Prácticas - de - La - Física - de - Materiales - Semiconductor... - (PG - 102 - 167) PDF

101
t Banda de (vacia)
Conduccion
Banda de
Conduccion
Banda de
Conduccion
Eg = Banda
,
prohibida
I Eg
~<.\~'; ~:··:::~:~-:~~~~;{:~~:r ::_~':'l':::,=::~ .~.;:.:;:::::.:~~~.

~ ..... -••• -- ........... _. ~' '!'.
" , Banda de valencia,; '.•: ;·.;·.Ba~d~de· ~~le~~ia~':" ~~:fJandf! ~e.va~e~e~<~;
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(a) (b) (e)
FIGURA 1.1 Bandas de energia para a) aislador, b) semiconductor y
c) conductor (metal).
mero de electroIies libres para conducci6n de corrientes

electricas en la banda superior casi vacia, y ademas, los esta-
dos electr6nicos vacios que quedan cerca de la parte superior
de la banda mas baja (de valencia) permiten que esta banda
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contribuya al flujo de corriente electrica, a traves del meca-

nismo de conducci6n por huecos. Un material como este se
conoce como semiconductor y se Hustra en la Fig. 1.1 (b).
Si el numero de electrones de un cristal no basta para lle-
nar par completo la banda de energia mas elevada, sino que la
llena solo en parte, entonces muchos de ellos se comportan
como electrones libres y sirven como carga 0 como portado-
res de carga, Un cristal de esta naturaleza presentani todas las
propiedades caracteristicas de un conductor metalico, por
ejemplo, alta conductividad eIectrica y termica, Fig. 1.1 (c).
1.1 Materiales semiconductores
Los semiconductores pueden ser elementos (Ge, Si) 0

compuestos qulmicos (GaAs, InSb, etcetera). Los semicon-
ductores elementales de mayor interes pnictico aparecen
Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,
2010. ProQuest Ebook Central, http://ebookcentral.proquest.com/lib/unadsp/detail.action?docID=3187831.
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102
Tabla 1.1
Niveles de
Grupo III Grupo IV Grupo V energia
Boro (B S ) Carbono (C 6 ) !! N"'

Itrogeno (N7) K,L
Aluminio (Al 13 ) Silicio (Si14) : Fosforo (piS) K, L,M
Gallo (Ga 31 ) Germanio (Ge 32 ) Arsenico (As 33 ) K, L,M,N
Indio (ln49 ) Estano (Sn S0) Antimonio (Sb S1
) K,L,M,N,Q
en el grupo IV de la tabla periodica de los elementos, tal

es el caso del Silicio y el Germanio.
En la tabla 1.1 aparecen elen1entos quimicos de interes
en el campo de los semiconductores.
En la tabla anterior, los elementos trivalentes y pentava-
lentes forman compuestos que se comportan como los ele-
mentos tetravalentes, tales como: Galio y Arsenico, Antimo-

nio, Indio, etcetera.
Hablemos ahora del Ge, elemento que se usanl en las expe-
riencias subsiguientes. En la Tabla 1.1, obsenramos que el
Ge tiene 32 electrones; 28 est{m en los nive1es internos y
4 estan en la banda de valencia; estos 4 electrones de la capa
externa toman parte en las reacciones quimicas, 0 bien en
10 que estamos interesados, es decir, en la conductividad
electrica.
Supongamos que se tiene una muestra de Ge puro (intrin-
seco), que primero se funde y luego se enfrfa. Cuando e] Ge
solidifica forma una estructura cristalina. En la estructura
cristalina cad a atomo comparte sus cuatro electrones de va-
lencia con los atomos adyacentes; asi que, al compartirse
mu tuamente un electron de cada atomo, resultan los pares
de electrones llamados enlaces covalentes. Estos enlaces co-
valentes pueden ser rotos unicamente empleando alguna
103
can tidad de energia. Por ejemplo, la energia necesaria para

romper el enlace covalente de un crista! de Ge es de O.? 5 e V.
La naturaleza raras veces nos presenta estructuras cristali-
nas ideales. Generalmente existen impurezas que perturban
la estructura cristalina en su estado ordenado. Cuando nos re-
ferimos a un cristal ideal se habla de un monocristal, en el
cual el cristal crece de un solo centro; en las estructuras poli-
cristalinas, la cristalizaci6n se desarrolla en muchos centros.
1.2 Semiconductores intrinsecos
En la estructura cristalina de un monocristal de Ge, todos los

electrones de valencia estan ligados en enlaces covalen tes y no
hay electrones libres, por 10 tanto, un monocristal de Ge en
estas condiciones aparece como un aislador ideal, sin embargo,
esto es cierto unicamen te en el cero absolu to (0° K) cuando
no existe energia que excite a los electrones. A la temperatu-

ra ambiente, hay bastante energia calorffica, de tal manera
Hueco
Electron libre
FIGURA 1.2 Observe en el atomo central, un enlace covalente roto con un

electron libre y un hueco.

104
que muchos electrones se liberan de sus enlaces covalentes, y

estos electrones libres se aprovechan para transportar corrien-
te, a traves del material.
Cuando un electron es liberado, el vacio que queda en ese
enlace covalente t:oto, se llama hueco, esta circunstancia
se representa simb6licamente en la Fig. 1.2.
EI hueco que queda al romperse el enlace covalente, ne-
cesita una carga negativa que atraera un electron de uno
de los ~itomos vecinos. En turno este electron dejani atras
un hueco y asi, bajo la influencia de un calnpo electrico, el
electr6n se movera hacia el polo positivo, en tanto que el hue-
co hacia el polo negativo comportandose este ultimo como
particula cargada. De acuerdo con nuestra Fig. 1.1 podemos
concluir que un electron libre salta de la banda de valencia a
la banda de conduccion, mien tras que un hueco permanece
en la banda de valencia.
Un electr6n se mueve al azar en un cristal, sin embargo, tie-
ne la posibilidad de encon trar un hueco, cuando esto sucede

el enlace covalente es restablecido y los pares electron-hue co
dejan de existir como portadores de carga, este proceso se
conoce como recombinaci6n. La generacion y recombinacion
de los pares electr6n-hueco represen tan un estado perma-
nente en el cristal de Ge y ambos procesos se equilibran
mutuamente. A mayor temperatura la raz6n de generacion
es mayor, al mismo tiempo la raz6n de recombinaci6n es
mayor tam bien. Asi, vemos que los portadores tienen un
tiempo de vida limitado de su generaci6n a su recombinaci6n.
Su tiempo de vida es una cantidad estadfstica que puede
tener mucha variaci6n individual. En el Ge el tiempo de vida
promedio de sus portadores es 10-6 seg. A prinlera vista nos
parece un tiempo de vida muy corto, no obstante, en cual-
quier momenta existe siempre un numero definido de porta-
dores libres, los cuales con(ribuyen a una ma.yor 0 menor
conductividad.
105
A mayor temperatura, existira una mayor generaci6n de

portadores, por 10 que la concentracion de estos ultimos
tambh~n sera mayor, siendo esta concentracion de porta-
dores proporcional tanto al numero de electrones n como
al numero de huecos p.
En un cristal de Ge intrinseco, el numero de electrones
es igual al numero de huecos, podemos escribir por 10 tanto
que:
0.1 )
o bien
(1.2)
nj = concentraci6n intrinseca (material semiconductor muy

puro).
A la temperatura ambiente el valor de ni es de 2.4 x 10 13

cm- 3 para el Ge y 2 x 1010 cm- 3 para el Si.
Un dato importante es que en el Ge se libera un electron
por cada 109 atomos aproximadamente, en tanto que, en el
Si el numero de electrones libres para esta misma cantidad
de atomos es unas mil veces menor. Como en estos elementos
muy puros los electrones de conduccion y los huecos siem-
pre estan presentes en igual numero, entonces la conductivi-
dad intrinseca, como veremos mas adelante, presenta dos ti-
pos de portadores de carga.
1.3 Semiconductores extrinsecos
Hasta aqui hemos hablado de las concentraciones de portado-

106
res de un cristal puro. ~ Que ocurre cuando el cristal de Ge no

es puro?
Cuando algunas impurezas estan presentes en el cristal, los
atomos de las impurezas desplazaran algunos ,Homos de Ge
en el cristal; y muchos de los electrones de valencia de los
atomos de las impurezas no formaran enlaces covalentes con
los atomos vecinos de Ge. En el cristal estos electrones no-
ligados. se aprovechanin como portadores de carga; los semi-
conductores con impurezas son, sin considerar en forma
determinante la temperatura, buenos conductores de la co-
rriente. Veamos como se lleva a cabo esto.
Al cristal de Ge puro, se agregan intencionallmente impu-
rezas que pueden ser elementos trivalentes 0 pentavalentes
(vea tabla 1.1). Como un ejemplo, supongamos que el Ge
FIGURA 1.3 a) Red cristalina de Ge impurificado con un atomo pentavalente (Sb).

b) Con un lltomo trivalente (In).

