Вы находитесь на странице: 1из 82

№3 (63) 2018

ÂÅÑÒÍÈÊ
ýëåêòðîíèêè
ОБРАЗЦОВЫЙ ЖУРНАЛ ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ И КОНСТРУКТОРОВ

РЕШЕНИЕ ПРОБЛЕМЫ УСИЛИТЕЛИ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ


EMI В СИЛОВОЙ КА-ДИАПАЗОНА С УЛЬТРАШИРОКИМ
ЭЛЕКТРОНИКЕ ОТ MACOM
ВХОДНЫМ ДИАПАЗОНОМ
2
2
В НОМЕРЕ:

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 6 Источники питания THN 15WIR для железнодорожных


приложений

Совсем недавно компания Traco Power


начала выпуск новой серии источников
питания THN 15WIR. Эти модули создавались
специально для работы
в составе железно-
дорожного
электронного
оборудования

14 EMI и EMC — проблемы силовой электроники

26 Источники питания TVN 5WI для малошумящих


приложений

Существует целый ряд приложений,


в которых источник питания должен
обеспечивать высокую точность
и стабильность выходного напряжения,
а также минимальный уровень шумов.
Примерами таких приложений являются
измерительные схемы, аудиосистемы,
чувствительные детекторы и т. д.
Специально для подобных случаев компания
Traco Power предлагает использовать
малошумящие источники питания TVN 5WI

32 Plug & Play: применение силовых модулей


с предварительно нанесенной термопастой

НОВОСТИ 42

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


4

МОБИЛЬНОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ
ДЛЯ «ВЕСТНИКА ЭЛЕКТРОНИКИ»

Специальное приложение
доступно для скачивания
в App Store и Goоgle play.
Оно позволит читать журнал
с экрана телефона
или планшета.

«Вестник электроники» —
первый «образцовый» журнал.
Образец любого продукта,
описанного в издании, представлен
на складе компании PT Electronics.

Вестник электроники
№3 (63) 2018

Главный редактор
Катерина Косарева
ekaterina.kosareva@vestnikmag.ru

Дизайн и верстка
Елена Стрельникова

Подписано в печать 11.10.2018


Тираж: 4200 экз.

Журнал «Вестник электроники» зарегистрирован


Министерством Российской Федерации по делам
печати, телерадиовещания и средств массовых
коммуникаций. Свидетельство о регистрации
ПИ № ФС77-50844 от 14 августа 2012 г.

Адрес редакции:
194295, Санкт-Петербург,
улица Ивана Фомина, д. 6
Тел.: +7 (812) 324-63-50
editor@vestnikmag.ru

Отпечатано в типографии «Принт24»


192102, Санкт-Петербург,
ул. Самойловой, д. 5, литер В
АКТИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ 52 Беспроводная NFC-память от STMicroelectronics

Технология NFC создавалась для


ограниченного круга приложений.
Однако идея обмена данными на
сверхмалых расстояниях оказалась
настолько удачной, что сейчас область
применения NFC значительно расширилась.
Активные и пассивные интеллектуальные
NFC-устройства используются
в промышленности, портативной
электронике, медицине, автомобильном
транспорте и других отраслях

ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ 58 Новые усилители мощности диапазона Ka-band


КОМПОНЕНТЫ производства MACOM

Американская корпорация MACOM,


один из мировых лидеров в производстве
комплектующих и оборудования
для беспроводных, спутниковых
и оптоволоконных сетей, в середине
июня 2018 года объявила о выпуске
нового семейства усилителей мощности
для диапазона Ka-band
с выходной
мощностью
2; 2,3; 3;
4 и 6 Вт

64 Высоконадежные керамические конденсаторы для работы


в критических важных приложениях при жестких условиях
окружающей среды

70 Новые широкополосные аттенюаторы для поверхностного


монтажа

БЕСПРОВОДНЫЕ 74 Мониторинг подвижных объектов с сантиметровой


ТЕХНОЛОГИИ точностью. Меньше мифов, больше реальности

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


6 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ THN 15WIR


ДЛЯ ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫХ
ПРИЛОЖЕНИЙ

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

Совсем недавно компания Traco Power начала выпуск новой се- Разработка любого электронного блока должна
рии источников питания THN 15WIR. Эти модули создавались вестись с учетом требований конкретных отрас-
специально для работы в составе железнодорожного электрон- левых стандартов. Так, стандарт EN 50155:2007
ного оборудования. По заверениям Traco Power, источники THN определяет требования к электронному обо-
15WIR отвечают требованиям соответствующих отраслевых рудованию, применяемому в железнодорож-
стандартов — например, EN 50155:2007 и EN 61373. ных транспортных средствах. Специально для
железнодорожных приложений компания Traco
Power создала новую серию источников питания
THN 15WIR (рис. 1).
В статье кратко рассматриваются требова-
ния, предъявляемые к электронному обору-
дованию, применяемому в железнодорожных
транспортных средствах, а также анализируют-
ся особенности источников питания THN 15WIR.

ТРЕБОВАНИЯ
К ЭЛЕКТРОННОМУ
ОБОРУДОВАНИЮ,
ПРИМЕНЯЕМОМУ
В ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫХ
ТРАНСПОРТНЫХ СРЕДСТВАХ
Ни для кого не секрет, что оборудование, при-
меняемое в железнодорожных транспортных
средствах, в большинстве случаев эксплуатиру-
ется в достаточно жестких условиях. Перепады
напряжения, высокий уровень помех, широкий
диапазон рабочих температур, значительные
Рис. 1.
ударные и вибрационные нагрузки — абсолют-
Внешний вид
источников питания
но обыденное явление для железнодорожных
THN 15WIR [1] приложений.
При разработке электронных модулей для миналов определяется конкретный диапазон
железнодорожных транспортных средств сле- рабочих напряжений (табл. 1) [1]. Например, мо-
дует опираться на существующие нормативные дули с номинальным напряжением 24 В должны
документы. К сожалению, в рамках данной ста- сохранять полную работоспособность в диапа-
тьи сложно рассмотреть все ГОСТы и стандарты. зоне 16,8–30 В, выдерживать просадки до 14,4 В
Однако стоит выделить некую отправную точ- в течение 100 мс, перенапряжения до 33,6 В в те-
ку, которой является международный стандарт чение 100 мс.
EN   50155:2007. Диапазон рабочих температур. Железно-
EN 50155:2007 Railway applications — дорожное сообщение охватывает значительные
Electronic equipment used on rolling stock («Обо- территории с самыми различными климатиче-
рудование электронное, используемое в под- скими условиями. По этой причине электрон-
вижном составе железных дорог») описывает ные блоки должны обеспечивать надежную ра-
основные требования, которым должно отве- боту в широком диапазоне температур.
чать электронное оборудование, действующее В стандарте EN 50155:2007 определяется че-
в железнодорожных транспортных средствах. тыре температурных класса (табл. 2) [1]. Самый
Данный стандарт рассматривает широкий жесткий из них TX подразумевает работу печат-
круг вопросов, начиная от параметров питания ных узлов в диапазоне –40…+85 °С.
и ЭМС и заканчивая условиями эксплуатации. Электрическая прочность. Высокая элек-
Рассмотрим некоторые из них. трическая прочность является важным эле-
Напряжение питания. В соответствии ментом безопасности. В соответствии с EN
с EN  50155:2007 номинальное напряжение обо- 50155:2007 для наиболее высоковольтных при-
рудования (Un) выбирают из следующих зна- боров рейтинг изоляции должен составлять не
чений: 24, 48, 72, 96, 110 В. Для каждого из но- менее 1500 В (табл. 3) [1].

Таблица 1.
Допуски на напряжения питания согласно EN 50155:2007

ДОПУСТИМЫЕ
ДОПУСТИМАЯ
НОМИНАЛЬНОЕ МИНИМАЛЬНОЕ МАКСИМАЛЬНОЕ РАСЧЕТНОЕ ДОПУСТИМЫЕ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ
ПРОСАДКА
НАПРЯЖЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С ОГРАНИЧЕНИЕМ
НАПРЯЖЕНИЯ
UN, В 0,7 UN, В 1,25 UN, В 1,15 UN, В (100 МС) 1,4 UN, В МОЩНОСТИ
(100 МС) 0,6 UN, В
(1 С) 1,4 (UN), В

24 16,8 30 27,6 14,4 33,6 33,6

36 25,2 45 41,4 21,6 50,4 50,4

48 33,6 60 55,2 28,8 67,2 67,2

72 50,4 90 82,8 43,2 100,8 100,8

96 67,2 120 110,4 57,6 134,4 134,4

110 77 137,5 126,5 66 154 154

Таблица 2.
Диапазоны рабочих температур согласно EN 50155:2007

ТЕМПЕРАТУРА ОКРУЖАЮЩЕЙ
ТЕМПЕРАТУРА ВНУТРИ ИЗБЫТОЧНАЯ ТЕМПЕРАТУРА ТЕМПЕРАТУРА ВОЗДУХА,
СРЕДЫ СНАРУЖИ
КЛАСС РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ЩИТКА, ВНУТРИ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ОКРУЖАЮЩАЯ ПЕЧАТНЫЙ
ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА,
°С ЩИТА В ТЕЧЕНИЕ 10 МИН, °С УЗЕЛ, °С
°С

Т1 –25…+40 –25…+55 +15 –25…+70

Т2 –40…+35 –40…+55 +15 –40…+70

Т3 –25…+45 –25…+70 +15 –25…+85

ТХ –40…+50 –40…+70 +15 –40…+85

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


8 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Таблица 3. Таблица 4.
Испытания на прочность изоляции Модельный ряд источников питания
согласно EN 50155:2007 THN 15WIR

ВЫХОДНОЙ ТОК, МА
СИНУСОИДАЛЬНОЕ
НОМИНАЛЬНОЕ СРЕДНЕКВАДРАТИЧНОЕ

НАПРЯЖЕНИЕ, В

НАПРЯЖЕНИЕ, В
НАПРЯЖЕНИЕ UN, В ЗНАЧЕНИЕ ИСПЫТАТЕЛЬНОГО КПД,
НАПРЯЖЕНИЯ, В НАИМЕНОВАНИЕ

ВЫХОДНОЕ
%

ВХОДНОЕ
24 500

36 500
THN 15-2410WIR 3,3 4500 88
48 500
THN 15-2411WIR 5 3000 89
72 1000
THN 15-2412WIR 12 1300 89
96 1000
THN 15-2413WIR 15 1000 89
110 1500
THN 15-2415WIR 9–36 24 625 90

THN 15-2421WIR ±5 ±1500 86

EN 50155:2007 самостоятельно раскры- THN 15-2422WIR ±12 ±625 89


вает широкий круг требований к электрон-
THN 15-2423WIR ±15 ±500 89
ным блокам. Однако по некоторым вопросам
EN  50155:2007 ссылается на другие стандарты. THN 15-2425WIR ±24 ±315 91
Например, на EN 61373.
THN 15-4810WIR 3,3 4500 88
Требования стойкости к ударным и ви-
брационным нагрузкам. По данному вопро- THN 15-4811WIR 5 3000 89

су EN 50155:2007 ссылается на стандарт EN 61373. THN 15-4812WIR 12 1300 89


В нашей стране есть аналог этого документа  —
THN 15-4813WIR 15 1000 89
ГОСТ Р 54434-2011 «Оборудование железно-
дорожного подвижного состава. Испытания на THN 15-4815WIR 18–75 24 625 91
удар и вибрацию».
THN 15-4821WIR ±5 ±1500 86
Даже этого ограниченного перечня особен-
ностей достаточно для того, чтобы понять: элек- THN 15-4822WIR ±12 ±625 90
тронное оборудование для железнодорожного THN 15-4823WIR ±15 ±500 89
подвижного состава является чрезвычайно специ-
фичной областью электроники. Однако не нужно THN 15-4825WIR ±24 ±315 90

забывать, что при разработке следует учитывать THN 15-7210WIR 3,3 4500 88
и другие требования: ЭМС, влажность и т. д.
THN 15-7211WIR 5 3000 89
Новые модульные источники питания THN
15WIR от Traco Power разрабатывались специаль- THN 15-7212WIR 12 1300 89
но для железнодорожных приложений и отвеча-
THN 15-7213WIR 15 1000 89
ют требованиям EN 50155:2007 и EN 61373. Рассмо-
трим особенности THN 15WIR подробнее. THN 15-7215WIR 36–160 24 625 90

THN 15-7221WIR ±5 ±1500 85


МОДЕЛЬНЫЙ РЯД
THN 15-7222WIR ±12 ±625 89
И ОСНОВНЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ THN 15-7223WIR ±15 ±500 89
ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
THN 15-7225WIR ±24 ±315 90
THN 15WIR
В настоящий момент номенклатура серии THN
15WIR объединяет 27 одно- и двухканальных на печатную плату и имеют компактные габарит-
источников питания с диапазонами входных на- ные размеры 25,48×25,4×9,9 мм.
пряжений 9–36, 18–75, 36–160 В (табл. 4) [3]. Ди- С одной стороны, серия THN 15WIR является
апазон выходных токов для различных моделей развитием серии популярных источников пита-
находится в пределах 625–4500 мА. Все предста- ния THN 15 с сохранением полной повыводной
вители THN 15WIR предназначены для монтажа совместимости. С другой — модули THN 15WIR
имеют ряд особенностей, которые связаны в том сом. Аналогичный запас наблюдается и для мо-
числе со спецификой их применения. Остано- дулей 48 и 72 В.
вимся на этих различиях подробно. Следующим важным отличием между THN
Главное отличие серии THN 15WIR от THN 15 — 15WIR и THN 15 является прочность изоляции.
диапазон входных напряжений (табл. 5) [3, 4]. Для Если анализировать EN 50155:2007 (табл. 3), то
модулей THN 15 соотношение между максималь- можно заметить, что обе серии источников пи-
ным и минимальным входным напряжением со- тания отвечают требованиям по уровню изо-
ставляет 2:1. Этого недостаточно, чтобы соответ- ляции. Однако если для THN 15 рейтинг изоля-
ствовать требованиям EN 50155:2007. Например, ции составляет стандартное значение 1500 В, то
модули THN 15 с номинальным напряжением 24 В у модулей THN 15WIR он в два раз выше —
имеют допустимый диапазон 18–36 В и способны 3000  В. Поскольку вопрос надежности для же-
выдерживать выбросы до 50 В в течение 100 мс. лезнодорожного оборудования чрезвычайно
В то же время согласно EN 50155:2007 (табл. 1) моду- важен, то повышенная защита источника пита-
ли с номинальным напряжением 24 В должны со- ния никогда не будет лишней.
хранять работоспособность в диапазоне входных С точки зрения функционала THN 15WIR
напряжений 16,8–30 В и выдерживать выбросы и THN 15 идентичны. Обе серии позволяют под-
и просадки в диапазоне 14,4–33,6 В. страивать выходное напряжение в диапазо-
Модули THN 15WIR имеют соотношение вход- не ±10% (или –10/+20%), а также обеспечивают
ных напряжений 4:1. Это, например, позволяет возможность дистанционного включения. Кро-
источникам питания с номинальным напряже- ме того, набор защитных функций у THN 15WIR
нием 24 В работать в диапазоне 9–36 В. То есть и THN 15 одинаков: защита от перенапряжений,
диапазон 14,4–33,6 В, необходимый согласно просадок напряжения, перегрузок по току.
EN 50155:2007, перекрывается с большим запа-
СТАБИЛЬНОСТЬ
Таблица 5. НАПРЯЖЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ
Сравнение основных характеристик ПИТАНИЯ THN 15WIR
источников THN 15WIR и THN 15 Если рассматривать характеристики выходного
напряжения, то источники питания THN 15WIR
СЕРИЯ практически ничем не отличаются от модулей
ПАРАМЕТР THN 15 (табл. 6) [3, 4]. Вместе с тем у обеих серий
THN 15WIR THN 15 следует отметить относительно высокое зна-
чение температурной стабильности и возмож-
Мощность, Вт 15 15
ность калибровки.
Соотношение входных напряжений, В 4:1 2:1

9–36 9–18 Таблица 6.


Диапазон входных напряжений, В 18–75 18–36 Нестабильность выходного напряжения
36–160 36–75
для THN 15WIR и THN 15
3,3 3,3
5 5
12 12 СЕРИЯ
15 15 ПАРАМЕТР
Выходное напряжение, В 24 24 THN THN
±5 ±5 15WIR 15
±12 ±12
±15 ±15 Точность установки выходного на-
±1 ±1
±24 ±24 пряжения, %

КПД, % 85–91 84–91 Подстройка выходного напряжения есть есть

Нестабильность выходного напря-


Рейтинг изоляции, В 3000 1500 0,2/0,5 0,2/0,5
жения по входному, %
Сопротивление изоляции, МОм >1000 >1000 Нестабильность выходного напря-
жения по нагрузке (одноканальные 0,2 0,2
Габариты, мм 25,48×25,4×9,9 25,48×25,4×9,9 ИП), %
Нестабильность выходного напря-
Дистанционное включение есть есть
жения по нагрузке (двухканальные 1 1
ИП), %
Подстройка выходного напряжения есть есть
Нестабильность выходного напря-
Защита от КЗ есть есть жения по нагрузке (двухканальные
5 5
ИП, разбалансированная нагруз-
Защита от просадки входного напряжения есть есть ка), %
Температурный коэффициент на-
Защита от перенапряжений на выходе есть есть ±0,02 ±0,02
пряжения, %/°С

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


10 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ЧАСТОТНЫЕ И ВРЕМЕННЫЕ Осциллограмма выходного напряжения на


ХАРАКТЕРИСТИКИ примере THN 15-2410WIR представлена на рис.  2.
Источники питания THN 15 имеют рабочую ча- С осциллограммами других моделей можно озна-
стоту 400 кГц. Для THN 15WIR частота коммута- комиться в документации [5, 6].
ций несколько ниже— 245/300 кГц (табл. 7) [1, 2]. Говоря об уровне собственных шумов, нужно
отметить, что обе серии отвечают требованиям
Таблица 7. EN 55032 class A без каких-либо внешних филь-
Частотные и шумовые характеристики тров. Чтобы соответствовать EN 55032 class B, на
для THN 15WIR и THN 15 входе необходимо разместить дополнительные
конденсаторы.
СЕРИЯ Временные характеристики THN 15WIR и THN
ПАРАМЕТР 15 достаточно близки. На рис. 3 показана осцил-
THN 15WIR THN 15 лограмма отклика выходного напряжения на
изменение нагрузки (25%) на примере THN 15-
Рабочая частота, кГц 245/300 400 (ШИМ)
2410WI [5]. С осциллограммами других моделей
Минимальная нагрузка, % не требуется не требуется
можно ознакомиться в документации [5, 6].

Максимальная емкостная нагрузка


200–5200 100–2200
(одноканальные ИП), мкФ
Максимальная емкостная нагрузка
100–1500 100–680
(двухканальные ИП), мкФ
Выходной шум с внешним конденсатором
75/100/125 75/100
(полоса 20 МГц, тип.), мВ

Кондуктивные помехи на входе EN 55032, class A/B EN 55032, class A/B

36 (12 В)/50 (24 В)/


Пиковые напряжения (100 мс), В –
100 (48 В)
50 (24 В)/100 (48 В)/
Пиковые напряжения (1 с), В –
185 (72 В)

Типовое время включения, мс 40 30

Филатов Владислав,
руководитель направления силовой
Уровень выходных шумов для THN 15WIR электроники PT Electronics
и THN 15 примерно одинаков. Согласно доку-
ментации, источники THN 15WIR демонстрируют vladislav.filatov@ptelectronics.ru
следующие показатели:
• 75 мВ (от пика до пика) для одно- и двух-
канальных источников 3,3/5 В с внешним кон-
денсатором 10 мкФ/6,3 В X7R;
• 100 мВ (от пика до пика) для одно- и двух-
канальных источников 12/15 В с внешним
конденсатором 1 мкФ/25 В X7R; Основной особенностью модуля THN 15WIR
• 125 мВ (от пика до пика) для одно- и двух- является его диапазон входного напряже-
канальных источников 24 В с внешним кон-
ния от 36 до 160 вольт. Второго серийного
денсатором 2,2 мкФ/50 В X7R.
продукта с таким диапазоном входного на-
пряжения на российском рынке просто нет.
THN 15WIR – оптимальное решение
Рис. 2. для применения в такой
Шумы и пульсации отрасли как РЖД.
выходного сигнала
на примере
THN 15-2410WIR [5]
симость для THN 15-2410WIR. Аналогичные зави-
Рис. 3. симости для других моделей можно найти в до-
Отклик на кументации [5].
импульсное
изменение нагрузки
(25%) на примере
THN 15-2410WIR [5]

Время включения для модулей THN 15WIR


оказывается несколько выше, чем у THN 15: 40 мс
против 30 мс (рис. 4).

Рис. 4.
Рис. 6.
Осциллограмма
Зависимость КПД от
включения
входного напряжения на
на примере
примере THN 15-2410WIR [5]
THN 15-2410WIR [5]

При выполнении теплового анализа для


электронных блоков нельзя забывать о само-
разогреве. Информация о потерях мощно-
сти для THN 15WIR приведена в документации
Среди дополнительных достоинств THN (рис. 7) [5].
15WIR и THN 15 стоит отметить отсутствие огра-
ничений по уровню минимальной нагрузки.

КПД И ТЕМПЕРАТУРНЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ THN 15WIR
КПД для различных моделей THN 15WIR состав-
ляет 85–91%. На рис. 5 приведена зависимость
КПД от нагрузки на примере THN 15-2410WIR.
График оказывается достаточно пологим при
нагрузке более 50%. Аналогичные зависимости
для других моделей можно найти в документа-
ции [5].

Рис. 5.
Зависимость КПД Рис. 7.
от уровня нагрузки Уровень потерь на примере
на примере THN 15-2410WIR [5]
THN 15-2410WIR [5]

Как было показано выше, в соответствии


с EN  50155:2007 наиболее жесткий температур-
ный класс TX предполагает работу печатного
узла в диапазоне –40…+85 °С (табл. 4). Источ-
КПД для большей части источников питания ники питания THN 15 имеют рабочий диапазон
THN 15WIR слабо зависит от входного напряже- –40…+85 °С, однако с учетом дирейтинга эффек-
ния при значительных нагрузках (более 50%). тивный температурный диапазон оказывается
В качестве примера на рис. 6 представлена зави- уже –40…+70 °С (табл. 8).

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


12 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Таблица 8. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Температурные характеристики Новая серия источников питания THN 15WIR от
для THN 15WIR и THN 15 компании Traco Power создана специально для
работы в составе железнодорожного электрон-
СЕРИЯ ного оборудования. Эти источники отвечают
ПАРАМЕТР требованиям отраслевых стандартов, например
THN 15WIR THN 15 EN 50155:2007 и EN 61373.
«Железнодорожная» специализация модулей
THN 15WIR отразилась на их характеристиках,
Диапазон рабочих что хорошо видно при сравнении с источни-
–40…+90 –40...+85
температур, °C
ками питания базовой линейки THN 15. Серия
THN 15WIR отличается широким диапазоном
входных напряжений, расширенным
Максимальная температурным диапазоном,
температура 105 105
корпуса, °С
высоким рейтингом
изоляции.

Температура
–55...+125 –55...+125
хранения, °C

Снижение 3,3%/°С при 2,8%/°С при Литература


выходной температуре температуре
мощности более +75 °С более +70 °С 1. EN 50155:2007 Railway applications — Electronic
equipment used on rolling stock.
2. ГОСТ Р 54434-2011. «Оборудование железно-
Дирейтинг представляет собой уменьшение дорожного подвижного состава. Испытания на удар
допустимой выходной мощности при нагреве и вибрацию».
источника питания. Для модулей THN 15 при тем- 3. www.assets.tracopower.com/20180807083146/
пературе выше +70 °С мощность уменьшается со THN15WIR/documents/thn15wir-datasheet.pdf
скоростью 2,8%/°С. В то же время температур- 4. www.assets.tracopower.com/20180807083146/
ный диапазон полной мощности для THN 15WIR THN15/documents/thn15-datasheet.pdf
оказывается шире и составляет –40…+75 °C, 5. www.assets.tracopower.com/20180807083146/
а последующее уменьшение происходит со ско- THN15WIR/documents/thn15wir-characteristic-curves.pdf
ростью 3,3%/°С. То есть при температуре +85 °C 6. www.assets.tracopower.com/20180807083146/
(максимальная температура для класса TX) мощ- THN15/documents/thn15-application.pdf
ность THN 15WIR падает всего на 33%, в то время 7. Документация на компоненты взята с офици-
как для THN 15 падение составит 42%. ального сайта www.tracopower.com
Здесь нужно отметить, что рабочий диапазон
зависит и от качества отвода тепла, например
от силы обдува. На рис. 8 представлена зависи-
мость выходной мощности от потока воздуха
для THN 15-2410WIR. Аналогичные зависимости
для других моделей можно найти в документа-
ции [5].

