ELECTRÓNICA ANALÓGICA II

CAPITULO 1
INTRODUCCION
En este capítulo estudiaremos los amplificadores de potencia de audio. Veremos
las configuraciones más usadas, así como sus parámetros característicos y
aplicaciones. Sus métodos de análisis apoyados por programas de cálculo y
simulación. Complementaremos los conceptos con problemas de análisis y diseño.
El sonido:
El sonido es originado por vibraciones periódicas de un cuerpo con frecuencias
comprendidas entre 16 ó 20 Hz y 20 KHz.
Para la producción de un sonido no es suficiente un cuerpo que vibre, sino que,
además, debe estar dentro de un medio material adecuado para que las ondas
puedan propagarse. Depende también del medio, la velocidad de propagación del
sonido. Por ejemplo:
En el aire a 0°C, la velocidad es 331 m/s
En el aire a 20°C, la velocidad es 343 m/s
En Hidrógeno puro a 0°C, la velocidad es 1290 m/s
En agua dulce, la velocidad es 1450 m/s
En agua de mar, la velocidad es 1504 m/s
Los diversos sonidos pueden distinguirse por tres características principales:
Intensidad: Está determinada por la amplitud de la vibración. Está
relacionada con la energía que transporta la onda. Para medir la mínima potencia
que puede detectar un oído normal, se usa la frecuencia de 1KHz y se reduce la
potencia hasta el mínimo capaz de provocar sensación auditiva. Se ha
determinado que este mínimo, a 1KHz, es: Wo = 10 -16 W/cm 2 y recibe el
nombre de umbral auditivo. Cuando se aumenta la potencia para duplicar la
sensación auditiva, (o sea, 2Wo) se ha medido que se requiere elevar 10 veces la
potencia; para elevarla al triple (o sea, 3Wo), se requiere elevar 100 veces la
potencia; y así sucesivamente. Esto demuestra que el oído responde en forma
logarítmica a las variaciones de potencia y, por ello, los potenciómetros usados
para ajustar el volumen son de tipo logarítmico.
Adicionalmente, si la relación entre la potencia final y la inicial es de 10 (= 10 1), se
dice que esta relación corresponde a 1 Bel; si la relación entre la potencia final y la
inicial es de 100 (= 102), se dice que esta relación corresponde a 2 Bel, y así
sucesivamente. Debido a que el oído puede captar diferencias de potencias
inferiores a 1 Bel, se acostumbra usar una unidad diez veces menor, el decibel.
Cuando tenemos una medida en decibeles, basta dividirla por 10 para tener su
expresión en Bel.
También se emplean otras unidades en decibeles:
dbw: La letra W se refiere a que se usa como referencia 1 vatio. Es decir, la
potencia de un vatio equivale a 0 dbw.
dbm: La letra m se refiere a que se usa como referencia 1 mili vatio. Es decir, la
potencia de un mili vatio equivale a 0 dbm.
dbu: La letra U se refiere a que se aplica una potencia de 1 mili vatio a una carga
de 600Ω. Para producir esa potencia, la resistencia debe recibir 0.775 voltios
eficaces.

1
Tono: Está determinado por la frecuencia del sonido o por la frecuencia del sonido
fundamental en caso que no sea puro. El oído no puede detectar la frecuencia
absoluta con precisión, pero sí puede notar diferencias de frecuencia con bastante
exactitud. Por esta razón, en la música se habla de intervalos o relaciones de
frecuencias, como por ejemplo:
do re mi fa sol la si do
1 9/8 5/4 4/3 3/2 5/3 15/8 2
Al intervalo de valor 2 se le da el nombre de octava

Timbre: Está determinado por el número e intensidad de las componentes

armónicas que acompañan al sonido fundamental. Los sonidos reales siempre van
acompañados de un cierto número de armónicos. Dos instrumentos diferentes
pueden producir la misma nota, pero las diferenciamos debido al contenido de
armónicos, que son distintivos del tipo de instrumento.

Transductores:
Debido a que los amplificadores electrónicos funcionan con electricidad, para
amplificar un sonido es necesario convertirlo en una variación eléctrica
directamente proporcional. El dispositivo que realiza esta operación es un
transductor que recibe el nombre de micrófono.
Una vez que la señal ha sido amplificada con la potencia requerida, se hace
necesario convertirla nuevamente en sonido; para ello usamos otro transductor
que recibe el nombre de parlante o altavoz.
Debe notarse que estos transductores deben ser lo más lineales posible en todo el
rango de trabajo para impedir que los sonidos sean alterados con respecto a los
originales

El concepto de estereofonía:
El oído humano es capaz de determinar la dirección en la que le llega el sonido.
Para ello es necesario poder escuchar con ambos oídos.
Supongamos que, como se muestra en la Fig. 0.1, una persona A escucha por su
oído izquierdo, B, y su oído derecho, C, el sonido de una fuente puntual, D, que
está situada al frente y ligeramente a su izquierda. En la Fig. 0.1 se puede notar
que el recorrido desde D hasta B es más corto que el de D hasta C. Por ello, el
sonido llega más rápido y con mayor intensidad al oído B.
Los sonidos recibidos por B y C son ligeramente diferentes aunque poseen el
mismo contenido de información. Ellos son conducidos por medio del tímpano,
huesos del oído y nervios auditivos a la zona del cerebro que recibe las señales
generadas por estímulos sonoros. Estas señales son analizadas por el cerebro, el
cual transforma la diferencia entre ellas en una indicación de la dirección de la
fuente de sonido. Se ha comprobado que la forma del pabellón de la oreja ejerce
un cierto efecto sobre la determinación de la procedencia del sonido y, además
que la precisión con que se hace dicha determinación se reduce apreciablemente
cuando los sonidos son de baja frecuencia.

2
 D

A
B C

Fig. 0.1: Audición de una fuente puntual de sonido

Cuando se comprendió el mecanismo fisiológico que permitía determinar la

procedencia de un sonido, se pensó que este conocimiento podría aplicarse en su
registro y reproducción.
Para obtener una fiel reproducción, la imagen del sonido debe ser
determinada en el espacio. Un procedimiento adecuado para conseguirlo consiste
en reproducir dos señales transmitidas, por medio de dos parlantes, E y F,
separados una cierta distancia, como se indica en la Fig. 0.2. Las distancias a los
parlantes son iguales para cualquier observador que se encuentre en la línea PQ.
El observador oirá por tanto el sonido de ambos parlantes con intensidades y
diferencias de tiempos de propagación que estén en la misma relación con los
sonidos que recibiría si estuviera en el lugar donde se encuentra la fuente de
sonido.
Sin embargo, el oído izquierdo no sólo recibe el sonido del parlante
izquierdo, sino también el del derecho. Algo similar ocurre en el oído derecho.
Además, cuando el observador no se encuentra en la línea PQ aparecerán
diferencias de intensidad y de tiempos de propagación que no se corresponderán
con los originales. En la práctica, el efecto de estos dos factores es pequeño en
una amplia zona de audición y, en ella, se consigue una buena estereofonía. Esta
zona se encuentra esquematizada en la Fig. 0.2.

3
 E F

Fig. 0.2: Ubicación de los parlantes para reproducción estereofónica

Otro método de aproximación a un efecto estereofónico se obtiene si, por ejemplo,

se coloca una pantalla que tenga varios micrófonos al frente de una orquesta.
Cada micrófono se conecta a un parlante que ocupa una posición similar en una
habitación para audiciones existente en cualquier otro sitio. Esta disposición se
indica en la Fig. 0.3. Una persona en esta habitación obtendrá una buena imagen
espacial de la orquesta; en ella todos los instrumentos se oirán en su posición
correcta.
Las pruebas que se han efectuado han permitido demostrar que esta disposición
puede ser reducida a otra en la que sólo existan dos micrófonos separados una
cierta distancia y, en la habitación para audiciones, dos parlantes conectados a
dichos micrófonos.
¿Cómo se determina la zona de audición?
Dicha zona se determina experimentalmente, de manera que en todos los puntos
se tenga la misma sensación de ubicación de la fuente de sonido. Dicha zona es
función de la separación entre los parlantes, de su distancia a las paredes
laterales, de las dimensiones de la habitación.
De lo anterior se deduce que sólo se necesitan dos elementos de registro y dos de
reproducción para obtener una buena imagen sonora estereofónica. Esto quiere
decir que la información adecuada para estereofonía puede transmitirse usando
solamente dos señales.

4
 ORQUESTA

1
2

1
2

1
2

1
2

1
2
Fig. 0.3: Transmisión estereofónica por medio de un cierto número de
micrófonos y parlantes.

FORMAS DE ACOPLO DE AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA

Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores

transistorizados en montaje de emisor común, que es el más utilizado, son del
orden de 1 KΩ á 20 KΩ, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
amplificadoras produce pérdidas considerables de potencia. Para evitarlo,
debemos adaptar las impedancias.
Para adaptar las impedancias de entrada y salida de dos etapas amplificadoras se
utilizan diversos tipos de acoplamiento:

Acoplo por transformador: Se muestra en el siguiente esquema. Es el que

ofrece mayor ganancia de potencia, pero no es muy utilizado porque su
respuesta en frecuencia no es muy amplia.

TR
C1 1 5 Q2
Q1
C2
4 8

R1
R2

VCC

Fig. 0.4 Acoplo por transformador

Si la impedancia de salida de Q1 es 20 KΩ y la de entrada de Q2 es de 1 KΩ, la
relación de transformación (n) deberá ser:
n = (20000/1000)0.5 = 4.47

5
Acoplo por autotransformador: Emplea un autotransformador en lugar de
transformador. A continuación se muestran dos formas de uso de este método:
T
C1 R3
Q1
C3
Q2

R1 R2
C2 R4

C4

VCC

T
C1
Q1
C3
Q2

R1 R2
C2 R3

R4
C4 VCC

Fig. 0.5 Acoplo por autotransformador

Acoplo por resistencia-capacidad: Este es uno de los más usados y, aunque no

permite acoplar perfectamente las impedancias y la ganancia es menor, su precio
y espacio ocupado es más reducido. Permite también una buena respuesta en
frecuencia si C1 es lo suficientemente elevado.
C1

Q2

Q1
R1 R2 VCC

Fig. 0.6 Acoplo por resistencia capacidad

Acoplo directo: Este es también muy usado, especialmente en circuitos

integrados. Debe tenerse cuidado con la estabilidad de los puntos de operación
debido a que influyen de una etapa a otra. Permite una buena respuesta en baja
frecuencia (desde DC).

6
 VCC

R1 R4

Q1

Q2

R2 R3

R5 C1

VCC

R6
R2 R5
R1

Q2
R4
Q1

R7 C1

R3

Fig. 0.7 Acoplo directo

Acoplo directo complementario: Esta es otra forma de acoplo muy difundida

que permite muy buena respuesta en baja frecuencia (desde DC) y se caracteriza
por emplear transistores NPN y PNP.
Cuando se emplea acoplo directo con un solo tipo de transistor, la tensión continua
de salida tiende a acercarse al valor de la fuente de alimentación, restringiendo el
nivel máximo de amplificación. Este problema se evita empleando los dos tipos de
transistor para que la tensión DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestra a continuación:
VCC

R6
R2 R5
R1

Q2

R4
Q1

R7 C1

R3

7
 Fig. 0.8 Acoplo directo complementario
CONTROLES DE VOLUMEN Y DE TONO

El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potenciómetro

que regula el volumen sonoro proporcionado por el amplificador desde cero hasta
su máxima potencia.
Debe ser colocado en una posición tal que no afecte las corrientes de polarización
ni las impedancias de carga de los transistores. Tampoco deben ser causa de
ruido, lo cual puede suceder cuando se le coloca a la entrada, porque será
amplificado y se deteriorará la relación señal/ruido. Si se le coloca en una etapa
intermedia puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por
ello, su ubicación deberá elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potenciómetros logarítmicos
debido a las características de funcionamiento del oído humano.
A continuación se muestran métodos de conexión del control de volumen

Control de Graves y Agudos

Este control de tonos tiene dos potenciómetros que permiten ajustar la presencia
de graves y agudos en una señal de audio.

3 10K 100K 10K

+
50K 1
2
-
100K NE5532 56nF 56nF
1K5
10nF 4K7
22K 20K 10nF
2K2
100pF
2K2
10uF / 16v / NP 2K2 10K
6 -
7
+

22K 5 +
NE5532 2.2uF

10K

Se utiliza un circuito integrado de altas prestaciones para audio que contiene en su

pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/- 15V. El potenciómetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsión o deformaciones en el audio disminuir éste
hasta lograr una reproducción fiel. El potenciómetro de 100K ajusta la cantidad de
graves, mientras que el de 10K hace lo mismo con los agudos.

8
Como la alimentación es simétrica por el terminal 4 del integrado
(Marcado GND en la imagen de arriba) debe ir a -15V mientras que el
terminal 8 (Marcado como Vcc) debe ir a +15V. La masa debe cablearse a
0V, que en integrado no se conecta mas que a la entrada no inversora del
segundo operacional (terminal 5).

1.0.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Los amplificadores de potencia, como su nombre lo indica, son los encargados de
entregar potencia a la señal de entrada Este proceso lo hacen elevando la tensión,
o elevando la corriente o elevando ambas, tensión y corriente. El método que se
utilice dependerá básicamente de las características de la carga y de la fuente de
alimentación que se emplee.
La potencia la sacan de la fuente de alimentación y parte de ella, no toda, la
transfieren a la señal. La otra parte la disipan ellos mismos. Este comportamiento
se especifica con el parámetro denominado eficiencia (η). Es muy importante que
este parámetro sea lo mas alto posible (idealmente, igual al 100%). Los modelos a
estudiar poseen mayor o menor eficiencia pero no llegan al máximo ideal y, por
ello, la elección del modelo a usar deberá hacerse de manera que no influya
negativamente en la eficiencia total del sistema.
Actualmente existen amplificadores de potencia de alta eficiencia y muy
compactos (como el amplificador clase D) que funcionan en el modo de
conmutación. El control digital que poseen lo hacen muy susceptible a la
programación y control por computadora. Sin embargo, no han logrado, en la
actualidad, desplazar a los amplificadores analógicos debido a que éstos ofrecen
una alta calidad de la señal de salida, son más sencillos y no generan demasiado
ruido e interferencia.
Para el estudio del amplificador de potencia son muy importantes los cálculos de
potencia. Necesitamos conocer las expresiones de la potencia promedio
entregada a la carga, la potencia promedio que entrega la fuente de alimentación y
la potencia promedio disipada por el mismo amplificador (transistores, resistores,
etc). Dado que queremos que el amplificador sea capaz de entregar la mayor
potencia posible, necesitamos ubicar el punto de operación de manera de lograr

9
este cometido. Una vez determinada la posición del punto de operación, se elige la
red de polarización para conseguirlo.

