion a= JC, /C, . \ealidad empeora. Ver FIG. (20). Con @ creciente, la no 1 LELLELE, 3 3 0 Fig. 7.20: Diseribucion inicial de 1 Jongitud def devanado Ara=10 Bra=02 Este resultado justifica las medidas de disefio tendientes a aumentar C,, a fin de controlar la excesiva concentracién de esfuerzo en el cabezal de la bobina. Durante la cola, las inductancias distribuyen 1a corriente principal, entregando una distribucién aproximadamente lineal de los potenciales. F1G. (21). entacola Fig, 7. 21 : Distribucién de potenci EI periodo intermedio entre el frente y ta cola, se caracteriza por fuertes oscilaciones de potencial en las diferentes alturas del devanado, las que pueden superar en algunos casos los esfuerzos iniciales. La FIG. (22) muestra (curva H) Ia envolvente asincrona de dichas oscilaciones. L 7.22: Maximas amplitudes durante las oscil:2B Se concluye que la solicitacién de impulso es claramente localizada: inicialmente solicita cl aislamiento entre espiras, y en la cola, solicita los aislamientos principal y longitudinal. Las ondas cortadas, constituyen una exigente solicitacién del aislamiento entre espiras, ya que los tiempos de corte son del orden de 0,1 [us]. 7.6.3. Generacién de Impulsos de Alta Tensién El generador de impulsos de alta tensién consiste bésicamente de una bateria de condensadores acumuladores de energia, que se descargan controladamente sobre el transformador, a través de un circuito que condiciona Ia forms de onda de la sefial de descarga. car | ve, t (® cincuire caneaat R R R R —w ve VR OL veo 1 —w— R n R R ©) cance Ri er/ ler /lea/ley a) Re ce © pesearca La Fig. 7. 23 : Esquema del Generador de Impulsos segin Marx,4 Los condensadores C, se cargan en paralelo a partir de la fuente de tensién continua, a potenciales del orden de 100 a 200 [kV] por etapa. Mediante el disparo sincronizado de fos espinterémetros F, las capacidades se conectan en serie, descargando su eaergia sobre la probeta C. Las resistencias Rs y Re dan la forma de onda. Dada ia elevada pendiente de crecimiento de las corrientes, en estos circuitos cobran especial importancia las inductancias distribuidas en componentes v conexiones. La FIG. (24) muestra el circuito equivalente del generador anterior. Al Ve Fig. 7. 24 : Circuito equivalente del Generador de Impulso de Alta Tensin Se puede demostrar que la tensin impresa al transformador toma la forma aproximada MnU, be} mpo del frente ~Rs-C constante de tiempo del frente ~Rp- Cy Para asegurar un amortiguamiento adecuado de las oscilaciones de alta frecuencia, la resistencia serie debe cumplir con L, se puede estimar entre 4 a 6 [nH] por etapa, mas 1 [wH} por metro de conexién externa. Relaciones para calibrar la forma de onda segin los parimetros del circuito de impulso, se describen en el unto (6.9).Rendimiento del Generador Se denomina rendimiento a la relacién entre la tensién de carga y la amplitud de la onda resultante: Energia del generador U}? [JOULE] n= mimero de etapas C, [uF / etapa] Ur [kV /etapa] La energia usual requerida es del orden de 10a 100 [kJ]. 7.6.4. Generacién de Ondas Cortadas igucn con !a operacién de un espinterémetro de 5: conectado en paralelo con la probeta, La separacién de las barras es proporcional a la tensién maxima del impulso y a! instante de corte. También tiene influencia la condicién atmosférica del momento de ensayo, Como punto de partida se puede emplear la informacién de la FIG. (25), y corregir la separacién mediante disparos de calibracién, estando la probeta separado del circuito, Las ondas cortadas se cor:oO Ikvi dt he {nieg. Pol.) 1200 1000 800 600 400 200 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 ¢ Imm] Fi, 7, 25: Tensién de ruptura en espinterémetro de barras prismaticas 12 x 12 mm7.6.5. Medicién de Impulsos de Alta Tension La amplitud y el desarrollo temporal del impuiso deben registrarse con precision, Para ello se emplea circuitos divisores e instrumentos de registro, segiin el esquema mostrado en la FIG. (26). Impedancia de A.T. Zy: Ampedancia de B.T. L Inductancia de dispersion Ry: Resistencia de amortiguacion MK : cable coax 2g: Impedancia de onda KO: osciloscopio Fig. 7. 26 : Sistema de medicion de Impulsos de Alta Tensién Las sefiales de salida del divisor deben representar fielmente las sefiales de alta tensién, y su amplitud debe estar en el rango de los 100 [V]. La razén de divisién depende de las impedancias Z; y Zz El cireuito de transmisin del impulso reducido (cable coaxial) debe estar compensado a fin evitar los rebotes ep los extremos. La sefial se re osciloscopio, en tanto la amplitud se mide en un voltimetro de valor maximo. La resistencia Ry, de acceso al divisor, cumple una funcién amortiguadora de L oscilaciones pardsitas.28 La realizacién practica de las impedancias Z, y Zz del divisor, tiene diversas soluciones: resistencias puras, resistencias compensadas con condensadores, condensadores puros ¥ condensadores amortiguados con resistencias. La solucién mas usual es el divisor capacitivo, como se muestra en fa FIG (27), i Rd se expresa por: Los osciloscopios empleados en el registro de seriales de impulso deben tener rangos de frecuencia sobre 20 [MHz], velocidad de escritura del orden de 1 (cm/ns], deflexién vertical hasta 100 [V/em], barridos desde 0,1 hasta $000 | 11s}. El disparo se realiza mediante un controlador llamado TRIGATRON o por pre-disparo interno. Un punto delicado es el blindaje a sefiates eletromagnéticas, lo que se logra con cabinas de medicién especialmente disefiados.29 EI voltimetro de valor maximo es un registrador de la amplitud alcanzada por el Su principio de operacién se muestra en la FIG, (28). De acuerdo a norma, la precision debe ser mejor que + 2%. Fig. 7. 28 : Circuito equivalente del voltimetro de maximo Tiempo de respuesta: Todo sistema de medicién introduce algén retardo en su respuesta a sefiales muy répidas, ilustra en la FIG. (29). 