Centro Federal de Educação Tecnológica de Santa Catarina

Departamento Acadêmico de Eletrônica

Conversores Estáticos

S i
Semicondutores
d t A
Aplicados
li d
a Conversores CA-
CA-CA
IGBTs e MOSFETs

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Florianópolis, setembro de 2008.

 Bibliografia para esta aula

Capítulo 3: Transistores de potência

1. Semicondutores aplicados a conversores CA-CA.

www.cefetsc.edu.br/~petry
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/
 Nesta aula

Semicondutores aplicados a conversores CA

CA--CA
CA::
1. Introdução;
2. Revisão dos principais componentes semicondutores de
potência;
3. MOSFET de potência;
4 IGBT;
4.
5. Comparativo BJT x MOSFET x IGBT.
 Quadrantes de condução de semicondutores

http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html
 Semicondutores para eletrônica de potência

Semicondutores utilizados em eletrônica de potência:

potência:
Semicondutores para eletrônica de potência
Semicondutores para eletrônica de potência
Revisão - Diodos
Revisão - Diodos
Revisão - Tiristores
Revisão - Tiristores
Revisão - BJT

BJT – Transistor bipolar de junção

PNP NPN
 Revisão - BJT

http://www.univ-lemans.fr/enseignements/physique/02/electro/mnueltro.html
 Revisão - BJT

+VCC

RL IC

C
RB +
B Comutação do BJT com carga indutiva
VCE
+VCC
IB -
E
L
iL D
i
D
Comutação do BJT com carga resistiva I B1
RB

+
- I B2 V
VB2 BE
-
+
Revisão - BJT

Comutação do BJT com carga resistiva

 ntrada em condução
o
Revisão - BJT

Bloqueio
En

Comutação do BJT com carga indutiva

BJT x FET

FET – Transistor de efeito de campo

FET

JFET: Operação básica.

FET

http://jas.eng.buffalo.edu/
FET

JFET canal n e canal p

Positivo da Fonte Auxiliar

+ Vaux

Aplicação do
JFET
11
Q1

3524 S2
R9 R8

12
R10
R7

Q2
 MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica. http://jas.eng.buffalo.edu/

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica.

básica
MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET

MOSFET tipo Intensificação

Canal n
 MOSFET de potência

D
ID

+
G VDS
+ Di -
VGS
-
S
 MOSFET de potência
VDD

RL

VD

VG

S
VGS 90% 50

50% 50%

10%

T1
VDS

(VDD ) 10% (VDD )

90%

ID

90% 10%
tr

t D(on) t D(off) tf
t on

Comutação do MOSFET com carga resistiva

MOSFET de potência
VDD

I D RL

D
R
G

S
50

Comutação do MOSFET com carga indutiva

 MOSFET de potência

Classificação das perdas:

perdas:
1. Condução;
ton
Pcond = ⋅ rds ( on ) ⋅ id ( on ) 2
T
2 Com
2. Comutação:
tação
• Entrada em condução e bloqueio;

Pcom =
f
2
( tr + t f ) ⋅ id ( on ) ⋅ vds ( off )

• Onde:
t f ≅ ton
tr ≅ toff
 MOSFET de potência

Dados de catalogo:
catalogo:
 MOSFET de potência

Quando usar MOSFET:

MOSFET:
1. Freqüências altas (acima de 50 kHz);
2. Tensões muito baixas (< 500 V);
3. Potências baixas (< 1 kW).
 IGBT

Características de BJT e MOSFET

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor

 IGBT

Classificação das perdas:

perdas:
1. Condução; 0

Pcond = ( iC ⋅ VCEsat + iB ⋅ VBEsat ) ⋅ ton ⋅ f

2 Comutação:
2.
• Entrada em condução e bloqueio;

Pcom =
1
2
( tr + t f ) ⋅ I ⋅ E ⋅ f

Detalhamento do cálculo de perdas

 IGBT

Quando usar IGBT:

IGBT:
1. Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2. Tensões altas (> 500 V);
3. Potências altas (> 1 kW).
 IGBT

Quando usar IGBT:

IGBT:
1. Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2. Tensões altas (> 500 V);
3. Potências altas (> 1 kW).

www.irf.com
 IGBT

Encapsulamentos::
Encapsulamentos

www.semikron.com.br
 IGBT

Encapsulamentos::
Encapsulamentos

www irf com

www.irf.com
 IGBT

Dados de catalogo:
catalogo:
 BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET IGBT BJT

Tipo de comando Tensão Tensão Corrente
Potência do
Mínima Mínima Grande
comando
Complexidade
Simples Simples Média
do comando
Elevada em
Densidade de baixas tensões e
Muito elevada Média
corrente Baixa em altas
tensões
Perdas de
Muito baixa Baixa para Média Média para Alta
comutação
Próxima aula

Conversores CA
CA--CA
CA::
1 Gradadores.
1. Gradadores

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