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Escolha a alternativa que representa as lâmpadas que estão acesas no circuito abaixo (considerar a primeira lâmpada da
esquerda como L1, a segunda como L2, e assim por diante)
L1 e L5
Apenas L1 e L3
Apenas L1
Questão 2
Supondo que a corrente de coletor para base com emissor aberto vale 2 μA e que α = 0,996, escolha a alternativa que
corresponda ao valor da corrente de coletor para emissor com a base aberta.
0,5mA
0,55mA
0,85mA
1mA
0,35mA
"(...)o processo de inserção de impurezas, átomos com valência diferentes, em redes cristalinas puras de silício (...)"
Escolha a alternativa que traduz e representa a descrição da frase anterior.
Camada de Valência
Dopagem
reação química
Corrente Elétrica
extração de elétrons
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de
____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
fontes ou elétrons
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Determine a corrente I para cada uma das configurações da figura abaixo utilizando o modelo equivalente aproximado do diodo.
(a) Vo = 0 V (b) Vo = 0 V
Questão 1
Assinale a alternativa correta para a seguinte pergunta: "O que é tensão eficaz ou tensão RMS?"
(a) Dado Pmáx = 14 mW para cada diodo da figura abaixo, determine a corrente máxima nominal de cada diodo (utilizando o
modelo equivalente aproximado).
(b) Determine Imáx para Vimáx = 160V.
(c) Determine a corrente através de cada diodo para Vimáx utilizando os resultados do item (b).
(d) Se apenas um diodo estivesse presente, determine qual seria a corrente dele e compare com o valor máximo nominal.
(a) 10mA; (b) 17,27 mA; (c) 9,82 mA; (d) Seria 34,54 mA maior que 10 mA
(a) 25mA; (b) 45,76 mA; (c) 18,82 mA; (d) Seria 45,76 mA maior que 25 mA
(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 36,74 mA maior que 20 mA
(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 18,37mA menor que 20 mA
(a) 10mA; (b) 17,27 mA; (c) 9,82 mA; (d) Seria 17,27 mA maior que 10 mA
3,69V
4,68V
5,63V
4,56V
1,56V
194,32
185,24
196,32
256
201,20
1k Ohm
125 Ohm
325 Ohm
455 Ohm
Escolha a alternativa que complete a frase corretamente: "A junção das pastilhas
semicondutoras de silício, tipo-N e tipo-P, promovem o surgimento de um componente
eletrônico denominado _______________ e que entra em condução direta quando a
tensão da camada de depleção é rompida por uma diferença de potencial aplicada entre
___________ e _____________"
diodo; anodo; catodo
(a) Desenhe uma reta de carga sobre as curvas determinada por E = 21 V e Rc = 3 kΩ, para uma
configuração com polarização fixa.
(b) Escolha um ponto de operação no meio do caminho entre o corte e a saturação. Determine o valor de
aproximado de RB que estabelece o ponto de operação escolhido.
(c) Quais são os valores resultantes de ICQ e VCEQ?
(d) Qual é o valor de β no ponto de operação?
(e) Qual é o valor de α definido pelo ponto de operação?
(f) Qual é a corrente de saturação (IC_sat) para o projeto?
(g) Qual é a potência cc dissipada pelo dispositivo no ponto de operação?
(h) Qual é a potência fornecida pela fonte Vcc?