Рис. 8.
Ограничение
выходной мощности
на примере
THN 15-2410WIR [5]
14 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

EMI И EMC —
ПРОБЛЕМЫ СИЛОВОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ

Андрей Колпаков

Для соединения силовых полупроводниковых ключей и пассив- В импульсных преобразователях средней


ных компонентов используются дорожки на печатных платах, и высокой мощности чаще всего используются
а также медные или алюминиевые кабели и шины в зависимости IGBT-транзисторы — «рабочая лошадка» совре-
от уровней рабочих токов и напряжений. Кроме общих техни- менной силовой электроники. Высокая блокиру-
ческих требований, важной проблемой является обеспечение ющая способность, большая плотность тока, хо-
электромагнитной совместимости (EMC) приборов, коммути- рошее сочетание статических и динамических
рующих большие токи с высокой скоростью. В этой связи осо- параметров — вот основные преимущества
бое значение приобретают характеристики цепей переключе- IGBT, делающие эти компоненты незаменимыми
ния, обладающих паразитными индуктивностями и емкостями в таких применениях, как источники питания, ча-
и оказывающих решающее влияние на общее поведение систе- стотные преобразователи, промышленные при-
мы. Современные быстрые силовые ключи (MOSFET, IGBT, SiC) вода и т. д. Как правило, в данных схемах силовые
неизбежно становятся источником электромагнитных помех ключи работают в режиме «жесткого переклю-
(EMI — Electro Magnetic Interference). В данной статье описаны чения» на частоте коммутации до 20 кГц. Стрем-
механизмы возникновения EMI и пути решения проблемы элек- ление к обеспечению оптимальных динамиче-
тромагнитной совместимости. ских характеристик и снижению уровня потерь
требует увеличения скорости переключения по
напряжению до 15 кВ/мкс и току — до 2 кА/мкс.
Соответственно возрастает и уровень электро-
магнитных помех (EMI), причем наибольшее вли-
яние на работу электронных устройств оказыва-
ют т. н. кондуктивные помехи, возникающие при
коммутации тока.
Импульсные процессы, происходящие
в мощных преобразователях, неизбежно при-
водят к возникновению высокочастотных шу-
мов. Их диапазон простирается от несущей ча-
стоты ШИМ (5…20 кГц) до радиочастот (30 МГц).
Низкочастотные помехи проникают в питающую
сеть, высокочастотные составляющие создают
мощные радиопомехи. Сетевые помехи обыч-
Рис. 1.
но характеризуются дискретными гармониками Кондуктивные помехи в зависимости от их Эквивалентная
на частотах примерно до 2 кГц. Гармонические характера и происхождения могут быть симме- схема
составляющие с частотами выше 10 кГц, уро- тричными и несимметричными, а также диффе- и спектральный
вень которых измеряется в дБ/мкВ, называются ренциальными и синфазными. Основные евро- анализ
радиочастотными шумами. Эквивалентная схе- пейские стандарты, регламентирующие уровень периодического
ма, объясняющая механизм их возникновения, радиопомех, а также производственные стан- импульсного
и спектральный анализ периодического им- дарты EMI приведены в таблицах 1 и 2. сигнала:
пульсного сигнала представлены на рис 1. a) временная
диаграмма,
a)
b) линейная
частотная
характеристика,
с) ЛАХ

b) с)

Таблица 1.
Стандарты, регламентирующие уровень радиопомех

GENERIC ТЕХНИЧЕСКИЕ СТАНДАРТЫ ПРИМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРЫ

EN 50 082/1 VDE 0839, 82-1 Стойкость к EMI


Коммерческие, бытовая техника
EN 50 081/1 VDE 0839, 81-1 Уровень излучения

EN 50 082/2 VDE 0839, 82-2 Стойкость к EMI


Промышленные, электроэнергетика
EN 50 081/2 VDE 0839, 81-2 Уровень излучения

Таблица 2.
Производственные стандарты

ТИП ОБОРУДОВАНИЯ СТАНДАРТ ПАРАМЕТРЫ

EN 55 011 Уровень излучения


Промышленное, научное и медицинское
ВЧ-оборудование
Generic EN 50 082-1/2 Стойкость к EMI

EN 55 013 Уровень излучения


Радио-, ТВ-приемники и соединители
EN 55 020 Стойкость к EMI

EN 55 014 Уровень излучения


Бытовая техника
Generic EN 50 082-1 Стойкость к EMI

EN 55 015 Уровень излучения


Люминесцентные осветители
Generic EN 50 082-1 Стойкость к EMI

EN 55 022 Уровень излучения


Системы обработки данных
EN 55 101, EN 55 024 Стойкость к EMI

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


16 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПАРАЗИТНЫЕ паразитной индуктивности выражается в появ-


ИНДУКТИВНОСТИ лении перенапряжений, генерируемых тран-
И ЕМКОСТИ зисторами и диодами из-за высокой скорости
Для анализа индивидуального и взаимного вли- коммутации тока. Это увеличивает потери вы-
яния паразитных индуктивностей и емкостей на ключения Eoff и создает дополнительную нагруз-
работу импульсного преобразователя исполь- ку на силовые полупроводники. Данный эффект
зуется эквивалентная схема полумостового особенно критичен при перегрузках и отклю-
каскада IGBT (рис. 2). Она содержит звено посто- чении токов короткого замыкания из-за очень
Рис. 2.
Эквивалентная
янного тока Cd с напряжением Vd (соответствую- высоких значений di/dt. Кроме того, наличие
схема полумоста щим напряжению коммутации VK), основные па- паразитных элементов приводит к генерации
с распределенными разитные компоненты, а также два транзистора нежелательных высокочастотных колебаний
индуктивностями Т1 и Т2 с драйверами и антипараллельными ди- в мегагерцовом диапазоне.
и емкостями одами. Ток iL проходит из цепи коммутации в на- В преобразователях, работающих в режиме
грузку. жесткого переключения, необходимо свести
к минимуму паразитные распределенные эле-
менты в цепях коммутации. За исключением L11
и L12, они входят в состав силовых ключей и не
могут быть изменены пользователем. Поэтому
производители модулей ведут непрерывную ра-
боту по минимизации внутренних индуктивно-
стей LCE за счет улучшения конструкций и техно-
логий корпусирования.
В технических спецификациях SEMIKRON ука-
зывается величина LCE, измеренная на выходных
терминалах модуля (например, SKM300GB12T4: LCE
= typ. 15 нГн; SEMiX252GB126HDs: LCE = typ. 18  нГн).
Соединение одиночных ключей в полумосто-
вом каскаде должно выполняться шинами ми-
нимальной длины, имеющими низкую паразит-
ную индуктивность LS цепи коммутации.
Особенно важно уменьшить до предела
значение LS в звене постоянного тока (DC-ши-
не). Лучшим решением является использова-
ние ламинированных шин (единая конструкция
с запрессованными токопроводящими слоями
и изоляторами), адаптированных к дизайну пре-
образователя. Такие копланарные конструк-
ции, получившие широкое распространение
на практике, имеют индуктивность в диапазоне
20...50 нГн.
Влияние элементов L11 + L12 может быть сни-
жено путем подключения С-, RC- или RCD-снаб-
ВЛИЯНИЕ ПАРАЗИТНЫХ берных цепей непосредственно к DC-термина-
ЭЛЕМЕНТОВ НА ПРОЦЕСС лам силовых модулей [1]. В большинстве случаев
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ для этой цели используется простой снаббер на
Индуктивность цепи коммутации основе пленочного конденсатора 0,1...2 мкФ [2].
Общая индуктивность цепи коммутации клю- В низковольтных сильноточных приложениях
чей Т1 и Т2 образована элементами L11, L61, L31, L41, более эффективно работают RC-цепи.
L72, L52 и L12. Аналогично сумма L11, L71, L51, L62, L32,
L42 и L12 участвует в работе цепи, содержащей D1 Индуктивности эмиттера/истока
и T2. Индуктивности эмиттера/истока (L31 или L32)
При открывании IGBT T1 или T2 наличие влияют на работу силовой цепи в такой же сте-
паразитной индуктивности снижает потери пени, как и пассивные элементы схемы управле-
мощности включения (Eon). Однако во время ния затвором. Высокая скорость изменения тока
выключения Т1 и Т2, а также в процессе обрат- транзистора di/dt создает перепады напряже-
ного восстановления диодов D1 и D2 влияние ния на паразитных элементах, что эквивалентно
эффекту обратной связи в цепи драйвера (отри- «коллектор – затвор», являющуюся причиной
цательная обратная связь по эмиттеру/истоку). образования «плато Миллера» и замедляющую
В результате замедляется процесс заряда эмит- процесс переключения.
терной емкости при включении или процесс ее Преобразователь следует проектировать та-
разряда при отключении, что увеличивает вре- ким образом, чтобы исключить сильные емкост-
мя коммутации и динамические потери. Эффект ные связи между цепями затвора и коллекто-
отрицательной обратной связи по эмиттеру мо- ра (стока), а также затвора и эмиттера (истока)
жет быть использован для ограничения di/dt вне модуля, которые способны создать высоко-
в случае короткого замыкания вблизи модуля. частотные паразитные колебания. Этот аспект
Для минимизации влияния L31 и L32 силовые мо- является наиболее важным при использовании
дули, как правило, имеют отдельные сигнальные быстрых высоковольтных ключей MOSFET и SiC-
выводы эмиттера. MOSFET.
Если несколько драйверов нижнего пле-
ча (BOT) питаются от общего источника пита- ПРОБЛЕМЫ EMI.
ния, связанного с шиной DC-, наличие паразит- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
ных индуктивностей между цепью заземления ПРОЦЕССЫ
платы управления и отрицательным потенциа- В ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
лом звена постоянного тока может вызвать не- Процессы, происходящие в импульсных преоб-
желательные осцилляции в контуре заземления. разовательных системах, обеспечивают пере-
Эта проблема решается за счет высокочастот- дачу энергии под контролем устройства управ-
ной стабилизации напряжения питания выход- ления и одновременно создают нежелательные
ного каскада драйвера или, в мощных преобра- шумы при коммутации силовых полупроводни-
зователях, путем гальванической развязки плат ков (рис. 3).
управления каскадами ВОТ IGBT.

Индуктивности L21 и L22


Индуктивности L21 и L22 находятся в цепи за-
твора IGBT. Помимо увеличения импеданса вы-
ходной цепи драйвера, их наличие может при-
вести к паразитным осцилляциям на входной
емкости транзистора. Для исключения этого
эффекта связь между драйвером и IGBT должна
иметь минимальную длину и быть низкоиндук-
тивной (например, выполняться витой парой).
Увеличение сопротивления затвора позволя-
ет демпфировать колебания, однако это приво-
дит к увеличению динамических потерь в тран-
зисторе. Более подробную информацию можно
найти в [3].

Емкости
Емкости CХХ (нелинейные, зависящие от на-
пряжения), показанные на рисунке 1, являют-
ся паразитными компонентами силовых полу-
проводников, поэтому не могут быть изменены
пользователем. Они определяют минимальную
емкость коммутации CK и обеспечивают некото- Эти процессы можно разделить на высоко-
рое снижение рассеиваемой мощности при вы- Рис. 3. энергетические, способные генерировать по-
ключении. Энергетические мехи в питающей сети и нагрузке в диапазоне
Дополнительные потери генерируются процессы частот от основной до ~9 кГц, и низкоэнергети-
в конвертрах [4]
в процессе включения из-за перезарядки ческие на частотах от 9 кГц до 30 МГц, где проис-
паразитных емкостей; при использовании ходит формирование и распространение шумов
высокочастотных MOSFET-транзисторов этот и непроводящих токов. В низкочастотном диа-
факт необходимо учитывать на частотах свыше пазоне такие эффекты можно назвать обратной
100 кГц. Емкости С11 и С12 формируют т. н. эффект связью «конвертер – сеть», они характеризуют-
Миллера и динамическую dv/dt обратную связь ся дискретными гармоническими колебаниями

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


18 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

тока на частотах примерно до 2 кГц. В ВЧ-диапа- мутации напряжения и нулевым потенциалом,


зоне эти осцилляции создают радиочастотные а также параллельные импедансы емкостей.
помехи, их спектр измеряется в дБ/мВ. Переключение транзистора S1 приводит
Такие понятия, как нулевой ток, ток утечки к появлению симметричного (дифференци-
или несимметричное напряжение помех, отли- ального) тока idm в параллельном ему контуре
чаются только с точки зрения их влияния в раз- питания (Сеть 1). При завершении коммутаци-
ных частотных диапазонах и по их зависимости онного цикла процесс обратного восстанов-
от динамических характеристик ключей. ления диода ключа S2 создает перенапряжение
dv/dt на индуктивности шины LK, амплитуда ко-
ПРИЧИНЫ ВОЗНИКНОВЕНИЯ торого пропорциональна скорости восстанов-
ШУМОВЫХ ТОКОВ ления diRR /dt и величине LK . Результирующий
синфазный ток icm асимметрично протекает
через шину заземления и цепи, параллельные
коммутационным емкостям CK .
Использование режима «мягкого включе-
ния» ZСS (Zero Current Switch — коммутация при
нулевом токе) за счет увеличения LK позволяет
снизить значение di/dt и, следовательно, уро-
вень помех, вызываемых дифференциальными
токами. В то же время с ростом индуктивности
будут возрастать перенапряжения, асимметрич-
ные токи и создаваемые ими синфазные помехи.
В начале процесса коммутации величина
dv/dt определяется динамическими характе-
ристиками транзистора S1. Скачок напряжения
в конце цикла переключения зависит от пара-
метров обратного восстановления диода S2.
Использование режима ZCS уменьшает симме-
тричный ток помехи и изменяет диапазон ча-
стот асимметричных токов без значительного
их снижения.
Коммутация емкости CK начинается после
Рис. 4. Компания SEMIKRON уделяет большое вни- активного выключения S1. Закрывание ключа
Эквивалентная мание проблемам обеспечения электромагнит- S2 приводит к появлению «емкостного» пере-
схема для ной совместимости. Для анализа процесса гене- ходного процесса. В режиме «жесткого пере-
анализа шумовых рации и распространения помех используется ключения» ток синфазной помехи определя-
характеристик
эквивалентная схема, приведенная на рис. 4, ется параметрами S1 и импедансами цепей,
полумостового
где ключи S1 и S2 имитируют работу транзисто- связанных с земляной шиной и параллельных
каскада
ров полумостового каскада. В режиме «жестко- коммутационным емкостям CK . Характер пере-
го переключения» на индуктивную нагрузку, ког- ходного процесса и, соответственно, уровень
да значения LK (индуктивность шин питания) и СK шумовых токов в данном случае зависят от ха-
(эквивалентные коммутационные емкости) ми- рактеристик выключения S1 и включения S2.
нимальны, ток полумоста коммутируется со ско- Для обеспечения режима «мягкого выклю-
ростью di/dt, определяемой характеристиками чения», или ZVS (Zero Voltage Switch — комму-
силовых транзисторов. При открывании одно- тация при нулевом напряжении), необходимо
го из ключей происходит обратное восстанов- увеличить значение CK. Замедление процесса
ление оппозитного диода, который до этого был нарастания напряжения dv/dt уменьшает уро-
в состоянии проводимости. В этот момент кро- вень асимметричных токов.
ме тока нагрузки IL через транзистор течет ток После завершения цикла процесс начинает-
обратного восстановления iRR, скорость изме- ся с начальной стадии включения тока со ско-
нения которого diRR/dt зависит от характеристик ростью di/dt, определяемой свойствами S1 при
диода, а также значений IL, VK и CK. пониженном напряжении. Задержка фронта
Общая эффективная емкость включает в себя dv/dt позволяет снизить уровень асимметрич-
все составляющие СΣ, расположенные относи- ных токов при коммутации напряжения. Пас-
тельно нейтрали. В процессе генерации шумов сивное включение S2 определяет значение dv/
участвуют импедансы цепей между точками ком- dt во второй фазе переключения тока.
20 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Асимметричная токовая помеха снижается между AC- или DC-источником и тестируемым


в режиме ZVS без заметного изменения сим- оборудованием и имеющий заданный импе-
метричного тока. Тем не менее увеличение CK данс, необходимый для измерения уровня ра-
приведет к уменьшению симметричного тока диочастотных шумов. Узел LISN изолирует не-
в контуре питания (Сеть 1) пропорционально со- желательные RF-сигналы от источника питания,
отношению емкостей, образующих токовый де- кроме того, он может использоваться для про-
литель. Таким образом, инвертор, работающий гнозирования уровня кондуктивных помех при
с «мягкой коммутацией» и контролем фазового диагностике и предварительной проверке со-
сдвига при включении или выключении (резо- ответствия требованиям стандартов.
нансный или квазирезонансный), имеет низкий Паразитные параметры силового модуля
уровень дифференциальных или синфазных по- имитируются эквивалентной RLC-схемой «Мо-
мех в зависимости от того, какой режим исполь- дуль». Источники помех заданы генератором
зуется (коммутация при нулевом напряжении импульсного тока IS для дифференциальных то-
ZVS или нулевом токе ZCS). ков помех и генератором импульсного напря-
В преобразователях с «дополнительными» Рис. 6. жения VS (в его состав также входит полумост
импульсными каскадами, где режимы ZVS и ZCS Типовые кривые IGBT) для синфазных токов помех. Характери-
включаются поочередно, токи помех не будут переключения IGBT: стики полупроводниковых приборов являются
заметно снижаться по сравнению с вариантом напряжение времязависимыми, типовые кривые переклю-
«жесткой коммутации», поскольку высокие зна- (В, сверху), чения IGBT представлены на рис. 6. Параметры
чения di/dt и dv/dt присутствуют в системе в те- ток (А, снизу) [5] эквивалентных RLC-цепей подобраны таким об-
чение рабочего цикла. разом, чтобы отобразить частотные свойства
компонентов схемы.
ПУТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ
ПОМЕХ
Измерение уровней радиопомех, излучаемых
конвертером в сеть, производится на сетевых
клеммах относительно шины заземления. Для
анализа спектра токов помех SEMIKRON исполь-
зует более сложную эквивалентную схему, при-
веденную на рис. 5.
На схеме (функционально это понижающий
DC/DC-конвертер) источник питания представ-
лен в виде узла LISN (Line Impedance Stabilization
Network — цепь стабилизации импеданса сети),
а контур нагрузки заменен эквивалентной схе-
мой «Нагрузка». Цепь LISN используется при Рис. 5.
проведении стандартных тестов EMI/EMC, ее Эквивалентная
структура определена Международной элек- схема понижающего Детектирование сигналов радиопомех про-
тротехнической комиссией IEC. Она представля- DC/DC-конвертера изводится путем селективных измерений флук-
ет собой НЧ-фильтр, как правило размещаемый туаций напряжения на клеммах подключения
сети к инвертору и выводах заземления.
Все низкочастотные импульсные элементы
имеют распределенные индуктивности, сопро-
тивления и емкости, которые при моделирова-
нии показывают четкую частотную зависимость.
Для анализа процесса образования асимме-
тричных помех были разработаны специаль-
ные SPICE-модели силовых ключей и антипарал-
лельных диодов, особое внимание в которых
уделялось корректному отображению времен-
ных характеристик тока коллектора и напря-
жения «коллектор – эмиттер». Подобные моде-
ли достоверно имитируют процессы включения
и выключения транзисторов с учетом эффектов
обратного восстановления оппозитного диода
и токового «хвоста» IGBT-транзистора.
Данные, полученные при моделировании эк- шумов с помощью селективных подавляющих
вивалентной схемы, показывают практически фильтров.
полное совпадение с результатами измерений, Дифференциальные токи помех замыкают-
проведенных на реальных устройствах. ся через емкости источника питания и комму-
На рис. 7 показаны спектры сигналов помех, тационные емкости. Идеальные конденсаторы,
полученные при моделировании эквивалентной подключенные к транзисторам S1 и S2, могли бы
схемы. Исследования производились при следу- создать требуемые короткозамкнутые контуры.
ющих условиях: напряжение питания 450  В, вы- Синфазные токи проходят через шину заземле-
ходной ток 20 А, частота коммутации 5 кГц. При ния и паразитные емкости заземления. Соответ-
анализе использовались усовершенствован- ственно, для их подавления необходимо обеспе-
ные модели NPT IGBT-кристаллов, применяемых чить высокий импеданс во всех коммутируемых
в полумостовом модуле SKM75GB125. цепях, имеющих значительные перепады напря-
Эквивалентная схема, позволяющая иссле- жения относительно корпуса. На схеме, приве-
довать пути возникновения и распространения денной на рисунке 4, снижение уровня помех
помех, дает возможность оптимизировать кон- может достигаться за счет уменьшения распре-
струкцию модуля с точки зрения снижения EMI. деленных емкостей, связывающих силовой мо-
Задача состоит в повышении импеданса конту- дуль с базовой платой и радиатором.
ров, в которых наводятся токи помех, или соз- Одним из путей подавления паразитных эле-
дании короткозамкнутых цепей для источников ментов является гальваническая изоляция источ-

Рис. 7.
Результаты
моделирования
режимов работы
модуля NPT IGBT
(50 А, 1200 В).

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


22 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ника питания схемы управления затворами. Если те формируется «хвост» тока. PETT-колебания про-
драйвер не связан по питанию с нулевой шиной, являются в виде излучаемых электромагнитных
то в модуле не возникают дополнительные токи помех, диапазон частот: 200–800 МГц.
смещения, являющиеся источником синфазных Контрмеры: подавление в конструкции моду-
шумов. Излучение, вызванное токами, проходя- ля LC колебательных контуров с резонансными
щими через паразитные емкости заземления, мо- частотами в диапазоне PETT.
жет быть снижено за счет применения специаль- 2. IMPATT-осцилляции (Impact Ionisation (Ava-
ных изолирующих и экранирующих материалов. lanche) Transit Time).
Пути распространения помех по энергетическим Причина: динамический процесс при вы-
и сигнальным цепям устройств управления IGBT ключении диода; электрическое поле взаимо-
рассмотрены в [4]. действует с остаточной массой свободных но-
сителей заряда; диод динамически переходит
ДРУГИЕ ИСТОЧНИКИ EMI в состояние лавинного пробоя (электронная
Циклические режимы работы силовых полу- ударная ионизация). IMPATT-колебания прояв-
проводниковых приборов с крутыми фронтами, ляются в форме высокоэнергетических излуча-
а также высокие частоты переключения тока емых электромагнитных помех, диапазон частот:
и напряжения рассматриваются как основные 200–900 МГц.
причины возникновения электромагнитных по- Контрмеры: оптимизация конструкции чипа.
мех. Кроме этого, в [9] анализируются дополни-
тельные компоненты и паразитные колебания, СПОСОБЫ ПОДАВЛЕНИЯ EMI
которые определены в качестве причин элек- Обычные способы подавления кондуктивных
тромагнитных помех, не связанных с работой помех основаны на использовании специали-
схемы (частоты в диапазоне 100 Гц – 30 МГц): зированных или стандартных EMI-фильтров,
которые устанавливаются в цепях питания
LC осцилляции и нагрузки. В соответствии с заданными огра-
1. Колебания, возникающие при переключении ничениями характеристик для определенного
силовых полупроводниковых приборов (транзи- типа устройств или приложений (определяют-
сторов IGBT, MOSFET-транзисторов, диодов). ся в терминах стойкости к EMI национальными
Причина: возбуждение резонансных конту- и международными стандартами для кондук-
ров, состоящих из нелинейных полупроводни- тивных и излучаемых электромагнитных по-
ковых емкостей и паразитных элементов (L, С). мех), используются различные типы фильтров.
Диапазон частот: 10–100 МГц. Они должны обеспечивать стабилизацию им-
Контрмеры: оптимизация топологии схемы, педанса в системе, включающей сеть и стан-
уменьшение скорости переключения, ограниче- дартизированную тестовую сборку, и гаранти-
ние di/dt, dv/dt с помощью внешних цепей. ровать работу в пределах заданных лимитов во
2. Осцилляции между параллельно или по- всех частотных диапазонах.
следовательно соединенными чипами или мо- При подобном эмпирическом подходе исполь-
дулями IGBT/MOSFET/FWD. зуемые фильтры часто оказываются сложными и
Причина: разброс параметров чипов; асим- дорогостоящими. Независимо от того, было ли
метрия параллельных/последовательных це- использовано моделирование для оптимизации
пей (относится к кристаллам и модулям). Диапа- электромагнитной совместимости всей системы
зон частот: 10–30 МГц или нет, показатели EMC должны быть провере-
Контрмеры: оптимизация топологии схемы ны индивидуально для каждого приложения, по-
(балансировка цепей), выбор резисторов затво- скольку генерирование модели и параметризация
ров, оптимизация топологии размещения чипов, процессов занимают довольно много времени.
снижение скорости коммутации, ограничение Т.  о. при проектировании системы следует с само-
di/dt, dv/dt с помощью внешних цепей. го начала анализировать возможное воздействие
электромагнитных помех и оптимизировать пути
Осцилляции при переносе заряда их распространения, начиная от источников EMI
1. PETT-осцилляции (Plasma Extraction Transit с учетом доступных точек контроля. Оптимизация
Time). подразумевает либо обеспечение высокоимпе-
Причина: колебания возникают в фазе «хвосто- дансных путей распространения шумовых токов
вого» тока при выключении «биполярной состав- за счет избирательно блокирующих цепей, либо
ляющей» IGBT и диодов с плавным восстановлени- создание низкоимпедансных цепей короткого за-
ем; зона пространственного заряда сталкивается мыкания шумовых токов с помощью селективных
с массой свободных носителей заряда, в результа- фильтрующих цепей.
Некоторые методы подавления помех опи- ют и асимметричные токи помех. Поскольку
саны ниже применительно к рисунку 4. Симме- в силовых модулях они распространяются че-
тричные шумовые токи должны шунтироваться рез базовую плату, то уровень помех может быть
емкостью коммутируемого источника напря- уменьшен путем оптимизации компоновки мо-
жения. Для создания цепей короткого замыка- дуля и соответствующего выбора материалов [5].
ния этих токов к транзисторам 1 и 2 подключа- Меры подавления EMI, реализуемые вбли-
ются идеальные емкости, при этом отсутствует зи полупроводниковых чипов, могут значитель-
влияние импедансов любых цепей. но улучшить ситуацию, как показано на рис. 8
Радиопомехи с измеряемым уровнем напря- на примере модифицированного модуля IGBT
жения, обусловленные емкостными пульсация- SEMIKRON [5]. Уровень генерируемых им элек-
ми напряжения, приводят к образованию токов тромагнитных помех на 15…25 дБ ниже, чем
в параллельных цепях. Поэтому все меры, кото- у стандартного силового ключа. Несколько об-
рые принимаются для уменьшения симметрич- разцов модифицированных модулей были испы-
ных токов, направлены на выбор соответству- таны в составе резонансного преобразователя
ющих фильтров, подключаемых параллельно в режиме ZVC (Zero Voltage Commutation — ре-
линиям коммутируемого напряжения. Чем бли- жим переключения при нулевом напряжении).
же находятся идеальные емкости (с низким вну- Отсутствие влияния токов обратного восстанов-
тренним сопротивлением и индуктивностью) ления и меньший уровень dv/dt, свойственные
и чем ближе фильтрующая цепь подсоединяет- данным применениям, приводят к значитель-
ся к выводам силовых ключей, тем выше эффек- ному снижению излучения помех, что видно из
тивность подавления EMI. рис. 9б. Дополнительного улучшения спектраль-
Асимметричные токи помех преимуще- ного состава удается достичь при использова-
ственно передаются через линии заземле- нии снабберных конденсаторов.
ния. Для подавления шумов очень важно Рекомендация по подключению к сети 2 че-
обеспечить высокий импеданс во всех точ- рез дроссель, как показано на рис. 4, остается
ках, где наблюдаются крутые перепады на- в силе. Снижение величины паразитной емкости
пряжения относительно земли, что позволя- достигается только за счет уменьшения длины
ет одновременно ограничить потенциальные соединения до минимума. В идеале LC-фильтр
всплески и в недоступных узлах коммутации. должен быть подключен непосредственно к точ-
В примере с эквивалентной схемой на ри- кам с динамически меняющимся напряжением:
сунке 4 подавление помех изначально реа- благодаря индуктивности фильтра потенциаль-
лизовано за счет снижения паразитных емко- ные скачки ослабляются до такой степени, что
стей изолированных компонентов драйверов, все другие связанные емкости в сети 2 не смогут
Рис. 8.
а также емкостей силовых модулей относитель- создавать заметных асимметричных шумовых то-
Спектр помех
но базовой платы и радиатора. ков. Если сеть 2 рассматривается как точка под-
стандартного
и оптимизированного
Если отсутствует информация о паразитных ключения источника питания, где производятся
модуля IGBT [38], коммутационных параметрах драйвера или до- стандартные измерения LISN, то это абсолютно
Режимы измерения: полнительной энергии относительно потенциа- необходимо, то есть LC-цепь должна быть ча-
VDC = 450 B, ла нейтрали, это значит, что токи смещения не стью EMI-фильтра. В дополнение к фильтрации
Iload = 20 A, проходят в цепь заземления, т. е. она замкнута электромагнитных помех, на практике исполь-
fsw = 5 кГц внутри устройства. Соответственно, отсутству- зуются дополнительные меры по заземлению
и экранированию, улучшающие ситуацию с EMI.
На частотах выше 200 кГц рост электромаг-
нитного излучения дифференциальных помех
обусловлен, прежде всего, влиянием паразит-
ной индуктивности конденсаторов DC-шины.
Графики, показанные на рис. 9, демонстриру-
ют эффект от применения снабберных конден-
саторов CS, устанавливаемых непосредственно
на DC-терминалах модуля. Причиной снижения
уровня EMI является шунтирующее действие
снаббера по отношению к высокочастотному
сигналу помехи. Резонанс, наблюдаемый на гра-
фике в районе 400 кГц (рис. 9а), вызывается па-
раллельным контуром, состоящим из CS и па-
разитной индуктивности шин и конденсаторов

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


24 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

звена постоянного тока. Выше этой точки уро- алы, такие как оксид алюминия Al2O3, позволя-
вень излучения падает, характер кривой при ют получить лучшие результаты, однако мини-
наличии CS определяется собственной индук- мальный уровень помех обеспечивается при
тивностью и сопротивлением снабберного кон- использовании силиконового каучука с медным
денсатора на частотах свыше 2 МГц. экранирующим слоем, соединенным с одним из
выводов DC-шины.
(a) Спектральный состав EMI практически не
зависит от температуры, с ее ростом незначи-
тельно увеличивается уровень излучения, что
связано с изменением характера обратного вос-
становления диодов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Чтобы наметить лучшие способы борьбы
с помехами и обеспечить требуемый уровень
(б) электромагнитной совместимости (EMC), сле-
дует проанализировать источники и пути рас-
пространения электромагнитного излучения.
Основными факторами, влияющими на уро-
вень дифференциальных помех, являются ток
обратного восстановления антипараллель-
ных диодов и наличие распределенных индук-
тивностей у конденсаторов и соединительных
цепей, участвующих в процессе коммутации
мощных токов. Паразитные компоненты схе-
(в) мы образуют контуры, инициирующие появле-
ние резонансных пиков. Соответственно, для
снижения уровня EMI необходимо уменьшать
токи обратного восстановления диодов и па-
разитные индуктивности элементов
звена постоянного тока.

