Вы находитесь на странице: 1из 218

ЛР №2.

ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ


ДИЭЛЕКТРИКОВ

Настоящее учебное пособие предназначено для студентов


следующих специальностей: 523.3. Телерадиокоммуникации,
521.8. Инженерия и менеджмент в телекоммуникациях, 525.2.
Оптоэлектронные системы с дневной и заочной формой
обучения.

2
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Авторы: к.т.н., доцент ГАНГАН С. В.


нач. лаборатории РУДЕНКО С. М.
Рецензент: д.т.н., профессор СЫРБУ Н. Н.
3
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Ответственный редактор: к.ф-м.н., доцент БЕЖАН Н. П.

4
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

© UTM, 2014

6
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

СОДЕРЖАНИЕ

Л.Р.№1. Изучение свойств твердых диэлектриков…… 4


1.1. Поляризация диэлектриков и диэлектрические
потери……………………………………………………. 4
1.2. Экспериментальная часть 13
1.2.1. Приборы и приспособления 13
7
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1.2.2. Изучаемые материалы 13


1.2.3. Ход работы………………………... 13
1.3. Содержание отчета ………………………………. 14
1.4. Контрольные вопросы …...................................... 15
Литература ……………………………………………… 15
Л.Р. №2. Параметры диэлектрических материалов при
различных температурах и различных напряжениях…. 16
8
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.1. Диэлектрические материалы, применяемые для 16


изготовления конденсаторов ……………………………
2.2. Линейные конденсаторы…………………………… 18
2.2.1. Параметры конденсаторов……………………….. 22
2.3. Нелинейные конденсаторы 33
2.4. Экспериментальная часть........................................... 35
9
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.1. Приборы и приспособления……............................ 35


2.4.2. Изучаемые материалы и конденсаторы…………. 36
2.4.3.. Ход работы ………………………………………. 36
2.4.3.1 Изучение температурной стабильности 36
конденсаторов с разными диэлектриками …………….
2.4.3.2. Изучение основных параметров нелинейного

10
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

конденсатора – вариконда…………………………………. 39
2.5. Содержание отчета…............................................... 41
2.6. Контрольные вопросы ……………………………. 42
Литература ……………………………………………… 43

11
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Л.Р. №1. Изучение свойств твердых диэлектриков


Цель работы. Определение относительной диэлектрической
проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь
твердых диэлектриков и анализ их поведения на различных
частотах.

12
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1.1. Поляризация диэлектриков и диэлектрические


потери

Диэлектрики – это материалы, способные поляри-


зоваться в электрическом поле. Поляризация – это состояние
материи, характеризуемое некоторым электрическим моментом
единицы объема. Различают кратковременные виды

13
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

поляризации, зависящие от локальной интенсивности


электрического поля: поляризация смещения (электронная,
ионная) или дипольная, и постоянные виды, не зависящие от
локальной интенсивности поля, в котором находится
диэлектрик: спонтанная (пироэлектрическая) или
пьезоэлектрическая [1].

14
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Мерой поляризации является относительная


Cd
диэлектрическая проницаемость e r =
C0
[ - ] , где Cd – это
емкость конденсатора с данным диэлектриком, C 0 – емкость
того же конденсатора, между обкладками которого находится
вакуум. Абсолютная диэлектрическая проницаемость

15
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

ea = e0 �e r [ Ф м ] , где e 0 = 8,854 �
10-12 [ Ф м ] – диэлектрическая
проницаемость вакуума (диэлектрическая постоянная).
Процесс поляризации сопровождается появлением на
поверхности диэлектрика связанных электрических зарядов,
которые ослабляют интенсивность поля внутри материала. Для
количественной оценки процесса поляризации применяется
параметр, называемый поляризованностью диэлектрика.
16
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Поляризованностью Р называют векторную физическую


величину, равную отношению электрического момента dp
элемента диэлектрика к объему dV этого элемента.
r dpКл� � (1.1)
P= � 2�
,
dVм � �
Поляризованность однородного плоского диэлектрика в
равномерном электрическом поле равна поверхностной
17
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

плотности электрических зарядов. Для большинства


диэлектриков в слабых электрических полях поляризованность
пропорциональна напряженности поля:
P = e 0 ( e - 1) E = e 0 c E , (1.2)
где c - диэлектрическая восприимчивость.
Диэлектрическими потерями называют электрическую
мощность, затрачиваемую на поляризацию и идущую на нагрев
18
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

диэлектрика, находящегося в электрическом поле [2]. Потери


энергии в диэлектриках наблюдаются как при переменном, так
и при постоянном напряжении, поскольку в технических
материалах обнаруживается сквозной ток утечки,
обусловленный электропроводностью. При постоянном
напряжении, когда нет периодической поляризации, качество
материала характеризуется значениями удельных объемного и

19
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

поверхностного сопротивлений, которые определяют значение


Rиз.
При воздействии переменного напряжения на диэлектрик
в нем кроме сквозной электропроводности могут проявляться
другие механизмы превращения электрической энергии в
тепловую. Поэтому качество материала недостаточно
характеризовать только сопротивлением изоляции.

20
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

В инженерной практике чаще всего для характеристики


способности диэлектрика рассеивать энергию в электрическом
поле используют угол диэлектрических потерь , а также тангенс
этого угла.
Углом диэлектрических потерь d называют угол,
дополняющий до 900 угол сдвига фаз j между током и
напряжением в емкостной цепи.

21
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

В случае идеального диэлектрика вектор тока в такой


цепи опережает вектор напряжения на угол 90 0; при этом угол
d равен 0. Чем больше рассеиваемая в диэлектрике мощность,
тем меньше угол сдвига фаз j и тем больше угол
диэлектрических потерь d и его функция tg d .
Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с
диэлектриком, обладающим потерями. Эта схема должна быть

22
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

выбрана с таким расчетом, чтобы активная мощность,


расходуемая в данной схеме, была равна мощности,
рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток был бы
сдвинут относительно напряжения на тот же угол, что и в
рассматриваемом конденсаторе [2].
Поставленную задачу можно решить, заменив
конденсатор с потерями идеальным конденсатором с

23
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

параллельно включенным активным сопротивлением


(параллельная схема) или конденсатором с последовательно
включенным сопротивлением (последовательная схема). Такие
эквивалентные схемы, конечно, не дают объяснения механизма
диэлектрических потерь и введены только условно.
Параллельная и последовательная эквивалентные схемы
представлены на рисунке 1.1.

24
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Для параллельной схемы из векторной диаграммы


следует:
I 1 1.3
tgd = a = .
I c wC p R p
Pa = UI a = U 2wC ptgd . 1.4
Соответственно, для последовательной схемы:

25
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Ua 1.5
tgd = = wCs Rs .
Uc

U 2 Rs U 2 Rs U 2wCstgd 1.6
Pa = IU a = I 2 Rs = = = .
x 2 + Rs2 x 2 (1 + Rs2 x 2 ) 1 + tg 2d

26
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Cp Is Cs Rs
Ic
IR
U Uc Ua

Rp

I
U

I
j Ia =
U j d U a = IR
d R
I
I c = U wC p Uc =
wC s
a) b)

Рис. 1.1. Параллельная (а) и последовательная (b)


эквивалентные схемы диэлектрика
27 с потерями и векторные
диаграммы для них
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

28
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

29
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Из уравнений 1.3-1.6 можно найти соотношения между


Cp и Cs, а также между Rp и Rs:
Cs � 1 � 1.7
Cp = , R = R 1
� + .

