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CURSO TEMA
FECHAS NOTA
INFORME
NUMERO
REALIZACION ENTREGA
PREVIO 5 09-10-19
GRUPO PROFESOR
MIERCOLES 8PM-10PM Ing. Chacón Cursack,
(2019-II) Horacio
CIRCUITOS ELECTRONICOS II | INFORME PREVIO 5
I. CUESTIONARIO:
1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, Ft.
hie=rπ=rbb´+rb´e//rb´c
rπ=(Vb´e)/Ib
cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de
la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele
considerarse constante en una región de operación particular del transistor. La
capacitancia cb´e, la cual es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor
aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la
capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido
a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente
iguala la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de
la base).
Desarrollamos el circuito en AC
𝟏
𝒇𝜷 =
𝟐𝝅. 𝒓𝝅 . (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )
𝟏 𝟏 𝟏
𝒇𝜷 = =
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 ) 𝟐𝝅. (𝑪𝒃𝒆 + 𝑪𝒃𝒄 ). 𝒉𝒇𝒆 . 𝒓𝒆
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
Y para 𝒇𝑻
CIRCUITOS ELECTRONICOS II | INFORME PREVIO 5
𝟏
𝒇𝑻 =
𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )
𝒇𝜷
Entonces obtenemos la siguiente expresión para
𝒇𝑻
𝟏 𝟏
𝒇𝜷 =
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )
𝟏
𝒇𝜷 = . 𝒇𝑻
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
𝒇𝜷 𝟏
=
𝒇𝑻 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los circuitos
equivalentes. Determine el ancho de banda del amplificador.