2 Z [| a a) Onda Plena: b) Onda cortada en el frente impulso 5 = error de medicis sefial medida T = tiempo de respuesta Fig, 7.29: Retardo de respuesta del sistema de medicién de impulsos30 El retardo se mide ingresando al sistema de medicién un tren de pulsos cuadrados, con frentes del orden de los [ns], y registrando la respuesta, como muestra en la FIG. (30). ret. 2 constante de tiempo del circuito de medida 1: respuesta al escalén Fig. 7. 30: Tiempo de respuesta al escal6n ideal31 Contrastacién del sistema de medicién con el espinterdmetro esférico. La precision de estos aparatos est en el rango de + 3%, por lo que en estricto rigor no se puede hablar de calibracién. Sin embargo, dada la simplicidad de este dispositivo, puede resultar conveniente su empleo cuando existen dudas acerca Ia precisién del sistema de medicién. La FIG, (31) ilustra acerca del montaje, formula de correccién y valores normalizados de diferentes espinterémetros. (NORMA IEC 52). $ tem} ——+ 1000 1500 2000 1s as 458 a 90 390 us 90 90 90 9090 99.0 8 Mest ast ash ash st ast ash 0 Fae 7 SS ISS 2s ats 0 Fe 388 ae 0 gr tae aa c oo" ao 492 05510 310 mo Os 660 BIS 100 205 20 os ons Ms 180 3 wo a5 953965918 ry 1280 13101340 0 1600 * Sefates alternas (amplitud), Continuas, Impulsos negativos ** Impulsos positivos Fig. 7.31: Espinterémetro esférico, montaje y amplitud de ruptura32 7.6.6. Medicién de la Corriente de Impulso Como se vera posteriormente, uno de los elementos de juicio acerca del resultado det ensayo de impulso, es fa comparacién de los oscilogramas de corriente para diversas solicitaciones. Esta medicién se reatiza a través det patencial que Ja corriente subsecuente al impulso imprisne en una resistencia Rs, como se indica en la FIG. (32). 4 & i= s+ Resistencia de medida * Ly 2x, : lmpedancia de} cable me) OD Re: Resistencia de acopamiento = an Fig. 7, 32: Medicién de la corriente de impulso Rg suele tener valores entre 0,1 y 20 [O}, y se elige el valor que se corresponda con Ia corriente maxima del impulso y ei valor admisible en lo instrumentos de registro. La corriente de impulso se puede medir de acuerdo a tres esquemas de conexion de Rs: Fig. 7. 33 : Conexién de la resistencia de medicin de corriente33 a) Medicién de la corriente acoplada capacitivamente a un devanado no ensayado y cortocircuitado, b) Medicién directa de la corriente de impulso en el devanado ensayado ©) Medicién de la corriente total recogida capacitivamente por el tanque del transformador. (Tanque levantado de tierra). NOT: Ciertamente, estas corrientes pueden ser muy diferentes, pero el objetivo de medir la corriente es comparar las formas para dos niveles de solicitacién, por lo que sélu interesa que las mediciones se ejecuten en el mismo punto. 7.6.7. Circuito de Tierra Las corrientes que det circuito principal tienen elevadas amplitudes, en el orden de [kA], y tiempos de desarrollo muy breves. Si se considera para los conductores de interconexién, inductancias distribuidas del orden de 1 [ H/m], pueden resultar caidas 0 diferencias de potenciai de varios [kV] entre puntos del sistema de ensayo que aparentemente son equipotenciales. Por ejemplo, para una corriente de 3000 [A], con frente de 1 [5] se tendria en un conductor de 4 [m}: suai 4-10 -3-10?-10° =12|kv] Potenciales de esta envergadura, asociados a conductores supuestamente al potencial de tierra, pueden originar problemas de seguridad, ademas de distorsionar las mediciones. Especialmente peligrosas resultan las operaciones de corte de onda. La Fig. 34 muestra un esquema elemental de las condiciones descritas.Cs: Capacidad parisita C,: Capacidad a tierra Resistencia de puesta a tierra Sefial de impulso iferencia de potencial entre referencia y tierra real. Tierra de referencia Fig. 7. 34: Circuito de tierra en la medicién de impulsos Las siguientes medidas deben seguirse para minimizar los problemas indicados: + Emplear de uniones metalicas de baja inductancia (planchas en vez de cables). ¢ Aumentar de las capacidades pardsitas C. a fin de disminuir el potencial U,: + Minimizar la resistencia de puesta a Es deseable que el campo de prueba disponga de una mafla equipotencial desplegada bajo la superficie de ensayo, y que ésta se encuentre wnida a electrodos de profundidad.35 7. 6.8. Circuito de Ensayo de Transformadores de Potencia La FIG. (35) muestra un esquema general para el circuito de ensayo. G.L: Generador de Impulsos P: Probeta (Transformador) Fig. 7. 35: Ensayo de Impulso a Transformador: circuito general Se puede distinguir tres part * Circuito principal de impulso: Generador ~ conductores — probeta - resistencia de corriente - retorno. * Circuito de medicign: divisor de tensién - cables de medicién de tensién y corriente. * Circuito de corte de onda: espinterémetro de corte. Se debe notar que el circuito tiene un solo punto de puesta a tierra, llamado “tierra de referencia”, que es comin a los tres sub-cireuitos que componen el sistema.36 7.6.9. Dimensionamiento del Circuito de Impulso El dimensionamiento final de un circuito de impulso es fruto de la experiencia, y en general cada laboratorio desarrolla un procedimiento de calibracién, de acuerdo al generador disponible y a las caracteristicas de los transformadores ensayados. Las siguientes consideraciones sirven de orientacién general. Lo ideal es partir con una modelacién lo més exacta posible del transformador y el circuito de ensayo en un computador, de modo de calibrar Ia forma de onda mediante ajustes sucesivos, sin necesidad de montajes reales, que consumen gran cantidad de tiempo y esfuerzo, Para ello, es importante distinguir dos grupos bésicos de probetas, segin sea la inductancia de sus devanados: alta (> 100 [mH]) o baja (< 20 [mH]). La inductancia que el transformador presenta al impulso, depende de la conexién que se use en el ensayo, como se indica en la FIG. (36). <= | TW[LATTAIA crue | equivalente Lee = Inductancia de cortocircuito = U? [kV it] * Zee [%] / 100+ w» Sy [MVA] Fig. 7. 