MICRO Y NANO SISTEMAS ELECTRÓNICOS

Ing. Rubén Alarcón Mattuti

“SENSOR DE PRESIÓN PIEZORESISTIVO”

Tema original artículo COMSOL:
Sensitivity Analisys of different Models of Piezoresistive
Micro Pressure Sensors.

Conferencia COMSOL de Bangalore, 2013.

INTEGRANTES:

Galvez Chinchay Anthony Jaime 15190010

Iparraguirre Tamariz Joel David 15190147

Quisperima Galdos Washington 15190128

Lima, 21 de Noviembre del 2019

Contenido
1. Sumilla................................................................................................................... 3
2. Objetivos ............................................................................................................... 3
Objetivos Objetivos Generales: ................................................................................. 3
Objetivos Específicos: ............................................................................................... 3
3. Marco Teórico........................................................................................................ 4
Fundamentos Teóricos.............................................................................................. 4
Tecnología MEMS ..................................................................................................... 4
Piezoresistive Sensor ................................................................................................ 5
Principio de medición de MEMS ................................................................................ 7
4. Marco Metodológico .............................................................................................. 8
a) A nivel de bloques funcionales ........................................................................... 8
b) A nivel de circuitos electrónicos ......................................................................... 9
c) A nivel de diseño geométrico ........................................................................... 10
Model 1 − Piezoresistive Sensors by Lynn Fuller ................................................. 10
Model 2 − Silicon pressure transducer by M Bao: ................................................ 10
5. MATERIALES Y EQUIPOS ................................................................................. 11
COMSOL Multiphysics ............................................................................................ 11
MEMS MODULE ..................................................................................................... 11
6. Productos esperados ........................................................................................... 12
Galgas extensométricas .......................................................................................... 12
Sensores de presión ............................................................................................... 13
8. FABRICACION Y MANUFACTURA ........................................................................ 15
Empresas para manufactura de MEMS ................................................................... 15
Asia Pacific Microsystems, inc. ............................................................................ 15
Rogue Valley Microdevices.................................................................................. 15
STMicroelectronics .............................................................................................. 15
Estadísticas ............................................................................................................. 16
9. Bibliografía.............................................................................................................. 17
 1. Sumilla
Los sensores de presión piezo resistivos reciben más atención que otro tipo de
sensores debido a la facilidad de su fabricación, bajo costo, técnicas de medición
simples, amplia rango de sensación de presión, etc. Siempre es un desafío el diseño
con respecto al adecuado posicionamiento de la piezo resistencia, su forma y la
temperatura de compensación.
Este ejemplo considera el diseño de los sensores de presión de la serie MPX100
producidos originalmente por la división de productos semiconductores de Freescale
Semiconductor Inc. En este documento vemos el desarrollo y diseño del piezoresistor
tanto como las ecuaciones que se utilizaron para hallar los valores usados.

2. Objetivos

Objetivos Objetivos Generales:

 Informar al lector acerca de La necesidad de sensores más pequeños, menos

costosos y de mayor rendimiento ayudó a impulsar la tecnología de
micromaquinado temprana, un precursor de los microsistemas o sistemas
microelectromecánicos o Micro Electro Mechanical System (MEMS). Hoy en día,
los sensores piezorresistivos comprenden una parte sustancial del mercado de
sensores MEMS y se encuentran en todo, desde automóviles hasta teléfonos
inteligentes y sondas interestelares.

 Desde el punto de vista personal, conocer las diversas funciones, herramientas,

y diversas aplicaciones que nos puede brindar el software COMSOL Multiphysics
para una gran cantidad de áreas el cual nos servirá mucho para poder entender
y servir para nuestra vida profesional en el futuro.

Objetivos Específicos:

 El objetivo del dispositivo es obtener datos del sensor de presión MEMS que
consiste en una "placa delgada" de silicio con un diferencial de presión a través
de la placa. La deformación resultante provoca tensión a lo largo de los bordes
de la placa que también están "basadas en piezoresistivas" que son sensibles a
los fenómenos que causan haces o placas delgadas.

