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2. El transistor de unión bipolar (BJT) ................................................................................... 1
6. Bibliografía....................................................................................................................... 92
2. El transistor de unión bipolar (BJT)
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CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas
de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero
se denomina transistor npn, en tanto que el último recibe el nombre de transistor pnp.
Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de cd adecuada. En el capítulo 3
encontraremos que la polarización de cd es necesaria para establecer una región de
operación apropiada para la amplificación de ca. Las capas exteriores del transistor son
materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho
mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores
que se muestran en la figura 3.2, la relación entre el ancho total y el de la capa central es de
0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es también considerablemente
menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de
dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el
número de portadores "libres".
En la polarización que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante
letras mayúsculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificación
respecto a la elección de esta notación se presentará cuando estudiemos la operación básica
del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unión bipolar)
se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho
de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material
polarizado opuestamente. Si sólo uno de los portadores se emplea (electrón o hueco), se
considera que el dispositivo es unipolar.
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papeles que desempeñan los electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el
transistor pnp sin la polarización base a colector. Nótense las similitudes entre esta
situación y la del diodo polarizado directamente en el capítulo 1. El ancho de la región de
agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo
de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.
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portadores minoritarios, en la región de agotamiento cruzarán la unión polarizada
inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.
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elevadas temperaturas. Las mejoras en las técnicas de construcción han producido niveles
bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.
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Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales,
como se definen con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada caso que IE
= IC + IB. También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo
que se establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese
la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con
la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales
como los amplificadores de base común de la figura 3.6, se requiere de dos conjuntos de
características, uno para los parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado
de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en
la figura 3.7, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para
varios niveles de voltaje de salida (VCB).
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frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la
figura 3.9. A causa de las técnicas mejoradas de construcción, el nivel de ICBO para
transistores de propósito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y
medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para
unidades de mayor potencia ICBO aún aparecerá en el intervalo de los microamperios.
Además, recuérdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible
a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor
importante ya que se incrementa muy rápidamente con la temperatura.
IC ≈ IE
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella región donde la
corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma:
En la región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor están
inversamente polarizadas.
La región de saturación se define como la región de las características a la izquierda de
VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se amplió para mostrar claramente el gran
cambio en las características de esta región. Nótese el incremento exponencial en la
comente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.
En la región de saturación las uniones colector-base y base-emisor están polarizadas
directamente.
Las características de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de
colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se
incrementa de una manera que se asemeja mucho a las características del diodo. De hecho,
los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las características
que, como una primera aproximación, la variación debida a los cambios en VCB puede
ignorarse y se dibujan las características como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos
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entonces el método del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrán las
características de la figura 3.10b. Adelantando un paso más e ignorando la pendiente de la
curva y por tanto la resistencia asociada con la unión directamente polarizada, se obtendrán
las características de la figura 3. lOc. Para los siguientes análisis en estos apuntes, el
modelo equivalente de la figura 3.l0c se empleará para todos los análisis de cd para redes
de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de
conducción, se supondrá que el voltaje de base a emisor será el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa (α )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios están
relacionados
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuación:
α cd = IC / IE
donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun cuando las
características de la figura 3.8 parecen sugerir que α =1, para dispositivos prácticos el nivel
de alfa se extiende típicamente de 0.90 a 0.998, aproximándose la mayor parte al extremo
superior del intervalo. Ya que alfa se define únicamente por los portadores mayoritarios, la
ecuación (3.2) se convierte en
IC = α IE + ICBO
Para las características de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO,
pero como se mencionó con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeño
que es virtualmente indetectable en la gráfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE
= 0 mA en la figura 3.8, IC aparece también con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operación se mueve sobre la curva de
características, un alfa de ca se define por
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Polarización
La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente empleando la
aproximación IC ≈ IE y suponiendo por el momento que IB ≈ 0 uA. El resultado es la
configuración de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del símbolo define la
dirección del flujo convencional para IC ≈ IE. Las alimentaciones de cd se insertan
entonces con una polaridad que sostendrá la dirección de la corriente resultante. En el
transistor npn las polaridades estarán invertidas.
Figura 3.11
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, la acción básica de amplificación del
transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La
polarización de cd no aparece en la figura puesto que nuestro interés se limitará a la
respuesta de ca. Para la configuración de base común, la resistencia de entrada de ca
determinada por las características de la figura 3.7 es bastante pequeña y varía típicamente
de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es
bastante alta (cuanto más horizontal esté la curva mayor será la resistencia) y varía
normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unión
polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unión polarizada inversamente en
la salida (base a colector). Usando un valor común de 20 ohms para la resistencia de
entrada, encontramos que
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Figura 3.12
La amplificación de voltaje es
Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de base común varían
de 50 a 300. La amplificación de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la
configuración de base común. Esta última característica debe ser evidente ya que IC = α IE
y α siempre es menor que 1.
La acción básica de amplificación se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de
baja resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos en cursivas produce el
nombre de transistor, es decir, transferencia + resistor —> transistor
Figura 3.13
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Figura 3.14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de comente
convencional real. Aun cuando la configuración del transistor ha cambiado, siguen siendo
aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuración de base
común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán una gráfica de la
corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la
corriente de entrada (IB). Las características de la entrada son una gráfica de la comente de
entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de
salida (VCE).
Obsérvese que en las características de la figura 3.14 la magnitud de IB es del orden de
micro amperes comparada con los mili amperes de IC. Nótese también que las curvas de IB
no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración de base
común, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente
de colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante
superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas
correspondientes a IB son casi líneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la
figura 3.14 a esta región se localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat
por encima de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se
denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador emisor común la
unión colector-base está polarizada inversamente, en tanto que la unión base-emisor está
polarizada directamente.
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Se recordará que éstas fueron las mismas condiciones que existieron en la región activa de
la configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común
puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida como en
la configuración de base común. Nótese, en las características de colector de la figura 3.14
que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuración de base común, cuando la
corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la corriente de
saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los
propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse mediante la
manipulación adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) =
0.25 mA, como se refleja en las características de la figura 3.14.
En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se
muestran con su dirección de referencia asignada.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión) el corte para la
configuración de emisor común se determinará mediante IC = ICEO
En otras palabras, la región por debajo de IB = 0 µA deberá evitarse si se requiere una señal
de salida sin distorsión.
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Cuando se emplea como interruptor en la circuitería lógica de una computadora, un
transistor tendrá dos puntos de operación de interés: uno en el corte y el otro en la región de
saturación. La condición de corte, en el caso ideal, sería IC = O mA para el voltaje VCE
elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequeña magnitud para los materiales de
silicio, el corte existirá para propósitos de conmutación cuando IB = O µA o IC = ICEO
únicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin
embargo, el corte para propósitos de conmutación se definirá como aquellas condiciones
que existen cuando IC = ICBO. Esta condición puede obtenerse normalmente en los
transistores de germanio polarizando inversamente la unión de base emisor, polarizada por
lo regular en forma directa a unos cuantos décimos de volt.
Recuérdese para la configuración de base común que el conjunto de características de
entrada se aproximó por una línea recta equivalente que resultó en VBE = 0.7 V para
cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para la configuración de emisor común puede
tomarse la misma aproximación, resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16.
El resultado apoya nuestra anterior conclusión de que para un transistor en la región
"activa" o de conducción el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se
ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.
Beta ( β )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y
definida por la siguiente ecuación:
βcd = IC / IB
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de βca, y de β cd están por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
Se puede desarrollar una relación entre y β empleando las relaciones básicas presentadas
con anterioridad. Utilizando β= IC /IB obtenemos IB = IC / β , y de α= IC/IE tenemos que
IE = IC / α Sustituyendo en
IE = IC + IB
IC /α = IC + (IC / β )
y dividiendo ambos lados de la ecuación por IC resultará en
1 / α = 1 + (1 / β )
de modo que
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encontramos que
ICEO ≈ β ICBO
como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parámetro particularmente importante
porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circuí Los de entrada
y salida para una configuración de emisor común. Es decir,
IC ≈ β IB
Y puesto que
IE = IC + IB
= β IB + IB
IE = (β+ 1) IB
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Desde el punto de vista de diseño, no es necesario elegir para un conjunto de características
de colector común, los parámetros del circuito de la figura 3.21. Pueden diseñarse
empleando las características de emisor común de la sección 3.6. Para todos los propósitos
prácticos, las características de salida de la configuración de colector común son las mismas
que las de la configuración de emisor común. En la configuración de colector común las
características de salida son una gráfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de
IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto para las características de emisor
común como para las de colector común. El eje de voltaje para la configuración de colector
común se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las
características de emisor común. Por último, hay un cambio casi imperceptible en la escala
vertical de IC de las características de emisor común si IC se reemplaza por IE en las
características de colector común (puesto que α = 1). En el circuito de entrada de la
configuración de colector común, las características de la base de emisor común son
suficientes para obtener la información que se requiera.
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Figura 3.22
El nivel de VCEsat está regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este
transistor. El máximo nivel de disipación se define por la siguiente ecuación:
PCmáx = VCEIC
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipación de potencia de colector se especificó
como de 300 mW. Surge entonces la cuestión de cómo graficar la curva de disipación de
potencia de colector especificada por el hecho de que
PCmáx = VCEIC = 300 mW
En cualquier punto sobre las características el producto de VCE e IC debe ser igual a 300
mW. Si elegimos para IC el valor máximo de 50 mA y lo sustituimos en la relación
anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW
VCE = 6 V
Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de
disipación de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su
valor máximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
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IC = 15 mA
definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel
de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE
obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V
como también se indica en la figura 3.22. Una estimación aproximada de la curva real
puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por
supuesto, entre más puntos tenga, más precisa será la curva, pero una aproximación es
generalmente todo lo que se requiere. La región de corte se define como la región bajo IC
= ICEO. Esta región tiene que evitarse también si la señal de salida debe tener una
distorsión mínima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO.
Entonces uno debe utilizar la ecuación ICEO = β ICBO para establecer alguna idea del
nivel de corte si la curva de características no está disponible. La operación en la región
resultante de la figura 3.22 asegurará una mínima distorsión de la señal de salida y niveles
de voltaje y corriente que no dañarán al dispositivo. Si las curvas de características no están
disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno
simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que
aparece en la siguiente ecuación:
ICEO ≤ IC ≤ Icmáx
VCEIC ≤ PCmáx
Para las características de base común la curva de potencia máxima se define por el
siguiente producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
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las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales máximos, características
térmicas v características eléctricas. Las características eléctricas se subdividen además en
características en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las
características en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las
características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la operación
de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax =
200 mA. La máxima disipación de colectora . = 625 mW. El factor de degradación bajo los
valores nominales máximos especifica que el valor nominal máximo debe descender 5 mW
por cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características
durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado
"encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC =
2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo
voltaje.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a
continuación en el formato de la ecuación (3.17) empleando hFE = 150 (el límite superior).
En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 µA = 0.0075 mA se pueden considerar como
0 mA sobre una base aproximada.
Límites de Operación
7.5 uA ≤ IC ≤ 200 mA
0.3 V ≤ VCE ≤ 30 V
VCEIC ≤ 650 mW
En las características de pequeña señal el nivel de hfe (β ca) se proporciona junto con una
gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se
demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE (β ca).
A temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE (β cd) tiene un valor máximo de 1 en
la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa más allá de este nivel,
hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC
disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si
tenemos un transistor con β cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8
mA es de 50. A IC = 50 mA habrá decaído a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalización
revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor máximo
de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
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Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.
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3. Polarización de CD del BJT
IE = (β + 1)IB ≈ IC
IC = β IB
De hecho, una vez que el análisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la ruta
por seguir hacia la solución de las redes comenzara a ser más evidente. En la mayoría de los
casos la corriente de base IB es la primera cantidad que se determina. Una vez que IB se
conoce, las relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar las
restantes cantidad de interés. Las similitudes en el análisis serán inmediatamente obvias a
medida que avancemos en este capítulo. Las ecuaciones para IB son tan similares para
diversas configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sencillamente quitando
o agregando un término o dos. La función primordial de este capitulo es desarrollar cierto
nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual permitiría un análisis de cd de cualquier
sistema que deba emplear el amplificador BJT.
PUNTO DE OPERACIÓN
El término polarización que aparece en el titulo de este capítulo es un vocablo que incluye
todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y
voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente de cd resultantes
establecen un punto de operación sobre las características, el cual define la región que se
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empleará para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un
punto fijo sobre las características, se le conoce también como punto quiescente (abreviado
punto Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo. La figura 4.1
muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de
operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la
operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la región
activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las características de la figura 4,1,
por una linea horizontal para la corriente de colector máxima ICmáx y por una línea vertical
para el voltaje de colector-emisor máximo VCEmax. La máxima potencia de operación
máxima se define por la curva Pcmáx en la misma figura. En el extremo inferior de las
escalas se localizan la región de corte, definida por IB ≤ 0 uA, y la región de saturación,
definida por VCE ≤ VCEsat.
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Si no se utilizara la polarización, el dispositivo estaría al principio totalmente cortado
(desactivado), lo cual produciría la A, esto es, corriente cero a través del dispositivo (y
voltaje cero a través del mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda
responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una señal de
entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta
operación deseada. Si se aplica una señal al circuito, además del nivel de polarización, el
dispositivo variará sus valores de corriente y voltaje a partir del punto de operación B, lo
que permite que el dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva
como la parte negativa de la señal de entrada. Si, como podría suceder, la señal de entrada
es pequeña, el voltaje y la corriente del dispositivo variarán, pero no lo suficiente para
llevarlo al nivel de corte o saturación. El punto C permitiría cierta variación positiva y
negativa de la señal de salida, pero el valor pico a pico sería limitado por la proximidad de
vCE = 0V/IC = 0mA. La operación en el punto C también tiene algo que ver con las no
linealidades introducidas por el hecho de que el espacio entre las curvas IB cambia
rápidamente, en esta región. En general, es preferible operar donde la ganancia del
dispositivo es más constante (o lineal), de tal modo que la cantidad de amplificación en
toda la excursión de la señal de entrada es la misma. El punto B es una región de
espaciamiento más lineal y, por consiguiente, su operación tiene un mayor grado de
linealidad, como se indica en la figura 4.1. El punto D fija el punto de operación del
dispositivo cerca del valor de voltaje y potencia máximo. La excursión del voltaje de salida
en la dirección positiva está de este modo limitada si no se excede el voltaje máximo. En
consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operación en términos de la
ganancia lineal o de la excursión de voltaje y corriente más grande posible. Esta es casi
siempre la condición que se desea en los amplificadores de pequeña señal, pero no
necesariamente para los amplificadores de potencia. En este análisis, nos concentramos
fundamentalmente en la polarización del dispositivo para la operación de amplificación de
señales pequeñas.
Debe considerarse otro factor de la polarización muy importante. Habiendo seleccionado y
polarizado un BJT en un punto de operación deseado, también debe tomarse en cuenta el
efecto de la temperatura. La temperatura provoca cambios en las características del
dispositivo, tales como la ganancia de corriente (β ca) y la corriente de fuga del transistor
(ICEO). Las altas temperaturas conducen a un incremento de corrientes de fuga en el
dispositivo, por lo que cambian la condición de operación establecida por la polarización
de la red. El resultado es que el diseño de la red también debe proporcionar un grado de
estabilidad de temperatura de modo que los cambios de temperatura resulten en cambios
mínimos en el punto de operación. Este mantenimiento del punto de operación puede
especificarse por un factor de estabilidad, S, el cual indica la magnitud del cambio en el
punto de operación debido a una variación de temperatura. Es deseable un circuito
altamente estable y se comparará la estabilidad de algunos circuitos de polarización
básicos. Para el BJT que se polarizará en su región de operación lineal o activa debe
cumplirse:
1. La unión de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de
la región p más positivo) con un voltaje resultante de polarización directa
entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
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2. La unión de base a colector debe estar polarizada inversamente (región n
más positiva), estando el voltaje de polarización inversa en cualquier valor
dentro de los límites máximos del dispositivo.
[Nótese que en la polarización directa el voltaje en la unión p-n es p-positivo, en tanto que
en la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El énfasis que se hace sobre
la letra inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje
necesaria.]
La operación en las regiones de corte, de saturación y lineal de la características del BJT se
obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1. Operación en la región lineal: Unión base-colector con polarización directa, Unión
base-colector con polarización inversa
2. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización inversa
3. Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa,
Unión base-colector con polarización directa
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Figura 4.2 Circuito de polarización fija.
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En realidad, la ecuación (4.4) no es difícil de recordar si se considera simplemente que la
corriente de base es la corriente a través de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es el
voltaje a través de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a través de RB es el
voltaje aplicado VCC en uno de los extremos menos la caída a través de la unión base-
emisor (VBE).
IC = β IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de RB
e IC se relaciona con IB por una constante β la magnitud de IC no es una función de la
resistencia RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC en tanto
que permanezcamos en la región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos
posteriormente, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, el cual es un parámetro
importante.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff en la dirección de las manecillas del reloj a lo largo
de la malla indicada en la figura 4.5, se obtendrá el resultado siguiente
VC + ICRC - VCC = 0
VCE = VCC - ICRC
el que establece en palabras que el voltaje a través de la región de colector-emisor de un
transistor en la configuración de polarización fija es la fuente de voltaje menos la caída a
través de RC. Como un breve repaso de la notación de subíndice y doble subíndice,
recuérdese que
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VCE = VC - VE
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y
emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos
VCE = VC
Además, puesto que
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Téngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la
punta roja (positiva) del voltímetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en
la terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra
y se mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idénticas,
pero en las redes que se verán más adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes.
Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones probará ser de suma
importancia en la detección de fallas de las redes de transistores.
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Saturación del transistor
El termino saturación se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus
valores máximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota más de
liquido. Para un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un valor
máximo para el diseño particular. Modifíquese el diseño y el correspondiente nivel de
saturación podrá elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturación se define por
la máxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturación se evitan por lo general debido a que la unión de base a
colector ya no está inversamente polarizada y la señal amplificada de salida estará
distorsionada. Un punto de operación en la región de saturación se representa en la figura
4.8a. Nótese que se encuentra en una región donde se unen las "curvas de características y
el voltaje de colector a emisor se halla en o sobre VCEsat . Además, la corriente de colector
es relativamente alta sobre las características.