36: Inductancia del transformador para ensayo de impulso ‘ara transformadores con L > 100 [mA], se muestra en la FIG. (37) los circuitos de impulso y las formulas para dimensionar sus componentes. Los circuitos (a) y (b) difieren en la ubicacién de la resistencia paralela, lo que modifica levemente el rendimiento del circuito. Para transformadores con L <20 {mA\, el circuito equivalente se muestra la FIG. (38). En este caso, el dimensionamiento se basa en la respuesta oscilatoria amortiguada del sistema, para un factor de amortiguacion K=0, (Norma IEC 76-3).37 SS. A, 7.37: Circuitos de ensayo para transformadores con L > 100 [mH SF. R, de ensayo para Transformadores con L <20 [mil]38 7.6.10. Conexién de Transformador para el Ensayo de Impulso La conexién del transformador iafluye en Ia solicitacién misma de los devanados, en la sensibilidad de la medicién y en la forma de onda, es decir en la calibracién del circuito de imputso. En general, 1a conexién debe ser lo mas semejante a la situacién real que tendra el transformador en el sistema de potencia, asumiendo que a solicitacién transitoria proviene desde una linea. La FIG (39) muestra diversas alternativas de conexién, para transformadores y autotransformadores monofisicos, transformadores bifasicos y trifdsicos. Fig. 7.39 : Conexi6n de Transformadores para ensayo de Impulso Los devanados no ensayados se cortocireuitan y conectan a tierra, directamente oa través de resistencias (< 500 © ), en caso de probetas muy oscilatorias ( L.. muy bajo). En este caso, se debe garantizar que en el terminal de conexién no se supere cl 75% de la tension de prueba del devanado.39 Especial cuidado debe darse a la conexién que durante el ensayo de impulso tenga el cambiador de la bobina de regulacién, (caso de haberla). Usualmente, ésta viene prescrita por el fabricante. A falta de indicacién, conviene ensayar cada fase con distinta posicién del regulador (por ¢j.: alta media y baja). Si el cambiador tiene regulacién gruesa y fina, se sugiere alguna de las alternativas de la FIG. (40). Es necesario tener informacién acerca de los esfuerzos criticos que podran ocurrir entre las bobinas reguladoras, por ejemplo mediante un ensayo de impulsos repetidos, a fin de estar prevenidos frente a posibles operaciones de los descargadores de proteccién. Peat Etereny %, Racouesn Fae Fig. 7. 40 : Ensayo de Transformador con doble bobina de regulacién 7.6.11. Desarrollo del Ensayo de Impulso Antes de proceder a un ensayo de impulso, deberé establecerse claramente un acuerdo entre fabricante y cliente, acerca de los siguientes puntos: ‘+ Devanados y terminales que se someten a impulso. Secuencia de solicitaciones, amplitudes, ondas cortadas. Conexién del transformador para el ensayo. Criterios de aceptacién del ensayo. El ensayo de impulso debe realizarse s6lo cuando las pruebas dieléctricas han sido exitosas, ya que en caso de duda, puede constituirse en un ensayo destru40 La calibracién del circuito de impulso y las tolerancias de las formas de onda deben contrastarse con disparos de baja tensién (~ 25% de la tensin de ensayo). Para una onda normalizada 1,2/50, las tolerancias segin TEC 76-3, son: Frente Ty=1,2 2s,+30% (0,84 1,56 4s) Cola T2=50 4s, 420% (40-60 ys) Para transformadores en aceite, la potaridad de la onda de ensayo es negativa. Las sobre - oscilaciones en la cercania del frente no deben pasar el 5% de la amplitud de cresta, definiendo (7 segiin los casos mostrados en la FIG. (41), de acuerdo a la duracién de la oscilacién sobrepuesta. Fig. 7.41 : Definicin de la amplitud para impulsos oscilatorios en la cresta Los tiempos de frente quedan definidos por las resistencias serie Rs y la capacidad total que recibe el impulso. Si ésta es muy elevada, debera reducirse Rs, pero se entra entonces a comprometer la amortiguacién de las oscilaciones. Para estos casos, debera aceptarse tolerancias mayores en la sobre-oscilacién y en el frente de onda, segin las posibilidades del equipo de ensayo. El espinterémetro de corte de onda debera calibrarse con anterioridad al ensayo, de modo de lograr tiempos de corte entre 2 y 6 [1s]. Un ajuste de esta calibracién se puede realizar con la probeta conectada y solicitaciones de 50%,41 El programa de disparos es el siguiente: a) Una onda plena, con amplitud 50% del nivel de aislamiento. Esta solicitacién, que se supone no causa problemas al aislamiento, se emplea como referencia para examinar los oscilogramas de tensién y corriente, bajo las sol que siguen. b) Una onda plena, con amplitud 100% del nivel de aislamiento. id 50% del nivel de onda cortada jento) ¢) Una o varias ondas cortadas, con am, prescrito por la norma (110% nivel de aisia d) Dos ondas cortadas, con amplitud 110% del nivel de aislamiento. €) Dos onaas plenas, con amplitud 100% del nivel de aislamiento. 7. 6.12, Andlisis de Resultados El transformador aprueba el ensayo cuando los oscilogramas de referencia, (50%), son idénticos a los correspondientes con ondas 100%, provision hecha de ajustar las ganancias de amplitud del osciloscopio, en forma adecuada, Se compara tensiones y corrientes de ondas plenas. En caso de contar con ondas cortadas reducidas y plenas, con idéntico instamfe de corte, puede también analizarse esta comparacién. Las diferencias de fase, de sobre-oscilaciones, de amplitud, etc., son indicadores de falla. El instante en que se origina la diferencia es indicativo de la zona amagada. La interpretacién exacta de Ia falla a partir de los oscilogramas requiere de mucha experiencia, y en general solo puede ser ilustrada con casos co: batesCompanaasy DE Commicures ComPanaccn Be conmiannes Plena Sole Plesa Sot Plena toot (12) Pisnn aco (2°) oupA conraca , Sotle Teascon conatquteN’ | Registron de Ondas | Medicion Falls "Observacioner = ipicos oscilogramas de ondas de 1 es wt) Sin falla voltaje, segiin caracteristicas de ao 100 ps transformadores Tipicos oscilogramas de corriente u(t) con medicién directa en devanado 