 Los sensores piezoresistivos se usan como parte de muchos dispositivos MEMS,

que incluyen: sensores de presión, acelerómetros, sensor táctil, sensores de
flujo. en otras palabras, estas aplicaciones
 3. Marco Teórico

Fundamentos Teóricos

En este rápido desarrollo tecnológico mundial, la monitorización y la retroalimentación

de la presión desempeñan un papel vital en las aplicaciones de microfluidos. Diseñar
y desarrollar sensores de presión a microescala es un gran desafío en este mundo
actual. MEMS es la única tecnología aplicada para fabricar estos microsensores de
presión mediante la fusión de elementos mecánicos y eléctricos. Según los hallazgos
de la investigación anterior, es decir, los dispositivos MEMS tienen rendimientos
avanzados que los macro dispositivos y los sensores depresión son uno de los
principales dispositivos MEMS utilizados diversamente en diversas industrias, así
como microfluidos. Además, el consumo de energía para los dispositivos MEMS es
muy menor y estos requieren menos espacio también. Estas técnicas
micromecanizadas se han establecido a través de diversos tipos de materiales como
polímeros, aleaciones, metales, cerámica y vidrio, etc. Aunque el silicio es
ampliamente utilizado en el micromecanizado de sensores de presión debido a su
propiedad elástica, peso más ligero que el aluminio y comparablemente módulo
idéntico de elasticidad con acero inoxidable.
También la fabricación de sustratos de cristal único mediante el uso de silicio es simple
y económico sensores de presión de silicio son en su mayoría accesibles en el
mercado de productos.

Tecnología MEMS

Los sistemas micro electromecánicos es una tecnología que en su forma más general
puede ser definida como elementos mecánicos y electro-mecánicos miniaturizados que
son fabricados usando las técnicas de micro fabricación. Las dimensiones físicas críticas
de los dispositivos MEMS pueden variar desde muy por debajo de una micra en el
extremo inferior del espectro dimensional, hasta varios milímetros.
Asimismo, los tipos de dispositivos de MEMS pueden variar de estructuras relativamente
simples que no tienen elementos móviles, a los sistemas electromecánicos
extremadamente complejos con múltiples elementos móviles bajo el control de la
microelectrónica integrada. No solo es el rendimiento de los dispositivos MEMS lo que
los hace excepcionales, sino también su método de producción, el cual aprovecha las
técnicas de fabricación por lotes, mismas utilizados en la industria de circuitos
integrados, lo que se traduce en un costo de producción por cada dispositivo más bajo,
así como muchos otros beneficios.

 Sensores: son dispositivos MEMS diseñados para medir cambios en el

ambiente. Estos microsistemas incluyen sensores químicos, de movimiento,
inerciales, térmicos, presión y ópticos.

 Actuadores: son un grupo de dispositivos diseñados para proporcionar un

estímulo a otros componentes o dispositivos MEMS. En los microsistemas los
actuadores son operados electrostática o térmicamente.
  MEMS RF: son una clase de dispositivos usados para transmitir señales de radio
frecuencia. Los dispositivos típicos incluyen: interruptores, capacitores, antenas,
etc.

 MOEMS: son dispositivos diseñados para dirigir, reflejar, filtrar y/o amplificar la
luz. Estos componentes incluyen interruptores ópticos y reflectores.

 Bio MEMS: son dispositivos que son diseñados para interactuar específicamente
con muestras biológicas. Dispositivos como estos son fabricados para
interactuar con proteínas, celular biológicas, reactivos médicos, etc. Estas cinco
áreas representan aplicaciones totalmente diferentes de dispositivos MEMS que
actualmente se encuentran en uso o en desarrollo para aplicaciones
comerciales.

Los MEMS poseen una serie de ventajas frente a los sistemas de mayor tamaño, entre
las cuales se encuentran:

 Posibilidad de fabricación masiva con bajo costo

 Componentes más sensibles
 Tamaño y peso reducidos. - Consumo de energía pequeño.
 Alta precisión y biocompatibilidad.
 Partes mecánicas específicamente diseñadas, las cuales serán más rápidas y
eficientes.
 Materiales con propiedades que les permiten ser más fuertes y ligeros.
 Desarrollo de componentes electrónicos más rápidos.
 Sistemas mecánicos y ópticos más rápidos y complejos.
 Nuevos dispositivos opto-electrónicos.

Dichas ventajas han favorecido su introducción en un gran número de aplicaciones y

mercados y silenciosamente han ocupado un lugar en nuestra vida cotidiana.

