2018 IEEE International Autumn Meeting on Power, Electronics and Computing (ROPEC 2018).

 Ixtapa, México

Práctica No. 1
“POLARIZACION DEL DIODO”

Irving Perez Uribe

Ingeniería Mecatrónica, Tecnológico Nacional de México
Instituto Tecnológico de Morelia Orlando Figueroa Colin
Morelia, Michoacán de Ocampo, México
Ingeniería Mecatrónica, Tecnológico Nacional de México
pelezuribeirving@gmail.com
Instituto Tecnológico de Morelia
Morelia, Michoacán de Ocampo, México
Carlos Cervantes Rangel
figueroa07.of@gmail.com
Ingeniería Mecatrónica, Tecnológico Nacional de México
Instituto Tecnológico de Morelia
Morelia, Michoacán de Ocampo, México
ccr109970@gmail.com

Resumen. • Obtener la curva característica de un diodo

semiconductor de manera experimental

I. INTRODUCCION
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales
que permite la circulación de la corriente eléctrica a través
de él en un solo sentido. El diodo posee las siguientes Figura 1. Diodo
funciones: Diodo ideal

 Rectificar: son dispositivos capaces de suprimir la
parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente
continua
 Proteger: en un circuito en donde convenga que la
corriente circule solamente en un determinado
sentido, y nunca en el sentido contrario, puede ser
protegido por la presencia de un diodo.
En forma ideal, un diodo conduce corriente en la dirección
definida por la flecha en el símbolo y actuará como un
circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente
en la dirección opuesta. Básicamente, las características de
un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola dirección.

El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el

silicio, con impurezas en él para crear una región que
contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado
semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado Figura 2. Diodo ideal.
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a
cada región. El límite dentro del cristal de estas dos Diodos semiconductores PN
regiones, llamado una unión PN, es donde el cristal conduce
una corriente de electrones del lado n, pero no en la Los diodos PN son uniones de dos materiales
dirección opuesta; es decir, cuando una corriente semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también
convencional fluye del ánodo al cátodo. reciben la denominación de unión PN. Al unir ambos
cristales, se manifiestan dos procesos:

1. La difusión de huecos del cristal p al n

2. Una corriente de electrones del cristal n al p

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Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una Figura 5. Polarización directa.
zona a ambos lados de la unión, zona denominada región de
agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusión,
la región de agotamiento va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.

Figura 6. Representación gráfica.

II. DESARROLLO TEORICO
Figura 3. Diodo PN ACTIVIDAD 1.
Polarización inversa 1.- Armar el circuito de la Figura 1 con el diodo 1N4001

Durante la polarización inversa el polo negativo de la

batería se conecta a la zona p (la de menor tensión), lo que
hace aumentar la zona de carga espacial y la tensión en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la
batería. En esta situación, el diodo no debería conducir la
corriente; sin embargo, produce una pequeña corriente del
orden de 1 μA.

Figura 7. Polarización directa de diodo de Silicio

2.- Medir el voltaje y la corriente del diodo en polarización

directa a partir de los siguientes valores de Vcc, llenar la
Tabla.

Vcc VD (v) iD (mA) Vcc VD (v) iD (mA)

0V 0 0 6V 0.64 5.20
0.4V 0.39 0.02 7V 0.65 6.18
1V 0.53 0.54 8V 0.66 7.20
2V 0.57 1.36 9V 0.66 8.13
Figura 4. Polarización inversa.
3V 0.6 2.32 10V 0.67 9.22
Polarización directa 4V 0.62 3.38 11V 0.67 10.06
5V 0.63 4.29 12V 0.68 11.17
En este caso, al contrario que en el anterior, la batería
disminuye la barrera de potencial de la zona de carga Tabla 1. Voltaje y corriente en el diodo de Silicio en
espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones polarización directa.
y huecos a través de la unión; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad. 3.- Armar el circuito de la Figura 2 con el diodo 1N4001.

Figura 8. Polarización inversa de diodo de Silicio.

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Tabla 4. Voltaje y corriente en el diodo de Germanio en
polarización inversa.
4.- Medir el voltaje y la corriente del diodo en polarización
inversa a partir de los siguientes valores de Vcc, llenar la 10.
Tabla .

