Вы находитесь на странице: 1из 33

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций


Кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы»

Работа допущена к защите


Зав. кафедрой РТС
Макаров С.Б.
«____»_______________ 2016г.

ВЫПУСКНАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА

Тема: Исследование фазовращателей на управляемых pin-диодах

Направление: 11.03.01 Радиотехника

Выполнил студент гр. 43427/4 Ф.Д. Кевдин

Руководитель, зам. нач. отдела


АО "Светлана-Электронприбор" А.М. Савин

Куратор, доцент, к.ф.м.н. А.В. Смирнов

Санкт - Петербург
2016
Реферат

Работа содержит 33 страницы, 23 рисунка, 0 таблиц, 9


библиографических названий.
Ключевые слова. ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ, ДИОД, PIN-ДИОД,
ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЕ КАНАЛЫ, EM МОДЕЛЬ, ФАЗОВЫЙ СДВИГ,
ВНОСИМЫЕ ПОТЕРИ, КСВН, ПРОХОДНОЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ.

Объектом исследования являются проходные полупроводниковые 180°


фазовращатели с переключаемыми каналами. Целью данной работы является
расширение диапазона рабочих частот 180° фазовращателя с 2% до 12% и
обеспечение требуемых электрических параметров, путем изменения
конструкции исходного фазовращателя. Требуемые электрические параметры:
КСВН не более 1,3, фазовая ошибка не более ±3º, вносимые потери не более
0,45 дБ.

В результате исследований получен 180° фазовращатель,


обеспечивающий требуемые электрические параметры в широком диапазоне
рабочих частот 7±0,42 ГГц.
Задание на выпускную квалификационную работу выполнено в полном
объеме.

2
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .................................................................................................................. 4
1. Обзор литературы.................................................................................................... 6
1.1. Назначение и классификация фазовращателей............................................. 6
2. Дискретные полупроводниковые фазовращатели и управляющие активные
элементы....................................................................................................................... 9
2.1. Дискретные полупроводниковые фазовращатели ........................................ 9
2.2. Pin-диоды – управляющие элементы в схеме дискретных
полупроводниковых фазовращателей ..................................................................... 12
3. Расчет полупроводникового фазовращателя на элементах с распределенными
параметрами ............................................................................................................... 17
3.1. Расчет схемы разряда 180° фазовращателя с переключаемыми каналами
на управляемых pin-диодах.........................….........................................................17
3.2. Расчет фазовращателя 180° на управляемых pin-диодах с использованием
более широкополосной схемы.................................................................................23
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ......................................................................................................... 32
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ......................................................................................... 33

3
ВВЕДЕНИЕ

В современных радиолокационных, навигационных, связных и


измерительных системах СВЧ-диапазона достаточно часто возникает задача
манипулирования фазой сигнала. Для решения этой задачи применяются
фазовращатели (ФВ) [1]. Фазовращатели можно подразделить на группы по
следующим признакам [1], [2]:
- по типу управления или по принципу регулировки фазового сдвига
существуют аналоговые (с плавной регулировкой фазы, где изменение фазового
сдвига есть функция изменения уровня подающегося на управляющий элемент
напряжения) и дискретные (со ступенчатым изменением фазы, т.е. с
определенным шагом, дискретом , при подаче некоего набора управляющих
сигналов);
- по типу применяемого активного управляющего элемента фазовращатели
делятся на ферритовые, диодные и транзисторные;
- по типу прохождения сигнала фазовращатели подразделяются на
проходные и отражательные;
- по уровню управляемой СВЧ-мощности фазовращатели можно разделить
на маломощные (управляющие СВЧ-мощностью Рср ≤ 0,5 Вт), средней мощности
(управляющие СВЧ-мощностью Рср ≤ 5 Вт при Римп ≤ 0,5 кВт) и мощные
(управляющие СВЧ-мощностью Рср >5 Вт при Римп > 0,5 кВт).
Фазовращатели находят массовое применение в фазированных антенных
решетках (ФАР). Причем мощные фазовращатели чаще всего применяются в
пассивных ФАР, а маломощные и средней мощности ФВ – в активных
фазированных антенных решетках (АФАР).
Дискретные фазовращатели по сравнению с аналоговыми более стабильны,
просты по конструкции и легко сопрягаются со специализированными
вычислительными машинами, используемыми в управляющих устройствах ФАР и
в системах обработки получаемой информации.