На рис. 9б приведены спектры помех, полу- Рис. 9. Литература:


ченные при заземленном и незаземленном ра- Изменение 1. AN-7006: IGBT Peak Voltage Measurement and Snubber
диаторе. В условиях заземленного теплоотвода спектрального Capacitor Specification; www.semikron.com
уровень EMI возрастает с 75 дБ/мкВ до пример- состава EMI 2. Колпаков А.И. «Снабберы и перенапряжения».
при наличии
Компоненты и Технологии №5, 2006.
но 92 дБ/мкВ в диапазоне частот 0,2–8 МГц. В дан- 3. AN-7002: Connection of Gate Drivers; www.semikron.
снабберного
ном случае речь идет о синфазных помехах, на- com
конденсатора 4. Zverev, I.: "Untersuchungen energiearmer Prozesse in
водимых высокочастотными токами, текущими
(a), заземлении Stromrichtern", diss., University of Rostock, 1999, ISLE Verlag,
через паразитные емкости заземления CP. Эти Ilmenau, 1999, ISBN 3-932633-39-3
теплоотвода (б),
емкости образуются изолирующими материа- использовании
5. Klotz, F.: "Leitungsgebundene elektrische Storemis-
лами, находящимися между коллекторами IGBT sionen von Leistungshalbleitertopologien", diss. TU Ilmenau
различных 1997; ISLE Verlag, ISBN 3-932633-00-8
(или катодами антипараллельных диодов) и те- изоляционных 6. Ralph Annacker, Markus Hermwille. 1200V Modules
плоотводом. Величина CP зависит от площади А, материалов (в) with Optimised IGBT and Diode Chips. Semikron Elektronik
толщины d и диэлектрической проницаемости ε GmbH.
7. Application Manual Power Modules. Semikron Interna-
изолирующего материала: CP = εA/d. tional.
Как видно из графиков 9в, параметры изоли- 8. Experimental and Simulative Investigations of Con-
рующего слоя сильнее всего влияют на спектр ducted EMI Performance of IGBTs for 5-10kVA Converters.
EUPEC Application Hints.
синфазных помех на частотах 0,5–8 МГц, их уро- 9. Lutz, J.: "Halbleiter-Leistungsbaulemente: Physik, Ei-
вень изменяется в диапазоне 72–88 дБ/мкВ. Худ- genschaften, Zuverlassigkeit", Springer Verlag Berlin
шая ситуация наблюдается при использовании Heidelberg 2006, ISBN 3-540-34206-0
10. Колпаков А.И. «Проблемы электромагнитной со-
в качестве изолятора кремнийорганического вместимости мощных импульсных преобразователей».
(силиконового) каучука. Керамические матери- Силовая электроника, №2, 2006.
26 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ TVN 5WI


ДЛЯ МАЛОШУМЯЩИХ
ПРИЛОЖЕНИЙ

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

Существует целый ряд приложений, в которых источник пита- Очень часто при использовании аналого-
ния должен обеспечивать высокую точность и стабильность вых датчиков разработчикам приходится иметь
выходного напряжения, а также минимальный уровень шумов. дело с сигналами небольшой амплитуды (едини-
Примерами таких приложений являются измерительные схемы, цы мВ или даже единицы мкВ). В таких случаях,
аудиосистемы, чувствительные детекторы и т. д. Специально чтобы добиться хороших результатов, аналого-
для подобных случаев компания Traco Power предлагает исполь- вая часть измерительной схемы должна гаран-
зовать малошумящие источники питания TVN 5WI. тировать высокую стабильность и минимальный
уровень шумов. Поэтому специалистам необхо-
димо очень внимательно отнестись к выбору
электронных компонентов, в том числе и источ-
ников питания (ИП).
Источник питания играет важную роль в из-
мерительных схемах. Например, флуктуации
и шумы питающего напряжения операционно-
го усилителя оказывают крайне негативное воз-
действие на качество выходного сигнала. По
этой причине в любом руководстве по исполь-
зованию ОУ всегда можно найти главу, посвя-
щенную организации системы питания.
Среди разработчиков давно стали хрестома-
тийными два правила. Первое: если схема ра-
ботает не так хорошо, как ожидалось, — ищи
проблемы с питанием. Второе: если не хочешь
тратить время на поиск неисправностей, начи-
най разработку устройства с проектирования
системы питания.
Кроме измерительных систем, существуют
Рис. 1.
и другие приложения, предъявляющие жесткие
Внешний вид
источников питания
требования к качеству выходного напряжения
TVN 5WI [1] ИП. Проблемы с шумами часто возникают в ау-
диосистемах, в приложениях с высокоскорост- Таблица 1.
ными цифровыми интерфейсами и микросхе- Модельный ряд источников питания TVN 5WI [1]
мами. При создании подобных устройств важно
помнить о втором правиле, приведенном выше,
и ответственно подходить к выбору источника НАИМЕНОВАНИЕ
ВХОДНОЕ ВЫХОДНОЕ ВЫХОДНОЙ
КПД, %
НАПРЯЖЕНИЕ, В НАПРЯЖЕНИЕ, В ТОК, МА
питания. В частности, следует ориентировать-
ся на специализированные ИП с минимальным
уровнем шумов и возможностью хотя бы про-
TVN 5-0910WI 3,3 1515 0,79
стейшей калибровки. В качестве примера мож-
но привести серию малошумящих источников TVN 5-0911WI 5 1000 0,82
питания TVN 5WI от Traco Power (рис. 1).
По сравнению с серией популярных источ- TVN 5-0912WI 12 416 0,87
ников питания общего назначения TEN 5 моду-
ли питания TVN 5WI в первую очередь отличают- TVN 5-0913WI 15 333 0,87

ся повышенной стабильностью, возможностью


TVN 5-0915WI 4,5–12 24 208 0,88
подстройки выходного напряжения, минималь-
ным уровнем шумов, а также расширенным диа-
TVN 5-0921WI ±5 ±500 0,84
пазоном рабочих температур.
TVN 5-0922WI ±12 ±208 0,85
МОДЕЛЬНЫЙ РЯД
И ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ TVN 5-0923WI ±15 ±166 0,86
ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
TVN 5WI TVN 5-0925WI ±24 ±104 0,87
В настоящий момент серия TVN 5WI включает
TVN 5-2410WI 3,3 1515 0,81
27 представителей, разделенных на три груп-
пы по диапазонам входных напряжений: 4,5–12,
TVN 5-2411WI 5 1000 0,83
9–36, 18–75 В (табл. 1). Для каждого диапазона
предлагаются одноканальные модели с выход- TVN 5-2412WI 12 416 0,88
ными напряжениями 3,3/5/12/15/24 В и двух-
канальные модели с выходными напряжениями TVN 5-2413WI 15 333 0,88
±5/±12/±15/±24 В. Таким образом, соотношение
входного и выходного напряжения для TVN 5WI TVN 5-2415WI 9–36 24 208 0,89
составляет 4:1.
TVN 5-2421WI ±5 ±500 0,84
КПД отдельных источников питания TVN 5WI
достигает 89%, например у TVN 5-2415WI.
TVN 5-2422WI ±12 ±208 0,85
Все модели TVN 5WI выпускаются в металли-
ческом корпусном исполнении 24-DIP размера- TVN 5-2423WI ±15 ±166 0,86
ми 20,0×32,0×10,2 мм.
Для качественного анализа характеристик TVN 5-2425WI ±24 ±104 0,87
источников питания TVN 5WI можно сравнить
их с характеристиками источников питания об- TVN 5-4810WI 3,3 1515 0,8
щего назначения TEN 5. Анализ основных пара-
метров демонстрирует преимущества TVN 5WI TVN 5-4811WI 5 1000 0,83

(табл. 2) [1, 2].


TVN 5-4812WI 12 416 0,86
Как уже отмечалось выше, соотношение
входных и выходных напряжений для TVN 5WI TVN 5-4813WI 15 333 0,87
составляет 4:1, в то время как для TEN 5 этот по-
казатель равен 2:1. Широкий диапазон входных TVN 5-4815WI 18–75 24 208 0,88
напряжений является важным преимуществом
для очень многих промышленных и телеком- TVN 5-4821WI ±5 ±500 0,83
муникационных приложений, поскольку источ-
ники TVN 5WI позволяют напрямую работать TVN 5-4822WI ±12 ±208 0,85

со «штатными» шинами питания 12/24/48 В без


TVN 5-4823WI ±15 ±166 0,86
промежуточных преобразователей. Эта особен-
ность будет огромным преимуществом и для
TVN 5-4825WI ±24 ±104 0,87
других POL-систем любого назначения. Еще од-

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


28 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Таблица 2. играет важную роль с точки зрения экономии


Сравнение основных характеристик энергии и общей эффективности системы.
источников TVN 5WI и TEN 5 Все перечисленные улучшения оказываются
весьма важными. Однако, так как источники пи-
СЕРИЯ тания TVN 5WI разрабатывались для конкретно-
ПАРАМЕТР го спектра приложений, их основными достоин-
TEN5 TVN 5WI ствами в первую очередь являются:
• высокая стабильность выходного напряже-
Мощность, Вт 5 5
ния с возможностью внешней подстройки;
Соотношение входных напряжений, В 2:1 4:1 • минимальный уровень собственных шумов;
4,5–7
• расширенный диапазон рабочих напряжений.
4,5–12
Диапазон входных напряжений, В
9–18
9–36
Рассмотрим все эти особенности отдельно.
18–36
18–75
36–75
3,3
ПОГРЕШНОСТЬ ВЫХОДНОГО
3,3 5 НАПРЯЖЕНИЯ И НАЧАЛЬНАЯ
5
12
12
15
КАЛИБРОВКА
Выходное напряжение, В 15 24 Для TVN 5WI и TEN 5 начальная точность вы-
±5 ±5 ходного напряжения оказывается одинаковой
±12 ±12
±15 ±15 и составляет 1%. То есть, например, для моде-
±24 лей TVN 5-2411WI и TEN 5-2411 погрешность рав-
КПД, % 75–86 79–89 на ±50 мВ. Такое отклонение не является чем-то
критическим для большинства приложений. Од-
Рейтинг изоляции, В 1500 1600
нако выходное напряжение источников питания
Сопротивление изоляции, МОм 1000 1000 может изменяться под воздействием ряда фак-
торов, и именно эта особенность становится
Корпус 24-DIP 24-DIP проблемой для прецизионных систем.
Габариты, мм 31,8×20,3×10,2 20,0×32,0×10,2 С точки зрения стабильности выходного на-
пряжения показатели TVN 5WI превосходят по-
Дистанционное включение нет есть казатели TEN 5 (табл. 3) [1, 2].
Подстройка выходного напряжения нет есть
Влияние входного напряжения. Выходное
напряжение источника питания меняется при
Защита от КЗ есть есть изменении входного напряжения. Для TEN 5 не-
стабильность составляет 0,3% во всем диапазо-
Защита от просадки входного напряжения есть есть
не напряжений. Аналогичный показатель TVN
Защита от перенапряжений на выходе нет есть 5WI равен 0,2%. Этот фактор может привести
к дополнительной погрешности, например,
ним плюсом для пользователей становится рас- 15  мВ для TEN 5-2411 и 10 мВ для TVN 5-2411WI.
ширенный выбор выходных напряжений. Влияние нагрузки. Влияние нагрузки на
Следует отметить, что рейтинг изоляции величину выходного напряжения оказывается
у TVN 5WI хоть и незначительно, но вырос до более значительным и зависит от типа модуля.
1600 В относительно TEN 5. Это дает дополни- Для одноканальных источников питания серии
тельные преимущества с точки зрения обеспе- TEN 5 изменение нагрузки в диапазоне 0–100%
чения безопасности для операторов конеч- способно привести к регулированию выходно-
ного оборудования. Вместе с тем, несмотря на го напряжения на уровне 1%. Регулирование
рост рейтинга изоляции, габаритные размеры для TVN 5WI оказывается в два раза меньше —
у новой серии оказываются более компактны- 0,5%. Если вновь обратиться к примерам, то для
ми: 20,0×32,0×10,2 мм против 31,8×20,3×10,2 мм TEN 5-2411 максимальная погрешность составит
у TEN 5. Здесь дополнительных комментариев не 50 мВ, а для TVN 5-2411WI она будет 25 мВ.
требуется: чем меньше размеры, тем проще раз- Схожая ситуация наблюдается и для двух-
мещать ИП на плате и тем компактнее будет ко- канальных источников. Для двухканальных мо-
нечное устройство. делей TEN 5 максимальное регулирование вы-
Функционал TVN 5WI также расширился, ходного напряжения при изменении нагрузки
в частности за счет появления функции дистан- составляет 2% при симметричной нагрузке и до
ционного включения, возможности подстрой- 5% при несимметричной. Двухканальные источ-
ки выходного напряжения и защиты от перена- ники TVN 5WI демонстрируют вдвое лучший ре-
пряжения на входе. Дистанционное управление зультат: 1% и 3% соответственно.
Таблица 3. ко для конкретных текущих значений температу-
Погрешность и нестабильность ры и нагрузки. При изменении условий придется
выходного напряжения для TVN 5WI выполнять калибровку заново.
и TEN 5

СЕРИЯ Схема Схема


повышения уменьшения
ПАРАМЕТР выходного выходного
напряжения напряжения
TEN5 TVN 5WI

Точность установки
±1 ±1
выходного напряжения, %

Подстройка выходного
нет есть
напряжения

Нестабильность выходного
0,3 0,2
ЧАСТОТНЫЕ И ШУМОВЫЕ
напряжения по входному, %
Рис. 2.
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Нестабильность выходного Подстройка Источники питания TEN 5 и TVN 5WI действу-
напряжения по нагрузке 1 0,5 выходного ют с одинаковой рабочей частотой 300 кГц, но
(одноканальные ИП), %
напряжения TVN 5WI демонстрируют улучшенные показате-
Нестабильность выходного TVN 5WI [3] ли шумов на входе и выходе (табл. 4) [1, 2].
напряжения по нагрузке 2 1
(двухканальные ИП), %
Таблица 4.
Нестабильность выходного
напряжения по нагрузке Частотные и шумовые характеристики
5 3
(двухканальные ИП, для TVN 5WI и TEN 5
разбалансированная нагрузка), %

Температурный коэффициент СЕРИЯ


±0,02 ±0,02
напряжения, %/°С ПАРАМЕТР
TEN5 TVN 5WI

Температурная стабильность. При расче-


те погрешностей нельзя забывать и о темпера- Рабочая частота, кГц 300 (ЧИМ) 300 (ШИМ)
турной стабильности. В данном случае между
TVN 5WI и TEN 5 наблюдается паритет: темпе-
Минимальная нагрузка, % 5 не требуется
ратурный коэффициент напряжения в обоих
случаях равен ±0,02%/°С. Таким образом, мож-
Максимальная емкостная
но оценить погрешность в заданном диапазоне нагрузка (одноканальные 6800 100–2200
температур. Например, при увеличении темпе- ИП), мкФ

ратуры от –40 до +85 °С изменение напряжения Максимальная емкостная


нагрузка (двухканальные 1000 100–680
для моделей TVN 5-2411WI и TEN 5-2411 составит ИП), мкФ
не более ±25 мВ.
Калибровка выходного напряжения. Важ- Выходной шум
50 10
(полоса 20 МГц, тип.), мВ
ным достоинством TVN 5WI является возмож-
ность подстройки выходного напряжения (рис.
Выходной шум
2) [3]. Для этого потребуется всего один рези- (полоса 20 МГц, макс.), мВ
75 15
стор. При подключении резистора между выво-
дами –Vout и Trim можно увеличить напряжение Кондуктивные помехи EN 55022 EN 55032,
в диапазоне 100–120% от номинального значе- на входе class A class A/B

ния для одноканальных моделей и 100–110% для


двухканальных. Для уменьшения напряжения Типовое время
10 50
включения, мс
следует подключать резистор между выводами
+Vout и Trim. Диапазон уменьшения напряжения
для всех моделей составляет 90–100% от номи- При отсутствии внешних фильтров типовой
нального значения. Конкретные значения рези- выходной шум для источников TVN 5WI состав-
сторов следует брать из руководства по регули- ляет 10 мВ, а максимальное значение не превы-
рованию выходного напряжения TVN 5WI [3]. шает 15 мВ. Эти показатели оказываются в пять
К сожалению, при регулировании выходного раз меньше, чем у источников питания общего
напряжения можно добиться подстройки толь- назначения из серии TEN 5.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


30 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Надо отметить, что источники TEN 5 требуют При выборе источника питания нельзя забы-
минимальной выходной нагрузки ≥5% от номи- вать и о собственных шумах. В данном вопросе
нального значения, в противном случае их шумо- серия TVN 5WI вновь превосходит TEN 5. Одна
вые характеристики ухудшаются. Новые источни- из причин этого — интеграция в TVN 5WI более
ки TVN 5WI свободны от этого недостатка. эффективных фильтров. В моделях с номиналь-
Уровень выходного шума TVN 5WI можно до- ным входным напряжением 9 В используется
полнительно уменьшить с помощью выходных П-образный CLC-фильтр (Pi-фильтр). В моделях
конденсаторов [4]. Если планируется работа с номинальным входным напряжением 24 и 48 В
с нагрузкой 5–100% от номинального значения, встроен синфазный фильтр.
Рис. 3. то наличие выходных керамических конденсато- По уровню собственных помех источники
Уменьшение уровня ров 10 мкФ/50 В на каждом из каналов поможет питания TEN 5 отвечают требованиям стандар-
помех с помощью ограничить шум на уровне 10 мВ, при этом типо- та EN 55022 для устройств класса A (промыш-
дополнительных вое значение и вовсе составит 5 мВ (рис. 3). Если ленные приложения). В то же время все модели
входных необходимо перекрыть весь диапазон нагрузок TVN 5WI с номинальным входным напряжением
конденсаторов [4] 0–100%, то для получения тех же показателей 9 и 24 В без каких-либо дополнительных филь-
рекомендуется использовать высокоемкостные тров соответствуют более жестким требова-
алюминиевые конденсаторы 47 мкФ/50 В. ниям стандарта EN 55032 для устройств клас-
са B (бытовые приложения). Модели TVN 5WI
с номинальным входным напряжением 48 В по
умолчанию отвечают требованиям стандарта
EN 55032 для устройств класса A. Стандарт EN
55032 является более новым стандартом Меж-
дународного специального комитета по ра-
диопомехам (СИСПР) и объединяет требова-
ния, содержащиеся в более ранних стандартах
EN55013:2013, EN55022:2010 + AC:2011 и EN55103-
1:2009+A1:2012.
Кстати, шумовые характеристики моделей
TVN 5WI с номинальным входным напряжением
48 В можно поднять до уровня устройств клас-
са B с помощью пары дополнительных входных
конденсаторов 4,7 мкФ/100 В (рис. 4) [5].

