Práctica 1: Laboratorio de Electrónica Analógica

Tema: El Diodo Semiconductor, Principio de

Funcionamiento

Edgar Xavier Pulla Mora

1 Universidad de Cuenca, Cuenca 010107, Ecuador

2 Av 12 de Abril &, Cuenca
xavi245@ucuenca.edu.ec

Resumen. En el presente trabajo se analizará el comportamiento del componente

llamado Transistor BJT (bipolar junction transistor), el mismo que fue objeto de
estudio del capitulo 3 de la asignatura Electrónica Analógica, Los transistores del tipo
BJT pudiendo ser canal N o canal P son elementos muy útiles en la electrónica por
su sin número de aplicaciones en el que puede ser empleado, tiene aplicaciones como
un interruptor o como un amplificador, el uso se extiende dependiendo de la
configuración electrónica que le demos, por lo anterior mencionado el transistor
operara y tendrá ecuaciones que modelan su funcionamiento diferentes, por lo mismo
en la práctica se analizaran cuatro diferentes configuraciones que tiene el transistor,
con eso podremos elegir la mejor configuración para la aplicación que necesitemos
elaborar, en este caso trabajaremos con el transistor 2N3904

Keywords: Transistor BJT.

1 Introducción

1.1 A Subsection Sample

En la primera parte de este informe se detalla un breve resumen acerca del

componente a utilizarse en este caso el transistor BJT, asi como el funcionamiento del
mismo, luego en el desarrollo de la practica se detalla las consideraciones y cálculos
necesarios para el correcto funcionamiento de este dispositivo en sus diferentes
configuraciones, en la penúltima parte se concluye con un análisis resumido del
circuito y recomendaciones para futuros trabajos, finalizando con la bibliografia.
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2 Marco Teórico

Transistor BJT

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada bastante baja.”[1]”

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de
extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad. ”[1]”

Fig. 1. Representación gráfica transistor.

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Principio de funcionamiento.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión

base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y
la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores
que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe
ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Fig. 2. Grafica Ic-Vce

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3 Materiales

- Multímetro.
- Fuente de corriente continua
- 4 transistores 2N3904
- Protoboard
- Cables de conexión
- Resistencias
- Cautín
- Datasheet transistor 2N3904

4 Desarrollo de la Práctica
1. Completar la siguiente tabla, en relación a los circuitos de polarización.

Tabla 1 Ecuaciones para las diferentes configuraciones

Polarizac Ecuación Ecua E Punto de
ión para la Ib ción cuac saturación
para el ión Icsat
Vce para
la Ic

Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑣𝑐𝑐

polarización fija 𝑅𝐵 − 𝐼 ∗ 𝑅𝐶 𝑅𝐶
Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
polarización 𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
estabilizada en + 𝑅𝐵 )
emisor
Circuito de 𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
polarización por 𝑅𝑇𝐻 + 𝛽𝑅𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
divisor de + 𝑅𝐵 )
voltaje
Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
polarización 𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 ) − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
DC por + 𝑅𝐵 )
retroalimentació
n de voltaje

2. Regular Vcc=10v, en la fuente de alimentación variable, disponible en el

laboratorio. Defina un valor para la intensidad de colector de saturación Icsat a
emplearse en los cálculos, tome en cuenta que la máxima intensidad de colector
para el transistor 2N3904 es 200mA (sugerencia: emplee un valor de hasta 20mA).
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VCC= 10V
Icsat= 15mA
Q= (5v, 7.5mA)
VCE=5V
IC=7.5mA

3. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

3.1. Emplear la opción hFE, del multímetro, determinar la ganancia del transistor
2N3904. Completar la tabla.

Tabla 2. Medición de hFE transistor 2N3904

Transistor hFE (beta)
Q1 364

3.2. Para el circuito de polarización fija de la figura 3. Determine el punto de

trabajo del transistor en Q (Vcc/2, Icsat/2). De acuerdo a los valores fijados en
el punto 2.

a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Amar el circuito de polarización.
Medir Icq y Vce. Completar la tabla 3.

Fig. 3. Circuito configuración polarización fija

Cálculos:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
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𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
10 − 0,7
𝑅𝐵 =
7.5 ∗ 10−3
364
𝑅𝐵 = 451.45𝐾Ω

𝑉𝐶𝐶
𝑅𝑐 =
𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡
10
𝑅𝑐 =
15𝑚𝐴
𝑅𝑐 = 666.66Ω

Tabla 3. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización Fija

Parámetro Valores Medidos Variación
Icq 7.48mA 0.02mA
Vceq 4.94V 0.06V

b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:

saturación, corte y trabajo (Medido y calculado).
Punto azul calculado.
Punto tomate medido. (Tomar en cuenta para los siguientes gráficos)

Fig. 4. Punto de carga medido y calculado

c. Conectar y acercar el cautín al transistor. Medir Q; De acuerdo al incremento

de temperatura. Acotar la nueva ubicación del punto e trabajo en el grafico del
punto anterior. Completar la tabla 4.
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Tabla 4. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura

Variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 8mA 0.5mA
Vceq 4.36V 0.64V
Punto azul calculado.
Punto tomate medido.
Punto rojo con calor. (tomar en cuenta para los siguientes gráficos)

Fig. 5. Punto de carga aplicado calor

d. A partir de los resultados obtenidos en la tabla 4. Realice un análisis del

comportamiento de un circuito de polarización fija.

Cuando se acerca el cautín al transistor y la temperatura empieza a

aumentar, el voltaje decrece y la corriente aumenta rápidamente.

4. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADOR EN EMISOR

4.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la tabla 5.

Tabla 5. Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hFE
Q1 372

4.2 Para el circuito de polarización fija de la figura. Determine el punto de trabajo

en Q (Vcc/2, Icsat/2).
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a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Amar el circuito de polarización,
medir Icq y Vce. Completar la tabla 6.

Fig. 6. Circuito de polarización estabilizado en emisor.

Cálculos:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐸 )

𝑅𝐵 = 342.24𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 666.66Ω
𝑅𝑐 = 366.66
𝑅𝐸 = 330Ω

Tabla 6. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización Estabilizado en Emisor

Parámetro Valores Medidos Variación
Icq 7.40mA 0.10mA
Vceq 4.81V 0.19V

b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:

saturación, corte y trabajo ( Medido y calculado)
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Fig. 7. Punto de carga medido y calculado

c. Conectar y acercar el cautín al transistor Medir Q (Icq, Vceq): De acuerdo al

incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, en
el grafico del punto anterior.

Tabla 7. Variación del Punto de trabajo debido al incremento de temperatura

Variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 7.7mA 0.2mA
Vceq 4.5V 0.5V

Fig. 8. Punto de carga aplicado calor

10

d. A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 6 y 7. Realice un análisis

del comportamiento de un circuito con resistencia estabilizador.

Cuando el transistor está sometido a temperatura, el voltaje decrece y la corriente

aumenta, lo que no sucede cuando está a temperatura ambiente.

5. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DC POR RETROALIMENTACIÓN DE

COLECTOR

5.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la tabla 8.

Tabla 8. Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hFE (beta)
Q1 358

5.2 Para el circuito de polarización dc por retroalimentación de voltaje, de la figura

3. Defina el punto de trabajo del transistor con los mismos valores que el
circuito de polarización fija. Q (Vcc/2, Icsat/2).

a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Amar el circuito de polarización,
medir Icq y Vce. Completar la tabla 9.

Fig. 9. Circuito de polarización DC por retroalimentación de Voltaje.

Cálculos:

Malla entrada
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
 11

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐸 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐶 )

𝑅𝐵 = 205.2KΩ

Malla salida
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 666.66Ω
𝑅𝐸 = 336Ω
𝑅𝐶 = 330Ω

Tabla 9. Medición del Punto de Trabajo C.P. Retroalimentación de Voltaje

Parámetro Valores Medidos Variación
Icq 7.47mA 0.03
Vceq 4.84V 0.16

b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:

saturación, corte y trabajo ( Medido y calculado)

Fig. 10. Punto de carga medido y calculado

c. Conectar y acercar el cautín al transistor Medir Q (Icq, Vceq); de acuerdo al

incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, en
el grafico del punto anterior. Completar la tabla 10.
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Tabla 10. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura

Variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 8 mA 0.5mA
Vceq 4.64V 0.36V

Fig. 11. Punto de carga aplicado calor

d. A partir de los resultados obtenidos, en la tabla 10. Realice un análisis del

comportamiento de un circuito con resistencia estabilizador.

Con el incremento de temperatura, se puede observar que la corriente es mayor y el

voltaje menor, a comparación cuando se realizan las mediciones en temperatura
ambiente.

6. CIRCUITO DIVISOR DE TENSIÓN

6.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la tabla 11.

Tabla 11. Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hFE
Q1 372
 13

6.2 Para el circuito de polarización fija de la figura 6. Defina el punto de trabajo

del transistor con los mismos valores que en el circuito de polarización fija. Q
(Vcc/2, Icsat/2).

a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores de las resistencias para
establecer el punto de trabajo requerido. Amar el circuito de polarización,
medir Icq y Vce. Completar la tabla 12.

Fig. 12. Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje

Cálculos:

Voltaje y resistencia de Thevenin

𝑉𝑇𝐻 = 0.7 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = ∗𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

𝑅1 = 1𝑘Ω
𝑅1 = 475Ω

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )

𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 666.66Ω
𝑅𝐸 = 336Ω
𝑅𝐶 = 330Ω
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Tabla 12. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización de Voltaje.

Parámetro Valores Medidos Variación

Icq 7.68 mA 0.18
Vceq 4.96V 0.04

b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos:

saturación, corte y trabajo ( Medido y calculado)

Fig. 13. Punto de carga medido y calculado

c. Conectar y acercar el cautín al transistor. Medir Q (Icq, Vceq); de acuerdo al

incremento de temperatura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, en
el grafico del punto anterior. Completar la tabla 13.

Tabla 13. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de temperatura

Variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 7.85mA 0.35
Vceq 4.79V 0.21
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Fig. 14. Punto de carga aplicado calor

d. A partir de los resultados obtenidos, en la tabla 13. Realice un análisis del

comportamiento de un circuito con resistencia estabilizador.

Con el incremento de temperatura, el voltaje emisor – colector disminuyó su valor y

la corriente de colector aumentó su valor.

5 Conclusiones
a) Los valores medidos de voltaje y corriente son similares a los valores
calculados. La diferencia entre estos dos puede darse debido a la imprecisión
de los potenciómetros utilizados.
b) El punto de carga se encuentra en la zona activa de la gráfica del transistor.
c) Cuando se calienta el transistor, la corriente aumenta rápidamente y el voltaje
decrece.
d) El punto de carga medido cuando el transistor está sometido a temperatura se
encuentra siempre en la mitad del valor del punto de carga calculado y el punto
de carga medido a temperatura ambiente.

Referencias
[1] Robert Boylestad y Louis Nashelsky, Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 10.a
ed. Pearson, 2009.