TRANSISTORES OPTOELECTRÓNICOS

Jhon Cando, Cristian Flores

Laboratorio de Circuitos Electrónicos, Departamento de Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de
Información.
Quito, Ecuador
jhon.cando@epn.edu.ec
cristian.flores01@epn.edu.ec

I.INFORME
A. Consultar y describir 3 aplicaciones de un
fototransistor.

• Aplicación 1: Detector de humo

Una aplicación del fototransistor se da en los

detectores de humo sirve como alarma contra
incendios.
Su funcionamiento se basa:
• En ausencia de humo, la luz del diodo LED
del sensor fotoeléctrico va directamente al
fototransistor a través de la ranura, de este
modo, el colector del fototransistor lanza la
corriente hacia tierra haciendo que la alarma
no suene.
• Cuando el humo pasa a través el hueco del Fig. 2. Circuito control remoto por rayos infrarrojos a)
sensor fotoeléctrico, la luz de LED deja de emisor b) receptor [2].
llegarle al fototransistor y entonces la alarma
empieza a sonar. • Aplicación 3: Sensor de proximidad

El fotodiodo emite radiación que al reflejarse en

un objeto es detectada por un fototransistor
permitiendo la conducción de electricidad y
cambiando la polaridad del motor.

Fig. 1. Circuito detector de humo [1].

• Aplicación 2: Control remoto por

infrarrojo

Se compone de un transmisor y un receptor. El

transmisor es un oscilador a transistores que
aplica la señal al diodo LED infrarrojo.
En el receptor la señal es captada por el Fig. 3. Circuito sensor de proximidad [3].
fototransistor infrarrojo y amplificada por el
Amplificador Operacional.
B. Explique el comportamiento de un
La señal pasa después al detector de tono que interruptor óptico.
activará su salida sólo cuando la señal de entrada
tenga un tono de la misma frecuencia que la
Es un sensor en forma de “U”, conformado por
establecida. un LED y un transistor, que permite detectar un
objeto que atraviesa el dispositivo por la ranura.
Cuando el rayo de luz emitida por el LED se
interrumpe, el transistor se activa o desactiva,
dependiendo del tipo de optointerruptor
utilizado.
Sus cuatro patillas corresponden a los dos polos
del diodo LED, positivo y negativo, y al colector
y el emisor del transistor.

Fig. 6. Circuito de compensación de temperatura con diodo

de resistencia [6].

En el caso de que el fototransistor no tenga

Fig. 4. Interruptor óptico [4].
C. Describa la funcionalidad de un sensor
óptico retroreflexivo.
terminal base, un método para compensar el
voltaje de salida sería reducir la resistencia de
carga del fototransistor usando un termistor
como se muestra en la Fig. 7.

El emisor de luz y los elementos receptores están

contenidas en un mismo recinto. La luz del
elemento emisor incide en el reflector y regresa
al elemento receptor de luz. Cuando hay un
objeto presente, se interrumpe la luz.

Fig. 7. Circuito de compensación de temperatura con

termistor [6].

2) Las corrientes oscuras pueden ser

generadas por algunas corrientes de fuga.
Fig. 5. Sensor óptico retro reflexivo [5].

Los efectos de una resistencia de base a

D. Consultar un circuito que permita reducir la emisor RBE sobre la corriente oscura se
corriente oscura en un fototransistor. muestra en la Fig. 8.

La corriente oscura puede ser un problema grave

por lo tanto puede imponer limitaciones, por ese
motivo hay circuitos que reducen
sustancialmente esta corriente con el fin de
aportar la funcionalidad más estable.
1) La corriente de oscuridad es dependiente
de la temperatura, cuanto más baja es la Fig. 8. Disminución de la corriente oscura por RBE [6].
temperatura del sensor, más baja es la
corriente de oscuridad. Como sabemos a temperatura normal la corriente
oscura de un fototransistor es muy pequeña,
La corriente oscura de un fototransistor tiene maso menos en el orden de los [nA].
un coeficiente de temperatura positivo y
aumenta exponencialmente. Por lo tanto, Aun así, es posible reducir aún más dicha
para obtener un funcionamiento estable a corriente mediante el circuito de la Fig. 8.
temperaturas ambiente de 50 ~ 60 ° C, se En el circuito, se inserta una resistencia en el
hace necesaria la compensación de orden de los MΩ, entre la base y el emisor para
temperatura por corriente oscura y corriente evitar la corriente de fuga a través del colector al
fotoeléctrica de un fototransistor. punto de unión de la base.

El circuito que se muestra utiliza un

coeficiente de temperatura negativo retenido
por el voltaje directo VF de un diodo.
 [5] Datasheet: MRD300 Available:
https://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-
II.CONCLUCIONES pdf/view/100974/MOTOROLA/MRD300.html
• Se observó que en los circuitos diseñados del [Último acceso: 25/10/2019].
preparatorio mediante la variación de voltaje
de entrada al fototransistor se controla la
cantidad luminosa en su interior.
Conectando un resistor en emisor se obtiene
voltaje de salida alto cuando la entrada es
alta; conectando un resistor en colector se
obtiene voltaje de salida bajo cuando la
entrada es alta.

• La corriente oscura puede depender de

factores como: temperatura y corriente de
fuga, y para reducir esta corriente existen
circuitos que compensan las irregularidades
para un funcionamiento más estable.

• Si para evitar la corriente de fuga con el fin

de disminuir la corriente oscura, colocamos
una RBE (Resistencia Base- Emisor) muy
pequeño, la hFE (Ganancia de corriente) del
fototransistor se reduce, por lo tanto, no se
puede obtener la corriente de luz requerida
para un funcionamiento estable.

III.RECOMENDACIONES
• Se puede utilizar una fotocelda para que
reemplace a un fototransistor debido a que
cumplen el mismo propósito, teniendo en
cuenta la aplicación que se desee realizar.

REFERENCIAS

[1] C. Julián, Fototransistor. [En línea].

Disponible:
https://ingtelecto.com/fototransistor/#_Ventaja_
de _los_Fototransistores. [Último acceso:
25/10/2019]

[2] Kiktronik Ltd, How an LDR works, [En

línea]. Disponible: https://www.kitronik.
co.uk/pdf/How_an_LDR_works.pdf [Último
acceso: 25/10/2019]

[3] J. R. Sendra, Dispositivos Optoelectrónicos,

IUMA, 2001.

[4] D. B. Huff and J. P. Anthes, "Optoelectronic

isolator for microwave applications," in IEEE
Transactions on Microwave Theory and
Techniques, Mayo 1990.