100 us 2 Sin falla 1: parte capacitiva fa fio 2: parte oscilatoria Yoo, 100 ys 3: parte inductiva . att) Disparo irregular | Medicién de corriente capacitiva H Sus de las etapas del | Las diferencias en las ondas de 3 Generador de _| corriente se manifiestan entre . Impulsos 50...80% del frente de onda AW i@ MN Sus a( Defectos en el = |toous _|cireuito de evanado 4 medicién de Diferencia de potencial muy foun i corriente clevada provocé corriente de fuga ~ toons en onda plena | Resstacia no | Medici de cosente direst en | i Tinealen punto —_| devanado : in) pu 3 VW [sous [neuteo No linealidad de la resistencia de we medicin origina falsa alarma ‘Medicign de corriente direcia en Descarga enel __| devanado. « | espinterémetro de | En el oscilograma de la onda de a Toous |Protecciin del |voltaje no se deteté diferencia | ! regulador de entre las sefiales. — voltaje (fig. 7.40) | Nota: en estos oscilogramas, el trazo grueso corresponde la onda de referencia y el trazo fino a la onda plena,Registro de ondas. Falla ‘Observaciones Ruptura de aislamiento longitudinal contra tierra, 2 los 13 ys Medicién de corriente directa. Colapso total de Ia sefial de voltaje} indica fata a tierra. Ruptura parcial de aislamiento longitudinal, a los 30s. in(t) : medicién directa Oscilaciones de muy alta frecuencia. (Onda de tzasién plena sufre acortamiento de la cola por disminucién de la inductancia. Ruptura parcial ea devanado de regulacién fina Medicibn de corriente capacitiva ‘Onda de corriente con sobre oscilaciones. Onda de tensin plena sufre acortamiento de la cola par disminucign de la inductancia. Ruptura de aislamiento principal en devanado terciatio ‘Medicion de corriente directa Oscilaciones de amplitud semejante a onda de referencia. ‘Onda de voltaje no muestra diferencias de amplitud. No hay falla ‘Medicion de corriente directa, Onda cortada 110 % amplitud, Para igual instante de corte, no existe diferencia en ondas de corriente. No hay falla Medicién de corriente capacitiva Ondas cortadas con diferente tante de corte, no se observa iferencias entre oscilaciones de las ondas de corriente. Ruptura parcial de | Medicin de corriente capacitiva, aislamiento en bobina de regulacién fina | Ondas cortadas con igual Tiempo de corte. Diferencias en oscilogramas de | voltaje y corriente.“car. 18 3. Estado del arte en aislamientos de motores de alta tensién 3.1, Desarrollo Histérico La aislacién rotatoria de las maquinas de alta tension esti sometida Permanentemente a los 4 esfuerzos (TEAM): térmico, eléctrico, ambiental y meciinico : Grandes esfuerzos se han realizado, desde los primeros sistemas ve aislacién en base termoplistica hasta los actuales sistemas de resina sintética, para mejorar la confiabilidad de las méquinas de gran potencia. Hasta los aflos veinte, Ia técnica de aistacién se basé en materiales clase A, de origen natural (papel, laca, mica). Los materiales se aplicaban manualmente a las barras precalentadas, a fin de minimizar el ingreso de humedad y producir un pre- curado en los adhesivos de resina. Ea los afios siguientes se empleé de manera generalizada el sistema de pliegos de mica preformados que “envolvian” Ia zona recta de las bobinas, como aist ranura. La caracteristica de esti clase A (< 110°C). La aislacién de cabezales sigue siendo encintada en caliente y se provocaba una junta protuberante de complicada solucién entre los dos sistemas. En los afios cuarenta se introdace el uso de cintas de mica impregnadas en asfalto, homogéneamente a toda Ia bobina, tanto en la zona recta como en el cabezal, eliminandose los puntos débiles del sistema anterior. Los cabezales pudieron igualmente ser acortados con este sistema. Este sistema de aislacién no tenia la suficiente rigidez mecdnice paya soportar los esfuerzos de operacién, y los encintados sufrian desplazamientos, especialmente en Ia zona de frontera entre ranura y cabezal. Se concluyé que la debilidad estaba en la deficiente calidad de las resinas de asfalto. ‘A comienzos de los afios sesenta se inicia el desarrollo de resinas sintéticas capaces de impregnar y unir fuertemente las aislaciones de cinta. Junto con ello se introduce el uso del mat de fibra de vidrio como material de refuerzo, Las cintas de mica son fabricadas ahora con técnicas de microfoliacién, lo que las hace més homogéness, Esta técnica de resina sintética siguié desde um comienzo dos escuelas 0 tendencias : a) Técnica “Resin Rich” Es una continuacién de la técnica tradicional, pero con los nuevos materiales. Lo esencial de este proceso es fa impregnacién inmediata de las capas aislantes con “sobreabundancia” de resina, de modo de asegurar Ia penetracién profunda.esta siendo limitada, pues los solventas de las u otros problemas a los operarios si no se toman medidas especiales de seguridad. Por otra parte, Ia homogeneidad de las bobinas es dificil de garantizar con manufactura, de modo que el procedimiento se sugiere como solucién en maquinas hasta clase 15 kV. b) Técnica VPI (Vacuum - Pressure - Impregnation) Esta técnica combina materiales de mica y otros, que se hacen compatibles a través de interfases de resina, intensamente impregnadas por un proceso de vacio y presion. Las resinas empleadas som det tipo “sin solvente”, en el sentido de que el solvente se reconstituye como parte de la estructura final de Ia resina, sin evacuacién de residuos. Procesos de mecanizacién y robotizacién han mejorado progresivamente los resultados. alcanzindose gran confiabilidad en sistemas de aislacién clase F y clase A, segiin los materiales empleados. 