Piezoresistive Sensor

El sensor piezoresistivo es un sensor semiconductor hecho de silicio. El material

resistivo se encuentra en una delgada membrana de silicio que en los cambios de
presión muestra el valor. Por lo tanto, deben explicarse dos terminologías: la primera es
el sensor. Tenemos sobre el sensor en nuestro artículo anterior llamado Sensor in
Technology and Nature. No vamos a entrar en detalles de Sensor en este artículo sobre
sensor piezoresistivo. La terminología piezoresistiva se deriva de la combinación de dos
palabras: piezo y resistiva. Piezo es una palabra griega y significa presión. El sensor
piezoresistivo cambia la resistividad debido a la fuerza sobre él. Estos sensores también
se conocen como piezoresistores.
 1. La tecnología de la piezoresistencia

Con el desarrollo del telégrafo en el siglo XIX, los problemas de propagación de la señal
y los cambios de conductividad llevaron a la observación del cambio en la conductividad
o resistencia bajo tensión mecánica =. En 1856, el físico británico William Thomson, notó
por primera vez, un cambio en la resistencia eléctrica con el alargamiento del hierro y el
cobre. El mismo año, Lord Kelvin dio una conferencia a la Royal Society de Londres,
donde presentó un experimento en el que se les dio peso a los alambres de hierro y
cobre y se midió el cambio de resistencia con un puente de Wheatstone.

Herbert Tomlinson confirmó el cambio en la conductividad en presencia de estrés

mecánico. El término piezoelectricidad, por su parte, apareció mucho antes con
Hermann Hankel en 1881.

La sensibilidad de un dispositivo piezoresistivo tiene la característica:

𝑑𝑅
𝐾 = ( )/∈𝐿
𝑅

donde ∈𝐿 y 𝑅 representan respectivamente el cambio relativo en longitud y resistencia.

La piezoresistencia se debe al cambio en la geometría debido al esfuerzo mecánico. El
factor geométrico del sensor está representado por la variable 𝐾 (Window 1992):

𝐾 = 1 + 2𝑣

Donde 𝑣 es la relación de Poisson del material. Incluso si los cambios son relativamente
pequeños, permiten el uso de estos sensores (galgas extensométricas) en una amplia
gama de aplicaciones.

2. Para que sirve el efecto piezoresistivo

El efecto piezoresistivo puede usarse para medir la presión y también la humedad y las
concentraciones de gas. Por ejemplo, cuando la membrana cambia debido al contacto
con la humedad o los gases en el volumen y ejerce presión sobre el piezoresistor, se
puede medir con un sensor piezoresistivo. El sensor piezoresistivo también se puede
desarrollar a partir de capas de polímero que responden a la presión y cambian su forma
o volumen. Por lo tanto, los sensores piezoresistivos son adecuados para una variedad
de aplicaciones, incluidos acelerómetros de estado sólido y transistores bipolares.
 Figura 1

3. Usos generales

Los sensores piezoresistivos se usan como parte de muchos dispositivos MEMS, que
incluyen:

 Sensores de presión
 Acelerómetros
 Sensor táctil
 Sensores de flujo

En otras palabras, estas aplicaciones "basadas en piezoresistivas" son sensibles a los

fenómenos que causan haces o placas delgadas.

Principio de medición de MEMS

La parte central del sensor de presión MEMS es una matriz de detección de presión
piezorresistiva procesada por la tecnología MEMS. La matriz de detección de presión
está compuesta por un diafragma elástico y cuatro resistencias integradas en el
diafragma. Cuatro piezo-resistencias forman una estructura de puente de Wheatstone.

Figura 2
Cuando se presiona el diafragma elástico, el puente de Wheatstone emitirá una señal
de voltaje proporcional lineal con la presión activada. Sin cambios de presión, no hay
salida, por lo tanto, consume poca energía.

Figura 3

4. Marco Metodológico

a) A nivel de bloques funcionales

El desarrollo del sensor de presión incluye básicamente microestructura, elementos de

detección, técnicas de microfabricación, así como la mejora de la sensibilidad. El diseño
del concepto básico de un sensor de presión piezorresistivo se expresa en la figura 4.
 Figura 4

Los elementos más interesantes y notables de los sensores de presión son el diafragma
elástico delgado fijado alrededor de su perímetro y los elementos sensores
piezoresistivos están dispuestos en un circuito de puente de Wheatstone conectado en
la parte superior del chip. Esta conexión está debidamente compuesta de un elemento
piezo-resistivo de tipo p. Si se aplica una presión uniforme en la parte posterior del
diafragma, se deforma la resistencia cambiante de los piezoresistores y esto se
detectará por un cambio en el voltaje. La mejora de la sensibilidad y las técnicas de
micro fabricación también son esenciales en las aplicaciones de microfluidos.