107
es impurificado con antimonio, el cual tiene 5 electrones de

valencia en su orbita externa y puesto que los tamafios de
los atomos de Ge y de Sb son comparab1es, entonces este
ultimo puede ocupar la posicion de un atomo de Ge en 1a
estructura cristalina. Normalmente existe una cantidad su-
mamente pequena de atom os de impureza, digamos uno en
un millon, por 10 tanto, cada atomo de impureza estara
completamente rodeado por los atomos de Ge. De los cinco
electrones de valencia que tiene el Sb, cuatro de elIos forma-
ran enlaces covalentes con los electrones de valencia de un
atomo vecino de Ge, mientras el quinto electron de valencia
permanece no-ligado al enlace covalente; este electron estci
en libertad para conducir la corriente, exista 0 no energfa
termica para generar los pares electron-hueco.
En un cristal de Ge puro, para liberar un electron de su en-
lace covalente, como se dijo antes, se necesita una energfa de
0.75 eV, en tanto que, para 1iberar el electron sobrante del
,Homo de Sb y enviarlo de la banda de valencia a la banda de

conduccion, unicamente se necesitan 0.01 eV. Y puesto
que la energfa termica a la temperatura ambiente es cerca de
0.02 eV, esta es suficiente para llevar practicamente todos
los electrones de valencia del Sb no-ligados, a la banda de
conduccion.
En la Fig. 1.3 (a), en la parte central, se muestra un citomo
de antimonio (Sb) con un electron libre. Estos atomos pen-
tavalentes donan electrones libres al cristal de Ge y son lla-
mados citomos donadores 0 impurezas tipo-n, por 10 tanto,
el semiconducto~ tam bien sera tipo-n.
El caso opuesto se presenta cuando el cristal de Ge es im-
purificado con ~ltomos trivalentes. Por ejemplo con atomos
de indio, los cuales tienen tres electrones de valencia en su
6rbita externa y dado que los citomos de In tienen tamano
similar con los de Ge, entonces aquellos pueden reemplazar
a uno de estos en la estructura cristalina. Tomando en con-

108
sideracion la valencia del In, vemos que unicamente tres

enlaces covalentes quedan Henos y el vacio que existe en el
cuarto enlace constituye un hueco (Fig. l.3 (b)). Dado que
estos atomos trivalentes crean huecos, entonces aceptan
electrones, por 10 cual se les llama aceptores 0 impurezas
tipo-p, al semiconductor que los contiene tambi~:n se Ie cono-
ce como tipo-p.
As!, un cristal de Ge dopado (impurificado) con estas
impurezas es un conductor de corriente mucho mejor, es de-
cir, el grado de conductividad esta determinado por el grado
de impurificacion, ya que con una impurificacion grande, la
conductividad surge espontaneamente. Este tipo de conducti-
vidad es Hamada extrfnseca.
En una muestra de Ge tipo-n, hay un numero muy grande
de electrones libres, pri1l:cipalmente debido a la impureza y,
s6lo en un grade despreciable, por efectos de la temperatura.
Sin embargo, existe tam bien un numero pequeno de huecos
por causa directa de los efectos de la temperatura y ambos
tipos de portadores toman parte en la corrien te electrica. En

este caso (Ge tipo-n) los electrones son los portadores mayo-
ritarios, mientras que los huecos son portadores minoritarios.
Es importante darnos cuenta que los portadores minorita-
rios Juegan un papel dominante en la accion de un transistor,
en tanto que los portadores mayoritarios en la accion de un
diodo.
En una muestra de Ge tipo-p, los portadores mayoritarios
son los huecos y los electrones pasan a ser los portadores
minoritarios.
En un semiconductor extrinseco podemos decir con buena
aproximacion que a la temperatura ambiente la concentra-
cion de portadores mayoritarios es igual numericamente a la
concentracion de impurezas afiadidas al semiconductor.

109
1.4 Estadistica de los portadores en equilihrio

(para semiconductores no degenerados)
Semiconductor intrinseco
La poblacion de huecos y electrones en un semiconductor se

describe estad!sticamente de acuerdo con la funcion de dis-
tribucion 'de Fermi-Dirac y las funciones de densidad de
estados en las bandas de valencia y de conduccion. La densi-
dad de estados en la banda de conduccion se expresa median-
te 1a ecuacion:
8 V2if
gc(E) = ----m:
h 3
3/2
VE - Ec , E> Ec (1.3)
y 1a densidad de estados en 1a banda de valencia es:

8 .J2i
m* 3/2 0.4)
h
En condiciones de equilibrio termico, la probabilidad de

que un nivel de energ{a E este ocupado por un electron, esta
dada por 1a distribucion de Fermi-Dirac.
F(E) (1.5)
E-F
e + 1
KT
K = constante de Boltzmann
T = temperatura absoluta
F = energia de Fermi (energia maxima posible de los
electrones en el metal para T = 0° K).
110
En estas condiciones de equilibrio termico, el numero de

electrones dno por unidad de volumen que tienen una energia
dentro del rango dE alrededor de la energia E en la banda de
conducci6n de cualquier semiconductor intrinseco 0 con im-
purezas es:
KT
( 1.6)
Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de con-

ducci6n y esta dada por:
h :::: constante de Planck.
EI numero de huecos dpo por unidad de volumen en la

banda de valencia, se puede hallar de un modo similar. En
este caso, podemos expresar dpo como el numero de huecos
en la banda de valencia den tro del rango de energia dE alre-
dedor de la energia E.
EV
Po =
J _00
( 1.7)
Nv = 2(2n mhKT /h 2 ) 3/2 ,es la densidad efectiva de esta-

dos cuanticos. (1-F(E) ) es la probabilidad de que un estado
III
cuantico de energia E este ocupado por un hueco, es decir, la

probabilidad de que un nivel de energia no este ocupado por
un electron.
Por la ecuacion (1.1) sabemos que para un material intrin-
seco Po = no = ni (T). Sin embargo, para una muestra semi-
conductora con impurezas, el numero de huecos y electrones
ya no es el mismo; no obstante, el producto no Po es el mismo
tanto para el material con impurezas como para la sustancia
intrinseca, esto es, para ambas sustancias se cumple:
nopo nT (T)
no concentracion de electrones en equilibrio
Po = eoncentracion de huecos en equilibrio
donde, de aeuerdo con lasecuaciones (1.6) y (1.7) obtenemos

que
E e - Ev
nJT)
2KT
0.8)
111; masa eficaz de los electrones
111 Ii masa eficaz de los huecos
observe en esta ecuaci6n U.8). la gran dependencia de ni(T)

de Ia temperatura y de la banda prohibida Eg = ~E = Ee Ev.
Por las miS111aS expresiones (1.6) y 0.7) pOdelTIOS obtener la
. energia de Fermi Fi. para un selllieonductor intrfnseco, la eual
esta dada por la expresi6n:
112
1.5 Posicion del nivel de Fermi en funcion de la concentracion

de impurezas y de la temperatura
Un semiconductor puede contener tanto una concentra-

cion de impureza donadora Nd , como una concentracion de
impureza aceptora Na , en la figura (104) se muestra el esque-
ma energetico de tal semiconductor.
Para determinar la posicion de nivel de Fermi en el semi-
conductor se utiliza la condicion de electroneutralidad, la
cual esta descrita p~r la ecuacion:
(1.10)
TId concentracion de donadores no-ionizados
Pa = concentracion de aceptores no-ionizados.
Ee r-~-----~-----~------------~P-------------
Ed -- -_. - - - - . ---- - Nd, nd
__-_--..._-_.......,..___-e-
: '---o- __~ No, po
__-_---,.a..--_-e
FIGURA 1.4 Semiconductor con impurezas donadoras n y aceptoras p.

113
Como esta ex presion presenta dificultades para determinar

el nivel de Fenni, veremos la solucion de problemas particu-
lares que presentan, no obstante, un gran valor practico.
1.6 Semiconductor por exceso (Tipo-n, con Na = 0).
En primer lugar analicemos el dominio de temperaturas, para

las cuales tiene lugar la ionizacion de las impurezas donado-
ras Nd , mientras la excitacion intrinseca es despreciable. La
condicion de electroneutralidad 0.10) en este caso se escribe:
(l.ll)
o bien
no Nd - nd = Pd
Pd = can tidad de iones positiv~s de la impureza do-

nadora, y esta dada por:
Nd
Pd no
(3e11 + Ed + 1
(3 2 (grado de degeneracion del esp{n)
Ec - Ed
Ed =
KT
F - Ec
11 =
KT
114
considerando que no existe degeneracion, entonces no = Nc e11 ,

de aquf obtenemos que:
Sustituyendo el valor de e11 en Ia ecuacion para Pd' no que-

da como
Esta ecuaci6n reacon10dando tenninos puede escribirse en

la siguiente fonna:
Puesto que no > 0, entonces la solucion de la ecuacion

clladnitica anterior esta dada por la expresi6n:
la eual puede reducirse a:
+1

115
La expresion para el nivel de Fermi se determina mediante

la Ec. (1.6), obteniendo:
F = Ee - KT Qn -
Nc
+
JNc
--
2
[ 2Nd 2Nd
(1.13)
En la region de las bajas temperaturas, la Ec. (1.13) se sim-

plifica a 1a relacion:
2 (1.14)
Por la Ec. (1.14), vemos que para un semiconductor tipo-n,

a la temperatura del cero absoluto, el nivel de Fermi se dis-
pone en el centro entre el fondo de la banda de conduccion

y el nivel de energia de la impureza donadora. En la region de
temperaturas muy bajas (del orden de algunos grados Kelvin),
el nivel de Fermi a1 principio aumenta hasta cierto valor ma-
ximo y luego comienza a disminuir hasta alcanzar nuevamen-
Ee + Ed
te el valor F = - - - - como en el cera absoluto (T = OOK),
2
Fig. 1.5.
Con el aumento ulterior de la temperatura, el nive1 de Fer-
mi continua bajando. A tal desplazamiento del nivel de Fermi
corresponde una concen traci6n de electrones que depende
exponencialmente de la temperatura, es decir:
Ec - Ed
urI NcNd) 1/2 e 2KT ( 1.15)
116
E "0
~
Ed
I
I
I
---+---
I
A I
I
B c :l\
C
I
I
I
B
I
I A
Ts I
~------------------.T ~----~I------.--~--~.lIT
(a) 1 IT; 1 ITs
(b)
FIGURA 1.5 Variacion de la posicion del nivel de Fermi (a) y la (~oncentracion de

etectrones (b). con la temperatura para un semiconductor tipo-n.
A la regi6n A, de la Fig. 1.5 (a). se Ie conoce cOlno regi6n

de ionizaci6n debil de la impureza: la correspondiente varia-
cion de la concentrad6n de dectrones con la tenlperatura, se

muestra en Ia Fig. 1.5 (b). tatnbien en Ia regi6n A.
Con el aumento posterior de la telnperatura la concentra-
cion de electrones se hace comparable con la concentracion
de la impureza Nd y para este caso, par la Ec. (1.14) obte-
nemos para el nivel de Fermi:
( 1.16)
mientras que la concentracion de electrones es:
(1.1 7)
Esto significa que practicamente toda la impureza donado-

ra esta ionizada y la concentracion de electrones en la banda
11 7
de conduccion no depende de la temperatura. Esta region de

temperaturas para la eual tiene lugar la ionizaci6n total de la
impureza, se llama regi6n del agotamiento de la impureza (0
regi6n de saturaci6n). En Ja Fig. 1.5 esta marcada en la re-
gi6n B.
Cuando no = N d , la posicion del nivel de Fermi es varios
KT inferior al nivel de impureza Ed' En conseeuencia al au-
mentar la temperatura, el nivel de Fermi interseea, al bajar,
el nivel Ed y sigue hacia abajo. La temperatura a la cual,
F = Ed' se llama temperatura de saturaei6n y se design a por
Ts' A partir de la Ec. 0.16) hallam os que:
0.18)
Para una muestra de Ge tipo-n aleada eon Sb y con Nd ~

10 16 cm- 3 , la temperatura de saturacion es del orden de 32° K
(observe que es muy baja).