3.2. Tendencias Actuales Los actuales desarrollos en Ia técnica de aislacién se basan en dos premi ‘© Emplear materiales lo mas homogéneos posibles, en cuanto a sus caracteristicas fisicas. La formulacién adecuada de las resinas es ux compromiso entre : * resistencia a Ia separacién de cintas * bajo factor de pérdidas a Ia temperatura de trabajo * flexibilidad para Ia re-acomodacién mecinica ante solicitaciones de vibracién o expansion © Desarrollar procesos aplicables a todo tipo de miquinas eléctricas rotatorias Materiales : La base de los actuales materiales es la mica, que no encuentra sustituto por sus caracteristicas de estabilidad térmica y dicléctrica. La fabricacin de cintas reforzadas con fibras sintéticas 0 de vidrio ha permitido desarro"i2r procesos de manufactura con elevada calidad de impregnacién, El desafio es encontrar para cada aplicacién la combinacién de porosidad y rigidez mecanica adecuada, que junto al éptimo aprovechamiento de las propiedades dieléctricas de Ia mica satisfaga las diferentes solicitaciones de! TEAM. En esto juega un rol preponderante la forma, tamaiio y espesor de las particulas de mica, y su distribuciéa y forma de aglomeracién,Procesos : La tendencia es aplicar el encintado sobre la bobina preformada o sobre las barras rectas en el caso de bobinas apernadas, con proc ntos robotizados, que garantizan homogeneidad en tensién mecanica, traslapadas y espesores finales de Ja aistacion. La técnica VPI ha tenido dos desarrollos, que en muchos casos se integran: Ia impregnaci6n individual de barras 0 bobinas y I impregnacién global del estator. Impregnacién Individual Las barras 0 bobinas se encintan y se someten a vacio y secado, pare ser impregnadas a continuacién con resinas epéxicas libres de solventes. A continuacién se someten a un periodo de sobrepresién en gas inerte o aire seco, lo que acorta el tiempo de impregnacién, y permite un mejor aprovechamiento de la instalacién. El curado se realiza en horno abierto a temperatura elevada, especificada segiin la resina, con circulacin de aire y en prensas para dar la forma precisa ala bobina 0 barra, Un desarrollo reciente de resinas de curado lento a baja temperatura, permite que In impregnacién y el curado se realicen en ambiente fibre, lo que ahorra energia y disminuye las tensiones mecdnicas, ademas de mantener la bobina en cierto grado de flexibilidad durante su montaje, EI proceso de Ia bobina se completa con Ia apli anticorona, en forma de barniz o cinta. cién de la capa semiconductora El montaje de las bobinas en la ranura tiene todavia dos puntos de maxima én y el relleno, Para la fijacién se emplea cuftas de fibra de vidrio en resina y el relleno entre barras 0 bobinas, asi como de fondos de ranura y paredes se efectiia con materiales semi-conductores. E! proceso de amarre final de los cabezales a los anillos de nse efectita con cuerda de fibra de vidrio impregnada en resina.Fig. 2.10: Estructura de aislacion de ranura 1. Barra o bobinas 2. Relleno semiconductor 3. Cuas 4. Nicleo Impregnacién Global terminacién garantiza éptimas propiedades mecdnicas y resistencia ambiental al bobinado. 3.3. Desarrollos Futuros En el campo de los materiales se experimenta con combinaciones sintéticas de Sxidos metilicos par: i mes de mica y éxidos metilicos sintéticos. La meta es mejorar la conductividad térmica de las aislaciones. En el campo de manufactura se proseguira con Ie robotizacién de las faenas mas complejas como el encintado y ia impregnacién, lo que conlleva a una suerte de normalizacin de los procedimientos. En el aspecto ambiental, se tiende a la eliminacién de procesos bajo solventes, situaci6n que provoca problemas de salud. En este sentido se prevé un mayor uso de las técnicas de inmersién global.4. Diagnéstico de aislamiento de motores de alta tensién 4.1. Secuencia de envejecimiento. Un diseio bien estabitizado del aislamiento inicia su vida dtil con baja actividad de descargas eléctrieas, adecuada rigidez mecénica y elevada tolerancia a los agentes medioambientales. La degradacign de este estado iniciai sigue normalmente el siguiente proceso: 1) Esfuerzos térmicos en arranques y detenciones 2) Vibraciones mecanicas propias de la operaci6n 3) Actividad de descargas eléctricas en microvalimenes 4) Realimentacién del proceso eléctrico por sobretemperaturas 5) Aumento de vacuolas por pérdida de fijacién meciinica 6) Realimentacién del proceso eléctrico por agrietaminto 7) Actividad ambiental por pérdida de sellado 8) Rapida degradacién por actividad multifactorial. ico basado en la historia de operacion. 4.2, Diagnds EJ nmero de acranques y detenciones de la maquina es un pardmetro para estimar su vida residual, La figura muestra el mapa de operacién tipico de generadores: z 8 E ie : ‘The number of starUstop (10°) 5.000 Expectation of Va (26) 2,000 The Humber of Stan / Stop 34.3. Diagndstico por parsimetros dieléctricos Los siguientes pardmetros dieléctricos son empleados para ef diagnéstico: + Resistencia de aislacién ‘+ Respuesta de absorcién © Indice de polarizacién (IP ) + Factor de pérdidas ( tand ) * Incrementos de tané ‘+ Maxima amplitud de descargas parciales ( Quax) Cada uno de estos pardmetros proporciona una indicacién de eventuales causas de envejecimiento: La resistencia de aislacién, Ia respuesta de absorcién y ef IP reflejan fundamentaimente fa humedad absorbida y la contaminacién. Et factor de pérdidas muestra el estado global del material dieléctrico, por lo que es una medida basica de diagndstico. Los inerementos de Ia tand se consideran proporcionales al volumen de vacuolas con actividad de descargas parciales, La magnitud de las descargas parciales reflejan los puntos criticos de 1a aislacién con deterioro localizado.4.4, Diagnéstico por parémetros combinados. 