Вы находитесь на странице: 1из 7

Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«Московский государственный технический


университет
имени Н.Э. Баумана»

(МГТУ им. Н.Э. Баумана)

ФАКУЛЬТЕТ «ИНФОРМАТИКИ И СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ»


КАФЕДРА ИУ4 «ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ЭА»

ОТЧЁТ ПО КУРСОВОЙ РАБОТЕ

Студенты: Панчо Рамирес Паоло Андрес


Группа ИУ4-11M

Москва
2019 г.

1
Транзисторы MOS (полупроводник оксида металла)
Модель транзистора MOS соответствует 3-терминальному устройству, которое
действует как резистор, контролируемый напряжением. Как показано на рисунке 1.
входное напряжение, применяемое в терминале, контролирует сопротивление между
двумя оставшимися терминалами.

Рис. 1. Транзистор MOS как контролируемое сопротивление по напряжению

В приложениях цифровой логики транзистор MOS работает так, что его сопротивление
всегда очень велико, транзистор "выключен", или очень низко транзистор “включен".
Существует два типа транзисторов MOS, канал-n и канал-p:
названия относятся к типу полупроводникового материала, используемого в
терминалах, сопротивление которых контролируется.

Рис. 2. транзисторы MOS, канал-n и канал-p

На рис. 3 показан схематический символ транзистора MOS канала-n. Терминалы


называются ворота (gate). источник (sourre) и дренаж (drain). (Обратите внимание, что
"затвор" * транзистора MOS не имеет ничего общего с " логическим затвором·), как вы
можете наблюдать, начиная с ориентации символа схемы. дренаж находится nornally
при более высоком напряжении, чем источник,

Рис. 3 Символ транзистора MOS канала-n

2
Напряжение затвора к источнику (Vgs) на транзисторе NMOS обычно равно нулю или
положительному. Если V gs = или, то сопротивление дренажа к fueme (Rds) очень
высоко. по крайней мере, один мегаом (10^6 ом) или более, поскольку мы увеличиваем
Vgs (т. е. увеличиваем напряжение на воротах). Rds уменьшается до очень низкого
значения, 10 ом или меньше на некоторых устройствах.
На рисунке 4 показан символ цепи для транзистора MOS канала-p (PMOS). Его работа
аналогична работе транзистора NMOS, за исключением того, что
источник обычно находится на более высоком напряжении, чем дренаж. и обычно Vgs
равен нулю или отрицательному. Если Vgs равен нулю. после этого сопротивление
источника к дренажу (Rd) очень высоко. По мере того, как мы алгебраически уменьшаем
Vgs (т. е. уменьшаем напряжение в воротах), Rds. уменьшается до очень низкого
значения.

Рис. 4 Символ цепи для транзистора MOS канала-p (PMOS)

Транзисторы NMOS и PMOS используются в дополнительной форме для формирования


логики CMOS.

Основная схема инвертора CMOS (дополнительный полупроводник


оксида металла).
1. Инвертирующие вентили
Таблица 1. Инвертирующие вентили

Основная схема
инвертора CMOS

3
Ворота CMOS NAND

Ворота CMOS NOR

2. Неинвертирующие вентили

Таблица 2. Неинвертирующие вентили

Буфер без инвертора


CMOS

4
Ворота CMOS AND

Диоды:
Полупроводниковый диод изготавливается из двух типов полупроводниковых
материалов, называемых типом p и типом n, которые контактируют друг с другом, как
показано на рисунке 5-(a). это в основном тот же материал, который используется в
транзисторах MOS канала-p и канала-n. точка контакта между материалами p и N
называется PN-соединением. (На самом деле диод обычно изготавливается из
монолитного кристалла полупроводникового материала, в котором две половины либо
"легированы", либо добавляются различные примеси, чтобы дать им свойства типа p и
типа n.)
Физические свойства PN-соединения таковы, что положительный ток может легко течь
из материала типа p в материал типа n. таким образом, если мы построим схему,
показанную на рисунке 5-(b), PN-соединение действует почти как короткое замыкание.
Однако. физические свойства также делают очень трудным для положительного течения
течь в противоположном направлении. от n до p. Таким образом, в схеме рисунка 5-(c)
соединение pn ведет себя почти как открытая цепь. Это называется действием диода.

Рис. 5. Диоды типа n и p, символ

Семисегментный индикатор:
Любой семисегментный индикатор обязательно состоит из семи сегментов. Отсюда и
происходит его название. Каждый сегмент – это обычный отдельный светодиод.
Мощные семисегментники могут содержать в одном сегменте несколько, как правило,
последовательно соединенных светодиодов.
Кроме того, в корпусе помимо сегментов находится еще и точка или запятая или другой
символ. С помощью семи сегментов можно изобразить десять цифр: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,

5
8, 9 и некоторые буквы, как латиницы, так и кириллицы. Светодиоды всех элементов
соединяются одноименными выводами между собой или анодами, или катодами.
Поэтому разделяют семисегментные индикаторы с общим анодом и общим катодом.

Рис. 6. Семисегментные индикаторы с общим анодом и общим катодом

 Общий катод (ОК) - соединенные между собой катоды всех светодиодных


сегментов имеет уровень логического "0" или подключен к общему проводу.
Отдельные сегменты высвечиваются подачей на их анодный вывод сигнала
"высокого" логического уровня или логической "1" через ограничительный
резистор для создания прямого смещения отдельных светодиодов.
 Общий анод (ОА) - аноды всех светодиодных сегментов объединены и имеют
уровень логической "1". Отдельные сегменты индикатора светятся при
соединении каждого конкретного катода с землей, логическим "0" или
низкопотенциальным сигналом через соответствующий

Семисегментные декодеры:
Этот тип дисплея, который обычно использует светоизлучающие диоды (LEO. light-e
mitting diodes) или элементы жидкокристаллического дисплея (LCD. liquid-crystal
display), используется в часах, калькуляторах и инструментах для отображения
десятичных данных. Одна цифра отображается, освещая подмножество семи сегментов
линии, показанных на рисунке 7- (a).

Рис. 7. Освещая подмножество семи сегментов линии, семисегментный код

Семисегментный декодер имеет 4-битный BCD в качестве входного кода и"


семисегментный код", который графически описан на рисунке 7- (b), как его выходной
код. Рисунок 8 и 9 логическая диаграмма и таблица истинности семисегментного
декодера 74x49. За исключением странной связи входа bll каждый выход 74x49
представляет собой реализацию продукта минимальных сумм для соответствующего

6
сегмента, предполагая "несущественные" элементы не десятичных входных
комбинаций. Структура инвертора-OR-AND, используемая для каждого выхода, может
показаться немного странной, но она эквивалентна теореме Моргана, распространенной
на задвижку AND-OR-Inverter, которая является компактной и довольно быстрой
структурой, которая может быть построена на CMOS oTIL.

Рис. 8. таблица истинности семисегментного декодера 74x49

Рис. 9. логическая диаграмма истинности семисегментного декодера 74x49