COMPONENTE PRATICO – ELECTRONICA DE POTENCIA

COMPONENTE PRATICO – ELECTRONICA DE POTENCIA

Freddy Hernán Triana

Pablo Cesar Forero Salguero
Jose Elquin Cerquera Soto
Álvaro Barrios

RESUMEN: Con este trabajo, se tiene el
propósito de abordar el componente práctico de
los conceptos de semiconductores de potencia y
circuitos convertidores. Allí se realizara el análisis
de cada uno de los circuitos expuestos de forma
teórica y práctica para garantizar su correcto
funcionamiento. Adicionalmente, se recordaran
conceptos básicos de cómo realizar mediciones
físicas y simuladas sobre cada uno de los
componentes que se requiera para cumplir con
los procedimientos que se solicitan.
contrario, los equipos suelen obtener la energía
eléctrica de la red de distribución de baja tensión,
por lo que en general siempre hay que hacer una
primera conversión CA/CC.
2. OBJETIVOS
Objetivo General
• Identificar y desarrollar los circuitos de disparo
requeridos para semiconductores de potencia.
SCR, MOSFET e IGBT.

1. INTRODUCCIÓN • Desarrollar un análisis teórico-práctico sobre el

Los semiconductores de potencia se caracterizan
porque trabajan con tensiones y corrientes medas
y altas. Algunos de ellos solamente existen como
componentes de potencia, otros son análogos a
sus equivalentes de señal pero manejando
tensiones y corrientes superiores por lo que
habitualmente trabajan en conmutación.
Los circuitos convertidores de potencia son
elementos capaces de alterar las características
de la tensión y la corriente que reciban,
transformándola de manera optimizada para los
usos específicos donde va a ser destinada en
cada caso. En general, los circuitos electrónicos
son alimentados con tensión continua pero por el
comportamiento de estos componentes bajo
diferentes voltajes y corrientes de disparo.
• Realizar las actividades prácticas propuestas
para contextualizar el desarrollo de los
componentes teóricos del curso de Electrónica de
Potencia. PROCEDIMIENTO
1. El estudiante debe inscribirse para realizar las
prácticas a través del aplicativo de oferta
integrada de laboratorios en campus virtual
http://academia.unad.edu.co/laboratorios/progra
macion.
2. El intervalo de tiempo para desarrollar la
práctica es informado en informado en el

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momento que el estudiante se inscribe por el ánodo y cátodo es controlada por el terminal de
Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios - OIL. puerta. Es un elemento unidireccional (el sentido
3. Es necesario que el estudiante verifique los de la corriente es único), conmutador casi ideal,
componentes electrónicos ELECTRONICA DE rectificador y amplificador a la vez.
POTENCIAS INFORME FASE

4 TRABAJO PRÁCTICO. Presentado por: Arley

Fernando Zúñiga Cod: 1083895741 Cristian
Fabián Arias Ordoñez Cod: 1143829574 Fabián
Sánchez Cerón Cod: 12265941 German Tutor:
Diego Fernando Nava. Solicitados en los
experimentos, en caso tal que amerite la
realización de cálculos previos por favor darle
cumplimiento, con el fin que puedan adquirir los
elementos antes de ir al centro a realizar la
práctica. 4. El producto esperado es la asistencia
participación y un informe final en formato IEEE
que el estudiante debe entregar a su tutor de
prácticas. 5. El tutor de prácticas de laboratorio El SCR se asimila a un diodo rectificador pero si
asignado en el centro orientara y evaluara el el ánodo es positivo en relación al cátodo no
desempeño del estudiante. El tutor deberá circula la corriente hasta que una corriente
reportar la calificación final en el aplicativo de positiva se inyecte en la puerta. Luego el diodo
oferta integrada de laboratorios. 6. Los enciende y no se apagara hasta que no se
estudiantes que se les haga imposible asistir a las remueva la tensión en el ánodo y cátodo, de allí
prácticas (in-sito presencial) deben informar al el nombre rectificador controlado.
tutor de prácticas asignado en su centro con
Su funcionamiento al aplicarse una corriente IG al
soportes de justa causa la razón por la cual no
terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
podrán asistir, para que este decida si le autoriza
producen os corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la
la realización de la práctica de manera auto
corriente base del transistor Q1 y causa que
dirigida..
exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que
3. MARCO TEORICO a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa más corriente en IC2, que es
- SCR (Silicon Controlled Rectifier). lo mismos que IB1 en la base de Q1.