1. Constante RC Seguin ta definicidn en (2.2.7.8), el producto RC puede usarse como control de estado de aistaciones de base mica-impregnada en resina e pofiéster. La siguiente figura muestra fos rangos y etapas def proceso de secado en uma maquina, en términos de la variacion de este parametro: Temperatur Byup2, Indice A capacidad del bobinado que se asocia a la act el valor Qmas » indicador de las descargas e1 Este concepto da origen a Jz Hamada “carta A” de la aislacién, un ejenplo de la cual se muestra 2 continuacién: cot Sempiog toe nero A=tand + AC Ques ~ maxima descarga medida La direcci6n “N” es la tendencia de envejecimiento normal, originada n el proceso térmico - mecénico — eléctrico homogéneamente distribuido em toda ia masa aislante. La direceién “P” considera un crecimiento continuo de la amplitud maxima de las descargas parciales, con una evidencia de deterioro localizado, presumiblemente asociado a la accién ambiental. Cuando se cruza la linea Vz = 70 % se recomienda un anilisis detallado de la aislaci6n, eventualmente con retiro de algunas bobinas para ensayos destructivos. Al cruzar Ia linea Vq = 30 %, se recomienda el reemplazo del bobinado, ante la inminencia de falla localizad: La definicién de los rangos en fa “carta A” es fruto de un gran acopio de datos estadisticos, aportados en modelos de laboratorio y en mediciones de terreno.‘ata! 3. Criterio mixto Ques Atand . Este criterio, difundido en Jap6n, (CRIEPD, de acuerdo a los parametros de la tabla siguiente, tiene sz parafelo en la Norma VDE 0530, que analizaremos posteriormente ‘Table I. A Criterion for Insulation Deterioration Judgment of Mica-Resin Insulated Generator Stator atte | | _Grtoia | sedoment | gotcha ifencrrco" pel coos to | 3s, anny [HEP cos 7 jischarge 53% 10* pC| seo" dbscnara || 99222410" | cnet Ce jgzaxco ec|endow. | E/T TaE| M|nez20” fcharge (Jung oo t : t[awns /’. 4.7.2 Corriente de conduccién reducida A fin de comparar aislaciones de diferente disefio, se normaliza el valor de la corriente de conduccién en P.U. de 1 [kV] y 1 uF]: ; (Un) = wetta [mas¥ F] Segiin esténdares de Empresas Generadoras de Energia (Chile), se exige como criterio de control para aislaciones clase B: (Iq) <0,15 [ma /V F]En este procedimiento: u es la amplitud del escalén de tensién aplicado en el ensayo c €s la capacidad medida en 50 Hz, con una soficitacion igual af 20% de la tensién nominal de la maquina (Co). 4.7.3 Corriente de absorcién Esl valor [i(¢) - 1,], [4A], evaluado en ¢=1 [minuto] 14 =U0)-teh [eA] 4.7.4 Corriente de absorcién reducida El valor de /, (I) , expresado en P. U de [kV], 1[F] - Owl inary (OG keV} Clu F Segin estindares de Empresa Generadoras de Energia (Chile), para aislaciones clase B, rige como criterio de control: (4) <5 [mA/VF] 4.7.5 Resistencia de aislacin Mas que la resistencia de condicién, se emplea para caracterizar los sistemas de aislacién, la resistencia de aistacién, definida: oy} | (R,)=— 4 [ua] 70) 4]4.7.6 Indice de Polarizacién En la razén de las corrientes totales, medidas a 1’, 10° Iq) | P= Tag) H Es un buen indicador de estabilizacién de un sistema de aislaciéa, siendo aceptable para aislaciones clase B, el rango 25 6.000 V © Cobertura: Ensayos de aceptacién en fabrica Ensayos de recuperacién post montaje Ensayos de mantenimiento = Metodologia: Analiza variaciones de la corriente medida al solicitar la aislacion con tensién continua escalonada creciente o con un escalén iinico de la tensién final. * Tensién de ensayo: 1,7 veces la tensién alterna (RMS) del ensayo de norma a frecuencia industrial. = Tensién alterna de ensayo: Ensayos de aceptacion : 2,0 Vw + 1000[V} Ensayos de mantencién : 1,25 a 1,50 Va [V] + Falla: Fuente desgarga capacitiva Incremento anormal de la corriente Variacion eritica de la corriente * Ensayo con escalones controlados: Solicitacion limite: (1,25: 1,50) x1,7xVy Primer escalén: 1/3 Vga» 10 minutos Escalones siguientes: _amplitud y duracién segun tabla de Absorcién (pagina 26), Interpretacién aislacién sana, curva suave de crecimiento Aislacién débil, cambio o inversion de pendienteieee Bia $8.1977 IEEE RECOMMENDED PRACTICE FOR INSULATION TESTI ‘Table Al Elapsed Time at the Conclusion of Each Voltage Step “Amorption Ratio een at z a = ‘ 6 7 = + 8 a3 20 a 8 #8 in ta 8 i i. z 8 a8 ‘° aa # gH Fc a s ae : 23 He £8 fs 208 sere 8 RESON AEAEE EDESo unnow ores: 1 Tine et nd of fit sep: 10 min (Daa gs Incereet: 20 percent of tint sep. aan5.3.3 Norma -IEEE | “Prineipios generales para la evaluacién del limite térmico en la caracterizacién nominal de equipo eléctrico y en la evaluacién de aislaciones el tricas.” + Norma general que define los principios guias para la: Evaluacién térmica de los materiales aislantes Evaluacién térmica de los sitemas de aislacion Clasificacion térmica de les sistemas de aislacion + Ensayo de envejecimiento térmico acelerado Se solicitz la aislacién con sobre-esfuerzos térmicos controlados, por el tiempo que requiera su envejecimiento, expresado esto en algin parimetro eléctrico Iimite. Se obtiene entonces para un rango de temperatura, grificos como el indicado (Ley de Arrhenius): Fig Al (a) Thermal Endurance Graph, Temperature Index and Halving Interval (b) Relative Temperature Index and Halving Interval @ w we 04) enfantIndice térmico Es la temperatura {°C} para la cual es sistema aistante presenta una vida de 20.000 horas, Usualmente es un valor extrapolado. Los IT permiten definir las clases térmicas HIC (Halving Interval Celcius) Es el incremento de temperatura para el cual la vida del sistema aislante decae a la mitad. Si se parte def [T a 20.000 horas, el HIC corresponde a una vida de 10.000 horas (AT). Los HIC estan en el rango de 10 {C] para la mayoria de tos materiales, 1o que da origen a la Hamada “Ley de Arrhenius”: “La vida de un material aislante disminuye a la mitad si se emptea con 10°C de sobre temperatura en relacién a su clase”. RTI (Indice térmico relativo) Siendo dificiles los ensayos de vida térmica de los materiales y sistemas, se acepta calificar un material por comparacién con otro cuyo Tl es conocido m25.3.4 Normas VDE 0530 NORMA DIN - VDE 0530 / PARTE! “Madquinas Eléctricas Rotatorias” ACAPITE 6: PROPIEDADES DIELECTRICAS PARTE 17: ENSAYO DE DEVANADOS 17.1 Ensayo de Tensién Aplicada El ensayo de tensién aplicada se realiza solicitando cada devanado contra masa, estando la estructura de la maquina y los devanados no ensayados entre si. Este ensayo se realiza dnicamente en maquinas nuevas y completamente montadas