1 + tg 2d � tg d �
p s 2

30
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Для доброкачественных диэлектриков можно пренебречь


значениями tg 2d по сравнению с единицей в формуле (1.7) и
считать C p �Cs = C. Выражения для мощности, рассеиваемой в
диэлектрике, в этом случае будут также одинаковыми у обеих
схем:
Pa = U 2wCtgd , 1.8

31
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

где Pa выражено в Вт, U – в В, w – în с-1, C – в Ф.


Параметры эквивалентной схемы зависят от частоты
приложенного поля. Поэтому, определив каким-либо методом
значения емкости и эквивалентного сопротивления для данного
конденсатора при некоторой частоте, нельзя использовать эти
параметры для расчета угла потерь при другой частоте.

32
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Если для данного диэлектрика известно, что потери в


нем определяются только потерями от сквозной
электропроводности в широком диапазоне частот, то угол
потерь конденсатора с таким диэлектриком может быть
вычислен для любой частоты, лежащей в этом диапазоне, по
формуле 1.1. Потери в таком конденсаторе определяются

33
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2
выражением: Pa = U .
R Если же потери в конденсаторе
обусловлены главным образом сопротивлением подводящих и
соединительных проводов, а также сопротивлением самих
электродов (обкладок), то рассеиваемая мощность в нем
возрастает с частотой пропорционально квадрату частоты:
Pa = U 2wCtgd Rs . 1.9

34
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Поэтому конденсаторы, предназначенные для


функционирования на высоких частотах, должны иметь по
возможности малое сопротивление как электродов, так и
соединительных проводов и переходных контактов.
В большинстве случаев механизм потерь в конденсаторе
сложный и его нельзя свести только к потерям от сквозной
электропроводности или к потерям в контакте. Поэтому

35
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

параметры конденсатора необходимо определять при той


частоте, при которой он будет использован.
Диэлектрические потери, отнесенные к единице объема
диэлектрика, называют удельными потерями. Их можно
рассчитать по формуле:
P U 2wCtgd 1.10
p= a = = we 0e r tgd E 2 ,
V Sh
36
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

где V – объем диэлектрика между плоскими электродами, м 3, Е


– интенсивность электрического поля, В/м.
Произведение e tgd = e ,, называют коэффициентом
диэлектрических потерь.
Значения er и tgd зависят от природы и структуры
материала, от температуры и влажности среды, от частоты и
напряженности приложенного поля.
37
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

В случае неполярных материалов, с кратковременными


видами поляризации (электронной или ионной), относительная
диэлектрическая проницаемость не зависит от частоты, так как
время смещения зарядов очень мало и составляет 10 -1410-16с
для электронной и 10-1310-14с для ионной поляризации.
В случае полярных материалов относительная
диэлектрическая проницаемость снижается с ростом частоты,

38
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

так как молекулы не успевают ориентироваться за время


полупериода, пока электрическое поле сохраняет направление.
(рис.1.3).
Уменьшение величины tgd с ростом частоты у
неполярных диэлектриков объясняется уменьшением тока
проводимости в диэлектрике, так как ионы не успевают
сориентироваться в течение полупериода. В полярном

39
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

диэлектрике с ростом частоты приложенного поля вначале


потери энергии растут. Диполи вынуждены
переориентироваться все чаще, на что расходуется все больше
энергии. На частотах, превышающих fm, длительность
полупериода становится настолько малой, что молекулы не
успевают сориентироваться в электрическом поле,

40
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

интенсивность поляризации падает, уменьшаются и потери


энергии в диэлектрике (рис.1.3).

41
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

 12
er tgd
b 2

1 b
a
a

f1 f2 f fm f

Рис. 1.3. Зависимость относительной диэлектрической


проницаемости er и диэлектрических потерь tgd от
42
частоты приложенного напряжения для неполярного
диэлектрика – a и полярного диэлектрика - b[3]
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

43
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Характер зависимостей tgd и e от частоты не является


однозначной функцией и определяется доминирующим видом

44
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

потерь. Общая тенденция состоит в снижении tgd с ростом


частоты из-за инерционности замедленных видов поляризации.
Для предупреждения перегрева конденсаторов с большими
значениями tgd необходимо ограничивать не только
номинальное напряжение, но и верхнюю рабочую частоту. Если
диэлектрические потери достаточно малы (tgd  210-3), тогда на
частотах, превышающих 106 Гц, особую роль играют потери не

45
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

в диэлектрике, а в металлических элементах конденсатора. В


этом случае следует лимитировать ток.
Потери в диэлектрике имеют особое значение в случае
приборов, предназначенных для высоких и сверхвысоких
частот, когда они определяют коэффициент затухания и
волновое сопротивление. В этих случаях активные потери не
должны превышать величину (1-2)10-4.

46
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Любой диэлектрик в процессе эксплуатации подвержен


воздействию температуры окружающей среды, поэтому очень
важно понимать характер изменения относительной
диэлектрической проницаемости er и диэлектрических потерь
tgd с изменением температуры.

47
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

С ростом температуры tgd неполярного диэлектрика


растет в связи с ростом тока проводимости. Как следствие,
растут и активные потери в диэлектрике (рис.1.4,a).
Увеличение tgd полярного диэлектрика обусловлено
ростом тока проводимости при температурах, превышающих T 2
(рис.1.4,b). До температуры T1 рост tgd объясняется затратами
энергии на ориентацию полярных молекул, участвующих в

48
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

процессе поляризации и число которых все увеличивается. В


интервале температур T1 - T2 полярные молекулы переходят из
ориентированного полем состояния в состояние хаотического
теплового движения, затраты энергии на дипольную
поляризацию уменьшаются. Это явление сопровождается
уменьшением значения tgd.

49
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

er tgd
b
b

a
a

T T1 T2 T

Рис.1.4. Зависимость относительной диэлектрической


проницаемости er и диэлектрических потерь tgd от
50
температуры T, для неполярного диэлектрика –a, для
полярного диэлектрика - b
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

51
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

У неполярных диэлектриков относительная


диэлектрическая проницаемость слабо зависит от температуры.
Хотя интенсивность электронной поляризации не
зависит от температуры, значение er уменьшается с ростом

52
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

температуры вследствие увеличения объема диэлектрика и


уменьшения числа зарядов в единице объема.
Температурная зависимость er полярных диэлектриков
характеризуется наличием максимума. На низких температурах,
когда материал находится в вязком или кристаллическом
состоянии, затруднена ориентация полярных молекул.
Повышение температуры облегчает ориентацию молекул, и

53
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

относительная диэлектрическая проницаемость существенно


растет. Однако, на более высоких температурах, в связи с
хаотическим тепловым движением, ориентирующая
способность поля снижается, и значение диэлектрической
проницаемости уменьшается, пройдя через максимум.
Изменение диэлектрической проницаемости под
действием температуры может быть выражено с помощью

54
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

температурного коэффициента диэлектрической проницаемости


TКe:
e =
1 de
e dT
[ ]
K -1 .
(1.11)

Аналогично определяется и температурный коэффициент


емкости ТКЕ:

55
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1 dC (1.12)
c = .
C dT

56
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЛР №1. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ


ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИКОВ.