27
Figura 4.9 Determinación de ICsat.
Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente
máxima de colector aproximada (nivel de saturación) para un diseño en particular,
simplemente inserte un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor
y calcule la corriente de colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la
configuración de polarización fija de la figura 4.10, se utilizó el corto circuito, ocasionando
que el voltaje a través de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturación
resultante para la configuración de polarización fija es:
ICsat = VCC / RC
28
Las características de salida del transistor también relacionan las mismas dos variables IC y
VCE, como se ilustra en la figura 4.11b. Por lo tanto, tenemos, en esencia, una ecuación de
red y un conjunto de características que utilizan las mismas variables. La solución común
de las dos ocurre donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen
simultáneamente. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solución de dos
ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y otra por las características del
dispositivo.
Figura 4.11 Análisis de recta de carga (a) la red (b) las características del dispositivo.
Las características del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la figura 4.11b.
Ahora debemos sobreponer la línea recta definida por la ecuación 4.12 sobre las
características. El método más directo para trazar la ecuación (4.12) sobre las características
de salida es empleando el hecho de que una recta está definida por dos puntos. Si elegimos
IC con un valor de 0 mA, estaremos especificando el eje horizontal como la línea sobre la
cual se localizará un punto. Al sustituir IC = 0 mA en la ecuación (4.12), encontraremos
que
VCE = VCC para IC = 0 mA
definiendo un punto para la línea recta, como se ilustra en la figura 4.12.
29
Figura 4.12 Recta de carga de polarización fija.
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como
la línea sobre la cual se definirá el segundo punto, encontraremos que IC se determina por
la siguiente ecuación: como aparece en la figura 4.12. La línea resultante sobre la gráfica de
la figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que está definida por el resistor de carga
RC. Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se
ilustra en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se
mueve hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si
VCC se mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subirá como se representa en la
figura4,14. Si IB es la que se mantiene constante, el punto Q se trasladará como se ilustra
en la misma figura. Si RC se fija y VCC varía, la recta de carga se desplazará como se
muestra en la figura 4,15.
Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE
30
Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el
punto Q.
Figura 4.15 Efecto de la disminución en los valores de VCC sobre la recta de carga y el
punto Q.
31
análisis se realizará examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los
resultados, se investigará la malla de colector a emisor.
Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se
ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchoff alrededor de la malla
indicada en dirección de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente
ecuación:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recordando del capitulo 2 que
IE = (β + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuación (4.15) da por resultado
32
Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para IB y la obtenida para la con
figuración de polarización fija es el término (β + 1) RE. Hay un resultado interesante que
puede derivarse de la ecuación (4.17) si la ecuación se utiliza para trazar una red en serie
que resultaría en la misma ecuación. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19.
Resolviendo para la corriente IB resultará la misma ecuación obtenida anteriormente.
Adviértase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la
entrada del circuito de base por un factor (β + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el
cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece como" (β+ 1 )RE en la malla de base-
emisor. Puesto que β es por lo general 50 o más, el resistor de emisor parece ser mucho más
grande en el circuito de base; tanto, para la configuración de la figura 4.20.
Figura 4.19
33
La ecuación (4.18) probar su utilidad en los análisis que siguen. De hecho, proporciona
una manera bastante fácil de recordar la ecuación (4.17). Empleando la ley de Ohm,
sabemos que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del
circuito. Para el circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de
resistencia son RB más RE reflejado por (β+ 1). El resultado es la ecuación (4.17).
Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de
voltaje de Kirchoff para la malla indicada en dirección de las manecillas del reloj, resultará
que
IE. RE + VCE +IC.RC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando términos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subíndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por
VE = IE.RE
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC – IC.RC
E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC – IB.RB
VB = VBE + VE
Estabilidad de polarización mejorada
La adición de la resistencia de emisor a la polarización de cd del BJT proporciona una
mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarización de cd se mantienen más
cerca de los puntos donde fueron fijados por el circuito aun cuando cambien las
condiciones externas como el voltaje de alimentación, la temperatura e incluso la beta del
transistor. Aunque el análisis matemático se brinda en la sección 4.12, puede obtenerse
cierta comparación del mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.
Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarización de las
figuras 4.7 y 4.22 para el valor de β = 50 y para un nuevo valor de β = 100. Compare los
cambios en IC. para el mismo incremento en β .
Solución
34
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo después para un valor de
β = 100, se produce lo siguiente:
Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de
100% en el valor de β . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo después para el
valor de β = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a cerca
del 81% debido al cambio del 100% en β . Nótese que el decremento de IB ayuda a
mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en β .
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la corriente del colector máxima para un diseño
polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la
configuración de polarización fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colector-
emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para
la figura 4.23:
ICsat = VCC / (RC +RE)
La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del nivel
que se obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo resistor del
colector.
35
3.4 Polarización con divisor de voltaje
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del
voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (β ) del transistor. Sin embargo,
ya que β es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor
real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de
polarización menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La
configuración de polarización con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo.
Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante
pequeña. Si los parámetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes
de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las
discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se
ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto
de operación sobre las características, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si
se utilizan los parámetros apropiados del circuito.
Como se observó anteriormente, existen dos métodos que se pueden aplicar al análisis de la
configuración con divisor de voltaje. La razón para la elección de los nombres para esta
configuración se hará evidente en cuanto avancemos en los análisis siguientes. El primero
que se demostrará es el método exacto que puede aplicarse a cualquier configuración con
divisor de voltaje. El segundo se denominará como método aproximado, y puede aplicarse
sólo si se satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un
análisis más directo con un ahorro en tiempo y energía. Es también particularmente útil en
el modo de diseño que se describirá en una sección posterior. Sobre todo, el enfoque
aproximado puede aplicarse a la mayoría de las situaciones; por ello, debe examinarse con
el mismo interés que el método exacto.
36
Figura 4.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización con divisor
de voltaje.
Análisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se muestra en
la figura 4.27, para el análisis de cd. La red de Thevenin equivalente para la red a la
izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en
la figura 4.28.
RTh = R1// R2
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thevenin del circuito
abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2.VCC / (R1 + R2)
La red Thevenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se
puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchoff en dirección de las
manecillas del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0
37
voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de base más el resistor de emisor
reflejado por (β + 1), en verdad muy parecido a la ecuación (4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo
modo que se hizo para la configuración polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuación (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y
VB son también las mismas que se obtuvieron para la configuración polarizada de emisor.
Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25
38
Figura 4.30 Inserción del circuito equivalente de Thevenin
Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede representarse por
medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R¡ es la resistencia equivalente entre base y
tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada
entre la base y el emisor se define por Ri = (β + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la
resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la
trayectoria de menor resistencia) e I2 será aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la
aproximación de que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2
pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a través de R2, que es en realidad el
voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del divisor de voltaje (y de aquí
proviene el nombre para la configuración). Es decir,
VB = R2. VCC / (R1 + R2)
β RE ≥ 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de
R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisión. Una vez que se
determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir de
VE = VB - VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE
ICQ ≈ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC - ICRC - IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC - IC(RC + RE)
39
Advierta que en la secuencia de los cálculos, de la ecuación (4.33) a la ecuación (4.37), no
aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es
por tanto independiente del valor de beta.
Saturación del transistor
El circuito colector-emisor de salida para la configuración con divisor de voltaje tiene el
mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la sección 4.4. La
ecuación resultante para la corriente de saturación (cuando VCE se establece a cero voltios
en el diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para la configuración polarizada de
emisor. Es decir,
ICsat = ICmáx = VCC / (RC + RE)
Análisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuración polarizada de emisor resultan
en las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración con divisor de
voltaje. La recta de carga tendrá por consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24,
con
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuación distinta para la polarización con
divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.
40
Para la red de la figura 4.39:
a. Determine Icq y vceq.
b. Encuentre VB, VC, VE y VBC.
Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.
41
Figura 4.40 Ejemplo
Solución
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchoff en el sentido de las manecillas del reloj a la malla
de base a emisor, el resultado es
42
Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41
Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada obtenemos
43
Hasta aquí, todos los ejemplos han empleado una configuración de colector común o de
emisor común. En el siguiente ejemplo, investigaremos la configuración de base común. En
esta situación se utilizará el circuito de entrada para determinar IE más que IB. La corriente
de colector está disponible entonces para realizar un análisis del circuito de salida.
Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base común de la figura
4.42.
Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada obtenemos
-VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE - VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos
IE = (4 V - 0.7 V) / 12 K ohms = 2.75 mA
El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentación doble y requerirá la aplicación del
teorema de Thevenin para determinar las incógnitas deseadas.
Ejemplo:
44
Figura 4.43
Solución
La resistencia de Thevenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la terminal
de base, como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45
Figura 4.44
Figura 4.45
45
La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la ley de
voltaje de Kirchoff, da por resultado
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0
Figura 4.46
46
OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las redes existentes.
Todos los elementos están en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los niveles
de voltaje y corriente de la configuración. El proceso de diseño es donde puede
especificarse una comente y/o un voltaje y donde deben determinarse los elementos
requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de síntesis supone un claro
entendimiento de las características del Impositivo, las ecuaciones básicas para la red y un
firme conocimiento de las leyes básicas del análisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de
voltaje de Kirchoff, etc. En la mayoría de las situaciones el proceso mental se pone a
prueba en alto grado en la operación de diseño más que en la secuencia de análisis. La
trayectoria hacia una solución es menos definida y de hecho puede requerir algunas
suposiciones básicas que no se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de diseño es obviamente sensible a los componentes que ya se han
especificado y los elementos que van a determinarse. Si se especifican el transistor y las
fuentes, el proceso de diseño simplemente determinará los resistores requeridos para un
diseño particular. Una vez que se determina el valor teórico de los resistores, se elige por lo
general el valor comercial estándar más cercano y cualquier variación debida a no usar el
valor exacto de la resistencia se acepta como parte del diseño. Esto es ciertamente una
aproximación válida si se toma en consideración las tolerancias normalmente asociadas con
los elementos resistivos y los parámetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones más poderosas es
sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
R desconocida = VR / IR
En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor puede determinarse a menudo a
partir de los niveles especificados. Si otras especificaciones definen el nivel de comente, la
ecuación (4,44) puede entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido.
Los ejemplo iniciales demostrarán cómo elementos particulares pueden determinarse a
partir de nivel especificados. Luego se introducirá un procedimiento completo de diseño
para un par de configuraciones comunes.
Ejemplo:
Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determine VCC, RB y RC para
la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.
Figura 4.47
Solución
De la recta de carga
47
Ejemplo:
Figura 4.48
Solución
48
Los valores comerciales estándar más próximos para R1 son 82 kΩ y 91 kΩ . Sin embargo,
haciendo uso de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kΩ y 4.7 kΩ = 86.7
kΩ resultaría en un valor muy cercano al nivel diseñado.
Ejemplo:
La configuración con la polarización de emisor de la figura 4.49 tiene las siguiente s
especificaciones: ICQ = ½ ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110. Determine RC, RE y
RB.
Figura 4.49
Solución
49
El análisis siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito completo para operar en
un punto de polarización especifico. Con frecuencia las hojas de especificaciones de los
fabricantes brindan información que establece un punto de operación apropiado (o región
de operación) para un transistor particular. Además, otros factores del circuito relacionados
con la etapa del amplificador dado pueden dictar también algunas condiciones de la
excursión de corriente, excursión de voltaje, el valor de voltaje de alimentación común,
etc., los cuales pueden utilizarse para la determinación del punto Q en un diseño.
En la práctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden influir en la
selección del punto de operación que se desea. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para obtener un
punto de operación especificado. El análisis se limitará a las configuraciones de
polarización de emisor y de polarización de divisor de voltaje, aun cuando el procedimiento
puede aplicarse a otros circuitos de transistores.
50
un gran corrimiento (si lo hay) en el punto de operación. La resistencia del emisor no puede
ser irrazonablemente grande porque el voltaje que se genera en él limita el nivel de la
excursión del voltaje del colector al emisor (que se mencionará cuando se discuta la
respuesta de ca). Los ejemplos examinados en este capitulo revelan que el voltaje de emisor
a tierra esta por lo regular alrededor de una cuarta o una décima parte de la fuente de
voltaje. Seleccionando el caso conservador de una décima parte, nos permitirá calcular el
resistor de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los ejemplos apenas vistos. En
el siguiente ejemplo realizaremos un diseño completo de la red de la figura 4.49 empleando
los criterios recientemente introducidos para el voltaje de emisor.
Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para la fuente de voltaje
y el punto de operación indicados.
Solución
51
Figura 4.51 Circuito con estabilización de ganancia de corriente para consideraciones
de diseño.
Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el punto de
operación indicado.
Solución
Las ecuaciones para los cálculos de los resistores de base R1 y R2 requerirán de un poco de
consideración. Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor de la
fuente de voltaje se obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R1 y R2. Se puede
tener una ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación de estos dos
resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere con eficacia, se
supone que la corriente a través de R1 y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho
mayor que la corriente de base (al menos en proporción de 10:1). Este hecho y la ecuación
de di visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones necesarias para
determinar los resistores de base. Es decir,
52
3.6 Conmutación con transistores
La aplicación de los transistores no se limita solamente a la amplificación de las señales.
Por medio de un diseño adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de
control y computadoras. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en
circuitos lógicos de computadoras. Nótese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se
aplica a la base o terminal de entrada. Además, adviértase la ausencia de una fuente de cd
conectada al circuito de base. La única fuente de cd está conectada al extremo de colector o
salida, y para las aplicaciones de computadoras es típicamente igual a la magnitud del
flanco de subida de la señal de salida, en este caso. de 5 V.
53
Figura 5.52 Inversor de transistor
El diseño adecuado para el proceso de inversión requiere que el punto de operación cambie
desde el estado de corte hasta el de saturación, a lo largo de la recta de carga trazada en la
figura 4.52b. Para nuestros propósitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0
uA (una excelente aproximación a la luz de las técnicas mejoradas de construcción), como
se muestra en la figura 4.52b. Además, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel
típico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estará en estado "encendido" y el diseño debe asegurar que la
red está completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de
IB que aparece cerca del nivel de saturación. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50
uA. El nivel de saturación para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se
define como
ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la región activa, justo antes de que se presente la saturación puede
aproximarse mediante la siguiente ecuación:
IBmáx = ICsat / β cd
Por tanto, para el nivel de saturación, debemos asegurar que se satisfaga la condición
siguiente:
IB > ICsat / β cd
Saturación Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB
54
Saturación Dura
BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.
β = 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat
Para ICsat hay que tomar en cuenta la caída de voltaje de la carga
ICsat = (VCC - V carga)/RC
La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.17), a excepción del signo para VBE
Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitución de los valores resultará en el
mismo signo para cada término de la ecuación (4.49), como la ecuación (4.17). Recuérdese
que la dirección de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se
ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchoff se aplica a la malla de
colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuación:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
55
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.19), pero el signo
enfrente de cada término a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC
será mayor que la magnitud del término siguiente, el voltaje tendrá un signo negativo,
como se advirtió en un párrafo anterior.
Ejemplo:
Determine VCE para la configuración de polarización con divisor de voltaje de la figura 4.6
βRE ≥ 10 R2
Nótese la similitud en el formato de la ecuación con el voltaje negativo resultante para VB.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
56
= -2.46 V
Advierta que en la ecuación anterior se emplea la notación estándar de subíndice sencillo y
doble Para un transistor npn la ecuación VE. = VB - VBE sería exactamente la misma. La
única diferencia surge cuando se sustituyen los valores. La corriente
57
factor que no se considera en la discusión anterior, que permite una salida de potencia de ca
mayor que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa una
contribución a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a través del
dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio" de potencia
de cd al dominio de ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De
hecho, una eficiencia-de conversión se define por medio de η = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca)
es la potencia de ca en la carga, y P¡(cd) la potencia suministrada de cd.
Quizás el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero la red
simple de cd de la figura 7.1. La dirección resultante del flujo se muestra en la figura con
una gráfica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control,
como se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la
aplicación de una señal relativamente pequeña al mecanismo de control puede resultar en
una oscilación mucho más grande en el circuito de salida.
58
Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del
sistema eléctrico de la figura 7.1
LÍNEA DE CARGA DE CA.
Excursión máxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico máximo, sin recortes, que
puede proporcionar un amplificador.
La línea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operación con señales grandes.
I Recta de carga de ca.
r c.a.
ib t ic
VCEQ / RL’
t
ICQ
Vce
Recta de carga
VCE ICQ. RL’ de CC
R C.C.
vce
59
combinación de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor
aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones
específicas de operación,
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el símbolo gráfico del dispositivo puede
sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los métodos básicos
del análisis de circuitos de ca (análisis de nodos, análisis de mallas y el teorema de
Thevenin) para determinar la respuesta del circuito.
Hay dos teorías actuales acerca de cuál será el circuito equivalente que ha de sustituir al
transistor. Durante muchos años la industria y las instituciones educativas confiaron
ampliamente en los parámetros híbridos (que se presentarán en breve). El circuito
equivalente de parámetros híbridos seguirá siendo muy popular, aun cuando en la
actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las
condiciones de operación del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen especificando
los parámetros híbridos para una región de operación particular en sus hojas de
especificaciones. Los parámetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse
directamente de los parámetros híbridos en esta región. Sin embargo, el circuito equivalente
híbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operación si se
considerara preciso. Los parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para
cualquier región de operación dentro de la región activa y no están limitados por un solo
grupo de parámetros incluidos en la hoja de especificaciones. A su vez, no obstante, el
modelo re no tiene un parámetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo
y el efecto de retroalimentación de la salida a la entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se
examinan en detalle en este libro. En algunos análisis y ejemplos se empleará el modelo
híbrido, en tanto que en otros se utilizará en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en
el texto se hará todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los
dos modelos y cómo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza
natural en el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente de ca sobre el análisis que
sigue, considérese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito
equivalente de ca de pequeña señal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que
sólo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden
sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que determinan
únicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de operación del voltaje de salida y no la
magnitud de la excursión de la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4.
Los niveles de cd fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de operación
adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el análisis de ca de
la red. Además, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvío C3*** se
eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy pequeña a la frecuencia de aplicación.
Por lo tanto, es posible también reemplazarlos para todos los propósitos prácticos por
medio de una trayectoria de baja resistencia (corto circuito). Nótese que esto producirá el
"corto circuito" de la resistencia de polarización de cd, RE. Recuérdese que los capacitores
tienen un equivalente de circuito abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo
un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las condiciones de operación.
