Datasheet de los transistores 2N3904

Características:

 Transistor Bipolar (BJT) NPN

 Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
 Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como suiche y hasta 100 MHz como
amplificador
 IC: 200 mA
 PD: 625 mW
 VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V
 hFE: 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
 fT: 300 MHz min.
 VCE(sat): 0.3 V max. (@ IC 50 mA)
 Encapsulado: TO-92
 Complementario: 2N3906

Equivalentes: NTE123AP, 123AP

Especificaciones máximas
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

Datasheet de los transistores 2N3906

Características:

 Transistor Bipolar (BJT) PNP

 Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general con
corrientes de colector de 10 μA a 100 mA
 IC: 200 mA
 PD: 625 mW
 VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
 hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
 fT: 250 MHz min.
 VCE(sat): 0.4 V max. (@ IC 50 mA)
 Encapsulado: TO-92
 Complementario: 2N3904

Equivalentes: NTE159, 159

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
 El transistor como Interruptor
Cuando utilizamos el transistor como un amplificador de señal de CA, se aplica el voltaje de
polarización a la base del transistor de tal manera que siempre opera dentro de su “región activa",
es decir las características de las curvas usadas de la parte lineal de la salida. Sin embargo, tanto
el transistor bipolar tipo NPN y tipo PNP pueden hacer operar “Encendido/apagado" como
los interruptores de estado sólido polarizando la base de los transistores de manera diferente a la
de un amplificador de señal.
Las áreas de operación de un conmutador de transistor que se conoce como la región de saturación
y de la Región de Corte. Esto significa entonces que podemos ignorar los circuitos de
funcionamiento del punto Q de polarización y divisor de tensión necesaria para la amplificación,
y utilizar el transistor como un interruptor de la conducción hacia atrás y adelante entre su
"totalmente- apagado" (corte) y la "integración global en (saturación) regiones ", como se muestra
a continuación.
Regiones de operación

El área sombreada de color rosa en la parte inferior de las curvas representa la región de "corte",
mientras que la zona azul a la izquierda representa la región "saturación" del transistor. Ambas
regiones del transistor se definen como:
1. Región de corte
Aquí las condiciones de funcionamiento del transistor son cero de la corriente de base de entrada
(IB), corriente cero colectores de salida (IC) y la tensión de colector máxima (VCE) lo que resulta
en una gran capa de agotamiento y ninguna corriente fluye a través del dispositivo. Por tanto, el
transistor cambia a "totalmente apagado".
Características de corte
  La entrada y Base están conectados a tierra (0 V)
 La tensión base-emisor VBE <0.7V
 La unión base-emisor se polariza inversamente
 La unión base-colector se polariza inversamente
 Transistor es "totalmente apagado" (región de corte)
 No circula corriente por el colector (IC = 0)
 VOUT = VCE = VCC = "1"
 Transistor opera como un "interruptor abierto"

Entonces podemos definir la "zona de corte" o "modo apagado" cuando se utiliza un transistor
bipolar como interruptor como ser, las dos uniones polarización inversa, VB <0.7v e IC = 0 Para
un transistor PNP, la potencia del emisor tiene que ser más negativa respecto a la base.
2. Región de saturación
Aquí el transistor será polarizado con el máximo valor de corriente de la base, resultante en la
corriente máxima de colector lo que resulta en la caída de tensión de colector-emisor mínima
que resulta en la capa de agotamiento de ser lo más pequeño posible y la máxima corriente que
fluye a través del transistor.
Características de saturación

 La entrada y Base están conectados a VCC

 VBE tensión base-emisor> 0.7v
 La unión base-emisor está polarizado
 La unión base-colector está polarizado
 Transistor es "totalmente encendido" (región de saturación)
 Los flujos actuales Max (Ic = Vcc / RL)
 VCE = 0 (saturación ideal)
 VOUT = VCE = "0"
 Transistor opera como un "interruptor cerrado"