Al seguir aumentando la temperatura, la concentracion de
electrones en la banda de conduccion erece debioo al saito
de los electrones de la banda de valencia. En este easo la
posicion del nivel de Fermi y la concentracion de electrones
se detennina por las ecuaciones (1.8) y (1.9). En la Fig. 1.5,
C eorresponde a una region en la que la excitaci6n intrfnseca
predomina. Para este caso F = Fi Y de las ecuaciones (1.9) y
0.16) obtenemos:
Nc
Fi = Ec - KTi Qn-- ( 1.19)
Nd
de donde se ded~ce que la temperatura intrfnseca es:
( 1.20)
118
Utilizando estas deducciones, podemos seguir la variacion de

1a concentracion de electrones y la variacion de la posicion
del nivel de Fermi en la banda prohibida de un semiconduc-
tor tipo-n en toda la regi6n de variaci6n de la temperatura.
1. 7 Semiconductor por defecto tipo-p (Nd = 0) .
La solucion del problema para una muestra semiconductora

aleada con impureza aceptora, es similar a la solucion de una
muestra semiconductora por exceso. La condici6n de electro-
neutralidad tiene ahora la forma:
Po = na = Na - Pa ( 1. 21 )
na = a la cantidad de electrones enlazados con la impu-
reza aceptora.
2 Na
Po = - - - - - - - - - - - - (1. 22)
[ 1 + 4J3e€i-€a Na Ny +1
KT
La posicion del nivel de Fermi se determina par la igualdad:
Nv
(3 - -
.
e
Ea -By]
•Na KT
0.23)
En Ia region de bajas temperaturas, el nivel de Fermi esta da-

do por:

119
( 1.24)
Esta ecuaci6n nos dice que a la temperatura del cero abso-

luto, en un semiconductor por defecto (tipo-p), el nivel de
Fermi esta en el centro, entre el techo de la banda de valencia
y el nivel de impureza aceptora, es decir, F = .Ev ; Ea. Al ele-
var la temperatura, el nivel de Fermi en un principio descien-
de y luego asciende hasta el nivel Ea' La concentraci6n de
huecos en esta regi6n esta dada por:
(1.25)
Para altas temperaturas, por la ecuaci6n (1.23) obtenemos

para el nivel de Fermi:
E J
~-----------------------------------Ec
r- - - - - / - - - - : : : - ' - :- - - - - - - - Eg/2
r~-----~~~I~-------~I-----------------Ea
- I I
r-------~I--------~I------------------Ev
~------~f--------_~I--------------------~T
Ts Ti
FIGURA 1.6 Variacion de la posicion del nivel de Fermi con la temperatura para
un semiconductor por defecto (tipo-p).

120
(1.26)
y la concentracion de huecos esta dada por:
( 1.27)
La region de agotamiento del semiconductor por defecto,

como en el caso de la impureza donadora comienza en las
altas temperaturas y se caracteriza por la ionizacion total de
los atomos de la impureza aceptora.
Cuando se continua aumentando la tempera1tura el nivel de
Fermi asciende al centro de la banda prohibida y el semicon-
ductor tipo-p, se comporta como un semiconductor intrinseco.
1.8 Movilidad de los portadores.

Al aplicar una temperatura cualquiera, puede ~~xistir una dis-

persion importante de las velocidades y energias termicas de
los portadores, aun cuando estos cambios increlmentales tanto
en las velocidades
-+
como en las energias sean muy pequefios.
Sea Vi = velocid~d incremental media, comunicada por
una fuerza aplicada F, a una particula de un grupo 6 n (K)
de estas; como consecuencia del mayor numero de choques
(por unidad de tiempo) producido por el incremento de velo-
cidad en las particulas del grupo
-+
6 n (K), se produce. una "fuer-
za resistente" proporcional a Vi' esta fuerza resistente tiene
la forma
-+ -+
FR = 0: (K) 6n (K) Vi (1.28)
K = energia cinetica de las particulas.
o:(K) depende de la masa eficaz m * y el tiempo de rela-
jacion 0 tiempo libre medio T.

121
Ahora bien, puesto que el movimiento de un electron de

conduccion (electron libre) de masa eficaz m: queda descri-
to por la ecuacion:
~ dV·
F = m*--l-
e dt (1.29)
y para un grupo IS n (K) es:
( 1.30)
tenemos entonces que la fuerza total F que actua sobre el

grupo esta dada por:
~ ~ ~ ~ dV i
F IS n (K) = F R + Fe = a (K) IS n (K) Vi + IS n (K) m: - -
dt
• Q (K)
si dividimos por IS n (K) m: y haclendo * = (K) ,
me Te
obtenemos:
(1.31 )
supongamos ahora que la fuerza aplicada F, es debida a un

~
campo electrico E, de tal forma que:

~ ~
F = -q E (1.32)
supongamos tam bien que el tiempo de relajacion es indepen-

diente de la energia cinetica, es decir, T=I- T (K). Ademas como
en el estado estacionario:

122
dYi
-=0
dt
si suponemos que esto es el caso para las particulas de la ecua-

cion (1.31), obtenemos finalmente de esta mjsma ecuacion:
-+ -+
F __
1
y.
0.33)
m*e Te
Obtenemos as! como solucion para la ecuacio:n (1.31), una

velocidad de arrast,re estacionaria independien te de la ener-
Wa ci~etica K. Sustituyendo (1.32) en (1.33) y haciendo
Yd = Yi
qTe -+
---E ( 1.34)
m~
La constante de proporcionalidad J.l. e recibe e1 nombre de

movilidad (de los electrones de conduccion), la eual, por con-
veniencia se define con signa positivo.
(1.35)
donde q es la carga del electron (es decir, de los portadores).

La movilidad respectiva para los huecos es:
J.l.h = - - ( 1.36)
m;
como la movilidad es inversamente proporcional ala masa efi-
caz, observe de acuerdo con las Ecs. (1.35) y (1.36) que la
123
Inovilidad de los electrones es mayor que la movilidad de los

huecos, puesto que, mJi > m:.
1.9 Movilidad de los portadores de carga en funci6n
de 1a temperatura.
El calculo anterior denluestra que para determinar la movili-

dad de los portadores de carga debemos conocer el tiempo
libre medio de relajaci6n; y dado que el tiempo de relajacion
depende del mecanismo de dispersion al chocar los portado-
res de carga con distintos defectos de la red cristalina, enton-
ces la movilidad depended. de la temperatura.
Para la dispersi6n de portadores de carga por oscilaciones
acusticas de la red de un semiconductor, la movilidad de las
partfculas esta dada par:
_3/2
J1f (T) = PoQ T ( 1.37)
aquf constante.
De la Ec. (1.37) se deduce que la movilidad debida a las osci-

laciones termicas de la red, disminuye al crecer la temperatura.
Para la dispersion por los iones de impureza, la movilidad
esta dada por la expresi6n:
3/2
PI = POI T (l.38)
Po I = constante.
De la Ec. (l.38) vemos que la movilidad de los electrones

debida a la dispersi6n por iones de impureza, aumenta con la

124
temperatura; puesto que al inerementarse la te:mperatura del

cristal tambien aumenta la velocidad termica de los portado-
res de carga.
De acuerdo con las Ecs. (1.37) y (1.38), podemos conside-
rar que la movilidad de los portadores en funcion de la tem-
peratura se determina por una correlacion del tipo:
1
-=- (1.39)
Jl Jlf
a, b = constan tes.
Es claro de aeuerdo con 1a Ee. (1.39) que, en los materiales

semiconduetores al creeer la temperatura tambien la movili-
dad erece proporcionalmente a T3/2 , si la dispersion se produ-
ce solo por iones de impureza; despues pasa por un maximo
y disminuye proporciona1mente a T_ 3/2 , si los centros de
dispersion son unicamente los fonones (cuantos de energia

acustica).
Ademas para una temperatura dada la movilidad disminuye
I con el aumento de 1a concentracion de impureza.
1.10 Conductividad.
Consideremos una porcion de una muestra de Ge, tal como se

ilustra en la fig. (1.7), can solo un tipo de portador.
Fijando nuestra atencion en un volumen °macroscopico da-
do, por ejemplo el comprendido entre los pIanos A y B, ob-
servarfam as que los electrones
-+
de conducci6n tienen una ve-
locidad de arrastre media Vd' hacia el interior del plano A y
hacia el exterior -+de B como consecuencia de la acci6n de un
campo electrico E aplicado en el sentido de las z negativas.