4
Крупносерийный характер производства фазовращателей для
многоэлементных ФАР потребовал разработки высокопроизводительной
технологии изготовления интегральных схем ФВ СВЧ диапазона [1].
Эффективная разработка фазовращателей в виде гибридных и монолитных
интегральных схем СВЧ (ГИС СВЧ и МИС СВЧ) диапазона на современном этапе
стала возможна благодаря развитию аналитических и машинных методов их
расчета и оптимизации. Разработаны аналитические методы синтеза
фазовращателей, оптимизированных по параметрам. Созданы эффективные
алгоритмы машинного анализа и параметрического синтеза, достаточно точные
теоретические модели диодов и транзисторов полупроводниковых
фазовращателей. Сегодня существуют универсальные пакеты программ для
моделирования СВЧ-схем, такие как AWR Microwave Office и
High Frequency Structural Simulator, которые можно использовать для расчета и
оптимизации гибридных интегральных схем СВЧ различного назначения, в том
числе и для моделирования полупроводниковых фазовращателей.
В данной бакалаврской работе предпринята попытка расчет фазовращателя
180° на управляемых pin-диодах сантиметрового диапазона длин волн, расчет и
оптимизация электрических параметров которого выполняется в программном
комплексе Microwave Office (MWO).

5
1. Обзор литературы

1.1. Назначение и классификация фазовращателей

Развитие техники СВЧ связано с успехами в разработке


быстродействующих электрически управляемых устройств СВЧ. Так, управление
фазой колебаний СВЧ в антенной технике обеспечивается при помощи
фазовращателей, управляемых магнитным или электрическим полями [1], [2].
Электрически управляемые фазовращатели могут быть построены с
применением разнообразных управляемых элементов: полупроводниковых
диодов с различной структурой (p-n, р-i-n и n-i-р-i-n), полевых транзисторов в
ключевом режиме, ферритов, сегнетоэлектриков и др. Это обусловлено
назначением фазовращателей и требованиями, предъявляемыми к ним [1]:
– обеспечение высокого КПД,
– электрической прочности,
– стабильности характеристик,
– малой мощности управления,
– достаточного быстродействия.
Существуют три способа управления фазой [1]: непрерывный (аналоговый),
дискретный и коммутационный. При первом фазовый сдвиг изменяется плавно.
Однако этот способ трудно осуществить из-за необходимости подачи плавно
меняющихся управляющих сигналов. Кроме того, на фазовые характеристики
фазовращателей заметное влияние оказывают временные и температурные
нестабильности. Этот недостаток сохраняется и при дискретном управлении
фазой, когда на рабочей характеристике аналоговых фазовращателей
используется ряд рабочих точек, изменение фазы в этом случае происходит
скачком на величину  (дискрет). Влияние нестабильностей практически
устраняется в дискретно-коммутируемых фазовращателях, фаза
электромагнитных колебаний, на выходе которых может принимать
фиксированные значения. Стабильность таких фазовращателей определяется тем,

6
что управляемые элементы (ферритовые кольца или полупроводниковые диоды)
работают в режиме, при котором используются только крайние области их
рабочих характеристик. Это позволяет ослабить требования к временной и
температурной стабильностям дискретно-коммутируемых фазовращателей и
иных управляющих устройств, поскольку требуемый фазовый сдвиг определяется
не значением управляющего напряжения, а его наличием на тех или иных
коммутаторах. Дискретные фазовращатели находят основное применение в
фазированных антенных решетках [1].
При построении фазовращателей может применяться тот или другой
управляемый элемент независимо от способа управления фазой. Однако
фазовращатели на pin-диодах с непрерывным изменением фазы, использующие
изменение активной составляющей проводимости диода, не представляют
интереса ввиду больших активных потерь [1], [2]. Поэтому pin-диоды используют
в основном для коммутационного управления фазой путем включения или
отключения, к примеру, отрезков линии передачи, изменяющих общую длину
тракта [4]. Для фазовращателей с непрерывным изменением фазы характерно
применение управляемых варакторов - элементов с управляемой емкостью [3].
Ферриты используются как в фазовращателях с непрерывным изменением фазы,
так и дискретно-коммутационных фазовращателях.
Основными параметрами электрически управляемого фазовращателя
являются [3]: пределы регулирования фазы Ф min ...Ф max, вносимые потери L;
коэффициенты стоячей волны по напряжению (КСВН или КстU) на входе и на
выходе ФВ. Кроме того, могут предъявляться специфические требования,
например к форме фазочастотной характеристики (ее линейности). Для
сравнительной оценки фазовращателей удобно ввести параметр «качество
фазовращателей» [3]:
К [град/дБ] = Ф/L (1.1)
Дискретно-коммутационные фазовращатели полностью характеризуются
максимальными значениями фазового сдвига , L и наименьшим скачком фазы
 мин.

7
В фазовращателях на ферритах, управляемых внешним магнитным полем,
необходимо использовать электромагниты (в большинстве случаев значительных
массы и габаритов), которые имеют быстродействие (10-6 -10-5) сек., что
ограничивает их применение [3]. Фазовращатели СВЧ на полупроводниковых
приборах, в которых управление фазовым сдвигом происходит под действием
электрического поля, обладают большим быстродействием [4].
В данной бакалаврской работе разрабатывается дискретный
полупроводниковый ФВ, поэтому рассмотрим принцип действия, основные типы
и характеристики полупроводниковых фазовращателей, а также методику
определения их основных параметров. Фазовращатели характеризуются большим
числом параметров. Для дискретных ФВ такими параметрами являются [4]:
– число различных фазовых состояний,
– фазовый сдвиг,
– стабильность фазового сдвига,
– рабочая полоса частот,
– вносимые потери,
– число управляющих элементов,
– мощность, потребляемая по цепям управления, и др.
Среди используемых параметров имеются основные и вспомогательные,
определяемые реальной схемой и конструктивным исполнением устройства. В
число основных параметров входят минимальный сдвиг фазы и число
управляющих элементов. Для установления связи между ними достаточно
исследовать идеализированную схему, которая описывается гораздо проще, чем
любое реальное устройство.

