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T2: Memoria interna y memoria caché

Por:
1. Bolaños Atalaya, Romer
2. Huamán Huaccha, Ivan
3. Morán Hernández, Oscar Enrique
4. Sánchez Chávez, Ivan Antony
Cajamarca, octubre 02, 2019

1. Memoria Interna
1.1 Memorias RAM
A. Organización y estructura
El elemento básico de una memoria semiconductora es la celda de memoria.
Aunque se utilizan diversas tecnologías electrónicas, todas las celdas de memoria
semiconductora comparten ciertas propiedades:
 Presenta dos estados estables (o semiestables), que, aunque emplearse
para representar el 1 y el 0 en binarios.
 Pueden escribirse en ella (al menos una vez) para fijar su estado.
 Pueden leerse para detectar su estado.
Funcionamiento de una celda de memoria
(a) Escritura: Selección -> control <- Entrada de datos.
(b) Lectura: Selección -> Control -> Detección.
Lo más común es que una celda tenga tres terminales para transportar señales
eléctricas
B. Tipos de memoria RAM
Las dos tradicionales de RAM utilizadas en los computadores son la
DRAM y la SRAM.
DRAM (RAM dinámica): Esta hecha con celdas que almacenan los datos como
cargas eléctricas en condensadores. Requieren refrescos periódicos para mantener
memorizado los datos. Su nombre hace referencia a esta tendencia a que la carga
almacenada se pierda, incluso manteniéndola siempre alimentada.
La operación de escritura se aplica un valor de tención en la línea de bit; un valor de
tención alto representa un uno, y una tención baja representa un cero. Se aplica
entonces una señal a la línea de direcciones, permitiendo que se transfiera carga al
condensador.
La operación de lectura, cuando se selecciona la línea de direcciones, el transistor
entra en conducción y la carga almacenada en el condensador es transferida a la línea
del bit y a un amplificador detector o amplificador de lectura.
SRAM (RAM estática): Es un dispositivo digital, basado en los mismos elementos
que se usan en el procesador. Loa valores binarios se almacenan utilizando
configuraciones de puertas que forman biestables (flips – flops).
La estructura de una celda elemental de memoria SRAM. Cuatro transistores (T1, T2,
T3, T4) están conectados en una configuración cruzada que produce estados lógicos
estables.
C. Organización de avanzada de DRAM:
Existen numerosas técnicas arquitectónicas para mejorar las prestaciones de la
memoria principal basada en DRAM.
 Cada chip de memoria DRAM tiene asociado un buffer para almacenar la
última fila leída
 En los accesos siguientes se compara los N/2 bits más significativos de la
dirección con la almacenada en el registro de dirección de la fila (que contiene
la dirección de la última fila leída)
 Si la dirección de fila coincide se puede tomar el dato directamente del buffer
 Cuando se leen varias palabras consecutivas con la misma dirección de fila se
reduce el tiempo de acceso a memoria
 El tiempo de acceso es igual al tiempo de acceso a la columna.
DRAM SINCRONA:
La SDRAM intercambia datos con la CPU de forma sincronizada con una señal de
reloj externa
 La SDRAM lee o escribe datos bajo el reloj del control del sistema
 Cada transferencia consume un número fijo de ciclos de reloj
Ventajas de la SDRAM sobre la DRAM asíncrona
 Más rápida puesto que no necesita intercambiar señales de control
 La CPU puede realizar otras tareas mientras se preparan o escriben los datos
En la DRAM asíncrona la CPU debe permanecer inactiva durante este intervalo
de tiempo
DRAM RAMBUS:
 Tiene un encapsulado vertical
 Todos los conectores están en un lateral.
 El bus que conecta el procesador con la memoria puede ser de menor longitud
(menos de 12 com).
 Las transferencias pueden realizarse a mayor velocidad.
DDR SDRAM
 SDRAM es limitada por el hecho de que puede enviar datos del procesador
solo una vez por ciclo e reloj del bus.
 la nueva versión (DDR SDRAM) puede enviar datos dos veces cada ciclo del
reloj, una coincidiendo con el flanco de subida del pulso de reloj y otra
coincidiendo con el flanco de subida del pulso de reloj y otra coincidiendo
con el flanco de bajada.
DRAM CACHÉS
Dispone también de una cache SDRAM que puede utilizarse de dos modos:
 Como buffer de almacenamiento de las filas para acelerar el acceso a
posiciones de memoria consecutivas (similar a la EDRAM o EDO RAM).
 Como una verdadera memoria cache dentro de la jerarquía de memoria.
D. Corrección de errores de la RAM
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard
fails) que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas
fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones
el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son
más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente
a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los
datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos
más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en
diferentes estrategias:
1.2 Memorias ROM
A. Organización y estructura
Como su nombre lo indica, una memoria de sólo lectura (ROM) es una unidad
de memoria que sólo ejecuta la operación de lectura; no tiene la posibilidad de
escritura. Esto implica que la información binaria almacenada en una ROM se hace
permanente durante la producción del hardware de la unidad y no puede alterarse
escribiendo diferentes palabras en ella.
La ROM no necesita una línea de control de lectura, porque en cualquier momento
las líneas de salida proporcionan en forma automática los n bits de la palabra
seleccionada por el valor de dirección. Además, una vez que se establece la función