Цель работы: Определение относительной диэлектрической


прницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь
твёрдых диэлектриков и анализ их поведения на различных
частотах.

57
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1. Приборы и приспособления
1.1. Измеритель L и C высокочастотный E7-9.
1.2. Измеритель L, C, R цифровой E7-12.
1.3. Измеритель иммитанса E7-15.
1.4. Частотомер электронно-счетный Ч3-54.
1.5. Конденсатор с мобильными обкладками.

58
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1.6. Кабели.

1.2.2. Изучаемые материалы

Гетинакс - 0,5 мм Полиимид – 0,04мм


Стеклотекстолит - 0,5 мм; Препрег _ 0,1 мм
1,75мм Конденсаторная бумага –

59
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Оргстекло - 1,2 мм 0,02мм


Фторопласт-4 - 2 мм Триацетат – 0,04мм

1.2.3. Ход работы

60
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

61
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис.1 Схема установки

1 Подключите электронные приборы и дайте им прогреться в


течение 10 минут.

62
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2 Установите между обкладками конденсатора один из


изучаемых диэлектриков и измерьте C и tgd конденсатора на
частоте 1MГц с помощью измерителя E7-12. Измеренные
данные внесите в таблицу 1.1.

63
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

3 Измерьте C и tgd этого же конденсатора на частотах 100


Гц и 1000 Гц с помощью измерителя иммитанса E7-15.
Измеренные данные внесите в таблицу 1.1.
4 С помощью измерителя E7-8 и частотомера измерьте C и
tgd конденсатора в интервале частот (300-700) kГц.
Измеренные данные внесите в таблицу 1.1.

64
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5 Аналогичные измерения проведите для всех


предложенных диэлектриков.
6 Рассчитайте относительную диэлектрическую
проницаемость e r с помощью следующей формулы:
Cd
er = , где S – это площадь обкладки (192x180) мм2; d –
e 0S
расстояние между обкладками (толщина диэлектрика); e0 =
65
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

8,85410-12 Ф/м. Полученные результаты внесите в таблицу


1.1.
7 Постройте графики зависимостей измеренных
параметров от частоты приложенного поля: tgd = f(f); e r=f(f).
Сравните свойства различных материалов на разных
частотах.

66
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Таблица1.1. Измеренные и рассчитанные параметры


Диэлектрический Частота, Емкость, tgd e r,
материал Гц пФ расчетная

Гетинакс 100
1000
по Ч3-54
1000 000
67
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

...... ...... ...... ...... ......

Лавсан 100
1000
........
1000 000

68
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1.3. Содержание отчета


1.3.1. Цель работы.
1.3.2. Приборы и приспособления.
1.3.3. Изучаемые материалы.
1.3.4. Измеренные и рассчитанные параметры.
1.3.5. Графики зависимостей измеренных параметров от
частоты: tgd = f(f); e r=f(f).

69
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1.3.6. Личные наблюдения и выводы по поводу анализируемых


явлений.

1.4. Контрольные вопросы


1. Что представляет собой процесс поляризации и что
является мерой поляризации?

70
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2. Какие виды поляризации имеют место в полярных и в


неполярных диэлектриках?
3. Как зависит εr от частоты при различных механизмах
поляризации?
4. Дайте определение коэффициента потерь в диэлектрике
и его добротности.

71
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5. Перечислите виды потерь в диэлектрике.


Диэлектрические потери больше в постоянном или
переменном электрическом поле?
6. Каким материалам свойственна только электронная
поляризация?
7. Какую опасность представляют диэлектрические потери
и при каких условиях?

72
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

8. Какие диэлектрики называются линейными, а какие –


нелинейными?
9. Что представляет собой диэлектрическая постоянная,
чему она равна?
10. Что представляет собой абсолютная диэлектрическая
проницаемость?

73
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Литература
1 Gangan S.Materiale dielectrice solide. Condensatoare, Editura
„Tehnica”, UTM,Chişinău, 2001,- 80p.
2 Пасынков В., Сорокин В. Материалы электронной
техники, Высшая школа, Москва, 1986, - 366с.
3 Cătuneanu V. ş.a. Materiale pentru electronică, Ed. Didactică
şi Pedagogică, Bucureşti,1992,- 246 p.

74
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

4 Drăgulanescu N., Miroiu C., Moraru D. Electronica în imagini.


Componente pasive, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1990,- 144 p.
5 Svasta P., Golumbeanu V. Componente şi circuite pasive.,
Univ. „Politehnica”, Bucureşti, 1997,-138 p.

75
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Л.Р. №2. Параметры диэлектрических материалов при


различных температурах и различных напряжениях
Цель работы: изучение зависимости диэлектрической
проницаемости и диэлектрических потерь от температуры,
анализ температурной стабильности конденсаторов с разными
диэлектриками. Исследование изменения емкости нелинейного

76
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

конденсатора в зависимости от приложенного напряжения


электрического поля.

2.1. Диэлектрические материалы, применяемые для


изготовления конденсаторов

77
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Основные диэлектрические материалы, применяемые


для изготовления постоянных конденсаторов, приведены в
таблице 2.1.
Диэлектрические материалы с электронной поляриза-
цией (п.э.с.) характеризуются низкими значениями
относительной диэлектрической проницаемости er (2...2.5),
очень малыми потерями, высокой температурной и частотной

78
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

стабильностью относительной диэлектрической


проницаемости; диэлектрические потери также относительно
стабильны.
Диэлектрические материалы с электронным и ионным
видами поляризации (п.э.и.с.) характеризуются более высокими
значениями диэлектрической проницаемости er (6...27), более

79
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

высокими диэлектрическими потерями. Они также имеют


хорошую температурную и частотную стабильность.
Полярные диэлектрики (д.о.) характеризуются большими
значениями диэлектрических потерь. В этих диэлектриках как
относительная диэлектрическая проницаемость, так и
диэлектрические потери сильно зависят от частоты и
температуры.

80
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Можно сказать, что материалы, используемые в качестве


диэлектриков конденсаторов, должны обладать такими
свойствами, чтобы параметры конденсатора как можно меньше
зависели от внешних факторов, а сам конденсатор был как
можно ближе к идеальной емкости.
В этом случае материалы должны иметь относительную
диэлектрическую проницаемость как можно больших значений

81
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

(для получения большой удельной емкости), потери как можно


меньше (tgdмалых значений), сопротивление изоляции как
можно больше. Относительная диэлектрическая проницаемость
и диэлектрические потери должны отличаться высокой
температурной и частотной стабильностью, и не зависеть от
приложенного напряжения.

