Escuela Militar de Ingeniería

Ing.
Mecatronica
Ing.
Electronica

Laboratorio sistemas digitales ii

Lectura y escritura de memoria eeprom /10

Ap. Paterno Ap. Materno Nombres CI:

COTJIRI DAZA DENILSON ADEMAR
8363494L.P
AYALA BUSTILLOS CECILIA
ALEJANDRA5953304L.P.
SANTANDER FIGUEREDO JOSE ALFREDO
8422221L.P.

FECHA DE ENTREGA
08/11/2019

DOCENTE: ING. JOSE ARTURO MARIN THAMES

SEMESTRE …QUINTO………
 Índice
Tabla de contenidos
Contenido
Índice............................................................................................................................................................2
Tabla de contenidos......................................................................................................................................2
A. OBJETIVO. –.........................................................................................................................................3
B. FUNDAMENTO TEORICO. –..................................................................................................................3
C. MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS. –.......................................................................................6
D. DESCRIPCION DE LABORATORIO. –......................................................................................................6
E. RESULTADOS. –....................................................................................................................................7
F. INTERPRETACION DE RESULTADOS. -...................................................................................................7
G. REFERENCIAS. –...................................................................................................................................8

2
OBJETIVO. –
Desarrollar en el estudiante las habilidades para escribir y leer en memoria de tipo
EEPROM.

FUNDAMENTO TEORICO. –
Una memoria ROM contiene datos almacenados en forma permanente o semi
permanente. Una memoria ROM almacena datos que pueden ser usados
repetidamente en aplicaciones de sistemas electrónicos tales como tablas,
conversiones o instrucciones programadas para inicialización de un sistema micro

computarizado.
La memoria ROM retiene datos almacenados cuando se corta la energía y por tanto
son memorias no volátiles.
La memoria ROM de máscara es el tipo de memoria que se programa en el momento
de la fabricación del C.I. La PROM es el tipo de memoria en la cual los datos son
almacenados por el usuario con la ayuda de equipo especializado. La UVPROM
es programada eléctricamente por el usuario pero los datos pueden ser borrados por
exposición a rayos ultra violeta sobre un periodo de varios minutos. La EEPROM que
puede ser escrita y leída en forma eléctrica puede ser borrada en milisegundos.

Clasificación de memorias ROM, fuente: Thomas Floyd Fundamentos de sistemas

digitales
3
En forma básica una memoria ROM se puede considerar como una matriz de celdas
donde se almacenan bits que pueden ser 0 o 1 lógico. El procedimiento de lectura
básico es el siguiente: cuando se aplica un código de dirección binario a las líneas de
dirección la línea de fila correspondiente se pone a nivel alto. Este nivel alto se conecta
las líneas de columnas a través de los transistores de cada unión (celda de memoria)
donde se almacena un 1 lógico. En cada celda donde se almacena un cero lógico la
línea de columna permanece en nivel bajo debido a la resistencia de terminación. Las
líneas de columnas constituyen la salía de datos. Los bits de datos almacenados en la

fila seleccionada se presentan en las líneas de salida.

Representación esquemática del funcionamiento de una memoria ROM, fuente:

Thomas Floyd Fundamentos de sistemas digitales
MEMORIA EEPROM 2816
La memoria 2816 desarrollada inicialmente por INTEL es una memoria EEPROM de
16384 bits, que puede ser leída con una tensión de alimentación de 5 V y escrita y
borrada con un pulso de 21 V.

4
La memoria 2816 posee 11 líneas de direccionamiento y 8 líneas de entrada/salida de
datos.

Diagrama funcional memoria 2816

Pin out de la memoria 2816 Identificación de los pines

Ciclo de lectura de la memoria EEPROM 2816

/Las líneas de control CE y OE deben encontrase en nivel lógico BAJO para obtener
información del chip. Los datos están disponibles en las salidas después de un retardo
de tiempo toe asumiendo que las direcciones están estables y CE se encuentra en nivel
lógico bajo.
/

5
Ciclo de escritura de la memoria EEPROM 2816
Para escribir en una posición de memoria particular se debe primero borrar la posición
de memoria correspondiente. El borrado se logra aplicando un 1 lógico a los pines de
datos, poniendo en BAJO el pin CE y aplicando un pulso de 21 V a Vpp.
/

MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS. –

28C16 EEPROM
8 LEDs
8 resistencias de 330Ω
1 DIP switch de 8 segmentos
1 DIP switch de 4 segmentos
12 resistencias de 10kΩ
1 capacitor de 100nF
1 resistencia de 680Ω
Cables y herramientas
Multímetro
Una fuente de 5[v]

DESCRIPCION DE LABORATORIO. –
Inicialmente, se armó de manera física el circuito utilizando una memoria EEPROM
28C16.

6
Una vez armado se pone en positivo compuerta OUTPUT ENABLE.
Se procede a configurar la dirección deseada con el DIPSWITCH.
Se ingresa los datos con los leds.
Se pulsa el botton que activa el VPP del integrado para grabarlo.
Y para leer los datos se pone en negativo la compuerta OUTPUT ENABLE.
Después de desconectar la alimentación de los leds porque estos se volverán en datos
de salida.

RESULTADOS. –
Las direcciones y datos proporcionados por el docente para la prueba son los
siguientes:
DIRECCION DATO
01H 02H
02H 03H
03H 04H
04H 05H
Para realizar la escritura se hizo la conversión a decimal con cuatro bits
DIRECCION DATO
001 010
010 011
011 100
100 101

INTERPRETACION DE RESULTADOS. -
Siguiendo los pasos de escritura y lectura proporcionados en la hoja de datos del
mismo se sacó los resultados esperados, ya que una vez realizado el proceso, la
memoria EEPROM guardo los datos de manera exitosa, solo con poner la dirección en
la memoria que está en los terminales A0-A7, este nos proporcionaba el dato guardado
7
en esa dirección al ser como una matriz, entonces realizado el proceso anterior
tendremos que cambiar el tipo de configuración a lectura por lo tanto al desconectar lo
leds de alimentación estos serán datos de salida para comprobar si efectivamente se
guardaron los datos, la memoria EEPROM al igual que la RAM trabaja con el mismo
concepto y el funcionamiento se comprendió de manera satisfactoria.

E. CONCLUSIONES. -
En el laboratorio realizado del tema de memorias semiconductoras se pudo escribir
y leer datos en una memoria de tipo EEPROM que es el circuito integrado 28C16 lo
cual nos dio los resultados esperados.

REFERENCIAS. –
Ronald Tocci Widmer , Sistemas digitales 11° edición
Floyd Thomas, Fundamentos de sistemas digitales, 9° edición
Wakerly John, Diseño digital principios y prácticas, 3° edición.
Data sheet memoria EEPROM AT28C16
http://micropinguino.blogspot.com/2014/10/eeprom-at28c16.html