8
2. Дискретные полупроводниковые фазовращатели и управляющие
активные элементы

В данной работе исследуется дискретный полупроводниковый ФВ 180° в


виде ГИС СВЧ. В качестве навесного активного управляющего элемента ФВ
рассматривается бескорпусной pin-диод.

2.1. Дискретные полупроводниковые фазовращатели

Дискретный фазовращатель представляет собой линейный двух- или


четырехполюсник, содержащий выключатели, в котором в результате воздействия
управляющего сигнала на один или несколько ключей происходит
скачкообразное изменение набега фазы электромагнитной волны без изменения ее
амплитуды (в идеале). Минимальный фазовый сдвиг  мин. называется его
дискретом [3].
Управление фазовым сдвигом осуществляется от 0 до 2 с дискретом 
мин. Число различных фазовых состояний ФВ:
N=2 мин, (2.1)

где фазовый сдвиг в k -м состоянии k=k, k=0,1,2,..., N -1.


Различают проходные и отражательные ФВ (рис. 2.1).
Проходной ФВ (рис. 2.1, а) [4] представляет собой линейный согласованный
по входу и выходу четырехполюсник без потерь, в котором воздействие
управляющего сигнала на ключи приводит к дискретному изменению набега фазы
проходящей электромагнитной волны. Матрица рассеяния проходного ФВ в k-м
состоянии:
 0 e j ( 0   k ) 
Sk   j (   )  (2.2)
e 0 
0 k

9
Отражательный ФВ (рис. 2.1, б) представляет собой линейный
двухполюсник без потерь, в котором воздействие управляющего сигнала на
ключи приводит к дискретному изменению фазы отраженной электромагнитной
волны. Коэффициент отражения в k-м состоянии:
Г k  exp( j ( 0   k ))
(2.3)

Рисунок 2.1. Эквивалентные схемы ФВ: а — проходной;


б — отражательный

Среди проходных ФВ можно выделить три основных типа [4]:


– проходные шлейфные ФВ, в которых изменение фазы коэффициента
передачи осуществляется коммутацией различных периодически включенных в
линию параллельных реактивностей и которые часто называют «ФВ на
периодически нагруженной линии»;
– проходные ФВ, полученные преобразованием одноступенчатых
отражательных ФВ (ООФВ), в которых преобразование можно осуществить
нагрузив ООФВ на «циркулятор или 3-дБ направленный ответвитель (НО) и
которые называются проходными ФВ на гибридных устройствах;
– проходные ФВ, в которых скачкообразное изменение фазы проходящего
сигнала достигается переключением с помощью диодов каналов с различной
электрической длиной и которые называются проходными ФВ с переключаемыми
каналами;
Последний тип проходных ФВ используется, как правило, при
проектировании ФВ малой и средней мощности, и для мощных приборов не
используется, т.к. в таких схемах применение диодов с большими емкостями и

1
0
установка их на корпус (для улучшения теплоотвода) связаны со значительными
трудностями.
ФВ на гибридных устройствах – наиболее широкополосный тип проходных
ФВ, но не может быть использован при проектировании малогабаритных
конструкций, так как гибридные устройства занимают значительную площадь при
размещении топологии на керамической подложке ГИС и полупроводниковой –
МИС.
Оптимизированные по уровню вносимых потерь схемы ФВ имеют график
зависимости вносимого затухания от величины фазового сдвига, представленный
на рис. 2.2 [3].

Разряды с фазовым сдвигом Δφ 90° и 180° должны быть только


«синусными» (т.к. tg (Δφ/2)→∞), вносимые потери которых, после оптимизации,
подчиняются зависимости [3]:
4 
Lп  1  sin
К 2 (2.4)

1
1
Теория таких ФВ и все необходимые расчетные соотношения, достаточно
подробно представлены в лит. [4]

2.2. Pin-диоды – управляющие элементы в схеме дискретных


полупроводниковых фазовращателей

Pin-диоды получили применение в качестве коммутирующих устройств в


дискретных СВЧ ФВ из-за малых габаритов, довольно высокой скорости
переключения фазовых состояний, относительно малой мощности по цепям
управления разрядами ФВ и устойчивости к дестабилизирующим факторам,
таким как колебание напряжения в цепях управления и температуры окружающей
среды. Эти их свойства становятся объяснимы при рассмотрении структуры рin-
диода.
Основой любого pin-диода является трѐхслойная полупроводниковая
структура, наиболее простой, вид которой показан на рис.2.3 [5].