para su operacién. En lo posible debe realizarse en ef taller de montaje inmediatamente después del ensayo de calentamiento, si éste se realiza, En méquinas polifésicas con tensién nominal sobre 1 [kV], cada seccién del devanado debe ser ensayado contra masa y Ias otras secciones, siempre que se tenga acceso a todos los terminales de las secciones del devanado. La tension de ensayo debe ser una sefial alterna practicamente sinusoidal, de Ia frecuencia de la red, Ver tabla 5. El ensayo se debe iniciar con Ia aplicacién de una tensién de a lo més un 50% de Je tensién de prueba reconmendada, elevando la tensién en escalones de no mis de 5% del valor final, El tiempo para alcanzar ta tensién de prueba debe ser a lo menos 10 segundos. Una vez alcanzado el nivel recomendado, debe mantenerse su aplicacién por f minuto, Para ensayos de serie de miquinas con tensiones hasta 660 [V] y potencias hasta 200 [kW], [kVA], Ia prueba de 1 minuto puede ser reemplazada por una prueba de 5 segundos de duracién, con aplicacién de la solicitacién indicada en la tabla 5. Para ensayos de serie de miquinas con potencias menores a § [kW], la prueba de 1 minuto puede ser reemplazada por Ia prueba de 5 segundos del nivel indicado en tabla 5 0 por una prueba de 1 segundo de duracién con solicitacién de 120% de la tensién indicada en tabla 5. Las pruebas realizadas durante el montaje a plena tensién, no necesitan ser repetidas. A solicitud del cliente, se puede efectuar una segunda prueba, previa limpiera y secade de la maquina, con un nivel de solicitaciéu de 80% del valor indicado en tabla 5. Devanados que han sido sometidos a recuperacién total, deben ser ensayados con solicitacién de plena tensién, 96Si por razones convenidas, se debe ensayar devanados parcialmente renovados 0 devanados usados,en cicio de revisién preventiva, se recomienda los siguientes niveles de ensayo: 4) Devanados parcialmente renovados se ensayan con el 75% del nivel de solicitacién, correspondiente a la maquina nueva, Antes del ensayo debe procederse a una cuidados limpieza y secado de la parte antigua del devanado. b)Si por un procedimiento de mantencién preventiva, se requiere ensayar una maquina usada, cuya tensién nominal sea superior o igual a 100 [VJ], tras Ja limpieza y secado de la misma, se usaré una tension de 1,5 veces Ja tension nominal, con una minima de 1000 [V]. Maquinas con tensién nominal inferior a 100 [VJ, se ensayan con 500 [V]. 73h 97TABLA 5 Tensiones de prueba para ensayo de devanados Ww Maquina o parte de maquina Tensién de prueba [valor efectivo] en funcién de la tensién nominal U ivy Miquinas rotatorias con potencia nominal bajo 1 [kVA], y tension nominal inferior a 100 [V], con excepcién de lo indicado en los nimeros 4a8 2U+500[V] Miquinas rotatorias con potencia Nominal bajo 10.000 [kW], [kVA con excepcién de lo indicado en fos mimeros ly4a8 2. U + 1000 [V], minimo 1500 [V] Miaquinas rotatorias con potencia nominal igual o superior a 10.000 [kW], IkVAj, con excepcién de lo indicado en fos niimeros 4 a 8 y tension nominal de 2.1 hasta 24,000 [V] 2.2 sobre 24.000 [V] 2U+ 1000 [V}, segtin acuerdo Devanados de excitacién de miquinas de corriente continua con excitacién exterior. 2 veces Ia maxima tension de exci + 1000 [V], con un minimo de 1500 [V] Devanados de excitacion de generadores sinerénicos, motores sincrénices y méquinas de potencia reactiva, a) Con tensién de excitacién nominal Hasta 500 [V] > Sobre 500 [V] > b)Maquinas para arranque con devanado de excitacién directo 0 a través de resistencia con valor inferior a 10 veces Ia resistencia de excitacién > ©) Maquinas para arranque asincrénico cuya excitacién externa de arranque €s mayor que 10 veces Ia resistencia del devanado de excitacién o aquellos cuyo devanado de _excitacion permanece abierto durante el arranque, con o sin seccionalizacién del devanado, tensién nominal de minimo £500 [V] 4000 [V] + 2 veces la tensién nominal de excitacién 10 veces la tensién nominal de excitacién, con minimo 1500 [V] y maximo 3500 [V] El doble del valor de la méxima tensin que aparece en el devanado de excitacién en condiciones de arranque, 0 en las secciones del mismo, + 1000 [V], con un minimo de 1500 [V] 9DDevanados secundarios (de arranque) en motores de induccién 0 en motores, asincrénicos sincronizados, trabajando en cortocireuito no permanente (como por ejemplo con provisién de. resistencias de arranque) : a) Motores de giro no reversitle o reversible en estado de detencion. b) Motores que fueron por inversién del campo giratorio primario 0 que pueden invertir su sentido de giro, 2 veces Ia tensién medida en estado detenido entre los anillos deslizantes © bornes secundarios, estando el devanado primario a tensién nominal, + 1000 [V}. 4 veces Ia tensién medida en estado detenido en los terminales del devanado secundario abierto, como en 6 (a), + 1000 [V]. Excitatrices, salvo indicadas abajo excepciones Excepcién 1 : Excitatrices de motores sincrénicos y motores asincrénicos sincronizados. Excepcién 1: Excitatrices externas ‘Como los devanados a los que se conectan 2 veces Ia tension nominal de la excitatriz + 1000 [V], minimo 1500 Iv]. Como en nimera 4 Dispositivos y piezas anexas En caso de ser mecesaria unal prueba de equipos instalados, de los cuales solo los devanados han sido ensayados, Ia tensién de ensayo no debe superar el 80% de la solicitacién prevista para la parte més débil, 136. 49100 17.2 Pruebas Adicionales para MAquinas de Alta Tensién 17.2.1 Procedimientos para barras y bobinas En el acdpite 17.2 se aplica en maquinas eléctricas con tensién nominal entre 5 y 24 [kV] y potencias nominales mayores 0 iguales a 5 [MVA\ en generadores y 5 [MW] en motores. Maquinas con tensiones nominales sobre 24 kV se ensayan bajo condiciones especialmente acordadas. Las prescripeiones indicadas pueden aplicarse en méquinas con potencias nominales entre 1 y 5 {MVA], [MW] y tensiones nominsles de 5 {kV] y superiores, cuando se ha acordado entre proveedor y cliente. Maquinas que en el estator evan devanados encapsulados, se rigen para los ensayos por fas prescripciones del acdpite 17.2.2. 