UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

EAP: INGENIERIA ELECTRICA

PROFESOR: MEDINA CALDERON ALFREDO

TIPO DE INFORME: FINAL DEL INFORME 6
CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS 1
HORARIO: VIERNES 8:00pm – 10:00pm
I.MARCO TEORICO

Constructivamente, el JFET, sólo tiene una unión P-N en vez de dos,

como ocurre con el BJT. Al comparar al JFET con el BJT se aprecia que
el drenador o drenaje (D) es análogo al colector, en tanto que la fuente o
surtidor (S) es análoga al emisor, por último la puerta o compuerta (G),
es análoga a la base.

La fuente y el drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el

funcionamiento del mismo.

La diferencia fundamental que existe entre el transistor bipolar y el JFET

en cuanto al control, radica en que en el primero, el control de la
corriente entre colector y emisor se hace por medio de la base, es decir se
trata de un control por corriente, mientras que en el JFET el pasaje de la
corriente del drenador al surtidor es controlado por el gate y es un
control por tensión.

Otra diferencia notable entre ambos está dada en las impedancias de

entrada, siendo mucho mayor la del JFET (Zi = 108 a 1012) comparada
con la de un transistor bipolar (Zi = 102 a 106).

La elevada impedancia de entrada del JFET constituye su principal

ventaja, y se debe a que la unión P-N se encuentra polarizada en forma
inversa. La corriente (IG) que circula por la compuerta equivale a una
corriente de fuga, siendo su magnitud del orden de los nano amperes.
Su principio de funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos
producidos por la región agotada que se crea en las proximidades de toda
unión P-N cuando esta se polariza inversamente.

Supongamos en primera instancia que aplicamos una diferencia de

potencial VGS entre G y S, haciendo VDS = 0. La unión P-N queda
polarizada en forma inversa, originándose una circulación de una
corriente de fuga (IG) despreciable.

Mientras la diferencia de potencial aplicada VGS sea pequeña, las

regiones agotadas serán de pequeño espesor, luego y a medida que esta
tensión aumenta, también aumenta el espesor de dichas regiones.

Esto ocurre para un valor de VGS determinado que se denomina “tensión

de estrangulamiento”, en inglés tensión “pinch off”, y que la
simbolizaremos V (P) GS.

A continuación, hacemos VGS = 0 y aplicamos una VDS entre D y S.

Se produce entonces la circulación de una corriente ID a través del canal,

que depende de la VDS aplicada, de la resistencia intrínseca del canal y de
su geometría.

La unión P-N también se polariza en forma inversa, pero ahora las

regiones agotadas presentan la forma de cuña debido a que en su parte
superior la unión está más inversamente polarizada que en la parte
inferior, debido a que allí el gradiente del potencial es mayor, es decir la
tensión va cayendo a lo largo del canal en forma progresiva (debido a la
resistencia propia del canal). A medida que VDS aumenta, las regiones
agotadas se hacen cada vez más grandes, haciendo que las junturas
tiendan a tocarse cerca del D. Esto hace que el canal se vaya estrechando,
restringiendo así el paso de portadores (en este caso electrones pues se
trata de un JFET de canal N).

Cuando VDS alcanza un determinado valor, se produce el

estrangulamiento del canal, cerrándolo casi por completo y provocando la
disminución de la corriente.
OBJETIVO

En el amplificador en el cual utilizamos el transistor JFET hallar el

voltaje (Vgs) y la corriente (Id) variando o la resistencia Rs el Vg.

MATERIALES

 Protoboard

 Resistencias (1M, 1K)

 Diodo zenner (12v, 1w)

 Transistor JFET K 30A

 Cables conectores

 Jumper

 Multímetro

 Amperímetro

 Fuente DC
CIRCUITO DEL CON JFET
CIRCUITO EN EL PROTOBOARD
CONCLUSIONES
Después de hacer las mediciones con el Vi constante y el RL constante nos
podemos dar cuenta que se cumplen con todas las condiciones de los
voltaje y corrientes del transistor BJT, y cuando variamos el Vi los
voltajes y las corrientes cambian pero aun asi se siguen cumpliendo las
condiciones del BJT también nos podemos percatar que a pesar de variar
el Vi el voltaje del zenner se va a mantener constante por la tanto el
voltaje que aumenta o disminuya será el Vri.
Al retirar la resistencia de 330Ω y trabajar solo con la resistencia de
470Ω sigue funcionando, sin embargo al hacer que la corriente IL sea ceo
deja de cumplir las condiciones de los voltajes en el transistor.

BIBLIOGRAFIA:

https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/clases/Clase%204%20-
%20FET.pdf
http://orga.blog.unq.edu.ar/wp-
content/uploads/sites/71/2015/06/DEAJFET-2012.pdf
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf