Práctica 2: Transistores (Montaje y medida en laboratorio)

Índice:

1. Material de prácticas
2. El transistor BJT en continua. Polarización
2.1. Circuito autopolarizado
2.2. Circuito de polarización con tensión de base
3. El transistor BJT como amplificador
3.1. Circuito amplificador en Emisor Común
3.2. Circuito amplificador en Colector Común
Anexo. Hoja de características del transistor P2N2222

1
En esta práctica se abordará el montaje y medida de circuitos con transistores BJT. Para
ello, se hará uso del siguiente instrumental, disponible en el laboratorio de electrónica
básica:
- Fuentes de tensión.
- Multímetros digitales (voltímetro y amperímetro).
- Generador de señal.
- Osciloscopio

En el primer apartado, se analizarán dos de los circuitos de polarización más utilizados

en amplificadores (circuito autopolarizado y circuito polarizado con tensión de base),
evaluando las distintas zonas de funcionamiento de los transistores en función de las
tensiones y resistencias del circuito de polarización.
En el segundo apartado se abordará el montaje y medida de circuitos amplificadores con
transistores BJT. En particular se obtendrán los principales parámetros de un
amplificador en emisor común con resistencia de emisor parcialmente desacoplada y,
posteriormente, de un amplificador configurado en colector común.

Antes de empezar la práctica, el alumno debe leerse la hoja de características del

transistor que se va a utilizar en la misma (2N2222), especialmente la asignación de
pines del transistor. El datasheet se encuentra en un anexo al final de la práctica.

1. Material de prácticas

El material necesario para el desarrollo de la práctica es el siguiente:

- Placa de inserción.
- Resistencias: 47! (2); 180!; 150!; 330!; 820! (2); 1k!; 2k2!; 5k6!.
- Condensadores: 100µF (3).
- Transistor BJT: NPN P2N2222.

2
2. El transistor BJT en continua. Polarización

2.1. Circuito autopolarizado

El objetivo de este apartado es el montaje y medida del circuito mostrado en la figura 1.

Se trata de un circuito con transistor BJT autopolarizado.

12V

R1 RC

5k6 820

Q1

Q2N2222

R2 RE

820 180

0
Figura 1. Circuito autopolarizado con transistor BJT NPN

Monte en la placa de inserción el circuito autopolarizado de la figura 1. Antes de

conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor esté bien montado, es
decir compruebe la asignación de los pines.

a) Con la ayuda de los amperímetros y los voltímetros de que dispone en su puesto

de trabajo rellene la siguiente tabla. Recuerde que la tensión se mide en paralelo
y la corriente en serie.

IB IC IE VCE VBE VBC ! Reg. Oper.

b) Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la

siguiente tabla y mida el resto de parámetros que le piden en la misma.
Justifique los resultados obtenidos.

R2 IB IC VBE VCE ! Reg. Oper.

330!
2k2!

3
2.1. Circuito de polarización con tensión de base

Monte en la placa de inserción el circuito de polarización de transistor con fuente de

tensión en la base que se muestra en la figura 2.

5V

RC

2k2

RB Q1

Q2N2222
5k6
VB

0 0
Figura 2. Circuito de polarización con tensión de base

a) Rellene la siguiente tabla, midiendo los distintos parámetros del transistor para
cada uno de los valores de tensión VB que se indican.

VB IB IC VCE VBE VBC Reg. Oper.

0.5V
0.7V
1V

Cambie la fuente de continua VB por una tensión senoidal de 1V de amplitud,

frecuencia 1kHz y valor medio no nulo de 0.7V (ajustar el offset del generador de
funciones). Compruebe en vacío (conectando directamente el generador de funciones al
osciloscopio) que la salida del generador es la correcta.

b) Conecte la señal senoidal al circuito y mida con el osciloscopio la tensión de

entrada (mídala de nuevo, pues será distinta a la obtenida en vacío) y la tensión
de salida (tensión en el colector).
Represente ambas señales en la gráfica adjunta. Justifique las formas de onda
obtenidas.

4
5
2. El transistor BJT como amplificador

En este apartado analizaremos el funcionamiento el funcionamiento del transistor BJT

como componente principal de un circuito amplificador. Para ello se medirán los
principales parámetros del amplificador, como son la ganancia en tensión, la ganancia
en intensidad, la impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Este análisis se realizará tanto para un amplificador en configuración de emisor común
como para un amplificador en colector común.

