ROM

La memoria ROM, (acrónimo en inglés de Read-Only Memory) o memoria de sólo lectura, es un

medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo
la lectura de la información y no su borrado, independientemente de la presencia o no de una
fuente de energía.

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o

fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que está estrechamente
ligado a hardware específico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro
contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha
el ordenador y realizan los diagnósticos.

En su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM -en inglés, MROM- (el más antiguo tipo
de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo
tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más
modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar
varias veces, aún siendo descritos como "memoria de sólo lectura" (ROM). La razón de que se las
continúe llamando así es que el proceso de reprogramación en general es poco frecuente,
relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria.
A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son más flexibles y
económicos, por lo cual las antiguas máscaras ROM no se suelen encontrar en hardware
producido a partir de 2007.

El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología
semiconductora. Las puertas lógicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar
una dirección de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño (una tabla de consultas). Con
la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. La máscara ROM consistía
en una cuadrícula de líneas formadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas
respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podían representar una
tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación deductible.

Son consoladores de ultima generacion que te hace acabar con verloEn las máscaras ROM los
datos están físicamente codificados en el mismo circuito, así que sólo se pueden programar
durante la fabricación. Esto acarrea serias desventajas:

1. Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata

fundiciones para producirlas según sus necesidades.
2. El tiempo transcurrido entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado
final es muy largo.
3. No son prácticas para I+D por el hecho de que los desarrolladores necesitan cambiar el
contenido de la memoria mientras refinan un diseño.
4. Si un producto tiene un error en la máscara, la única manera de arreglarlo es
reemplazando físicamente la ROM por otra.

Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de
sólo lectura programable (PROM). Inventada en 1956, permitía a los usuarios modificarla sólo una
vez, alterando físicamente su estructura con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Esto eliminó
los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que una compañía podía pedir un gran lote de PROMs
vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se
desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su
contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el
punto 3 de la anterior lista. Más tarde, en 1983, se inventó la EEPROM, resolviendo el conflicto
número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo
para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un cable serial). En medio de la década
de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y
reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin
sufrir ningún daño.

Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM, pero lo hicieron a

expensas de un alto incremento del costo por chip. Por eso las máscaras ROM se mantuvieron
como la solución económica durante bastante tiempo. Esto fue así aproximadamente hasta el año
2000, cuando el precio de las memorias reprogramables hubo descendido lo suficiente como para
comenzar a desplazar a las ROM no reprogramables del mercado.

El producto más reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseñadores
rompieron explícitamente con las prácticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un
reemplazo de los discos duros", más que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de
almacenamiento primario no volátil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo
un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los shocks físicos, una
miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un
consumo de potencia mucho más bajo.

Uso para almacenamiento de software

Memoria de solo lectura conteniendo el BIOS de una vieja placa madre.

Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980 venían con todo su sistema operativo
en ROM. No había otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente
opcionales. La actualización a una nueva versión significa usar un soldador o un grupo de
interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas
operativos en general ya no van en ROM. Todavía los ordenadores pueden dejar algunos de sus
programas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es más frecuente que vaya en memoria
flash. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en
memoria ROM (o por lo menos en memoria flash).

Algunas de las videoconsolas que usan programas basados en la memoria ROM son la Super
Nintendo, la Nintendo 64, la Sega Mega Drive o la Game Boy. Estas memorias ROM, pegadas a
cajas de plástico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces, son conocidas como
cartuchos. Por extensión la palabra ROM puede referirse también a un archivo de datos que
contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una
copia de un cartucho de videojuego.

Uso para almacenamiento de datos

Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versión de máscara), sólo resulta
apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida de este
dispositivo. Con este fin, la ROM se ha utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de
consulta, utilizadas para la evaluación de funciones matemáticas y lógicas. Esto era
especialmente eficiente cuando la CPU era lenta y la ROM era barata en comparación con la RAM.
De hecho, una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la
velocidad, ya que los discos siguen siendo más lentos. Y lo que es aún más importante, no se
puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo
tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una
memoria ROM.