125
FIGURA 1. 7 Proceso de conduccion de electrones.
Para determinar la carga que atraviesa un plano por unidad

de tiempo, considerese la distancia entre los pIanos A y B
supongamos que hay 0 n electrones por unidad de volumen,

el numero medio de electrones entre los pIanos A y B esta

dado por:
on V ddt = 0 n dz 0.40)
Por 10 tanto, (vea Fig. 1.7) el grupo 0 n (K) de electrones de

conduccien contribuye a la densidad de corriente, a traves del
area de seccien recta de 1 m 2 con:
qVdondt
oj = - = -q V don
dt
As! la densidad total, creada por todos los grupos energeti-

ticos es:
(1.41 )

126
-* -*
Para F q E, la Ec. (1.31) en el estado estacionario
dV·
__1 = 0, nos da una velocidad estacionaria de arrastre
dt
-*
E ( 1.42)
la densidad de corriente ] toma la forma:
y dado queel tiempo de relajacion medio < T > para todos

los electrones de conduccion es:
< T> = _1_ fT 8 n (1.43)

·n
entonces:
la cual, recordando la Ee. (1.35) la podemos escribir:
J = [ q 11. n J E = a. E (1.44)
donde:
( 1.45)
es la conductividad del material.

127
Como en un semiconductor existen simultaneamente dos

tipos de portadores m6viles, electrones de conducci6n y hue-
cos; los cuales.. por tener cargas de sign os opuestos se mueven ~
en sentidos contrarios en un campo electrico E; pero que

tam bien por tener sus cargas opuestas conducen 1a corriente
en el mismo sentido. Tenemos entonces que la adici6n de las
corrien tes de ambos portadores da:
J = q [ l1e n + I1h P] E ( 1.46)
donde:
n = numero de electrones por unidad de volumen

p = numero de huecos por unidad de volumen
J.lh = movilidad de los huecos.
De acuerdo con (1.45), la densidad de corriente puede re-

escribirse como:
(1.47)
donde;
a = a e + a h = q (J.l e n + J.l h p) (1.48)
Es evidentemente, la conductividad total del material debi-

da a los electrones de conducci6n y los huecos.


TEO RIA DE LA PRACTICA No.2
2.0 Efecto Hall.
El efecto Hall, se presenta ruando se aplica un campo magne-

~
tico B perpendicularmente al flujo de corriente en un lnatc-

rial (muestra de Ge para nuestro experimento). En estas con-
diciones se encuentra que en adici6n al campo electrico
longitudinal, normalmente presente, se produce un campo
electrico transversal, perpendicular tanto al flujo nlagneti-
co como al campo electrico longitudinal, de tal forma que la
densidad de corriente y el campo electrico total no son parale-

los, como se muestra en la Fig. 2.1.
Observando la Fig. 2.1, nos damos cuenta que la densidad
de corriente J, fluye bajo la influencia de un campo electrico
longitudinal Ez a 10 largo de la muestra, esta corriente esta
formada por portadores COil velocidades prornedio paralelas
a Ez . Un campo magnetico B aplicado perpendicularmente a
la direcci6n de esta corriente tendra. el maximo efecto sobre
los portadores de la muestra, deflectandolos transversalmente
~ ~
en la direcci6n V x B si son positiv~s e igualmente si son ne-

gativos, debido a la inversion de la direccion de la velocidad
promedio, as! como el signo de la carga. Como consecuencia
de este efecto, resultara una acumulaci6n de carga en los la-
dos de la muestra. Esta acumulaci6n con tinuani hasta que se
establezca una densidad de carga espacial tal, que produzca
~
un campo eIectrico E, que balancee la deflexi6n magnetica.

129
130
~y
FIGURA 2.1 Efecto Hall.

Esto no qlliere decir que cese el efecto del campo magnetico

sobre los portadores~ sino que unicalnente no hay un incre-
lnen to en la acumlllacion de carga en uno de los lad os de la
muestra; debido a que en el estado estacionario, la corriente
producida por el gradiente de concentraciones oeasionada por
el campo magnetico, es balanceada por la corriente de con-
duccion producida por el canlpo electrico transversal, de tal
manera que la densidad de corriente transversal es cero.
El efecto producido por el call1po electrico transversal es
un voltaje, el cual, es susceptible de lnedirse a traves de la
muestra. Este voltaje Hall puede expresarse en funcion del
coeficiente-Hall R H , deduccion que se lleva a cabo como
sigue:
La fuerza
-+
total producida simultaneanlente
-+
por un canlpo
electrico E y un campo magnetico B~ sobre los portadores de
carga esta dada por la expresion de Lorentz:
131
1
donde RH - nq es la constante Hall, para una muestra
tipo-n.
De la misma manera para una muestra ex trinseca tipo-p, se
obtiene:
(2.5)
donde ahora:
I
RH = - -
pq
La fuerza que actua sobre los

,
huecos expuestos simultanea-
-+-
mente a un campo electrico E y un campo magnetico B esta
dada por:
4 4 4 4
F = qE + q VI x B
Y otra vez de (2.2) obtenemos que:
-+- -+- 4 -+- J

E Vi x B, donde Vi
qp
4 -+-
sustituyendo este valor de Vi en E, hallamos:
donde como se dijo antes:
pq

132
-+
F (2.1 )
La Ec. (2.1) vale en particular para un electron.

Asi en e] estado de c.c. estacionaric, para un material ex-
trinseco tipo n, es decir, que tenga una con'centracion de
huecos despreciable y un valor constante del tiempo libre me-
dio 7, para todos los grupos de portadores, tenemos que la
eeuacion:
F i dV Vi
=_._+ -- (2.2)
m* dt T
-+ -+
Nos da la fuerza aplicada por
-+
los campos E y B, proporcio-
nal a la velocidad de arrastre Vi~ aquella aplicada sobre cada
uno de los portadores del grupo.
dV·
En el estado estacionario dt 1 = 0, por 10 tanto, sustitu-
yendo la Ee. (2.1) en la Ee. (2.2) obtenemos:
-+
E (2.3)
qT
Ahora bien como

-+ -+
Vi - - PeE y la densidad de corriente J es:
-+ -+ 0/
J = qnlle E, ademas JJ. e = - - Y a
m*e e
= nJJ. e q
sustituyendo estos valores en Ee. (2.3), eneontramos que:
-+
E (2.4)

133
Desarrollando el producto vectorial en Ec. (2.4) y (2.5)

haHamos que:
y conlO de acuerdo con la Fig. (2.1) no existe corriente ni en

sentido de las x S ' ni en el st:!ntido de las YS' entonces, en la
Ec. anterior
pJ x ~ 0
ly R~ ~ 0, luego la constante de Hall, RH puede expre-
sarse como:
pero como
entonces
b (2.6)
Vx vo1taj~ Hall
I z = corriente .1. traves de la muestra
By .- campo magp-:Stico
b = e~peSDr de la rnuestra.

134
y
Lx
z
FIGURA 2.2 Efecto Ettingshausen T2 >T 1.
La Ec. (2.6) nos expresa la constantel:Iall, como una fun-

cion de la corriente, a traves. de la muestra, del campo mag-
netico, el voltaje Hall y el espesor de la muestra.*
En el anal isis anterior, se ha tornado en consideracion uni-
camente el efecto galvanomagnetico mas importante, es decir,

el efecto HalL Como un mero cumplido describire tam bien
los demas efectos galvanomagneticos que al igual queel efec-
to Hall, se originan por la in teracci6n de campos electricos,
magneticos y gradientes termicos con los portadores m6viles
en la muestra.
I. Efecto Ettingshausen. En el arreglo experin1ental mostra-

do en la fig. 2.2, se establece un gradiente de temperatura
a 10 largo de la direccion y, junto con el campo Hall E y .
Esto se debe a que, de acuerdo con la ley de fuerza de
Lorentz, toda fuerza ejercida verticalmente hacia abajo
sobre los electrones es proporcional a V x y por 10 tanto, so-
bre los electrones mas rapidos y mas energeticos la fuerza
*Putley, E.H. The Hall effect and related phenomena, Butterworth

& Co., ver cap. 2 (1960).
135
-+ -+
ejercida V x B es mayor, en consecuencia estos electrones
tienden a acumularse en la parte inferior de la muestra
elevando con esto su temperatura respecto a su parte su-
perior, donde los electrones permanecen "mas frios". El
gradiente de temperatura resultante crea un campo termo-
electrico en la direcci6n y, originando un voltaje adicional
diferente a1 voltaje Hall, en las terminales A, 0 de la mues-
tra (fig. 2.2). Este gradiente de temperatura f). T entre los
extremos de la muestra -+
es proporcional ·al producto
-+
de la
densidad de corriente J y al campo magnetico B.
f).T I
= PJB y puesto que J =-= , entonces
a A ab
f).T pIli (2.7)

b
donde:
p = coeficiente Ettingshausen
I = corrien te total
a,b = ancho y espesor de la muestra respectivamente.
El efecto Nernst y el efecto Righi-Leduc son similares al

efecto Hall y al efecto Ettingshausen, excepto que ell os
son producidos por una corriente termica y un campo mag-
netico perpendicular a aquella, mas que, par una corriente
electrica y un campo magnetico perpendicular a dicha
corriente.
2. Efecto Nernst. En este efecto un gradiente de potencial
aparece en la direcci6n y; si una corriente termica tluye en
1a direcci6n x, y un campo magnetico es aplicado en la di-
recci6n z. Este efecto se expresa como:
136
Q WB (2.K)
K
donde:
6VN gradiente de potencial Nernst - transveral

W densidad de corrientc tern1ica
K conductividad termica de Ia muestra
Q coeficiente Nernst.
3. Efecto Righi-Leduc. Este efer~to produce un gradiente de

temperatura en la direcci6n y. cuando una corriente termi-
ca fluye en la direcci6n x y un campo magnetico es aplka-
do en Ia direccion z. Esta dado por:
WB
s-- (2.9)
a K
donde:
S = coeficiente de Righi-Leduc.
2.1 Magnetorresistencia.
Este efecto, a I igual que los ant eriores, se da como una Ulera
ampliacion de nuestra breve teoda que desarrollamos para
comprender el efecto Hall.
En l.tn:! muestra sobre la cu~il actua un campo magnetico
(Fig. 2.2) los electrones se desplazan siguiendo trayectorias
cun"as en lugar de las rectas que esperariamos si no existiera
el campo nlagnetico; gracias a ~ste hecho se ha descubi.:rto
que, par 10 general, la conductividad en la mu~~stra depende

137
del campo magnetico, a este fen6meno se conoce como mag-

n~torresistencia.
En nuestras deducciones anteriores del coeficiente Hall,
se despreci6 el efecto de la d~stribuci6n· IJe las velocidades
de los portadores de la muestrd. Tomandc· en consideraci6n
este efecto y despues de efectl·ar los calcl.los correspondien-
tes, se puede obtener para la densidad de corriente. *
(2.10)
donde:
Tp tiempo de relajz:cion de los hue cos

m; = masa eficaz de los huecos
ao Po q2
tn*
, p
En (2.10) se observa que la conductividad depende del

campo magnetico, a este efecto se con ace como magneto-
rresis tencia.
La Ec. (2.10) se puede escribir, resolviendo para lEx como:
(2.11 )
* McKelvey, J.P. Fisica de! fjstadJ solido y de semiconductores,

lera. edici6n, Ed. Limusa, S.A., 1976.