Рис. 4.
Использование
дополнительных
входных
конденсаторов [5]
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ Новые малошумящие источники питания TVN
И СНИЖЕНИЕ ВЫХОДНОЙ 5WI специально предназначены для работы
МОЩНОСТИ ПРИ ПЕРЕГРЕВЕ с малошумящей аппаратурой. Сравнение пока-
Важным достоинством TVN 5WI является рас- зывает, что серия TVN 5WI превосходит серию
ширенный температурный диапазон [1, 2]. По источников питания общего назначения TEN 5
сравнению с TEN 5 максимальная рабочая тем- как по уровню стабильности выходного напря-
пература возросла на 5 °C, а допустимый пере- жения, так и по шумовым показателям. Модули
грев корпуса увеличился на 15 °C и составил TVN 5WI также имеют функцию дистанционного
+105  °C. На первый взгляд такой прирост может включения и возможность настройки выходно-
показаться незначительным, однако для мало- го напряжения.
габаритных приборов с отсутствием свободно- Если источники питания TEN 5 являются «ра-
го потока воздуха это может стать чрезвычайно бочими лошадками» для широкого спек-
важным преимуществом. Проблема не является тра приложений от бытовой техники до про-
надуманной, так как практически все современ- мышленных модулей, то новые малошумящие
ные устройства, от измерительных приборов до источники питания TVN 5WI будут востребова-
промышленных модулей, становятся все менее ны в первую очередь в измерительных прибо-
габаритными. рах, прецизионном лабораторном
оборудовании, а также
Таблица 5. в аудиосистемах.
Температурные характеристики
TVN 5WI и TEN 5

СЕРИЯ
ПАРАМЕТР
TEN5 TVN 5WI

Диапазон рабочих температур, °C –40…+85 –40…+90 Литература


1. https://assets.tracopower.com/20180713155438/
TVN5WI/documents/tvn5wi-datasheet.pdf
2. https://www.tracopower.com/products/ten5.pdf
3. TVN 5WI. Output Voltage Adjustment. — Traco
Максимальная температура
+90 +105 Electronic AG, 2018
корпуса, °С
4. TVN 5WI. Ripple and Noise Measurement Report.
— Traco Electronic AG, 2018
5. TVN 5WI. Emi-consideration. — Traco Electronic
AG, 2018
Температура хранения, °C –50...+125 –55...+125 6. Документация на компоненты взята с офици-
ального сайта www.tracopower.com

3,3%/°С при 6,67%/°С при


Снижение выходной мощности температуре более температуре более
+70 °С +85 °С

Говоря о диапазоне рабочих температур,


надо помнить о так называемом дирейтинге —
уменьшении допустимой выходной мощности
при нагреве источника питания. Для TVN 5WI
ограничение мощности не требуется при рабо-
те во всем стандартном коммерческом диапазо-
не –40…+85 °C. При более высоких температу-
рах снижение мощности составляет 6,67%/°С.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


32 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

PLUG & PLAY: ПРИМЕНЕНИЕ СИЛОВЫХ


МОДУЛЕЙ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНО
НАНЕСЕННОЙ ТЕРМОПАСТОЙ

Cтефан Хопфе (Stefan Hopfe)


Арендт Винтрич (Arendt Wintrich)

Перевод и комментарии: Андрей Колпаков


Andrey.Kolpakov@semikron.com

О применении теплопроводящих материалов написано много Данная опция обеспечивает следующие пре-
статей и руководств по эксплуатации [1–4], однако эта проблема имущества:
продолжает привлекать внимание специалистов, работающих • Оптимальный отвод тепла, снижение тепло-
в сфере производства электронной техники. Большой интерес вого сопротивления благодаря равномерно-
вызывает появление новых технологий и материалов с изменя- му распределению слоя TIM.
емым фазовым состоянием (РСМ), а также возможность их нане- • Упрощение и ускорение процесса монтажа
сения предприятием — изготовителем модулей. модуля.
• Снижение стоимости и ускорение процесса
производства за счет исключения важного
и сложного технологического этапа.
Компания SEMIKRON предлагает в качестве оп- • Повышение экологичности производства.
ции поставку силовых модулей разных типов • Снижение риска повреждения DBC-под-
с предварительно нанесенными теплопроводя- ложки.
щими материалами (Thermal Interface Material, • Обеспечение долговременной стабильности
TIM). Нанесение термопасты на базовую плату тепловых характеристик благодаря исполь-
производится с помощью трафаретной печати. зованию проверенных и хорошо зарекомен-
Для транспортировки компонентов, подготов- довавших себя TIM.
ленных таким образом, разработана специаль-
ная упаковка. ОСНОВНЫЕ
В качестве TIM используются материалы на ОСОБЕННОСТИ PCM
силиконовой и не силиконовой основе. Самы- Теплопроводящие структуры с изменяемым
ми перспективными считаются новейшие пасты фазовым состоянием (РСМ) отличаются высо-
с улучшенными тепловыми характеристиками: кой теплопроводностью и простотой примене-
РСМ (Phase Change Material) HALA P8 (без сили- ния. При комнатной температуре такой матери-
кона) для стандартных модулей с базовой пла- ал находится в твердом состоянии, его переход
той и HPTP (High Performance Thermal Paste) на в жидкую фазу происходит при нагреве. Это
силиконовой основе для «безбазовых» модулей позволяет безопасно транспортировать сило-
прижимного типа. вые модули с нанесенным слоем РСМ, который
размягчается и заполняет зазор между базовой проводность λ = 3,4 К/(Вт•м)) или высокопроиз-
платой и радиатором в процессе естественного водительная термопаста HPTP (теплопровод-
нагрева (при эксплуатации или испытаниях). ность λ = 2,5 К/(Вт•м)), то величина Rth(c-s)/Rth(j-s)
Материал РСМ HALA TPC-Z-PC-P8 наносится будет снижаться. Поэтому в новых спецификаци-
на базовую плату модуля с помощью металли- ях SEMIKRON указывается два значения Rth.
ческого трафарета, при этом используется такая Кроме того, у «безбазовых» модулей, таких
же технология, что и для термопасты Wacker Р12. как MiniSKiiP, SKiM или SEMITOP, номинальный
Разницу можно почувствовать, прикоснувшись ток IC рассчитывается на основании теплово-
к образовавшемуся слою: РСМ при комнатной го сопротивления Rth(j-s). Соответственно в доку-
температуре по консистенции напоминает свеч- ментации SEMIKRON будут приводиться два зна-
ной воск. чения IC: для стандартной пасты Wacker P12 и для
От обычных термопаст с силиконовым носи- высокопроизводительной HPTP.
телем и металл-оксидным наполнителем РСМ Отметим, что теплопроводность λ здесь ука-
отличается более высокой теплопроводностью зана только для того, чтобы продемонстриро-
(примерно в три раза), его применение позво- вать разницу между различными вариантами
ляет снизить тепловое сопротивление «корпус– TIM, и это не единственная причина снижения
радиатор» Rth(c-s) до 30%, «кристалл–радиатор» теплового сопротивления. Применение матери-
Rth(j-s) — до 15%. При нормальной температуре ала с более высокой теплопроводностью может
PCM представляет собой твердую субстанцию, даже привести к повышению Rth, если невозмож-
поэтому риск его загрязнения или повреждения но обеспечить минимальную толщину слоя или
при транспортировке гораздо ниже. Однако, тепловая связь между TIM и поверхностью ме-
в свою очередь, это обусловливает более жест- талла недостаточно хорошая (высокое контакт-
кие требования по последовательности и мо- ное сопротивление).
менту затяжки крепежных винтов при монтаже
модулей, поскольку возрастает риск поврежде- ХАРАКТЕРИСТИКИ TIM
ния керамической DBC-подложки.
PCM
ОСОБЕННОСТИ HALA P8 (TPC-Z-PC-P8/Henkel Loctite PSX-Pe)
ТЕХНОЛОГИИ представляет собой компаунд, имеющий тесто-
Нанесение термопасты в условиях завода-из- образную структуру перед использованием.
готовителя производится в чистой среде, на Применяется с помощью шелкографии или тра-
автоматизированной линии методом шелко- фаретной печати. Нанесение сопровождается
графии (SPC) или трафаретной печати. Количе- процессом нагрева, гарантирующим 100% испа-
ство TIM на поверхности модуля, как правило, рение растворителя. При комнатной температу-
указывается в документации под заголовком ре паста РСМ напоминает свечной воск, ее вяз-
«typical thickness» (типовая толщина) или «typical кость снижается при нагреве свыше +45 °С. При
weight» (типовой вес). Первое значение отно- этой температуре материал начинает плавиться
сится к случаю, когда модуль установлен на ра- и «растекаться» под действием давления между
диатор в соответствии с инструкцией по монта- радиатором и базовой платой, в результате чего
жу и термопаста равномерно распределена по зазор равномерно заполняется.
его базовой поверхности. Если в спецификации Характеристики:
указан вес, то это, как правило, бывает при ис- • алюминиевые частицы в качестве теплопро-
пользовании шаблона с неравномерным распо- водящего наполнителя;
ложением отверстий. В таком случае невозмож- • воск в качестве носителя;
но определить необходимое количество TIM по • растворитель для обеспечения технологич-
толщине слоя, поскольку расчетное результи- ности.
рующее значение толщины будет непостоянно Материал РСМ будет предлагаться только
в пределах всей базовой поверхности. для модулей с базовой платой.
Тепловые сопротивления «кристалл–ради-
атор» Rth(j-s) для «безбазовых» и «корпус–радиа- Термопаста
тор» Rth(с-s) для обычных модулей с базовой пла- Нанесение с помощью шелкографии или трафа-
той, указанные в спецификациях SEMIKRON, ретной печати. Дополнительный нагрев не тре-
действительны при использовании стандарт- буется.
ной термопасты Wacker Р12 (теплопроводность Доступные виды TIM:
λ = 0,81 К/(Вт•м)). Если применяется материал • Wacker P12: оксид цинка в силиконовом носи-
с изменяемым фазовым состоянием (PCM, тепло- теле;

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


34 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

• Electrolube HTC: оксид цинка в парафиновом


≤ 50 мкм
носителе;
• HPTP (High Performance Thermal Paste): оксид
цинка в силиконовом носителе. Радиатор
Характеристики:
• металл-оксидные частицы в качестве тепло-
проводящего наполнителя;
• силикон или парафин в качестве носителя; ≤ 10 мкм ≤ 6,3 мкм
• без растворителей.
Термопасты будут предлагаться только для
«безбазовых» модулей.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
ДОПУСКИ
Процесс трафаретной печати имеет технологи- Рис. 1. КВАЛИФИКАЦИОННЫЕ
Требования
ческие допуски, количество и толщина слоя TIM ИСПЫТАНИЯ
к качеству
может варьироваться в определенных преде- Теплопроводящие материалы проходят различ-
обработки
лах. Величины допусков по толщине и весу (min./ ные виды квалификационных испытаний для
радиатора
max. Thickness, min./max. Weight) указываются количественной оценки максимального срока
в спецификациях. Благодаря использованию годности при хранении и транспортировке мо-
автоматизированной трафаретной печати воз- дулей в блистерной упаковке и подтверждения
можны небольшие ошибки позиционирования, надежности работы теплопроводящего слоя
не имеющие влияния на процесс монтажа или при эксплуатации модулей. TIM тестируются по
тепловые характеристики. Кроме того, в процес- стандарту IEC 60068-2-ХХ для определенных ус-
се печати иногда возникают незначительные де- ловий окружающей среды (например, высокая
фекты сотовой структуры пасты, максимально и низкая температура хранения в соответствии
допустимое отклонение размеров ячеек состав- с IEC 60721-3-1) для минимального срока годно-
ляет 5%. Также допускается небольшая подпо- сти 12 мес., а также в соответствии с IEC 60749-49
верхностная миграция теплопроводящего ма- при испытаниях на термоциклирование.
териала между ячейками, что выявляется при Виды квалификационных испытаний модулей
оптическом контроле, но не влияет на тепловые с предварительно нанесенной пастой, а также
свойства модуля и процесс его монтажа. Под- условия хранения приведены в таблицах 1, 2 и 3.
робности см. в разделе «Допустимые и недопу-
стимые дефекты структуры термопасты».
Таблица 1.
КАЧЕСТВО ОБРАБОТКИ Типовые квалификационные испытания срока годности
РАДИАТОРА модулей с предварительно нанесенной термопастой внутри
Чтобы добиться хорошего теплового контакта блистерной упаковки
между модулем и радиатором, а также для по-
лучения оптимальных условий охлаждения, по- МАТЕРИАЛЫ
верхность теплоотвода должна соответствовать ВИД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТ
требованиям инструкций по монтажу, доступ- Р12 И НТС Р8 И НРТР
ных на сайте SEMIKRON для каждого семейства
Хранение при
модулей (рис. 1). Рекомендуется фрезерование высокой температуре
+ + IEC 60068-2-2 Bb
поверхности с применением твердосплавного
Хранение при низкой
инструмента, это обеспечивает наилучший ре- + + IEC 60068-2-1 Аb
температуре
зультат и позволяет получить шероховатость по- Хранение при
рядка ~1–3 мкм. Основные требования: высокой температуре + – IEC 60068-2-67
и влажности
• Радиатор должен быть очищен от грязи, пыли
Климатические
и обезжирен. изменения
– + IEC 60068-2-38
• Отклонение от плоскости не должно превышать
Величина Rth после теста в пределах
50 мкм на расстоянии 100 мм (DIN EN ISO 1101). Критерий годности спецификации, монтаж –
• Шероховатость Rz не должна превышать в соответствии с инструкцией

6,3 мкм (DIN EN ISO 4287). 18 мес. 12 мес. в блисте-


в блистере при ре (класс 1K2) при
• На поверхности не должно быть «ступенек» Срок годности IEC 60721-3-1
темп. –25…+60 °С темп. +5…+40 °С
с перепадом более 10 мкм. и 10–95% RH и 10–85% RH
Таблица 2. Термопаста
Типовые квалификационные испытания для оценки TIM, наносимый на «безбазовые» модули, име-
надежности (модуль установлен на радиатор) ет пастообразное состояние. При их транспор-
тировке и монтаже необходимо быть очень
МАТЕРИАЛЫ
ВИД ИСПЫТАНИЙ СТАНДАРТ осторожным, чтобы не повредить TIM-слой. Ос-
Р12 И НТС Р8 И НРТР новным преимуществом термопасты при исполь-
Хранение при зовании с «безбазовыми» модулями, по сравне-
+ + IEC 60068-2-2 Bb
высокой температуре нию с РСМ, является меньший риск повреждения
Хранение при низкой
+ + IEC 60068-2-1 Аb
DBC-подложки при сборке. Благодаря низкой вяз-
температуре
кости TIM легко распределяется в зазоре во вре-
Хранение при мя монтажа, следовательно, уменьшается меха-
высокой температуре + + IEC 60068-2-67
и влажности ническая нагрузка на подложку.
Климатические При монтаже модулей следует соблюдать
+ + IEC 60068-2-38
изменения осторожность: случайное прикосновение мо-
Активное
+ + IEC 60749-34
жет разрушить структуру слоя TIM. Загрязнения
термоциклирование
(частицы) удаляются с поверхности модуля, на-
Пассивное пример, с помощью пинцета.
+ + IEC 60068-2-14 Na
термоциклирование
Чтобы избежать загрязнения поверхности
Измерение Rth перед и после теста на хра-
нение и термоциклирование. Критерий: модуля с нанесенной термопастой пылью и по-
Критерий годности величина Rth в пределах спецификации, – сторонними частицами, блистерная упаковка
при термоциклировании окончание срока
службы (EOL) соответствует Rth +20% должна вскрываться перед установкой модуля
в соответствии с инструкцией, приведенной да-
Таблица 3. лее. Количество модулей разных типов в упаков-
Условия хранения материалов TIM ке указано в таблице 4.

МАТЕРИАЛ P12 И HTC HPTP P8


Таблица 4.
18 мес. в блистере 12 мес. в блистере (класс 1К2) Количество модулей разных типов
Условия хранения при температуре при температуре +5…+40 °С с TIM в блистерной упаковке
–25…+60 °С и 10–95% RH и 10–85% RH
Макс. темп. хранения КОЛ-ВО В БЛИСТЕРНОЙ
+55 ТИП МОДУЛЯ
и транспортировки*, °C УПАКОВКЕ, ШТ.
Макс. рабочая темп. MiniSKiiP 0 66
+125 +110
Top**, °C
MiniSKiiP 1 40
Примечание: * — Ограничено упаковкой. ** — В собранном состоянии. Для «безбазо-
MiniSKiiP 2 24
вых модулей»: Тор измеряется на радиаторе, для обычных модулей — на базовой плате.
MiniSKiiP 3 16

MiniSKiiP 8 АхВ 16
Модули с предварительно нанесенной
MiniSKiiP 8 АС 12
термопастой рекомендуется хранить при ком-
SKiM63 4
натной температуре, в некоторых случаях тре-
буется кондиционирование помещения склада. SKiM93 4

SKiM4 4
ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА SEMITOP 2 56
ПРОИЗВОДСТВА
SEMITOP 3 35

PCM SEMITOP 4 20

Материал с изменяемым фазовым состоянием SEMITOP E1 28


(РСМ) HALA P8 на модулях с базовой платой имеет SEMITOP E2 20
твердую структуру при транспортировке, паста SEMiX 3p 6
начинает плавиться только при нагреве модуля
SEMiX 1 8
в процессе тестирования или эксплуатации.
Загрязнения (пыль или любые частицы) могут SEMiX 3 6

быть легко удалены с поверхности модуля с РСМ SEMiX 13 4


(в твердом состоянии), например с помощью кисти. SEMiX 5 4
Повреждение структуры РСМ при случайном SEMITRANS 3 6
прикосновении или установке модуля на радиа-
SEMITRANS 10 2
тор невозможно.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


36 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Перед установкой модуля следует убедить-


ся, что на радиаторе отсутствуют загрязнения
в виде любых инородных частиц или пыли. Для
очистки поверхности рекомендуется использо-
вать безворсовую салфетку, смоченную в изо-
пропиловом спирте. Таким же образом можно
удалять остатки термопасты или РСМ с контакт-
ных поверхностей при замене модуля.

ВСКРЫТИЕ БЛИСТЕРНОЙ
УПАКОВКИ, ПРИМЕНЕНИЕ
МОДУЛЕЙ С НАНЕСЕННОЙ Рис. 3. PCM
ТЕРМОПАСТОЙ Изъятие модулей Материал с изменяемым фазовым состоянием
MiniSKiiP и SKiM
• Вскрытие упаковки следует производить 63/93 из упаковки будет наноситься только на модули с базовой
в чистом и свободном от пыли помещении. платой. Вид сотовой структуры слоя TIM зависит
• Блистер должен оставаться закрытым на вре- от технологического изгиба базовой платы (рис.
мя остановки производства, чтобы избежать 4). Это обеспечивает необходимый прямой кон-
загрязнения. такт «металл–металл» базы и радиатора после
• Поверхность модуля с нанесенной пастой установки модуля. Теплопроводящий материал
должна быть свободной от любых загрязне- должен заполнять только воздушные пустоты,
ний, не допускается повреждение сотовой возникающие из-за неидеальности поверхно-
структуры TIM. Рис. 4. стей модуля и радиатора. Таким образом, реша-
Сотовая структура
• Крупные посторонние частицы (видные не- ются две основные задачи:
PCM в соответствии
вооруженным глазом) следует удалить с по- • оптимизация теплового сопротивления Rth(j-s);
с технологическим
мощью пинцета. • исключение необходимости повторной за-
изгибом базовой
Перед сборкой необходимо провести опти- платы
тяжки крепежных винтов после распределе-
ческий контроль всех деталей. В случае обна- ния пасты PCM в зазоре.
ружения загрязнений или любых повреждений
структуры TIM следует обратиться к техниче-
ской документации и проверить, насколько это
допустимо (подробности см. далее).
При выемке модулей из блистерной упаков-
ки и их дальнейшем использовании нужно со-
блюдать все правила по защите электронных
компонентов от статического электричества
(IEC 61340-5). Перенос и монтаж модулей следу-
ет производить только в специальных ESD-пер-
чатках.
Для удаления модулей MiniSKiiP из блистер-
Рис. 2.
ной упаковки рекомендуется повернуть упаков- Для каждого семейства модулей (SEMITRANS,
Модули MiniSKiiP
ку таким образом, чтобы были видны пружинные SEMiX) на сайте www.semikron.com доступна
и SKiM 63/93
контакты (верхняя сторона модулей, рис. 2 и 3). инструкция по монтажу (Mounting Instruction).
перед вскрытием
Упаковку модулей SKiM63/93 (рис. 2 и 3) перед блистерной
В ней определены моменты затяжки крепежных
вскрытием надо повернуть так, чтобы была вид- упаковки винтов, действительные как для обычных термо-
на изолирующая подложка с нанесенной термо- паст, так и для РСМ.
пастой. После монтажа модуля на радиатор и его на-
грева свыше +45°С (при тестировании или экс-
плуатации) РСМ начинает размягчаться и запол-
нять воздушные полости в зазоре.
Результаты:
• установка модуля в соответствии с инструк-
цией по монтажу;
• равномерное распределение теплопроводя-
щего материала в зазоре;
• отсутствие необходимости в повторной за-
тяжке крепежных винтов.
Вариант 2:
Рис. 5. Нагрузить модуль 50–80% от номинального
Типовой вид тока до нагрева базовой платы до +90 °C. Затем
базовой платы охладить ее до ~+20 °C.
с нанесенной В обоих случаях РСМ будет плавиться и рав-
пастой РСМ перед номерно заполнять зазор между базой и ради-
монтажом атором.
Оценка качества заполнения зазора:
• Демонтировать модуль и аккуратно снять
его с теплоотвода. Для модулей с базовой
платой не обязательно, чтобы TIM распро-
странялся по всей поверхности базы. Только
Рис. 6.
в центральной части модуля сотовая структу-
След термопасты на
ра должна исчезнуть, что говорит о хорошем
демонтированном
распределении термопасты (рис. 6).
модуле и радиаторе
после трех
• Особенно важно убедиться в том, что термо-
термоциклов паста отсутствует вокруг монтажных отвер-
+20/+85 °С стий и на краях модуля, что подтверждает на-
(оптимальный личие контакта «металл–металл». При этом
вариант) обеспечивается оптимальное тепловое со-
противление и не требуется повторная за-
тяжка крепежных винтов.
• На рис. 7 показан неоптимальный вид слоя
термопасты после демонтажа модуля: TIM
не полностью распределен по поверхно-
Рис. 7. сти после трех термоциклов. Важно, что
След термопасты на
наибольший изгиб базовой платы под чипа-
демонтированном
ми заполнен термопастой и ячейки сотовой
модуле и радиаторе
структуры соприкоснулись с поверхностью
после трех
термоциклов
радиатора. Дальнейший нагрев и термо-
+20/+85 °С циклирование в процессе работы модуля
(не оптимально, обеспечат необходимое распределение PCM
но допустимо) в зазоре.
• На рис. 8 показан неприемлемый отпечаток
пасты после демонтажа модуля. Несмотря на
воздействие трех термоциклов, TIM не запол-
нил изгиб базы в достаточной степени. Видна
большая часть ячеек сотовой структуры.

Выше показан типовой вид базовой платы


с нанесенной пастой РСМ HALA P8:
Рис. 8. След
рис. 5 — перед монтажом;
термопасты на
рис. 6–8 — после монтажа и термоциклиро-
демонтированном
вания. модуле и радиаторе
Порядок действий: после трех
• Модуль устанавливается на радиатор в соот- термоциклов
ветствии с инструкцией по монтажу. +20/+85 °С
• Сборка подвергается воздействию трех (недопустимо)
термоциклов +20/+90 °C.
Вариант 1:
Установить радиатор с модулем, например,
на нагреваемую пластину, и быстро увеличить
температуру до +90 °C. При достижении этого
значения сборка снимается с пластины и охлаж-
дается до ~20°С. Процедура повторяется мини-
мум два раза.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


38 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Термопаста Порядок действий:


Термопаста будет наноситься только на модули • Модуль устанавливается на радиатор в соот-
без базовой платы. Для стандартных материа- ветствии с инструкцией по монтажу.
лов TIM (Wacker P12, Electrolube HTC) использует- • Сборка подвергается воздействию трех
ся регулярная сотовая структура (рис. 9). Целью термоциклов +20/+90 °C.
является равномерное распределение слоя TIM Вариант 1:
в зазоре между DBC-подложкой и радиатором Установить радиатор с модулем, например,
при отсутствии воздушных зазоров. на нагреваемую пластину и быстро увеличить
температуру до +90 °C. При достижении этого
значения сборка снимается с пластины и охла-
Рис. 9. ждается до ~20°С. Процедура повторяется мини-
MiniSKiiP — мум два раза.
регулярная Вариант 2:
сотовая Нагрузить модуль 50–80% от номинального
структура — тока до нагрева базовой платы до +90 °C. Затем
стандартный охладить ее до ~+20 °C.
вариант TIM
В обоих случаях TIM будет равномерно запол-
Модуль должен быть установлен в соответ- нять зазор между базой и радиатором.
ствии с инструкцией по монтажу. После сборки Оценка качества заполнения зазора:
термопаста равномерно распределяется в зазо- • Демонтировать модуль: удалить крепежные
ре и заполняет пустоты, возникающие из-за неи- винты и подождать 24 ч, пока модуль мо-
деальности поверхности подложки и радиатора. жет быть легко снят без риска разделения
DBC-подложки и корпуса. Абсолютно необ-
ходимо, чтобы основная часть поверхности
подложки (кроме краев с углублениями) и ох-
Рис. 10. лаждаемая зона были покрыты TIM. Все ячей-
MiniSKiiP — ки сотовой структуры должны касаться по-
оптимизированная верхности радиатора, еще лучше, если они
сотовая структура
полностью исчезают.
HPTP
• Оптимальный отпечаток термопасты приве-
ден на рис. 12: ячейки сотовой структуры, TIM
распределен равномерно, без воздушных пу-
Усовершенствованная паста HPTP имеет стот. Любые заметные воздушные зазоры уве-
большую вязкость, чем Wacker P12 и Electrolube личивают тепловое сопротивление и при-
HTC. Для снижения механической нагрузки при водят к дополнительному нагреву чипа во
монтаже модуля в зоне крепления уменьшена время работы.
плотность сотовой структуры TIM (рис. 6).
Результаты:
• Модуль устанавливается на радиатор в соот-
ветствии с инструкцией по монтажу.
• Оптимизация сотовой структуры TIM позво-
ляет использовать одинаковую технологию
монтажа независимо от типа термопасты.
Ниже показан типовой вид подложки «безба-
зового» модуля с нанесенной термопастой:
рис. 11 — перед монтажом;
рис. 12–14 — после монтажа и термоцикли-
Рис. 11. рования.
Типовой вид
подложки
«безбазового»
модуля Рис. 12.
с нанесенной След термопасты на
термопастой демонтированном модуле
перед монтажом и радиаторе после трех
термоциклов +20/+85 °С
(оптимально)
• На рис. 13 показан приемлемый, но не опти- плоотвода (рис. 1). Основным критерием пра-
мальный вид отпечатка. В некоторых зонах вильности выполнения всех требований явля-
ячейки сотовой структуры все еще сохрани- ется соответствие теплового сопротивления
лись, но видно, что они уже коснулась тепло- «кристалл–радиатор» Rth(j-s) величине, указанной
отвода. Можно предположить, что в течение в технической документации.
следующих 10 термоциклов воздушные пу-
стоты полностью исчезнут. НАЧАЛО
ЭКСПЛУАТАЦИИ

PCM
Рис. 13. После установки модуля на радиатор, соглас-
След термопасты на
но инструкции по монтажу, можно начинать его
демонтированном
эксплуатацию без каких-либо ограничений.
модуле и радиаторе
Тепловое сопротивление Rth(j-s) модуля сразу
после трех
термоциклов
после монтажа будет выше номинального зна-
+20/+85 °С чения, соответствующего равномерному рас-
(не оптимально, пределению РСМ в зазоре. Процесс плавления
но допустимо) начинается при нагреве до +45 °C, после чего
величина Rth(j-s) падает очень быстро, поэтому
перегрев кристаллов не может превысить рас-
четных значений, соответствующих нормальной
эксплуатации при номинальной нагрузке.
Тем не менее благодаря эффектам релакса-
ции и распределения тепловое сопротивление
• Неприемлемый вид отпечатка термопасты будет немного уменьшаться в ходе начальной
виден на рис. 14. Большие участки сотовой фазы нагрева/охлаждения. Окончательное зна-
структуры не имеют контакта с радиатором, чение Rth(j-s) обычно достигается после первых
и, скорее всего, никакое воздействие термо- 50–100 термоциклов.
циклов не устранит воздушные зазоры. Таким образом, для нормальной эксплуата-
Если после описанных выше процедур от- ции модулей с предварительно нанесенным ма-
печаток термопасты демонстрирует недоста- териалом РСМ не требуется никаких специаль-
точный тепловой контакт модуля и радиатора ных мер (определенный профиль нагрузки или
(рис.  10 и 14), в первую очередь это может быть термотренировка). Исключением может быть
связано с плохим качеством поверхности те- случай, когда силовой модуль подвергается воз-
действию высокой перегрузки в момент перво-
го пуска.