Clases de operación:

Clase A: Son amplificadores de baja eficiencia, pero de mayor linealidad. El

transistor se polariza en la zona activa y conduce corriente en los 360°. Se usa en
audio y en radiofrecuencia.

Clase B: Son amplificadores más eficientes que los anteriores. Los transistores se
polarizan en la zona de corte y sólo conducen corriente en un ángulo de 180°.

Clase AB: Son amplificadores de con eficiencia similar que clase B. Los
transistores se polarizan cerca a la zona de corte y conducen corriente más de
180°. Se usa mucho en audio y en radiofrecuencia.

Clase C: Son amplificadores de alta eficiencia. El transistor se polariza en la zona

de corte y sólo conducen corriente en un ángulo menor que 180°. No se usa en
audio sino en radiofrecuencia.

Clase D: Son amplificadores que trabajan en conmutación. Tienen alta eficiencia

pero problemas de ruido, especialmente de conmutación. Son usados para audio
en baja frecuencia (sub woofers). Se están haciendo avances para mejorar su
respuesta en toda la gama de frecuencias de audio, pero trabajando a frecuencias
de conmutación más elevadas.

Clase E: Se usa en amplificadores que trabajan con pulsos y presentan

rendimiento alto. Su salida se sintoniza a una determinada frecuencia. Es
empleado en aplicaciones de radio cuando se trabaja a una sola frecuencia o un
margen muy estrecho de frecuencias. No se usa en audio.

Clase G: Son amplificadores de conmutación en los que se emplean dos fuentes

de alimentación. La fuente de menor voltaje para las señales débiles y la de mayor
voltaje para las señales fuertes. De esta manera se eleva la eficiencia, sólo
conmutando las fuentes de alimentación. Pueden producir mejor sonido que los de
clase D.

Clase H: Utilizan una fuente de alimentación conmutada o se la construye

mediante un amplificador clase D. A su vez, con esta fuente conmutada se
alimenta a un amplificador clase A o AB. Tienen muy buen rendimiento y la calidad
del sonido es similar a la de clase AB. Se emplea en equipos profesionales.

PARÁMETROS DE LOS AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA:

Los parámetros que debe tener un buen amplificador de audio están regidos por
normas internacionales, como por ejemplo, la norma DIN 45 500. A continuación
detallamos los más importantes:

10
Distorsión armónica (Harmonic Distortion)
Es originada por la falta de linealidad de los circuitos electrónicos. Se presenta
cuando en la salida aparecen componentes armónicas que no estaban presentes
en la entrada, lo cual constituye una deformación. La norma mencionada exige
que esta distorsión sea menor del 1% a la potencia nominal. Los fabricantes
especifican comúnmente la distorsión armónica total (THD)

Distorsión por Intermodulación (Intermodulation Distortion)

Este tipo de distorsión se presenta cuando la entrada presenta diferentes
componentes de
frecuencia y el circuito introduce otras componentes con frecuencias suma y
diferencia, incluyendo múltiplos, de las de entrada. Este parámetro se mide
aplicando dos frecuencias que no sean múltiplos, a la entrada, y midiendo en qué
medida la superior es afectada por la inferior. La norma exige que esta distorsión
sea inferior al 3%.

Factor de Amortiguamiento (Damping Factor)

Está relacionada con la impedancia de carga y la de salida del amplificador. Debe
expresarse para una impedancia determinada de carga (4, 8 ó 16 ohmios) y una
frecuencia que comúnmente es 1 KHz. La norma exige un factor de
amortiguamiento superior á 3.

Impedancia (Impedance)
La impedancia de carga de un amplificador deberá ser de igual valor que su
impedancia de salida para obtener el máximo rendimiento del conjunto. Se mide
en ohmios. La norma exige 4 u 8 ohmios de impedancia de salida para los
amplificadores de baja frecuencia.

Potencia (Power)
Es la energía por unidad de tiempo que puede entregar el amplificador al parlante.
Puede ser expresada en diferentes formas, pero la manera correcta es en vatios
sobre una impedancia de carga nominal, sobre un rango de frecuencias
determinado y sin sobrepasar el porcentaje de distorsión armónica prefijado. La
norma establece que la potencia mínima a suministrar por un amplificador de baja
frecuencia es de 6W.

Relación Señal/Ruido (Signal to Noise Ratio)

Es la relación entre la amplitud de la señal de audio y la amplitud de la señal de
ruido. Esta relación es más reducida en la etapa pre amplificadora y, por ello,
estas etapas deben estar más protegidas y construidas con componentes de bajo
ruido. Se expresa en decibeles para una potencia de salida determinada. La
norma exige una relación señal/ruido superior a 50db para 50 mWde salida.

Respuesta de Frecuencia (Frequency Response)

El amplificador debe reproducir fielmente todas las señales de baja frecuencia sin
aumentar ni disminuir su ganancia. Para ello se grafica la curva de respuesta con
las frecuencias de audio en el eje x y la ganancia expresada en decibeles en el eje

11
y. La norma exige una respuesta en frecuencia de 40 á 16,000 Hz con variación de
± 1.5 db a la potencia nominal.

1.1.- AMPLIFICADOR CLASE A

En este tipo de amplificador el punto de operación se ubica en la zona activa (para
el BJT) o en la región de corriente constante (llamada también zona de saturación
en los FETs). Esta ubicación debe realizarse de manera que la señal circule
durante los 360° de su período. Cuando esto sucede, se dice que el amplificador
trabaja en clase A.
Para el análisis y diseño de estos amplificadores es importante conocer los
conceptos de rectas de carga y las limitaciones del transistor de potencia.

1.1.1.- RECTAS DE CARGA ESTATICA Y DINAMICA

En la malla colector – emisor del circuito de la figura 1.5 podemos plantear la ley
de tensiones de Kirchoff:
VCC = iC (RC + RE + RE / β) + vCE 
(1.1)
La corriente total de colector se puede expresar como:
iC = IC + ic  (1.2)
Donde: iC = corriente total de colector
IC = corriente continua de colector
ic = corriente de señal de colector
Cuando la corriente de colector aumenta, la tensión colector-emisor disminuye y
viceversa. Por ello, podemos expresar lo siguiente:
vCE = VCE – vce  (1.3)
Donde: vCE = tensión total colector - emisor
VCE = tensión continua colector - emisor
vce = tensión de señal colector – emisor
Reemplazando (1.2) y (1.3) en la ecuación (1.1) obtenemos:
VCC + 0 = IC (RC + RE + RE / β) + VCE + ic (RC + RE + RE / β) - vce
 (1.4)
Debido a que la tensión de la fuente de alimentación es constante, los términos
con señal del lado derecho deben eliminarse entre sí y podemos desdoblar la
ecuación 1.4 en dos partes: Una, sólo con los términos de continua y la otra sólo
con los términos de señal. Es decir:
VCC = IC (RC + RE + RE / β) + VCE 
(1.5)
La ecuación (1.5) recibe el nombre de recta de carga estática.
0 = ic (RC + RE + RE / β) - vce 
(1.6)
La ecuación (1.6) recibe el nombre de recta de carga dinámica.
Por lo anterior, podemos estudiar al amplificador analizándolo sólo en continua y
luego sólo con señal. Debemos indicar, sin embargo, que cuando las señales de
entrada son grandes, el transistor, como es un componente no lineal, producirá
distorsión e incluso, producirá un nivel de continua, originado por el nivel de señal
de entrada, que alterará el punto de operación. Para reducir este efecto y disminuir

12
las no linealidades de estos dispositivos se emplea la realimentación negativa
(feedback), la cual se estudiará en el capítulo 2
Las ecuaciones 1.5 y 1.6 son válidas para circuitos como el de la figura 1.5. Para
otras topologías, deberá obtenerse sus rectas siguiendo las recomendaciones que
se dan a continuación:
Recta DC: - Las capacidades se consideran circuito abierto.
- Las bobinas se consideran cortocircuitos (excepto cuando deba
considerarse su resistencia en DC)
- Las fuentes de tensión de señal se hacen cero (cortocircuito) o se
reemplazan por su resistencia interna para DC.
- Las fuentes de corriente de señal se hacen cero (circuito abierto) o
se reemplazan por su resistencia interna para DC.

Recta AC: - Las capacidades grandes se consideran corto circuitos.

- Las bobinas grandes se consideran circuitos abiertos.
- Las fuentes de tensión continua se hacen cero (cortocircuito) o se
reemplazan por su resistencia interna para AC.
- Las fuentes de corriente continua se hacen cero (circuito abierto) o
se reemplazan por su resistencia interna para AC.

1.1.2.- POTENCIA INSTANTÁNEA Y POTENCIA PROMEDIO

Si efectuamos el producto de la tensión y corriente totales en el transistor
obtenemos lo siguiente:
pce = vCE iC = (VCE – vce)(IC + ic) = VCE IC + VCE ic - vce IC - vce ic
 (1.7)
La expresión (1.7) representa la ecuación de la potencia instantánea disipada por
el transistor y las componentes de señal hacen que varíe con el tiempo. En
nuestro estudio nos interesa principalmente la potencia promedio, la cual puede
obtenerse hallando el valor promedio de la potencia instantánea:
T
PC = (1/T) ∫ pce dt  (1.8)
0
Trabajando con señales sinusoidales, la potencia promedio se puede expresar
como:
PC = VCE IC – 0.5 Vce Ic  (1.9)
Donde: Vce = tensión pico de señal sinusoidal colector - emisor
Ic = corriente pico de señal sinusoidal de colector
T = período de la señal
La ecuación 1.9 es válida cuando el transistor trabaja en clase A.
El término VCE IC corresponde a la potencia promedio producida por los niveles
de continua en el transistor (punto de operación)
El término 0.5 Vce Ic corresponde a la potencia promedio producida por los niveles
de señal en el transistor. El signo negativo nos indica que cuando hay señal el
transistor disipa menos potencia. Si el nivel de señal aumenta al máximo, la
potencia promedio disipada por el transistor disminuye al mínimo. Si la señal se
hace cero, la potencia promedio que disipa el transistor alcanza su valor máximo.
Esto último es importante porque nos informa que el amplificador clase A disipa

13
máxima potencia cuando no tiene señal de entrada. Observamos también que el
término 0.5 Vce Ic corresponde al producto de los valores eficaces de la tensión y
corriente sinusoidales.
En los equipos comerciales se acostumbra hablar de la potencia rms y la
potencia pmpo.
El término potencia rms es un nombre comercial de la potencia promedio. En
realidad los valores eficaces (o rms) están definidos para la tensión y corriente no
para la potencia; y, a partir de ellos, se obtiene la potencia promedio. Cuando
veamos que en un equipo comercial de audio mencionan el término potencia rms,
deberemos entender que se refieren a la potencia promedio.
En los equipos comerciales también se acostumbra hablar de la potencia pmpo.
La potencia pmpo se refiere a una potencia musical pico evaluada en un
determinado lapso (en esto se relaciona más con la potencia instantánea) y no
tiene relación directa con la potencia promedio, que es la que sí nos indica la
capacidad real del equipo. Incluso, puede variar de un fabricante a otro con
equipos similares. Su valor es mucho más alto que el de la potencia promedio. En
los equipos comerciales alcanza valores entre 8 á 10 veces más altos que la
potencia promedio.

1.1.3.- LIMITES DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

La cantidad de potencia que se le podrá entregar a una carga, tendrá un límite
establecido por los parámetros del transistor. De sus curvas características
podremos apreciar dichas limitaciones:
1. Limitaciones de carácter térmico: La máxima potencia promedio que el
transistor puede disipar está limitada por la temperatura que la juntura base-
colector puede soportar. Por ello, todos los diseños de circuitos incluirán un
cálculo de las condiciones térmicas para asegurar que no se exceda la máxima
temperatura de juntura permitida.
Pc(W)

Pcmáx

- 1/Ojc

0 Tco Tjmáx

Fig. 1.1
Θjc es la resistencia térmica entre juntura (j) y la cápsula ©

La potencia promedio (Pc) disipada en el circuito de colector es igual al promedio

del producto de la corriente del colector por el voltaje colector-base. La máxima
potencia promedio de colector permitida es especificada por los fabricantes.
En el gráfico 1.1 observamos que el transistor puede disipar la potencia máxima
hasta la temperatura de la cápsula Tc0 (comúnmente 25 ˚C). Después de ella la
disipación de potencia debe ser reducida. La magnitud de la inversa de la
pendiente recibe el nombre de Resistencia Térmica, y es un parámetro dado por

14
los fabricantes. Con ella podemos calcular qué potencia puede disipar un
transistor cuando su temperatura supera el valor Tc0.

Limitaciones de carácter eléctrico: Relacionadas con la forma de las curvas,

pues cuando queremos amplificar una señal con la menor distorsión posible,
(clase A), se debe hacer trabajar el elemento activo en su zona lineal (donde las
curvas pueden considerarse líneas rectas, equidistantes y paralelas). De las
curvas se aprecia las limitaciones de corriente y tensión en el funcionamiento del
transistor.
a. BVCEO (“Break down”- tensión de colector – emisor – base abierta): Para
grandes tensiones de colector, las características pierden linealidad debido
a la ruptura en la unión de colector (similar al efecto Zener o avalancha). En
transistores de potencia estos valores pueden estar entre 50 y 200 voltios.
b. icmax(máxima corriente de colector) para grandes corrientes de colector,
las características quedan muy juntas, perdiendo linealidad y además
sometiendo a las uniones a dichas corrientes, se puede dañar físicamente
al transistor.
c. PCmax: En ocasiones no habrá señal de entrada en el amplificador y luego,
el punto de operación debe corresponder a una disipación de colector que
sea segura. En la figura 1.2, podemos observar otras dos zonas:
Pcmax = 40W a 110 grados
Ic (A) ZONA DE SATURACION
Pcmax = 150W a 25 grados

Ib = 0.6A
8
ZONA Ib = 0.5A
SEGURA
6 PARA Ib = 0.4A
25 Ib = 0.3A
4 ZONA GRADOS
SEGURA Ib = 0.2A
PARA
2 Ib = 0.1A
110
GRADOS Ib = 0A
0 ZONA DE CORTE

2 5 10 15 20 25 Vce (V)
Vce,sat
ZONA
DE
RUPTURA

Fig. 1.2
Saturación: Para valores de VCE ≤ VCE,sat, se aprecia que Ic es muy grande
con los resultados considerados en icmax
Son valores típicos para:
Transistores de baja potencia (Pc<1w): => Vce,sat = 0.1 á 0.3v
Transistores de potencia (Pc>1w): => Vce,sat = 1 á 2v
Corte: Es el límite inferior de la corriente del colector, donde las curvas
también pierden linealidad. En nuestro estudio no se considera esta zona.
d. El conjunto de las consideraciones anteriores, va a limitar en su interior,
la llamada región o zona activa, donde se obtendrá amplificación lineal.
Los límites anteriores, comprenden las especificaciones del transistor, las
cuales serán proporcionadas por el fabricante en los manuales respectivos