82
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Таблица 2.1. Основные параметры материалов, используемых в


качестве диэлектриков конденсаторов [1,4]
Материал er e v tgde Eпр TM Поляриз
(K-1) Ом·м (MВм) (0C) ация
Полистирол 2.5-2.6 -10-4 1018 (1-4)10-4 20...35 80...85 п.э.с.
Полипропиле 2.2-2.3 -310-4 1017 (3-6)10-4 30...32 160... п.э.с.
н 170
Политетра- 1.9-2.2 0 1018 (1-4)10-4 20...40 250 п.э.с.

83
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

фторэтилен
(фторопласт,
тефлон)
Слюда 6.5-7 -210-4 1016 310-4 100 500... п.э.и.с.
мусковит 600
Полиэтилен- 3 +10-3 1016 (4-8) 10-3 100 125 д.о.
терефталат
(полиэстер)
Поликарбо- 3 +310-4 1017 10-3 15...20 140 д.о.
нат
84
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Бумага 6.6 +10-3 1017 610-3 35...40 70..100 д.о.


Керамика 6-250 +10-4 – 1012- (2-5) 10-4 15...30 п.э.и.с.
тип 1 1.510-3 1014
Керамика 2000- Не 10-2-10-4 8...10 д.о.
тип 11 16000 опреде
лен
Al2O3 10 +410-4 (3-6) 10-4 700 п.э.и.с.
Ta2O5 27.6 +2.51 (3-6) 10-4 500 п.э.и.с.
0-4

85
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Эти материалы должны сохранять без каких-нибудь


необратимых изменений свои параметры в широком диапазоне
температур.
Они также должны быть антикоррозионными, с малым
температурным коэффициентом линейного расширения и с
хорошей теплопроводностью, а также обладать хорошей
технологичностью и хорошей адгезией к обкладкам.

86
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Конструктивно диэлектрик конденсатора может быть исполнен


в виде листа (полистирол, полипропилен, полиэстер,
поликарбонат, бумага, керамика), пленки окисла металла (Al2O3,
Ta2O5, Nb2O5), или в форме диска (керамика), пластины
(керамика, слюда), цилиндра (керамика). Большинство
параметров конденсатора определяются свойствами
диэлектрика.

87
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.2. Линейные конденсаторы

Конденсатор – это пассивный электронный компонент с


доминирующим емкостным импедансом:
U  (2.1)
Z = = Z  e jj , j  ; в идеале j = .
I 2

88
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Если приложить к конденсатору постоянное напряжение U, то


на его обкладках аккумулируется заряд, одинаковый по
величине и противоположный по знаку. Отношение между
зарядом одной из обкладок q и напряжением U является
величиной постоянной, характерной для данного конденсатора
и называемой емкостью конденсатора C = q U . В переменном

89
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

поле конденсатор представляет собой компонент, для которого


между приложенным переменным напряжением Uc и
проходящим током i справедливо выражение:
1 (2.2)
Uc =  idt ,
C
где C – емкость конденсатора.

90
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Конденсатор с емкостью C вносит в схему реактивную


емкостную составляющую, измеряемую в Омах, X c=1/wC, а
дефазаж между напряжением и током составляет 90 0, при этом
напряжение отстает от тока (рис. 2.1), [5].
В системе СИ емкость измеряется в Фарадах (Ф),
представляющую емкость конденсатора, который при

91
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

U  C

U
U,I I U

приложении напряжения в 1 В нагружается электрическим


зарядом в 1 Кулон. [ Ф] = [ Кл] [ В] .
Фарада – величина очень0 большая для практического
0 90 0
180 0
270 360 0
применения, и поэтому обычно пользуются ее t производными:
-12
пикофарада [пФ = 10 Ф], нанофарада [нФ = 10-9 Ф],
микрофарада [мкФ = 10-612 Ф], миллифарада [мФ = 10-3 Ф].

Рис. 2.1. Отношение напряжение-ток для конденсатора с


92
емкостью C
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

93
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

94
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

95
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Конденсатор – это один из наиболее широко применяемых в


большинстве электронных схем двухполюсников.
В промышленности применяется большое разнообразие
конденсаторов, предназначенных для различных типов
96
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

электронных схем. Многообразие схем породило множество


типов конденсаторов, отличающихся большим разнообразием
параметров, в том числе: емкостью, напряжением, током,
активной и реактивной мощностью, частотой, стабильностью и
т.д.
С точки зрения возможности изменения емкости
потребителем конденсаторы бывают трех типов (рис.2.2):

97
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Конденсаторы

Линейные Нелинейные

Постоянные подгоночные переменные вариконд


(триммеры)
ы

Линейные конденсаторы

с газообразн. с жидк. с тверд. с оксидом


диэл. диэл диэлек. металла
(вакуум, (масло) -электролитич
воздух, газы)

неорганические Органические
(стекло, керамика, (бумага, лаки,
слюда) пленки)
)
98
Рис.2.2. Классификация конденсаторов
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

99
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

100
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

– постоянные конденсаторы создаются производителем с


определенной емкостью, значение которой не может быть
изменено потребителем;
– регулируемые конденсаторы (называемые и
„полупеременными”) или подгоночные („тримеры”)
характеризуются тем, что значение их емкости может быть

101
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

изменено в ограниченных пределах, как правило, во время


включения или при периодических испытаниях;
– переменные конденсаторы – это те, в которых
пользователь может изменять значение емкости в определенном
интервале [Cmin,CMax], необходимом потребителю [6].
К конденсаторам с газообразным диэлектриком
относятся переменные воздушные конденсаторы. В переменных

102
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

конденсаторах, предназначенных для работы при высоких


напряжениях (несколько киловольт), используются
электроотрицательные газы, в том числе: дихлорфторметан,
тетрахлоруглерод, октофторциклобутан, а также вакуум.
Конденсаторы с жидким диэлектриком (минеральным
или трансформаторным маслом) производят и применяют очень
редко.

103
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

В конденсаторах с твердым неорганическим


диэлектриком широко используются стекла, слюда и
керамические материалы. Для конденсаторов с твердым
органическим диэлектриком используются бумага, пленки
синтетических неполярных материалов (полистирол,
политетрафторэтилен, полипропилен) и пленки синтетических

104
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

полярных материалов (полиэтилентерефталат, поликарбонат,


полиамидная смола).
В электролитических конденсаторах в качестве
диэлектрика используются пленки окислов (Al 2O3, Ta2O5,
Nb2O5); наиболее широко применяются оксиды алюминия и
тантала.