Рисунок 2.3. Структура pin-диода


Высокоомная внутренняя i-область имеет обычно толщину от единиц до
сотен микрометров, концентрация носителей заряда в ней составляет примерно
1013 см-3. Если источник внешнего постоянного напряжения подключен
положительным полюсом к слою p+, а отрицательным к n+, то в i-слое
увеличивается концентрация электронов и дырок из-за инжекции дырок из p+-
области и аккумуляции электронов из n-области. При этом концентрация

1
2
инжектированных носителей составляет 1016-1017 см-3. Через структуру протекает
постоянный ток I0 прямого направления. Обычно плотность тока составляет около
10 А/см2. При обратном смещении количество носителей в i-слое значительно
падает. Таким образом, количество носителей в i-слое при переходе от режима
прямого тока к режиму обратного смещения резко меняется. Также резко
меняется и проводимость i-слоя.
Главной отличительной особенностью pin-диода является то, что он
представляет собой инерционную нелинейность. Механизм воздействия на диод
напряжения СВЧ радикально отличается от воздействия постоянного напряжения
или напряжения сравнительно низких частот. Как показано в соотношении (2.5),
при воздействии на диод прямого постоянного тока
в i-слое появляется накопленный заряд [5]:

, (2.5)
где τ – время жизни носителей заряда; I0 – постоянный ток.
При параллельном включении диода в передающую линию в нѐм протекает

ток СВЧ, эффективное значение которого равно [5] ,

где P - мощность воздействующего на диод СВЧ сигнала, а z0 – волновое


сопротивление линии. Влияние этого тока на накопленный заряд, т.е. на
проводимость диода, много слабее, чем постоянного тока. Это объясняется тем,
что изменение заряда, происходящее в положительный полупериод тока СВЧ,
много меньше накопленного заряда, определяемого по формуле (2.5). При
отрицательных полупериодах СВЧ колебаний, когда ток через диод должен был
бы отсутствовать, изменение накопленного заряда и соответственно
проводимости диода также оказывается незначительным.
Различие в воздействии на проводимость диода постоянного и СВЧ токов
возрастает с увеличением жизни носителей заряда и повышением частоты
колебаний СВЧ.
Изменение накопленного заряда во времени t при одновременном

1
3
воздействии на диод постоянного прямого тока и тока СВЧ с амплитудным
значением I m и круговой частотой ω может быть выражено как [5]:

(2.6)

При нулевом или отрицательном смещении низкая проводимость диода,


ввиду его инерционности, сохраняется при сравнительно больших напряжениях
СВЧ. Короткие положительные импульсы напряжения продолжительностью
менее половины периода СВЧ колебаний недостаточны для изменения
проводимости диода. Таким образом, для СВЧ колебаний как в режиме прямого
тока, так и в режиме обратного смещения pin-диод может в первом приближении
рассматриваться как стационарный линейный двухполюсник [5].
Эквивалентная схема pin-диода представлена на рис. 2.4, а.

Рисунок 2.4. Эквивалентные схемы pin-диода


В схеме на рис. 2.4: С – ѐмкость pin-структуры, r s – сопротивление потерь в
сильно легированных областях, омических контактах и выводах диода, L –

1
4
индуктивность выводов диода, R i – сопротивление i-слоя, С к – ѐмкость корпуса
диода при его наличии.
Для бескорпусных диодов справедлива схема, показанная на рис. 2.4, б.
Сопротивление rs составляет от десятых долей до нескольких Ом и уменьшается в
режиме обратного смещения с возрастанием напряжения смещения.
Сопротивление i-слоя в режиме прямого тока [5]:

, (2.7)

где µ - подвижность электронов и дырок, которая принята одинаковой;


w –толщина i-слоя.
Отметим, что сопротивление R+ пропорционально квадрату толщины
i-слоя и обратно пропорционально прямому току I0. При обратном (или нулевом)
смещении сопротивление i-слоя определяется остаточной концентрацией
носителей заряда. Это сопротивление растѐт при повышении обратного
напряжения.
Ёмкость i-слоя практически не зависит от режима работы pin-диода. Для
структур цилиндрической формы ѐмкость i-слоя может быть рассчитана по
формуле [5]:

, (2.8)

где ε – относительная диэлектрическая проницаемость,


ε0 = 8,85∙10-14 Ф/см; S- площадь структуры, см2; w – толщина i –слоя, см.
В режиме прямого тока схема на рис. 2.4, б представляет собой активное
сопротивление r+ или проводимость g+ (рис. 2.4, в).
В режиме обратного смещения проводимость p-i-n-диода [4]:
Y=п+jи=(1/R)+(ωС)2rs+jωС , (2.9)
где 1/R — проводимость i-слоя; (ωC)2rs — проводимость, вносимая
последовательным сопротивлением rs; ωC — емкостная проводимость структуры.
В приведенном выражении использовано условие (ωCR)2>>1, которое
выполняется в сантиметровом диапазоне длин волн и большей части

1
5
дециметрового диапазона для практически используемых диодов, включая диоды
с малыми емкостями. Параллельная схема замещения диода (рис. 2.4, г) иногда
удобна для расчетов параметров схем коммутационных устройств.
Параметры диода в режиме обратного смещения могут быть также
представлены последовательной схемой (рис. 2.4, д). В этом случае
сопротивление диода [4]:
z = r - - jx = rs+1/ (ωС)2R - j (1/ωС), (2.10)
где 1/(ωC)2R — сопротивление, вносимое потерями в i-слое; 1/ωC —емкостное
сопротивление i-слоя. Приведенное выражение справедливо при выполнении
условия (ωCR)2>>1. Последовательная схема диода (рис. 2.4, д) применяется в
справочной литературе при описании параметров диодов и чаще других
используется при расчете схем управляющих устройств, в которых применяются
p-i-n-диоды.
Используя такие параметры диода, как емкость i-слоя С и активные
сопротивления диода при прямом токе и обратном смещении r+ и r_, можно
записать выражение для критической частоты диода [4], [5]:

(2.11)

fкр - это частота, на которой емкостное сопротивление структуры диода


численно равно среднему геометрическому значению активных сопротивлений
диода при прямом токе и обратном смещении. Критическая частота определяет
эффективность диодов при их применении в коммутационных устройствах СВЧ.
С критической частотой связан другой важный параметр, характеризующий
коммутационные свойства pin-диодов - качество диода [4], [5]:
К = (f кр. / f) 2, (2.12)
где f — рабочая частота.
Из сравнения соотношений (2.4), (2.11) и (2.12) становится понятно, что
минимальные вносимые потери L будут у управляющего устройства (в нашем
случае у дискретного ФВ на pin-диодах), у которого высокое К, то есть низкие
сопротивления при прямом токе и обратном смещении r+ и r_.

1
6
3. Расчет полупроводникового фазовращателя на элементах с
распределенными параметрами

Полупроводниковый ФВ с распределенными параметрами построен на


отрезках микрополосковых линий (МПЛ), в котором управляющими активными
полупроводниковыми элементами ФВ (управляемыми, в свою очередь, внешним
напряжением) служат бескорпусные pin-диоды.
Конструктивно такой ФВ представляет собой гибридно-интегральную схему
(ГИС) СВЧ, в котором микрополосковая схема (топология) выполнена на
диэлектрической подложке с навесными элементами - pin-диодами.

3.1. Расчет схемы разряда 180° фазовращателя с переключаемыми


каналами на управляемых pin-диодах

На первом этапе бакалаврской работы была создана в программной среде


MWO ЕМ-модель разряда 180° ФВ по топологии, представленной на рис. 3.1,
произведен расчет в полосе частот 7±6% ГГц и проведена проверка на
соответствие нормам электрических параметров, указанных в исходных данных.
На рис. 3.1 видны два канала, по которым может распространяться СВЧ
сигнал, и что функцию переключения каналов выполняют pin-диоды. Это
означает, что такой ФВ следует отнести к типу проходного фазовращателя с
переключаемыми каналами, имеющую электрическую схему, как показано на рис.
3.2. Скачкообразное изменение фазы проходящего СВЧ сигнала в ФВ достигается
за счет переключения каналов с различной электрической длиной управляющим
напряжением pin-диодов. Количество диодов в такой схеме ФВ с
переключаемыми каналами сведено к минимально возможному, что снижает
вносимые потери ФВ.

1
7
Рисунок 3.1. Топология 180° ФВ

Рисунок 3.2. Схема 180° ФВ с переключаемыми каналами

1
8
В схеме на рис. 3.2 отрезки МПЛ 1,2,3 и pin-диод VD3 – первый канал,
отрезки МПЛ 4,5,6,7,8,9,10 и pin-диоды VD1 и VD2 – второй канал.
Чтобы рассчитать электрические параметры ФВ с предложенной в
исходных данных топологией и представленной на рис. 3.1 потребовалось
выделить из неѐ основной фрагмент, от которого, в основном, зависят параметры
ФВ, и создать ЕМ – структуру, представленную на рис. 3.3.

Рисунок 3.3. ЕМ – структура для расчета схемы ФВ 180°, где:


– 1, 5 - порты входа и выхода фазовращателя;
– 2 - порт для последовательно подключенного pin-диода VD3 на рис. 3.2;
– 3, 4 - порты для параллельно подключенных pin-диодов VD1 и VD2 на
рис. 3.2.

1
9
В программе MWO было построено две схемы для расчета 180° ФВ,
соответствующих двум состояниям pin-диодов (в закрытом рис. 3.4 и открытом
рис. 3.5 его состояниях), в которых подключалась ЕМ - структура на рис. 3.3 и по
которой, в первую очередь, проводился строгий электродинамический расчет
параметров.