Vcc VD (v) iD (mA) Vcc VD (v) iD Vcc VD (v) iD (mA)

1V -0.96 0 (mA)
2V -1.5 0 0V 0 0 6V 0.58 5.47
3V -1.9 0 0.4V 0.25 0.82 7V 0..64 6.53
4V -1.10 0 1V 0.34 1.74 8V 0.69 7.53
5V -0.88 0 2V .4 2.56 9V 0.75 8.44
6V - 1.2 0 3V .46 2.56 10V 0.78 9.48
7V -1.22 0 4V .52 3.51 11V 0.83 10.3
8V -0.94 0 5V .58 4.6 12V 0.88 11.32
9V -1.17 0 Tabla 5. Diodo de Germanio
10V -1.20 0
Vcc VD (v) iD (mA)
Tabla 2. Voltaje y corriente en el diodo de Silicio en 1V -0.98 0
polarización inversa. 2V -2.03 0
3V -2.99 0
5.- Repetir procedimiento para diodo 1N4148 4V -4.08 0
5V -5.1 0
6.- Armar el circuito de la Figura 7 con el diodo 1N34A. 6V - 6.08 0
7V -7.02 0
7.- Medir el voltaje y la corriente del diodo en polarización 8V -7.95 0
directa a partir de los siguientes valores de Vcc, llenar la
9V -8.92 0
Tabla.
10V -9.95 0
Vcc VD (v) iD (mA) Vcc VD (v) iD (mA) Tabla 6. Diodo de Germanio, polarización inversa.
0V 0 0 6V 0.69 5.12
0.4V 0.42 0.03 7V 0.71 6.06 III. RESULTADOS PRACTICOS
1V 1.25 0 8V 0.72 7.14
2V 0.58 0.6 9V 0.72 7.83 IV. SIMULACIONES
3V 0.65 2.25 10V 0.73 8.95
4V 0.67 3.22 11V 0.73 9.82
5V 0.68 4.07 12V 0.73 10.93
Tabla 3. Pol. Directa 1N34A.

8.- Armar el circuito de la Figura 8 con el diodo 1N34A.

9.- Medir el voltaje y la corriente del diodo en polarización
inversa a partir de los siguientes valores de Vcc, llenar la
Tabla.

Vcc VD (v) iD (mA)

1V -0.93 0 Figura 9. 1N4001 1 volt.
2V -2.07 0
3V -3.04 0
4V -1.42 0
5V -4.95 0
6V - 5.94 0
7V -7 0
8V -8 0
9V -9.07 0
10V -10.11 0
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Figura 14. 1N4001 10 volts.

Figura 10. 1N4001 6 volts.

Figura 15. Germanio 0 volts.

Figura 11. 1N4001 12 volts.

Figura 16. Germanio 12 volts.

Figura 12. 1N4001 1 volt.

Figura 17. Germanio Inversa.

Figura 13. 1N4001 5 volts.

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Figura 22. 1N4148 10 Volts.

Figura 18. 1N4148 0 volts.
V. GRAFICAS DE VOLTAJE VS CORRIENTE EN EL
DIODO
GRÁFICA VD V.S. ID

Figura 19. 1N4148 6 volts.

Polarización Directa e Inversa del diodo de Silicio

GRÁFICA VD V.S. ID

Figura 20. 1N4148 12 volts.

Polarización Directa e Inversa del diodo 1N34A

Figura 21 1N4148 Inversa.

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GRÁFICA VD V.S. ID

Polarización Directa e Inversa del diodo de Germanio

VI. CALCULO DE PORCENTAJE DE ERROR

VII. ANALISIS DE DATOS / CONCLUSIONES

Carlos Cervantes Rangel
En esta práctica se conoció el funcionamiento del diodo. Las
ventajas y formas de usarlo ya sean en polarización directa o
inversa; influyendo estas en el voltaje recibido, así como la
corriente entregada.

Orlando Figueroa Colin

Observamos en la práctica el comportamiento de los diodos
a cierto voltaje y sus maneras de actuar según la
polarización del circuito. También observamos que hay una
diferencia entre el comportamiento ideal y el real.

Irving Pérez Uribe

Como conclusión se observó que el diodo es un componente
electrónico que solo permite el flujo de la electricidad en un
solo sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un
interruptor el cual abre o cierra los circuitos. Este
dispositivo está conformado por dos tipos de materiales
diferentes los cuales se traducen a dos terminales, un ánodo
(+) y un cátodo (-).
REFERENCIAS
http://www.efectoled.com/blog/todo-sobre-los-diodos/
https://www.fluke.com/esmx/informacion/mejorespracticas/
aspectos-basicos-de-las-mediciones/electricidad/que-es-un-
diodo
https://www.ingmecafenix.com/electronica/diodo-
semiconductor/