138
en donde:
Po =_1_, es la resistividad cuando el canlpo magnetico

~ ao
B vale cero. EI coeficiente de magnetorresistencia se define
entonct:s como:
(2.12)
o bien
l::J.p = K B2 , K = constante.
Por la Ec. (2.10), vemos que el efecto de la mlagnetorresis-

ten cia longitudinal de un campo pequeno, es proporciona1 al
cuadrado de la inducci6n magnetica B. Desde el punto de vis-
ta fisko este efecto se debe a1 hecho de que el campo mag-

netico desvia las particu1as de un modo ascendente 0 des-
cendente a 10 largo del eje y, en una direcci6n normal a la
direcci6n del vector de corriente. Las trayectorias resultantes
son mas bien curvas que rectas como se dijo antes y la distan-
cia promedio de arrastre a 10 largo de 1a direcci6n del flujo de
la corriente entre colisiones, por 10 tanto se reduce.

TEO RIA DE LA PRACTICA No.3
3.0 Generaci6n y recombinaci6n de portadores de carga

en desequilibrio.
Portadores de carga en equilibrio y desequilibrio termo-

dinamico.
\~
/
/
/
/
,/
Ee --------r---~~------~~~~----~
--------~--~---------+----~~--~ F
Ed - - - -
Ev
Po ---4///11
FIGURA 3.1 Generacion termica de portadores libres y su concentracion en

estado de equilibrio termodimimico.
139
140
Exarrlinemos un semiconductor tipo-n (por exceso), el eual

esta en equilibrio termodinamico con e1 ambiente. Debicio a
la generacion tennica los electrones transitan desde 1a impure-
za donadora hasta la banda de conduccion (Fig. 3.1 ~l
Los portadores de carga libres, formados gracias a la gene-
racion termica, se Haman portadores de equilibria.
En la Fig. 3.1, se muestran las distribuciones de las densida-
des de. los estados cuanticos g (E), en la banda de conduccion
y en la banda de valencia. la fund6n de distribucion de Fermi-
Dirac F(E) y la concentraci6n de eleetrones no y de huecos
Po en equilibrio, que ocupan estados pr6ximos a las band as
de conduccion y de valencia respectivamente (regiones
rayadas).
Simultaneamente con la generacion de portadores hbres,
tiene lugar el proceso de reconlbinaci6n: los electrones vuel-
ven a 1a banda de valencia a estados libres, por 10 eual, des'l-
p,uecen el electron y el hueco libre. En ~ condiciones de equi-
Ubrio termodinamico estos procesos se equilibran entre sf
COtnpJetamcnte.
Sea go eI numera de pares electr6n-hueco generados y ro el
numero de pares electron-hueco recombinados I"n la llnidad
de volumen del semiconductor por segundo. La 9robaLilidad
de recombinacion es proporcional al producto d\~ la~~ c\)ncen-
traciones de portadores de carga libn:s.
(3.n
donde:
'Y r = coeficie'nte de reeombinaci6n.
Para el estado de equilibrio del semiconductor se t...umple

141
La Ec. (3.2) es una expresion del principio del equilibrio

detallado, que dice: "En el equilibrio termico, todo p:'oceso
fisico que tenga lugar, se produce por termino medio en 1a
misma proporcion que su propio inverso". Un proceso fisico
no pucde ser compensado por otro diferente; cada uno debe
equilibrarse independientemente de los demas.
Al exponer un semiconductor a la luz, se generan tam bien
portadores de cargas libres, creandose cierta concentracion
de electrones .6n y huecos .6p de desequilibrio; los que en el
ins tan te de su aparicion pueden tener una energia cinetica
bastante superior a la energia termica media de las particulas
equilibradas. La longitud media de recorrido libre de los elec-
trones es de 10-6 cm y 1a ve10cidad termica a 1a temperatura
ambicnte es de 10 7 cm/seg, en este caso, el tiempo medio
entre dos choques es igual a 10- 13 segundos. Para la disipa-
cion de la energia excesiva de un electron-volt (1 e V) los elec-
trones de desequilibrio deben cumplir cerca de 1000 choques,
10 que significa que, ya despues de 10. 10 segundos elIas ad-
quieren 1a temperatura de la red cristalina y no se diferenciaran

de L)s portadores de carga equilibrados, por eso, 1a distribu-
cion por energias de los portadores desequilibrados y equili-
brad os sera la misma. Este proceso se reduce a que los electro-
nes desequilibrados, al disipar su energia, aparentan "bajar",
al extrenlO inferior de la banda de conduccion, y los huecos
parecen "subir" al extrema superior de la banda de valencia.
Si la concentracion de portadores en desequilibrio es pequefia
en comparacion con los portadores equilibrados, se puede .
considerar que la energfa del cristal no varia, y par 10 tanto,
no se altera pnicticamente la temperatura del cristal ni 1a
concentracion de los portadores de carga mayoritarios en
equilibrio. En este caso, 1a cantidad total de electrones y de
huecos sera respectivamente:
n = no + .6n
p = Po + .6p (3.3)

142
La concentraci6n de electrones libres, en el estado de dese-

quilibrio, se puede expresar mediante una f6nnula analoga
a la ecuaci6n (1.6 Ap. A).
(3.4)
Pe(E) = Funcian de distribucian de los electrones distin ta

de F(E), pero que tiende a ella cuando el sistelna se aproxi-
rna al equilibrio termodinamico.
Por las expresiones (1.5 Y 1.6 Ap. A), poderrlos escribir la
concentraci6n de portadores n para un semiconductor no
degenerado como:
(3.5)
Fn Seudonivel de Fermi, para los electrones en estado

de desequilibrio.
Analogamente, la concentraci6n de huecos libres en dese-

quilibrio termico puede expresarse del modo siguiente:
EV
= Po + bop =
P
J -00 Ph (E) £VeE) dE (3.6)
otra vez, para un semiconductor no degenerado por las ecua-

ciones (l.5 y 1.7 Ap. A) podemos escribir:
Ev -
(3.7)
KT
143.
Fp Seudonivel de Fermi, para los huecos en estado

de desequilibrio.
Por consiguiente, en estado de desequilibrio el nivel de Fer-

mi aparenta descomponerse en dos seudoniveles: Fn para los
electrones y F p para los huecos, Fig. 3.2. .
Para el estado de desequilibrio, el producto de las concen-
traciones de electrones y huecos es:
Fn - Fp
np = nr e KT (3.8)
La distancia entre los seudoniveles de Fermi (F n - F p )

caracteriza la desviacion respecto del estado de equilibrio
termodinamico.
Ee t--_ _ _ _ _n_ _ __
Ee
Fn
F
Fp ---------
Ev Ev f - - - - - - - - - -
p
(a) (b)
a) Estado de equilibrio.
b) Estado de desequilibrio.
FIGURA 3.2 Separacion del nivel de Fermi en dos seudoniveles: Fn para los elec-
trones y F p para los huecos.

144
3.1 Generaci6n luminosa hipolar de los portadores de carga.
Veamos que ocurre a un semiconductor, cuando a causa de

la inyecci6n luminosa se crea cierta concentraci6n excesiva
de electrones y huecos Oa generacion en la cual se forman dos
tipos de portadores de ~arga se llama generaci6n bipolar).
Para la generaci6n lurnin,-)sa bipolar, la absorci6n de un cuan-
to de luz va acompanada por la ruptura del enlace de valencia
(del atomo de Ge), Y la cantidad de electrones y huecos en
desequilibrio formados e~ identica.
~n = ~p (3.9)
Por 10 tanto, la concentraci6n de huecos y el~~ctrones libres

puede expresarse por:
n = no + ~n
P Po + ~p
Paralelalnente al proceso de generaci6n, tiene lugar el pro-

ceso de recombinacion y en el estado estacionario, el numero
de electrones y huecos, excitados en la unidad de tiempo de-
bide a la ruptura de los enlaces de valencia, es igual al numero
de electrones y de huecos que se recomb in an en el mismo
tiempo. Puesto que los portadores en desequilibrio surgen en
un tiempo muy breve fisicamente indistinguibles de los porta-
dores equilibrados, podemos considerar que aquellos tendran
el mismo coeficiente de recombinacion "i r propio de los por-
tadores en equilibrio.
Despues de interrumpir la luz excitadora, las concentracio-
nes de huecos y electrones disminuira a causa de la recom bina-
cion. En este caso, 1a velocidad de decrecimiento del numero
de portadores libres, se determina por la diferencia de velo-
cidades de recom binacion y de generacion termiica.