105
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.2.1. Конденсаторы характеризуются следующими


электрическими параметрами:
Номинальная емкость, CN[Ф ], представляет емкость, которая
должна быть получена в процессе изготовления конденсатора и
значение которой написано на корпусе компонента.
Температура и частота, на которых измеряется номинальная
емкость, обычно приведены в справочниках или этикетках

106
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

завода-изготовителя. Для малых емкостей (C<1нФ) - f =1МГц;


для средних значений емкости (1нФ<C<1мкФ) - f=1кГц; для
больших емкостей (C1мкФ) - f=50Гц (100Гц). Температура
измерения номинальной емкости обычно составляет 200C или
250C, относительная влажность обычно составляет (45-75)%, а
атмосферное давление составляет (860-1060) мбар. Емкость
конденсатора зависит от типа диэлектрика, будучи

107
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

пропорциональной относительной диэлектрической


проницаемости, и от размеров конденсатора, будучи
пропорциональной площади обкладки и обратно
пропорциональной толщине диэлектрика. В зависимости от
конструктивного исполнения, для расчета емкости конденсатора
применяются следующие выражения:

108
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

S конденсатор
C = eПлоский
0er , h
h

l
h
109 dm
Цилиндрический конденсатор
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2e 0 e r 
C= ,
dm + h
ln
dm - h

110
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

h
Цилиндрический
многослойный
конденсатор

Многослойный плоский
конденсатор, n-число h
слоев диэлектрика
straturilor de dielectric

Плоский конденсатор со
сложным параллельным h1
диэлектриком
h2

h2
S

S
= 2e 0 eконденсатор
CПлоский r , со
сложным h
последовательным h1
диэлектриком

h
Плоский конденсатор со смешанным
диэлектриком в объемах V1, V2 111
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

e 0e rS
C=n .
h

112
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

113
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

e 0e eS e r1 e r 2
S= ,ee = ,
h1 + h 2 e r1h 2 + e r 2 h 1

114
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

e 0erS V lg e r1 + V2 lg e r 2
C= lg e r = 1 .
h V1 + V2

115
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Отклонение от номинала, t[%], представляет максимальное


относительное отклонение реальной емкости от
номинальной. Измеряется в тех же условиях, что и
емкость. Для отклонений t  20%, существуют
стандартные ряды номинальных значений: E-6(20%),
E-12(10%), E-24(5%), E-48(2%). У
электролитических конденсаторов отклонения от
116
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

номиналов, как правило, асимметричны: (0%,50%),


(0%,+80%), (10%, +30%), (-10%,+50%), (-10%,
+100%),(-20%,+80%).
Блокировочные и разделительные конденсаторы следует
выбирать из 2 и 3 класса,контурные конденсаторы – из класса
1,0 (2%), 00(1%) и более точные (05%), а конденсаторы для

117
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

электрических фильтров можно выбрать с отклонением от –


20% до 80%.
Удельная емкость, Cs, представляет отношение между
емкостью конденсатора и его объемом. Удельная емкость
приводится для миниатюрных конденсаторов с относительно
низким значением номинального рабочего напряжения.
Удельная емкость может быть увеличена путем уменьшения

118
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

толщины диэлектрика (в бумажных конденсаторах – до 5мкм, в


электролитических – до сотых долей мкм) или увеличением
площади обкладок.
Номинальное напряжение, UN, - это максимальное напряжение
постоянного тока или максимальное эффективное напряжение
переменного тока определенной частоты, которое может быть

119
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

приложено к выводам конденсатора в интервале рабочих


температур
Номинальное напряжение прямо пропорционально
электрической прочности и толщине диэлектрика. Может
принимать значения от 2В до 100кВ, на практике наиболее
распространены следующие значения: 6, 12, 16, 25, 63, 70, 100,
125, 250, 350, 450, 500, 650, 1000 В. Превышение номинального

120
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

напряжения может привести к структурным изменениям


диэлектрика и к его пробою.

Допустимое напряжение, Uд[ В] , - это максимальное


эффективное значение напряжения, которое может
быть приложено к выводам конденсатора. Допустимое
напряжение зависит от значения емкости, формы и

121
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

параметров электрического сигнала (постоянный ток,


переменный ток, импульсный ток или комбинация
этих токов), от номинального напряжения,
номинальной мощности, номинального тока, тангенса
угла диэлектрических потерь, температуры среды и
пр.

122
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Номинальный ток, IN, - это максимальное эффективное


значение синусоидального тока, который может проходить через
конденсатор при его длительной эксплуатации. Номинальный
ток ограничен электрическим сопротивлением обкладок,
контактных зон и выводов, а также индуктивностью
конденсатора. Номинальный ток связан с максимальной
скоростью приращения напряжения следующим выражением:

123
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

(2.3)
I N = C N (dU ) M .
dt
Максимально допустимый ток, Iд, представляет максимальное
эффективное значение тока, который может проходить через
конденсатор в определенном режиме работы. Значение
допустимого тока зависит от формы и параметров
электрического сигнала, от величины емкости, от номинального

124
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

напряжения, номинальной мощности, тангенса угла


диэлектрических потерь, температуры окружающей среды и пр.
Для электролитических конденсаторов приводится
максимальное значение синусоидального тока частотой 100Гц,
который может протекать через конденсатор в течение
длительного времени, сравнимого со сроком эксплуатации.
Может принимать значения от нескольких мА до 20A.

125
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Номинальная мощность, PN, - это максимальное значение


мощности, которое может рассеять конденсатор при
номинальной температуре. Номинальная мощность
пропорциональна поверхности конденсатора и максимальной
температуре TM, зависит от теплопроводности защитного
материала. Может принимать значения от десятков милливатт
до сотен ватт.

126
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Номинальная температура, TN, представляет максимальное


значение температуры окружающей среды, при которой
конденсатор может рассеивать номинальную мощность PN.
Интервал рабочих температур, [ Tм,TM] , представляет
максимальный интервал температур, в котором может быть
использован конденсатор. Исходя из реальных условий, в
которых работает конденсатор, температура поверхности

127
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

конденсатора, Tc, должна вписываться в интервал [Tм, TM],


Tc[Tм,TM].
Коэффициент рассеивания, D, представляет собой мощность,
рассеянную конденсатором в окружающую среду,
соответствующую изменению температуры тела конденсатора
на 10. Между величинами PN; D; TN;существует следующая
взаимосвязь:

128
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

PN = D( TM - TN ) . (2.4)
Тангенс угла диэлектрических потерь, tgd , выражает полные
потери мощности конденсатора. Конденсатор рассеивает
активную мощность, обусловленную потерями проводимости и
поляризации в диэлектрике, а также потерями, обусловленными
электрическим сопротивлением обкладок, контактных зон и
выводов. Может принимать значения от 10-4 до 0,4.
129
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

tgd = tgd s + tgd p + tgd iz ; tgd s = wCR s ,(2.5)


где tgds выражает потери активной мощности в
последовательном сопротивлении Rs; Rs – выражает
электрическое сопротивлениеобкладок, контактных зон и
выводов; реальные значения могут изменяться от одного до
сотен мОм; tgdiz представляет тангенс угла потерь

130
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

проводимости в диэлектрике и tgdp - тангенс угла


поляризационных потерь.
Очевидно, что tgd=wCRs +1wCR, где R представляет
параллельное эквивалентное сопротивление потерь в
диэлектрике.
Эквивалентное последовательное сопротивление потерь,
RES, представляющее последовательное эквивалентное