15
 y que deberán ser tomadas en cuenta en el diseño para una operación
adecuada.
Especificaciones:
icmáx
BVCEO
Pcmax = VCEQ ICQ
Desde luego también se debe especificar su β, fT, etc.
Si se grafican las especificaciones anteriores (figura 1.3):
DESPUÉS DE CORREGIR POR TEMPERATURA
Ic

ANTES DE CORREGIR POR TEMPERATURA

ZONA DE OPERACION SEGURA

PARA EL TRANSISTOR

BVceo Vce

Fig. 1.3
donde: Pcmax adopta la forma de una hipérbola (equilátera respecto al origen de
coordenadas), que representa el lugar geométrico de todos los puntos de
operación en los cuales la disipación es exactamente Pcmax.
Hasta ahora, en las relaciones del análisis, no se han tomado en cuenta los
límites del transistor. La consideración de estos límites y especificaciones
permitirán la elección correcta del punto de operación.
Debe tenerse en cuenta lo siguiente:
1. De los gráficos anteriores, se observa que para operación segura, el punto de
operación debe ubicarse debajo o en la hipérbola de disipación máxima (la ya
corregida por temperatura).
2. Además, la línea AC con pendiente (-1/R ac), debe pasar a través del punto Q e
intersectar el eje VCE a un voltaje menor que BVCEO y
3. Debe intersectar el eje iC a una corriente menor que iC max

o sea: 2VCC ≤ BVCEO  (1.10)

2ICQ ≤ iC max  (1.11)

Observación Importante: se debe tener presente que lo anterior es para

condiciones de máxima excursión simétrica, pues las rectas de alterna, podrían
cortar los ejes, más allá de dichos límites (desde luego en forma indeseable para
nuestro caso).
La máxima excursión simétrica se obtiene trazando la recta mediana (figura 1.4).
Esta recta corta a la recta de carga dinámica en dos partes iguales. El punto de
corte define al punto de operación necesario para máxima excursión simétrica.
La recta mediana o de máxima excursión simétrica (M.E.S.) se obtiene mediante
la recta de carga dinámica. Es prácticamente la misma ecuación, sólo que con
pendiente positiva y también contiene al punto de operación.

16
Luego, particularizando, para tener condiciones óptimas, si se desea máxima
excursión simétrica, se tendrá que cumplir:
IC0= (1/RL)VCEQ y con: Pc max = VCEQICQ
El punto Q será:
ICQ=(Pc max/RL)1/2  (1.12)
VCEQ=(Pc max * RL)1/2  (1.13)

Se ve que en el punto Q. La pendiente de la hipérbola es:

∂ iC / ∂ VCE = - ICQ / VCEQ = - 1 / RL

O sea, la pendiente de la línea AC es la misma que la pendiente de la hipérbola y

la línea AC es tangente a la hipérbola en el punto Q cuando es lograda la máxima
excursión simétrica (figura 1.4).
Estas consideraciones son útiles para el caso de diseño.
Finalmente, en el caso más real y práctico, el otro límite a considerar en los
cálculos, es el impuesto por la región de saturación. En nuestra configuración
circuital: VCE,sat.
La mayoría de los conceptos anteriores también son aplicables a los FETs.
Ic

Pcmax
recta dc
recta ac

Ic = Vce / RL

IcQ
Q

VceQ BVceo Vce

Fig. 1.4

1.2.- ESTUDIO DE DIVERSAS CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES DE

POTENCIA DE AUDIO FRECUENCIA EN CLASE A
Las ecuaciones que se van a deducir se aplican únicamente a las topologías
mostradas. Cuando se tengan topologías diferentes, se tendrá que hacer el
análisis respectivo para la obtención de las ecuaciones correspondientes.

1.2.1.- AMPLIFICADOR CLASE A CON CARGA EN COLECTOR.

En la figura 1.5 se muestra un amplificador de este tipo:

17
 VCC VCC

Rc Rc
R1

Rb
Q Q

RE + RE
R2 VBB
-

Fig. 1.5
Se puede hallar el circuito thevenin equivalente en la malla base-emisor, como se
muestra en la figura 1.5. Este circuito será útil para determinar los valores de
R1, R2 y RE que son los que permitirán conseguir la corriente requerida en el
punto de operación.
Recta de carga estática: VCC = IC (RC + RE + RE / β) + VCE 
(1.14)
Si: β >> 1, la expresión se reduce a:
VCC = IC (RC + RE) + VCE 
(1.15)
Recta de carga dinámica: vce = - ic (RC + RE) 
(1.16)
Recta de Máxima Excursión Simétrica: vCE = iC (RC + RE) 
(1.17)
1.2.1-1.- PUNTO DE OPERACIÓN PARA MÁXIMA EXCURSIÓN SIMÉTRICA
(IDEAL):
Como en la ecuación (1.17) se encuentra el punto de operación, se cumplirá:
VCEQ = ICQ (RC + RE) 
(1.18)
Reemplazando (1.18) en (1.15):
VCC = ICQ (RC + RE) + ICQ (RC + RE)
De donde: ICQ = VCC / [2(RC + RE)]  (1.19)
Y: VCEQ = VCC / 2  (1.20)
1.2.1-2.- MÁXIMA POTENCIA DISIPADA POR EL TRANSISTOR:
Cono se mencionó anteriormente, cuando el transistor trabaja en clase A disipa
máxima potencia cuando no tiene señal de entrada. Entonces:
PCmáx = VCEQ ICQ 
(1.21)
1.2.1-3.- MÁXIMA POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA:
Si la carga es la resistencia de colector, la máxima potencia de señal que recibe la
carga es:
PLmáx = 0.5 (ICQ)2RC 
(1.22)

18
En el caso ideal la tensión colector-emisor de saturación es cero y la máxima
tensión pico de señal será igual a VCEQ; entonces:
PLmáx = VCEQ2/ 2RC = VCC2/ 8 RC 
(1.23)
1.2.1-4.- MÁXIMA POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE:
La corriente que entrega la fuente está formada por la corriente total que va por el
colector más la corriente que va por la red de polarización (por R1). Es decir:
pCC = VCC (iC + iR1)
Si trabajamos con señales sinusoidales, podemos hallar fácilmente la potencia
promedio (dado que el promedio de una sinusoide es cero):
PCC = VCC (ICQ + IR1) 
(1.24)
En los casos en que se cumpla: ICQ >> IR1, se puede hacer la siguiente
aproximación:
PCC = VCC ICQ 
(1.25)
Esto último se puede lograr fácilmente en los amplificadores con FET debido a que
ellos se controlan con tensión de entrada y tanto R1 como R2 pueden tener
valores elevados.

1.2.1-5.- PUNTO DE OPERACIÓN PARA MÁXIMA EXCURSIÓN SIMÉTRICA

(REAL):
En el caso real, la tensión colector-emisor de saturación no es cero y ello obliga a
corregir la recta de Máxima Excursión Simétrica para ubicar el punto de operación
y obtener la máxima tensión y corriente pico de señal reales. Esto se consigue
desplazando la recta de M.E.S. sobre el eje de tensiones una cantidad igual a
VCE,sat:
Recta corregida de Máxima Excursión Simétrica:
vCE = iC (RC + RE) + VCE,sat 
(1.26)
El punto de operación real será:
ICQ = [VCC - VCE,sat] / [2(RC + RE)] 
(1.27)
VCEQ = [VCC - VCE,sat] / 2 
(1.28)
Estos valores reales los utilizaremos para los cálculos de potencia.

1.2.1-6.- EFICIENCIA:
La eficiencia se define como la relación de la máxima potencia promedio
entregada a la carga dividida por la máxima potencia promedio entregada por la
fuente:
η = PLmáx / PCC  (1.29)
Reemplazando las expresiones de PLmáx y PCC, obtenemos:
η = (0.5 ICQ2 RC) / (VCC (ICQ + IR1) 
(1.30)
En el caso ideal se tiene:

19
VCE, sat = 0, VCEQ = VCC / 2, RE = 0, ICQ >> IR1 e ICQ =
VCC / [2(RC + RE)]
Con ello resulta: ηideal = 25% 
(1.31)
En este tipo de amplificadores la eficiencia no puede pasar del 25% y, por ello, de
cada 100 vatios que absorben de la fuente entregan menos de 25 a la carga y el
resto lo disipan ellos mismos. Esta baja eficiencia limita su uso a aplicaciones de
pequeña potencia o como etapa previa de amplificadores de potencia más
eficientes. Su baja eficiencia se debe a que RC y Re disipan potencia de continua
y de señal a la vez.
Una mejora se consigue evitando que la señal pase por Re y que la continua pase
por RC, lo cual se logra con las siguientes configuraciones.

1.2.1-7.- FIGURA DE MERITO:

Es la relación entre la máxima potencia de disipación de colector del transistor, a
la máxima potencia disipada en la carga:
F = PCmáx / PLmáx 
(1.32)
Reemplazando las expresiones de PCmáx y PLmáx obtenemos:
F = VCC ICQ / (0.5 ICQ2 RC) = (4(RC + RE) / RC 
(1.33)
Si: RE = 0, la figura de mérito llega a F = 4.0  (1.34)

PROBLEMA 1.1: Para el siguiente circuito amplificador con resistencia en colector,

determine:
a) El punto de operación
b) La máxima excursión simétrica de la corriente del colector;
c) Calcule las potencias y eficiencia.
Asuma: VCE,sat = 0 , silicio y β = 100
VCC

R2
Rc

Ca1
Q + VCC = 15 V
vce
- Rc = 1K

Re = 500
R1
ii Re

Fig. 1.6
SOLUCION:
a) Aplicando la 2º ley de kirchhoff al circuito colector- emisor de la figura 1.6:

20
Circuito en DC: La ecuación de la recta de carga DC (figura 1.7)
VCC

Rc

VCC = VCE + Ic Rc + Ie Re
Q
Si B >> 1, entonces Ie = Ic

Luego: VCC = Vce + Ic (Rc + Re)

15 = Vce + Ic (1.5K) ......(a)

Re

Fig. 1.7
- Circuito en AC: La ecuación de la recta de carga AC (figura 1.8)

Rc

vce + ic Rc + ie Re = 0
Q
vce = - ic Rc - ie Re

ie = ic

vce = - ic (Rc + Re)

Re
vce = - ic (1.5K) ......(b)

Fig. 1.8
De (a) y (b) se observa que ambas rectas tienen la misma pendiente (-
1/1.5kOhms) y que coinciden (están superpuestas).
Luego, graficando: icmax ocurre cuando vCE = 0
En (a): icmax = 15/1.5k = 10mA
i C
(mA)

10

pendiente = - 1 / 1.5K

ICQ = 5

vCE
(V)
VCEQ VCC
7.5 15

Fig. 1.9
vCEmax ocurre cuando: iC = 0
En (a): vCEmax = 15v

21
Para lograr máxima excursión simétrica, se escoge el punto de operación (a partir
del cual se originan las variaciones de la señal que ocurren sobre la recta AC y
que en este caso coinciden con la DC), en el centro de la línea de carga dinámica.
Por lo tanto ICQ = 5mA
VCEQ = 7.5v punto de operación (punto Q)
b) Y la máxima excursión simétrica de la corriente de colector (pico a pico), será
de 10mA (La corriente pico será: Icm = 5mA)
c) Cálculo de las potencias y eficiencia.
 Potencia proporcionada por la fuente DC (despreciando la corriente en el
circuito de base):
De (1.25): PCC = VCCICQ = 15v(5x10-3A) = 75mW
 Potencia suministrada a la carga (RC) y circuito de emisor (RE):
En este caso:
T
PL + PE = (ICQ2) (RC + RE) + (1 / T) ∫ (ic2) (RC + RE) dt
0
PL + PE = ((ICQ2) + (Icm2 / 2) (RC + RE)
En condiciones de máxima excursión simétrica (Icm = ICQ)
Por lo tanto max (PL+PE) = 1.5k( (5x10-3)2 + (5x10-3)2/2)
max (PL + PE) = 56.25 mW
 Potencia disipada en el transistor:
T
PC = VCEQ ICQ + (1 / T) ∫ vce ic dt
0
Como: vce = - ic (Rc + RE)
T
PC = VCEQ ICQ + (1 / T) ∫ - (Rc + RE) ic2dt
0
T
PC = 37.5 mW - (1 / T) ∫ (1.5K) ic2dt
0

PC = 37.5 mW – 750 (Icm2)

Se aprecia que la máxima disipación de colector ocurre cuando no hay señal AC

en el circuito, por lo tanto
PCmax = 37.5 x 10-3 w
La mínima disipación ocurrirá cuando Icm sea máxima, lo cual con Icm = I CQ = 5 x
10-3 A por lo tanto:
Pcmin= 37.5 x 10-3w – (1500/2)(5x10-3)2
Pcmin = 18.75 x 10-3w
 Eficiencia: de (37) : η = ½ I2cmRc/(15v)(5x10-3A)
η = 106I2cm/150
La eficiencia máxima ocurrirá en este circuito cuando la potencia entregada a la
carga sea máxima, o sea, cuando Icm = ICQ = 5x10-3A

22
Por lo tanto ηmax = 16.7% < 25%, que es la máxima obtenible en este tipo de
circuito (resistencia en colector), pero que no se obtiene en este ejemplo debido a
que Re no es despreciable.
Graficando la anterior en función de Icm.
P (mW)

PCC
75

37.5 PC

18.75 n max = 16.7%

12.5
n
PLac
Icm
ICQ

Fig. 1.10

PROBLEMA 1.2: Diseñe un amplificador clase A con carga en colector empleando

un MOSFET de acumulación tipo IRF840. La señal de entrada es una sinusoide
con frecuencia de 1 KHz. Se requiere una potencia de señal en la carga de 200
mW. La carga es de 100 Ω.
SOLUCION:
Podemos emplear el esquema de la figura 1.11:
VDD

R1 RL
100

Ca1 Q
IRF840

Vg
R2 Rs Cs

Fig. 1.11

De la ecuación 1.22: PLmáx = 0.5 (IDQ)2RL

De donde: IDQ = [2 Plmáx/ RL] 1/2 = 63.2 mA
De las hojas de datos técnicos del MOSFET IRF840 obtenemos:

23
La tensión umbral está comprendida en el rango: 2V ≤ VT ≤ 4V
De las curvas características se observa que para VGS = 4.5V, ID = 1.2 A,
aproximadamente, en la región de corriente constante. Con estos datos podemos
hallar la constante K del MOSFET, la que nos servirá luego para determinar la
tensión VGSQ necesaria para nuestro punto de operación.
K = ID / (VGS – VT)2
Como el fabricante no nos da un valor exacto de VT sino un rango, trabajaremos
con el valor promedio para hacer una primera aproximación: VT = (2 + 4) / 2 = 3V
Luego: K = 0.53 A/V2
Obtenemos ahora la tensión VGSQ necesaria para lograr la corriente del punto de
operación requerido: VGSQ = (IDQ / K)1/2 + VT = (63.2 mA/0.53 A/V2)1/2 + 3 =
3.34 V
Rs se emplea para ayudar a estabilizar el punto de operación. Un valor
recomendado para ello es: Rs = (VGSQ + VT) / IDQ = 100.38 Ω
Tomaremos el valor comercial más cercano: Rs = 100 Ω
A continuación hallamos la tensión necesaria del punto de operación:
De la ecuación 1.26, adaptándola para el caso del MOSFET: VDSQ = IDQ (RL) +
VDSmín
No incluimos la resistencia Rs porque el condensador Cs actúa como cortocircuito
para la señal y la recta de M.E.S. se obtiene a partir de la recta de carga dinámica.
Emplearemos una tensión drenador–fuente mínima de 1V
Luego: VDSQ = IDQ (RL) + 1 = 7.32 V
Con estos valores determinamos la tensión necesaria para la fuente de
alimentación, empleando la ecuación de la recta de carga estática:
VDD = IDQ (RL + Rs) + VDSQ = 20V
El siguiente paso es determinar los valores de R 1 y R2 para lograr el punto de
operación calculado.
La tensión en el terminal de compuerta respecto a tierra es: VG = VGSQ + IDQ Rs
= 9.32V
Como la corriente de compuerta es prácticamente cero, R 1 y R2 pueden tener un
valor alto y bastará definir una mínima corriente que pase por ellas. Además, los
valores obtenidos deben ser lo más cercanos posible a un valor comercial
Si elegimos: R2 = 9.1KΩ
La corriente que circule por ella será: IR2 = 9.32V/9.1KΩ = 1.024 mA
Entonces: R1 = (20 – 9.32)V/1.024 mA = 10 KΩ
Con estos valores procedemos ahora a simular el circuito en la computadora para
ajustarlos más.
Los resultados de la simulación en continua nos dan los siguientes valores:
Tensión en Re (nudo B) : 6.39 V
Tensión en la compuerta respecto a tierra (nudo A): 9.53 V
Tensión en el drenador respecto a tierra (nudo C): 13.6 V
Con estos valores obtenemos: IDQ = 63.9 mA, VDSQ = 7.21 V
Este punto de operación es muy próximo al de diseño, por lo que no haremos
ajustes.
En condiciones dinámicas, podemos observar en las figuras 1.12 y 1.13 se
observa que la máxima excursión simétrica se logra con una tensión de entrada de
170 mVpico. La máxima tensión pico en la carga es de 6.35 V

24
Este valor es cercano al valor pico requerido (6.63V), por lo que el siguiente paso
es construirlo en el laboratorio para obtener los resultados reales.

R1 RL
10k 100

Ca1
+ 0.33uF
VDD
20V Q
- V1 IRF840
-170m/170mV

1kHz
R2 Rs Cs
9.1k 100 22uF

Fig. 1.12

20.00 V
A: q_2

15.00 V

10.00 V

5.000 V
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms

Fig. 1.13
 Obtención de Cs:
La resistencia aproximada que “ve” Cs es Rs. Como esta resistencia es pequeña,
haremos que Cs determine el límite región de baja frecuencia.
Como la frecuencia de entrada es 1 KHz, haremos que Cs actúe mucho más
abajo.
Si fijamos este límite en 100 Hz, podemos igualar: Rs Cs = 1 / [2π (100)] =
0.0016
Luego: Cs = 16 uF
Y podemos emplear el valor comercial más cercano: Cs = 22 uF / 10 V
 Obtención de Ca1:
La resistencia que “ve” Ca1 es mucho más alta. Haremos que Ca1 actúe a una
frecuencia mucho menor que 100Hz para que no influya a la vez que Cs.
Si fijamos su operación en 10 Hz, podemos igualar: [R 1// R2] Ca1 = 1 / [2π (10)] =
0.016

25
Luego: Ca1 = 0.33 uF
Y podemos emplear el valor comercial: Ca1 = 0.33 uF / 16 V

PROBLEMA 1.3: En el circuito de la figura siguiente: Ig(t) = 0.1 + 0.09 cos(wt)

amperios, hFE = 20. Halle:
a) La potencia entregada por la batería
b) La potencia consumida en el resistor de 3Ω.
c) La potencia disipada por el transistor
SOLUCION:
a) La corriente del generador es igual a la corriente total de base.
iB(t) = 0.1 + 0.09 cos(wt)
La corriente total de colector es: iC(t) = hFE * iB(t) = 2 + 1.8 cos (wt)
Potencia promedio entregada por la batería:
T
PCC = (1 / T) ∫ VCC iC(t) dt
0
T
PCC = (12 / T) ∫ [2 + 1.8 cos (wt)] dt
0
PCC = 12*2 = 24 W

RL
Q 3

Ig(t) VCC
12V

Fig. 1.14
b) La potencia consumida en el resistor de 3Ω.
T
PRL = (1 / T) ∫ i2C(t) RL dt
0
T
PRL = (1 / T) ∫ [2 + 1.8 cos (wt)]2 RL dt
0
T
PRL = (3 / T) ∫ [5.62 + 7.2cos (wt) + 1.62cos (2wt) ] dt
0
PRL = 3 * 5.62 = 16.86 W
c) La potencia disipada por el transistor

26
 T
PC = (1 / T) ∫ vCE iC (t) dt
0
vCE * iC (t) = VCC * iC (t) - i2C(t) RL
Reemplazando:
T
PC = (1 / T) ∫[VCC * iC (t) - i2C(t) RL] dt = 24 – 16.86 = 7.14 W
0

1.2.2.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN EMISOR COMUN – CLASE A CON

“CHOQUE” EN COLECTOR
El esquema del amplificador es el mostrado en la figura 1.15: L → ∞, rl → 0, Ca2,
Ce → ∞
En este caso la bobina actúa como una alta reactancia para la señal y como un
cortocircuito para la continua. La carga se acopla mediante el condensador Ca2 (el
cual evita que pase corriente continua por la carga) y Re se desacopla de la señal
mediante un condensador de bypass Ce (para que no pase señal por ella). Estas
mejoras permiten aumentar la eficiencia y la ganancia de potencia.
La resistencia rL es la que presenta el alambre de la bobina en continua y la cual
debe ser pequeña.
2

R1 rL
Ca2
1 VCC

RL

R2
Ig(t) Re Ce

Fig. 1.15
1.2.2-1.- Principio de funcionamiento: En el esquema, los resistores R1, R2 y
Re contribuyen a la polarización del circuito estableciendo el punto de operación
adecuado (clase A, zona lineal) y manteniendo la estabilidad del mismo. Así, R1 y
R2 forman un divisor de tensión a través de la fuente V CC; este divisor proporciona
condiciones de polarización a la unión de entrada (base–emisor), tales que la
hacen trabajar en forma directa y estando la unión de salida (base–colector)
polarizada en forma inversa; el transistor podrá trabajar en la zona activa y apto
para operación en clase A.
La configuración equivalente de Thevenin del circuito es:

27
 VCC
2

rL Ca2

Ca1 1
Q
RL

Rb
Re Ce

+
ig VBB
-

Fig. 1.16

Donde las relaciones correspondientes son:

VBB = VCC R1/(R1+R2) = VCCRb/ R2 ; Rb= R1R2/(R1+R2)  (1.35)

R2= Rb (VCC/VBB)  (1.36)
R1= Rb/(1-(VBB/VCC))  (1.37)
Los transistores de potencia elevan su temperatura cuando están en
funcionamiento y, debido a que los semiconductores son muy sensibles a la
temperatura, se alterará el punto de operación. Por ello es necesario establecer
técnicas de estabilización y compensación del punto de operación.
Una relación importante a tener en consideración en la estabilidad del punto de
operación es la que hay entre Rb y Re. Así, para eliminar variaciones de la
corriente de emisor debido a las variaciones en el α (o ß) de los transistores del
mismo tipo y que podrían sacar al transistor del punto de trabajo inicial, llevándolo
a zonas no deseables (no lineales), se tiene:
Re >> (1- α )Rb ó Rb << ßRe  (1.38)
Se puede emplear el siguiente valor para Rb:
Rb = ß min Re/ 10  (1.39)
Además, hay otros factores que intervienen en la variación del punto de operación
y que se deben considerar en la estabilización, como se explica en seguida.

1.2.2-2.- ESTABILIDAD DEL PUNTO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR
Las técnicas que permiten estabilizar el punto de operación pueden clasificarse en
dos categorías:
1) Técnicas de estabilización: Utilizan circuitos de polarización resistivos que
permiten que varíe IB manteniendo IC relativamente constante ante variaciones de
ICBO, VBE y β.
2) Técnicas de compensación: Utilizan dispositivos sensibles a la temperatura
como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan corrientes y tensiones de
compensación que mantienen al punto de operación prácticamente constante.

Técnicas de estabilización:

28
 El punto de operación de un transistor puede variar por cambios sufridos en
la corriente inversa de la juntura Colector–Base (ICBO), por las variaciones de la
tensión Base-Emisor (VBE) y de la ganancia (β).
La variación de la corriente de colector debido a estos parámetros podemos
expresarla aproximadamente por:
ΔIC = SI ΔICBO + _SV ΔVBE + Sβ Δβ 
(1.40)
SI = Factor de estabilidad de corriente.
SV = Factor de estabilidad de tensión.
Sβ = Factor de estabilidad de ganancia.
ΔIC = Variación total de la corriente de colector.
ΔICBO = Variación total de la corriente ICBO
ΔVBE = Variación total de la tensión Base-Emisor
Δβ = Variación total de ganancia de corriente

Cada factor de estabilidad puede determinarse asumiendo que las demás

variables Se mantienen constantes.
El factor de estabilidad SI se obtiene con la siguiente ecuación:
SI = ΔIC / ΔICBO , cuando: ΔVBE = 0 y Δβ = 0
Mientras más grande es SI, el punto de operación es más inestable. El
mínimo valor posible de SI es 1.
Los circuitos que estabilizan el punto de operación respecto a variaciones
de ICBO, también se comportan satisfactoriamente ante variaciones de VBE y β.
Por ello, basta obtener un buen factor de estabilidad SI.
La ecuación general que gobierna la corriente de colector del transistor es:
IC = β IB + (1 + β) ICBO  (1.41)
Derivando respecto a IC obtenemos:
SI = (1 + β) / (1 – β dIB / dIC)  (1.42)
De esta ecuación concluimos que para valores grandes de β, SI se
aproxima a la unidad.
El término dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el
cálculo de SI se considera que VBE y β no varían.
Tomemos como ejemplo el circuito de la figura 1.7, cuyo equivalente de
thevenin se encuentra a la derecha:
En la malla Base-Emisor podemos plantear la siguiente ecuación:
VBB = IB Rb + VBE + (IC + IB) Re
Derivando esta ecuación respecto a IC:
dIB / dIC = - (Re / (Re + Rb))
Reemplazando en la ecuación de SI obtenemos:
SI = (1 + Rb / Re) / (1 + (Rb / (1 + β)Re)) 
(1.43)
Si hacemos: Rb = (1 + β) Re / 10, tendremos: SI = (11 + β) / 11
Para un valor de β = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo 3 el
valor óptimo. También observamos que si β es más grande, el factor de estabilidad
empeora. Por ejemplo, si: β = 100, SI = 10.1. En este caso el factor de estabilidad
ha aumentado y tendremos que elegir otra relación de Rb con Re para mantener
SI pequeño.

29
Más adelante veremos las técnicas de compensación.

VCC VCC

Rc Rc
R1

Rb
Q Q

Re + Re
R2 VBB
-

Fig. 1.17

El condensador Ca1 sirve como acoplamiento de la señal de la fuente i i, con el

dispositivo amplificador.
Para consideraciones del análisis matemático se asume que las capacidades son
muy grandes (C  ∞), de modo que las frecuencias de trabajo presentan una
reactancia muy pequeña pudiendo considerárseles como cortocircuitos. En
consideraciones prácticas o reales, los valores a escoger deben cumplir con el
criterio anterior. Así, por ejemplo, el condensador Ce debe ser tal que presente
una reactancia Xce mucho menor que “la impedancia que ve”, la cual es Re en
paralelo con la impedancia de entrada del transistor “reflejada” al emisor (se verá
en parámetros híbridos). Xce puede considerarse unas 10 a 100 veces menor, no
debiendo elegirse una capacidad excesivamente grande, pues pueden haber
problemas de tamaño, transitorios, respuesta de frecuencia, corrientes de perdida,
etc.
Si se trabaja no en una frecuencia, sino en un rango (caso de AF de 20 Hz a 20
KHz), la reactancia se calcula con la frecuencia más baja.
El inductor mostrado en el colector tiene por objeto aumentar la eficiencia del
circuito respecto al que emplea resistencia en colector. Además, permite que la
tensión colector-emisor alcance dos veces el valor de la fuente de alimentación
VCC. Es importante recalcar que esto es para máxima excursión simétrica, sin
distorsión, pues la inductancia puede hacer que V CE sea mayor que 2VCC.
El valor de la inductancia es muy grande (L  infinito) y se considera que su
resistencia es muy pequeña (rL  0). En la práctica se hacen consideraciones
análogas a las de los condensadores. Los choques empleados en AF tienen
núcleo de hierro.

30
En resumen:
- Los condensadores se comportan como cortocircuitos a las frecuencias de
trabajo de señal y como circuitos abiertos para la continua.
- El inductor o “choque” se comporta como circuito abierto para la señal y como
cortocircuito para la continua.

Por otro lado, la configuración de emisor común proporciona adecuada ganancia

de potencia. Posteriormente se verán el empleo de las configuraciones en base
común y colector común.