b) A nivel de circuitos electrónicos

La piezoresistencia se define como un cambio en la resistencia eléctrica de los sólidos

cuando se somete a campos de tensión. Los piezoresistores de silicio que tienen tales
características se usan ampliamente en microsensores y actuadores. Los
piezoresistores tienen una alta ganancia y exhiben una buena relación lineal entre la
tensión aplicada y la salida de cambio de resistencia. Pero estos sensores sufren debido
a la dependencia de la temperatura de los coeficientes piezoresistivos. Esta naturaleza
piezoresistiva del silicio hace que el uso de resistencias difusas o implantadas sea una
técnica obvia y directa para medir la tensión en un diafragma de silicio micromaquinado
El esquema de un sensor de presión empaquetado se muestra en la figura. La vista
superior de la matriz de silicio muestra cuatro piezoresistores (R1, R2, R3 y R4)
implantados debajo de la superficie de la matriz de silicio. Estos piezoresistores
convierten los esfuerzos inducidos en el diafragma de silicio por la presión aplicada en
un cambio de resistencia eléctrica, que luego se convierte en salida de voltaje por un
circuito de puente de Wheatstone como se muestra en la Figura 5.
 Figura 5

c) A nivel de diseño geométrico

Model 1 − Piezoresistive Sensors by Lynn Fuller

La estructura propuesta por [Lynn Fuller 2005] que se muestra en la figura 6. y su

modelo Comsol se muestran en la figura En este modelo, las posiciones de las
resistencias están cerca de los bordes de la membrana (línea discontinua) porque el
efecto piezoresistivo depende de la tensión (respectivamente en la tensión) que es alta
cerca de los límites fijos. Considerando la distribución resultante de la tensión, las
resistencias R1 y R4 están dispuestas transversalmente y los sensores R2 y R3 están
dispuestos longitudinalmente. Debido a que la tensión disminuye desde los bordes hasta
el centro de la membrana, las resistencias dispuestas longitudinales se dividen en dos
partes más cortas que se conectan en serie y se colocan de manera que se aplique una
tensión media más alta en las resistencias para reforzar la resistencia piezoresistiva.
efecto. Se aplica un potencial eléctrico de 9 V entre las almohadillas metálicas A y C. La
salida medida del dispositivo es la diferencia de potencial entre los valores absolutos de
los voltajes en las almohadillas metálicas B y D.

Figura 6

Model 2 − Silicon pressure transducer by M Bao:

La estructura propuesta por [M.Bao 2005] que se muestra en la Figura 7 y su modelo

Comsol se muestran en la figura 2.2. En este modelo, las cuatro resistencias están
alineadas a lo largo de un borde para simplificar las conexiones entre ellas. La conexión
se realiza utilizando un puente de piedra de trigo nuevamente y se indica mediante las
áreas grises en la figura. Se aplica una diferencia de potencial de 3V entre la almohadilla
de conexión superior e inferior. La salida del dispositivo es el voltaje entre los terminales
de conexión del medio. El diseño analítico de dicho sensor se simula con Matlab.
 Figura 7

5. MATERIALES Y EQUIPOS

COMSOL Multiphysics

Los ingenieros y científicos utilizan el software COMSOL Multiphysics® para simular

diseños, dispositivos y procesos en todos los campos de la ingeniería, la fabricación y
la investigación científica. COMSOL Multiphysics® es una plataforma de simulación que
abarca todos los pasos del flujo de trabajo de modelado, desde la definición de
geometrías, las propiedades de los materiales y la física que describe fenómenos
específicos hasta la resolución y el pos procesamiento de modelos para producir
resultados precisos y confiables.
Es un paquete de software de análisis, solución y simulación de elementos para diversas
aplicaciones de física e ingeniería. Los sistemas MEMS están diseñados principalmente
para detectar biomoleculares específicos a muy baja concentración. El principio de
detección varía según el dispositivo, la naturaleza de las moléculas y la precisión
requerida. Los dispositivos en de tamaño volátil micrométrico se pueden utilizar como
sensores muy sensibles y simples en el entorno ambiental.

MEMS MODULE

Este módulo provee interfaces predefinidas al usuario con herramientas de modelado

especializadas, denominadas como interfaces físicas, para una variedad física
acoplada, incluidas las interacciones de estructura electromagnética, estructura térmica
o estructura de fluido. También incluye una variedad de fenómenos de amortiguación
para evitar factores de perdida en materiales sólidos y piezoresistivos.
 Figura 8

6. Productos esperados

Galgas extensométricas

La medición de la deformación es importante en numerosas aplicaciones en ciencia e

ingeniería, y los extensómetros metálicos son ampliamente utilizados. El principio de
medición se basa en el cambio en la conductancia eléctrica y la geometría de un
conductor estirado. Los medidores de deformación de metal y semiconductores son
funcionalmente equivalentes, y el medidor de semiconductores exhibe una mayor
sensibilidad a la deformación y la temperatura.