131
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

сопротивление всех потерь конденсатора, описывается


выражением:
R ES = tgd = Rs + 1 2 2 (2.6)
wC w C R .
Сопротивление изоляции, Riz, - это отношение между
напряжением постоянного тока, приложенным к выводам
конденсатора, и током, протекающим через конденсатор через

132
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

n минут после включения напряжения, (n пропорционален


значению номинальной емкости).
Riz = UccIcc. (2.7)
Условия, в которых определяется сопротивление изоляции R iz
уточняются производителем. Как правило Ucc UN, T= 200C или
250C, относительная влажность составляет (45-75)%,
атмосферное давление Ратм = 860-1060мбар. Сопротивление

133
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

изоляции характеризует конденсатор в постоянном поле с точки


зрения электропроводности, определяется для относительно
малых значений емкости, в частности для C100нФ. Riz может
принимать значения от сотен MОм до сотен ГОм или ТОм. Для
конденсаторов с номинальной емкостью CN0,1мкФ вместо
сопротивления изоляции приводится значение постоянной
времени =RizCN (которая зависит от электрических свойств

134
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

диэлектрика). Для электролитических конденсаторов обычно


приводится ток утечки, Iу, который представляет собой ток,
проходящий через конденсатор, когда к его выводам приложено
напряжение постоянного тока, через некоторое время t (1мин,
5мин) после приложения напряжения, Iу=UNCCRiz. Ток утечки
характерен для электролитических конденсаторов и может
принимать значения от единиц до сотен мкА.

135
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Температурный коэффициент емкости,  c, представляет


относительное изменение емкости при изменении температуры
на один градус.
c = ( C)
C 1 0
C
. (2.8)

Принимает значения от 400 ·10-60C до 5600·10-60C [6].

136
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

В конденсаторах, характеризуемых температурным


коэффициентом емкости (ТКЕ) c, изменение емкости в
зависимости от температуры имеет практически линейный
характер во всем интервале рабочих температур. Это типично
для керамических высокочастотных конденсаторов. ТКЕ в этом
случае обозначается буквами (Россия: П- плюс, M-минус, MПO-
минус-плюс-ноль) и цифрами, обозначающими значение

137
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

коэффициента, умноженного на 10-6 10C [3]. Конденсаторы в


этом случае имеют цветовую маркировку с/или без указания
знака. Конденсаторы серого цвета с красной точкой (Россия)
относятся к группе стабильности 6040, с c= +60(40)10-
6 0
1 C, конденсаторы зеленого цвета, без знака, относятся к
группе стабильности M1500250, с ТКЕ c = -(1500250)10-61/
0
C. Конденсаторы оранжевого цвета характеризуются
138
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

нелинейным изменением ТКЕ и относятся к группе


стабильности H, последующие цифры показывают отклонение
емкости (%) при крайних температурах. Например,
конденсаторы оранжевого цвета с красной точкой относятся к
группе стабильности H20, что означает, что при крайних
температурах отклонение емкости составляет 20%. Более
полная информация относительно стабильности конденсаторов

139
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

может быть найдена в соответствующих справочниках.


Низкочастотные конденсаторы с большими значениями
номинальной емкости (бумажные, пленочные,
электролитические, с пленкой полупроводникового окисла)
характеризуются нелинейным законом изменения емкости от
температуры.

140
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Температурное отклонение емкости представляет


максимальное относительное отклонение емкости в интервале
рабочих температур от значения емкости при нормальной
температуре T0 (200C,250C). Может быть представлено
формулой:
C C T - C T 0
= ,
C T0 C T0 (2.9)

141
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

где CT – это емкость при температуре T, T[Tm, TM]; CT0 – это


емкость при температуре T0. Также может быть
охарактеризовано максимальными отклонениями K1 и K2,
соответствующими крайним температурам, Tm, TM.
C( Tm ) - C( T0 ) C( TM ) - C( T0 )
K1 = ;K 2 = .
C( T0 ) C( T0 ) (2.10)

142
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

K1 может принимать значения от –3% до –20%, а K2 – от 1% до


100%. Этот параметр характеризует конденсаторы с
неопределенным ТКЕ, с линейным или нелинейным законом
изменения емкости.
Резонансная частота, fr, определяется выражением:
1
fr = , и представляет собой максимальную частоту
2 L p C

143
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

сигнала, до которой импеданс конденсатора имеет емкостной


характер. Lp – это паразитная индуктивность.
Минимальная частота, f45m, - это минимальная частота, при
которой угол потерь d=450.Определяется выражением:
1 (2.11)
f 45m = .
2C N R iz

144
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Импеданс конденсатора, Z, представляет комплексное


сопротивление конденсатора с учетом паразитных элементов:
Rs, Rp, L. В зависимости от частоты электрического сигнала
импеданс конденсатора имеет чисто резистивный характер – на
постоянном токе и при fr; в основном резистивный характер при
ff45m и при частотах, близких к резонансной частоте; в
основном емкостной характер для f(f45m, 0,1...0,2fr);

145
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

а
индуктивный характер – для b
C ffr. Можно считать, что импеданс
конденсатора приближается к своему реальному значению:
Z=1jwC
Rs в интервале
L частот R
f[f45m, fr10]. Импеданс
Riz
конденсатора, представленного эквивалентной Cсхемой на рис.
2.3,а может быть представлен
Rp уравнением 23.

Рис.2.3. Эквивалентная схема промышленного


146
конденсатора, a-параллельная, b- последовательная
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

147
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

где C-емкость, Rs- последовательное сопротивление


металлических элементов (выводов, обкладок, контактных зон);

148
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

L – паразитная эквивалентная индуктивность; R iz –


сопротивление, обусловленное проводимости диэлектрика; Rp-
сопротивление, обусловленное потерями в диэлектрике.

149
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Z = R s + j wL +
1
=
(2.12)
1 1
+ jw C +
R iz Rp
1
= R s + jw L + .
 1 1 
jwC1 - j -j 

 wCR p wCR iz 

150
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Если обозначим
1 = tgd p ; 1 , где tgdp –это
wCR p wCR iz = tgd iz
тангенс угла поляризационных диэлектрических потерь; tgdiz,
тангенс угла потерь проводимости диэлектрика, тогда Z(jw)
равен:

151
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1 (2.13)
Z ( jw ) = R s + jw L + =
[
jwC 1 - j( tgd p + tgd iz ) ]
1 + j( tgd p + tgd iz )
= R s + jwL +
[
jwC 1 + ( tgd p + tgd iz )
2
].