60
Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este análisis introductorio.
La conexión común de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dará como
resultado una combinación en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecerá del
colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito
equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos
familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las técnicas de análisis tales como
superposición y el teorema de Thevenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las
cantidades deseadas.
61
Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el análisis de pequeña señal ca.
Examinaremos aún más la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarán en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo
amplificador, esperaríamos alguna indicación de cómo se relacionan el voltaje de salida Vo
y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta
configuración Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La
impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarán ser de particular
importancia en el análisis que se detalla a continuación. Se proporcionará mucha más
información acerca de estos parámetros en las secciones siguientes. Por tanto, el
equivalente de ca para una red se obtiene por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto
circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. La eliminación de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos
equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma más lógica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarán los circuitos equivalentes re e híbrido para
completar el análisis de ca de la red de la figura 7.5
4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos)
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con más detalle, concentrémonos en
los parámetros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto
de vista de análisis y diseño. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la
figura 7.6, el extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la señal) se
encuentra a la izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la carga) se halla a la
derecha. De hecho, para la mayoría de los sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general
se tiene normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la
impedancia entre cada par de terminales en condiciones normales de operación es bastante
importante.
62
Figura 7.6 Sistema de dos puertos.
Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z¡ se define por la ley de Ohm como
se indica a continuación:
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la señal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del
mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Para el análisis de pequeña señal una vez que se ha determinado la impedancia de
entrada, el mismo valor numérico puede utilizarse para modificar los niveles de la señal
aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un
transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de
polarización de cd, condiciones que no cambian sólo porque la magnitud de la señal
aplicada de ca se haya modificado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a
los medios (normalmente <100 kHz):
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza
puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede
variar de unos cuantos ohms hasta el orden de los megaohms.
Además:
No puede emplearse un óhmetro para medir la impedancia de entrada de pequeña señal de
ca puesto que el óhmetro opera en modo de cd.
La ecuación (7.1) es particularmente útil en la medida en que proporciona un método para
medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha
agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinación de Ii***
empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multímetro digital (DMM) sensible puede
utilizarse para medir el voltaje Vs y V¡. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o
63
valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrón. La impedancia de
entrada se determina entonces de la siguiente manera:
Ii = (Vs - Vi) / R sensor
y
Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las
terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a
la impedancia de entrada. Es decir,
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás.
dentro del sistema con la señal aplicada fijada en cero.
64
En la figura 7.10, por ejemplo, la señal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para
determinar Zo, se aplica una señal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide
con un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la
siguiente manera:
Io = (V - Vo) / R sensor
y
Zo = Vo / Io
65
Figura 7.13 Determinación de la ganancia de voltaje sin carga
66
Ai = -Av(Zi / Ii)
La ecuación anterior permite la determinación de la ganancia de corriente a partir de la
ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.
Relación de fase
La relación de fase entre las señales senoidales de entrada y salida es importante por una
variedad de razones prácticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de
transistor típico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las
señales de entrada y salida están ya sea en fase o desfasadas por 180°.
La razón de esta situación ambivalente con respecto a la fase se aclarará en los capítulos
siguientes.
Resumen
Los parámetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la
impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia
de corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia
aplicada para los límites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarán algunos
de estos parámetros. En las secciones y capítulos siguientes, todos los parámetros se
determinarán para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una
comparación de las ventajas y desventajas de cada configuración.
67
las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida,
recuérdese que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se
dedujo de Ic = α Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la figura
7.16b establece el hecho de que Ic = α Ie con la corriente de control Ie que aparece en el
extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 7.16a. Por
consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con
la fuente controlada por corriente, proporcionando un vínculo entre las dos (una revisión
inicial sugeriría que el modelo de la figura 7.16b es un modelo válido del dispositivo real).
Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración de
la figura 7.16a.
Recuérdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede determinarse
mediante la ecuación rca = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd a través del diodo en
el punto Q (estático). Esta misma ecuación puede utilizarse para encontrar la resistencia de
ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se
muestra a continuación:
re = 26 mV / IE
El subíndice e de re se eligió para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de emisor que
determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al sustituir el valor
resultante de re en la figura 7.16b se obtendrá el modelo de suma utilidad que se muestra en
la figura 7.17:
68
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17,
debería ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuración de base
común de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían entre unos cuantos
ohms y un valor hasta de alrededor de 50 Ω .
Zo ≅ ∞ Ω
En realidad:
Para la configuración de base común, los valores típicos de Zo se hallan en el orden de los
megaohms.
La resistencia de salida de la configuración de base común se determina por medio de la
pendiente de las líneas características de las características de salida, como se muestran en
la figura 7.18. Suponiendo que las líneas sean perfectamente horizontales (una excelente
aproximación) resultaría en la conclusión de la ecuación (7.13). Si se tuviera el cuidado de
medir Zo gráfica o experimentalmente, se obtendrían los niveles típicos en el intervalo de 1
a 2 MΩ .
69
Vo = -IoRL = -(-IC)RL = α IERL
Vi = IE.Zi = Iere
Av = Vo / Vi = α IeRL / Iere
Av = α RL / re ≅ RL / re
Para la ganancia de corriente
Ai = Io / Ii = -IC / Ie = α Ie / Ie
Ai = -α ≅ -1
Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base
común.
Configuración de emisor común
Para la configuración de emisor común de la figura 7.21a, las terminales de entrada son las
terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de
colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre los puertos de
entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor
npn dará por resultado la configuración de la figura 7.21b. Adviértase que la fuente
70
controlada por corriente aún esta conectada entre las terminales de colector y de base y el
diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuración, la corriente de base
es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic. Recuerde, del
capítulo 1, que las corrientes de base y de colector están relacionadas por la siguiente
ecuación:
Ic = β Ib
La comente a través del diodo se determina por lo tanto mediante
Ie = (β + 1)Ib
Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la
siguiente aproximación para el análisis de comente:
Ie ≅ β Ib
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relación:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib
El voltaje Vbe se halla a través de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura
7.22. El nivel de re todavía se determina por la corriente de cd IE***. El uso de la ley de
Ohm conduce a
Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor común (b) modelo aproximado para la
configuración de la figura 7.21ª
71
Figura 7.22 Determinación de Zi empleando el modelo aproximado.