Рисунок 3.4. Схема ФВ 180°, построенная в MWO с ЕМ – структурой и с


pin-диодами под обратным управляющим напряжением, представленными
упрощенной эквивалентной схемой, в которой:
– S1 – EM – структура ФВ на рис. 3.3;
– С1, С2 = 0,18 пФ – емкость pin-диодов;
– С3 = 0,11 пФ – емкость pin-диода;
– R1, R2, R3 = 2 Ом – последовательное с емкостью диода сопротивление
(см. рис. 2.4, д);
- L = 0,2 нГн индуктивность лепестка, соединяющего верхний контакт pin-
диодов с МПЛ ФВ.

2
0
Рисунок 3.5. Схема ФВ 180°, построенная в MWO с ЕМ – структурой и с
pin-диодами под прямым управляющим напряжением, представленными
упрощенной эквивалентной схемой, в которой:
– S1 – EM – структура ФВ на рис. 3.3;
– R1, R2, R3 = 1,5 Ом – последовательное сопротивление pin-диодов при
прямом смещении, приложенных к ним (см. рис. 2.4, в);
– L = 0,2 нГн индуктивность лепестка, соединяющего верхний контакт pin-
диодов с МПЛ ФВ.
Был произведен расчет по схемам на рис. 3.4 и 3.5 и сделана попытка
оптимизации электрических параметров ФВ 180° с топологией на рис. 3.1,
которая позволила их улучшить. При оптимизации электрических параметров
варьировались геометрические размеры всех МПЛ ФВ, за исключением входной
и выходной, подходящие к портам 1 и 5 на рис. 3.3.
Результаты расчетов 180° ФВ на рис. 3.1 по электрическим параметрам
приведены на рис. 3.6, 3.7 и 3.8.

2
1
Рисунок 3.8. Зависимость фазового сдвига от частоты

Рисунок 3.10. Зависимость вносимых потерь от частоты в двух состояниях


ФВ (при прямом и обратном управляющем напряжении на pin-диодах)

Рисунок 3.9. Зависимость КСВН от частоты в двух состояниях ФВ (при


прямом и обратном управляющем напряжении на pin-диодах)
Анализ полученной частотной зависимости электрических параметров 180°
ФВ на рис. 3.1 показал, что они могут реализовать нормы, заданные в исходных
данных на бакалаврскую работу в диапазоне рабочих частот не более 7±1% ГГц.

2
2
Диапазон рабочих частот ФВ на рис. 3.1 и 3.2 ограничивают резонансные
явления, возникающие в отключаемых каналах, когда их электрическая длина
становится кратной (180°), то есть отключенный отрезок МПЛ становится
высокодобротным полуволновым резонатором, слабо связанным с подключенным
каналом ФВ. Вследствие этого происходит резкое изменение частотной
зависимости (увеличение наклона) фазы и увеличение вносимых потерь ФВ.
Чтобы 180° ФВ смог реализовать электрические параметры в диапазоне
рабочих частот 7±6% ГГц, заданные в исходных данных на бакалаврскую работу,
потребовалось изменить его электрическую схему.

3.2. Расчет фазовращателя 180° на управляемых pin-диодах с


использованием более широкополосной схемы

В литературе [6] для расширения диапазона рабочих частот предлагается


схема микрополоскового pin-диодного ФВ с переключаемыми каналами,
представленная на рис. 3.10.

Рисунок 3.10. ФВ на переключаемых линиях с увеличенной развязкой


отключенного фазозадающего отрезка

В этой схеме ФВ увеличена развязка отключенного канала за счет


замыкания его входа и выхода через pin-диоды с малым сопротивлением при

2
3
прямом смещении на землю (обратную металлизированную сторону
микрополосковой платы).
Такой же эффект увеличения развязки отключенного канала достигается в
схеме на рис. 3.11, где pin-диоды VD2 и VD3 включены параллельно к
фазосдвигающему отрезку через отрезки МПЛ. В случае малой емкости этих
диодов (высокого их реактивного сопротивления) развязка отключенного канала
также высока.
Топология такого ФВ с переключаемыми каналами, представленная на рис.
3.11, предлагается в лит. [7]. На рис. 3.12 представлена электрическая схема,
соответствующая топологии на рис. 3.11.