152
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

[ ]
C ' = C 1 + ( tgd p + tgd iz ) - эквивалентная емкость, tgds = wC’Rs –
2

тангенс угла потерь в последовательной схеме. Поэтому, после


некоторых преобразований получаем Z(jw):

153
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

tgd s + tgd p + tgd iz 1 (2.14)


Z( jw) = + .
wC '
C'
jw 2
 w 
1 -  
 wr 

154
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Здесь tgd=tgds+tgdp+tgdiz и CES’=C’1-(wwr)2, где wr=2fr=


1
LC'
. Тогда импеданс равен:
tgd 1 1 (2.15)
Z ( jw ) = + = R ES + .
wC' jwC ES jwC ES

155
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Для последовательной эквивалентной схемы R=tgdwC’;


C'
Cs = .
1 - w 2 LC'
1
Если учесть, что резонансная частота w r = , то емкость
LC
конденсатора в случае последовательной эквивалентной схемы
может быть представлена формулой:
156
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

C'
Cs = 2
.
 w  Из анализа выражений, полученных для
1 -  
 wr 
реального конденсатора, видно, что как эквивалентная емкость,
так и эквивалентное сопротивление зависят от частоты.
Поэтому на практике выбирают тот конструктивный тип,

157
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Диэлектрик
который Контактная
характеризуется минимальными значениями
зона
паразитных элементов в интересующем частотном диапазоне.
Вывод Вывод
Конструктивная структура конденсатора
Обкладка представлена на
рисунке 2.4.
Обкладка
Контактная
зона

158
Рис.2.4. Конструктивная структура конденсатора
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

159
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

160
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.3. Нелинейные конденсаторы

Нелинейными свойствами обладают конденсаторы,


диэлектрическая проницаемость e которых является функцией

161
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

напряженности электрического поля Е в диэлектрике. Такие


конденсаторы описываются нелинейной вольт-кулоновой
характеристикой — зависимостью заряда q от приложенного
напряжения (рис. 2.5, а) и, которая обусловлена нелинейным
характером зависимости электрического смещения D(Е).
Подобными свойствами обладают сегнетоэлектрики,
аналогичные по виду характеристик ферромагнетикам

162
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

163
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис. 2.5. Параметры нелинейных конденсаторов

Как и другие нелинейные элементы, нелинейные емкости


характеризуются статической емкостью Cст = q/u и
дифференциальной емкостью Cд = dq/du. Зависимость
дифференциальной емкости Cд от напряжения изображена на
рисунке 2.5,в.

164
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Нелинейные конденсаторы называются варикондами и их


вольт-амперная характеристика нелинейна. Вариконд служит
для регулирования параметров электрических схем за счет
изменения емкости при изменении приложенного напряжения.
По функциональному назначению вариконд является
аналогом варикапа. Графический символ вариконда представлен
на рисунке 2.6.

165
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис.2.6. Графический символ вариконда

166
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

При изготовлении вариконда в качестве диэлектрика


используются материалы с нелинейными электрическими
свойствами – сегнетоэлектрики, которые представляют собой
твердые растворы вида Ba(Ti,Sn)O3 или Pb(Ti,Zr,Sn)O3.
Основной характеристикой вариконда является
коэффициент нелинейности, представляющий собой отношение

167
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

максимальной диэлектрической проницаемости данного


материала к начальной:
e (2.16)
K n = r max при Emax .
e r min

Коэффициент нелинейности может иметь значения от 4


до 50 в переменном поле. С ростом приложенного напряжения
168
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

увеличивается значение диэлектрической проницаемости e ,


соответственно увеличивается и электрическая емкость
вариконда, достигает максимальной величины, а затем
уменьшается.
Емкость и нелинейность вариконда сильно зависят от
температуры окружающей среды.

169
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Обычно вариконд работает при подаче синусоидального


или постоянного напряжения. Следует отметить, что
напряженность поля в постоянном режиме значительно выше
напряженности переменного поля.
Номинальная емкость вариконда варьирует в пределах 10
пФ - 0,22мкФ (при U = 5 V и f = 50 Гц).

170
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Вариконды характеризуются высокой механической


прочностью, вибро- и влагостойки, срок их службы
практически не ограничен.
При серийном производстве они исполняются в форме
диска или цилиндра.
Вариконд характеризуется следующими особенностями:
температурная и временная нестабильность емкости;

171
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

ограниченный интервал рабочих частот; узкий интервал


рабочих температур; высокие значения диэлектрических потерь.
Благодаря нелинейности электрических параметров вариконды
используются для стабилизации токов и напряжений, для
умножения частоты, для дистанционного управления, для
преобразования синусоидального напряжения в импульсное,
для усиления мощности и пр.

172
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4 Экспериментальная часть

2.4.1 Приборы и приспособления


2.4.1.1. Универсальный измеритель L,C,R, марки E7-12 или E7-
15.
2.4.1.2. Термостат марки THP-2Ф.

173
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.1.3. Генератор марки Г3-112.


2.4.1.4. Источник постоянного тока Б5-50.
2.4.1.5. Частотомер электронно-счетный Ч3.54.
2.4.1.6. Милливольтметр B3-48A.
2.4.1.7. Осциллограф C1-65A.
2.4.1.8. Измерительная камера.
2.4.1.9. Кабели.

174
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.1.10. Вентилятор.

175
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.2. Изучаемые материалы и конденсаторы

Таблица 2.2. Изучаемые конденсаторы


Порядковый номер Тип Материал диэлектрика
в основании конденсатора
термостата
1 К73-9 Полиэтилентерефталат

176
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2 СГМ-3 Слюда
3 КД Керамика
4 К22-5 Стекло-керамика
5 МБМ Бумага
(металлобумажный)
6 К78-2 Полипропилен
7 ФТ-1 Фторопласт
177
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

8 КС Сегнетокерамика
9 К53-4 Оксидно-
полупроводниковый
10 ПО Полистирол
Varicond
BK2 - 4 Сегнетокерамика

178
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.3. Ход работы

2.4.3.1 Изучение температурной стабильности


конденсаторов с разными диэлектриками

179
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

180
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис.2.7.
1. Проверьте Схема лабораторной
целостность заземления установки
измерителя E7-15 (E7-
12).
2. Соберите схему лабораторной установки в соответствии с
рисунком 2.7.
3. Включите измеритель и дайте ему прогреться в течение 15
минут.

181
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

4. Измерьте значения емкостей и tgd конденсаторов с разными


диэлектриками при комнатной температуре,
последовательно переключая курсор на термостате.
Значения емкостей считываются с левого табло измерителя,
значения tgd – с правого табло. Запишите данные в таблицу
2.3.

182
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5. Включите термостат и измерьте значения емкостей


конденсаторов и tgd через каждые 50, повышая температуру
до 800С. Измеренные данные внесите в таблицу 2.3.
6. Постройте графики зависимостей емкости и tgd от
температуры для конденсаторов, указанных преподавателем.

183
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

7. Рассчитайте температурные коэффициенты емкостей по


1 (C80 - C20 )
формуле:  c = , где C20 – это значение
C20 (T80 - T20 )
емкости при комнатной температуре, C80 – при
максимальной температуре (800C).

184
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

8. Отключите термостат, откройте его и охладите


конденсаторы с помощью вентилятора до комнатной
температуры.
9. Измерьте С и tgd конденсаторов после охлаждения.