La sustitución nos lleva a
Zi ≅ β re
En esencia, la ecuación (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situación tal
como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un
elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor
multiplicativo β . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el ejemplo 7.4, re = 160 (situación
bastante común a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de
Para la configuración de emisor común, los valores típicos de Zi que se definen mediante
re, oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los kilohms, con valores
máximos de entre 6 y 7 kilohms.
72
Para la impedancia de salida las características de interés son el conjunto de salida de la
figura 7.24, Obsérvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la
comente de colector. Cuanto más elevada sea la pendiente, menor será el nivel de la
impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura 7.21 no incluye una impedancia de
salida, pero si se halla disponible a partir de un análisis gráfico o de hojas de datos, puede
incluirse como se ilustra en la figura 7.25.
73
La ganancia de voltaje para la configuración de emisor común se determinará ahora por la
configuración de la figura 7.26 haciendo uso de la suposición que Zo = ∞ Ω. . El efecto de
incluir ro se considerará en el capítulo 6. Para la dirección definida por Io y polaridad de
Vo,
Vo = -IoRL
Vi = IiZi = Ib β re
Av = Vo / Vi = -β IbRL / Ibβ re
Av = -RL / re
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y
salida se encuentran desfasados en 180°. La ganancia de corriente para la configuración de
la figura 7.26:
Ai = Io / Ii = IC / Ib = β Ib / Ib
Ai = β
74
Figura 7.27 Modelo re para la configuración de transistor de emisor común.
Configuración de colector común
Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la
configuración de emisor común de la figura 7.21, en vez de definir un modelo propio para
la configuración de colector común. En capítulos subsecuentes se investigarán varias
configuraciones de colector común y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo
modelo.
75
aparecen en la práctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estándar se
examinarán con relativa facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya
revisado y entendido.
Ya que el modelo re es sensible al punto de operación real, será nuestro modelo principal
para el análisis que se realizará. Sin embargo, para cada configuración se examina el efecto
de una impedancia de salida como se proporciona mediante el parámetro hoe del modelo
equivalente híbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el análisis entre los
modelos, se ha dedicado una sección al análisis de pequeña señal de redes BJT empleando
únicamente el modelo equivalente híbrido.
76
Circuito equivalente para CA.
• Zi:
• Zo:
Zo = Rc
• Av:
Vo = -IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) ⇒ VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)
Vo = ViR'L / re ⇒ Vo / Vi = -R'L / re
Av = -R'L / re
• Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a β re por lo tanto no puede ser
ignorado.
Ib = R'Ii / (R' + β re)
ó
77
Ib / Ii = R' / (R' + β re)
En la salida
Ai = Io / Ii
Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:
f = 1 kHz
Xc ≤ 0.1 R
C1 ≥10 / 2π f ≥ 0.22 uF
C2 ≥ 1.3 uF
C3 ≥ 1.06 uF
78
Análisis de CD:
β RE = (90)(1.5 kΩ ) = 135 kΩ
10R2 = (10)(8.2 kΩ ) = 82 kΩ , ∴ β RE > 10R2
se puede emplear el análisis aproximado
Análisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA
re = 18.44 Ω
β re =(90)(18.44) = 1.66 kΩ
Zi = 1.35 kΩ
Zo = Rc = 6.8 kΩ , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el 2N4123: hoe =
14 u para Ic ≈ 1.41 mA
Av = 66.64
Ai = 59.84
79
5.2 Configuración de polarización de emisor para emisor común
Circuito equivalente de CD
80
Circuito equivalente de CA
Zb = Vi / Ib = β re + (β +1)RE
Ejemplo
Dado el siguiente circuito encuentre:
a. Punto Q y valor exacto para IE
b. Zi
81
a)
b)
Zi = 94.65 kohms
c)
Zo = Rc
Zo = 1.3 kΩ (sin ro)
Si ro = 1 / hoe =1 / 55 µU =18.18 kΩ
d)
82
Av = -0.3
e)
Ai = 40.52
Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y β Ib es un corto circuito
Zo = Rc
Av:
Efecto de ro: La colocación de ro para esta configuración es tal que para los
valores de parámetros típicos, el efecto de ro sobre la impedancia de salida y
ganancia de voltaje se pueden ignorar:
83
5.3 Configuración de emisor seguidor
Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector, la red recibe
el nombre de emisor seguidor.
El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la señal de entrada, debido a la
caída de base a emisor, a pesar de esto la aproximación Av ≈ 1 casi siempre es satisfactoria.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor está en fase con la señal Vi, de
ahí el nombre de "emisor seguidor".
84
Circuito equivalente de CD
Malla de Entrada
Malla de Salida
Circuito equivalente de CA
Nótese que Vi está en paralelo con RB, pero también con β re + β R'L, así que: Vi = ZbIb
Zi:
85
Así que
Zo:
Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, así que:
86
Ai: De la figura del circuito equivalente:
La siguiente es también una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor de voltaje.
En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo visto para
la polarización por divisor de voltaje, si β RE ≥ 10R2 ⇒ Análisis aproximado. En el caso
contrario se aplica el análisis exacto.
La siguiente también es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarización por divisor
de voltaje y además se incluye una resistencia en el colector para controlar el VCE.
87
Para el análisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y RB se
sustituye por R1 paralela a R2.
Para CD es un circuito de polarización por divisor de voltaje.
Ejemplo:
Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule:
a. Punto Q
b. re
c. Parámetros: Zi, Zo, Av, Ai.
88
b)
c)
Apéndice al capítulo 5
CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA
89
Circuitos Equivalentes de CA
Zi:
Av:
Ai:
90
Efecto de ro: Zi no cambia, pero
91
6. Bibliografía
TEXTO:
o ELECTRÓNICA TEORÍA DE CIRCUITOS. Robert Boylestad, Louis
Nashelsky. Editorial Prentice Hall. 5ª edición.
REFERENCIAS:
o MICROELECTRONICS CIRCUITS. Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith.
Oxford University Press. 4ª ed.
o PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 3ª
edición.
o ANÁLISIS DE CIRCUITOS POR COMPUTADORA USANDO
SPICE. David Báez. Prentice Hall. 1ª edición.
92