Рисунок 3.11. Схематический рисунок широкополосного


микрополоскового, pin-диодного ФВ с переключаемыми каналами

2
4
Рисунок 3.12. Схема широкополосного ФВ с переключаемыми
каналами

ФВ обладает симметрией (ось симметрии показана на рис. 3.11


штрихпунктирной линией). Симметричные половины ФВ содержит по 4 отрезка
МПЛ, каждый из которых характеризуется двумя параметрами: волновым
сопротивлением Z (Z1, Z2, Z3 и Z4) и электрической длиной Θ (Θ1, Θ2, Θ3 и Θ4). К
симметричным СВЧ устройствам применим метод синфазного и противофазного
возбуждения [8], [9]. Воспользовавшись этим методом в статье [7] получены
аналитические выражения, устанавливающие связь параметров отдельных
элементов топологии ФВ на рис. 3.11 с его выходными характеристиками.
По линии симметрии на рис. 3.11 ФВ, представляющий собой
четырехполюсник, можно разделить на два несвязанных двухполюсника. Задача
анализа схемы сводится к анализу двухполюсника при синфазном возбуждении
четырехполюсника («магнитная стенка» - хх) и при противофазном возбуждении
четырехполюсника («электрическая стенка» - кз) [4]. Связь между элементами
матрицы рассеяния симметричного четырехполюсника и коэффициентами
отражения двухполюсника в двух этих случаях определяется выражениями [4]:

2
5
S11 = S22 = (Гхх + Гкз)/2 (3.1)

S13 = S21 = (Гхх - Гкз)/2 (3.2)


Коэффициенты отражения определяются через проводимости на входе
двухполюсника [4]:
Гхх = (1 – jyхх) / (1 + jyхх) (3.3)
Гкз = (1 – jyкз) / (1 + jyкз) (3.4)
Фаза коэффициента передачи S21 схемы ФВ на рис. 3.11 определятся через
проводимости следующим выражением [4]:

Φ = arg S21 = arctg [(1 – yххyкз) / (yхх + yкз)] (3.5)


Управляющий элемент (ключ) pin-диод имеет два состояния (под прямым
смещением (в) и под обратным смещением (д) на рис. 2.4), при синхронном
переключении которых внешним управляющим напряжением диодов (VD1, VD2
и VD3 на рис. 3.11) и реализуется фазовый сдвиг Δφ, определяемый разностью
фаз коэффициента передачи S21 [4]:
Δφ = Φ 2 – Φ 1 , (3.6)
где Φ 1 - фаза коэффициента передачи S21 схемы на рис. 3.11 в состоянии pin-диода
под прямым смещением (в) на рис. 2.4; Φ 2 - фаза коэффициента передачи S21
схемы на рис. 3.11 в состоянии pin-диода под обратным смещением (д) на рис. 2.4.
В статье [7] показано, как получить все электрические параметры ФВ на рис.
3.11, но сделать это можно на одной частоте рабочего диапазона частот,
оптимизировать же параметры в широкой полосе частот не представляется
возможным. Рассчитав, пользуясь соотношениями в статье [7], топологию ФВ
рис. 3.11 на фазовый сдвиг 180°, допустим, на центральной частоте 7 ГГц можно
было бы построить первичную модель для расчета и оптимизации электрических
параметров ФВ в MWO.
В данной работе задача построения первичной модели для расчета ФВ в
MWO была упрощена. Исходя из принципа действия схемы на рис. 3.12, при
котором все отрезки МПЛ, за исключением входной и выходной (Z0), можно
принять равными четверти длины волны в диэлектрике (поликоре), в первом

2
6
приближении, длину и ширину которых довольно просто рассчитать на
центральной частоте рабочего диапазона частот с помощью программы TXLine,
входящей в комплект программ MWO. Результаты расчета представлены на рис.
3.13.
Топология 180° ФВ реализуется на подложке из алюмооксидной керамики
типа поликор толщиной 0,5 мм и относительной диэлектрической проницаемости
ε = 9,6. Центральная частота диапазона рабочих частот, согласно техническому
заданию, 7 ГГц. В качестве материала для МПЛ используется нанесенная
методами тонкопленочной технологии вакуумная и гальваническая медь, а также
золото, суммарной толщиной 0,01 мм. Волновое сопротивление входной и
выходной МПЛ ФВ равно 40 Ом, исходя из их ширины топологии на рис. 3.1
(рассчитано по программе TXLine в MWO).
Для компактного размещения топологии 180° ФВ на поликоровой плате
используются как МПЛ с волновым сопротивлением 40 Ом, равные волновому
сопротивлению передающей линии, так и более высокоомные, а также скачки
волнового сопротивления.
Рассчитанные в TXLine геометрические размеры МПЛ представлены на
рис. 3.13.

Рисунок 3.13. Результаты расчета МПЛ в MWO по программе TXLine

2
7
После проведения расчетов геометрических размеров МПЛ была построена
в MWO начальная EM-структура (основной фрагмент) ФВ, представленная на
рис. 3.14.

Рисунок 3.14. EM-структура (основной фрагмент) 180° широкополосного ФВ


На основе этой ЕМ – структуры на рис. 3.14 и двух упрощенных
эквивалентных схем pin-диодов на рис. 2.4, в) и д) были созданы в среде MWO
две модели для расчета и оптимизации электрических параметров 180° ФВ в
диапазоне рабочих частот, представленные на рис. 3.15 и 3.16.