(b) RB = 1 MOhm; (c) ICQ = 0 mA; VCEQ = 21 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 1; (f) Icsat = 20 mA; (g) PD = 150
mW; (h) Ps = 200 mW;
(b) RB = 250 kOhm; (c) ICQ = 7,2 mA; VCEQ = 5,63 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,85; (f) Icsat = 14 mA; (g)
PD = 52,25 mW; (h) Ps = 105,15 mW;
(b) RB = 812 kOhm; (c) ICQ = 3,4 mA; VCEQ = 10,75 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,992; (f) Icsat = 7 mA; (g)
PD = 36,55 mW; (h) Ps = 71,92 mW;
(b) RB = 1800 kOhm; (c) ICQ = 1,5 mA; VCEQ = 5,6 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,89; (f) Icsat = 3,5 mA; (g)
PD = 17,75 mW; (h) Ps = 36,32 mW;
(b) RB = 1400 kOhm; (c) ICQ = -3,4 mA; VCEQ = -10,75 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,992; (f) Icsat = 7 mA;
(g) PD = 36,55 mW; (h) Ps = 71,92 mW;
Considere um circuito polarizado diretamente com tensão contínua no coletor, na configuração coletor-comum. Sabendo-
se que Ic = 10mA e Ib = 4uA, qual o ganho de corrente do circuito?
3200
2500
250
25
Dadas as informações fornecidas na figura abaixo, determine:
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
4V
4,5V
8V
12V
7V
Questão 2
Para o circuito com divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(I) IC
(II) VC
(III) VE
(IV) VCE
Ic = 0 mA; Vc = 12 V; VE = 5 V; VCE = 12 V
trivalentes
de fósforo
pentavalentes
de silício
de hidrogênio
Determine Vo e ID para os circuitos da figura abaixo.
Vo = 6,2 V, ID = 3,1 mA
Vo = 6,2 V, ID = 0,77 mA
Vo = 0 V, ID = 0 mA
Vo = 6,2 V, ID = 1,55 mA
Vo = 6,6 V, ID = 1,66 mA
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vm for aumentada para 250V em duas situações. Uma considerando a
Questão 2
Considere um transformador com 28000 espiras no primário e 2800 espiras no secundário. O primário foi
ligado a um sinal DC de 300V. Qual é a tensão no secundário medida por um multímetro digital?
0V
23,5V
42,4V
30V
21,2V
SCR
NPN
PNP
JK
MOSFET
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta.
0,959
0,98
0,995
0,95
0,922
Questão 2
Escolha a alternativa abaixo que representa o valor aproximado da corrente de coletor para VCE = 10V e Ib = 40uA.
Ic = 3mA
Ic = 4,2mA
Ic = 1mA
Ic = 2mA
Ic = 9mA
(a) IB
(b) IC
(c) VC
(e) O que acontece com VCE se o transistor é substituído por outro com B
menor?
Determine a faixa de valores possíveis para Vc para o circuito da figura abaixo, utilizando o potenciômetro de 1 MOhm.
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui sua rede
de átomos cristalina inserida com a presença de átomos pentavalentes ou trivalentes em suas ligações, do tipo
covalentes, permitindo a presença de elétrons livres ou a ausência deles (buracos)"
Diodo
Transformador
Extrínseco
Semicondutor de silício
Corrente Elétrica
Determine a resistência estática ou cc diodo comercialmente disponível da figura abaixo para uma tensão reversa
de -10V. Seu valor é próximo ao resultado determinado para uma tensão reversa de -30V?
19,3V; 802,16mA; 16 W
12V, 1A, 2W
Assinale a alternativa que representa o valor RMS da tensão na carga, para o circuito abaixo:
4,9V
4,5V
4,8V
5,4V
6,5V
Determine a corrente de saturação (ICsat) para o circuito da figura abaixo.
5,13 mA
1,00 mA
10,26 mA
0 mA
2,56 mA
(I) IBQ, (II) ICQ, (III) VCEQ, (IV) VC, (V) VB e (VI) VE.