Es un dispositivo semiconductor biestable Este proceso regenerativo se repite hasta saturar

formado por tres uniones pn con la disposición Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
pnpn. Está formado por tres terminales, llamados
ánodo, cátodo y puerta. La conducción entre

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sustrato originalmente. Este tiene un
incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región
correspondiente al canal
Los MOSFET de empobrecimiento o
deplexion tiene un canal conductor en su
estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la puerta, lo cual
ocasiona una disminución de la cantidad
de portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad.
- MOSFET (Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor)

Es un dispositivo semiconductor utilizado

para la conmutación y amplificación de
señales. Los MOSFET poseen tres
terminales: Gate, Drain y Source
(compuerta, drenaje y fuente). A su vez,
subdividen en dos tipos, los MOSFET
canal N y el canal P.

- IGBT(Insulated Gate Bipolar transistor)

Existen dos tipos de transistores, el
primero es el MOSFET de El transistor IGBT proviene
enriquecimiento los cuales se basan en la sustancialmente de la tecnología
creación de un canal entre el drenador y MOSFET de potencia, por lo que su
la fuente, de manera que se forma una estructura y funcionamiento son similares.
región de inversión, es decir, una región Es un transistor hibrido que combina un
con dopado opuesto al que tenía el MOSFET y un BJT, por eso tiene

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terminales puerta (del MOSFET), colector
y emisor (de BJT). El material de partida
es una oblea tipo P. Su estructura consiste
en 4 capas (PNPN), la unión adicional PN
creada reduce la resistividad y la caída de
tensión VCE(ON) en conducción, esto se
conoce como modulación de la
resistividad y permite aumentar la
intensidad. Sin embargo la unión adicional
P introduce un transistor parasito, que en
caso de ser activado puede destruir el
dispositivo.
Su funcionamiento al igual que el
MOSFET el IGBT se controla con tensión.
Para el encendido se da una tensión
positiva en puerta respecto al emisor, los
portadores n son atraídos a la región p de
la puerta; así se polariza en directa del
transistor NPN permitiendo la circulación
de corriente – emisor. Para el apagado
basta con quitar la tensión de la puerta.
Esto requiere de un circuito de control
simple para el transistor IGBT.
En una antena, es la separación angular
de los puntos en la abertura principal,
donde la potencia es igual a la mitad de la
radiada en la dirección de la potencia
máxima.
- CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA.
Un rectificador convierte corriente alterna
en corriente continua por lo que la
finalidad de estos es generar una salida
continua pura o generar una onda y asea
de tensión o de corriente que tengan una
determinada componente continua. El
rectificador de media onda se suele utilizar
en aplicaciones de baja potencia, en las
que la corriente media de la red no será 0.
Una corriente media distinta de 0 puede
causar problemas en el funcionamiento de
los transformadores y aunque con más
facilidad de los otros tipos de
rectificadores que pueden llegar a tener
más aplicaciones.
Una rectificación de media onda puede ser
controlada o no controlada (control sobre
la señal de salida). Si queremos que sea
controlada emplearemos un tiristor, si la
rectificación no es controlada, usaremos
un diodo.
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3. Lentamente varié el valor de V2 hasta
que el SCR conduzca. ¿Qué sucede con
el valor del VAK y porque?

R/ A menor tensión el SCR arranca con

el voltaje que le inyectemos (15V), a
medida que corriente aumenta el voltaje
disminuye.

4. Asegúrese que el SCR está en estado de

conducción.