1.2.2-3.- Ubicación del punto de operación:

Como se verá, el punto de operación para este tipo de circuitos (gran
señal), se puede determinar en forma analítica o gráfica a partir de las ecuaciones
descriptivas del comportamiento circuital. Las consideraciones a tener en cuenta
para la ubicación del punto de operación son las clases de operación, límites del
dispositivo y linealidad de la zona de trabajo, tratando de obtener la máxima
potencia de señal.
Luego, para el circuito de la figura 1.8, aplicando la segunda ley de
Kirchhoff alrededor del circuito colector-emisor:
En condiciones estáticas (figura 1.8), la resistencia de carga DC es Re.
Y la recta de carga estática es:
VCC = VCE + IC Re 
(1.44)
En condiciones dinámicas (figura 1.9), la resistencia de carga AC es R L.
Y la recta de carga dinámica es:
vce + ic RL = 0 
(1.45)
A partir de las expresiones anteriores, se podrá determinar el punto de operación.
Se sabe que: vCE = VCEQ + vce e iC = ICQ + ic
De donde : (vCE - VCEQ) = -( iC - ICQ)RL  (1.46)
Esta expresión de la línea AC se puede escribir como:
(iC - ICQ) = -(vCE – VCEQ)/RL  (1.47)
La cual es asimilable a la expresión de una línea recta y luego graficarlo en las
curvas
características de salida del transistor en emisor-común (i C vs vCE) de (1.3) el
máximo valor de ic ocurre cuando vCE =0 por lo tanto:
iC max = ICQ + VCEQ/RL  (1.48)

31
 - Circuito en DC: ecuación de la línea de carga DC
VCC

Ic

Q + Vcc = Vce + Ie Re
Vce
- Si: B >> 1, entonces Ie = Ic

Vcc = Vce + Ic Re

Re Ie

Fig. 1.18
- Circuito en AC: ecuación de la línea de carga AC
ic iL

ic = - iL
Q +
vce vce = iL RL = - ic RL
-
RL vce + ic RL = 0

ic = -vce / RL
Re ie

Fig. 1.19
Para obtener máxima excursión simétrica, el punto de operación debe bisectar la
línea de carga AC, de tal modo que:
iC max = 2 ICQ  (1.49)
Sustituyendo en (1.48):
2ICQ = ICQ + VCEQ / RL
Por tanto: ICQ = VCEQ/RL  (1.50)
En consecuencia el punto de operación (punto Q) se encontrará en la recta:
icRL= vce  (1.51)
Esta recta pasa a través del origen (pendiente positiva) y su intersección
con la línea DC determina el punto Q para máxima excursión simétrica (en el caso
real esta recta no debe iniciarse en el origen, sino en el punto: Ic = 0, Vce =
Vce,sat). En el caso de los FETs deberá considerarse un voltaje mínimo drenador-
fuente (VDSmín) para evitar ingresar a la región triodo (que es equivalente a la
zona de saturación del BJT).
Se puede demostrar que la línea i cRL= vce bisecta la línea AC; en otras palabras,
que representa el lugar geométrico de los puntos medios a las rectas AC (recta
mediana).
En la expresión de la línea DC (1.44) y con:

32
IC = ICQ y VCE = VCEQ (pues no hay señal)
Queda: VCC = VCEQ + ICQRe 
(1.52)
y de (1.50): VCC = VCEQ + VCEQRe/RL
VCC = VCEQ(1+Re/RL)
Por tanto VCEQ = VCC / (1 + Re/RL) (1.53)
Por lo general, Re se elige pequeña para minimizar las pérdidas de
potencia. Luego, si: RL>> Re
VCEQ = VCC  (1.54)
Y si se cumple lo anterior, la expresión (1.50) seria
ICQ = VCC/ RL  (1.55)
El procedimiento a seguir para la construcción gráfica es:
1. Graficar la línea DC (de 1.44)
2. Graficar la línea icRL = vce (recta mediana) a través del origen
3. La intersección indica el punto Q
4. La línea AC se dibuja a través del punto Q y con pendientes – 1/R L

Observaciones Importantes: Es de gran importancia tener en cuenta que hay,

en las expresiones anteriores, fórmulas generales y otras obtenidas para casos
particulares, siguiendo ciertas condiciones previas. Esto es de considerar en los
dos tipos de problemas, análisis y diseño, en los que se calculará generalmente
las potencias, puntos de operación, etc, que se entregará o en que esta
funcionando el circuito, limitado por los valores de los componentes ya fijados
(análisis), o en el caso del diseño en que si habrá mayor libertad y puesto que no
hay mayores limitaciones (si no las hubiera), nos permitirá asumir las condiciones
previas para llegar a las fórmulas particulares y óptimas. Esto se comprenderá
mejor con ejemplos ilustrativos y con la resolución de los problemas propuestos en
la sección respectiva.
Por otro lado, aún no se consideran los límites del transistor y de la región
de característica lineal, esto con objeto de facilitar la comprensión del método de
análisis empleado y cuyas pautas nos servirán posteriormente.

1.2.2-4.- CALCULO DE POTENCIAS: El cálculo de potencias es muy importante

pues además de proporcionarnos información sobre la potencia que se puede
entregar a la carga, nos permite apreciar si cumplimos con la capacidad de
potencia que puede disipar el transistor, si la fuente de alimentación puede
proporcionar la potencia requerida, si los resistores empleados pueden soportar
las potencias a que serán sometidos, asimismo, para poder diseñar o elegir los
disipadores adecuados, etc.
En general, la potencia instantánea entregada o disipada por cualquier dispositivo
lineal o no lineal está dad por:
p = V(t)I(t)  (1.56)
donde:
V(t) es el voltaje total a través del dispositivo
V(t)= Vpromedio + v(t)
I(t) es la corriente total que fluye por el dispositivo
I(t) = Ipromedio + i(t)

33
 i(t) y v(t) son componentes variables con el tiempo

En la práctica, lo que tiene mayor importancia es el valor promedio de la potencia

instantánea ya que este valor nos indicará, por ejemplo, la cantidad de calor por
segundo que se disipará en una resistencia o la potencia mecánica que hay que
suministrar a un generador que alimente a una determinada carga.
Esta potencia promedio se denomina por estas razones, la potencia real o activa y
su expresión es:
T
p = (1 / T) ∫ V(t) I(t) dt (1.57)
0
T es el periodo de cualquier parte periódica variable con el tiempo, de V(t) o I(t)
Luego:
T
p = (1 / T) ∫ (Vpr + v(t)) (Ipr + i (t)) dt (1.58)
0
T T T
T
p = (1 / T) ∫ Vpr Ipr dt + (1 / T) ∫ Vpr i (t) dt + (1 / T) ∫ v(t) Ipr dt + (1 / T) ∫ v(t) i
(t) dt
0 0 0
0
Si i(t) y v(t) tiene valor promedio igual a cero (caso de las ondas sinusoidales):
T T
(1 / T) ∫ v(t) dt = (1 / T) ∫ i (t) dt = 0
0 0
T T
Entonces: p = (1 / T) ∫ Vpr Ipr dt + (1 / T) ∫ v(t) i (t) dt (1.59)
0 0
Esta ecuación expresa que la potencia media (o promedio) suministrada o
disipada por un dispositivo, consiste de la suma de la potencia en términos DC y la
potencia en términos AC. Luego, a partir de lo anterior:

1.2.2-5.- POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: En los cálculos posteriores se

asume que las impedancias de carga son puramente resistivos y por tanto el factor
de potencia es la unidad. Para el circuito en estudio (figura 1) despreciando la
potencia disipada en la resistencia de emisor, las corrientes y voltajes de interés
son:
iC = ICQ + ic iL = - ic
ifuente = iR2 + iCHOKE (1.60)
ifuente = iR2 + (ic + iL)

considerando despreciable iR2 y como el “choke” tiene una inductancia muy

grande, no fluye corriente AC a través de él y como la corriente i L es sólo AC
(debido a Ca2), luego se puede representar dicho “choke” por una fuente de
corriente constante y de valor ICQ

34
 ifuente = ICQ (1.61)

además: vL = iLRL = -icRL

Si consideramos que la corriente de señal es sinusoidal:
iL = Iimsen wt ic = Icmsen wt
De (1.60) y (1.61) se deduce que el mayor valor pico que puede tener la corriente
AC de colector, es ICQ
Por lo tanto ic max= ICQ sen wt
Lo cual implica que
Icm max<= ICQ (1.62)
Esto es para operación en clase A, sin distorsión (en cuanto a máxima excursión
simétrica).
Ahora se obtendrá la expresión de la potencia media disipada en la carga (en este
caso sólo hay contribución de términos AC)
T T
2 2
PL = (1 / T) ∫ (iL(t)) RL dt + (1 / T) ∫ (i(t)) RL dt
0 0
Si iL es sinusoidal: iL = ILM cos wt
T T
2 2
PL = (1 / T) ∫ RL (Icm cos wt) dt + ((RL(Icm ) / 2T) ∫ (1 + cos 2wt) dt
0 0
PL = (ILm2 RL) / 2 = (ICm2 RL) / 2 (1.63)

Se deduce que la potencia aumenta parabólicamente con I Lm o ICm. Luego, la

máxima potencia será disipada en la carga cuando se logre el mayor I CM. Si la
corriente del colector de operación se ha elegido para máxima excursión:
Icm max = ICQ
por lo tanto PL max = I2CQRL / 2
(1.64)
combinando con (12):
PL max = V2CC / 2RL (1.65)

Observación: Tener presente las consideraciones seguidas para obtener (1.65),

una de las cuales era tener Re pequeña. Respecto a cuán pequeña debe ser Re,
de las expresiones iniciales del thevenin equivalente se observa que al disminuir
Re, debemos disminuir Rb la cual resultaría en un decremento de la ganancia de
corriente (como se demuestra con el estudio de los parámetros híbridos). Esto
sería un límite práctico en la elección del valor de Re para un valor dado de
estabilidad frente a variaciones de ß y temperatura.

1.2.2-6.- POTENCIA PROMEDIO ENTREGADA POR LA FUENTE DC

T
Pfuente = PCC = (1 / T) ∫ VCC i fuente dt
0
T
PCC = (1 / T) ∫ VCC ICQ dt
0

35
 PCC = VCCICQ (1.66)
o sin considerar (1.61)
T
PCC = (1 / T) ∫ VCC iC (t) dt
0
y despreciando i R2: T
PCC = (1 / T) ∫ VCC (ICQ + iC (t)) dt
0
Con ic sinusoidal:
PCC = VCC ICQ
La cual es constante e independiente de la potencia de señal para las condiciones
sin distorsión asumidas bajo estas condiciones y si I CQ se ha elegido para lograr la
máxima excursión:
PCC = V2CC/RL (1.67)
RL >> Re
ICQ = VCC/RL

1.2.2-7.- POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: La potencia

instantánea disipada en un transistor bajo cualquier circunstancia está dada por:
pT = vCB iC + vBE iE
donde: vCBiC = pC, es la potencia disipada en la unidad del colector
vBEiE, es la potencia disipada en la unión de emisor
como: iE = iC + iB, entonces
pT = vCEiC + vBEiB
Si el transistor no es excitado hasta la saturación, la contribución del segundo
término, vBEiB, es despreciable y se tendrá:
pT = vCEiC
Esta ecuación nos indica que la potencia disipada en el transistor es
prácticamente la potencia disipada en la unión de colector: pC = vCEiC
La potencia promedio disipada en el colector es:
T
PC = (1 / T) ∫ VCE iC (t) dt
0

Donde: vCE = VCEQ + vce ; iC = ICQ + ic

Si vce o ic son sinusoidales:
T
PC = VCEQ ICQ + (1 / T) ∫ vce ic dt
0
Para máxima excursión simétrica:
Pc = VCEQICQ – I2CQ(RL +Re)/2
Si RL>>Re:
Pc = VCEQICQ – I2CQRL/2 = PCC – PL
Luego:
Pcmin = V2CC/2RL
Sin señal:
Pcmax = VCCICQ = V2CC/RL

36
1.2.2-8.- EFICIENCIA: Es un factor que indica la relación de potencia de señal
entregada a la carga a la potencia entregada por la fuente
De (1.65) y (1.66):
η = PLac/PCC = I2cm (RL / 2) / VCCICQ (1.68)
en condiciones máximas [ Icm = ICQ y de 1.67 ]
ηmáx = ½ = 50% (1.69)
La cual es la máxima eficiencia que se podría obtener de este tipo de amplificador
y que es el doble del que se obtiene si se usa resistencia en colector. Se recuerda
que estos cálculos se hacen con señal sinusoidal, pues en el caso de onda
cuadrada la eficiencia máxima que se puede alcanzar es el 100%.

1.2.2-9.- Figura de mérito: Es la relación entre la máxima potencia de disipación

de colector del transistor, a la máxima potencia disipada en la carga.
F = PCmax/ PLmax
(1.70)
En las condiciones máximas F = 2
(1.71)
Esta figura de mérito es la máxima que posee el amplificador con choke en
colector.

PROBLEMA 1.4: En el circuito de la figura siguiente, calcule:

a) El punto Q para máxima excursión simétrica.
b) R1 y R2
c) PLmáx El transistor es de silicio, con: β = 50
d) PCC Ce y Ca2 tienen reactancia despreciable
e) PCmáx L tiene reactancia muy alta.
f) La eficiencia
g) Especifique el transistor.

R1 L
rL= 14
Ca2

Q VCC

12V
RL
Ig(t) 100
R2 Re Ce
11

Fig. 1.20
SOLUCION:
a) Punto de operación para máxima excursión simétrica:

37
Recta DC: VCC = IC (rL + Re) + VCE = 25 IC + VCE
La resistencia de la bobina actúa en continua y debe ser tomada en cuenta
Recta AC: vce = - ic RL = -100 ic
Recta de máxima excursión simétrica: vCE = +iC RL
Debido a que no nos especifican el valor de VCE,sat asumimos que es cero
Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: VCEQ = +ICQ
RL
Reemplazando en la recta DC: VCC = 25 ICQ + ICQ RL = 125 ICQ
De donde: ICQ = 12 / 125 = 96 mA
Luego: VCEQ = +ICQ RL = 9.6V
b) R1 y R2:
Para buena estabilidad del punto de operación obtenemos:
Empleamos: Rb = (1 + β) Re / 10 = 56.1 Ω
Luego: VBB = IB Rb + VBE + IEQ Re = 96mA(56.1/50) + 0.7 + 96mA(11) = 1.86V
De 1.36: R1= Rb(VCC/VBB)) = 360 Ω
De 1.37: R2= Rb /[1 – (VCC/VBB)] = 66 Ω
c) Cálculo de PLmáx:
De 1.64: PL max = I2CQRL / 2 = 460.8mW
d) Cálculo de PCC:
De 1.66: PCC = VCCICQ = 12 * 0.096 = 1.152 W
e) Cálculo de PCmáx:
En clase A se tiene: PCmáx = VCEQ ICQ = 9.6*0.096 =921.6 mW
f) Cálculo de la eficiencia:
De 1.68 η = I2CQ(RL / 2) / VCCICQ = 460/1152 = 39.9%
g) Especificación del transistor:
La máxima tensión colector emisor que soportará es: 2 VCEQ
Entonces debe cumplirse: BVCEO > 19.2V
La máxima corriente de colector que conducirá es: 2 ICQ
Entonces debe cumplirse: iCmáx > 192 mA
La máxima potencia que va a disipar es: 921.6 mW
Entonces debe elegirse un transistor que disipe más de 921.6 mW a la
temperatura de trabajo.