(I)29,18uA; (II) 2,918 mA; (III) 8,623 V (IV) 13V (V) 5V (VI) 4,377V
(I)20,20uA; (II) 5,973 mA; (III) 9,523 V (IV) 10V (V) 6V (VI) 5,377V
(I)10,11uA; (II) 5,662 mA; (III) 5,723 V (IV) 13V (V) 5V (VI) 3,888V
(I)29,18uA; (II) 2,918 mA; (III) 12,182 V (IV) 9V (V) 6V (VI) 5,377V
(I)50,12uA; (II) 5,718 mA; (III) 5,823 V (IV) 16V (V) 5V (VI) 5,222V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo P passou pelo processo de
dopagem eletrônica com átomos_________________"
de fósforo
de hidrogênio
pentavalentes
trivalentes
de silício
Determine a resistência estática ou cc do diodo da figura 1 para uma corrente direta de 6,5mA (use a curva do dispositivo real)
201,2 Ohm
68,3 Ohm
84,61 Ohm
151,2 Ohm
123,08 Ohm
0W
1.5W
3W
2W
5W
Observe o gráfico abaixo e escolha a alternativa que contempla a região em que o TJB pode trabalhar como saturação.
quando Ib = 50uA
quando Ib = 0 uA
Questão 2
Qual a relação existente entre a corrente de coletor e a corrente de emissor em um circuito base-comum com TJB, sabendo-se que Ic = 30m
Ie = 93,3%Ic
Ic = 80%Ie
Ic = 90%Ie
Ic = Ie
Ic = 93,3%Ie
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
(a) IC
(b) VE
(c) VB
(d) R1
Questão 1
Para a configuração com realimentação de coletor da figura abaixo, determine:
(a) IB
(b) IC
(c) VC
(a)-15,90uA; (b)-1,9mA; (c) -9,16V
Questão 1
DeTermine Vo e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
contrário
convencional
composto
real
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
41,3V
62V
115,07V
82,6V
57,9V
Na configuração de coletor-comum, quanto maior a tensão coletor-emissor _____________ a corrente de coletor. Complete a frase com uma
pior
maior
melhor
menor
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "O processo de _______________ de elétrons na região de junção das pastilhas semico
instantaneamente quando as mesmas são unidas"
recombinação
elevação
fusão
teste
Considere um transformador que tem 50 000 espiras no primário e 2500 espiras no secundário. O primário foi ligado a um sinal AC de 180Vp
digital?
9V
6,36V
0V
12,72V
127V
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a potência nominal exigida para cada diodo?
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(b) RB = 500 kOhm (c) ICQ = -6,4 mA; VCEQ = -16 V (d) Bcc = 175 (e) Alfa = 0,9856 (f) Icsat = -12,5 mA (g) PD =
80 mW; (h) 150 mW
(b) RB =1150 kOhm (c) ICQ = 3,2 mA; VCEQ = 8 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = 6,5 mA (g) PD = 42
mW; (h) 82 mW
(b) RB =2000 kOhm (c) ICQ = 0 mA; VCEQ = 826 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = 0 mA (g) PD = 0 mW;
(h) 0 mW
(b) RB =1800 kOhm (c) ICQ = -3,2 mA; VCEQ = -8 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = -6,5 mA (g) PD = 42
mW; (h) 82 mW
(a) IC
(b) VE
(c) VCC
(d) VCE
(e) VB
(f) R1
(a) 1,01mA; (b) 1,2 V; (c) 12V; (d) 4,1V (e) 1,6V (f) 17k Ohm
(a) -1,01mA; (b) -1,2 V; (c) -12V; (d) -4,1V (e) 1,6V (f) 17k Ohm
(a) 2,02mA; (b) 2,4 V; (c) 16V; (d) 8,2V (e) 3,1V (f) 34k Ohm
(a) -2,02mA; (b) -2,4 V; (c) 16V; (d) 8,2V (e) 3,1V (f) 34k Ohm
(a) 0mA; (b) 0V; (c) 16V; (d) 9V (e) 16V (f) 50k Ohm
a) nome do circuito
b) tensão de pico no secundário
c) tensão de pico na carga
d) tensão média na carga
e) tensão eficaz na carga
f) frequência do sinal na carga
Na configuração coletor-comum surge uma relação entre duas correntes circulantes no TJB, tanto NPN quanto PNP. Escolha a
alternativa que contempla as duas correntes mencionadas conforme a fórmula de relação abaixo:
Determine a tensão VCE do circuito abaixo e escolha a alternativa correta que a representa:
14,52V