3.1. Circuito amplificador en Emisor Común

Considere el circuito amplificador en emisor común con resistencia parcialmente

desacoplada que se muestra en la figura 3. La tensión de entrada es una señal senoidal
con una amplitud de 150mV y una frecuencia de 1kHz (offset nulo).

12V

RC
R1
820
5k6 C2
vo
Q1
C1 100u
v in
Q2N2222 RL
100u 1k

RE1

R2 47
0
820

RE2 C3

150 100u

0
Figura 3. Circuito amplificador en emisor común con RE parcialmente desacoplada

Monte el circuito de la figura 3 en la placa de inserción y ajuste la señal de entrada en

vacío (conecte directamente la salida del generador de funciones al osciloscopio)
Realice las siguientes medidas, orientadas a la obtención de los parámetros del
amplificador.

a) Ganancia de Tensión.
Conecte la señal de entrada al amplificador. Conecte el canal 1 del osciloscopio a la
entrada del amplificador y el canal 2 a la salida del mismo. Mida la amplitud y fase de
ambas tensiones. Obtenga la ganancia de tensión como el cociente de la tensión de
salida entre la tensión de entrada.

vin= v0= Av =

6
 b) Impedancia de entrada.
Para medir la impedancia de entrada necesitamos medir la tensión de entrada y la
intensidad de entrada del amplificador. Esto último supone un problema, ya que el
osciloscopio únicamente mide tensión. Para poder medir esta intensidad, conectaremos
una resistencia externa conocida (en este caso de 47!) entre el punto de entrada del
amplificador y la fuente de entrada. Conocida la tensión en ambos bornes de esta nueva
resistencia podemos determinar la intensidad de entrada, que junto con la tensión de
entrada (mídala de nuevo, ya que habrá cambiado respecto al punto anterior) nos
proporcionan la impedancia de entrada.
Recuerde que al medir la tensión con el osciloscopio, forzosamente el terminal negro de
cada uno de los canales tiene que estar conectado a la tierra del circuito.

vA 47 v in AMPLIFICADOR

vg
iin
Zin

Figura 4. Esquema para el cálculo de la impedancia de entrada del amplificador

iin= vin= Zin=

c) Ganancia de corriente
Para obtener este parámetro necesitamos la intensidad de entrada y la de salida. Para
poder obtener la intensidad de entrada, mantenemos el montaje del punto anterior con la
resistencia externa de 47! conectada a la entrada del amplificador. La corriente de
salida la podemos obtener a partir de la tensión de la impedancia de carga y teniendo en
cuenta el valor de ésta (1k!).

iin= i0= Ai =

d) Impedancia de salida.
Para obtener este parámetro, seguiremos los mismos pasos que en teoría, es decir,
eliminaremos las fuentes independientes del circuito (fuente de tensión de entrada) y
conectaremos una fuente de test a la salida del amplificador (sin la resistencia de carga).
Obteniendo la tensión y la corriente de esta fuente tendremos la impedancia de salida.
Para obtener la intensidad de la fuente de test conectaremos una resistencia externa
entre la fuente y la salida del amplificador (ver circuito de la figura 5).
La fuente de test tendrá las mismas características (amplitud y frecuencia) que la tensión
de entrada del amplificador.

7
 AMPLIFICADOR
v in v out 47 vt

vt
Zout iout

0
0 0
Figura 5. Circuito para la obtención de la impedancia de salida del amplificador

iout= vout= Zout=

Considere de nuevo el circuito amplificador con resistencia de emisor parcialmente

desacoplada mostrado en la figura 3. Sustituya la resistencia R2 del amplificador por
una resistencia de 330!. Mida la tensión de entrada y de salida y represéntelas en la
siguiente gráfica. Indique la región de funcionamiento del amplificador y justifique los
resultados obtenidos.

Región de funcionamiento:

8
Sustituya la resistencia R2 del amplificador por una resistencia de valor 2.2k!. Dibuje
de nueva las tensiones de entrada y salida del circuito. Indique la región de
funcionamiento del amplificador y justifique los resultados.

Región de funcionamiento:

3.2. Circuito amplificador en Colector Común

En este último apartado de la práctica mediremos y analizaremos los parámetros de un

amplificador basado en transistor con configuración de colector común. Se trata del
circuito que se muestra en la figura 6, donde el circuito de polarización es el mismo que
el utilizado en el apartado anterior.