Термопаста
Рис. 14.
След термопасты на
После установки модуля с базовой платой на ра-
демонтированном диатор, согласно инструкции по монтажу, можно
модуле и радиаторе начинать его эксплуатацию без каких-либо огра-
после трех ничений. Теплопроводящая паста равномерно
термоциклов распределяется в зазоре сразу после монтажа.
+20/+85 °С Начальная величина теплового сопротивления
(недопустимо) Rth(j-s) примерно на 15–20% выше номинального
значения.
Благодаря «эффекту установления» тепловое
сопротивление улучшается по экспоненциаль-
ному закону с течением времени. Окончатель-
ное, стационарное значение Rth(j-s) достигается
спустя несколько дней эксплуатации (рис. 15).
«Насосные» тепловые эффекты, индуцирован-
ные, например, воздействием термоциклов,
ускоряют процесс установления.
После установки модуля рекомендуется вы-
полнить один из шагов, предложенных ниже:

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


40 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

2
1. Выждать один-два дня перед применением
1 4
модуля при полной нагрузке. 3
2. Подвергнуть модуль воздействию трех тер- 5
6

моциклов с перепадом температуры радиа-


тора +20...+90 °C.
3. Подвергнуть модуль воздействию трех тер-
моциклов с перепадом температуры ра-
диатора +20...+90 °C и ограничению мак-
симального тока на уровне 70–80% от Рис. 17.
Информация на этикетке:
номинального значения, что позволяет обе-
1. Логотип SEMIKRON. 2. Название модуля. 3. Dat. Cd (Дата–код), шесть
спечить максимальную нагрузочную способ-
цифр в формате YYWWL (YY — год, WW — неделя, L — номер партии).
ность.
4. Номер подтверждения отгрузки (Order Confirmation). 5. Menge (QTY):
Примечание: количество модулей в упаковке (входит в QR-код). 6. Id.-Nr: каталожный
Справочное значение Rth(j-s) измеряется после номер SEMIKRON (входит в QR-код)
воздействия трех термоциклов (+20…+90  °C).
Это соответствует времени релаксации два-
пять дней. МАРКИРОВКА
БЛИСТЕРНОЙ
УПАКОВКИ
При поставке модулей с «предварительно на-
Рис. 15. несенным теплопроводящим материалом» на
Типовое
блистерную упаковку (рис. 20) наклеивают-
изменение
ся две этикетки: в первой дается информация
теплового
о дате нанесения термопасты и сроке годности
сопротивления
в процессе
(рис.  18), вторая предупреждает о недопустимо-
релаксации сти раннего вскрытия блистера (рис. 19).

ПРАВИЛА МАРКИРОВКИ
И УПАКОВКИ
На транспортной упаковке не указано, постав-
ляются модули с предварительно нанесенной
термопастой или без нее. Этикетка дает ин-
формацию только о типе модуля, количестве
и номере заказа (рис. 16 и 17).
QR-код (штрих-код) выполняется по стандар-
ту EEC 200 в формате 19/9.

Рис. 16.
Положение
этикетки на
транспортной
упаковке
Таблица 5. Таблица 6.
Допустимые отклонения при шелкографии Дефекты, возникающие при изъятии из упаковки
или трафаретной печати или при сборке

ОПИСАНИЕ ДОПУСТИМОСТЬ ОПИСАНИЕ ДОПУСТИМОСТЬ


ВИД ДЕФЕКТА ВИД ДЕФЕКТА
ДЕФЕКТА ДЕФЕКТА ДЕФЕКТА ДЕФЕКТА

незначительные
дефекты
«смазывание»
структуры
Допустимо небольшого числа Допустимо
печати
ячеек
(небольшие
пустоты)

Загрязнения
с частицами, Недопустимо
деформирован-
Допустимо например волос
ные края ячеек
или волокон
(removable with
tweezers),
могут удаляться Недопустимо
пинцетом

деформирован-
Допустимо «смазывание» це-
ные края ячеек
лых областей или
большого числа
ячеек
(The application
Недопустимо
of a new TIM layer is
recommended);
точечные вмяти- рекомендуется
Допустимо
ны на ячейках нанесение нового
слоя TIM

ДОПУСТИМЫЕ исключающие появление воздушных пустот (ми-


И НЕДОПУСТИМЫЕ ДЕФЕКТЫ нимальный предел) и отсутствие зон контакта
СТРУКТУРЫ ТЕРМОПАСТЫ «металл–металл» (максимальный предел). Со-
Рис. 18.
Процесс нанесения термопасты контролирует- блюдение столь точных допусков может быть до-
Этикетка с датой
ся в автоматизированном режиме, что обеспе- стигнуто только при полностью автоматизиро-
нанесения TIM
и датой окончания
чивает стабильное и воспроизводимое каче- ванном контроле с использованием новейших
срока годности ство трафаретной печати. Несмотря на все меры оптических измерительных средств. Подобные
предосторожности, возможны некоторые нару- системы способны контролировать качество со-
шения сотовой структуры или ее загрязнение. товой структуры TIM даже при поступательном
Оценка их допустимости производится с помо- и вращательном изменении положения модуля.
Рис. 19.
щью таблиц 5 и 6. Для их работы используется принцип высоко-
Предупреждение
скоростного 3D-распознавания образов, позво-
о нанесенной
термопасте
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ляющий фиксировать мельчайшие отклонения
и вскрытии
Процесс применения термопасты является от- размеров или наличие перемычек
упаковки только ветственной технологической операцией, от между сотами.
перед установкой которой во многом зависит надежность рабо-
модулей ты силового ключа, поэтому многие произво-
дители в качестве опции предлагают поставку
модулей с предварительно нанесенным тепло-
проводящим материалом. Такая возможность Литература
существенно упрощает процесс монтажа и обе- 1. S. Hopfe, A. Wintrich. Thermal Interface Materials».
спечивает его высокую повторяемость, что по- SEMIKRON Technical Explanation. 2016-12-21.

Рис. 20.
зволяет заказчику исключить сложные и ответ- 2. Freyberg M. Application of thermal paste
Положение ственные производственные этапы. for power modules without base plate. SEMIKRON
этикетки на Модули с нанесенной пастой проходят допол- International. 1999.
блистерной нительные испытания, подтверждающие надеж- 3. А. Колпаков. Возвращаемся к термопасте // Си-
упаковке ность при транспортировании и хранении. При ловая электроника. 2015. № 2.
нанесении TIM в заводских условиях использу- 4. А. Колпаков. Теплопроводящая паста — это
ются очень жесткие технологические нормы, важно! // Компоненты и технологии. 2010. № 6.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


42 НОВОСТИ

EXXELIA Французская компания Exxelia, ведущий производитель высоко-


надежных пассивных и электромеханических компонентов, анон-
АНОНСИРУЕТ НОВЫЙ сирует выход фильтра серии BCC, соответствующего стандарту
TEMPEST (переходные электромагнитные импульсные излучения
TEMPEST-ФИЛЬТР работающей радиоэлектронной аппаратуры).

ПРИМЕНЕНИЕ:
• TEMPEST и ПЭМИН (побочные электромагнитные излучения и на-
водки);
• безэховые камеры;
• клетки Фарадея;
• физическая изоляция;
• системы контроля (пр. атомных электростанций).

ПАРАМЕТРЫ:
• максимальный ток: до 800 А;
• напряжение DC: 28–400 В;
• температура эксплуатации: –40…+55 °C;
• вносимые потери: 0–100 дБ;
• количество линий: 2.

МАКСИМАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК, А

ОСЛАБЛЕНИЕ: 50 ОМ
НАПРЯЖЕНИЕ, DC , В
НАПРЯЖЕНИЕ DC, В

НА ЛИНИЮ, МОМ
НОМИНАЛЬНОЕ

ТЕМПЕРАТУРА

MIL-STD 220
МАССА, КГ
ТЕСТОВОЕ

РАБОЧАЯ
ПАРТНОМЕР

BC-9223W-010-PP/MU 10 30 7

BC-9223W-016-PP/MU 16 25 9

100 дБ на 80 кГц–18 ГГц


BC-9223W-032-PP/MU 32 8 14

50 дБ на 10 кГц
­– 40 °С...+50 °С
BC-9223W-064-PP/MU 64 4 14
400 600
BC-9223W-100-PP/MU 100 2 14

BC-9223W-125-PP/MU 125 1,5 16

BC-9223W-200-PP/MU 200 0,5 17


­– 40 °С...+40 °С
BC-9223W-250-PP/MU 250 0,4 17

BC-9224W-010-PP/MU 10 65 7

BC-9224W-016-PP/MU 16 55 9
100 дБ на 14 кГц–18 ГГц

BC-9224W-032-PP/MU 32 15 14
80 дБ на 10 кГц

­– 40 °С...+50 °С
BC-9224W-064-PP/MU 64 7,5 14
400 600
BC-9224W-100-PP/MU 100 4 14

BC-9224W-125-PP/MU 125 3 16

BC-9224W-200-PP/MU 200 1 17
­– 40 °С...+40 °С
BC-9224W-250-PP/MU 250 0,8 17

Exxelia специализируется на разработке


кастомизированной продукции
фильтров под ТЗ. По поводу заказа,
технической поддержки и любым
другим вопросам ждем Вас на
passive@ptelectronics.ru
ОБНОВЛЕНИЕ Пакет расширения I-CUBE-LRWAN состоит из набора библиотек
и примеров приложений для всего набора микроконтролле-
БЕСПЛАТНОГО ров STM32, включая серии ультрамалопотребляющих микрокон-
троллеров STM32L0, STM32L1, STM32L4 и STM32L4+, работающих
ВСТРАИВАЕМОГО в устройствах «Интернета вещей». Библиотеки содержат специаль-
ПРОГРАММНОГО ный интерфейс прикладного программирования (API) для управ-
ления защищенными элементами, такими как семейство продуктов
ОБЕСПЕЧЕНИЯ STSAFE-A, и позволяют реализовать ряд возможностей для защиты
данных.
STMICROELECTRONICS
ДЛЯ УЛУЧШЕННОЙ Для увеличения гибкости приложений с обновлением LoRaWAN 1.0.3
добавлена совместимость с устройствами класса B. Стандартные
РАБОТЫ LORAWAN 3 класса устройств подходят для всех случаев использования «Ин-
тернета вещей» при работе в нелицензируемом диапазоне частот от
433 до 928 МГц, позволяя гибко подойти к вопросу энергоэффек-
В целях реализации тивности.
недавно одобренных
спецификаций LoRaWAN Все устройства классов A, B и C имеют асинхронный восходя-
1.0.3 альянса LoRa щий канал к сетевому концентратору. Устройства класса A пред-
STMicroelectronics лагают только два окна нисходящего канала, синхронизированных
обновляет пакет с сообщением восходящего канала. Устройства класса B предлага-
расширения I-CUBE- ют синхронизированные окна для приема сообщений нисходящего
LRWAN для семейства канала. Устройства класса C всегда держат окно нисходящего кана-
микроконтроллеров ла открытым, когда устройство не передает.
STM32. Это делает
его современным
и более безопасным, что
расширяет возможности
приложений «Интернета
вещей» (IoT), работающих
в энергоэффективных
сетях дальнего радиуса
действия (LPWAN).

Этот обновленный пакет I-CUBE-LRWAN предоставляет драйве-


ры для новых трансиверов Semtech SX126x. В пакете также имеет-
ся приложение для запуска на NUCLEO-L053R8, NUCLEO-L152RE,
NUCLEO-L476RG и B-L072Z-LRWAN1 совместно с модулем LoRa®/
Sigfox™ CMWX1ZZABZ-091 от Murata. Помимо этого, пакет поддер-
живает технологию модуля USI® LoRaWAN™ на плате расширения
I-NUCLEO-LRWAN1.

По вопросам применения обращайтесь СКАЧАТЬ ПРОГРАММНОЕ ПОЛЕЗНАЯ


в департамент активных компонентов ОБЕСПЕЧЕНИЕ I-CUBE-LRWAN ССЫЛКА
active@ptelectronics.ru WWW.ST.COM/I-CUBE-LRWAN

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


44 НОВОСТИ

СИЛОВОЕ РЕЛЕ Компания Omron представляет миниатюрное, однополюсное,


силовое реле с 32А коммутируемым током.
OMRON G6QE
ОПЦИИ:
• Ток переключения 32 A@250 VAC и 50 000 операций;
• 10 кВ выдерживаемого напряжения (между катушкой
и контактами);
• Потребляемая мощность снижена до 12% по сравнению
с номинальным потреблением катушки, благодаря
уменьшению приложенного напряжения на катушку после
подачи номинального напряжения на 100 мс работы реле
(уменьшено до 35% от номинального напряжения катушки).

TERMINAL SHAPE PCB terminals

CLASSIFICATION Standard

CONTACT FORM SPST-NO (1a)

ENCLOSURE RATING Flux protection

MODEL G6QE-1A

5VDC
RATED COIL VOLTAGE 12VDC
24VDC

MINIMUM PACKING UNIT 50pcs/tray

По вопросам приобретения
и применения обращайтесь
в департамент электромеханических
компонентов elmeh@ptelectronics.ru

СЕРИЯ TPP 100/ Расширение линейки моделей — 100/150-Вт медицинских источ-


ников питания предоставляет дополнительные возможности для
TPP 150: НОВЫЕ питания медицинских устройств.

МОДЕЛИ ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:


ИСТОЧНИКОВ • увеличенный диапазон рабочих температур –25…+85 °C;
• сертифицировано по IEC/EN/ES 60601-1
ПИТАНИЯ ОТ 3-е издание, для 2xMOPP (двойная изоляция);
TRACO POWER • сертифицировано по стандарту IEC / EN / UL 60950-1;
• соответствие требованиям ЭМС стандарта IEC/EN/ES 60601-2
4-е издание
• соответствует директиве ErP, потребляемая мощность
без нагрузки (макс. 0,3 Вт);
• КПД до 92%;
• ток утечки (<100 мкА) применим для устройств, работающих
непосредственно с человеком;
• класс защиты I и II;
• эксплуатация до 5000 м над уровнем моря;
• 5-летняя гарантия.

По вопросам приобретения
и применения обращайтесь
в департамент силовой электроники
power@ptelectronics.ru
46 НОВОСТИ

ГИБКАЯ
И КОМПАКТНАЯ
АНТЕННА
ОТ КОМПАНИИ
MOLEX

Компания Molex представляет новую широкополосную антенну для


беспроводных решений в области разработки технологий LTE и 4G.

Антенна значительно сокращает затраты и инженерные ресурсы,


необходимые для дополнительных схем, настройки частоты и инте-
грации электронных компонентов.

Полигибкая, двухсторонняя липкая лента, 6 вариантов длины ми-


крокоаксиального кабеля (50, 100, 150, 200, 250, 300 мм) значитель-
но расширяют возможности подключения.

ПРИМЕНЕНИЕ:
• телекоммуникации/сетевое оборудование;
• индустриальная автоматизация;
По вопросам приобретения • удаленные датчики;
и применения обращайтесь • системы сигнализации и мониторинга.
в департамент электромеханических
компонентов elmeh@ptelectronics.ru

TE CONNECTIVITY Новые соединители для гибких шлейфов толщиной 1 мм позволя-


ют экономить пространство на плате и являются одними из самых
ПРЕДСТАВЛЯЕТ низкопрофильных на рынке. Эти разъемы поставляются с разблоки-
рованным фиксатором, что сокращает время сборки. Прочная кон-
НОВУЮ СЕРИЮ струкция фиксатора также помогает предотвратить его поврежде-
FPC (FLEXIBLE ние во время сборки, что экономит ваше время и деньги.

PRINTED CIRCUIT) ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА:


КОННЕКТОРОВ • экономия места на плате за счет одного из самых низких
профилей;
• фиксатор открыт при поставке, что позволяет работать одним
пальцем;
• открытый фиксатор уменьшает время сборки, устраняя один
шаг сборки;
• надежная конструкция привода может помочь предотвратить
разрыв во время сборки;
• 0,5-мм задняя флип-версия имеет конструкцию с двумя
рядами контактов, позволяющую устанавливать кабель
любой стороной;
• фронтальная версия 0,3 мм имеет дополнительные функции
управления, которые помогают правильно вставить кабель
в корпус.

МАТЕРИАЛЫ:
• контакты: медный сплав, золоченое покрытие;
• корпус разъема: высокотемпературный термопласт, UL 94-V0;
• фиксатор: высокотемпературный термопластик, UL 94-V0.

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА:
• номинальное напряжение: макс. 50 В, переменного или постоян-
ного тока;
• номинальный ток: макс. 5 A на контакт.
По вопросам приобретения
и применения обращайтесь МЕХАНИЧЕСКИЕ:
в департамент электромеханических • температура: от –40…+85 °C.
компонентов elmeh@ptelectronics.ru
МОДУЛЬ ГНСС
TESEO-LIV3F ОТ
STMICROELECTRONICS
УКРЕПЛЯЕТ ПОЗИЦИИ
ЧИПСЕТА TESEO III

В целях облегчения
доступности приемника
спутниковой навигации
Teseo III широкому
сообществу разработчиков
STMicroelectronics
представляет модуль
Teseo-LIV3F, который
сочетает в себе базовые
характеристики, что Имея высокую оценку от экспертов в секторах автомобильной про-
обеспечивает быструю мышленности и промышленной электроники, многосистемный на-
разработку приложений, вигационный приемник Teseo III от STMicroelectronics объединяет
и дополнительно содержит высокую точность позиционирования с высоким темпом выдачи вы-
до 16 Мбит памяти Flash ходных данных и малым энергопотреблением. Применение моду-
для обновления прошивки ля Teseo-LIV3F позволяет производителям и небольшим командам
или хранения данных без разработчиков без внутренних радиочастотных экспертиз и испы-
необходимости резервного таний эффективно использовать достоинства приемника Teseo III
питания. при создании новых продуктов в промышленном и потребитель-
ском сегментах рынка, таких как автомобильные трекеры, дроны,
противоугонные устройства, трекеры домашних животных и систе-
мы обслуживания автотранспорта (управление автопарком, оплата
проезда, каршеринг, общественный транспорт).

Легкий в применении 18-выводной модуль в корпусе LLC разме-


ром 9,7×10,1 мм содержит приемник Teseo III с системой распреде-
ления питания на кристалле, интерфейсы UART и I2C, память Flash,
ультрастабильный термокомпенсированный кварцевый генератор
(TCXO) и часы реального времени (RTC) 32 кГц. Документация и ин-
струменты, поставляемые с модулем, содержат весь необходимый
код C для использования совместно с модулем управляющего ми-
кроконтроллера STM32, включая реализацию функций хранения
данных, одометра, определения геозоны, для помощи в разработке
дополнительного функционала приложений.

Помимо упрощения разработки приложений, модуль Teseo-LIV3F


обеспечивает высокие рабочие характеристики, включая чувстви-
тельность по слежению –163 дБм с точностью позиционирования
1,5  м и работу со сниженным энергопотреблением (17 мкВт в дежур-
ном режиме и 75 мВт при слежении). Продукт имеет сертификаты
FCC и CE.

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ TESEO-LIV3F:


• одновременная работа с разными спутниковыми навигационны-
ми системами;
• чувствительность по слежению –163 дБм;
• точность определения местоположения 1,5 м;
• встроенная память Flash 16 Мбит для хранения данных и обнов-
ления прошивки;
• диапазон напряжений питания от 2,1 до 4,3 В;
• тонкий 18-выводной корпус LLC размером 9,7×10,1 мм;
• рабочая температура –40…+85 °С;
• бесплатное конфигурирование прошивки;
По вопросам применения • энергопотребление 17 мкВт в дежурном режиме и 75 мВт при
и приобретения обращайтесь слежении.
в департамент активных компонентов
active@ptelectronics.ru

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


48 НОВОСТИ

XVIII МЕЖДУНАРОДНАЯ С 18 по 20 сентября 2018 в Санкт-Петербурге в КВЦ


«Экспофорум» прошла 18-я международная специали-
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННАЯ зированная выставка «Радиоэлектроника и приборо-
строение» (RADEL). Общая площадь выставки состави-
ВЫСТАВКА ла 3960  к в.м. Участие приняли более 100 компаний из 10
«РАДИОЭЛЕКТРОНИКА стран мира. Организатор — ВО «ФАРЭКСПО».

И ПРИБОРОСТРОЕНИЕ»: Впервые в России RADEL проводилась совместно


с международной выставочной компанией Messe
ТРИУМФ НА НОВОЙ München GmbH, организатором крупнейшей мировой
ПЛОЩАДКЕ выставки электроники, оборудования, компонентов
и технологий производства электроники Productronica.
Используя ресурсы глобальной сети Messe Munchen,
имеющей более 70 зарубежных представительств
и сети филиалов в Европе, Азии, Африке и Южной Аме-
рике, информация о выставке была распространена во
многих странах мира.

Несмотря на переезд на новую площадку «Экспофо-


рум», организаторам удалось увеличить количество по-
сетителей выставки на 20 %. Многие участники отметили
высокое качество посетителей, среди которых руково-
дители высшего звена, инженеры, разработчики, про-
ектировщики. Представителям удалось провести еще
больше продуктивных встреч с целевыми группами, за-
ключить договора на выгодных условиях, произвести
закупки, установить новые контакты с отечественными
и иностранными представителями ведущих компаний
рынка. Абсолютное большинство компаний положи-
тельно оценили переезд выставки в КВЦ «Экспофорум»,
обладающего самой современной выставочной инфра-
структурой.

В выставке приняли участие компании из России, Бела-


руси, США, Финляндии, Китая, Англии, Германии и дру-
гих стран. Традиционно свою продукцию представи-
ли такие известные фирмы, как: Keysight Technologies,
Rohde & Schwarz, Tecoo Electronics Co., Ltd, Клевер Элек-
троникс, ПРОСОФТ, ПРОЧИП, Глобал Инжиниринг, АВИВ
Групп, СЕРТЕК, ПРОТОН, Совтест АТЕ, МНИПИ, Миллаб и
многие другие. Впервые в выставке RADEL приняли уча-
стие компании ТЕСОН, Transfer Multisort Elektronik, ОКБ
Мэл, Уран, Контакт-Модуль, Томский Государственный
Университет. Многие участники представили послед-
ние разработки и новинки, которые были по достоин-
ству оценены специалистами.

Программа включала семинары на актуальные темы


отрасли, в частности, обсуждались такие вопросы как:
• новое поколение полупроводниковой продукции,
интегральных микросхем в том числе для приемно-
передающей аппаратуры;
• лазерная пайка и другие инновационные технологии
для производства микроэлектроники;
• новые программы для проектирования
и моделирования РЧ/С-ВЧ устройств;
• организация в области мелкосерийного
производства электроники, перспективные
разработки источников вторичного электропитания;
• новые полупроводниковые компоненты от
отечественных и зарубежных производителей
и другие.

В 2019 году выставка RADEL пройдет


17–19 сентября в КВЦ «ЭКСПОФОРУМ»
в павильоне H.
50 НОВОСТИ

Компания Lattice Semiconductor активно развивает направ-


LATTICE SEMICONDUCTOR ление SensAI и представляют новые отладочные средства.
ПРЕДСТАВЛЯЕТ НОВЫЕ 1. DPCONTROL ICEVISION BOARD
ОТЛАДОЧНЫЕ СРЕДСТВА Отладочная плата DPControl iCEVision Board позволяет раз-
работчикам взаимодействовать с сенсором изображения
С ПОДДЕРЖКОЙ SENSAI используя стандартные разъёмы.

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ:
• Микросхема iCE40 UltraPlus (iCE40UP5K) в корпусе
iCEVision Board

QFN
на 48 PIN с шагом 0,5 мм
• Три светодиода для индикации и отладки
DPControl

• Интерфейсы: Pmod, ArduCam, 24-pin CSI


• Загрузчик для работы через USB кабель
• Размер платы 50х50 мм

2. HIMAX HM01B0 UPDUINO SHIELD


Himax HM01B0 UPduino Shield позволяет разработчикам ре-
ализовать искусственный интеллект, используя зрение и
звук в качестве входных сенсоров.
Himax HM01B0
UPduino Shield

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ:
• FPGA ICE40UP на 5,3 K LUTs, 1 Мб SPRAM, 120 Кб DPRAM
• поддержка 30 кадров / с при 1,1 МВт
• 2 микрофона I2S
• SPI Flash, RGB светодиод, регулятор напряжения на 3,3 В
и 1,2 В
• индикаторы отладки

Платформа DPControl iCEVision Board доступна для заказа.