PROBLEMA 1.5: En el siguiente circuito, el transistor tiene las siguientes

especificaciones: iCmáx = 300mA, BVCEO = 40V, PCmáx = 1W, VCE,sat = 0.5V, β
= 50, silicio. Calcule:
a) El punto Q para máxima excursión simétrica.
b) Re, VCC, R1 y R2
c) PLmáx
d)PCC Ce y Ca2 tienen reactancia despreciable
e) PCmáx y PCmín L tiene reactancia muy alta.
f) La eficiencia
SOLUCION:
a) Punto de operación para máxima excursión simétrica:
Recta DC: VCC = IC (Re) + VCE
Recta AC: vce = - ic RL = - 100 ic
Recta de máxima excursión simétrica: vCE = +iC RL + VCE,sat = 100 ic + 0.5

38
Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: VCEQ = 100
ICQ + 0.5
Reemplazando en la recta DC: VCC = Re ICQ + 100 ICQ + 0.5
Para el máximo aprovechamiento del transistor debe cumplirse:
PCmáx = VCEQ ICQ
Con las dos ecuaciones anteriores podemos obtener una ecuación de segundo
grado para hallar ICQ:
ICQ = -(VCE,sat / 2RL) + [(PCmáx/RL) + (VCE,sat / 2RL) 2] (0.5)
Reemplazando valores y efectuando: ICQ = 97.5 mA
Reemplazando en la recta de M.E.S. 2obtenemos: VCEQ = 10.25V
L

R1
Ca2
1 VCC

RL
100
R2
Ig(t) Re Ce

Fig. 1.21
b) Obtención de Re, VCC, R1 y R2
Para que las pérdidas en Re no sean muy altas, elegimos: Re << RL
Entonces: Re = RL / 20 = 5 Ω
De la recta de carga estática: VCC = VCEQ + ICQ Re = 11 V
Obtención de R1 y R2:
Para buena estabilidad del punto de operación empleamos:
Rb = (1 + β) Re / 10 = 25.5 Ω
Luego: VBB = IB Rb + VBE + IEQ Re = 1.24V
De 1.36: R1= Rb(VCC/VBB)) = 226 Ω
De 1.37: R2= Rb /[1 – (VBB/VCC)] = 28.7 Ω
c) Cálculo de PLmáx:
De 1.64: PL max = I2CQRL / 2 = (VCEQ – VCE,sat) 2/2RL = 475 mW
d) Cálculo de PCC:
De 1.66: PCC = VCCICQ = 11 * 0.0975 = 1.0725 W
e) Cálculo de PCmáx y PCmín:
En clase A se tiene: PCmáx = VCEQ ICQ = 10.25*0.0975 = 1 W
PCmín = VCEQ ICQ – PLmáx = 1 W – 0.475 W = 525 mW
f) Cálculo de la eficiencia:
De 1.68 η = PL max / PCC = 525/1072.5 = 48.95%

PROBLEMA 1.6: En el siguiente circuito, se desea obtener 4 W en la carga.

VCE,sat = 1V, β = 50, silicio, VCC = 12V.
a) Determine el punto Q para máxima excursión simétrica.

39
b) PCC Ce y Ca2 tienen reactancia
despreciable
c) La eficiencia L tiene reactancia muy alta.
d) Indique las especificaciones del transistor
SOLUCION:
a) Determinación del punto Q para máxima excursión simétrica:
PL max = (VCEQ – VCE,sat) 2/2RL = I2CQRL / 2
Despejando: VCEQ = [2RL PLmax] 1/2 + VCE,sat = 8.94 + 1 = 10V
ICQ = [2 PLmax / RL] 1/2 = 1 A
b) Cálculo de PCC:
PCC = VCC*ICQ = 12*1 = 12 W
2

R1
Ca2
1 VCC
12V

RL
10
R2
Ig(t) Re Ce

Fig. 1.22
c) Cálculo de la eficiencia: .
De 1.68 η = PL max / PCC = 4W/12W = 33.3%
d) Especificación del transistor:
La máxima tensión colector emisor que soportará es: 2 VCEQ
Entonces debe cumplirse: BVCEO > 20 V
b) Cálculo de PCC:
PCC = VCC*ICQ = 12*1 = 12 W
La máxima corriente de colector que conducirá es: 2 ICQ
Entonces debe cumplirse: iCmáx > 2 A
La máxima potencia que va a disipar es: 4 W

1.2.3.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN EMISOR COMUN – CLASE A CON

ACOPLO POR TRANSFORMADOR
El funcionamiento de estos circuitos es similar al de choke en colector. En este
caso el primario del transformador hace el papel de la bobina de choke, pero se
aprovecha la propiedad de transformación de impedancias de estos dispositivos.
Sin embargo, también tienen sus limitaciones y, por ello, haremos un breve repaso
de los principios físicos involucrados en su funcionamiento.

40
1.2.3-1.- TRANSFORMADORES: Se denomina así a un conjunto de bobinas
enrolladas en un mismo núcleo y que tienen acoplo magnético.

1.2.3-1-1.-CAMPO MAGNÉTICO
La creación de las ondas electromagnéticas por la corriente eléctrica es una de las
múltiples manifestaciones de la estrecha relación que hay entre los fenómenos
eléctricos y magnéticos. Todo desplazamiento de electrones engendra en la
proximidad un estado particular del espacio que se denomina CAMPO
MAGNÉTICO. La aguja imantada de una brújula, orientándose
perpendicularmente al conductor, denota la presencia de un campo magnético
creado alrededor de un conductor recorrido por una corriente. Si se invierte el
sentido de la corriente, la aguja gira media vuelta, lo que demuestra que el campo
magnético tiene una polaridad que está determinada por el sentido de la corriente .
El campo magnético de un conductor se puede hacer más intenso arrollando este
conductor ( hilo metálico) en forma de bobina. Los campos magnéticos de las
espiras se suman y la bobina recorrida por la corriente actúa a modo de un
verdadero imán recto. La acción de este imán se refuerza introduciendo una barra
de hierro en el interior de la bobina. El hierro presenta a las fuerzas magnéticas
mayor PERMEABILIDAD que el aire. Entonces el campo magnético se concentra
en el NÚCLEO MAGNÉTICO así constituido, y obtenemos un ELECTROIMÁN. Si
el núcleo es de hierro dulce, pierde su imantación cuando se interrumpe la
corriente (no conserva más que una pequeña parte de dicha imantación). Si es de
acero, permanece imantado. Por este procedimiento se fabrican actualmente los
imanes artificiales.

1.2.3-1-2: INDUCCION
Así como las variaciones de la corriente eléctrica producen variaciones del campo
magnético que ha creado, inversamente, las variaciones del campo magnético
engendran corrientes variables en los conductores. Así es como aproximando o
alejando entre sí un imán y una bobina hacemos aparecer en ésta una corriente
pero sólo mientras se mueva el imán, es decir durante la variación del campo. Hay
que señalar que es la variación y no la simple presencia de un campo lo que
engendra las corrientes en el conductor. En lugar de un imán, se puede aproximar
un electroimán formado por una bobina recorrida por una corriente continua; el
resultado será el mismo. También se puede fijar esta bobina en la vecindad o
proximidad de la otra y hacer que sea recorrida por una corriente variable; así, una
corriente alterna que recorra la primera bobina originará una corriente alterna en la
segunda. Estamos en presencia de los fenómenos de INDUCCIÓN. Sin que sea
necesario establecer un contacto material, hay un ACOPLAMIENTO MAGNÉTICO
entre las dos bobinas en el conjunto, constituyendo así un transformador eléctrico.

1.2.3-1-3: LEY DE LENZ

Se observa que la corriente inducida se opone en cada instante a las variaciones
de la corriente inductora. Cuando esta aumenta, la corriente inducida circula en el
sentido opuesto. Y cuando la corriente inductora disminuye, la corriente inducida
circula en el mismo sentido. Los fenómenos de inducción obedecen según esto a
una ley muy general de la naturaleza: la de la acción y de la reacción. La corriente

41
inducida depende de la velocidad de variación de la corriente inductora así como
de su intensidad.

Fig. 1.23

1.2.3-1-4: AUTOINDUCCION
Si la corriente que circula por una bobina, induce corrientes en otras bobinas
colocadas en su proximidad, con más razón las induce en las propias espiras de la
bobina por la que circula. Este fenómeno de Autoinducción está sometido a las
mismas leyes que las que rigen la inducción. Por consiguiente, cuando la
intensidad de la corriente que circula por la bobina tiende a aumentar, se origina
una corriente de autoinducción en sentido opuesto, que retarda el aumento de la
corriente inductora. Por esta razón, si se aplica una tensión continua a una bobina,
la corriente que en ella se establece no puede alcanzar instantáneamente su
intensidad normal; para esto necesita un cierto tiempo, tanto más largo cuanto
más elevada es la autoinducción de la bobina. Del mismo modo, cuando
aumentamos progresivamente la tensión en los extremos de la bobina, la
intensidad de la corriente seguirá este aumento con un cierto retardo, actuando la
corriente de autoinducción en sentido opuesto. Por el contrario, si disminuimos la
tensión aplicada a la bobina, también se producirá la disminución de intensidad
con un cierto retardo, circulando entonces la corriente de autoinducción en el
mismo sentido que la corriente inductora y prolongándola en cierto modo. En el
caso extremo, cuando se suprime bruscamente la tensión aplicada a una bobina
( abriendo, por ejemplo, un interruptor), la variación muy rápida de la corriente
inductora provoca una tensión inducida que puede ser de valor elevado y originar
una chispa que salte entre los contactos del interruptor

1.2.3-1-5: INDUCTANCIA
Cuando se aplica una tensión alterna a una bobina de autoinducción, la corriente
alterna que crea produce un campo magnético alterno que, a su vez, mantiene
una corriente de autoinducción que se opone constantemente a las variaciones de
la corriente inductora y, en consecuencia, impide que ésta alcance la intensidad
máxima que hubiera podido tener en ausencia de autoinducción. No olvidemos
que, cuando la corriente inductora aumenta, la corriente inducida va en sentido
inverso y, por consiguiente, deberá ser restada. Este efecto se entiende como si la
resistencia normal (se dice «óhmica») del conductor se sumase a otra resistencia
debida a la autoinducción. Esta resistencia de autoinducción o INDUCTANCIA es
tanto más elevada cuanto mayor es la frecuencia de la corriente (puesto que las

42
variaciones más rápidas de la corriente inductora suscitan corrientes de
autoinducción más intensas y puesto que la propia autoinducción es más elevada).
La autoinducción de una bobina depende únicamente de sus propiedades
geométricas, número y diámetro de espiras y su disposición. Aumenta con el
número de espiras. La introducción en ella de un núcleo de hierro intensifica el
campo magnético y eleva la autoinducción en proporciones considerables. La
autoinducción de una bobina se expresa en HENRIOS ( H) o en submúltiplos de
esta unidad, el MILIHENRIO (mH) que es la milésima del henrio y el
MICROHENRIO (µH), millonésima del henrio.
En la figura 1.24 se muestra la relación entre la corriente inductora y la corriente
inducida: Arriba, la corriente alterna inductora. Abajo, la corriente inducida por la
corriente inductora.
- 1. La corriente inductora aumenta muy rápidamente. La corriente inducida es de
sentido contrario.
- 2. La corriente inductora no varía durante un corto intervalo. La corriente inducida
es nula.
- 3. La corriente inductora disminuye. La corriente inducida tiene el mismo sentido.
- 4. La corriente inductora no varía durante un corto intervalo. La corriente inducida
es nula

Fig. 1.24

1.2.3-1-6: ECUACIONES DEL TRANSFORMADOR

En el siguiente gráfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamos la transformada de La place obtenemos las ecuaciones que describen
su funcionamiento. En ellas estamos despreciando las resistencias de los
devanados.

Fig. 1.25

43
 V1 = sLp I1 + sM I2 (1.72)
V2 = sM I1 + sLs I2 (1.73)
En consecuencia, todo circuito que tenga las mismas ecuaciones del
transformador podrá ser reemplazado por él, sin que varíen las tensiones ni
corrientes
En forma análoga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos
que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos serán modelos del
transformador
Uno de sus modelos más usados es el siguiente:
rp Ldp rs
n:1

Lm

IDEAL

rp = resistencia del primario

rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersión del primario
Lm = Inductancia de magnetización
n = relación de transformación
Fig. 1.26
1.2.3-1-7: TRANSFORMADOR IDEAL:
El concepto del transformador ideal es una simplificación que permite representar
transformadores reales y puede ser utilizado como modelo inicial de un
transformador.
Si comparamos con el esquema de la figura 1.22, en el transformador ideal se
tiene:
rp = 0 , rs = 0, Ldp = 0, Lds = 0 y Lm = ∞
Adicionalmente, el transformador ideal puede trabajar a cualquier frecuencia y
manejar cualquier potencia. Toda la potencia que recibe en el primario la transfiere
al secundario (tiene eficiencia del 100%)
Si: Vp e Ip son la tensión y corriente aplicadas al primario, y
Vs e Is son la tensión y corriente en el secundario
Se cumplirá:
Vp * Ip = Vs * Is (1.73)
Se define la relación de transformación como:
n = Vp / Vs (1.74)
Reemplazando 1.74 en 1.75 obtenemos:
n = Is / Ip (1.75)
Si dividimos Vp entre Ip obtendremos la impedancia (Zp) que se “ve” desde el
primario:
Zp = Vp / Ip = Vs * Is /Ip2 = n2 Vs / Is
Donde Vs / Is representa la carga colocada en el secundario:
O sea:RL = Vs / Is

44
Por ello, llegamos a la siguiente expresión:
Zp = n2 RL (1.76)
Que es una expresión muy utilizada incluso en los transformadores reales y
representa la resistencia (o impedancia) reflejada al primario. En forma análoga
también se puede obtener la resistencia (o impedancia) reflejada al secundario.
A pesar que estas relaciones se deducen para el transformador ideal también se
cumplen con bastante aproximación en el transformador real
A continuación veremos su aplicación en el amplificador clase A con acoplo por
transformador (figura 1.23):
VCC

RL

R1
n:1

Ca1
Q

Vg

R2 Re
Ce

Fig. 1.27
El método de análisis es similar al de choke en colector, considerándose el efecto
de conversión de impedancia que lleva a cabo el transformador y también su
eficiencia (el transformador real presenta pérdidas en los conductores que forman
sus bobinas y en su núcleo, por lo que su eficiencia no es del 100%). Para un
cálculo inicial, se puede usar el concepto de transformador ideal y luego hacer los
ajustes empleando las características reales
1.2.3-2.- POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: En este caso, la resistencia
para señal que ofrece el primario es dada por la ecuación 1.76: Zp = n2 RL
Empleando la ecuación 1.63:
PL = (I2Cm n2RL) / 2
(1.77)
Luego: PLmáx = (I2CQ n2RL) / 2
(1.78)

1.2.3-3.- POTENCIA PROMEDIO ENTREGADA POR LA FUENTE DC

Empleando la ecuación 1.66:
PCC = VCCICQ

1.2.3-4.- POTENCIA PROMEDIO DISIPADA EN COLECTOR: Empleando la

ecuación 1.21:

45
 PCmáx = VCEQ ICQ

1.2.3-5.- EFICIENCIA: Aplicando la ecuación 1.68:

η = I2CQ (n2RL / 2) / VCEQICQ
(1.79)
en condiciones ideales [ VCEQ = VCC y de 1.67]
ηmáx = ½ = 50%

1.2.3-6.- FIGURA DE MÉRITO: Aplicando la ecuación 1.70:

F = PCmax/ PLmax
En las condiciones máximas F = 2
Esta figura de mérito es la máxima para este circuito y es la máxima que posee el
amplificador con acoplo por transformador.