R/ El SCR se encuentra en estado de

conducción ya que alcanza su umbral a
10mA en la fuente V1.
4. MATERIALES
5. Desconecte temporáneamente el pin
 Simulador Multisim 14.0. puerta (GATE) y poco a poco reducir la
 Fuente de de poder regulada variable tensión V1 hasta que la corriente del
 Multímetro SCR repentinamente cae a cero. Tenga
 Generador de señal en cuenta el valor de la corriente anterior
a cero “este es el valor de la corriente de
5. PROCEDIMIENTO. mantenimiento IH.
SCR:
R/ Cuando se disminuye la tensión de v1
1. Realice el montaje del circuito de la a 3.6 v la corriente no es suficiente para
figura. para tener el flujo necesario ya que da1.4
mA, debido a esto alrededor de 12v en
v1 la corriente es de 10.5 mA y el voltaje
en el potenciómetro sellado es de 1.4
mA y abriéndolo es 10.5 mA.

- ¿Qué crees que va a pasar en el circuito

2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea
aproximadamente 15 Voltios.
de la figura 1 si se dispara el SCR, y
luego se reduce la corriente de puerta a
cero de nuevo?
R/ Cuando se dispara el SRC y se
reduce la corriente de la puerta a cero

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ocurre que el SCR deja de funcionar
debido a que no tendrá conducción ya 4. Repita los pasos anteriores para
que la puerta se encuentra prácticamente diferentes valores con VDS2 = 12V.
abierta. VDS3 = 15V

- ¿Qué observas ahora que

repentinamente usted aumenta y reduce V1 = VDS1 = 10V
la corriente de puerta? VGS (V) IDS (mA)
0 0.5
R/ Al realizar la simulación en programa 3 0.8
mulitisim cuando se aumenta y reduce la 5 31.2
corriente el scr queda trabajando, pero al 6 32
realizar el mismo procedimiento en la 8 33.3
práctica con un pulsador al disminuir la
corriente y aumentar se apaga y
enciende el scr con sus cambios de V1 = VDS2 = 15V o 12V
estado. VGS (V) IDS (mA)
0 0.9
MOSFET:
3 0.12
1. Realice el montaje del circuito de la 5 10
anterior figura. 6 85
8 100.1

Características de drenaje.

5. Ajustar el VG variando el valor de V2

a VTH - threshold voltaje

6. Variar VDS cambiando el valor de V1

2. Ajuste VDS=10V variando V1,
mantenga R1 ligeramente mayor a ¼
del valor total.
3. Cambie el valor de VGS variando el
valor de V2. (mantenga R2 en el valor
mínimo) y observe como cae el valor
de IDS cada 0.5V de variación del
voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
en variaciones de 0.5V y anote el
valor de IDS. (hasta que IDS sea
constante)
7. Repetir los pasos anteriores para
diferentes valores de VGS2 = VTH ±
0.1V.
8. Llenar la tabla.

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VGS = VGS1 = VTH 9. ¿Por qué los MOSFET no son
VDS (V) IDS (mA) implementados en aplicaciones de
0 0 elevadas potencias?
1 0.11
R/ Los transistores MOSFET son
2 0.16
componentes que presentan una baja
2.5 0.18
utilización, no obstante el terminal
3 0.20
gate es muy sensible, debido a que la
3.5 0.22
capa de óxido es muy delgada
4 0.24 teniendo el riesgo de que se puede
4.5 0.26 romper y por ello se puede dañar con
5 0.28 bastante facilidad el componente. Es
5.5 0.30 bastante delicado el componente por
6 0.32 lo que se debe manipular con
6.5 0.34 bastante cuidado ya que si llega
7 0.34 haber una alta tensión o electricidad
8 0.34 estática se dañara con facilidad. Al
utilizar componentes aplicando una
alta potencia no serviría este tipo de
VGS = VGS1 = VTH ±0.1V dispositivo ya que su fragilidad y sus
VDS (V) IDS (mA) bajos niveles de tensión no
0 0.20 soportarían las condiciones
1 0.90 generadas por al manejar
2 1.6 aplicaciones con altos niveles de
2.5 2.35 potencia.
3 2.80 IGBT:
3.5 3.40
4 3.65
4.5 4.35
Características de transferencia.
5 4.81
5.5 5.10 1. Realice el montaje del circuito de
6 5.6 la figura.
6.5 6.12
7 6.64
8 7.42

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 COMPONENTE PRATICO – ELECTRONICA DE POTENCIA
6. Repita los pasos anteriores con
diferentes valores de VGE y
dibuje la gráfica de VGE vs IC.