2
8
Рисунок 3.15. Модель для расчета разряда 180° ФВ при обратном
смещении на pin-диодах (диоды представляют собой емкость С)

Рисунок 3.16. Модель для расчета разряда 180° ФВ при прямом


смещении на pin-диодах (через диоды протекает прямой ток)

2
9
ЕМ – структура на рис. 3.14 вводится в модели на рис. 3.15 и 3.16
прямоугольником S1 с пятью выводами.
При расчете индуктивностями учитывались проводники, соединяющие
pin-диоды с микрополосковыми линиями в составе гибридно-интегральной
схемы ФВ. Последовательные сопротивления в упрощенной эквивалентной
схеме pin-диодов в двух их состояниях r+ = 2 Ом и r- = 1,5 Ом и индуктивности
соединяющих диоды с МПЛ проводников заимствованы из расчета
узкополосного 180° ФВ в разделе 3.1. Емкости диодов С варьировалась при
расчете и оптимизации электрических параметров ФВ. На рис. 3.15 приведены
их полученные после оптимизации электрических параметров 180° ФВ
номиналы. При оптимизации параметров 180° ФВ варьировались также
геометрические размеры всех МПЛ, за исключением входной и выходной (Z0).
Оптимизированные по пакету программ MWO электрические параметры
180° ФВ приведены на рис. 3.17, 3.18 и 3.19.

Рисунок 3.17. Зависимость фазового сдвига 180° ФВ от частоты

3
0
Рисунок 3.18. Зависимость вносимых потерь от частоты в двух состояниях
180° ФВ (при прямом и обратном управляющем напряжении на pin-диодах)

Рисунок 3.19. Зависимость КСВН от частоты в двух состояниях ФВ (при


прямом и обратном управляющем напряжении на pin-диодах)

В широком диапазоне рабочих частот ∆f = 6,58 –7,42 ГГц (7±6% ГГц)


ошибка при установке фазового состояния ∆φ = 180° не превышает ±1,5°,
максимальный уровень вносимых потерь не более 0,41 дБ, разброс (модуляция)
вносимых потерь не более 0,25 дБ, а КСВН (К стU) в двух состояниях ФВ не
превышает 1,3.

3
1
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате моделирования, расчета электрических параметров и их


оптимизации 180° полупроводникового (pin-диодного) ФВ, предложенного в
задании на бакалаврскую работу в качестве исследования его параметров в
широком (до 7±6% ГГц) диапазоне частот, был сделан вывод, что данная схема
ФВ не может обеспечить электрические параметры, сформулированные в
исходных данных на работу в широком диапазоне рабочих частот. Было принято
решение о замене этой схемы ФВ на более широкополосную.
В результате информационного поиска была найдена более
широкополосная схема полупроводникового (pin-диодного) ФВ, проведено
моделирование 180° ФВ, расчет его электрических параметров и их оптимизация.
Анализ полученных частотных характеристик ФВ показал полное
выполнение норм электрических параметров, заданных в исходных данных к
бакалаврской работе. В широком диапазоне рабочих частот ∆f = 6,58 –7,42 ГГц
(7±6% ГГц) ошибка при установке фазового состояния ∆φ = 180° не превышает
±1,5°, максимальный уровень вносимых потерь не более 0,41 дБ, разброс
(модуляция) вносимых потерь не более 0,25 дБ, а КСВН (К стU) в двух
состояниях ФВ не превышает 1,3.

3
2
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. О.Г. Вендик, М.Д. Парнес. Антенны с электрическим сканированием.
- Москва: Изд-во «Сайнс-пресс», 2001. - 252 с.
2. Активные фазированные антенные решетки. Под ред. Д.И.
Воскресенского, А.И. Канащенкова. - Москва: Изд-во «Радиотехника», 2004. -
488 с.
3. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и
расчет. Под ред. И.В. Мальского, Б.В. Сестрорецкого. - Москва: Изд-вр «Сов.
Радио», 1969. - 538 с.
4. Г.С.Хижа, И.Б.Вендик, Е.А.Серебрякова. СВЧ фазовращатели и
переключатели. - Москва: Изд-во «Радио и связь», 1984. - 184 с.
5. А.В. Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на
полупроводниковых диодах. - Москва: Изд-во «Радио и связь», 1987. - 120 с.
6. И.Н. Ростокин. Теория физических волн: Учеб. пособие/МИ ВлГУ. -
Муром: Изд-во МИ ВлГУ, 2014.

7. Кузнецов В.И., Егоров С.К., Вендик И.Б.. Оптимизация дискретного


фазовращателя 3-х сантиметрового диапазона на переключаемых линиях. -СПб.

8. Л.Г. Малорацкий, Л.Р. Явич. Проектирование и расчет СВЧ


элементов на полосковых линиях. - Москва: Изд-во «Радио и связь», 1972. - 230
с.

9. А.Л. Фельдштейн, Л.Р. Явич. Синтез четырехполюсников и


восьмиполюсников СВЧ. - Москва: Изд-во «Радио и связь», 1971. - 352 с.

3
3

Оценить