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Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«Московский государственный технический


университет
имени Н.Э. Баумана»

(МГТУ им. Н.Э. Баумана)

ФАКУЛЬТЕТ «ИНФОРМАТИКИ И СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ»


КАФЕДРА ИУ4 «ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ЭА»

ОТЧЁТ ПО КУРСОВОЙ РАБОТЕ

Студенты: Панчо Рамирес Паоло Андрес


Группа ИУ4-11M

Москва
2019 г.
Транзисторы MOS
El modelo de un transistor MOS corresponde un dispositivo de 3 terminales que actúa como una
resistencia controlada por voltaje. Como lo sugiere la figura 3-7. el voltaje de entrada que se aplica en
una terminal controla la resistencia entre las dos terminales restantes.

En aplicaciones de lógica digital, un transistor MOS opera de modo que su resistencia siempre sea muy
elevada, el transistor se encuentra "apagado" ("off"), o muy baja el transistor se encuentra
"encendido" ("on").

Модель транзистора MOS соответствует 3-терминальному устройству, которое


действует как резистор, контролируемый напряжением. Как показано на рисунке 3-7.
входное напряжение, применяемое в терминале, контролирует сопротивление между
двумя оставшимися терминалами.
В приложениях цифровой логики транзистор MOS работает так, что его сопротивление
всегда очень велико, транзистор "выключен", или очень низко транзистор “включен".

Существует два типа транзисторов MOS, канал-n и канал-p:


названия относятся к типу полупроводникового материала, используемого в
терминалах, сопротивление которых контролируется.

На рис. 3-8 показан схематический символ транзистора MOS канала-n. Терминалы


называются ворота (gate). источник (sourre) и дренаж (drain). (Обратите внимание, что
"затвор" * транзистора MOS не имеет ничего общего с " логическим затвором·), как вы
можете наблюдать, начиная с ориентации символа схемы. дренаж находится nornally
при более высоком напряжении, чем источник,
El voltaje de la compuerta a la fuente (Vgs) en un transistor NMOS es normalmente cero o positivo. Si
V gs = O, entonces la resistencia del drenaje a la fueme (Rds) es muy alta. al menos un mega ohm
(10^6 ohms) o más, A medida que incrementamos Vgs (es decir aumentamos el voltaje en la
compuerta). Rds disminuye hasta llegar a un valor muy bajo, de 10 ohm o menos en Algunos
dispositivos.

Напряжение затвора к источнику (Vgs) на транзисторе NMOS обычно равно нулю или
положительному. Если V gs = или, то сопротивление дренажа к fueme (Rds) очень
высоко. по крайней мере, один мегаом (10^6 ом) или более, поскольку мы увеличиваем
Vgs (т. е. увеличиваем напряжение на воротах). Rds уменьшается до очень низкого
значения, 10 ом или меньше на некоторых устройствах.
На рисунке 3-9 показан символ цепи для транзистора MOS ctmal-p (PMOS). Его работа
аналогична работе транзистора NMOS, за исключением того, что
источник обычно находится на более высоком напряжении, чем дренаж. и обычно Vgs
равен нулю или отрицательному. Если Vgs равен нулю. после этого сопротивление
источника к дренажу (Rd) очень высоко. По мере того, как мы алгебраически уменьшаем
Vgs (т. е. уменьшаем напряжение в воротах), Rds. уменьшается до очень низкого
значения.

La figura 3-9 muestra el símbolo de circuito para un transistor MOS de ctmal-p (PMOS). Su
funcionamiento es análogo al de un transistor NMOS, excepto porque la

fuente se encuentra normalmente a un Voltaje mayor que el drenaje. y por lo general Vgs es cero O
negativo. Si Vgs es cero. entonces la resistencia de fuente a drenaje (Rd) es muy elevada. Conforme
disminuimos algebraicamente Vgs (es decir, disminuimos el voltaje en la compuerta), Rds. disminuye
hasta llegar a un valor muy bajo.
Транзисторы NMOS и PMOS используются в дополнительной форме для формирования
логики CMOS.
Los transistores NMOS y PMOS se utilizan en forma complementaria para formar la lógica
CMOS.
Основная схема инвертора CMOS
1. Неинвертирующие вентили
Circuito del Inversor básico CMOS
El circuito CMOS más sencillo, un inversor lógico. requiere solamente uno de cada tipo de
transistor. conectados como se muestra en la figura (a). Normalmente, el voltaje de
alimentación, VDD se encuentra en el intervalo de 2 a 6 Voltios(V) Y con mucha frecuencia
se establece en 5.0 V para tener compatibilidad con los circuitos TTL.

Самая простая схема CMOS, логический инвертор. требуется только один из каждого
типа транзистора. подключены, как показано на рисунке (a). Как правило, напряжение
питания, VDD находится в диапазоне от 2 до 6 вольт (V) и очень часто устанавливается
в 5.0 V, чтобы иметь совместимость с TTL-схемами.

