TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para

entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Funcionamiento

El transistor bipolar es un dispositivo

de tres terminales gracias al cual es
posible controlar una gran potencia
a partir de una pequeña.

Entre los terminales de colector (C)

y emisor (E) se aplica la potencia a
regular, y en el terminal de base (B)
se aplica la señal de control gracias
a la que controlamos la potencia.
Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en
variaciones de tensión según sea necesario.

1. Transistor Bipolar:

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -

emisor, colector y base-, que, atendiendo a su
fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP

Estructura física:

El transistor bipolar es un dispositivo formado

por tres regiones semiconductoras, entre las
cuales se forman unas uniones (uniones PN).
Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las
regiones sea alterno, es decir, si el emisor es
tipo P, entonces la base será tipo N y el
colector tipo P. Esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el
colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.
El emisor ha de ser una región muy dopada
(de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores
podrá aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco

dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente
toda la corriente que proviene de emisor pase
a colector, como veremos más adelante.
Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como
un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.

El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las

características de esta región tienen que ver con la recombinación de los
portadores que provienen del emisor. En posteriores apartados se tratará el
tema.

2. Transistor de efecto campo

Los transistores más

conocidos son los
llamados bipolares
(NPN y PNP), llamados
así porque la
conducción tiene lugar
gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones,
pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia
de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los
que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) típico
está formado por una barrita de material P o N, llamada canal, rodeada en
parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el
canal una unión P-N.

Los transistores de efecto de campo o FET

(Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos

integrados y pueden ser de dos tipos: Transistor de efecto de campo de unión o
JFET Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).
Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada
(1012Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como
amplificador o como conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son similares
aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.

Ventajas del FET:

a. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada

muy elevada (107a 1012Ω).
b. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
c. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
d. Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos
pasos y permiten integrar másdispositivos en un C1.
e. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para
valores pequeños de tensióndrenaje-fuente.
f. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir operaciones de muestreo en conversores
A/D y memorias.
g. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET:

a. Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada, y en general son menos lineales que los BJT.
b. Se pueden dañar debido a la electricidad estática.

TRANSISTOR DE EFECTO
CAMPO CON CANAL N

TRANSISTOR DE EFECTO
CAMPO CON CANAL P

PARAMETROS DEL FET

 La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds
como de la puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas
(en el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds
y Vgs en esta forma

𝜕𝐼𝑑 𝜕𝐼𝑑
𝐼𝑑 = . 𝑉𝑑𝑠 + .𝑉
𝜕𝑉𝑑𝑠 𝜕𝑉𝑔𝑠 𝑔𝑠

1
𝐼𝑑 = . 𝑉 + 𝑔𝑚 . 𝑉𝑔𝑠
𝑟𝑑 𝑑𝑠

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es

la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente
es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente),
entonces la rd es infinita (muy grande).

El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es

igual a la separación vertical entre las características que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

TRANSISTOR MOSFET

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente
pero sus ecuaciones analíticas son muy similares.

Un transistor Mosfet tiene 3 patillas. El mosfet conduce corriente eléctrica entre

dos de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla. Es
un interruptor que se activa por tensión. Así de sencillo. Aquí puedes ver
dos tipos de mosfet:

Recuerda que un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo mismo,
pero la diferencia es que en los npn o pnp la conducción se produce cuando le
llega una pequeña corriente a la base, en el mosfet es por tensión, se activa
cuando ponemos a una tensión mínima en la patilla del transistor llamada Gate.

Las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drenaje (salida). Aunque
luego explicaremos todo con más detalle fíjate en el esquema siguiente. Se ven
las 3 patillas y como cuando conectamos G hay circulación de corriente entre D
y S.
Ventajas del Transistor Mosfet

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para
llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida
es muy pequeña, lo que hace que sea un componente importante en los
modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los teléfonos celulares,
relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.

Curva característica
Biografía
https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm

http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm?fbclid=IwAR3gBWS3b8HigL8Snp0LmjRy6V-
5L0HI9AgAr5iiwc6GICtFVA0Z0UItZCU

http://www.ele-
mariamoliner.dyndns.org/~jsalgado/analogica/7transistores.pdf?fbclid=IwAR1Sndp4oYMD576
aCuRYZOL1vFQyxyo1KOOMs4f-1K1ZrmrxSpReLOKyMcs

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf?fbclid=IwAR1v3zMd667nMUX190Xhela
Gts6cpLArYRkF_XK3mfMV3m3_lx9w9lg-gXU