185
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

10. Рассчитайте значения ∆C какрезультат воздействия


C -C
повышенной температуры: C = n+1 1 � 100%, данные
C1
внесите в таблицу 2.3.
11. Сравните изменения параметров конденсаторов с
различными диэлектриками и определите доминирующий
тип поляризации.
186
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

12. Расположите конденсаторы по мере убывания


температурной стабильности.
Таблица 2.3. Результаты измерений и расчетов
№ T1 T2 .. Tn Tn+1
0 0
п/ (80 C) (20 C) αc ΔC
п C tgd C tgd tgd С tgd
n+1 C n+1

187
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

1
2
... ... ... ... ... .. .... ... .... ..... .... ....
10

188
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.4.3.2. Изучение основных параметров нелинейного


конденсатора – вариконда

189
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Uвых
G

190 Uист
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис. 2.8. Принципиальная схема лабораторного макета [7]


G
1 Соберите схему в соответствии с рисунком 2.8.
Определите резонансную частоту контура при напряжении
U = 0 и рассчитайте начальную емкость вариконда C0. Для

191
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

этого подайте на контур (рис.2.8) от генератора через


резистор R1 синусоидальный сигнал амплитудой в 4 В.
Изменяя частоту генератора, определите с помощью
осциллографа резонанс контура – Uвых. max. Точное значение
частоты резонанса определите по частотомеру, который
следует подключить на выходе контура вместо
осциллографа. Затем рассчитайте начальную емкость

192
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

вариконда: С0=1/42frL. Значение начальной емкости С0


соответствует минимальному значению частоты рабочего
частотного диапазона fрmin.
2 Изменяя напряжение, приложенное к вариконду от
источника, определите диапазон изменения резонансной
частоты контура f rez .min - f rez .max , соответствующие Cв min,, в
С
193
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

max
. Определение диапазона изменения резонансной
частоты сводится к увеличению напряжения источника,
приложенного к вариконду, до получения минимального
значения Свmin, которое соответствует максимальной частоте
рабочего диапазона fmax.
194
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

3 Se va determina coeficientul de nelinearitate a varicondului ca


raport dintre valori maximală şi minimală a capacităţii
varistorului: Cmax/Cmin.
4 Снимите вольт-фарадную характеристику Cv = f (U) ,
изменяя через резистор R2 напряжение, подаваемое на
вариконд от вольтметра постоянного тока. По осциллографу
установите резонанс контура, варьируя частоту генератора.
195
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Точное значение частоты резонанса установите с помощью


частотомера. Результаты внесите в таблицу 2.4.
5 Постройте кривую зависимости емкости вариконда от
приложенного напряжения Cv= f (U).
6 Снимите зависимость добротности контура от
приложенного напряжения в рабочем диапазоне частот (рис.
2.8). Данные внесите в таблицу 2.5. Для расчета добротности

196
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

контура определите полосу пропускания (рис.2.9) на уровне


0,707 от максимального значения. С помощью милливольтметра
постоянного тока определите максимальное выходное
напряжение Uвых.max, соответствующее частоте резонанса.
Рассчитайте 0,707Uвых.max, затем, расстраивая контур влево и
вправо от резонанса до уровня Uвых=0,707Uвыхмакс, частотомером
фиксируйте крайние частоты и определите f как разницу

197
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

данных частот. Добротность контура определяется


выражением:
Q=fr/f.

198
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Uвых
Uвыхмакс

0,707Uвыхмакс

199
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Рис. 2.9. Определение полосы пропускания контура [7]

Таблица2.4. Снятие вольт-фарадной характеристики


200
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

U,
В
ар ,
кГц

Св ,
пФ
201
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

7 Постройте кривую зависимости добротности


резонансного контура от приложенного напряжения Cв= f (U).

Таблица 2.5. Снятие характеристики Q = f(U)


U,
В
fр ,

202
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

кГц
f,
кГц
Q

203
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.5. Содержание отчета


2.5.1 Тема и цель работы.
2.5.2 Приборы и приспособления.
2.5.3 Изучаемые конденсаторы и материалы.
2.5.4 Ход работы.
2.5.5 Измеренные и рассчитанные значения параметров.

204
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.5.6 Кривые зависимостей емкости и диэлектрических потерь


от температуры.
2.5.7 Самый стабильный конденсатор и материал его
диэлектрика, а также последовательность конденсаторов,
выстроенных по уровню температурной стабильности.
2.5.8 Кривые зависимостей емкости и добротности от
приложенного напряжения для вариконда.

205
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2.5.9 Вольт-фарадную характеристику вариконда.


2.5.10 Собственные наблюдения по поводу изучаемых явлений
и выводы.
2.6 Контрольные вопросы
1. Как зависит εr от температуры при различных
механизмах поляризации?

206
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

2. Как зависит tgδ от температуры tgd = f (t 0 ) для


полярных, неполярных и ионных диэлектриков?
3. Дайте определение температурного коэффициента
диэлектрической проницаемости CTε (αε). Как
определяется этот коэффициент?
4. Дайте определение конденсатора.

207
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5. Какие конденсаторы называются постоянными,


переменными, полупеременными?
6. Назовите основные параметры конденсаторов.
7. Представьте эквивалентную схему промышленного
конденсатора.
8. Какие конденсаторы называются линейными,
соответственно нелинейными?

208
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

9. Представьте векторные диаграммы для


последовательной и параллельной эквивалентных схем
конденсатора.
10. Назовите стандартные ряды номинальных емкостей
конденсаторов.

209
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

210
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Литература
1 Cătuneanu V. ş.a. Materiale pentru electronică, Ed.
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti,1992,- 246 p.
2 Drăgulanescu N., Miroiu C., Moraru D. Electronica în
imagini. Componente pasive, Ed. Tehnică, Bucureşti,
1990,- 144 p.

211
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

3 Svasta P., Golumbeanu V. Componente şi circuite


pasive., Univ. „Politehnica”, Bucureşti, 1997,-138 p.
4 Svasta P., Golumbeanu V., Ionescu G., Fleschiu A.,
Moraru D., Leonescu D.,Codreanu N. Componente şi
circuite pasive. Culegere de probleme., Univ.
„Politehnica”, Bucureşti, 1999,-166p.

212
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

5 Справочник по электротехническим материалам.


Под редакцией Корицкого Ю., Пасынкова В. и
Тареева Б. – М: Энергоатомиздат, 1986.
6 Богородицкий Н., Пасынков В., Тареев Б.
Электротехнические материалы. – М.: Энергоиздат,
1985. - 304 с.

213
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

7 Чернышев Н., Чернышева Т. Лабораторная работа


№3б Издательство ТГТУ.

214
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

МАТЕРИАЛЫ И ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Методические указания к лабораторным работам


Часть 1

215
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

МАТЕРИАЛЫ И КОМПОНЕНТЫ В
ЭЛЕКТРОНИКЕ I

216
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Авторы: Сильвия ГАНГАН


Степан РУДЕНКО

217
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Редактор: Т.Олиниченко

Bun de tipar .06.14 Formatul hârtiei 60x84 1/16


Hârtie ofset. Tipar RISO Tirajul 50 ex.

218
ЛР №2. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ
ДИЭЛЕКТРИКОВ

Coli de tipar 2,75 Comanda nr.

UTM, MD-2004, Chişinău, bd. Ştefan cel Mare, 168.


Editura „Tehnica-UTM”
MD-2068, Chişinău, str. Studenţilor, 9/9

219