Monte el circuito en la placa de pruebas y ajuste midiendo en vacío una tensión de

entrada senoidal de 150mV de amplitud, 1kHz de frecuencia y media nula. Siga las
instrucciones dadas en el apartado anterior para la medida y obtención de los parámetros
del amplificador y rellene la tabla adjunta.

9
 12V

RC
R1
820
5k6

Q1
C1
Q2N2222
v in
100u C2
v out
RE1
100u
R2 47

820 RL

RE2 C3 1k

150 100u
0

0
Figura 6. Circuito amplificador en colector común

Ganancia de Tensión
vin= vout= Av=
Impedancia de Entrada
iin= vin= Zin=
Ganancia de Intensidad
iin= Iout= A i=
Impedancia de Salida
iout= vout= Zout=

Justifique los resultados obtenidos y compárelos de forma razonada con los que ha
obtenido previamente para el amplificador en configuración de emisor común.

10
P2N2222A

Amplifier Transistors
NPN Silicon

Features
x These are Pb--Free Devices* http://onsemi.com

COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA = 25qC unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit 2
Collector--Emitter Voltage VCEO 40 Vdc BASE

Collector--Base Voltage VCBO 75 Vdc

3
Emitter--Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current -- Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25qC PD 625 mW
Derate above 25qC 5.0 mW/qC

Total Device Dissipation @ TC = 25qC PD 1.5 W TO--92

Derate above 25qC 12 mW/qC CASE 29
STYLE 17
Operating and Storage Junction TJ, Tstg --55 to qC
Temperature Range +150
12 1
2
THERMAL CHARACTERISTICS 3 3
STRAIGHT LEAD BENT LEAD
Characteristic Symbol Max Unit
BULK PACK TAPE & REEL
Thermal Resistance, Junction to Ambient RRJA 200 qC/W AMMO PACK

Thermal Resistance, Junction to Case RRJC 83.3 qC/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum MARKING DIAGRAM
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
P2N2
222A
AYWW G
G

A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb--Free Package
(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping††
P2N2222AG TO--92 5000 Units/Bulk
(Pb--Free)

P2N2222ARL1G TO--92 2000/Tape & Ammo

(Pb--Free)
††For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb--Free strategy and soldering details, please including part orientation and tape sizes, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Reference Manual, SOLDERRM/D. Brochure, BRD8011/D.

¤ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 1 Publication Order Number:

April, 2007 -- Rev. 5 P2N2222A/D
 P2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25qC unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector--Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO Vdc
(IC = 10 mAdc, IB = 0) 40 --
Collector--Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 75 Vdc
(IC = 10 mAdc, IE = 0) --
Emitter--Base Breakdown Voltage V(BR)EBO Vdc
(IE = 10 mAdc, IC = 0) 6.0 --
Collector Cutoff Current ICEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 10
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) -- 0.01
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150qC) -- 10
Emitter Cutoff Current IEBO 10 nAdc
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0) --
Collector Cutoff Current ICEO nAdc
(VCE = 10 V) -- 10
Base Cutoff Current IBEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 20
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE --
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 10 Vdc) 35 --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) 50 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) 75 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, TA = --55qC) 35 --
(IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 100 300
(IC = 150 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (Note 1) 50 --
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 40 --
Collector--Emitter Saturation Voltage (Note 1) VCE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) -- 0.3
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 1.0
Base--Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) 0.6 1.2
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 2.0
SMALL--SIGNAL CHARACTERISTICS
Current--Gain -- Bandwidth Product (Note 2) fT MHz
(IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)C 300 --
Output Capacitance Cobo pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) -- 8.0
Input Capacitance Cibo pF
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) -- 25
Input Impedance hie k8
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2.0 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 0.25 1.25
Voltage Feedback Ratio hre X 10 --4
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 4.0
Small--Signal Current Gain hfe --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 50 300
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 75 375
Output Admittance hoe mMhos
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 5.0 35
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 25 200
Collector Base Time Constant rbcCc ps
(IE = 20 mAdc, VCB = 20 Vdc, f = 31.8 MHz) -- 150
Noise Figure NF dB
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, RS = 1.0 k8, f = 1.0 kHz) -- 4.0
1. Pulse Test: Pulse Width $ 300 ms, Duty Cycle $ 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.

http://onsemi.com
2
 P2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25qC unless otherwise noted) (Continued)