Una resistencia lineal de silicio se modela y se forma antes de que crezca una capa
aislante de dióxido de silicio. Las vías se abren en el óxido antes de que el metal se
deposite y se modele para definir los contactos eléctricos. El piezoresistor de tipo p está
aislado del sustrato de tipo n por una región de agotamiento. Los sensores
piezoresistivos prácticos suelen incluir múltiples piezoresistores para reducir su
sensibilidad a la temperatura .Por ejemplo, se pueden combinar cuatro medidores de
deformación lineal en una disposición cuadrada con dos medidores orientados con su
flujo de corriente eléctrica paralelo a la dirección de la tensión aplicada (carga
longitudinal) y dos orientados perpendicularmente a la tensión aplicada (carga
transversal).
 Figura 9

Ejemplo de diseño y fabricación de galgas extensométricas uniaxiales.

Una resistencia lineal de silicio se forma mediante implantación de iones o dopaje por
difusión antes de que crezca un óxido de pasivación. Se abren vías en el óxido, se
deposita el metal y se modela litográficamente, y el sensor se corta en cubitos de la
oblea. El piezoresistor de tipo p está aislado del sustrato de tipo n por una región de
agotamiento. Se pueden combinar cuatro medidores de deformación lineales en un
patrón cuadrado formando un puente completo de Wheatstone para compensación de
temperatura y máxima sensibilidad a la deformación.
Más recientemente, los patrones de rosetas sensibles al estrés se han integrado en la
matriz de silicio para medir las tensiones del empaque del circuito integrado, las fuerzas
de unión de los cables y los parámetros del proceso de bola de soldadura de chip
invertido.

Sensores de presión

Los sensores de presión se encuentran entre los sensores micromaquinados más

exitosos.
Los medidores de deformación de silicio se unieron con epóxido a la superficie de un
diafragma de metal mecanizado. Por lo general, se emplearon cuatro medidores de
deformación de semiconductores, dos en el centro del diafragma y dos en el borde, lo
que permite la configuración en un puente Wheatsone de cuatro brazos activos que:
proporcionó una salida de voltaje proporcional a R / R, mayor sensibilidad, anuló la
salida y proporcionó Una corrección de primer orden para el cambio a cero con la
temperatura. Estos sensores estaban destinados a aplicaciones industriales,
aeroespaciales y biomédicas de alto costo y bajo volumen.
Avances tecnológicos y teóricos destacados en el desarrollo de fabricación de circuitos
integrados, MEMS y transducción piezoresistiva en las últimas cinco décadas.
Fueron los primeros dispositivos comerciales que requirieron micromaquinado
tridimensional de silicio. En consecuencia, esta tecnología fue un precursor
singularmente importante para la tecnología MEMS que surgió en la década de 1980.
Algunos de los primeros trabajos de optimización de piezoresistor se realizaron para
sensores de presión. Kanda y Yasukawa trabajaron en la optimización del diseño de los
sensores de presión en 1997 y consideraron el efecto de numerosos efectos de segundo
orden, como la uniformidad del grosor del diafragma.
La mayoría de los sensores de presión fabricados hoy todavía usan transducción
piezoresistiva. Las ventajas de la detección piezoresistiva en comparación con la
detección capacitiva incluyen la facilidad de las configuraciones de detección de presión
diferencial y la ausencia de errores relacionados con el estrés de la película y fallas del
micromecanizado de superficie.

Vigas en voladizo

Las vigas en voladizo son una estructura micromaquinada ubicua. Las vigas en voladizo
con carga final se usan ampliamente para detectar la fuerza y los desplazamientos en
la microscopía de exploración. El depósito de una película químicamente sensible
transforma un haz en voladizo en un sensor de tensión superficial. Un haz en voladizo
se puede conducir por resonancia para transducir la masa añadida de átomos
individuales en una señal eléctrica para detección química portátil, cromatografía de
gases o espectroscopía de masas. La adición de una masa de prueba al final de la viga
en voladizo la transforma en un acelerómetro.