TM

Платформа Himax HM01B0 UPduino Shield будет доступна


для заказа уже в ноябре 2018 г.
По вопросам применения
и приобретения обращайтесь
к нашим специалистам в отдел активных
компонентов active@ptelectronics.ru

TE CONNECTIVITY FBL является частью серии FB и ориентирована на решения, требу-


ющие стандартных уровней производительности EMI. Светодиод-
РАСШИРЯЕТ ные драйверы имеют разные уровни интегрированной фильтрации,
но при подключении к нагрузке фильтрация может быть недоста-
ВОЗМОЖНОСТИ точной для возникающих помех.
ЛИНЕЙКИ ФИЛЬТРОВ Применение серия FBL повышает производительность решений
CORCOM СЕРИИ FB, для освещения, которые могут достигать более высоких токов,
а в версии продуктов FBL присутствуют фильтры на 10 и 20 A, позво-
ДОБАВЛЯЯ НОВЫЕ ляющие работать светотехнике, требующей 300 В переменного тока.
НОМЕРА СЕРИИ FBL
ПРЕИМУЩЕСТВА:
• компактные размеры;
• предназначены для работы с приложениями освещения, для
которых требуется 300 В переменного тока температура
окружающей среды 50° C и достичь более высоких токов

ПРИМЕНЕНИЕ:
• пускорегулирующая аппаратура
для флуоресцентных ламп;
• LED дисплеи;
• офисное и больничное освещение;
По вопросам приобретения • архитектурное освещение;
и применения обращайтесь в отдел • инструментальное освещение;
электромеханических компонентов • наружные вывески;
elmeh@ptelectronics.ru • ультрафиолетовые лампы.
МАЛОШУМЯЩИЕ
КВАРЦЕВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
· Ôîðìèðîâàíèå òàêòîâûõ èìïóëüñîâ îò 1 ÌÃö äî 3 ÃÃö OCXO
· Ìàêñèìàëüíàÿ ñòàáèëüíîñòü ÷àñòîòû íà âûõîäå ±5 ppb (íà 10 ÌÃö)
· Íèçêèé óðîâåíü äæèòòåðà ~11 ôñ (12 êÃö – 20 ÌÃö)
· Óðîâåíü ôàçîâûõ øóìîâ: XO
–33 äÁí/Ãö íà 10 Ãö;
–155 äÁí/Ãö íà 1 ÌÃö
· Ìàëîå ïîòðåáëåíèå TCXO
· Êîìïàêòíîå èñïîëíåíèå
· Âûõ. èíòåðôåéñ:
CMOS, LVPECL, LVDS, HCSL, Sinewave VCXO

VCSO

ВОЗМОЖЕН ЗЦОВ
ЗАКАЗ ОБРА

Единый телефон: 8-800-333-63-50


info@ptelectronics.ru | www.ptelectronics.ru
Офисы компании: Санкт-Петербург, Москва,
Чебоксары, Нижний Новгород, Екатеринбург,
Новосибирск, Ижевск, Таганрог,
ВЕСТНИК Пермь
ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018
52 АКТИВНЫЕ КОПМОНЕНТЫ

БЕСПРОВОДНАЯ NFC-ПАМЯТЬ
ОТ STMICROELECTRONICS

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

Технология NFC создавалась для ограниченного круга прило- Near Field Communication (NFC) представляет со-
жений, таких как бесконтактная оплата, электронные ключи, бой беспроводную технологию обмена данными,
электронные билеты и т. д. Однако идея обмена данными на работающую с радиодиапазоном 13,56  МГц, и яв-
сверхмалых расстояниях оказалась настолько удачной, что ляется развитием более ранних стандартов бес-
сейчас область применения NFC значительно расшилась. Ак- контактных карт ISO/IEC 14443 и ISO/IEC 15693.
тивные и пассивные интеллектуальные NFC-устройства ис- NFC-устройства объединяют функции при-
пользуются в промышленности, портативной электронике, вычной бесконтактной карты и ретранслятора
медицине, автомобильном транспорте и других отраслях. и способны выполнять двунаправленный обмен
В публикации предложен краткий обзор NFC-EEPROM с двой- данными, находясь в непосредственной близо-
ным интерфейсом от компании STMicroelectronics. сти друг от друга. Разделяют пассивные и актив-
ные NFC-устройства. Активные могут самосто-
ятельно создавать электромагнитное поле для
поддержания радиоканала. Пассивные не спо-
собны создавать радиоканал и работают только
в паре с активным устройством. Таким образом,
обмен данными имеет различный характер:
• эмуляция работы обычной бесконтактной
карты (CARD EMULATION MODE);
• обмен между пассивными и активными
NFC-устройствами (READER/WRITER MODE);
• обмен между двумя активными NFC-устрой-
ствами (PEER-TO-PEER MODE).
Изначально технология NFC была задума-
на как развитие бесконтактных карт для систем
оплаты, однако в дальнейшем превратилась
в полноценную беспроводную технологию об-
мена данными и нашла применение в самых
разных областях и устройствах. Например,
NFC-модули появились во многих современных
смартфонах, а поддержка данного стандарта
присутствует в ОС Android (начиная с версии 4.0), дарт. ISO/IEC 14443 предполагает обмен на рас-
iOS (начиная с версии iOS11), Windows (начиная стоянии до 10 см со скоростями 106–848   кбит/с
Рис. 1. с Windows 7). В промышленности NFC-устрой- (до 6,8 Мбит/с с VHBR). ISO/IEC 15693 позволяет
Номенклатура ства применяются для логистики, постпроиз- осуществлять обмен на дистанциях более 10 см
NFC-решений от водственного программирования и бескон- со скоростями до 53 кбит/с.
STMicroelectronics тактного управления. В автомобилях NFC-метки От ISO/IEC 14443 и ISO/IEC 15693 технология
заменяют привычные ключи зажигания. NFC унаследовала и физическую реализацию ка-
Широкую номенклатуру NFC-решений пред- нала передачи данных. Параметры радиоканала
лагает компания STMicroelectronics: от пассив- определяются в стандарте ISO/IEC 18000 Часть 3
ных NFC-устройств до NFC-контроллеров (рис. 1). «Параметры для интерфейса воздушных комму-
Данная статья посвящена наиболее интересно- никаций в 13,56 МГц».
му сегменту NFC-устройств от STMicroelectronics,
а именно памяти EEPROM с двойным интерфей- Таблица 1.
сом. Эти микросхемы отвечают требованиям Базовые стандарты NFC-технологии
стандартов ISO/IEC 14443 и ISO/IEC 15693 и яв-
ляются практически готовым решением с точки
зрения организации беспроводного радиокана- СТАНДАРТ ОПИСАНИЕ

ла ближнего радиуса действия.


Базовый стандарт, описываю-
NFC: ОСОБЕННОСТИ ISO/IEC 18092
щий NFC
И СТАНДАРТЫ
ГОСТ Р ИСО/МЭК Переведенный и адаптирован-
Говоря о NFC, следует кратко коснуться основ- 18092-2015 ный вариант ISO/IEC 18092
ных отраслевых стандартов, определяющих дан-
Стандарт, описывающий пове-
ную технологию (табл. 1). дение и протоколы бескон-
Основные положения, относящиеся к NFC, ISO/IEC 14443 тактных пассивных карт (RFID)
ближнего радиуса действия (до
представлены в стандарте ISO/IEC 18092. В Рос- 10 см) и ридеров
сии существует переведенный и адаптирован- Стандарт, описывающий пове-
ный аналог — ГОСТ Р ИСО/МЭК 18092-2015 «Те- дение и протоколы бесконтакт-
ISO/IEC 15693 ных пассивных карт (RFID) даль-
лекоммуникации и обмен информацией между него радиуса действия (более
системами. Коммуникация в ближнем поле. Ин- 10 см) и ридеров
терфейс и протокол (NFCIP-1)». Стандарт ISO/IEC 18000 Часть
3. Параметры для интерфейса
ГОСТ Р ИСО/МЭК 18092-2015 определяет ре- ISO/IEC 18000-3M3
воздушных коммуникаций
жимы индуктивной связи устройств, работаю- в 13,56 МГц
щих на центральной частоте 13,56 МГц, интер-
фейс и протокол коммуникации при активном
и пассивном режиме связи, схемы модуляции, EEPROM С ДВОЙНЫМ
кодирования, скорости передачи и радио- ИНТЕРФЕЙСОМ ОТ
частотную структуру интерфейса устройств STMICROELECTRONICS
NFC, схемы инициализации и условия, необхо- Наиболее интересным NFC-решением от STMi-
димые для контроля за конфликтными ситуаци- croelectronics представляются активные NFC-
ями во время инициализации. устройства серий M24LR, M24SR, ST25DV-I2C
Как уже было сказано, изначально технология и ST25DV-PWM. По сути, это микросхемы
NFC создавалась как развитие стандартов бес- EEPROM с двойным интерфейсом (рис. 2). Серии
контактных карт ISO/IEC 14443 и ISO/IEC 15693. По M24LR, M24SR, ST25DV-I2C обеспечивают доступ
этой причине NFC-устройства совместимы с су- к EEPROM со стороны других NFC-устройств
ществующей инфраструктурой бесконтактных по радиоканалу, а также доступ со стороны
карт. Для подтверждения совместимости в до- управляющего микроконтроллера по I2C. Серия
кументации указывается соответствующий стан- ST25DV-PWM вместо I2C имеет ШИМ-выходы.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


54 АКТИВНЫЕ КОПМОНЕНТЫ

Между собой серии M24LR, M24SR, ST25DV- Дальность действия радиоканала напрямую
I2C и ST25DV-PWM различаются параметрами определяет и скорость передачи данных. Для
Рис. 2.
NFC-канала, характеристиками памяти, эксплуа- представителей серии M24SR скорость дости-
Блок-схема
тационными характеристиками и наличием до- гает 106 кбит/с, в то время как для остальных
NFC-устройств
полнительных особенностей. Поскольку статья микросхем стандартная скорость составляет
с EEPROM
посвящена NFC, то начать ее следует именно с двойным
26  кбит/с. Для M24LR, ST25DV возможна частота
с рассмотрения параметров NFC-канала и до- интерфейсом обмена 53  кбит/с.
полнительных функций микросхем. Вторым рабочим интерфейсом для серий
M24LR, M24SR, ST25DV-I2C является I2C, максималь-
ХАРАКТЕРИСТИКИ ная частота обмена по которому составляет 1 МГц
NFC-КАНАЛА для M24LR и ST25DV-I2C, и 400 кГц для M24SR.
И ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ В микросхемах ST25DV-PWM отсутству-
ОСОБЕННОСТИ EEPROM ет I2C-интерфейс. Вместо него в распоряже-
С ДВОЙНЫМ ИНТЕРФЕЙСОМ нии пользователя оказывается один или два
Серии EEPROM с двойным интерфейсом имеют ШИМ-выхода (табл. 3). Суть данного решения
различную дальность действия и скорость об- достаточно очевидна: благодаря таким микро-
мена данными по NFC. Серия M24SR совместима схемам можно обойтись без дополнительного
со стандартом ISO14443 и может обеспечивать управляющего микроконтроллера в целом ряде
обмен информацией с другими NFC-устройства- простых приборов, таких как светодиодные све-
ми на расстояниях до 10 см (табл. 2). Остальные тильники, устройства с электродвигателями (на-
серии — M24LR, ST25DV-I2C и ST25DV-PWM — пример, электронные замки) и т. д.
совместимы со стандартом ISO15693 и имеют Выходная частота ШИМ-сигнала в ST25DV-
увеличенный радиус действия до 1 м. PWM может быть запрограммирована в диа-

Таблица 2.
Особенности серий EEPROM с двойным интерфейсом

ПАРАМЕТР M24SR M24LR ST25DV-I2C ST25DV-PWM

ВЧ-диапазон Ближний диапазон (до 10 см) Дальний диапазон (до 1 м) Дальний диапазон (до 1 м) Дальний диапазон (до 1 м)

Стандарт ISO14443 ISO15693 ISO15693 ISO15693

До 53 кбит/с До 53 кбит/с
Скорость обмена 106 кбит/с 26 кбит/с
(стандарт 26 кбит/с) (стандарт 26 кбит/с)

Последовательный интерфейс I2C, скорость 1 МГц I2C, скорость 400 кГц I2C, скорость 1 МГц -

Функция быстрого обмена


- - Есть (буфер 256 байт) -
(Fast Transfer mode)
Функция сбора энергии
- Есть Есть -
(Energy Harvesting)
Цифровые выходы С открытым стоком (open С открытым стоком (open С открытым стоком или
ШИМ
(Digital output ) drain) drain) КМОП
Режим пониженного Режим пониженного
Дополнительные функции Отключение ВЧ-интерфейса -
потребления потребления
пазоне 488–31250 Гц. Разрядность зависит от этого могут быть использованы цифровые выхо-
частоты и достигает 15 бит при 488 Гц ШИМ. Ми- ды с открытым истоком. В серии ST25DV-I2C есть
кросхема способна обеспечивать выходной ток модели с КМОП-выходами.
до 4  мА. Конечно же, этого недостаточно для Важным достоинством микросхем ST25DV-
прямого управления электродвигателем или I2C является наличие встроенного буфера объ-
мощным светодиодом, соответственно, в зави- емом 256 байт. С его помощью удается реализо-
симости от приложения в схеме может понадо- вать функцию быстрого обмена данными (Fast
биться усилитель или драйвер. Transfer mode) между контроллером и внешним
NFC-устройством.
Таблица 3. Также следует отметить интересную функ-
Параметры ШИМ в микросхемах ST25DV- цию сбора энергии (Energy Harvesting), кото-
PWM рая присутствует в сериях M24LR и ST25DV-I2C.
Эти микросхемы способны собирать энергию
внешнего электромагнитного поля, создава-
ПАРАМЕТР ЗНАЧЕНИЕ
емого ридером, и применять ее не только для
собственного питания, но и для питания других
Частота ШИМ 488–31250 Гц компонентов схемы. Разумеется, речь не идет
о передаче значительной мощности, но при ис-
±10% (во всем диапазоне тем- пользовании современных малопотребляющих
Точность
ператур)
компонентов этого вполне достаточно для ши-
Количество
1 или 2 рокого круга приложений.
ШИМ-выходов

9 бит при частоте 31,25 кГц ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ


Разрешение 12 бит при частоте 3,9 кГц
15 бит при частоте 488 Гц ХАРАКТЕРИСТИКИ
Напряжение пи-
И ПАРАМЕТРЫ EEPROM
1,8–5,5 В Не надо забывать, что M24LR, M24SR, ST25DV-I2C
тания
и ST25DV-PWM — это в первую очередь микро-
Выходной ток
ШИМ-каналов
до 4 мА схемы памяти, а потому следует рассмотреть
и соответствующие параметры данных компо-
Время запуска менее 3 мс нентов (табл. 4).
Все представленные серии имеют объем
памяти EEPROM до 64 кбит, за исключением
В остальных сериях — M24LR, M24SR, ST25DV- ST25DV-PWM, для которой существуют только
I2C — также существует возможность реализа- 2-кбит модели.
ции простейших функций управления без уча- Для защиты данных от взлома разработчи-
стия дополнительного микроконтроллера. Для кам предлагается использовать пароли, кроме

Таблица 4.
Эксплуатационные характеристики и параметры EEPROM

ПАРАМЕТР M24SR M24LR ST25DV-I2C ST25DV-PWM

Тип памяти EEPROM (формат NDEF) EEPROM EEPROM EEPROM

Объем памяти 2/4/16/64 кбит 4/16/64 кбит 4/16/64 кбит 2 кбит

Пароль 64-бит, цифровая


Защита данных Пароль 128-бит Пароль 32-бит Пароль 64-бит
подпись

Срок хранения данных 200 лет при +55 °C 40 лет при +55 °C 40 лет при +55 °C 40 лет при +55 °C

1M циклов при +25 °C


1M циклов при +25 °C
1M циклов при +25 °C 600k циклов при +85 °C
Циклов записи/чтения 600k циклов при +85 °C 100k циклов при +85 °C
100k циклов при +85 °C 500k циклов при +105 °C
500k циклов при +105 °C
400k циклов при +125 °C
–40...+85 °C –40...+85 °C –40...+85 °C
Диапазон рабочих температур –40...+85 °C
–40...+105 °C (85 °C RF) –40...+105 °C (85 °C RF) –40...+105 °C (85 °C RF)
SO8/TSSOP8/
SO8/ TSSOP8/ UFDFPN8/
Корпус SO8/TSSOP8/UFDFPN8/SBN* UFDFPN8/UFDFPN12/ SO8/TSSOP8
SBN*
WLCSP10/SBN*

Примечание. * Ряд моделей может поставляться в бескорпусном исполнении SBN.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


56 АКТИВНЫЕ КОПМОНЕНТЫ

того, в ST25DV-PWM присутствует блок цифро- ОБЗОР МОДЕЛЬНОГО


вой подписи TruST25. РЯДА EEPROM С ДВОЙНЫМ
С точки зрения длительности хранения дан- ИНТЕРФЕЙСОМ ОТ
ных серии также различаются. При этом вы- STMICROELECTRONICS
деляется серия M24SR. По утверждениям В настоящий момент номенклатура EEPROM
STMicroelectronics, представители M24SR спо- с двойным интерфейсом от STMicroelectronics
собны сохранять информацию в течение 200 лет включает более десятка моделей. Кроме того,
при температуре +55 °С. каждая модель имеет различные корпусные ис-
Для всех микросхем рабочий диапазон тем- полнения: SO8, TSSOP8, UFDFPN (табл. 5).
ператур при использовании NFC-канала состав-
ляет –40…+85 °C. Если же радиоинтерфейс не ИНСТРУМЕНТЫ РАЗРАБОТКИ
используется, возможна работа в диапазоне И ОТЛАДКИ
–40…+105 °C (кроме M24LR). Важное преимущество продукции STMicro-
Анализируя характеристики отдельных се- electronics — хорошая техническая поддерж-
рий, трудно дать какие-либо рекомендации ка. Специалистам предлагается весь спектр
по применению в той или иной области. Ско- средств разработки и отладки: программные би-
рее выбор будет основываться на особенно- блиотеки, оценочные наборы, огромный пере-
стях конкретного приложения. Тем не менее ми- чень руководств и документации, утилита для
кросхемы EEPROM с двойным интерфейсом от расчета печатных катушек.
STMicroelectronics будут востребованы в быто- Для каждой серии микросхем (за исключени-
вых приложениях, медицинской технике, про- ем самой новой серии ST25DV-PWM) выпускают-
мышленном оборудовании, в портативной элек- ся различные отладочные наборы. При этом су-
тронике и иных областях. ществует выбор между законченными наборами

Таблица 5.
Номенклатура EEPROM с двойным интерфейсом от STMicroelectronics

ФУНКЦИЯ
ВЫХОД ДИСТАНЦИЯ,
СТАНДАРТ EEPROM, БИТ КОРПУС ИНТЕРФЕЙС СБОРА ПАРОЛЬ UПИТ, В
СТАТУСА RF М
ЭНЕРГИИ

ISO15693 2048 SO8, TSSOP8 1×ШИМ – – 64/32-бит 1,8–5,5 1

ISO15693 4096 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть есть 32-бит 1,8–5,5 1,5

ISO15693 16384 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть есть 32-бит 1,8–5,5 1,5

ISO15693 65536 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть есть 32-бит 1,8–5,5 1,5

ISO14443 2048 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть – 128-бит 2,7–5,5 0,1

ISO14443 4096 UFDFPN 8 I2C есть – 128-бит 2,4 0,1

ISO14443 4096 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть – 128-бит 2,7–5,5 0,1

ISO14443 16384 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть – 128-бит 2,7–5,5 0,1

ISO14443 65536 SO8, TSSOP8, UFDFPN 8 I2C есть – 128-бит 2,7–5,5 0,1

ISO15693 2048 SO8, TSSOP8 2×ШИМ – – 64/32-бит 1,8–5,5 1

SO8, TSSOP8, UFDFPN 12L,


ISO15693 4096 I2C есть есть 64-бит 1,8–5,5 1
UFDFPN 8, WLCSP10

SO8, TSSOP8, UFDFPN 12L,


ISO15693 16384 I2C есть есть 64-бит 1,8–5,5 1
UFDFPN 8, WLCSP10

SO8, TSSOP8, UFDFPN 12L,


ISO15693 65536 I2C есть есть 64-бит 1,8–5,5 1
UFDFPN 8, WLCSP10
же антеннами. Для NFC применяются как печат-
ные антенны, так и SMD-индуктивности.
Расчет печатной антенны может оказаться
наиболее пугающим этапом разработки, поэ-
тому STMicroelectronics предлагает использо-
вать для таких целей простую утилиту. От раз-
работчика требуется лишь ввести параметры
антенны (число витков, длина, ширина), параме-
тры проводников (ширина, зазор, толщина ме-
Рис. 3. таллизации), параметры основания (толщина,
Отладочные наборы диэлектрическая проницаемость), после чего
для M24SR
программа автоматически высчитает величину
эквивалентной индуктивности (рис. 6).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Рис. 4.
Технология NFC является дальнейшим развити-
Отладочные наборы ем бесконтактных устройств ближнего радиуса
для M24LR действия и имеет обратную совместимость со
всей существующей инфраструктурой бескон-
тактных карт, поддерживающих стандарты ISO/
Рис. 5.
IEC 14443 и ISO/IEC 15693.
Отладочные наборы Компания STMicroelectronics предлагает ши-
для ST25DV рокий выбор NFC-решений, начиная от пассив-
ных устройств и заканчивая NFC-контролле-
рами. Данная статья посвящена микросхемам
EEPROM с двойным интерфейсом. На сегодня
STMicroelectronics выпускает три серии микро-
схем, обеспечивающих доступ к памяти через
NFC-радиоканал и I2C-интерфейс:
• M24SR с объемом до 64 кбит и радиусом дей-
ствия до 10 см;
• M24LR с объемом до 64 кбит, с увеличенным ра-
диусом действия и функцией сбора энергии;
• ST25DV-I2C с объемом до 64 кбит, с увеличен-
Discovery и платами расширения для фирмен- ным радиусом действия, с функцией сбора
ных стеков Nucleo от STMicroelectronics (рис. 3–5). энергии и возможностью ускоренного обмена
Каждый из наборов сопровождается програм- между микроконтроллером и NFC-ридером.
мным пакетом с примерами и библиотеками. Эти микросхемы могут использоваться в бы-
Рис. 6. Большая часть микросхем имеет повывод- товых приложениях, медицинской технике, про-
Утилита для расчета ную совместимость (8-выводные корпуса), кро- мышленном оборудовании, в портативной элек-
печатной антенны ме того, они способны работать с одними и теми тронике и т. д.
Особое место в номенклатуре STMicroelec-
tronics занимает серия ST25DV-PWM, у ко-
торой вместо I2C реализованы ШИМ-выхо-
ды. Такая особенность позволяет отказаться
от управляющего контроллера в целом ряде
приложений, например при создании
светодиодных светильников
или электронных замков.

Литература
1. Документация с сайта www.st.com

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


58 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

НОВЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ


ДИАПАЗОНА KA-BAND
ПРОИЗВОДСТВА MACOM

Виктор Алексеев, к. ф.-м. н.

Американская корпорация MACOM, один из мировых лидеров Диапазоны частот, выделенные регламентом
в производстве комплектующих и оборудования для беспро- IEEE для систем спутниковой связи, приведены
водных, спутниковых и оптоволоконных сетей, в середине июня в таблице 1.
2018 года объявила о выпуске нового семейства усилителей Для современных систем спутниковой свя-
мощности для диапазона Ka-band с выходной мощностью 2; 2,3; зи IEEE выделил так называемый К-диапазон
3; 4 и 6 Вт. Новая серия предназначена для работы в диапазо- (K-band) в интервале частот 18–27 ГГц.
нах частот 27–31,5 ГГц и может быть использована в таких пер- В свою очередь К-диапазон подразделяется
спективных направлениях, как, например, наземные станции на поддиапазон Ku-band (K under), расположен-
SATCOM и VSAT, и в различных приложениях типа P2P интервала ный ниже К-диапазона с границами 12–18 ГГц,
Ka-band (26 и 28 ГГц). и Ka-band, находящийся выше K-band с граница-
ми 26,5–40 ГГц. Следует особо подчеркнуть, что
ITU строго не регламентирует границы Ka-диа-
пазона. Этот вопрос решается в рамках допол-
нительных региональных законов разных стран
мира [1].
ДИАПАЗОН ЧАСТОТ В Ku-диапазоне работают практически все
САНТИМЕТРОВЫХ ДЛИН классические VSAT-сети. Для спутникового те-
ВОЛН — K-BAND левидения используется также С-диапазон
В середине июня 2018 года корпорация MACOM (3,5–4,2  ГГц). Европейские спутники передают
объявила о выпуске нового семейства усилите- телевизионные программы в основном в Ku-ди-
лей мощности для диапазона Ka-band с выход- апазоне, в то время как российские и азиатские
ной мощностью 2; 2,3; 3; 4 и 6 Вт. Как утвержда- спутники функционируют в обоих частотных
ется в анонсе MACOM, новые усилители имеют диапазонах. Диапазон Ku имеет практическое
на сегодня лучшие показатели по линейности преимущество перед С-диапазоном. Поскольку
и IM3 среди устройств подобного класса произ- к Ku-диапазону относятся более высокие часто-
водства других фирм. ты, то для приема сигналов предусмотрены па-
Использование определенных частотных ди- раболические антенны небольших размеров
апазонов в системах радиосвязи регулируется с диаметром меньше 1 м. Оборудование для
документами Международного союза электро- К-диапазона существенно дешевле оборудова-
связи (IEEE). ния С-диапазона.
Таблица 1.
Диапазоны частот, выделенные Спутник
Рис. 2.
регламентом IEEE для систем
Схема
спутниковой связи использования
нескольких
приемников для
НАИМЕНОВАНИЕ ПОЛОСА ЧАСТОТ, ГГЦ
компенсации
«эффекта дождя» Вторичная
VHF-диапазон 30–300 МГц в Ka-диапазоне наземная станция
Удаленный
терминал
Первичная
L-диапазон 1,0–2,0
наземная станция

S-диапазон 2,0–4,0

C-диапазон 4,0–7,0 тельные помехи. Для компенсации данного яв-


ления применяются специальные методы, осно-
X-диапазон 7,0–10,7
ванные на краткосрочном усилении мощности
Ku-диапазон 10,70–12,75 и 12,75–14,80 передатчика во время дождя.
Другой метод исключения эффекта дождя за-
K-диапазон 18–27 ключается в применении нескольких приемни-
ков, удаленных друг от друга на несколько кило-
Ka-диапазон 26,5–40
метров (рис. 2).

Необходимо обратить внимание на то, что


K-диапазон имеет существенные недостатки,
связанные с поглощением излучения молекула-
ми воды в атмосферном воздухе. На рис. 1 пока-
зана зависимость ослабления сигнала спутника,
вызванная атмосферной влагой, для различных
частотных диапазонов [2].
Оба диапазона (Ka и Ku) более чувствительны
Рис. 1.
к резонансному поглощению сигналов спутни-
Зависимость
ка дождем, снегом и плотным туманом на часто-
ослабления
тах в районе 10 ГГц, где этот эффект проявляется сигнала спутника
максимально. Диапазон Ka более чувствителен атмосферной
Гуряева Антонина,
к «эффекту дождя», который может вызвать по- инженер по внедрению
влагой для
департамента активных компонентов
тери сигнала вплоть до 10 дБ. Кроме того, нали- различных
пание снега на поверхность антенны наземного частотных
Antonina.guryaeva@ptelectronics.ru
приемника сигнала способно вызвать нежела- диапазонов

Новое семейство высокопроизводитель-


ных экономичных усилителей мощности
Ka-диапазона обладает лучшими показате-
лями по линейности и IM3 в своем классе
и как нельзя лучше подойдет для решения
задач спутниковой широкополосной свя-
зи. Усилители предлагаются в компактном
AQFN-корпусе по бессвинцовой техноло-
гии или в бескорпусном исполнении. Для
заказа уже доступны отладочные платы
и образцы.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


60 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Информация со спутника принимается той добавленной мощности (Power Added Effi-


наземной станцией, у которой на данный мо- ciency — PAE), обратными потерями и уровнем
мент наблюдается наименьший уровень помех интермодуляции третьего порядка (IM3) (рис. 3).
и наилучший уровень сигнала.

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ Рис. 3.


