PRÁCTICA 05: Caracterización del MOSFET
Pablo Calderón J.
Electrónica de Potencia, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
Resumen. - El objetivo de la presente práctica
es diseñar el circuito de control para un
MOSFET de potencia y conocer las
características de conmutación de los
MOSFET.
I. PREPARATORIO
A. Consultar la curva característica de
funcionamiento de un MOSFET y en base a esta
determinar las zonas de operación en
aplicaciones de electrónica potencia. Indique las
condiciones para el encendido (Vth) y el apagado
del MOSFET.
Region de corte
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vth. En
estas condiciones el transistor MOSFET, equivale
eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales
del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico
del transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de
modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Region Ohmica
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica,
el valor de RDS(on) viene dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de
RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID) específica y el
voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A;
entonces,
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica,
cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada
entre el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia
varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la
Puerta y el Surtidor (VGS).
Región de Saturación
El transistor MOSFET entra en esta zona de
funcionamiento cuando la tensión entre el Drenador y el
Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas características proporcionadas
por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene
constante su corriente de Drenador (ID),
independientemente del valor de tensión que haya entre el
Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor
equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS >
Vth y VDS > ( VGS – Vth ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal Debido a que el MOSFET se dispara por voltaje y no por
se interrumpe o estrangula, lo que sucede cuando: corriente, en este tipo de semiconductores, la resistencia
del gate debe ser relativamente baja, por recomendación
del datasheet debería ser de aproximadamente 25 ohmios.

[2] [3]

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto

límite, el canal de conducción, bajo la Puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del Drenador y
desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se
interrumpe, es debido al campo eléctrico entre ambos, pero
se hace independiente de la diferencia de potencial entre
ambos terminales.
C. Diseñar y simular los circuitos de control PWM
para frecuencias cercanas o iguales a 1[KHz],
10[KHz] y 30[Khz], además debe poder variar la
relación de trabajo entre 0,1 < δ < 0,9

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la

zona óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a la
zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede
actuar como una resistencia o como una fuente de
corriente. El uso principal está en la zona óhmica.

Región de Saturación

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET

pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar
a romper el componente físico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unión semiconductora de la
parte del terminal del drenador.

[1]

B. Explique la importancia de la resistencia

conectada en la base del MOSFET. ¿En qué
rango debe estar la misma y por qué?

La razón de la resistencia es disminuir el efecto inductivo

y capacitivo de los hilos y de la puerta, respectivamente,
que forman un circuito oscilante que aceleran el paso a ON.
 Para el disparo

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡ℎ

𝑉 40
𝐼𝐷 = = = 2.5[𝐴]
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 16

Asumo

𝑉𝐺𝑆 = 6[𝑉]

Por lo que el IRF740 soporta dicha corriente

𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑅𝑔 = 𝑉𝑅2

→ 𝑉𝑅2 = 6 + 𝑉𝑅𝑔

6 + 𝑉𝑅𝑔
𝑅2 =
𝐼2
Para las tres señales de control se utiliza el mismo
6
programa, la única diferencia será el tiempo del período de 𝑉𝑅𝑔 ≪ 6; 𝑅2 =
la señal, para de esta manera variar la frecuencia de cada 𝐼2
una. 6[𝑉]
𝑅2 = = 24[𝑘Ω]
D. Dimensionar todos los elementos y simular el 250[𝜇𝐴]
circuito de la Figura 4 (potencia y control), para
Entonces
un valor de voltaje de 40VDC y la resistencia de
carga es un foco de 120V/100W. Tomar en cuenta 𝑅2 = 22[𝑘Ω]
que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V
Al trabajar un voltaje menor a 100V, el diodo de
conmutación elegido para la carga inductiva es el 1N4007.

[3] [2]

BIBLIOGRAFÍA

E. Considerar para el diseño el dimensionamiento [1] J. L. Medina, Electrónica de Potencia, Quito:

de un diodo de conmutación rápida (Fast EPN, 2018.
Recovery) para trabajar con una carga inductiva
que consuma igual potencia que la carga resistiva [2] EPA, «Diario Electronico Hoy,» [En línea].
Available:
𝑉 2 402
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = = 16[Ω] https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/
𝑃 100
el-transistor-mosfet.
Para el IRF740
[3] I. VISHAY INTERTECHNOLOGY, «Power
𝑉𝑡ℎ = 4[𝑉]
MOSFET,» 2017. [En línea]. Available:
𝑅𝑔 ≈ 25[Ω] → 𝑅𝑔 = 22[Ω] https://www.vishay.com/docs/91021/91021.p
df.
𝐼𝐷 = 10[𝐴]