FISICA

ELECTRONICA
ESCUELA DE INGENIERIA DE SISTEMAS
CURSO: FISICA ELECTRONICA
UNIDAD: I
SEMANA: X
Distribución de portadores y de corriente en régimen permanente
Característica corriente – tensión del diodo
Mas allá del voltaje de juntura la corriente aumenta exponencialmente con la
tensión mientras que por debajo es muy pequeña.
Esta tensión depende de la escala de corrientes de trabajo del diodo.

I Dref
V0  Vt ln
Is

En diodos de silicio, con IDref de orden de mA se obtiene una tensión umbral

próxima a 0.7V, con un valor de Is de orden de 10-15 A. En diodos
2 de arsénico
n
de galio tienen una Is unas 108 veces menor (porque lo es i ), y dan lugar a
valores de V0 mayores, del orden de 1.2V, mientras que en el germanio, al ser Is
unas 106 veces mayor que en el silicio, los diodos presentan una tensión umbral
de tan solo 0.2V.
 Característica Tensión-corriente
La corriente I se relaciona con la tensión V mediante la expresión:

V /VT T
I  I 0 (e  1) Donde: VT 
11.600
A temperatura ambiente, T=300ºK, VT= 0.026 = 26 mV. Para el Germanio =1 y para
el silicio =2.
I I

I0

V I0 0.1 V

VZ

Diodo Ideal Diodo real

Modelo dinámico del diodo.-
Capacidades en el diodo:
Capacitancia de deplexión
La capacitancia de deplexión,(Cj), (relacionado con la carga
almacenada en la ZCE) está dada por:

C j0
Cdep  C j 
1 v D V j0 
m

Donde Cj0 es la capacidad a tensión

cero, y m es el coeficiente de
gradiente, m = 0.5 para uniones
abruptas y m = 0.33 para uniones
graduales.
Capacitancia de difusión
La relación entre el incremento de carga y el aumento de la tensión se denomina
capacidad de difusión (Cs)

Q p  Aqn 2
i e
L p vD VT
1 
Nd

Qd  Q p  Qn  K e vD VT  1
Qn  Aqni2 Ln

Na

e vD VT  1 
 Modelo dinámico del diodo

La corriente del diodo esta dada por:

Dp D
iD  Q p 2  Qn 2n
Lp Ln
Dado que: L2p L2n
p  y n 
Dp Dn

Entonces
Qp Qn
iD  
p n

Para un diodo con Na >> Nd

Qp
iD 
p
En el caso dinámico la corriente también proviene de la
carga de difusión y de deplexión, entonces:

Qp dQp dQdep
iD   
p dt dt
Esto se puede modelar mediante la red de la figura.
Diodo en conmutación y en pequeña señal:
Conmutación dinámica
Considere el circuito de la figura al que se le aplica la señal mostrada.

 
i 0 
Q
p

 I s e VNN VT

1  I s

VDD  VNN
 

i0 
R

VDD  0.7
iD   
R
Transitorios
Modelo del diodo en pequeña señal:
Cuando un diodo opera en determinados circuitos en el que se le aplica una señal
de pequeña amplitud, superpuesta a un valor continuo de polarización.
Como consecuencia de esa polarización, la corriente que circula por el diodo se
puede descomponer en un valor continuo I DQ mas un valor incremental o señal iD t 
El circuito que permite calcular esa relación se denomina circuito equivalente del
diodo en pequeña señal.