Quizás la aplicación más conocida de los voladizos como sensores de fuerza y

desplazamiento se encuentra en la microscopía de fuerza atómica (AFM). En 1993,
Tortonese et al. Utilizó por primera vez la transducción piezoresistiva para detectar el
desplazamiento en voladizo AFM. La transducción piezoresistiva es atractiva por su
simplicidad y confiabilidad porque: la ausencia de elementos sensores externos
simplifica el diseño de un AFM para muestras grandes y entornos adversos (alto vacío,
etc.) y reduce el costo de la configuración experimental; el funcionamiento del
microscopio se simplifica aún más al eliminar la necesidad de una alineación óptica
precisa; el AFM piezoresistivo requiere bajos voltajes y circuitos simples para su
funcionamiento. Sin embargo, la implementación de un piezoresistor en el voladizo
agrega un costo de fabricación y los voladizos piezoresistivos no se producen
ampliamente en la actualidad. Al menos uno de los motivos es el desgaste de la punta
experimentado por todos los voladizos de silicio al escanear muestras duras; El
reemplazo frecuente de los voladizos AFM amplifica el costo adicional de incorporar la
detección piezoresistiva.

Los voladizos piezoresistivos de AFM pueden abordar muchas aplicaciones

especializadas que están más allá de las capacidades de transducción óptica. Voladizos
piezoresistivos accionados individualmente se han desarrollado para imágenes
paralelas de alta velocidad. Los actuadores integrados (térmicos o piezoeléctricos)
permiten aumentar el ancho de banda de la imagen (hasta varios cientos de kHz) al
reducir la masa efectiva del sistema. Brugger y col. demostró mediciones de fuerza
lateral utilizando piezoresistores de superficie en voladizos AFM. Brugger y col. también
fabricado y probado voladizos piezoresistivos ultrasensibles para magnetometría de
torque. Hagleitner y col. fabricó los primeros voladizos AFM piezoresistivos de escaneo
paralelo integrados con electrónica complementaria de semiconductores de óxido de
metal (CMOS) en chip.
8. FABRICACION Y MANUFACTURA

Empresas para manufactura de MEMS

Asia Pacific Microsystems, inc.

APM se ha dedicado a proporcionar el servicio de fundición de MEMS durante más de

15 años. Al diferenciarse de las fundiciones de circuitos integrados, la fundición MEMS
se centra en el desarrollo de microestructuras tridimensionales y/o microchips ópticos,
mecánicos y eléctricos integrados. Estos incluyen dispositivos tales como sensores de
presión y ambientales, banco óptico de silicio y estructuras microfluidicas.

Figura 9
Rogue Valley Microdevices

Especializada en MEMS y en la fabricación de dispositivos biomédicos, Rogue Valley

Microdevices es una fundición de MEMS de servicio completo que combina módulos de
procesos de vanguardia con la experiencia en ingeniería para ir sin problemas desde el
diseño personalizado hasta la fabricación de dispositivos.

Figura 10

STMicroelectronics

ST ofrece la gama más amplia de MEMS y sensores que cubren una gama completa de
aplicaciones, donde dispositivos de baja potencia para IoT y aplicaciones, desde
dispositivos de baja potencia para IoT y aplicaciones con batería hasta dispositivos de
alta gama para una navegación y posicionamiento precisos, industria 4.0, componentes
de realidad virtual aumentada y teléfonos inteligentes.
 Figura 11

Estadísticas

Manufactura de MEMS por Empresas

Manufactura de MEMS por países y continentes

9. Bibliografía

[1] Mawahib Gafare; M. H.Md Khir; Almur Rabih (2015)”Modeling and simulation of
polysilicon piezoresistors in a CMOS-MEMS resonator for mass detection”.Universiti
Teknokogi PETRONAS.

[2] Z.J. Zhou; L.Rufer; M. Wong (2015)”AERO-ACOUSTIC MICROPHONE WITH

LAYER-TRANSFERRED SINGLE-CRYSTAL SILICON PIEZORESISTORS” The Hong
Kong University of Science and Technology.

[3] Trigunesh Narzary, R.Kumar (2018)“MEMS-Based Diaphragm Pressure Sensor

using S-shaped Piezoresistors for Enhancing Sensitivity”. National Institute of
Technology Nagaland.

[4] Chi Zhang; Gaofei Zhang; Zheng You (2007) “Piezoresistor Design for Deflection
Angles Decoupling Measurement of Two-Dimensional MOEMS Scanning Mirror”.
Tsinghua University.