145
y puesto que:
'Y r no Po ,en tonees
( ~~), = 'Y r (no l'.p + Po l'.n + l'.nl'.p) (3.10)
como para el easo de la generacion luminosa bipolar para un

pequeno nivel de inyeccion, se tiene que:
~n = ~p ~ (no + po) ,entonees

si hacemos:
T = (3.11 )
y 10 definimos eomo el tiempo de vida de los portadores de

carga en desequilibrio, tenemos entonees que la eeuacion
(3.10) toma la forma:
-dn) -_ -~n
- (3.12)
( dt T
r

146
de donde:
6n = 6n (0) e - 7 (3.13 )
6n (O)~ es la concentraci6n de desequilibrio de electrones

en el instante de interrumpir la luz excitadora.
Para el caso de un pequeno nivel de inyeccion bipolar la

concentraci6n de portadores de carga en desequilibrio despues
de interrumpir la excitacion) disminuye por una ley exponen-
cial de acuerdo con la ecuacion (3.13) y en e:l tiempo 7 su
numero se reduce a veces debido a la recombinacion. Por 10
tanto) 7 es el tiempo medio de existencia de la concentracion
excesiva de portadores de carga. Para el semiconductor intrin-
seco las velocidades de disminuci6n del numero de electrones
y huecos son iguales y la magnitud 7 determina el tiempo de
vida de los pares electron-hueco de desequilibrio.
El valor del tiempo de vida volumetrico en funcion del tipo
de material semiconductor y del grado de su pureza puede va-

riar entre limites muy amplios desde 10- 2 hasta 10- 8 segun-
dos. Puesto que 7 es bastan te grande en comparacion con el
tiempo de relajacion) los electrones y los huecos libres al di-
fundirse desde la region donde su concentracion es alta en la
profundidad del semiconductor, durante su vida logran reco-
rrer una gran distancia, por 10 tanto, en el caso de la genera-
cion bipolar los portadores aparecen en una region de la
muestra y se recombinan a una distancia bastante grande en
otra parte del volumen del semiconductor.
Para el cas a de un gran nivel de generacion bipolar, es decir,
cuando se cumple que:
de la ecuaci6n (3.11) se encuentra que:

\ 47
_ (dn) = 'Y (Lln)2 (3.14)

dt r r
as!, de la ecuaci6n anterior vemos que:
- 'Yr dt
y de aqu! se obtiene la siguiente expresi6n:
Lln (0)
n = (3.15 )
De la ecuacion (3.15) se deduce que, para la recombina-

cion cuadnitica, la concentraci6n de portadores en desequili-
brio disminuye por una ley hiperbo1ica.

Si se introduce el tiempo de vida para la recombinacion
cuadnitica, de acuerdo con la ecuaci6n (3.14)
dn Lln
--- - donde:
dt Tinst
Tinst (3.16)
'Y rLln
depende de la concen traci6n de portadores de desequilibrio

y, debido a esto, sera una magnitud variable. Sin embargo, en
cada instante T inst tiene un sentido determinado, siendo el
tiempo instantaneo de vida; por 10 tanto, para un gran nivel de
inyecci6n tratamos con el tiempo instanhineo de vida, que
conforme a la ecuaci6n (3.16) es:
148
~n
(3. 17)
d (~n)
dt
3.2 Fenomenos fotoelectricos en los selniconductores
Ej"ecfo j()foelectrico illferno.
El efecto fotoelectrico interno, es un proceso de ionizacion

de los .Homos del semiconductor bajo la accion de la luz. que
da lugar a la fonnaci6n de portadores de carga adicionales en
desequilibrio: la conductividad adicional debida al efecto fo-
toelectrico interno se llama fotoconductividad.
El proceso primario en el efecto fotoelectrico interno es la
absorcion de un foton, can ]a energ(a suficiente para excitar
lln electron (vea Fig. 3.3),
En la figura vemos que la transici6n I da lugar al par elec-

tron-hueco . en tanto que las transiciones 2 y 3 originan por-
tadores de un solo signo. Cuando la excitacion optica de los
electrones ocurre de la banda de valencia a la banda de con-
ducci6n. se observa la fotoconductividad intrinseca, que crean
----~-.~----.r-.r-----------------Ec
2
- - - - Enp
1 3
_ _--'----10......-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _----'_ _....&...-_ _ _ _ _ £1'
FIGURA 3.3 Transiciones opticas posibles de un electron.

149
los portadores de ambos signos. En este caso, es evidente que

la energia del fot6n hv debe ser tal que:
hv > 6Eg = Ec - Ev
Para grandes energias de los fotones (hv > 2 6Eg) la fo-
totransicion del electron a la banda de conducci6n puede ser
acompanada por el efecto de ionizaci6n por choque, dando
lugar a la liberaci6n de varios electrones y huecos. Por consi-
guiente la teorfa del efecto fotoelectrico in terno, se reduce
a la teoria de absorcion, s6lo en cierta region del espectro
cerca del extremo de onda larga, de la banda de absorcion
in trinseca.
3.3 Fotoconductividad.
Los electrones y los huecos de desequilibrio, formados por

la interaccion de la sustancia con los fotones, inmediatamen-

te despues de la ionizacion, pueden tener una energia mucho
mayor que la energia media de los portadores en equilibrio;
sin embargo, debido a la interaccion con los [otones y los
defectos de la red cristalina, los portadores de carga en dese-
quilibrio adquieren nipidamente la temperatura de la red y su
energia se iguala a la energia termica media de los portado-
res en equilibrio. Este proceso ocurre en un tiempo del orden
de 10- lOa 10- 12 segundos, que es el tiempo de relajacion de
energia de los portadores de carga. El tiempo de vida de los
portadores en desequilibrio, por 10 general, supera sensible-
-2 -8
mente esta magnitud, siendo del orden de lOa 10 segun-
dos, como se dijo antes.
As! pues, la generacion de los portadores de carga bajo la
accion de la luz, da lugar a la variaci6n de la electroconducti-
vidad a del semiconductor, la cual, en presencia de electrones
~n y huecos ~p en desequilibrio es:

150
a = e [(no + L'>n) fJ. n + (po + L'>p) fJ. p ] (3.18)
donde no Y Po son las concentraciones de electrones y huecos

en equilibrio.
La conductividad excesiva (de desequilibrio) igual a la dife-
rencia de las conductividades del semiconductor al ser ilumi-
nado (aL) y sin iluminaci6n (ao) es la fotoconductividad
(aF), tal que:
(3.19)
donde a L esta dada por (3.18) Y
Observe que las movilidades de los portadores en desequi-

librio no se diferencian de las movilidades de los portadores
en equilibrio.
Las concentraciones de los portadores en desequilibrio ~n
y 6p dependen de la intensidad y duraci6n de la iluminaci6n
del semiconductor. Para la iluminaci6n continua del semi-
conductor con luz de intensidad constante se establece el es-
tado estacionario, caracterizado por la concen traci6n cons-
tante de los portadores en desequilibrio 6n y 6p.
La ecuaci6n de continuidad en este caso es:
d
6n g - r
dt
y para el estado estacionario se tiene que:
d
6n o ,es decir. 611 constante y g r.
dt
151
luego
(3a IT n (3.20)
b.p est = gT (3alT p (3.21 )
En estas ecuaciones:
I Intensidad de la iluminaci6n.
(3 coeficiente de rendimiento cuantico (determina el
No. de pares de portadores que se forman por un
cuanto de luz absorbido~ si la intensidad de la luz I
se mide por el No. de cuantos por segundo.
a = coeficiente de absorci6n del semiconductor
i = tiempo de vida de los portadores.
Como a = q(nJl n + PJl p ), entonces al valor estacionario de

la concentraci6n de portadores en desequilibrio~ correspon-
de el estado estacionario de la conductividad de desequilibrio,

es decir:
b.a est (3.22)
3.4 Relajaci6n de la fotoconductividad.
Supongamos que un semiconductor se ilumina con un pulso

luminoso rectangular, como se ilustra en la figura 3.s(a).
La Fig. 3 .s(b), nos ilustra que al iluminar la muestra, el esta-
do estacionario de la fotoconductividad (Ec. 3.22), no se
alcanza instantaneamente, sino s6lo despues de cierto-tiempo
de iniciar la iluminaci6n (region 2, Fig. 3.s(b) ). Interrum-
piendo la luz, la conductividad de desequilibrio desaparece
tambien despues de cierto tiempo de haber suspendido la
iluminaci6n.
152
I,
a
Luz
2
(a)
t fa
(b)
"- ..
FIGURA 3.5 (a) pulso rectangular de luz, (b) incremento (1) de la conductividad
al radiar la muestra con el pulso luminoso (a), decremento (3) al in-
terrumpir la luz.
Las curvas de crecimiento y decrecimiento de la conducti-

vidad de desequilibrio, se Haman curvas de relajacion de la
fotoconductividad. Examinemos el caso de un pequeno nivel
de inyeccion (acorde con nuestro experimento).
La variacion de la concentracion de portadores en desequi-

(d ~n)
librio en la unidad de tiempo es la diferencia entre
dt
las velocidades de generaci6n y recombinaci6n de los porta-
dores. Como la cantidad de portadores generados es g = ~n =
~P = (3cxI, entonces:
d 6n
=g-r=(3aI-r (3.23)
dt
Las Ecs. (3.9) y (3.10), nos dan larecombinaci6nr, de tal

manera que:
-r(np - no po) -reno + Po + ~.n)~n (3.24)

