Вы находитесь на странице: 1из 11

Тема 1. Конструктивные модули нулевого уровня.

Уровни
проектирования интегральных схем. Классификация и система
обозначений интегральных схем. Степень интеграции интегральных
схем. Факторы, ограничивающие степень интеграции.

Содержание
Раздел 1.1 Конструктивные модули нулевого уровня. ............................... 1

Раздел 1.2 Уровни проектирования интегральных схем............................. 3

Раздел 1.3 Классификация обозначений интегральных схем..................... 3

Раздел 1.4. Степень интеграции интегральных схем. Факторы,


ограничивающие степень интеграции. ................................................................. 5

Система обозначения ИМС ............................................................................ 6

Раздел 1.1 Конструктивные модули нулевого уровня.

Под модульным принципом конструирования понимается


проектирование изделий электронной аппаратуры (ЭА) на основе
конструктивной и функциональной взаимозаменяемости составных частей
конструкции – модулей.
Модуль – составная часть аппаратуры, выполняющая подчиненные
функции, имеющая законченное функциональное и конструктивное
оформление и снабженная элементами коммутации и механического
соединения с подобными модулями и с модулями низшего уровня в изделии.
Модульный принцип проектирования предполагает разукрупнение
(разбивку) электронной схемы ЭА на функционально законченные подсхемы
(части), выполняющие определенные функции. Эти подсхемы чаще всего
разбиваются на более простые и так до тех пор, пока электронная схема
изделия не будет представлена в виде набора модулей разной сложности, а
низшим модулем не окажется корпус МС. Модули одного уровня связываются
между собой в ЭА на какой-либо конструктивной основе (несущей
конструкции).
Конструкции ЭА представляют собой некоторую иерархию модулей,
каждая ступень которой называется уровнем модульности. Выделяют четыре
основных и два дополнительных уровня модульности. Под основными
понимаются уровни модульности, широко применяемые в аппаратуре, под
дополнительными – используемые в специальной аппаратуре, но не всегда.
• Модулем нулевого уровня является электронный компонент, то есть
транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, трансформаторы,
интегральные микросхемы, устройства функциональной электроники (УФЭ),
коммутационные устройства и др. Каждое из этих ЭРИ представляет собой
электронный модуль нулевого уровня, т. е. законченную конструкцию,
обладающую определенными функциональными свойствами. Другими
словами, ЭМО представляет собой элементарную конструктивную единицу,
выделение в которой дополнительных уровней иерархии нецелесообразно.
• Модуль первого уровня – типовой элемент замены (ТЭЗ) –
представляет собой печатную плату с установленными на ней модулями
нулевого уровня и электрическим соединителем.
• Модуль второго уровня – блок, основным конструктивным
элементами которого является панель с ответными соединителями модулей
первого уровня. Межблочная коммутация осуществляется соединителями,
расположенными на периферии панели блока. Модули первого уровня
располагаются в один или несколько рядов.
• Модуль третьего уровня – стойка, в которой устанавливаются
блоки или 2-3 рамы.
• Модулем уровня 0,5 является микросборка, состоящая из подложки с
размещенными на ней безкорпусными микросхемами. Межмодульная
коммутация осуществляется введением по периферии подложки контактных
площадок.
• Модуль уровня 2,5 представляет собой раму, в которой размещаются
6-8 блоков. Рама применяется в стоечной аппаратуре.

Раздел 1.2 Уровни проектирования интегральных схем

• Топологический — топологические фотошаблоны для производств.


• Физический — методы реализации одного транзистора (или
небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле.
• Электрический — принципиальная электрическая схема
(транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.).
• Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и
системотехнические схемы (триггеры, компараторы, шифраторы,
дешифраторы, АЛУ и т. п.).
• Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы
ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.).
• Программный уровень — позволяет программисту программировать
(для ПЛИС, микроконтроллеров и микропроцессоров) разрабатываемую
модель, используя виртуальную схему.
В настоящее время большая часть интегральных схем проектируется
при помощи специализированных САПР (систем автоматизированного
проектирования), которые позволяют автоматизировать и значительно
ускорить производственные процессы, например, получение топологических
фотошаблонов.

Раздел 1.3 Классификация и система обозначений интегральных схем.