ХАРАКТЕРИСТИКИ Параметры
УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ усилителей
СЕМЕЙСТВА MAAP-011XXX мощности: Psat,
В настоящее время в серию входят следую- P1dB, Linear Gain
щие модели усилителей мощности (УМ): MAAP-
011246, 2 W; MAAP-011298, 2,3 W; MAAP-011289,
3 W; MAAP-011233, 4 W и MAAP-011140-DIE, 6 W.
Между собой модели различаются количеством
каскадов, выходной мощностью, частотным ди-
апазоном, линейностью усиления, выходной Все усилители этой серии изготовлены по ар-
мощностью насыщения (Psat — saturated power сенид-галлиевой псевдоморфной технологии
output), мощностью в однодецибельной точ- (GaAs — pHEMT pseudomorphic high electron
ке компрессии (1-dB compression point), КПД mobility transistor).

Таблица 2.
Основные технические характеристики усилителей мощности семейства MAAP-011XXX

ЕДИНИЦЫ MAAP–011246, MAAP–011298, MAAP–011289, MAAP–011233, MAAP–011140–DIE,


ПАРАМЕТР
ИЗМЕРЕНИЯ 2W 2,3 W 3W 4W 6W

Диапазон частот ГГц 27,5–31,5 27,0–31,5 28,0–30,0 28,5–31,0 27,5–30,0

Линейность усиления (Linear Gain) дБ 24 24,5 24 25 24

Мощность в однодецибельной
дБм 32 32,5 34 34,5 37,5
точке компрессии (P1dB)
Выходная мощность насыщения
дБм 34 34 36 36 38,5
(PSAT)
КПД добавленной мощности
% 29 26 23 27,5 23
(Power Added Efficiency)
Входные обратные потери
дБ 10 10 10 10 12
(Input Return Loss)
Выходные обратные потери
дБ 14 10 14 10 12
(Output Return Loss)
Интермодуляция третьего порядка
дБн –25 @ 27 дБм –17,5 @ 30 дБм –18 @ 30 дБм –27 @ 29 дБм –24 @ 33 дБм
(IM3 Level)
Ток в рабочей точке
мА Idq 900 н,д 2000 3000
(Quiescent Current)

Ток насыщения (Current) мА PSAT (PIN = 15 дБм) 1450 н,д 3000 5250

Напряжение смещения (Bias voltage) В Idq 6

Максимально допустимая входная


дБ 15 н,д 14 19
мощность

Диапазон рабочих температур °С –40…+85

Температура хранения °C –65…+150

Бескорпусная
Корпус AQFN 32-lead
модель
3,6×3,8×0,05 (размер
Габаритные размеры мм 5×5
кристалла)

Среднее время наработки на отказ ч T < 160 °C 1 000 000


Основные технические характеристики уси- 011233. Выключение усилителя происходит при
лителей мощности семейства MAAP-011XXX подаче напряжения VD, равного нулю.
приведены в таблице 2. Усилители MAAP-011ххх очень устойчивы
Усилитель MAAP-011140-DIE выпускается к изменениям напряжения смещения и рабочей
в бескорпусном варианте. Остальные модели температуры в допустимых эксплуатационных
выполнены в конструктиве AQFN 32-lead (рис. 4). интервалах.
Типовая схема включения усилителя MAAP- На рис. 6 показаны зависимости от часто-
011140 показана на рис. 5. ты коэффициента передачи падающей волны
от входа к выходу (S21) для температур –40, +25,
+85 °С (MAAP-011140). Видно, что во всем интер-
вале частот 27,5–30,0 ГГц изменение темпера-
Рис. 4.
Внешний вид
туры в диапазоне –40…+85 °С практически не
усилителей влияет на линейности АЧХ. То же самое можно
мощности сказать и о зависимости S21 от частоты для раз-
MAAP-011246, ных значений напряжений смещения. Деталь-
MAAP-011298, ные графики изменения ключевых параметров,
MAAP-011289, приведенные в таблице 2, при различных режи-
MAAP-011233 мах эксплуатации можно найти в техническом
описании на усилители [3].
Например, зависимость от частоты параме-
тра S11 (коэффициент отражения от входа), ха-
рактеризующая входные обратные потери, име-
ет вид параболы с минимумом между 28,5 ГГц
Рис. 5.
и 29 ГГц и ветвями в районе –10 и –20 дБ. Эти па-
Типовая схема
раметры также устойчивы к изменениям темпе-
включения
ратуры и смещения.
усилителя
MAAP-011140
Следует обратить внимание на то, что кон-
струкция печатной платы, на которой монтиру-
ется микросхема усилителя в конечном устрой-
стве, во многом определяет качество работы.
Высокие частоты гигагерцевого диапазона мо-
гут вызывать различного рода наводки и иска-
жения. Поэтому очень важное значение имеет
конструкция печатной платы, размеры различ-
ных проводников и расположение на ней ми-
кросхем и внешних компонентов.

Рис. 6.
Зависимости
от частоты
коэффициента
передачи
падающей
Конструкция усилителей MAAP-011ххх позво- волны от входа
ляет быстро монтировать их на системной пла- к выходу (S21)
те с использованием минимума внешних ком- для температур
понентов. Внешнее управление всех каскадов –40, +25, +85 °С
усилителя осуществляется с помощью одного (MAAP-011140)
напряжения VG, которое регулирует напряже-
ние смещения VD.
Удаленное включение усилителей реализу- Конструкция печатной платы, рекомендован-
ется при подаче на входы VG уровня –1,5 В и на ная разработчиками MACOM для MAAP-011233,
входы VD уровня 6 В. Регулировать ток в рабочей показана на рис. 7. Описание и точные размеры
точке можно также, изменяя значения VG, напри- этой платы приведены в техническом описании
мер в диапазоне –0,9…–1 В для модели MAAP- на данную модель.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


62 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

ников. Однако сигналы Ka-диапазона обычно ха-


рактеризуются более высокими значениями EIRP,
Рис. 7.
Конструкция
чем Ku-диапазона, поскольку луч Ka-диапазона
печатной платы, больше сфокусирован, что, в свою очередь, авто-
рекомендованная матически приводит к меньшему охвату на Земле.
разработчиками Поскольку коэффициент отражения пропор-
MACOM для ционален квадрату частоты, антенные отражате-
усилителя ли Ka-диапазона значительно меньше и дешевле
мощности отражателей Ku-диапазона.
MAAP-011233 Новое поколение спутников HTS обеспечива-
ет значительное увеличение общей пропускной
способности по сравнению с традиционными
спутниками. Так, спутник ViaSat-1 имеет общую
скорость передачи данных около 140  Гбит/с.
Основное отличие новых HTS-спутников
Для разработки изделий с использовани- К-диапазона от традиционных спутников связи
ем усилителей мощности MAAP-011xxx пред- (Regular FSS satellites) заключается в примене-
назначены отладочные комплекты, в частности нии технологии множества сфокусированных
MAAP-011233-SMB. Более подробные техниче- лучей (spot-beam), позволяющей повторно ис-
ские характеристики усилителей мощности се- пользовать полосу частот в желаемой зоне по-
мейства MAAP-011xxx доступны на сайте про- крытия. Базовым элементом этой технологии
изводителя. являются многолучевые зеркальные антенные
системы (Multibeam Antenna Systems — MAS),
ОБЛАСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ которые позволяют формировать рабочую зону
НОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ HTS-спутника с помощью узконаправленных лу-
МОЩНОСТИ СЕМЕЙСТВА чей. Сегодня наиболее перспективным вари-
MAAP-011XXX антом многолучевых зеркальных антенн счи-
Наибольшие темпы роста продаж устройств ди- тается конструкция «один рупор — один луч».
апазона Ka-band специалисты связывают с раз- При этом можно использовать три или больше
витием спутниковых систем широкополосно- многолучевых приемопередающих антенн. На-
го доступа (ССС-ШПД), предназначенных для пример, спутник Ka-Sat, оборудованный четырь-
массового и индивидуального использова- мя раскрываемыми многоканальными антенна-
ния. Поэтому наиболее перспективным сегмен- ми и ретранслятором повышенной точности,
том рынка для усилителей мощности семей- формирует 82 точечных луча на территории
ства MAAP011xxx являются наземные станции Европы и северного побережья Африки [4].
SATCOM и VSAT (рис. 2). С помощью антенных систем MAS формиру-
Для передачи информации в направлении ются лучи шириной диаграммы направленности
спутник — Земля (Downlink — DL) в диапазо- 0,3–0,5°. Количество лучей в сложных системах
не Ka отводятся интервалы 18,3–18,8 ГГц и 19,7– может варьироваться от нескольких десятков
20,2  ГГц. Для направления Земля — спутник до нескольких сотен. В отличие от новых спут-
(Uplink — UP) используется интервал 27,5–31 ГГц. ников HTS, традиционные спутники FSS форми-
Диапазоны 20,2–21,2 ГГц и 30,0–31,0 ГГц пред- руют один широкий луч с большой зоной охвата.
назначены соответственно для приема и пере- Поскольку пропускная способность спутни-
дачи в основном военными и специальными ков HTS намного выше, чем у спутников FSS, а га-
спутниками связи. бариты антенн и вес оборудования меньше, то
Усилители мощности MAAP-011 рассчитаны спутники нового поколения позволяют снизить
на работу в частотных диапазонах, в которых себестоимость передачи единицы информации
действует большинство спутников нового по- в десятки раз по сравнению с традиционными
коления, отличающихся высокой пропускной спутниками, используемыми для аналогичных
способностью (HTS — high-throughput satellite): задач ШПД. Кроме того, нужно учитывать и бо-
27,5–31 ГГц (UL) и 17,7–21,2 ГГц (DL). лее современные технологии запуска спутников
Если спутники Ka- и Ku-диапазона имеют HTS и уменьшение размеров компонентов.
одинаковые выходные усилители и фокусиров- Следует обратить внимание на такой нема-
ку луча, то эквивалентная изотропно-излучае- ловажный фактор, как повторное использова-
мая мощность (Equivalent Isotropically Radiated ние диапазона. Площадь зоны покрытия обрат-
|Power — EIRP) будет одинакова для обоих спут- но пропорциональна количеству повторного
использования диапазона. Так, диапазон С мож- тые телевизионные контуры (CCTV — Closed
но повторно применять не более пяти раз. Уз- Circuit Television). Это современные системы ви-
кий направленный луч диапазона Kа позволяет деонаблюдения, в которых оптические кабели
увеличить повторное использование в десятки заменены беспроводными высокочастотными
раз. Например, геостационарный спутник iPStar-1 линиями связи P2P[6].
(Thaicom 4) обеспечивает широкополосную связь
примерно в ста зонах Азии, Индии и Австралии ЗАКЛЮЧЕНИЕ
в различные интервалы времени [5]. Согласно оценкам ведущих специалистов, вклад
Другая область возможного применения устройств, работающих в Ка-диапазоне, будет
усилителей мощности MAAP-011xxx связана постоянно расти. Доходы корпоративных се-
с высокочастотными приложениями IoT и сетя- тей передачи данных, за счет предоставляющих
ми 5G. сервисные услуги с помощью систем HTS, бу-
На последнем заседании рабочей группы дут ежегодно увеличиваться. По оценкам NSR,
3GPP, состоявшемся весной 2018 года, были одо- в 2024 году около 40% доходов будут приносить
брены два новых высокочастотных диапазона геостационарные GEO-HTS-системы и средне-
для устройств мобильной связи поколения 5G: орбитальные Non GEO-HTS (в 2014 году на долю
band n257 с интервалом 26,5–29,5 ГГц, получив- таких систем приходилось менее 10%). Вероят-
ший название «28 GHz», и band n258 с интерва- нее всего, в дальнейшем ССС станут развиваться
лом 24,25–27,5 ГГц, именуемый «26 GHz» (рис. 8). в направлении совместимости глобальных спут-
Основные преимущества новых диапазо- никовых систем FSS, которые в значительной
нов — увеличение скоростей обмена данными степени ориентированы на видеоприложения,
и небольших систем HTS, предназначенных для
передачи данных.
Наибольший рост числа наземных служб ССС
ожидается для систем Satcom-VSAT, в кото-
рых один спутник может обслуживать множе-
ство мелких терминалов с дешевыми антенна-
ми, имеющими очень маленькую внутреннюю
и качественное улучшение спектральных харак- приемную сторону «тарелки» (апертуру). Ожи-
Рис. 8.
теристик. Уже сегодня можно наблюдать недоста- дается, что в Ka-диапазоне, за счет многолуче-
Новые
ток частотных ресурсов и перегруженность не- вой технологии и повторного использования
высокочастотные
интервалы
которых диапазонов. Вместе с тем ожидается, что частотного диапазона, в недалеком будущем
стандарта 3GPP 5G в ближайшие годы объем передаваемых данных стоимость небольших HTS-спутников с про-
в беспроводных сетях увеличится в сотни, а в не- пускной способностью около 40 Гбит/с удаст-
которых областях и в тысячи раз. Все это вызы- ся заметно снизить. Это позволит крупным
вает потребность выделения новых частотных корпорациям запускать собственные спут-
диапазонов, увеличения скоростей передачи, ники, которые будут осуществлять ШПД на
уменьшения времени задержек в сети и сниже- территориях, где сегодня связь либо очень
ния себестоимости обслуживания сетей. Осо- слаба, либо вообще
бенно это относится к обмену информацией отсутствует.
с движущимися на больших скоростях транспорт-
ными средствами. Новые частотные диапазоны
26 и 28 ГГц очевидно помогут решению подобных
вопросов. Переход части абонентов в высоко-
частотные диапазоны будет способствовать ре-
шению все нарастающих проблем, возникающих Литература
в процессе обмена информацией между базовой 1. www.itu.int/dms_pub/itu-r/md/12/iturka.band/c/R12-
станцией (base stations) и опорной сетью опера- ITURKA.BAND-C-0001!!PDF-E.pdf
тора сотовой связи (core networks). Кроме того, 2. www.dsta.gov.sg/docs/default-source/dsta-about/
диапазоны 26 и 28 ГГц можно эффективно исполь- ka-band-satellite-communications-design-analysis-and-
зовать в транзитных сетях (Backhaul). optimisation.pdf?sfvrsn=2
Помимо отмеченных выше областей, уси- 3. www.cdn.macom.com/datasheets/maap-011140-die.pdf
лители мощности MACOM Ka-диапазона могут 4. www.satbeams.com/satellites?norad=37258
найти применение и в других высокочастотных 5. www.space.skyrocket.de/doc_sdat/ipstar-1.htm
P2P-приложениях. В качестве одного из много- 6. www.macom.com/products/product-detail/MAAP-
численных примеров можно привести замкну- 011298

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


64 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КЕРАМИЧЕСКИЕ
КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ РАБОТЫ
В КРИТИЧЕСКИ ВАЖНЫХ ПРИЛОЖЕНИЯХ
ПРИ ЖЕСТКИХ УСЛОВИЯХ
ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ
Рон Демко (Ron Demcko)
Перевод: Владимир Рентюк

Критически значимая электроника, от которой напрямую зави-


сит жизнь человека, в настоящее время представляет собой не
только медицинские имплантаты и системы поддержания жиз-
ни пациентов. Сейчас мы имеем целый ряд таких приложений
в самых различных областях, в том числе это и системы управле-
ния летательными аппаратами, и модули управления срабаты-
ванием автомобильной подушки безопасности, и современные
системы помощи водителю (advanced driver assist systems, ADAS).
Многие из этих приложений напрямую воздействуют на когни-
тивные процессы человека и его последующие за принятием ре-
шения действия. Теперь все такие системы также признаны как
критически значимые, поскольку от них в той или иной степени
зависят человеческие жизни.
Системы критически значимой электроники для ного слоя. Свойства слоя этого материала позво-
обеспечения надежной и влияющей на безопас- ляют выдерживать изгиб платы до 5 мм, причем
ность для жизни человека функциональности не просто с сохранением работоспособности,
опираются на широкий спектр электронных уз- но и без каких-либо ограничений в отношении
лов сверхвысокой надежности, которые, в свою деградации, связанной с повышением эффек-
очередь, спровоцировали новую волну в раз- тивного последовательного сопротивления ESR
работке более совершенных пассивных компо- (ESR  — effective series resistance) или его измене-
нентов, способных выполнять важные задачи нием с течением времени, а также из-за воздей-
в рамках различных критически значимых ко- ствия условий окружающей среды (рис. 1).
нечных устройств.
В этой статье будет представлена обновлен- 0805
ная информация о двух современных техно- 12

Изгиб подложки, мм
Рис. 1. 10
логиях керамических многослойных конден-
Диаграмма 8
саторов, которые позволяют им выдерживать демонстрирует,
максимально высокие электрические и меха- 6
насколько
4
нические нагрузки, гарантируя высокую надеж- хорошо работает
технология 2
ность и устойчивость к жестким воздействиям
терминации 0
окружающей среды.
с технологией NP0 X7R X7R FLEXITERM
FLEXITERM ®
MLCC — КОНДЕНСАТОРЫ от компании
С НЕЖЕСТКОЙ AVX в MLCC В настоящее время в приложениях, требую-
ТЕРМИНАЦИЕЙ ДЛЯ РАБОТЫ конденсаторах. щих высокой степени надежности, в том случае,
В ЖЕСТКИХ УСЛОВИЯХ Это первая когда отказ одного конденсатора может отклю-
технология
Внедрение все новых и новых систем автомо- нежесткой чить всю систему, различные семейства таких
бильной электроники растет с ошеломляющей терминации, компонентов используют те или иные специ-
скоростью. Приток новых спецификаций и кон- внедренная на альные конструктивные решения, позволяю-
струкций вызвал развитие множества самых рынок, которая щие уменьшить жесткость терминации, и такие
различных систем, влияющих на управление ав- выдерживает решения уже широко используются. Примеры
значительно
томобиля, в том числе новых семейств электрон- больший изгиб применения таких элементов с нежесткой тер-
ных модулей, разработанных специально для на заготовке минацией включают входные конденсаторы
использования в приложениях с высокими тем- с точками с малым током утечки в автомобильных моду-
пературами, высоким уровнем вибрации и рез- разнесения лях, высоковольтные или высокотемпературные
кой циклической сменой температуры, то есть приложенного конденсаторы в демпферах (снабберах), сило-
усилия 90 мм,
подверженных так называемым термоударам. по сравнению вых приводах или фильтрах. С момента их вне-
При разработке этих модулей для широко со стандартными дрения стоимость многослойных керамических
используемых в них многослойных керамиче- MLCC конденсаторов MLCC с нежесткой терминаци-
ских конденсаторов (multilayer ceramic capacitor, конденсаторами, ей продолжает снижаться. А принимая во вни-
MLCC) потребовалась такая система их терми- выполненными мание расходы на конечную систему, связан-
на основе широко
нации (конструктивная организация выводов используемой ные с ее ремонтами и заменами, и особенно с
для подключения), которая могла бы выдержи- керамики NP0 простоями по причине неисправности на уров-
вать физические изгибы и деформации, возни- и X7R. не системы, они становятся экономически кон-
кающие из-за несоответствий коэффициентов курентными. Такое снижение затрат в сочетании
теплового расширения между такими конден- со способностью конденсаторов с нежесткой
саторами и печатной платой, на которой они терминацией надежно противостоять физиче-
установлены. Здесь нужно учитывать тот факт, скому изгибу и механическим напряжениям, воз-
что речь идет об SMD-элементах (SMD — surface никающим вследствие теплового расширения,
mounted device) под технологию поверхностно- привели к значительному расширению типов
го монтажа (surface mount technology, SMT), ко- приложений, в которых они находят применение.
торые имеют жесткую механическую привязку Кроме того, расширение электронных прило-
к печатной плате, которая в обычных, традици- жений, работающих в жестких условиях среды,
онных элементах не демпфируется выводами. особенно это касается рынков автотранспорт-
Возможность выдерживать механические на- ной техники и оборудования авионики, вызвало
пряжения вследствие воздействия температуры дополнительные требования к их характеристи-
и вибрации была достигнута путем добавления кам, или, как мы сейчас говорим, производи-
в систему их терминации конденсаторов специ- тельности, в том числе устранение угрозы раз-
ального эластичного токопроводящего эпоксид- лома керамического конденсатора в результате

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


66 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

а)
а)
изгиба платы. В ответ на этот вызов рынков ком-
панией AVX был разработан новый продукт — Стандартное решение
SMD MLCC-конденсатор с нежесткой термина-
цией. Его преимущество заключается в том, что
такой конденсатор, выполненный, как и обыч-
ный, в виде одиночного чип-конденсатора стан-
дартного форм-фактора (рис. 2), заменяет собой
Два конденсатора 220 нФ
структуру из двух дискретных последователь-
последовательно = 100 нФ
но включенных конденсаторов, размещенных
под углом 90° относительно друг друга, которая
обычно используется в упомянутых выше и дру- FLEXISAFE
гих подобных приложениях, связанных с эксплу-
атацией в жестких условиях среды.

1x 100 нФ FlexiSafe конденсатора


Слой меди
б)
FLEXITERM
слой
Два конденсатора 220 FlexiSafe 100 нФ
Рис. 2. нФ, последовательно
Слой никеля
Внутренняя ESL ESL
конструкция SMD 1,579 0,855
Слой олова
MLCC FLEXISAFE-
1,450 0,783
конденсаторов Керамика Электрод
1,405 0,764
от компании AVX
в одном корпусе 1,408 0,858
с гибкой
терминацией
Рассматриваемые SMD MLCC-конденсато- в)
представляет ры также обеспечивают еще несколько важ-
1
собой два ных электрических преимуществ по сравнению
ESR Flexisafe FS055C104
последовательных с двумя обычными последовательно включен-
ESR стандартного 0805055C104
конденсатора ными керамическими конденсаторами, уста-
и устраняет угрозу новленными в плоскости ортогонально друг 0.1
Ом

их поломки на к другу, в том числе: более высокая надежность,


платах в результате более низкое эквивалентное последователь-
ее механического
ное сопротивление ESR и эквивалентная после-
или теплового 0.01
довательная индуктивность (equivalent series 1 10 100 1000 10000
изгиба
inductance, ESL). Электроды (обкладки конденса- Частота, МГц
торов) в этой конструкции имеют уменьшенный
размер по сравнению с двумя стандартными
конденсаторами, включенными последователь- конденсаторы обеспечивают чрезвычайно
но. Кроме того, устранение соединительных высокую надежность, необходимую для их ис-
проводников на печатной плате между двумя пользования на критических линиях передачи
такими конденсаторами в значительной степе- сигналов управления в электронном авиацион-
ни снижает и паразитную индуктивность при их ном оборудовании, а также в активной безопас-
установке на печатную плату. Так что благодаря ности и ADAS-модулях управления автотранс-
тому, что такое решение эффективно миними- портными средствами.
зирует и ESR и паразитные индуктивности, это Системы ADAS — в том числе автоматиче-
в итоге благоприятно сказывается на функцио- ское освещение и торможение, адаптивный кру-
нировании конечного продукта с их использо- из-контроль, подключения к смартфонам и пред-
ванием (рис. 3). упреждения о полосах движения и наличии
Возможность этих два-в-одном MLCC-конден- слепых зон  — теперь используются в большин-
саторов с гибкой терминацией надежно показы- стве новых автомобилей, а критические линии
вать такие низкие значения ESR и ESL позволяет сигналов управления в этих системах не могут
использовать их в силовых цепях намного эф- функционировать при отказе конденсатора, при-
фективнее, чем многокомпонентные решения. водящем к выходу из строя всей системы в целом.
Кроме того, благодаря наличию двух последова- Кроме того, это может привести к сокращению
тельно соединенных конденсаторов эти MLCC- числа избыточных узлов, ответственных за пра-
вильную интерпретацию данных, что значитель- сравнительно небольшие размеры, малую массу
Рис. 3. но снижает достоверность ответа автоматизиро- и более низкую стоимость. В результате BME
Преимущества SMD ванной системы на полученные данные. MLCC-конденсаторы в настоящее время одо-
MLCC FLEXISAFE- брены для использования не только в автомо-
конденсаторов ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ бильной технике, но и в космических и других
в сравнении MLCC-КОНДЕНСАТОРЫ системах критически значимой электроники, ра-
с обычными С МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ ботающих в жесткой среде.
многослойными ЭЛЕКТРОДАМИ Усовершенствования конструкции и техно-
керамическими
Как уже было сказано в начале статьи, новые логических процессов, используемых при из-
конденсаторами:
приложения, являющиеся критическими для готовлении BME MLCC-конденсаторов, которые
а) с электрической
жизни, также включают системы авионики и во- позволили им достигнуть уровней надежности,
точки зрения один
MLCC FLEXISAFE-
енное оборудование оборонного назначения, необходимых для критически важных приложе-
конденсатор связи и вооружения. Эти системы требуют не- ний, непосредственно влияющих на человече-
является больших, легких и надежных компонентов по ские жизни, включают несколько составляющих.
эквивалентом двух оптимальной стоимости, поскольку цена «кос- Во-первых, уменьшение размера частиц такого
стандартных MLCC- мических» компонентов, является, в прямом диэлектрического материала, как титанат висму-
конденсаторов; и переносном смысле, «космической» и для пе- та, используемого в керамических конденса-
б) сравнение ESL речисленных выше изделий высока. Одним из торах X7R, что привело к увеличению их диэ-
двух MLCC емкостью эффективных решений, способных удовлетво- лектрической прочности (В/мкФ). Во-вторых,
220 нФ, включенных
рить всем этим требованиям, являются много- оптимизацию непосредственно диэлектрика для
последовательно,
слойные керамические конденсаторы MLCC его соответствия конкретным требованиям тех-
с одним
с электродами диэлектрической системы, вы- нологического процесса системы BME. В-третьих,
конденсатором
емкостью 100 нФ
полненными на металлической основе из не- оптимизацию толщины диэлектрических слоев
технологии драгоценных металлов (Base metal electrode, и улучшение процессов литья, печати обкладок
FLEXISAFE; BME). Но здесь крайне важно, чтобы такие кон- конденсатора и укладки, используемых для чрез-
в) сравнение ESR денсаторы имели долговременную стабиль- вычайно тонких керамических слоев, для получе-
стандартного MLCC- ность емкости, а также отличались более высо- ния легких компонентов с увеличенными значе-
конденсатора кими значениями номинальной емкости и более ниями номинальной и емкости (рис. 5).
емкостью 100 нФ широким диапазоном рабочих напряжений,
с эквивалентным причем в форм-факторе корпуса до четырех
конденсатором Flexiterm®
раз меньше, чем эквивалентные им MLCC с об- слой Внешний
емкостью 100 нФ слой
кладками в виде прецизионных электродов из Диэлектри-
технологии ческий слой
драгоценных металлов (precious metal electrode,
FLEXISAFE
PME) (рис. 4). В первую очередь такие конденса-
торы предназначены для коммерческих и авто-
мобильных приложений, для которых критичны
указанные требования. Зазор перед Зазор перед
терминацией терминацией

Рис. 4.
Рис. 5.
Пакет из четырех
MLCC-конденсаторы технологии
BME MLCC
BME, предназначенные для
конденсаторов
обеспечения надежности на уровне
(слева) в сравнении
требований к аэрокосмическому
занимаемого
оборудованию, используют
пространства
весьма консервативный подход
по отношению
к проектированию. А именно:
к аналогичному
отдельные диэлектрические слои,
PME MLCC с
слои для внешнего покрытия
эквивалентными
Однако в последние годы BME MLCC-кон- конденсатора, запасы перед
значениями
терминацией и слой эластичного
номинальной денсаторы подверглись значительным усовер-
покрытия FLEXITERM, что
емкости и рабочего шенствованиям в области конструкции и техно-
обеспечивает этим конденсаторам
напряжения логии производства, что еще больше повысило
повышенную устойчивость
(справа). их характеристики и, что крайне важно, надеж- к перенапряжениям и воздействию
ность. Причем до уровня надежности конденса- жестких условий окружающей
торов технологии PME, сохраняя при этом свои среды.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


68 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

пользования в европейских космических


Рис. 6. приложениях и внесенной в список аттеста-
Компания AVX ционных частей Европейской космической
является первой ассоциации (European Space Association, ESA)
и в настоящее время в соответствии с критериями Европейского
остается единственной координационного агентства по космическим
компанией, компонентам (European Space Components
признанной Coordination, ESCC) 3009/041. При размерах
квалифицированным
корпусов от 0603 до 1812, значениях емкости
поставщиком BME X7R
от 2,2 до 8,2 мкФ и номинальных напряжени-
MLCC-конденсаторов
ях от 16 В до 100 В эти BME MLCC-конденса-
для космического
оборудования,
торы представляют собой новое решение
одобренных для для сверхвысокой надежности критически
использования важных приложений, включая радиолокаци-
в американских онные системы, системы военной обороны
и европейских и вооружения, а также фильтрацию ввода / вы-
военных вода, использование как элемента накопления
и аэрокосмических энергии импульсных источников питания для
конструкциях согласно MLCC-конденсаторы технологии BME прошли космических и спутниковых систем
спецификации
квалификацию по спецификации S-311-P-838 связи и оборудования
S-311-P388 NASA, ESA
Национального управления по аэронавти- запуска.
QPL и спецификации
ке и исследованию космического простран-
ESCA 3009/041
ства США (National Aeronautics and Space
Administration, NASA), одобренной для ис-
70 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

НОВЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ
АТТЕНЮАТОРЫ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО
МОНТАЖА

Иван Завалин, elmeh@ptelectronics.ru

Компания Smiths Interconnect запустила новую линейку


широкополосных аттенюаторов TT9 с диапазоном рабочих
частот от 0 до 20 ГГц с высокой производительностью.
Благодаря обширным компетенциям компании в создании
надежных аттенюаторов новинка позволяет работать
с мощностями до 500 мВт, сохраняя при этом стабильное
волновое сопротивление и обладая компактными габаритами.
Серия TT9 предназначена для высокочастотных применений,
таких как системы связи и радиолокация. Новинка прошла
серию испытаний, результаты и условия которых будут
приведены далее в статье. Также в открытом доступе можно
найти s-параметры аттенюаторов, что в значительной степени
позволит упростить проектирование.