153
La intensidad de recombinaci6n se puede considerar pro-

porcional a la concentracion de portadores de desequilibrio,
solo cuando el tiempo de vida T de estos ultimos (donde T es
identico para los electrones y huecos), no depende de su con-
centraci6n. Esta condici6n se cumple cuando la concentra-
cion de portadores, de desequilibrio ~n y ~p, es pequena en
comparaci6n con la concentraci6n de portadores mayorita-
rios en equilibrio (Ej. ~p .= ~n ~ po), en este caso la variacion
de la concentracion de los portadores mayoritarios bajo la
accion de la iluminaci6n puede despreciarse y considerarse
constante, es decir, Po = eonstante.
Por consiguiente, para un pequeno nivel de iluminaci6n,
cuando ~n ~ no + Po, en la Ee. (3.24) se puede despreciar
la magnitud ~n dentro del parentesis. Ademas como por la
Ec. (3.11)
1 ~n
- = 'Y(no + po) entonees r - - ,as! la Ec. (3.23)
T T
toma la forma:
d ~n ~n
(3.25)
dt T
Si en la Ec. (3.25) eonsideramos que:
a) ~p = ~n ~ Po y Po > no
b) Y que el semiconductor (muestra de Ge) comienza a ilumi-
narse en el instante t = 0, con una luz de intensidad eons-
°
tante, de tal manera que ~n = para t = 0, entonees obte-
nemos como soluci6n de (3.25)
t
~n(t) T (j a 1(1 - e)--:;: (3.26)

154
E1 valor estable de la concentracion de desequilibrio de
electrones ~nest' se determina de la Ec. anterior cuando t tien-
de a infinito
- 00
~nest = Tl3ad(1 - e) T = Tl3aI = gT (3.27)
Si, por el contrario, en la muestra se crea una concentraci6n

estacionaria de portadores de desequilibrio ~nest y en el ins-
tante t = 0 se interrumpe la luz, la concentracion de portado-
res en desequilibrio decrece hasta el valor cero por la ley:
(3.28)
As} para un pequeno nivel de inyeccion, la rellajacion de la

concentraci6n de desequilihrio de portadores, al conectar e
interrumpir instantaneamente la luz ocurre por una ley expo-
nencial con constante de tiempo, correspondiente al tiempo

de vida T de los portadores en desequilibrio.

TEORIA DE LA PRACTICA No.4
4.0 Uni6n p-n de los semiconductores.
En nuestras pnicticas anteriores se trabajo con una muestra

de Ge (muestra semiconductora), que se supuso uniforme u
homogenea en cuan to a la densidad de atomos de ilnpureza,
con tenidas en dicha muestra. Ahora trataremos sustancias
que contienen una region ex trinseca tipo-n y otra tipo-p, se-
paradas por una zona de transicion relativamente angosta del

orden de 10-4 a 10-6 em de espesor, que varia de acuerdo
con el metoda de obtencion. Esta region angosta de transi-
cion se denomina union p-n y con ella se asocian propieda-
des fisicas sorprendentes que poseen gran importancia, ya
que constituyen 1a base de operacion de la mayoria de los
dispositivos e1ectronicos semiconductores.
Aunque existen uniones abruptas y uniones graduales, se
dan} mayor enfasis a las primeras, puesto que i1ustran las
caracteristicas mas importantes que se relacionan con el com-
portamiento de las uniones p-n en general y ademas para la
mayoria de los dispositivos mas importantes, la representa-
cion aproximada de la union abrupta es aceptable.
Supongamos que de alguna manera se forma una union p-n
abrupta, juntando una muestra tipo-p con otra tipo-n, para
formar un solo cristal (en realidad la estructura de la union
p-n debe existir como un monocristal casi perfecto y solo se
155
156
puede obtener utilizando alguna difusion especial 0 un pro-

ceso de aleacion).
En el instante de formar la union en el lade tipo-p existe
una concentracion uniforme de huecos moviks Ppo y de
electrones moviles np 0 ex tendiendose hasta la union y en la
region tipo-n, una concentracion uniforme de electrones li-
bres moviles nn y de huecos Pn , tambien extendiendose
o 0
hasta la union.
En ambos lados de la union, las densidades de huecos y
electrones satisfacen la relacion:
nn o Pn 0 = Pp 0np 0 nl (T)
= · (4.1 )
En un material homogeneo tipo-p, y lejos de la union las

concen traciones de huecos y electrones son uniformes y estan
determinadas para un material razonablemente extrfnseco
(N A ~ ni) por las expresiones:
(4.2)
donde:
concentracion constante de aceptores

concentracion de electrones en la region tipo-p
en el equilibrio termico.
De igual forma, en la region homogenea extrfnseca tipo-n

(No ~ n), lejos de la union p-n, las concentraciones de hue-
cos y electrones son uniformes y vienen dadas p~r:

157
nn 0 "" ND
2
ni (T)
Pn O = (4.3)
ND
concentracion constante de donadores
concentracion de huecos en 1a region tipo-n en
el equilibrio termico.
Puesto que, la concentracion de electrones nn en la region

n, es mucho 111ayor que la concentracion de electrones np en
ellado p; en el instante en que se forn1a la union existe un °gra_
diente enorme en la concentracion de electrones entre ambas
regiones. Algo semejante sucede con las concentraciones de
huecos, por 10 tanto, los grandes gradientes iniciales de con-
centracion establecen corrientes de difusion que hacen que
los electrones de la region n y los huecos de 1a region p fluyan
descendiendo hasta la region de conductividad de tipo opues-

to dejando a la region cercana a la union, vacia de portadores
mayoritarios. Este flujo de difusi6n inicial continua hasta que
se establece una condicion de eguilibrio
--1'
dinamico par la for-
macion de un campo electrico E que da lugar a una corriente
de arrastre en sentido contrario a la corriente de difusion y
que en equilibria termico la compensa totalmente (Fig. 4.1).
4.1 Potencial de contacto interno en el equilibrio.
Un resultado conocido de la electrostatica, es que se forma

una diferencia de potencial entre los lfmites extremos de una
cap a dipolar electrica; esta diferencia de potencial en la union,
recibe el nombre de potencial de contacto.
El valor de este potencial de contacto CPo 0 altura de la ba-

158
Union + lanes [ijos de

E1ectrones Impurezas
libres Tipo - P Tipo - N donad oras
8+0+G+G e 8 ® <±) <±) - (f) - C~ - C±)
+0+8+8+ 8 .- - EG> -<±)-@ .• <!)-
8+0+8+8 e 8 (t) ® (±)-(±)-C:PJ-(!)
+8+8 f 8+ e ® -(!)-(!)--<!)-
8+G+E)+E) G G @ ® (f)-(!)-~)-@
+G+8+8+ e (f) -(!)-<±)._(i)-
+ Huecos carga espacial region neu fra . lones [ijos de

libres impurezas
aceptoras
FIGURA 4.1 Formacion de las capas de carga espacial y el campo electrico inter-
no, debido a la difusion de portadores mayoritarios cerca de la
union p-n.
rrera de potencial en el equilibrio, se puede calcular facilmente

a partir de la concen tracion de portadores (huecos y electro-

nes) en el equilibrio a ambos lad os de la union. Estas concen-
traciones estan relacionadas con el potencial electrostatico,
a traves de las siguientes expresiones:
p = n
i
e-q¢/KT
eq¢/KT (4.4 a,b)
Siempre que la region tipo-p sea razonablemente extrfnse-

ca (N A > n j ) entonces p > n, es decir, la concentracion de
huecos es mucho mayor que la concentraci6n de electrones
y el potencial ¢p en la region neutra de tipo-p, esta dado
aproximadamente por la ecuaci6n (4.4 a):

159
tomando logaritmos resulta:
KT
4>p =
q
Qn
(~~ ) (4.5)
Analogamente, el potencial 4>n' en la region neutra tipo-n es:
(~~ )
KT
<Pn = Qn (4.6)
q
El potencial de eontaeto 4>0' es entonees, la diferencia de

los poteneiales en ambas regiones, es deeir:
(4.7)
En la deduecion de la eeuacion (4.7), se supuso que todos

los donadores ND y aeeptores N A de las regiones n y p' estan

ionizados, 10 eual oeurre a todas las temperaturas exeepto las
muy bajas. Ademas las aplieaciones de estas formulas estan li-
mitadas a situaeiones donde las estadisticas de Boltzman son
aplicables para describir la distribucion de equilibrio de los
portadores, tanto en la region tipo-p como en la n.
En los diodos tipicos de union p-n de silicio, el valor de 4>0
esta comprendido entre los valores: 0.2 volts y 1.0 volts.
4.2 Potenciales externos aplicados a la uni6n p-n.
Examinaremos ahora 10 que sucede cuando se aplica un vol-

taje externo a la muestra que contiene una union p-n. Debido
a que la resistividad en la region de carga espacial es mucho
mayor que en cualquier otia parte de la muestra, casi toda la

160
e ¢ (energia potencial)
Tipo
Ec -----"---1......
P _...l_ Tip?.::;:N __
1 e(cP - v )
1 0 ()I
1 (con potencial
1 ap/icado)
" e ¢o (sin aplicar

"I potencial)
'I
)-- :.....------
Ef----~--4--~-----------
~
Ev - - _ " . _ - - t _ _ _ _
I
~~
I
eA. I
'1-'0 I I
--l--L- ',,~---------
V>O
(a)
(b) -xo union Xo +
FIGURA 4.2 a) Cireuito de eonexion de la union p-n en polarizacion dire eta.
b) Diagrama que representa la disminucion de la barrera de potencial
en polarizacion directa. .
caida del voltaje externo aplicado se producini tm estas regio-

nes; en las regiones neu tras fuera de las capas de cargas espa-
ciales la caida de voltaje es despreciable en comparacion con
la caida en la union.
Si la union p-n se conecta de tal forma que lla region n se
conecte a la terminal negativa de la fuente externa de voltaje
V 0 ' y la region p a la terminal positiva, entonces la union p-n
tendni una conexion en polarizacion directa, como se ilustra
en la Fig. 4.2 (a).
La Fig. 4.2 (b), nos muestra claramente que cuando se
aplica un voltaje externo V0 ' su efecto es reducir la barrera
de potencial del valor e¢o a e(¢o - V0)'
Si ahora la region n se conecta a la terminal positiva de la
fuente externa y la region p a la terminal negativa, tendremos
una conexion en la polarizacion inversa (Fig. 4.3 (a)).