Entonces podemos definir la "región de saturación" o "modo ON" cuando se utiliza un transistor
bipolar como interruptor como ser, las dos uniones polarizado, VB> 0.7v e IC = máximo. Para un
transistor PNP, el potencial del emisor debe ser positivo con respecto a la base.
Entonces el transistor funciona como un (SPST) Detector de estado sólido "-un solo tiro de un
solo polo". Con una señal de cero se aplica a la base del transistor se convierte en "OFF", actuando
como un interruptor abierto y fluye la corriente de colector cero. Con una señal positiva aplicada
a la base del transistor se convierte en "ON" actuar como un interruptor cerrado y la corriente
máxima del circuito fluye a través del dispositivo.
 Circuito básico del transistor NPN como interruptor

El circuito se asemeja a la del circuito de emisor común que vimos en los tutoriales anteriores. La
diferencia esta vez es que para operar el transistor como un interruptor del transistor debe ser
activado ya sea totalmente "OFF" (línea de corte) o totalmente "ON" (saturadas). Un conmutador
ideal transistor tendría resistencia del circuito infinito entre el colector y el emisor cuando se
enciende "totalmente-OFF", resultando en cero de la corriente que fluye a través de él y resistencia
cero entre el colector y el emisor cuando se enciende "totalmente-ON", lo que resulta en el flujo
de corriente máxima.
En la práctica, cuando el transistor está en posición "OFF", las corrientes de fuga pequeñas fluyen
a través del transistor y cuando está completamente "ON", el dispositivo tiene un bajo valor de
resistencia que causa una pequeña tensión de saturación (VCE) a través de ella. A pesar de que el
transistor no es un interruptor perfecto, en las regiones tanto el corte y saturación la potencia
disipada por el transistor está en su mínimo.
A fin de que la corriente de base al flujo, el terminal de entrada Base debe ser más positiva que la
del emisor mediante el aumento por encima de los 0,7 voltios necesarios para un dispositivo de
silicio. Mediante la variación de esta tensión base-emisor VBE, la corriente de base también se
altera y que a su vez controla la cantidad de corriente que fluye a través del colector del transistor
como se discutió previamente.
Cuando fluye corriente máxima de colector del transistor se dice que está saturada. El valor de la
resistencia de base determina la cantidad de tensión que se requiere y la corriente de base
correspondiente de entrada para cambiar el transistor totalmente "ON".
Transistor como interruptor Ejemplo No1
Utilizando los valores de transistores de los tutoriales anteriores de: β = 200, Ic = 4 mA y Ib =
20uA, encontrar el valor de la resistencia de base (Rb) se requiere para cambiar la carga máxima
"ON" cuando la tensión en los bornes de entrada excede 2.5v.

El valor siguiente más baja preferido es: 82kΩ, esto garantiza el interruptor de transistor está
siempre saturado.
Transistor como interruptor Ejemplo No2
Una vez más utilizando los mismos valores, encontrar el mínimo de corriente base requerida
para encender el transistor "totalmente-ON" (saturado) para una carga que requiere 200mA de
corriente cuando la tensión de entrada se incrementa a 5.0V. También calcular el nuevo valor de
Rb.
Corriente de la base del transistor:

Resistencia de la base del transistor:

Transistor PNP como interruptor

También podemos utilizar los transistores PNP como un interruptor, la diferencia esta vez es que
la carga está conectado a tierra (0v) y el transistor PNP cambia la potencia a la misma. Para activar
el transistor PNP funciona como un interruptor de "ON", el terminal de base está conectada a
tierra o cero voltios (bajo) como se muestra.
Circuito de Transistor PNP como interruptor

Las ecuaciones para el cálculo de la resistencia de base, la corriente y tensiones de colector son
exactamente los mismos que para el interruptor de transistor NPN anterior. La diferencia esta vez
es que estamos cambiando el poder con un transistor PNP (corriente de alimentación) en lugar de
cambiar de tierra con un transistor NPN (actual hundimiento).