entre las entradas y las salidas, esta permanece dentro de la unidad, aun cuando la
corriente se apague y se encienda de nuevo.
La ROM tiene un amplio campo de aplicaciones en el diseño de sistemas digitales.
Cuando se emplea en un sistema de computadora como una unidad de memoria, la
ROM se utiliza para almacenar programas fijos que no van a alterarse y para tablas
de constantes que no están sujetas a cambio.
B. Tipos de ROM
PROM
Las PROM son Programmable ROM. Una PROM es una ROM cuyo contenido puede
ser definido a posteriori de construida, mediante una actividad de programación que
se realiza utilizando un circuito electrónico especial (un Programador de PROMs).
En esencia son ROMs que tienen en su entrada Dij a las ANDs de selección una
conexión tanto a ground (0) como a Vcc (1). Esta conexión está realizada mediante
un fusible, el cual se quema al momento de "programar" el contenido de la PROM.
Si quiero grabar un 0 quemo el fusible de la conexión a Vcc y si quiero grabar un 1
quemo el fusible de la conexión a tierra.
EPROM
Si bien las PROMs significaron un avance, el hecho de no tener "vuelta atrás" aún
significaba una restricción para el uso intensivo de PROMs en el almacenamiento de
programas. De esa necesidad no del todo satisfecha surgió la tecnología de las
EPROM (Erasable PROM).
Una EPROM es una ROM que puede ser borrada. El mecanismo de borrado es
totalmente distinto al de programación e implica un proceso de exposición del circuito
a luz ultravioleta por varios minutos. La gran ventaja es que puede reutilizar las
EPROMs muchas veces borrando su contenido y grabando uno nuevo.
EEPROM
Las EPROM si bien solucionan el problema de la re-usabilidad de este tipo de
memorias, todavía tienen el inconveniente que este proceso es sumamente lento,
complejo y requiere retirar la EPROM del sistema para realizar el borrado.Es así que
surgieron las EEPROM (Electrical EPROM), o sea una EPROM cuyo proceso de
borrado se hace eléctricamente y puede efectuarse sin retirar el circuito integrado del
sistema. Posee otra diferencia importante con la EPROM: una EEPROM
normalmente tiene la capacidad de borrar cada bit en forma individual (también hay
implementaciones que borran una palabra completa en cada operación de borrado).
Flash EEPROM / Flash EPROM / Flash Memory
Este tipo de memoria es una variante de las EEPROM que se desarrolló con el
objetivo de mejorar el tiempo de borrado, de forma de habilitar su uso para
aplicaciones de almacenamiento masivo.
Si bien el nombre está asociado al concepto de velocidad (lo que se corresponde con
lo antedicho), el nombre se origina en la similitud que uno de sus creadores veía entre
el proceso de borrado y el destello del flash de una cámara de fotos.
Su aplicación más difundida es la de almacenamiento masivo (reemplazo de discos
duros o disquetes), ya que su tiempo de acceso es varios órdenes de magnitud menor
que la de dichos dispositivos. Las capacidades de los chips llegan en la actualidad a
del orden de 256 Gbits, y están organizados en palabras de 8 ó, más habitualmente,
16 bits.
2. Memoria Cache
A. Jerarquía de memorias
Para el diseño de la memoria del computador se hacen tres preguntas muy
importantes: ¿Cuánta capacidad?, ¿Cómo de rápida? y ¿de qué coste? Existe una
característica entre ellas cumpliendo las siguientes relaciones: a menor tiempo de
acceso obtienes mayor coste por bit; a mayor capacidad tienes menor coste y a mayor
capacidad se tiene mayor tiempo de acceso. Para poder obtener una buena memoria
y solucionar a estos dilemas es necesario utilizar una jerarquía de memoria. A medida
que se disminuye se obtiene los siguientes puntos: disminuye el coste, aumenta su
capacidad, aumenta el tiempo de acceso y disminuye la frecuencia de acceso a la
memoria del procesador. Complementándose así las memorias más pequeñas, más
costosas y rápidas con las más grandes, más económicas y más lentas.
B. Principios básicos de la memoria cache
Su objetivo de la memoria cache es lograr que la velocidad de memoria sea lo
más rápida posible. Además, contiene una copia de partes de la memoria principal y
cuando uno intenta leer una palabra de la memoria se hace una comprobación para
determinar si la palabra existe en el cache; si se cumple esto la palabra va al
procesador, sino se transfiere primero a la cache y luego al procesador. Debido al
fenómeno de localidad de las referenciases captado por el cache, es probable que se
hagan referencias futuras a otras palabras del mismo bloque o grupo. Estos son todos
los principios básicos que tiene la memoria cache.
C. Características de la memoria cache
Una de las características que tiene la memoria es permitir de manera rápida
y organizada algunos datos, lecturas o archivos de uso común por el usuario. Además,
mejora el desempeño y resultado de las tareas del procesador. También se encarga de
liberar los procesos internos de las memorias de almacenamiento aleatoria(RAM).
Incluso tiene un sistema de orden según la importancia del archivo según su
requerimiento de cada sistema operativo. A pesar de ser una pieza muy importante
dentro del sistema operativo no ocupa gran espacio dentro del Hardware ni del
Software; pero eso si cumple funciones muy importantes que se mencionaron
anteriormente.
3. Referencia Bibliográfica:
[1] W. Stalling. Organización y Arquitectura de Computadoras. España: Pharson-Prentice,
2017.
[2] Fing/CETP (2012, enero 26). Arquitectura de Computadoras – Memorias [Online].
Available: https://www.fing.edu.uy/tecnoinf/mvd/cursos/arqcomp/material/teo/arq-
teo09.pdf