161
Ec--.--;...-_--*=" __ 1_~I}PO_N
el/>I .
I 'e l/>o
------j --
Ef--------r-~~----~I--;-------
~ Ev -------foo'"
\ e(¢o - vo)
L~
I
v<o
(aj (b)
FIGURA 4.3 a) Union p-n polarizacion inversa.

b) Representacion del aumento de la barrera de energla potencial
can la polarizacion inversa.
4.3 Distribucion de la carga, del potencial y del campo

electrico en la union p-n.
Las siguien tes deducciones se haran para una union abrupta,

por ser estos resultados bastante generales y aceptables para
todas las uniones p-n de semiconductores ya sean abruptas 0
graduales.
Partiremos de la hipotesis. de que toda la capa de carga
espacial esta vacia de cargas en movimiento, es decir, esta
desprovista de huecos y electrones; determinandose su carga
unicamente por la distribucion de impurezas como se indica
en la figura 4.4.
La distribucion del campo eIectrico y del potencial electros-
tatico se obtiene aplicando la ecuacion de Poisson:
p
(4.8)

162
p(x)
Distribucion aproximada
eNd
v
Vo =0
_'\ -
> 01. \ \
;L para Vo =0
----1
I v <0
o I 0
"
I
o X
I distribucion real
I
I para Vo =0
L _ _ ~I-----l eNa
union
FIGURA 4.4 Disrribucion de la carga espacial, para una union p-n abrupta.
Denotemos por ¢ + (x) al potencial electrostatico para x > 0, y

por ¢_(x) en la region x < o. Asignemos tambi(~n los valores
Xo + y -x o _ a las coordenadas de los bordes de las regiones de
carga espacial en los lados n y p respectivamente, entonces la

ecuacion de Poisson toma la forma:
d 2 ¢+ eND
(lX2 = --- (0 < x < xo +)
fa
d 2 ¢- eNA
dx 2 (-X o _ < x < 0) (4.9 a,b)
fa
Integrando las -ecuaciones (4.9 a,b) obtenenl0S el campo

electrico, e1 cual esta representado en la Fig. 4.5:
d¢+
dx

163
d</>_
(4.10a,b)
dx
Para Ilegar a las ecuaciones (4.10 a,b) se supuso, como se

dijo antes, que todo el voltaje aplicado a la muestra aparece
como una cafda de potencial en la region de la union, en ton-
ces en las regiones que quedan mas aHa de las fronteras de las
capas de carga espacial el potencial debe ser constante, es
decir:
EI potencial electrostatico se obtiene integrando ahora las

ecuaciones (4.10 a, b)
E(x)
x0 +
/
x
"" ,
"
" ",,
Eo
FIGURA 4.5 Representacion esquematica del campo electrico E, para una union
p-n abrupta.

164
eND
¢+(x) = - -
2Eo
[ x~+ (X o +- Xl>]; (0 < x < x o +)
eNA
¢_(x) = [(X + Xo )2 X>0_ ).' (-x 0_ < x < 0)
2Eo
(4.11 a,b)
En la Fig. 4.6, se lnuestra el potencial electrostatico.
ct>(x)
-------....,
\
----~ \.
\
--'-'-'-.
'. """.\ \
-------------~~------------------~x
o ~
'\ " ' - . - . - . - . - v o >0
\ - - - - - - - 1 ' 0 =0
\
\ . . - - - - - - - - - - Vo <0
FIGURA 4.6 Potencial electrostatico en las cercanias de una union p-n abrupta.
Calculamos ahora las expresiones para Xo + y -xo _' las cua-

les pueden obtenerse a partir de las ecuaciones (4.lla,b) y
del hecho que:
v0 es el potencial externo aplicado a la union.

165
Obteniendo para la diferencia de potencial en los bordes

x o + y -x o
,-I,+(x o +) -
'f'
,-1,_
'f'
(-x 0_ ). -- --
e (N D x 0+
2
-
N A x °2 ) ( 4.12)
2E o
Por otra parte, si en las ecuaciones (4.10 a,b) evaluamos el

campo electrico en x = 0, obtenemos:
( 4.13)
observe que de esta ecuaci6n se deduce que:
(4.14 )
combinando los resultados de las ecuaciones (4.12) Y (4.14)

obtenemos:
1/2
2e o
= [ e
As! la anchura total com binada de las regiones de carga

espacial es:
2€0 (1 1)]
= [
-e- (CPo - V o ) -N + -N-
D A
( 4.15)
166
-+
Y el campo eh~ctrico E de acuerdo con (4.13) puede expre-
sarse como sigue:
( 4.16)
Observe c6mo, de acuerdo con las expresiones anteriores:

Xo + ' xo_ ' Eo Y <Po; estan relacionadas en forma directa con
las concentraciones de impurificaciones Nn Y N A .
4.4 Diodo de union p-n idealizado.
Un diodo de uni6n p-n, es una muestra semiconductora que

pOS{fe una regi6n de material tipo-p y otra de material tipo-n,
separadas por una regi6n de transici6n de un tipo de conduc-

tividad a otra relativamente delgada, variando su espesor de
acuerdo con el metodo de obtenci6n.
Una representaci6n esquematica de un diodo de uni6n p-n
con contactos metalicos se muestra en la Fig. 4.7. Pocos dio-
dos se hacen segun esta c9nfiguraci6n fisica relativamente
simple. Sin embargo, los resultados de nuestro analisis se apli-
caran a muchos dispositivos reales, porque se satisfacen l~s
dos suposiciones clave de unidimensionalidad y la cafda de
tensi6n despreciable en los contactos.
Veremos a continuaci6n el flujo de corriente asociado
con la uni6n en condiciones de desequilibrio, y la carac-
terfstica corriente-voltaje del diodo.
Una uni6n p-n se dice que esta en equilibrio si se en-
cuentra a una temperatura uniforme, y no actuan sobre
ella factores externos, tales como luz 0 allguna tensi6n
de polarizaci6n; en estas condiciones los flujos totales de

Prácticas - de - La - Física - de - Materiales - Semiconductor... - (PG - 102 - 167) PDF

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101

~<.\~'; ~:··:::~:~-:~~~~;{:~~:r ::_~':'l':::,=::~ .~.;:.:;:::::.:~~~.

mero de electroIies libres para conducci6n de corrientes

contribuya al flujo de corriente electrica, a traves del meca-

1.1 Materiales semiconductores

Los semiconductores pueden ser elementos (Ge, Si) 0

Boro (B S ) Carbono (C 6 ) !! N"'

en el grupo IV de la tabla periodica de los elementos, tal

mentos tetravalentes, tales como: Galio y Arsenico, Antimo-

can tidad de energia. Por ejemplo, la energia necesaria para

1.2 Semiconductores intrinsecos

En la estructura cristalina de un monocristal de Ge, todos los

no existe energia que excite a los electrones. A la temperatu-

FIGURA 1.2 Observe en el atomo central, un enlace covalente roto con un

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

que muchos electrones se liberan de sus enlaces covalentes, y

ne la posibilidad de encon trar un hueco, cuando esto sucede

A mayor temperatura, existira una mayor generaci6n de

nj = concentraci6n intrinseca (material semiconductor muy

A la temperatura ambiente el valor de ni es de 2.4 x 10 13

1.3 Semiconductores extrinsecos

Hasta aqui hemos hablado de las concentraciones de portado-

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

res de un cristal puro. ~ Que ocurre cuando el cristal de Ge no

FIGURA 1.3 a) Red cristalina de Ge impurificado con un atomo pentavalente (Sb).

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

es impurificado con antimonio, el cual tiene 5 electrones de

,Homo de Sb y enviarlo de la banda de valencia a la banda de

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

sideracion la valencia del In, vemos que unicamente tres

tipos de portadores toman parte en la corrien te electrica. En

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

1.4 Estadistica de los portadores en equilihrio

La poblacion de huecos y electrones en un semiconductor se

y 1a densidad de estados en 1a banda de valencia es:

En condiciones de equilibrio termico, la probabilidad de

En estas condiciones de equilibrio termico, el numero de

Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de con-

h :::: constante de Planck.

EI numero de huecos dpo por unidad de volumen en la

Nv = 2(2n mhKT /h 2 ) 3/2 ,es la densidad efectiva de esta-

cuantico de energia E este ocupado por un hueco, es decir, la

no concentracion de electrones en equilibrio

Po = eoncentracion de huecos en equilibrio

donde, de aeuerdo con lasecuaciones (1.6) y (1.7) obtenemos

111; masa eficaz de los electrones

111 Ii masa eficaz de los huecos

observe en esta ecuaci6n U.8). la gran dependencia de ni(T)

1.5 Posicion del nivel de Fermi en funcion de la concentracion

Un semiconductor puede contener tanto una concentra-

TId concentracion de donadores no-ionizados

Pa = concentracion de aceptores no-ionizados.

Ed -- -_. - - - - . ---- - Nd, nd

FIGURA 1.4 Semiconductor con impurezas donadoras n y aceptoras p.

Torres, Nereo. <i>Prácticas de la física de materiales semiconductores</i>, Instituto Politécnico Nacional,

Como esta ex presion presenta dificultades para determinar

1.6 Semiconductor por exceso (Tipo-n, con Na = 0).

En primer lugar analicemos el dominio de temperaturas, para

Pd = can tidad de iones positiv~s de la impureza do-

(3 2 (grado de degeneracion del esp{n)

considerando que no existe degeneracion, entonces no = Nc e11 ,

Sustituyendo el valor de e11 en Ia ecuacion para Pd' no que-

Esta ecuaci6n reacon10dando tenninos puede escribirse en

~<.\~'; ~:··:::~:~-:~~;{::r ::_~':'l':::,=::~ .~.;:.:;:::::.:~~~.