PROBLEMA 1.7: En el siguiente circuito se tiene un transistor de silicio con β =

100 y además PLmáx = 1 W. Halle:
a) El punto Q.
b) R1
c) PCC total
d) PCmáx y PCmín
e) ηtotal
El transformador es ideal. Las capacidades tienen reactancias despreciables.
SOLUCION:
a) Cálculo del punto Q:
La resistencia reflejada al primario es: Rp = n2RL = 64 Ω
Como ya está definida la potencia de salida, usamos la ecuación 1.78 para
calcular ICQ:
PLmáx = (I2CQ n2RL) / 2
Y obtenemos: ICQ = 177 mA
Recta DC: 12 = VCE + 2 IE
Como: β >> 1 entonces: IE = IC y obtenemos: 12 = VCE + 2 IC
1 T 5

RL
16
R1 4 8
2:1

C1 Q

12V

Vg R2
22
Re Ce
2

46
 Fig. 1.28
La recta DC contiene al punto de operación y podemos obtener: VCEQ = 11.64
V
b) Cálculo de R1:
La tensión en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re) =
1.054 V
La corriente que circula por R2 es: IR2 = 1.054 / 22 = 47.9 mA
Con estos datos podemos calcular R1:
R1 = (12 – 1.054) / (0.0479 + 0.177 / 100) = (10.946)(0.04967) = 220.37 Ω
c) Cálculo de PCC total:
PCC total = VCC(ICQ + IR1 + IB) = 12 (0.177 + 0.0479 + 0.177 / 100) = 2.72 W
d) Cálculo de PCmáx y Pcmín:
El transistor en clase A disipa máxima potencia cuando no tiene señal de entrada:
PCmáx = VCEQ*ICQ = (11.64)(0.177) = 2.06 W
El transistor en clase A disipa mínima potencia cuando tiene máxima señal de
entrada:
PCmín = VCEQ*ICQ – PLmáx = 2.06 – 1 = 1.06 W
e) Cálculo de ηtotal
ηtotal = PLmáx / PCC = 1 / 2.72 = 36.8%

PROBLEMA 1.8: En el siguiente circuito, halle:

a) El punto Q
b) PLmáx El transistor es de silicio con β = 100
c) PCC
d) ηtotal
Las capacidades tienen reactancia despreciable.
SOLUCION:
a) Cálculo del punto Q:
Recta DC: 12 = VCE + 4 IE
Como: β >> 1 entonces: IE = IC y obtenemos: 12 = VCE + 4 IC
Recta AC: La resistencia reflejada al primario por el transformador es: Rp = n 2RL
= 16 Ω
Luego: vce = - 18 ic
Re1 no es cortocircuitada por Ce y por ello también interviene en la recta AC.
Como R1 y R2 están definidas, el punto de operación lo determinan ellas y
debemos calcularlo:

47
 1 T 5

RL
4
R1 4 8
470 2:1

C1 Q

12V
C
Re1
2
Vg

R2
56
Re2 Ce
2

Fig. 1.29
La resistencia de thevenin es: Rb = 470//56 = 50 Ω
La tensión de thevenin es: Vbb = (12*56)/(470+56) = 1.28V
Para hallar ICQ planteamos la ecuación en la malla base-emisor:
Vbb = IB Rb + VBE + IE (Re1 + Re2) = (50/101) IE + 0.7 + 4 IE
Resolviendo para IE obtenemos: IE = IC = 0.13 A
Reemplazando en la recta DC obtenemos VCEQ: VCEQ = 11.48V
b) Cálculo de PLmáx
De 1.78: PLmáx = (I2CQ n2RL) / 2
Conviene usar la expresión en función de la corriente porque también hay caída
de señal en Re1. Si empleáramos la ecuación en función del voltaje, tendríamos
que aplicar la ecuación del divisor de voltaje para hallar la tensión de señal que
cae en el primario, que es lo que nos interesa para calcular la potencia que llega a
la carga.
Efectuando: PLmáx = 135.2 mW
c) Cálculo de PCC:
Sabemos que: PCC = VCCICQ
Esta expresión se usa cuando se puede despreciar la corriente que circula por R1.
Cuando nos piden hallar la eficiencia total, significa que no debemos despreciar
IR1 Por esta razón la calcularemos para hallar un valor más exacto de PCC
Entonces: PCC = VCC(ICQ + IR1)
La tensión en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re1 +
Re2) = 1.22V
Luego: IR1 = (12 – 1.22) / 470 = 23 mA
Ahora podemos calcular: PCC = 12 (0.13 + 0.023) = 1.836 mW
d) Cálculo de ηtotal
ηtotal = PLmáx / PCC = 135.2 / 1836 = 7.36%
Observamos que al no tenerse el punto de operación para máxima excursión
simétrica, además de Re1 e IR1, hacen que la eficiencia se muy baja.

PROBLEMA 1.9: Diseñe un amplificador clase A acoplado por transformador para

obtener una potencia de 0.5 W en una carga de 3 Ω. La impedancia de salida del
transistor es de 70 Ω. Asuma que la resistencia del devanado primario es 12 Ω y

48
del secundario es 0.6 Ω. Además VCC = 12 V. /Se empleará el transistor AD161
cuyos datos técnicos son:
Tjmáx = 100°C, PCmáx = 4 W, VCE,sat = 1 V, BVCEO = 20 V, iCmáx = 1 A, 80 ≤ β
≤ 320 , germanio.
SOLUCION:
Emplearemos el siguiente esquema circuital:
1 T 5

RL
3
R1 4 8
n:1

C1 Q

12V

Vg R2

Ce
Re

Fig. 1.30
El primer paso es determinar el punto de operación necesario para lograr la
potencia requerida en la carga, teniendo en cuenta que no deben excederse los
valores de tensión, corriente y potencia especificados para el transistor.
Como el transistor soporta una tensión máxima de 20 V, el punto de operación no
debe ser mayor que 10 voltios, debido a que en estos circuitos el transistor maneja
una tensión máxima igual á 2VCEQ. Además, por seguridad y porque la tensión de
saturación es de 1 V, es conveniente que el punto de operación sea menor que 10
V para no trabajar en el límite.
Debido a que no está definida la relación de transformación, podemos calcularla
para lograr la potencia requerida en la carga.
Recta DC: 12 = VCE + (12) IC + IE Re
Como: β >> 1 entonces: IE = IC . Además, como β tiene un rango, haremos los
cálculos con su valor promedio: β = (80 + 320) / 2 = 200
A continuación obtenemos: 12 = VCE + (12 + Re) IC
Por las consideraciones anteriores emplearemos. VCEQ = 8 V
Determinaremos ICQ en función de la potencia requerida en la carga:
La resistencia reflejada al primario es: Rp = n2(RL + rs)
Vemos que la resistencia del devanado secundario también se refleja al primario y
consumirá potencia de señal.
La potencia máxima que puede entregar el transistor es: PLmáx = I2CQ n2(RL +
rs) / 2
Como la carga debe recibir 0.5 W, debe cumplirse:
0.5 = I2CQ n2(RL) / 2 y obtenemos: n2 I2CQ = 1 / 3

49
Para que el transistor pueda transferir la máxima potencia posible a la señal, es
necesario que su impedancia de salida sea igual a la que le ofrece el primario del
transformador. Esta impedancia es: rp + n2(RL + rs)
Entonces: rp + n2(RL + rs) = 70
De esta ecuación obtenemos el valor necesario de n:n = 4.01
A continuación hallamos ICQ: ICQ = 144 mA
Debido a que el transistor puede manejar una corriente de 1 A, el valor calculado
es seguro.
Podemos determinar ahora el valor de Re usando la ecuación de la recta DC
12 = 8 + (12) (0.144) + (Re) (0.144)
De donde: Re = 16 Ω
Obtendremos ahora los valores necesarios para R1 y R2
La tensión en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re)
En el transistor de germanio tenemos un voltaje base-emisor: VBE = 0.3 V
Luego: VB = 0.3 + (0.144)(16) = 2.6 V
La corriente de base es: IB = 144 mA / 200 = 0.72 mA
Para que haya buena estabilidad del punto de operación haremos que la corriente
que circula por R2 sea mucho mayor que IB además que el valor de R2 debe ser
comercial:
IR2 = 20 IB = 14.4 mA
Entonces: R2 = 2.6 V/ 14.4mA = 180 Ω
A continuación: R1 = (12 – 2.6)V / (14.4 + 0.72)mA = 620 Ω
La potencia máxima que disipará el transistor es:
PCmáx = VCEQ ICQ = 8 * (0.144) = 1.15 W
Esta potencia es inferior a la máxima que puede soportar el transistor.
El siguiente paso es simular el circuito para verificar si es necesario hacer ajustes
a los valores calculados.

PROBLEMA 1.10: En el amplificador mostrado, el transformador tiene una

eficiencia del 80%. El transistor es de silicio con β = 20, VCE,sat = - 2V, VBE =
-0.7V. Determine:
a) El valor de n para obtener máxima potencia en la carga
b) PLmáx
c) PCmáx
d) PCC

50
 T
1 5

RL
17 8
4 8
n:1
10V
Ca1
Q

Vg

3 1 Cs

Fig. 1.31
SOLUCION:
a) Cálculo del valor de n para obtener máxima potencia en la carga:
La impedancia reflejada al primario es: Rp = n2(RL) = 8 n2
El punto de operación está definido por las resistencias de polarización. Por ello lo
calcularemos:
Tensión de Thevenin: Vb = -10(3/(17+3) = -1.5V
Resistencia de Thevenin: Rb = 17//3 = 2.55 Ω
Planteando la ecuación en la malla base-emisor: Vb = IB Rb + VBE + IE Re
-1.5 = IEQ (2.55/21) – 0.7 + IEQ = 1.12 IEQ – 0.7
De donde: IEQ = - 0.71 A
Luego: ICQ = IEQ [β /(1 + β)] = - 0.68 A
Recta DC: VCC = VCE + IE Re
- 10 = VCEQ – 0.71
De donde: VCEQ = - 9.29 V
La máxima tensión pico que puede recibir el transformador es: Vp = 9.29 – 2 =
7.29 V
La máxima corriente pico que puede recibir el transformador es: Ip = 0.68 A
La impedancia reflejada al primario será: Rp = Vp/Ip = 10.72 Ω
De donde: n2 = 10.72 / 8 = 1.34 Luego: n = 1.16
b) Cálculo de PLmáx
La máxima potencia que puede recibir el transformador es: Pp = 7.29*0.68)/2
Pp = 2.48 W
Dado que la eficiencia del transformador es del 80%, la máxima potencia que llega
a la carga es: PLmáx = (0.8)(2.48) = 1.98 W
c) Cálculo de PCmáx
El transistor disipa máxima potencia cuando no tiene señal. Entonces:
PCmáx = VCEQ ICQ = (-9.29)(-0.68) = 6.32 W
d) Cálculo de PCC
Debido a que las resistencias de polarización son pequeñas, debemos considerar
la corriente que circula por ellas. Entonces: PCC = (- 10)(ICQ + IR1)
La tensión DC en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IEQ Re =
- 1.41 V

51
Luego: IR1 = [-10 - (-1.41)] / 17 = - 0.505 A
Reemplazando: PCC = (- 10)( - 0.68 - 0.505) = 13.05 W
Observamos que en este caso la red de polarización disipa una potencia
considerable y afecta negativamente a la eficiencia del sistema. Para mejorar la
eficiencia es conveniente que las resistencias de polarización no tengan valores
pequeños, manteniendo, a la vez, la estabilidad del punto de operación. Una forma
de lograrlo es empleando transistores con alta ganancia o configuraciones tipo
Darlington.

PROBLEMA 1.11: Diseñe un amplificador clase A acoplado por transformador

empleando el Mosfet IRF840 para obtener una potencia de 1 W en una carga de 8
Ω. El transformador de audio a emplear tiene: n = 2, rp = 1 Ω, rs = 0.5 Ω
SOLUCION:
Emplearemos el siguiente esquema circuital:
Recta DC: VDD = ID rp + VDS + ID Rs
Recta AC: 0 = id (rp + n2(RL + rs) +vds
Recta de M.E.S.: vDS - 1 = iD (rp + n2(RL + rs) = 35 iD
 Obtención del punto de operación para máxima excursión simétrica:
La máxima potencia que recibe el primario es: Pp = I2DQ (rp + n2(RL + rs) / 2
La potencia que llega a la carga debe ser 1 W:
PL = I2DQ (n2 RL) / 2 = 1
De donde: IDQ = 0.25 A
Luego: VDSQ = 35 IDQ + 1 = 9.75 V

T
1 5

rp rs RL
R1 8
4 8
2:1
VCC
Ca1
Q
IRF840

Vg

R2 Rs Cs

Fig. 1.32
 Obtención de VGSQ para lograr la corriente del punto de operación:
En el MOSFET se cumple: IDQ = K(VGSQ – VT) 2
Empleando los datos del problema 1.2 obtenemos: VGSQ = 3.42 V
 Obtención de Rs: Para lograr buena estabilidad del punto de operación
emplearemos un valor de Rs = (VGSQ + VT) / IDQ = 25.7 Ω
El valor comercial más cercano es: Rs = 27 Ω / 2W
Obtención del voltaje de la fuente de alimentación: Recta DC:
VDD = ID rp + VDS + ID Rs = (0.25)(1) + 9.75 + (0.25)(27) = 17 V

52
  Obtención de R1 y R2:
La tensión en la compuerta respecto a tierra es:
VG = VGSQ + IDQ Rs = 3.42 + (0.25)(27) = 10.17
Si empleamos un valor comercial: R1= 15 K Ω / 0.5 W
Podemos calcular R2: R2 = (17 – 10.17) / 0.68 = 10 K Ω / 0.5 W
 Obtención de Cs:
La resistencia aproximada que “ve” Cs es Rs. Como esta resistencia es pequeña,
haremos que Cs determine el límite región de baja frecuencia.
Si fijamos este límite en 100 Hz, podemos igualar: Rs Cs = 1 / [2π (100)] =
0.0016
Luego: Cs = 58.9 uF
Y podemos emplear el valor comercial más cercano: Cs = 68 uF / 10 V
 Obtención de Ca1:
La resistencia que “ve” Ca1 es mucho más alta. Haremos que Ca1 actúe a una
frecuencia mucho menor que 100Hz para que no influya a la vez que Cs.
Si fijamos su operación en 10 Hz, podemos igualar: [R1//R2] Ca1 = 1 / [2π (10)] =
0.016
Luego: Ca1 = 2.7 uF
Y podemos emplear el valor comercial: Ca1 = 2.7 uF / 16 V

