LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS III

UNMSM
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones
APELLIDOS Y NOMBRES MATRÍCULA

CURSO TEMA
LA CARACTERISTICA CUADRÁTICA
Circuitos
DEL TRANSISTOR EFECTO DE
Electrónicos III
CAMPO
INFORME FECHAS NOTA
REALIZACIÓN ENTREGA
NÚMERO

GRUPO PROFESOR
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS III

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGERNIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INFORME PREVIO
OBJETIVO
 Obtener experimentalmente el contenido armónico de la
corriente de drenador del transistor efecto de campo (FET)

MARCO TEORICO
MODELO DE EBERS-MOLL

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son

determinada por:

Donde:

 IE es la corriente de emisor.

 IC es la corriente de colector.

 𝛼 𝑇 es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de

0.98 a 0.998)

 IES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el

orden de 10−15 a 10−12amperios)

 VT es el voltaje térmico kT/q (aproximadamente 26 mV a temperatura

ambiente ≈ 300 K).

 VBE es la tensión base emisor.

 W es el ancho de la base.
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INFORME PREVIO

1. Calcule el punto de operación del transistor del amplificador de la figura #1.

2. Determine una expresión general para VA, VB y VO en resonancia asumiendo los
datos de la bobina y un QT alto (los datos del transistor son conocidos).
2𝐼2 (𝑋)
3. Calcule Gm(x) y para los valores de V1 = 20, 50, 70, 100, 200, 300, 350mV.
𝐼0 (𝑋)

4. Para Vin = 260Mv cos(w0t/n) encuentre una expresión general para Vo(t)

Resolución
1. Analizando el circuito en DC:
Tomando las consideraciones siguientes:
𝐼𝐵 ≈ 0
𝑅2 22𝑘
𝑉𝑇𝐻= × 𝑉𝑐𝑐 = 12𝑣 = 6𝑣
𝑅2 + 𝑅1 22𝑘 + 22𝑘

Analizando la malla B-E del circuito:

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𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 6 − 0.7

𝐼𝐸 ≈ ≈ ≈ 0.53𝑚𝐴
𝑅𝐸 10𝐾
De la malla C-E:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 12 − 0.53𝑚(1𝑘 + 10𝑘)
𝑉𝐶𝐸 = 6.17𝑣
2. Analizamos el circuito en AC para obtener una expresión para los voltajes VA,
VB, VO

Insertar figura ac

De la figura se puede observar:

𝑉𝐴 = 𝑔𝑚𝑉𝑏𝑒 × 𝑅𝐶
Pero:
𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑖𝑛
Entonces:
𝑉𝐴 = 𝑔𝑚𝑅𝐶 × 𝑉𝑖𝑛
Pero en modelos de pequeña señal:
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𝐼𝐶
𝑔𝑚 =
𝑉𝑇
Entonces:
𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑉𝐴 = × 𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑇

Debido al transformador tenemos la siguiente equivalencia:

(𝑛2 + 𝑛3) (𝑛2 + 𝑛3)
𝑉𝑇 = 𝑉𝑜
𝑛1 𝑛3
𝑛3
𝑉𝑜 = 𝑉𝑇 ( )
𝑛1
Finalmente si a 𝑉𝑖𝑛 le asignamos una expresión de onda como la siguiente:
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑛 cos(𝑤𝑡)
(𝑛3)
𝑣0 = 𝑔𝑚 𝑅 𝑉
𝑛1 𝐶 𝑖𝑛
(𝑛3) 2𝐼1 (𝑋)
𝑣0 = 𝑔𝑚𝑅𝐶 [ ]𝑉
𝑛1 𝑥𝐼𝑂 (𝑋) 𝑖𝑛
De la expresión anterior tenemos:
𝑛3
𝑣𝑜 = 𝐺𝑚(𝑋)𝑅𝐶 ( ) 𝑉𝑖𝑛
𝑛1
𝑉𝑛
𝑥=
𝑉𝑇
De la relación de vueltas en el inductor:
𝑉𝐵 = 𝐺𝑚(𝑋)𝑅𝐶 𝑉𝑖𝑛
𝑛1
𝑉𝐴 = 𝐺𝑚(𝑋)𝑅𝐶 ( )
𝑛2 + 𝑛3
Donde se tiene para ambos casos:
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2𝐼1 (𝑋)
𝐺𝑚(𝑋) = 𝑔𝑚 [ ]
𝑥𝐼𝑂 (𝑋)

3. Analizando según la teoría de Clark and Hess se tiene:

Desarrollando por Fourier

Usando la función modificada de Bessel de una función de orden n:

Calculando:
𝜋
2𝐼2 (𝑋) ∫−𝜋 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑐𝑜𝑠2𝜃𝑑𝜃
=2 𝜋
𝐼𝑂 (𝑋) ∫ 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑑𝜃
−𝜋
𝜋
2𝐼2 (𝑋) ∫−𝜋 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑐𝑜𝑠2𝜃𝑑𝜃
𝐺𝑚(𝑋) = 𝑔𝑚 =2 𝜋
𝐼𝑂 (𝑋) ∫ 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑑𝜃 −𝜋
Haciendo cálculos se tiene:
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑖𝑛
𝑥= =
𝑉𝑇 26𝑚𝑉
𝐼𝐶 0.53𝑚
𝑔𝑚 = = = 20.3𝑚
𝑉𝑇 26𝑚𝑉
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VT 26mV
Vi 20 mV 50 mV 70 mV 100 mV 200 mV 300 mV 350 mV
x= Vi/VT 0.7692 1.9231 2.6923 3.8462 7.6923 11.5385 13.4615
2𝐼2 (𝑥)
𝐼0 (𝑥) 0 0.4103 0.776 1.1364 1.5324 1.6677 1.6931

gm 0.02038

2𝐼2 (𝑥)
Gm(x)= gm 0 8.362 mS 15.8148 mS 23.1618mS 31.2303mS 33.9877mS 34.5053mS
𝐼0 (𝑥)

w0t⁄
4. Para Vin = 260mVcos ( n) encuentre una expresión general para Vo(t).

Como 𝐼𝑑𝑐 = 0.53𝑚𝐴 y

𝜔 𝑡
2𝐼𝑛 (𝐶𝑜𝑠 ( 𝑛0 ))
𝑉0 = 12𝑉 + 𝐼𝑑𝑐 𝜔 𝑡 𝑅 𝐶𝑜𝑠𝑛𝜔𝑡
𝐼0 (𝐶𝑜𝑠( 0 ))
𝑛
Reemplazando los valore de 𝐼𝑑𝑐 :
𝜔 𝑡
2𝐼𝑛 (𝐶𝑜𝑠 ( 𝑛0 ))
𝑉0 = 12𝑉 + 0.53𝑚𝐴 𝜔 𝑡 𝑅 𝐶𝑜𝑠𝑛𝜔𝑡
𝐼0 (𝐶𝑜𝑠( 0 ))
𝑛

Anexos de las tablas:

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