По конструктивно-технологическому исполнению различают


полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС.
К полупроводниковым относят ПМС (полупроводниковые
интегральные микросхемы), все элементы и межэлементные .соединения
которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В
зависимости от способов изоляции отдельных элементов различают ПМС с
изоляцией p-n-переходами и микросхемы с диэлектрической (оксидной)
изоляцией.
Пленочными интегральными (или просто пленочными схемами ПС)
называют ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены
только в виде пленок. Интегральные схемы подразделяют, на тонко- и
толстопленочные. Эти схемы могут иметь количественное и качественное
различие.
Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют собой
сочетание навесных активных радиоэлементов (микротранзисторов, диодов) и
пленочных пассивных элементов и их соединений.
В зависимости от функционального назначения ИС делят на две
основные категории — аналоговые (или линейно-импульсные) и цифровые
(или логические).
Аналоговые интегральные схемы (АИС) используются в
радиотехнических устройствах и служат для генерирования и линейного
усиления сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции в
широком диапазоне мощностей и частот. Вследствие этого аналоговые ИМС
должны содержать различные по номиналам пассивные и по параметрам
активные элементы, что усложняет их разработку Гибридные микросхемы
уменьшают трудности изготовления аналоговых устройств в
микроминиатюрном исполнении. Интегральные микросхемы становятся
основной элементной базой для радиоэлектронной аппаратуры.
Цифровые интегральные схемы (ЦИС) применяются в ЭВМ,
устройствах дискретной обработки информации и автоматики. С помощью
ЦИС преобразуются и обрабатываются цифровые коды. Вариантом этих схем
являются логические микросхемы, выполняющие операции над двоичными
кодами в большинстве современных ЭВМ и цифровых устройств.
Аналоговые и цифровые ИС выпускаются сериями. В серию входят
ИС, которые могут выполнять различные функции, но имеют единое
конструктивно-технологическое исполнение и предназначаются для
совместного применения. Каждая серия содержит несколько различающихся
типов, которые могут делиться на типономиналы, имеющие конкретное
функциональное назначение и условное обозначение. Совокупность
типономиналов образует тип ИС.

Раздел 1.4. Степень интеграции интегральных схем. Факторы,


ограничивающие степень интеграции.

В зависимости от степени интеграции применяются следующие


названия интегральных схем:
• малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
• средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
• большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в
кристалле,
• сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс.
элементов в кристалле.
Ранее использовались также теперь уже устаревшие названия:
ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — от 1-10 млн до 1 млрд
элементов в кристалле и, иногда, гигабольшая интегральная схема (ГБИС) —
более 1 млрд элементов в кристалле. В настоящее время, в 2010-х, названия
«УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом
элементов более 10 тыс. относят к классу СБИС.
Факторы, ограничивающие степень интеграции
Одним из факторов, ограничивающих степень интеграции, является
технологический фактор. Чаще всего наибольшее число дефектов вносит
процесс фотолитографии.
Качество защиты пластины маской из двуокиси кремния, через
которую проводится локальное легирование (рис.1.7), зависит от ее
однородности и сплошности. При наличии в окисной маске проколов
(микроотверстий) примесь проникает через них, образуя в полупроводнике
незапланированные легированные области, которые (в зависимости от
расположения) могут привести к браку. Причинами появления проколов могут
быть неоднородности в светочувствительном слое - фоторезисте (пыль,
пузырьки и др.), дефекты в рисунке фотошаблона, наличие пылинок в воздухе
на пути света. Образование проколов в окисной маске показано на рис. 1.7:
прокол в фотослое(1) и непрозрачный дефект фотошаблона(2) приводят к
проколам в фотомаске – 3 и к проколам в окисной маске – 4.

Рис. 1.7. Формирование окисной маски:


а – окисление поверхности пластины, . б – нанесение фотослоя
(фоторезиста) . в – экспонирование через фотошаблон, . г – проявление и
образование фотомаски, . д – травление окисла и снятие фотомаски