PROBLEMA 1.12: Diseñe el amplificador clase A mostrado, empleando el

transistor MPSW01 que tiene β = 50 y VCE.sat = 2V, VBE = 0.7V. La potencia de
salida debe ser 0.5W á 1KHz, en carga de 8Ω.
SOLUCION:
Recta DC: VCC = 8 IC + VCE + IE RE
Potencia en la carga: PL = 0.5W = Vm2 / 2RL = Vm2 / 16

53
 R1 RL
96 8

C1
+ 100uF Q1
VCC MPSW01
10V +
- V1
-300m/300mV

+
RE CE
5.6
1kHz R2 220uF
39

Hallamos Vm: Vm = 2.8V

La tensión de operación es: VCEQ = Vm + VCE,sat = 2.8V + 2V = 4.8V
= 5V
Redondeamos el voltaje a 5V.
La corriente de operación es: ICQ = Vm / RL = 0.35 A
Calculamos la red de polarización:
Para mejor estabilidad elegimos: VE = IE RE = 2V
Obtenemos: RE = 2V / 0.35(1 + 1 / 50)A = 5.6Ω
De la Recta DC: VCC = 8 (0.35) + 5 + 2 = 10V
Hacemos: XCE << 5.6Ω á 1KHz CE << 28.4uF
Elegimos: CE = 220uF
Hacemos que la corriente en R2 sea mucho mayor que la de base:
(2V + 0.7V) / R2 >> 0.35 A / 50 R2 << 2.7V / 0.007 = 385.7Ω
R2 = 39Ω
Calculamos R1: R1 = (10V – 2.7V) / (2.7V / 39 + 0.35 / 50) = 96Ω
R1 = 96Ω
Calculamos la capacidad de acoplo de entrada:
Hacemos: XC1 << (96) // (39) // (1 + 50)(5.6) á 1KHz C1 << 6.3uF
Elegimos: C1 = 100uF

Con el programa simulador ajustamos el voltaje de señal de entrada para obtener

máxima excursión en la salida:

54
TENSIÓN DE SEÑAL DE SALIDA CON EXCITACIÓN POR FUENTE DE
TENSION:
10.00 V
A: q1_1

8.000 V

6.000 V

4.000 V
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms

El voltaje pico es 2.84V

TENSIÓN DE SALIDA CON EXCITACIÓN POR FUENTE DE CORRIENTE:

10.00 V
A: q1_1

8.000 V

6.000 V

4.000 V
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms

El voltaje pico es 2.84V

Observamos que la forma de onda mejora (menos distorsión) cuando la señal de
entrada es de corriente.

TENSIÓN DE SALIDA CON EXCITACIÓN POR FUENTE DE CORRIENTE Y

REALIMENTACIÓN NEGATIVA:
Se observa que la forma de onda es más simétrica a costa de tener que elevar la
señal de entrada.
10.00 V
A: q1_1

8.000 V

6.000 V

4.000 V
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms

El voltaje pico es 2.80V

55
 R1 RL
96 8

A
C1
+ 100uF Q1
VCC MPSW01
10V +
- V1
-40m/40mA RE1
2.2
R3
10k

+
1kHz R2 CE
39 RE2
3.4 220uF

DISIPADORES DE CALOR (HEATSINKS)

Los disipadores de calor son componentes metálicos que utilizan para evitar que
algunos elementos electrónicos como los transistores se calienten demasiado y se
dañen.
El calor que produce un transistor no se transfiere con facilidad hacia el aire que lo
rodea.
Algunos transistores son de plástico y otros metálicos. Los que son metálicos
transfieren con más facilidad el calor que generan hacia el aire que lo rodea y si su
tamaño es mayor, mejor.
Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la
envoltura de un pequeño "chip" que es el que hace el trabajo, al cual se le llama
"juntura" o "unión".
La habilidad de transmitir el calor se llama conductancia térmica y a su recíproco
se le llama resistencia térmica (Rth) que tiene unidad de °C / W (grado
Centígrado / Watt).
Ejemplo: Si el RTH de un transistor es 5°C/W, esto significa, que la temperatura
sube 5°C por cada Watt que se disipa.
Poniéndolo en forma de fórmula se obtiene: θ = T / P, Donde:
- θ = resistencia térmica

56
 - T = temperatura
- P = potencia
La fórmula anterior se parece mucho a una fórmula por todos conocida (La ley de
Ohm). R = V / I. Donde se reemplaza V por T, I por P y θ por R.
Analizando el siguiente diagrama:

Donde:
- TJ = Temperatura máxima en la "Juntura" (dato lo suministra el fabricante)
- TC = temperatura en la Carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el
elemento y del tamaño del disipador y la temperatura ambiente.
- TD = Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el valor
de θDA (θD)
- TA = temperatura ambiente
- θJC = Resistencia térmica entre la Juntura y la Carcasa
- θCD = Resistencia térmica entre la Carcasa y el Disipador (incluye el efecto de la
mica, si se pone, y de la pasta de silicona). Mejor si puede usar banda de silicona
en lugar de la mica y la pasta. Si se usa mica, es mejor usarla con pasta silicona.
- θDA = Resistencia térmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia térmica del
disipador) (θD)

Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura".

Con los datos del transistor 2N3055, este puede aguantar hasta 200 Watts en su
"juntura" (máximo) y tiene una resistencia térmica entre la juntura y la carcasa de:
1.5°C/W (carcasa es la pieza metálica o plástica que se puede tocar en un
transistor)
Si la temperatura ambiente es de 23°C, ¿Cuál será la resistencia térmica del
disipador de calor que se pondrá al transistor? (R DA)
Con θJC = 1.5°C/W (dato del fabricante), la caída de temperatura en esta
resistencia será T = θ x P = 1.5°C x 60 Watts = 90 °C (ver fórmula)
Con θCD = 0.15°C/W (se asume que se utiliza pasta silicona entre el elemento y el
disipador), la caída de temperatura en RCD es T = R x P = 0.15 x 60 Watts = 9°C.
Tomando en cuenta que la temperatura del aire (temperatura ambiente es de
23°C), el disipador de calor tiene que disipar: 200°C – 90°C – 9°C – 23°C = 78°C.
Esto significa que la resistencia térmica del disipador de calor será: θ DA = 78°C / 60
W = 1.3°C/Watt.. Con este dato se puede encontrar el disipador adecuado.
Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya
contacto eléctrico entre ambos. Se podría evitar esto con plástico o el aire, pero
son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta
especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena conductora
de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante

57
también tiene una resistencia térmica que hay que tomar en cuenta. Es mejor
evitar si es posible la utilización de la mica pues esta aumenta el θ CD. El contacto
directo entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar,
aumenta el valor de θCD, así que es mejor utilizar la pasta.

PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA P1.1: El siguiente circuito (figura 1.33) es un amplificador de potencia
clase A, halle:
a) El punto de operación para máxima excursión simétrica.
b) Los valores de R1 y R2 para lograr el punto de operación calculado en (a).
c) La máxima potencia disipada por RC.
El transistor es de silicio con β = 50
VCC

R2
Rc

Ca1
Q + VCC = 15 V
vce
- Rc = 1K

Re = 500
R1
ii Re

Fig. 1.33
PROBLEMA P1.2: Diseñe un amplificador clase A acoplado por transformador,
como el mostrado en la figura 1.34, para obtener una potencia de salida de 0.5W
en una carga de 3Ω. La impedancia reflejada al primario es 70Ω. Asuma que la
eficiencia del transformador es 70%.
Datos del transistor: Vce,sat = 1V; Tjmax = 100°C; Pcmax = 4W (á 65 °C);
BVCEO = 30V; icmax = 1A; 80 ≤ β ≤ 320
+12V

n:1
1 3

R2

2 5 3 Ohmios
C1
Q +
vce
-

R1
Vi Re
Ce

Fig. 1.34
PROBLEMA P1.3: Diseñe un amplificador clase A acoplado por transformador
para obtener una potencia de 1W en una carga de 8 Ω.
Asuma que el transformador es ideal con n = 2, VCC = 12 V y Vce,sat = 2V
Especifique las características del transistor.

58
PROBLEMA P1.4: Se desea entregar 1 W a una carga de 8 Ω, mediante un
amplificador clase A acoplado por transformador. Si se dispone de un transistor
con BVCEO = 40 V, β = 50 y VCE,sat = 2 V. La resistencia de emisor debe ser
1.8 Ω
Asuma que el transformador es ideal con n = 2. Halle
a) El valor de la fuente DC (VCC).
b) La potencia entregada por la fuente..
c) La potencia máxima que disipará el transistor.

PROBLEMA P1.5: En el circuito mostrado en la figura 1.35, β = 100, βmín = 50.

Halle:
a) El punto de operación para máxima excursión simétrica.
b) R1 y R2
c) PL máx
d) PCC
e) PCmáx y PCmín
f)La eficiencia
g) Especifique el transistor
T2
+12Vdc
1 5

rp = 11 rs = 1 RL +
R2 4 Vs
4 8 -
4:1
C
Q

Vg R1 RE C

Fig. 1.35
PROBLEMA P1.6: En el circuito mostrado en la figura 1.36,.halle:

59
 +15V

4:1 rs = 1
1 3

rp = 11
R2
2 5 4 Ohmios
C1 a) El punto Q para máxima excursión simétrica

IRF630/TO b) R1 y R2

c) PLmáx
Vg
R1 RS CS d) Pcc
1
e) Pcmáx y Pcmín

f) La eficiencia total

Asuma que las capacidades son muy grandes.

Fig. 1.36
PROBLEMA P1.7: El amplificador mostrado en la figura 1.37 va a ser empleado
sobre el rango de temperatura: - 25 °C á 75 °C. El rango de β para el transistor es:
100 ≤ β ≤ 300. El transistor tiene ICBO = 0.1 uA y VBE = 0.7 V, ambos á 25 °C. Si
R1 // R2 ≥ 1 KΩ, calcule el máximo desplazamiento simétrico posible. Especifique
R1, R2 y RE. Las capacidades son muy grandes
+20Vdc
RC
R2 1K

C
Q3 +
Vs
-

Vg R1 RE C

Fig. 1.37
PROBLEMA P1.8: Un amplificador clase A es alimentado por una batería de 12V
con capacidad de 4 Amperios-Hora. Si el amplificador consume una potencia de
4W entregando máxima potencia a la carga, ¿Idealmente, cuánto tiempo podrá
alimentarlo la batería?

PROBLEMA P1.9: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un

amplificador clase A. Si su punto de operación es: VCEQ = 10V e ICQ = 100 mA,
Hasta qué temperatura (TC) podrá subir su encapsulado si el fabricante da como
datos: Pcmáx = 2W (á TC = 25 °C), θJC = 62.5 °C/W y Tjmáx = 150 °C.

PROBLEMA P1.10: Un transistor bipolar de audio va a ser empleado en un

amplificador clase A acoplado por transformador. ¿Cuánta será la máxima
potencia que se pueda entregar a la carga, si las características del transistor son:
Pcmáx = 20W (á TC = 25°C), θJC = 5 °C/W, β = 40, BVCEO = 50 V, iC,máx = 3
A?. Se quiere, además, que la temperatura de la cápsula no pase de 60°C

60
PROBLEMA P1.11: Un amplificador de potencia clase A, acoplado por emisor,
figura 1.38, tiene un transistor de silicio con PCmáx = 50W y β = 40 . Determine:
a) VBB, Rb y n para que se transmita máxima potencia a la carga. b) PLmáx c)
PCC d) ηtotal
T1 C
1 5 Q

T2
Rb 1 5 12V
4 8
Ig RL
1:1 20
4 8
VBB
1:n

Fig. 1.38
PROBLEMA P1.12: Se desea entregar, como máximo, 5 W a una carga de 8 Ω,
mediante un amplificador clase A con MOSFET, acoplado por transformador. Si se
dispone de un transistor con BVdss = 200 V, IDmáx = 16A, Pcmáx = 20W y VDST
= 2 V. La resistencia de fuente debe ser 1 Ω. Asuma que el transformador es ideal
con n = 2
Halle:
a) El valor de la fuente DC (VCC).
b) La potencia entregada por la fuente.
c) La potencia máxima que disipará el transistor.

PROBLEMA P1.13: Demuestre que la recta de máxima excursión simétrica

(M.E.S.) corta a la recta de carga dinámica en dos partes iguales. Asuma el caso
ideal.

PROBLEMA P1.14: Se quiere estabilizar el punto de operación del amplificador

clase A mostrado, mediante un termistor del tipo NTC en contacto térmico con
el transistor, en el rango de 27°C á 70°C. El termistor, varía su resistencia con
la temperatura, según la ecuación: RT = Ro℮B(1/T - 1/To)
Donde: RT = Resistencia del termistor Ro = Resistencia del termistor
a 300°K
B = Temperatura característica del material To = 300°K T = temperatura
en °K
El punto de operación del transistor es: ICQ = 805 mA y VCEQ = 6.44V á 27°C y
tiene: VBE = 0.7V, β = 100, VCE,sat = 2V. Si su tensión base – emisor disminuye en
2.5 mV por cada °C de aumento de la temperatura, determine el valor de Ro, B y
el punto de operación a 50°C.

61
 + 12 V

107 200

470uF
Q1

C RT
NTC
Vg t
20
470uF
10

.
PROBLEMA P1.15: Responda las siguientes preguntas:
a) ¿Por qué el amplificador clase A con acoplo de carga por transformador es más
eficiente que el que tiene carga en colector?
b) ¿Por qué el amplificador clase B es más eficiente que el que el de clase A?
c) ¿Por qué no se usan parámetros híbridos en el análisis del amplificador clase
A?
d) ¿Qué características eléctricas son importantes en un transistor de potencia?
e) ¿Por qué un transistor de potencia debe emplear disipador?
f) ¿Por qué no debe desconectarse la carga en un amplificador con acoplo por
transformador, cuando está funcionando?

BIBLIOGRAFIA
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Editorial: International Thomson Editores
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Editorial: Prentice – Hall Hispanoamérica S. A.
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4) ELECTRONIC CIRCUITS: DISCRETE AND INTEGRATED
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Editorial: Mc Graw-Hill Book Company

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9).- MANUAL DE AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA
TRANSISTORIZADOS
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Editorial: Ediciones CEAC – Barcelona 2da. Edición – 1979
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