ELECTRONICA DE POTENCIA II –PRACTICA 1
CARLOS ALBERTO BELTRAN
COD: 1090360
ANDRES FERNANDO ARGUELLO
COD:1090718
PRÁCTICAS CON EL MÓDULO DE
TRANSISTORES LAB-VOLT
RESUMEN. Con el desarrollo tecnológico y
evolución de la electrónica, la capacidad de
los dispositivos semiconductores para
soportar cada vez mayores niveles de tensión
y corriente ha permitido su uso en
aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son empleados
en conversores estáticos de potencia,
controles para motores y llaves de alta
potencia (principalmente inversores), aunque
su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un
circuito cerrado.
Abstract.With the technological development
and evolution of electronics, the ability of
semiconductor devices to withstand ever
higher voltage and current levels has allowed
their use in power applications. This is how
transistors are currently used in static power
converters, motor controls and high power
switches (mainly inverters), although their
main use is based on the amplification of
current within a closed circuit.
En electrónica de potencia, se encuentran
diferentes tipos de conmutadores electrónicos.
En una primera categoría las señales de
impulsión pueden utilizarse solamente para
activar (o bloquear inversamente) los
semiconductores de conmutación (por ejemplo
thyristor y triac.)
Estos semiconductores se pueden estudiar
utilizando el tablero de circuitos de tiristor y
circuitos de control de potencia, modelo
91011.(figura 1)
Una segunda categoría incluye los
semiconductores de potencia conocidos como
dispositivos auto conmutados, ya que pueden
ser encendidos o apagados por señales de
control. En esta categoría se encuentran los
transistores de potencia: npn, bipolar,
Darlington, Mosfet e IGBT (transistor bipolar
de compuerta aislada). Se encuentra también
el tiristor GTO que se utiliza principalmente en
aplicaciones de alta potencia.
El tablero del circuito de mando, figura 1.
Está dividido en ocho bloques de circuito,
cinco de ellos contienen transistores de
potencia y uno un tiristor GTO.En el cual se
llevara a cabo el análisis de los transistores de
potencia MOSFET(IRF530), IGBT
ULTRARAPIDO(GBC20U) Y EL BJT
(TIP33C).
 El bloque de circuito carga (Z) es un tipo de
carga RL la cual puede ser modificada para la
realización de configuraciones típicas.

Figura 1 módulo lab-volt

El bloque de circuito de impulsión driver
(DR) se usa para proporcionar las señales de Figura 3 bloque circuito de carga
control para los diferentes conmutadores La carga está constituida por una R = 12 ohm L
electrónicos. El cual está constituido por por = 577 μH
2 resistencias una de 100 ohm y otra de 760
ohm el capacitor que tiene es de 6,8 nF y está
conectado en serie con el resistor de 100 ohm
Calculo de la variación de corriente y la
esta red RC proporciona una derivación de la
corriente promedio en la carga para
corriente es decir suministra una corriente una relación de trabajo de D = 0,5
impulsiva y extremadamente rápida que es
más o menos 8 veces la corriente que se
calcula una vez el capacitor se ha cargado se
abre permitiéndole estabilizar la corriente.

El driver (C.I.A3101) proporciona

aislamiento eléctrico entre la etapa de
potencia y etapa de control, a su vez
adecuar los niveles de corriente o de voltaje
para activar los transistores.

Figura 2 circuitos de mando (DR)

 VALORES IRF 530 GBC20U TIP 33C
NOMINAL
v ES
VOLTAJ 100 600 100
E (V)
CORRIEN 14 13 10
T E (A)
FRECUEN 1 1 3
t
C IA
i L (MHZ)
TIEMPO 30 60 600
<i >
L i ON (NS)
TIEMPO 40 210 1000
OFF
(NS)
DTc Tc 2Tc CAPACITA 670 330 -
NCIAS(PF)
RESISTE 80 80 35.7
N CIA
TERMICA
(°C/W)
VOLTAJ 2 20 5
E
UMBRAL
(V)

Formas de ondas
Según las características operación del driver
se seleccionó la corriente y voltajes
recomendados de acuerdo al datashet del
mismo.
Igualmente se realizó una tabla comparativa
de acuerdo a los datos del fabricante de los
distintos transistores a tratar.

Tabla comparativa transistores

 IGBT(240n MOSFET(520 BJT(2.6µs)
s) ns) Te analizo e interpreto cada uno de los
GB IR93 R2=1.1 VR2= R4=1. Vter bloques en los cuales está constituido el
C2 28 4 0. 18 =7.52 modulo y su respectivo funcionamiento.
05 51v v
R2= VTE R1=21 Vz R3=1 VR2= Por otro lado se concluye de acuerdo a los
1. R 7. 2 =6.1v 0.4 0.42v calculo que el dispositivo que tuvo el menor
14 =7,9 tiempo de encendido fue el IGBT y el mayor
4 tiempo de encendido lo tuvo el BJT.
v
R1=2 VRz Vterm R2=0. Vz Respecto a las preguntas:
1 7.2 =0.4 =6.9v 5K =6.20
v La función del C.I.A3101 es proteger y aislar
3
v el circuito de control del circuito de potencia
VZ=6 R1=5 0 siendo un dispositivo de emisión y recepción
.54v que funciona como un interruptor activado
mediante la luz emitida por un diodo LED
Tabla comparativa transistores de potencia .
que satura un componente opto electrónico,
normalmente en forma de fototransistor o
fototriac.
ACTIVACIÓN DE LOS TRANSISTORES
La red RC proporciona una derivación de la
 Se conectó la fuente de potencia al corriente es decir suministra una corriente
tablero LAB-VOLT impulsiva y extremadamente rápida que es
 Se conectó el generador de señales más o menos 8 veces la corriente que se
en el bloque del circuito de mando calcula una vez el capacitor se ha cargado se
con una señal senoidal cuadrada a abre permitiéndole estabilizar la corriente.
1kHz. La función del circuito de mando (DR) es el
 Se hizo uso del osciloscopio a los encargo de generar los pulsos para las
terminales de los transistores y un respectivas activaciones de los transistores de
multímetro para medir el valor potencia ya adecuados, así como su
promedio del voltaje en la carga y respectiva aislación entre el circuito de
control y potencia.
en el resistor 𝑅2 , para medir la
corriente en el circuito. Se realizó La ubicación de los diodos en el bloque de
la lectura de los datos y respectiva carga es para el libre paso de la corriente de
tabulación. descarga del inductor al abrir el interruptor.

Los diodos zener son los supresores

encargados de recortar el pico de voltaje de
los transistores, proteger la compuerta de
sobre voltajes.

Conclusiones
.
Se hizo uso del módulo de activación de
transistores de potencia lav-bol, describiendo
su configuración y composición.
ANEXOS

Voltaje aplicado a la compuerta del MOSFET Activación BJT

Activación del IGBT