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ
АТТЕНЮАТОРОВ TT9
Аттенюаторы TT9 обладают компактными габа- Сам производитель описывает новинку сле-
ритными размерами и не превышают 1,78×1,62 мм. дующим образом: «Наши аттенюаторы TT9 SMT
Несмотря на свою компактность, аттенюаторы раздвигают границы работы на высоких частотах
могут работать с мощностями до 500 мВт, коэф- и удовлетворяют запросам и требованиям боль-
фициент ослабления в свою очередь может быть шинства современных применений. Они спро-
выбран в диапазоне от 0 до 10 дБ с шагом 1 дБ. ектированы с оглядкой на растущие мощности
Установочные размеры новых аттенюаторов оди- и сохраняют при этом низкую стоимость владе-
наковы как для обычного исполнения, так и для ния, высокие эксплуатационные характеристики
исполнения с температурной компенсацией и целостность сигнала» (Пол Харрис, вице-пре-
(Thermopad) серии WTVASMTF. зидент по маркетингу и продажам).
Рис. 1.
Стабильность
коэффициентов
затухания

ОСНОВНЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ TT9
Основные характеристики новых аттенюаторов
приведены в таблице 1. Можно выделить неко-
торые ключевые особенности и преимущества
TT9, такие как компактность, высокая мощность,
возможность поверхностного монтажа, низкий
Рис. 2.
КСВН (коэффициент стоячей волны по напряже- Аттенюаторы TT9
нию), простота применений, широкий диапазон
доступных исполнений.
РАДИОЧАСТОТНЫЕ
ИСПЫТАНИЯ
Таблица 1. Для получения более достоверных результатов
Электрические и механические были проведены сравнительные анализы значе-
характеристики TT9 ний, полученных с помощью демо-платы и с по-
мощью специального измерительного устрой-
Волновое со-
50 Ом
ства. Далее в статье будут приведены основные
противление
различия в радиочастотных характеристиках,
Диапазон ра-
0–20 ГГц полученные в процессе испытаний аттенюато-
бочих частот
ров TT9XX.0SMT.
Коэффициент
0–10 дБ, шаг 1 дБ
затухания
МЕТОДИКА ИСПЫТАНИЙ
Величина
затухания, дБ
0–15 ГГц 15–20 ГГц Первая группа аттенюаторов TT9XX.0SMT с коэф-
фициентом затухания от 0 до 10 дБ, припаянных
Стабильность
затухания
0–4 ±0,5 ±0,5 к тестовой плате REF4720 припоем Sn62. Плата
была модифицирована для возможности разме-
5–10 ±0,5 ±0,75 щения на универсальной испытательной колод-
Входная До 500 мВт при температуре
ке Anritsu 3870C. Измерения проводились с по-
мощность до +125 °С мощью Anritsu 37297C VNA (рис. 3).
Пиковая Стандартизированное коаксиально-микро-
5 Вт длительностью импульса 10 мкс
мощность полосковое подключение испытываемого изде-
лия на калиброванной универсальной испыта-
КСВН 1,40 : 1 на всем диапазоне частот
тельной колодке позволяет получить наиболее
Рабочий достоверные результаты испытаний. Измерения
диапазон –55…+150 °С
температур
с универсального испытательного устройства
принимаются за справочные значения, которые
Температура
–60…+150 °С можно использовать в дальнейшем также в ка-
хранения

Материал
честве s-параметров во время частотных симу-
Al2O3
подложки ляций.
Вторая группа образцов аттенюаторов была
Лужение Sn60/Pb40
Покрытие из той же партии, что и первая. Образцы были
выводов испытаны с помощью демо-платы EVB-TT9, изо-
Серебрение (RoHS)
браженной на рис. 4.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


72 ВЫСОКОНАДЕЖНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

КОММЕНТАРИИ
Рис. 3. И РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ
Подготовка Стоит отметить, что потери, вызванные линия-
к испытаниям ми подключения, являются неотъемлемой ча-
стью основного коэффициента затухания. По-
пытка исключить эти значения приведет к уходу
коэффициента затухания от заданных уровней
в обеих группах образцов. S-параметры всегда
содержат полные данные, которые позволяют
конструкторам проводить симуляции опираясь
на значения, полученные в реальных испытаниях.
В обеих группах образцов наблюдается неко-
торый провал на высоких коэффициентах затуха-
ний (8, 9, 10 дБ) при приближении к верхним гра-
ницам частотного диапазона (рис. 5). Этот эффект
может быть вызван внутренними особенностями
прохождения сигнала в аттенюаторах, но измере-
ния не могут его достоверно зафиксировать.

Рис. 4.
Демо-плата
EVB-TT9

Рис. 5.
Коэффициент
Плата была модифицирована, чтобы создать
затухания
условия, более приближенные к реальной экс-
плуатации, была добавлена возможность уста-
новить аттенюаторы без запайки их в плату. Из- Основная погрешность измерения с помо-
мерения проводились с помощью Agilent E8363 щью универсального испытательного устрой-
VNA. Полученные результаты испытаний второй ства невелика и вызвана разницей потерь на
группы аттенюаторов показали достойный уро- переходах. Эти значения несущественны на ча-
вень, достаточно близкий к показательным зна- стотах до 10 ГГц и увеличиваются до 0,4 дБ на
чениям первой группы. 20  ГГц (рис. 6).
Рис. 8.
Значение КСВН первой группы образцов

Основной источник погрешности во второй


группе образцов — потери на переотражении,
Рис. 6. вызванные увеличенной длиной печатной пла-
Рис. 9.
Выявление ты, а также качеством и согласованностью сое-
Значение КСВН второй группы образцов
погрешности динителей на ее концах. Соотношение паразит-
ных потерь второй группы примерно в три раза
выше, чем в первой, это хорошо видно на рис. 7.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Основываясь на полученных в ходе радио-
частотных испытаний измерениях, можно сде-
лать вывод о том, что обе группы образцов
Рис. 7. удовлетворяют требованиям и характери-
Паразитные потери стикам, указанным в спецификации на атте-
нюаторы TT9. Также испытания доказали, что
демо-плату можно модифицировать для даль-
нейшего применения в качестве
проверочной с возможностью
установки аттенюаторов
без запайки.

По графикам, приведенным на рисунках 8


и 9, можно заметить, что все испытанные
устройства удовлетворили требованиям, заяв-
ленным в спецификации на серию, и наихудшие
показатели были получены на аттенюаторе 0 дБ
на 10 ГГц, но тем не менее даже в этом случае
значение КСВН не превысило 1,7:1.

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


74 БЕСПРОВОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

МОНИТОРИНГ ПОДВИЖНЫХ ОБЪЕКТОВ


С САНТИМЕТРОВОЙ ТОЧНОСТЬЮ.
МЕНЬШЕ МИФОВ, БОЛЬШЕ РЕАЛЬНОСТИ

Дмитрий Покатаев, dmitriy.pokataev@positron.ru

Обычно, когда речь идет о позиционировании объектов приемником» многочастотный или геоде-
с помощью спутниковой навигации, при оценке точности по- зический, который недоступен по цене для
зиционирования исходят из тезиса «хороший прием — 5 м, рядовых потребителей. Оценка в принци-
плохой — 15     м и более». Если разговор заходит о преодоле- пе правильная: еще 5–7 лет назад навига-
нии данного ограничения, вспоминают о DGPS с его 1–2-ме- ционный приемник был просто дорогим
тровой точностью. Как правило, сам навигационный при- монолитным устройством, черным ящи-
емник, антенну и другие компоненты не рассматривают, ком с определенным функционалом.
говорят «обычный приемник», подразумевая под «необычным
Большинство рядовых пользователей или даже го решения для позиционирования в реальном
инженеров, зная о протоколе и стандарте NMEA, времени с применением RTK.
никогда не заглядывали дальше получаемых Для начала рассмотрим таблицу.
данных в сообщении GPRMC (Recommended Понятно, что в двух правых столбцах указан-
Minimum Specific GPS/Transit data — широта, ные параметры достигаются с применением
долгота, скорость, время, дата, магнитное скло- корректирующих данных, но почему такая раз-
нение), но достаточно много говорят «о качестве ница между DGPS и RTK? Ответ: способы кор-
трека и хорошей математике» конкретного нави- рекции принимаемых данных сигналов спутни-
гационного приемника. Небесная механика для ков и возможности самого приемника (фазовые
многих ограничивается понятиями «геостацио- измерения).
нарная орбита», «количество спутников в груп- Очевидно, если есть нескомпенсированная
пировке» и т. д. Причины просты: литературы погрешность псевдодальности (измеренно-
о том, как воспользоваться координатами, ког- го расстояния до спутника по общей задержке
да они уже получены, очень много, а литературы сигнала, если очень упрощенно) в 5 м, то повы-
о том, как они получены, — или нет, или она пред- шение точности выше, чем одна длина волны,
ставляет собой спецификации и описания для в принимаемом сигнале будет бесполезно (дли-
подготовленного в области математики, астро- на волны примерно 19 см для GPS). Но если эти
номии, радиотехники и программирования чи- 5 м уменьшить путем компенсации до десятков
тателя. Причем подготовленного одновремен- сантиметров, она будет значима, тем более что
но во всех перечисленных областях. Из этого обычно еще применяются цифровые фильтры
складывается некоторое невосприятие новых для серии измерений, уточняющие позицию для
технологий в области спутникового позициони- каждого измерения. Именно на таком принципе
рования, в том числе и RTK (Real Time Kinematic  — и построены все решения RTK. Кроме того, как
кинематика реального времени). Это суще- видно в таблице, огромную роль играет пода-
ственная трудность, тормозящая развитие вление отраженного сигнала, и «простая кера-
и приятие всего нового в области спутниковой мика» в качестве антенны не подойдет, обычно
навигации, особенно в столь сложившейся сфе- применяются специальные типы антенн, напри-
ре, как позиционирование подвижных объектов мер Choke Ring или более простые решения, но
в реальном времени. Это совсем новое для RTK, тоже эффективно подавляющие многолучевое
но уже востребованное направление, и снача- распространение сигналов спутников. Для по-
ла мы рассмотрим общую информацию о нави- вышения точности могут применяться и сверх-
гационных системах, их реальных ограничениях быстрые эфемериды, имеющие погрешность
и способах преодоления, по возможности не ус- менее 5 см в реальном времени и менее 2,5 см
ложняя данную статью излишней терминологи- при постобработке. Эти данные представлены
ей, а затем перейдем к описанию законченно- в форматах sp3 (для эфемерид) и clk (для расхож-

Таблица.
Погрешности изменения при определении местоположения приемника
по GNSS-системам с применением Differential GPS и Real Time Kinematic (RTK)

ОШИБКА С RTK (ПРИМЕНЕНИЕ


ОШИБКА БЕЗ ОШИБКА
ПРИЧИНА ОШИБКИ НАВИГАЦИОННОГО ПРИЕМНИКА
КОРРЕКЦИИ С DGPS
С ФАЗОВЫМИ ИЗМЕРЕНИЯМИ)

Данные эфимериса 2,1 м 0,1 м 2,5–5,0 см

Часы спутника 2,1 м 0,1 м 2–5 см

Эффекты ионосферы 4,0 м 0,2 м 10–20 см

Эффекты тропосферы 0,7 м 0,2 м 10–20 см

Отражение сигнала 1,4 м 1,4 м Определяется типом антенны

Влияние приемника 0,5 м 0,5 м Определяется типом приемника

Общее значение RMS 5,3 м 1,5 м менее 10 см

Общее значение RMS (фильтрованное) 5,0 м 1,3 м 1–2 см

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


76 БЕСПРОВОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

дения шкал часов). Могут применяться геофизи- спектра на основе псевдослучайных последо-
ческие корректирующие модели для первичной вательностей, позволяющей выделять сигнал
компенсации эффектов ионосферы и тропосфе- с уровнем ниже уровня шумов. LoRa поддержи-
ры (обычно в виде файлов ионосферных полей вает режим «точка-точка», а остальные системы,
в формате ionex и файлов тропосферных данных например SigFox (использует, наоборот, сужение
в формате sinex_tropo, который является вер- спектра сигнала) и NB IoT, могут работать, толь-
сией формата SINEX) или усовершенствованная ко если развернута сеть оператора. Кроме того,
компенсация эффекта Доплера при движении практическая дальность LoRa примерно равна
приемника на основе усовершенствованных максимальному эффективному расстоянию от
математических моделей, например OTF (On- мобильного приемника до базовой станции (око-
The-Fly). В ряде случаев может использоваться ло 15 км для измерений только в диапазоне L1
и разница в ионосферной задержке для сигна- и не более 30 км в общем случае применения
лов разной частоты от одного спутника, напри- многочастотного приемника, причем под L1 ча-
мер GPS L1 и L2. Методов достаточно много, сто понимают определенный частотный диапа-
и обычно они применяются комплексно. зон сигналов — правильнее было бы сказать GPS
Реализация RTK может быть с абсолютными L1, GLONASS G1, Galileo E1, BeiDou B1).
(на основе атмосферных и геофизических мо- При работе в режиме реального време-
делей) и относительными поправками (на ос- ни объем данных в формате RTCM3 составляет
нове измерений реальных задержек сигнала, 3–4   Мбайт/ч (1 кбайт/с). Для сравнения: стан-
в основном с применением эталонного прием- дартный объем данных в формате NMEA0183
ника — базовой станции). Получение данных мо- примерно 1–2 Мбайт/ч (0,5 кбайт/с). В принципе
жет быть в реальном времени или в режиме по- это на пределе пропускной способности кана-
стобработки (с записью измерений приемника ла LoRa, но, поскольку при использовании мо-
и последующей обработкой с применением раз- дуляции на основе псевдослучайных последо-
личных способов аппроксимации, что дает при вательностей для модуляции сигнала десятки
прочих равных условиях точность выше, чем и даже сотни каналов занимают одну полосу ча-
в реальном времени, просто за счет усреднения). стот, проблем с обменом данными для несколь-
Мы в основном будем рассматривать режим ре- ких объектов не наблюдается. К тому же объем
ального времени с относительной коррекцией данных можно уменьшить в несколько раз, по-
погрешностей с применением поправок от эта- низив темп выдачи навигационного решения.
лонного приемника — базовой станции. Режим Для качественного определения позиции не-
реального времени в режиме кинематики — это обходимо, чтобы поток содержал следующий
самый сложный режим для RTK, но востребован- минимальный набор сообщений (в данном слу-
ный при мониторинге подвижных объектов. чае это измерения для GPS/ГЛОНАСС в режиме
MSM7 повышенной точности):
ПЕРЕДАЧА ДАННЫХ RTCM1077 — Extended GPS Code, Phase,
ПОДВИЖНОГО ОБЪЕКТА CNR and Doppler Measurements;
Идея мониторинга на основе связки GPS и GSM RTCM1087 — Extended GLONASS Code,
составляет уже почти два десятилетия, если счи- Phase, CNR and Doppler Measurements;
тать с момента появления первых доступных RTCM1019 — GPS Ephemerides;
устройств. Существенным ограничением приме- RTCM1020 — GLONASS Ephemerides;
нения GSM в классическом виде является пико- RTCM1006 — Station Coordinates Station-
вый ток модуля GSM не менее 1 А. ary RTK Base Station ARP (Antenna Reference
Для систем, где применяется обычный радио- Point) with Antenna Height.
канал при мощности в 5–35 Вт, необходимых для Причем последние три сообщения обязатель-
уверенной связи, например на аэродроме или ны только для базовой станции. Это сообщения,
в геодезии, токи потребления от источника пи- содержащие данные эфемерид и координаты
тания еще выше. самой базовой станции. Таким образом, от мо-
Поэтому в последнее время популярность бильного приемника можно получать всего два
набирают системы мониторинга, применяющие сообщения или даже только одно из них, если
альтернативный малопотребляющий радио- ограничиться одной навигационной системой.
канал, но обладающей сравнимой дальностью При работе с сетью базовых станций по про-
в десятки километров. Сейчас это обычно LoRa, токолу NTRIP часто требуется передача коор-
в будущем, возможно, NB IoT. Кстати, LoRa появи- динат приемника, полученных без коррекции
лась только недавно из-за удешевления техноло- в формате NMEA, — сообщение GGA. Это нуж-
гии Spread Spectrum — цифрового расширения но, чтобы сеть определила ближайшую к прием-
нику базовую станцию и передавала данные от мом мобильном приемнике можно получать и
нее. Но передачу такого сообщения может взять его собственное нескорректированное реше-
на себя серверное ПО. ние в потоке NMEA. В ряде случаев поток данных
RTCM 3 или в собственном формате приемника
ФОРМАТ ПЕРЕДАЧИ можно просто записывать и после преобразо-
ДАННЫХ RTCM 3 вания в формат RINEX применять постобработку
В формате RTCM 3 обычно передаются факти- на сервисе постобработки (например, trimblertx.
чески не сами корректирующие данные, как com ) или в специальных программах (в частно-
в DGPS, а данные измерений сигналов каждо- сти, RTKLib).
го спутника в каждом поддерживаемом им ди-
апазоне, например GPS L1 и L2. Формат сооб- ОГРАНИЧЕНИЯ
щений RTCM 3 обеспечивает хорошее сжатие ПО КАЧЕСТВУ ПРИЕМА
информации за счет ее оптимальной компонов- СИГНАЛА СПУТНИКОВ
ки, также поток может быть сжат дополнитель- ДЛЯ МОНИТОРИНГА
но с помощью любого алгоритма сжатия. В од- ПОДВИЖНЫХ ОБЪЕКТОВ
ном сообщении могут содержаться данные по Если проблему с питанием устройства мони-
нескольким сигналам одного или всех видимых торинга способен устранить мощный компакт-
спутников (MSM-сообщения, или Multi Signal ный аккумулятор или малопотребляющий ра-
Message), также могут передаваться эфемериды диоканал, то задачу размещения антенны и ее
раздельно для каждой навигационной системы габаритов решить сложнее. При самой пере-
и служебные сообщения, скажем, координаты довой конструкции малогабаритная антенна
базовой станции. В принципе потоки подвижно- не в состоянии обеспечить хорошее подавле-
го приемника и базовой станции по структуре ние отраженного сигнала, а устройство мони-
одинаковы — это просто измерения приемни- торинга имеет ограниченные габариты, поэтому
ков. При работе в режиме коррекции с приме- реализация антенны в таком устройстве — это
нением базовой станции в одной точке должны Рис. 2. путь компромиссов, причем если это носимое
Керамическая
собраться два потока RTCM 3 — от мобильного устройство персонального мониторинга, возни-
антенна
приемника и базовой станции. Причем неважно, кает еще и проблема ориентированности антен-
DAD1585X36C14
где эта точка: на базовой станции, на мобильном
36×36 мм
приемнике или вдали от них. Два потока про- и компоновка
сто обеспечивают совместное решение нави- высокочастотной
гационной задачи в специализированном про- части платы
граммном обеспечении, обычно с получением устройства
потока NMEA на выходе, причем если поток
NMEA получается на мобильном приемнике —
это самый невыгодный вариант, поскольку при
мониторинге подвижных объектов его нужно
передавать обратно на пункт наблюдения в до-
Рис. 1.
полнение к получению потока от базовой стан- Потоки данных
ции. Если получение высокоточной позиции на при получении
самом мобильном приемнике не нужно, выгод- навигационного
нее передавать от него на пункт наблюдения решения на стороне
потока RTCM 3 (рис. 1). При этом обычно на са- базовой станции

ны: не всегда в зенит и, соответственно, большая


вероятность приема сигнала, отраженного от
земли, но даже на автомобиле размещение ан-

ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018


78 БЕСПРОВОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Рис. 3.
Модуль NAVIA
ML8089F-CP
13×15  мм
и отладочная
плата NAVIA
ML8089F-CP-DEMO

тенны геодезического класса с подложкой бо-


лее 120 мм в диаметре может вызвать трудности.
Частично проблему габаритов могут решить
керамические антенны с двух- и четырехточеч-
ным cъемом сигнала, что на практике дает очень
хороший результат, даже при наклоне более
45°. Для новых разработок можно порекомен-
довать как доступный вариант антенну GLEAD
DAD1585X36C14 (двухпиновая «керамика»), по-
казанную на рис. 2. Это компактная высоко-
качественная антенна для применения в соста-
ве вновь разрабатываемых устройств. Вообще
о первоочередной важности выбора антенны
говорит следующий факт: замена обычной ан- Рис. 4.
тенны на геодезическую в устройстве повышает Модули LoRa ScSIP S7678S

точность позиционирования примерно в 2 раза в составе плат EK-S76SXB


с разными типами антенн
(так же, как и с использованием DGPS!), а «вы-
бросы» позиции, связанные с приемом отражен-
ного сигнала, исчезают практически полностью.
Состав оборудования подвижной системы системы, ведь именно там решается навигаци-
мониторинга не изменяется при переходе к ис- онная задача.
пользованию RTK. Меняются качественные ха- Все это выглядит немного непривычно с точ-
рактеристики отдельных компонентов. ки зрения простоты и функциональности.
Но любая новая технология, особенно когда
СОСТАВ ОБОРУДОВАНИЯ она приходит к рядовому потребителю, вы-
ПОДВИЖНОГО ПРИЕМНИКА глядит почти фантастикой. Будем надеять-
1. Антенна. ся, что и данная технология в самом скором
2. Навигационный приемник. времени станет привычной и совершенно
3. Модуль связи. необходимой в повседневной
4. Процессор обработки данных (опцио- жизни.
нально).
5. Источник питания (аккумулятор).
С учетом современных ценовых тенденций
самое дорогое в таком комплекте — антенна
(цена может доходить до $30–50). При этом од-
нодиапазонный навигационный приемник и мо- Литература
дуль связи стоят не более $12–15 каждый (на- 1. naviaglonass.ru
пример, в данной ценовой категории находится 2. www.rtklib.com
навигационный модуль NAVIA ML8089F-CP — 3. www.glead.com.cn
www.naviaglonass.ru/product/ml8089f/) (рис. 3). 4. trimblertx.com
Аккумулятор обойдется приблизительно в $30. 5. geospider.ru
Все остальное, вместе с корпусом, примерно 6. www.geobox.ru
$25. Итого чуть более $100 — стандартная цена
устройства спутникового мониторинга. Боль-
шая нагрузка ложится на серверную часть такой
ВЕСТНИК ЭЛЕКТРОНИКИ №3 (63) 2018
80

Оценить