2. . Inicialmente mantenga V1 y V2
al valor mínimo.
3. Seleccione el valor de
V1=VCE1=10V. CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA:
4. Lentamente varié V2 (VGE) y
1. Montar en el simulador el
anote VGE e IC en cada 0.5V de
circuito de la Figura 2. (Anexe
cambio tenga en cuenta que el
imagen del circuito al informe).
VGE máximo debe ser 8 voltios.
5. El mínimo voltaje de compuerta
VGE, el cual es requerido para
que el IGBT conduzca es llamado
VTH.

V2 = VGE, VI=10V
V2 (VCE) IC (mA)
0.5 0.01
1 2.5
1.5 7.2 2. Realizar la simulación anexe
2.0 12.9 la gráfica que muestre al
menos 4 ciclos de la tensión
2.5 16
entrada V1 y la de la tensión
3 21.2
en la carga RL ¿Que ha
3.5 15.3
notado?
4 27.5
4.5 33 R/ Al validar en la gráfica de
5 36.3 multisim al no obtener un
5.5 37.4 voltaje suficiente no se
6 38 alcanza una corriente para
7 38.4 que la puerta conduzca y así
8 38.9 no habrá activación del SCR,
esto quiere decir que la señal
de ingreso es la misma a la
salida.

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potencia se entrega a RL
cuando P1 vale el 64% de
valor real, es decir 3.2k.

5. Calcule los ángulos de disparo

y conducción para al menos 6
valores distintos de P1
Registrar los valores en una
tabla. Utilizar como referencia
la Figura 3 y emplear las
Al aplicar el valor el P1 como siguientes ecuaciones.
mínimo la corriente y voltaje F= 60Hz
de conducción para el SCR se
tiene la siguiente onda. 1 1
𝑇= = = 16.67𝑚𝑠
𝑓 60

Angulo de Angulo de
P1 % T (ms) disparo conducción
3. Observar la tensión de salida
60 4.31 4.31ms - 93° 87°
para diferentes valores del
50 3.73 3.73ms - 81° 99°
potenciómetro P1. ¿Qué
40 3.33 3.33ms - 72° 108°
sucede cuando la resistencia 30 3.08 3.08ms - 67° 113°
disminuye? 20 2.65 2.65ms - 57° 123°
10 2.39 2.39ms - 52° 128°
R/ Para un 70% de P1(3.5k)
se observa que aún no se
alcanza ni la corriente de
disparo no el voltaje requerido
para que el SCR se encuentra
en modo de conducción.

4. ¿Para qué valor de P1 la

potencia entregada a la carga
es la mitad de la potencia
máxima?
6. CONCLUSIONES
R/ Siendo que la corriente
1. Aprendimos los diferentes manejos de los
mínima de conducción para el
semiconductores de potencia, al manipular en
SCR es de 32.5mA; se puede
las varias prácticas el dispositivo SCR se puede
concluir, que la mitad de la
identificar las diferentes utilidades en varios

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 COMPONENTE PRATICO – ELECTRONICA DE POTENCIA
circuitos como llegar generar señales análogas y
así sus ángulos de disparo.

2. Conocimos las utilidades de un controlador de

fase de media onda ya que este es bastante
implementado en el control de potencias sobre los
motores.
3. Se recordó y adquirió experiencia con el
manejo de los diferentes equipos multímetro,
osciloscopio, fuentes reguladas, protoboard y
componentes para el funcionamiento y análisis de
los circuitos propuestos.

7. BIBLIOGRAFIA

[1] Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).

Electrónica de potencia: convertidores,
aplicaciones y diseño. (pp. 608-637).

[2] Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).

Electrónica de potencia: convertidores,
aplicaciones y diseño.

[3] Mohan,N. Undeland,T. Robbins,W.(2009).

Electrónica de potencia: convertidores,
aplicaciones y diseño (pp. 142-175).

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