Vin - 0.0 V. В этом случае. Нижний транзистор канала-N. Q1, выключен, так как его Vgs
равен 0. но верхний транзистор канала-p, Q2, включен, так как его Vgs является большим
отрицательным значением (-5.0 V). Таким образом, Q2, имеет только небольшое
сопротивление между силовым терминалом (VDD + 5.0 V) и выходным терминалом
(Vout), а выходное напряжение 5.0 V.

VENT es 0.0 V. En este caso. El transistor inferior de canal-n. Q1, está apagado, Puesto que su
Vgs es 0. pero el transistor superior de canal-p, Q2, está encendido puesto que su Vgs es un
valor negativo grande (-5.0 V). Por lo tanto, Q2, presenta solamente una pequeña resistencia
entre la terminal de alimentación (VDD +5.0 V) Y la terminal de salida (VSAl), y el voltaje de
salida es 5.0 V.
Vin-5.0 V. Здесь Q1 включен, так как ваш Vgs является большим положительным
значением (+5.0 V), но Q2 выключен. поскольку его Vgs составляет 0 В. Таким образом,
Q1 имеет небольшое сопротивление между выходным и заземляющим терминалом, а
выходное напряжение составляет 0 В.

Vin es 5.0 V. Aquí, Q1 se encuentra encendido, puesto que su Vgs es un valor positivo grande
(+5.0 V), pero Q2 se encuentro apagado. puesto que su Vgs es 0. De este modo, Q1 presenta
una pequeña resistencia entre la terminal de salida y tierra, y el voltaje de sa lida es 0 V.

Ворота CMQS NAND и NOR


Compuertas CMQS NAND y NOR

Основная схема
инвертора CMOS
Ворота CMQS NAND

Ворота CMQS NOR

Диоды
Diodos
Un diodo semiconductor se fabrica de dos tipos de material semiconductor, llamados tipo p y tipo n,
que se ponen en contacto entre sí como se ilustra en la figura 3-61(a). éste es básicamente el mismo
material que se utiliza en los transistores MOS de canal-p y canal -n. El punto de contacto entre los
materiales p y n se denomina una unión pn. (En realidad, un diodo se fabrica normalmente a partir
de un cristal monolítico de material semiconductor en el cual las dos mitades son "dopadas" o se les
agregan diferentes impurezas para darles propiedades de tipo p Y de tipo n.)

Las propiedades fisicas de una unión pn son tales que la corriente positiva puede fluir fácilmente desde
el material tipo p hacia el material tipo n. De este modo, si construimos el circuito mostrado en la
figura 3-6l(b), la unión pn actúa casi como un cortocircuito.

Sin embargo. las propiedades físicas también hacen muy difícil que la corriente positiva fluya en la
dirección opuesta. de n a p. Así, en el circuito de la figura 3·61 (e), la unión pn se comporta casi como
un circuito abierto. Esto se denomina acción del diodo.
La figura 3-62(a) muestra el símbolo esquemático de un
diodo. Como lo hemos mostrado, en operación normal
cantidades significativas de comente pueden fluir
solamente en la dirección indicada por las dos flechas,
del ánodo al cátodo, En efecto. el diodo actúa como un
cortocircuito mientras que el voltaje que cruza la unión
ánodo-cátodo no es negativo. Si el voltaje del ánodo a
cátodo es negativo. el diodo actúa como un circuito
abierto y no fluye comente. La característica de
transferencia de un diodo ideal que se muestra en la
figura 3-62(b) ilustra adicionalmente este principio. Si el
voltaje de ánodo a cátodo, V, es negativo. se
dice que el diodo se encuentra inversamente polarizado y
la comente I a través del diodo es cero. Si V no es
negativo, se dice que el diodo está polarizado
directamente y la I puede ser un valor positivo
arbitrariamente grande. De hecho. V nunca puede llegar
a ser más grande que cero, porque un diodo ideal actúa
como un cortocircuito de resistencia cero cuando se
polariza directamente.

Este tipo de pantalla, que utiliza normalmente diodos emisores de luz (LEO. light-e mitting diodes) o
elementos de pantalla la de cristal líquido (LCD. liquid-crystal display), se utiliza en relojes,
calculadoras e instrumentos para exhibir datos decimales. Un dígito se exhibe iluminando un
subconjunto de los siete segmentos de línea mostrados en la figura 5-44(a).
Un decodificador de siete segmentos tiene el BCD de 4 bits como su código de entrada y el "código de
siete segmentos", el cual se describe gráficamente en la figura 5-44(b), como su código de salida. La
figura 5-45 Y la tabla 5-21 son el diagrama lógico y la tabla de verdad paro un decodificador de siete
segmentos 74x49. Excepto por la extraña conexión de la entrada de blanqueo BLL cada salida del
74x49 es una realización de producto de sumas mínimo para el segmento correspondiente,
suponiendo elementos "sin importancia" paro las combinaciones de entrada no decimales. La
estructuro INVERSOR-OR-AND utilizada para cada salida puede parecer un poco extraña, pero es
equivalente bajo el teorema De Morgan generalizado a una compuerta AND-OR-INVERSOR, la cual es
una estructuro compacta y bastante rápida paro ser construida en CMOS oTIL.