Characteristic Symbol Min Max Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time (VCC = 30 Vdc, VBE(off) = --2.0 Vdc, td -- 10 ns
Rise Time IC = 150 mAdc, IB1 = 15 mAdc) (Figure 1) tr -- 25 ns
Storage Time (VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc, ts -- 225 ns
Fall Time IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2) tf -- 60 ns

SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS

+30 V +30 V

1.0 to 100 ms, 1.0 to 100 ms, 200

200 +16 V
+16 V DUTY CYCLE | 2.0% DUTY CYCLE | 2.0%

0 0
1 k8 --14 V 1k CS* < 10 pF
--2 V CS* < 10 pF
< 2 ns < 20 ns
1N914

Scope rise time < 4 ns --4 V

*Total shunt capacitance of test jig,
connectors, and oscilloscope.
Figure 1. Turn--On Time Figure 2. Turn--Off Time

1000
700
500 TJ = 125qC

300
hFE , DC CURRENT GAIN

200
25qC
100
70
--55qC
50
30 VCE = 1.0 V
20 VCE = 10 V

10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain

http://onsemi.com
3
 P2N2222A

VCE , COLLECTOR--EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

1.0
TJ = 25qC
0.8

0.6 IC = 1.0 mA 10 mA 150 mA 500 mA

0.4

0.2

0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region

200 500
IC/IB = 10 VCC = 30 V
300 IC/IB = 10
100 TJ = 25qC
200 tcs = ts -- 1/8 tf IB1 = IB2
70 tr @ VCC = 30 V
50 TJ = 25qC
td @ VEB(off) = 2.0 V
100
30 td @ VEB(off) = 0
t, TIME (ns)

t, TIME (ns)

70
20 tf
50
30
10
7.0 20
5.0
10
3.0 7.0
2.0 5.0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 5. Turn--On Time Figure 6. Turn--Off Time

10 10
RS = OPTIMUM f = 1.0 kHz
IC = 1.0 mA, RS = 150 8 RS = SOURCE
8.0 RS = RESISTANCE 8.0
500 mA, RS = 200 8 IC = 50 mA
NF, NOISE FIGURE (dB)

NF, NOISE FIGURE (dB)

100 mA, RS = 2.0 k8 100 mA

6.0 50 mA, RS = 4.0 k8 6.0 500 mA
1.0 mA

4.0 4.0

2.0 2.0

0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
f, FREQUENCY (kHz) RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)

Figure 7. Frequency Effects Figure 8. Source Resistance Effects

http://onsemi.com
4
 P2N2222A

f T, CURRENT--GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

30 500
VCE = 20 V
20 TJ = 25qC
300
Ceb
CAPACITANCE (pF)

10 200

7.0

5.0
100
Ccb
3.0 70

2.0 50
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 9. Capacitances Figure 10. Current--Gain Bandwidth Product

1.0 +0.5
TJ = 25qC

0.8 0 RRVC for VCE(sat)

COEFFICIENT (mV/qC)

VBE(sat) @ IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)

1.0 V --0.5
0.6
VBE(on) @ VCE = 10 V --1.0
0.4
--1.5

0.2
--2.0 RRVB for VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0 --2.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 11. ““On”” Voltages Figure 12. Temperature Coefficients

http://onsemi.com
5
 P2N2222A

PACKAGE DIMENSIONS

TO--92 (TO--226)
CASE 29--11
ISSUE AM

NOTES:
A B STRAIGHT LEAD 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
BULK PACK 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
P BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING INCHES MILLIMETERS
PLANE K DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
G J 0.015 0.020 0.39 0.50
H J K 0.500 ------ 12.70 ------
L 0.250 ------ 6.35 ------
V C N 0.080 0.105 2.04 2.66
P ------ 0.100 ------ 2.54
SECTION X--X R 0.115 ------ 2.93 ------
1 N V 0.135 ------ 3.43 ------

NOTES:
A B BENT LEAD
R 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
TAPE & REEL ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
AMMO PACK 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
T
SEATING MILLIMETERS
PLANE K
DIM MIN MAX
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D D 0.40 0.54
X X G 2.40 2.80
G J 0.39 0.50
J K 12.70 ------
N 2.04 2.66
V P 1.50 4.00
C
R 2.93 ------
SECTION X--X V 3.43 ------
1 N
STYLE 17:
PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER

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