[3] Grupo Numero uno. (2009, marzo 12). Memoria RAM y sus Derivados [Online].
Available: http://memoriaramyderivados.blogspot.com/2009/03/deteccion-y-correccion-
de-errores.html

[4] Grecia Calderón. (2015, julio 23). Memoria cache [Online]. Available:
https://www.euston96.com/memoria-cache/

4. Anexos:
MEMORIA INETRNA

Memoria RAM

Organización y estructura Tipos de memoria RAM Corrección de errores de la RAM Organización de avanzada de DRAM

SRAM (RAM estática): Las fallas (Hard fails)


• Presenta dos estados
DRAM SINCRONA
estables (o
semiestables), que, Que son daños en el
aunque emplearse para DRAM (RAM dinámica) hardware DRAM RAMBUS
representar el 1 y el 0 en
binarios. Las fallas (soft errors) DDR SDRAM
• Pueden escribirse en
ella (al menos una vez) provocados por causas DRAM CACHÉS
para fijar su estado. fortuitas
• Pueden leerse para
detectar su estado.

Organización y estructura

No necesita una línea de control de lectura, porque en


cualquier momento las líneas de salida proporcionan en
forma automática los n bits de la palabra seleccionada por
el valor de dirección

ROM tiene un amplio campo de aplicaciones en


MEMORIA INETRNA Memorias ROM el diseño de sistemas digitales

Tipos de ROM

PROM Flash EEPROM

EPROM

EEPROM
T3.A-BolañosAtalaya-AC-06Oct2019

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