Система обозначения ИМС

Первый элемент - цифра, обозначающая группу интегральной


микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
1,5,6,7 - полупроводниковые ИМС;
2,4,8 - гибридные;
3 - прочие (пленочные, вакуумные, керамические).
Второй элемент - две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999),
указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС.
Первый и второй элемент образуют серию микросхем.
Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную
подгруппу и вид микросхемы.
1. Вычислительные устройства: 2.Генераторы сигналов:
ВЕ - микро-ЭВМ; ГС - гармонических;
ВМ - микропроцессоры; ГГ - прямоугольной формы;
ВС - микропроцессорные секции; ГЛ - линейно - изменяющихся;
ВУ - устройства ГМ - шума;
микропрограммного управления; ГФ - специальной формы;
ВР - функциональные расширители; ГП - прочие.
ВБ - устройства синхронизации; 3.Детекторы:
ВН - устройства управления ДА - амплитудные;
прерыванием; ДИ - импульсные;
ВВ - устройства управления вводом ДС - частотные;
- выводом; ДФ - фазовые;
ВТ - устройства управления ДП - прочие.
памятью; 4.Запоминающие устройства:
ВФ - функциональные РМ - матрицы ОЗУ;
преобразователи информации; РУ - ОЗУ;
ВА - устройства сопряжения с РВ - матрицы ПЗУ;
магистралью; РЕ - ПЗУ (масочные);
ВИ - времязадающие устройства; РТ - ПЗУ с возможностью
ВХ - микрокалькуляторы; однократного программирования ;
ВГ - контроллеры; РР - ПЗУ с возможностью
ВК - комбинированные устройства; многократного электрического
ВЖ - специализированные перепрограммирования;
устройства;
ВП - прочие.
РФ - ПЗУ с ультрафиолетовым ЛС - И-ИЛИ;
стиранием и электрической записью ЛА - И-НЕ;
информации; ЛЕ - ИЛИ-НЕ;
РА - ассоциативные запоминающие ЛР - И-ИЛИ-НЕ;
устройства; ЛК - И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);
РЦ - запоминающие устройства на ЛМ - ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
ЦМД; ЛБ - И-НЕ / ИЛИ-НЕ;
РП - прочие. ЛД - расширители;
5.Источники вторичного питания: ЛП - прочие.
ЕМ - преобразователи; 8.Многофункциональные
ЕВ - выпрямители; устройства:
ЕН - стабилизаторы напряжения ХА - аналоговые;
непрерывные; ХЛ - цифровые;
ЕТ - стабилизаторы тока; ХК -комбинированные;
ЕК - стабилизаторы напряжения ХМ - цифровые матрицы;
импульсные; ХИ - аналоговые матрицы
ЕУ - устройства управления ХТ - комбинированные матрицы;
импульсными стабилизаторами ХИ - прочие.
напряжения; 9.Модуляторы:
ЕС - источники вторичного МА - амплитудные;
питания; MИ - импульсные;
ЕП - прочие; MС - частотные;
6. Коммутаторы и ключи: MФ - фазовые;
КТ - тока; MП - прочие.
КН - напряжения; 10.Наборы элементов:
КП - прочие; НД - диодов;
7.Логические элементы: НТ - транзисторов;
ЛИ - И; НР - резисторов;
ЛЛ - ИЛИ; НЕ - конденсаторов;
ЛН - НЕ; НК - комбинированные;
НФ - функциональные; УР - промежуточной частоты;
НП - прочие. УН - низкой частоты;
11.Преобразователи: УК - широкополосные;
ПС - частоты; УЛ - считывания и
ПФ - фазы; воспроизведения;
ПД - длительности (импульсов); УМ - индикации;
ПН - напряжения; УД - операционные;
ПМ - мощности; УС - дифференциальные;
ПУ - уровня (согласователи); УП - прочие.
ПЛ - синтезаторы частоты; 14.Устройства задержки:
ПЕ - делители частоты аналоговые; БМ - пассивные;
ПЦ - делители частоты цифровые; БР - активные;
ПА - цифро - аналоговые; БП - прочие.
ПВ - аналого - цифровые; 15.Устройства селекции и
ПР - код - код; сравнения:
ПП - прочие. CА - амплитудные;
12.Триггеры: CВ - временные;
ТЛ - Шмитта; CС - частотные;
ТД - динамические; CФ - фазовые;
ТТ - Т - триггер; CП - прочие.
ТР - RS - триггер; 16.Фильтры:
ТМ - D - триггер; ФВ - верхних частот;
ТВ - JK - триггер; ФН - нижних частот;
ТК - комбинированные; ФЕ - полосовые;
ТП - прочие. ФР - режекторные;
13.Усилители: ФП - прочие.
УТ - постоянного тока; 17.Формирователи:
УИ - импульсные; АГ - импульсов прямоугольной
УЕ - повторители; формы;
УВ - высокой частоты;
АФ - импульсов специальной ИР - регистры;
формы; ИМ - сумматоры;
АА - адресных токов; ИЛ - полусумматоры;
АР - разрядных токов; ИЕ - счетчики;
АП - прочие. ИД - дешифраторы
18.Фоточувствительные ; ИК - комбинированные
устройства с зарядовой связью: ; ИВ - шифраторы;
ЦМ - матричные; ИА - арифметико - логические
ЦЛ - линейные; устройства;
ЦП - прочие. ИП - прочие.
19.Цифровые устройства:

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер


разработки микросхемы в серии.
В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от
А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п.
Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:
К - для аппаратуры широкого применения;
Э - на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
Р - пластмассовый корпус второго типа;
М - керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго
типа;
Е - металлополимерный корпус второго типа;
А - пластмассовый корпус четвертого типа;
И - стеклокерамический корпус четвертого типа
Н - кристаллоноситель.
Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии
может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного
буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая
модификацию конструктивного исполнения:
1 - с гибкими выводами;
2 - с ленточными выводами;
3 - с жесткими выводами;
4 - на общей пластине (неразделенные);
5 - разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на
пленку);
6 - с контактными площадками без выводов (кристалл).

Система обозначения интегральных микросхем