No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha ido

desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propósito general, mientras que la
memoria Flash ha ido ocupando este puesto.

Memoria de acceso aleatorio

La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory cuyo acrónimo es RAM) es la
memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

La frase memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos de memoria que se
usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los modulos de
memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM,
memorias Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento
también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los
módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de
circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas
de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.

La denominación “de Acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas de las memoria de acceso
secuencial, debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o
primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o
masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable
de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero
actualmente la denominación no es precisa.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada
entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a
finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban relés y
líneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vacío para implementar las funciones
de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de
silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se
presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que
fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las
memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales,
la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de
núcleos.
• FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,[4] se
implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección
y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto
supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder
a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una
calle: después de la primera vez no seria necesario decir el número de la calle únicamente seguir
la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en
sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

• EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su

antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la
columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como
resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo de lectura.

• BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo
de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de
memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO.
Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de
memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan
funcionalidades distintas como señales de reloj.

Arquitectura base

En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la
corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistema puede invocar al
procesador accesos a partes del proceso que antes (en un estado de reposo) no es posible
acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía la activación de contactores,
ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La programación de estos elementos, consistía
en la predisposición de los contactores para que, en una línea de tiempo, adquiriesen las
posiciones adecuadas para crear un flujo con un resultado concreto. La ejecución de un programa,
provocaba un ruido estruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el
área central de proceso estaba separada del área de control por mamparas insonorizadas.

Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por, válvulas de
vacío, transistores y en las últimas generaciones, por un material sólido dieléctrico. Dicho estado
estado sólido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda tanto leer como escribir información.

Memoria EPROM

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable).
Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está
formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o
"transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son
leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan
mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente
utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte
luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas
provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana
transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y
que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time
Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la
ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir
tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas
últimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas
cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).

Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número
ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe
permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente
EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el
nombre del productor de la BIOS, su revisión y una advertencia de copyright.

Las EPROM pueden venir en diferentes tamaños y capacidades. Así, para la familia 2700 se
pueden encontrar:

Tipo de EPROM Tamaño — bits

Tamaño — Bytes
Longitud (hex)
Última dirección (hex)
1702, 1702A 2 Kbits
256 100 000FF
2704 4 Kbits 512 200 001FF
2708 8 Kbits 1 KBytes
400 003FF
2716, 27C16 16 Kbits 2 KBytes 800 007FF
2732, 27C32 32 Kbits 4 KBytes 1000 00FFF
2764, 27C64 64 Kbits 8 KBytes 2000 01FFF
27128, 27C128 128 Kbits 16 KBytes 4000 03FFF
27256, 27C256 256 Kbits 32 KBytes 8000 07FFF
27512, 27C512 512 Kbits 64 KBytes 10000 0FFFF
27C010, 27C100 1 Mbits
128 KBytes 20000 1FFFF
27C020 2 Mbits 256 KBytes 40000 3FFFF
27C040 4 Mbits 512 KBytes 80000 7FFFF
27C080 8 Mbits 1 MBytes

100000 FFFFFNOTA: 1702 EPROMs son PMOS, las EPROMs de las serie 27x que contienen
una C en el nombre están basadas en CMOS, el resto son NMOS

+--------------+ Pines de la EPROM 2764

VPP |1 +--+ 28| VCC
A12 |2 27| /PGM
A7 |3 26| NC
A6 |4 25| A8
A5 |5 24| A9
A4 |6 23| A11
A3 |7 2764 22| /OE
A2 |8 21| A10
A1 |9 20| /CE
 A0 |10 19| D7
D0 |11 18| D6
D1 |12 17| D5
D2 |13 16| D4
GND |14 15| D3
+--------------+
EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM
programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado,
borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante
un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una
compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un
1 lógico. Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser
borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.

Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras
ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor
rapidez. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka
mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos
de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial
de tipo NOR