17.2.1 Ensayos En barras y bobinas de devanados de alta tensién, se prescribe como control final de la aislacién un ensayo de tipo segiin acépite 17.2.1.2, y en caso de acuerdo previo, un ensayo de muestra a una probeta, segiin acapite 17.2.1.3. Estas pruebas tienen como objetivo calificar 1a homogeneidad de la manufactura, asi como estudiar el comportamiento técnico y la rigidez dieléctrica de la aislacién. NOTA: En el ensayo de tipo, ta homogeneidad de la manufactura se supervisa mediante 1a medici6n del factor de pérdidas en funcién de la tensién aplicada, En el ensayo de muestra se comprueba el comportamiento de la aislacién de ranura mediante la medicién del factor de pérdidas antes y después de Ia aplicacién de un escalén de temperatura, El ensayo de muestra sirve también para determinar Ia rigider dieléctrica de Ia aislacién entre espiras, asi como la aislacién de cabezales de bobina y fa aislacion de ranura, 17, 2 Ensayo de tipo En ensayo se realiza sobre una determinada cantidad de barras o bobinas, incluidas las de reserva, segiin Ja siguiente tabla:N° de polos | Potencia Nominal Cantidad de probetas Todas los tipos <5 MVA (MW) 10% de las unidades construidas, minimo 20 2y4 250 MVA (MW) Todas = las_—uunidades construidas <5 MVA (MW), pero | Minimo 60 unidades ademis 25 MVA (MW) del 10% de todas las construidas 60 mas 2S MVA (MW) Minimo 60 unidades ademas del 10% de todas las; construidas A temperatura ambiente, el factor de pérdidas se mide en un rango de voltaje desde 0,2 Uy a 1,0 Ux, en intervalos de 02, Ux. (Ver figura) tend Ejempfo de medicién del Factor de Pérdidas en funcién de la tensién en por unidad de Ux. foiLas mediciones se realizan con el puente Schering u otro puente adecuado, con disposicién de anillo de guardia, El largo del manto conductor debe ser en lo posible igual a la zona recta de la bobina. Los anillos de guardia deben quedar fuera de esta zona, Como criterio se debe controlar los parémetros indicados en Ia tabla siguiente, para ensayos con tensiones menores o iguales a Lf (kV]. tand (0,2) a [tans (0,6) tan6 (0.2)) ‘A tand (cada 0,2 Un) Todas las 93% probetas | 5% probetas | 95% probetas]5% probetas Probetas 30-10” 2,5 10° 3-10" 5-10" 6-10" Para tensiones sobre 11 [kV], estos valores se fijan de comin acuerdo entre las partes. En caso que los resultados de los ensayos sefialen que mas de 5% de las probetas superan los limites indicados en cualquiera de los criterios, se debe repetir la prueba en un numero igual de probetas o en et total de las piezas fabricadas. Si en este caso se cumple con los criterias, se considera aprobada Ia prueba de la aislacion, La aislaciém entre espiras de todas las barras debe ensayarse con una tensién alterna de 110 [V], antes del montaje. 17.2.1.3 Ensayo de muestra En caso de acordar una prueba de muestra, esta se realiza sobre dos unidades (barras o bobinas), elepidas arbitrariamente segan el siguiente procedimiento : Se evaliia la variacién de la tand en el rango 0.2 Dx 2 1,0 Ux , con intervalos de 0,2 Uy, a temperatura ambiente, antes y después de someter las probetas a un. calentamiento de a lo menos 90°C. Las probetas pueden ensayarse en un modelo de la ranura del estator. La temperatura de la aislacin debe ser pareja, y debe medirse en la superficie de la aislacion, Después de enfriar las probetas hasta la temperatura ambiente, se repite In medicin del factor de pérdid Para tensiones hasta 11 [kV], el criterio de aprobacién es que te variacién de tand antes y después de Ia solicitaci6n térmica, en cada punto de medicién, no supere el valor de 2+ 10°. Igualmente, la tand no se debe incrementar en mis de 7+ 10°, entre intervalos consecutivos. 1239Para tensiones sobre 11 [kV] hasta 24 kV], no deben ser superados los valores previamente acordados. En barras, la aislacién entre subconductores se ensaya con una solicitacién alterna de 110 {¥}. En bobinas, Ia aislacién entre espiras se prueba con una solicitacién de 0,3 Ux durante 1 minuto, No debe haber ruptura. Finalmente, para determinar la tensién de ruptura, se eleva la tensin a razén de 0,5 [kV/seg] hasta la ruptura. La prueba de aistacién entre espiras puede realizarse con un método de alta frecuencia, Se aplica una solicitacion de tensién sinusoidal ( 0 no sinusoidal) de alta frecuencia y amplitud igual a la tension nominal durante 15 {s] en los terminates de fas espiras. La aislacién de ranura se solicita con el valor prescrito en la tabla 5 segén ta tensién nominal, durante 1 minuto. Luego se eleva el potencial a razén de 1 [kViseg] hasta la ruptura. La tensin de ruptura debe ser mayor que 2 veces la tensién de ensayo. Si la seccién de ranura tiene una aislacién diferente a la de cabezales en una bobina, se debe solicitar Ia aislacién de ambos cabezales con 2 Ux durante minuto, sin que se provoque ruptura. Se eleva luego la tensién a razon de 1 {kV/s] hasta la ruptura. Si en una de las muestras, las condiciones de aprobacién no se alcanzan, se debe repetir la parte del ensayo no aprobado en otras seis muestras de barras 0 en otras tres muestras de bobinas. Se considera aprobada ta aistacién si todas las nuevas muestras superan las condiciones prescritas en la repeticién, 17.2.2 Ensayo de bobinas endurecidas en el estator 17.2.2.1 Pruebas del devanado El factor de pérdidas del devanado completo o en caso de ser posible de cada seccién del devanado, se mide a temperatura ambiente en funcién de ta tension en el range 0,2 a 1,0 Ux. Los valores limites deben ser acordados previamente entre las partes. 17.2.2.2 Ensayo de elementos individuales Si se acuerda esta prueba, se debe ensayar a lo menos 2 elementos del ido en un modelo de ranura y bajo las mismas condiciones prescritas para el bobinado completo, ademds de los ensayos prescritos en 17,2,1.3. 103