Fase 3

Electrónica de Potencia

Estudiante:

Tutor:

Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Diciembre de 2019
 Introducción

Una vez se han realizado las etapas de planeación y de conmutación por SPWM,
nos adentramos entonces a diseñar la etapa de potencia y filtrado.
El objetivo planteado para cumplir con las competencias concernientes a la Unidad
3 del presente curso es el de afianzar los conceptos relacionados con el diseño del
circuito driver, para lo cual realizaremos una breve explicación del diseño y del
funcionamiento del mismo.
Adicionalmente, se trabajara en el diseño del circuito LC, esto con el fin de hacer el
filtrado de la etapa de salida del puente inversor.
En base a los conceptos adquiridos en los textos, así como en la información
brindada por el tutor, se presentara una propuesta de método de regulación de la
tensión y corriente de salida frente a la distorsión armónica inyectada por la
conexión de cargas no lineales.
 Objetivos

General
Exponer el circuito driver de la etapa de potencia y explanar la función de este.
Específicos
Realizar el diseño y explicar la etapa driver de los conceptos adquiridos a lo largo
del curso
Realizar el diseño y explicar la salida de potencia del inversor en puente H
Establecer una breve explicación de los transformadores de salida en puente H
Exponer los conceptos que permitan diseñar un circuito LC con el fin de filtrar la
salida del puente inversor.
 Actividades a Desarrollar

Fase 3 Diseñar la etapa de potencia y filtrado

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe

explicar la función del mismo.
Como primera medida debemos entender que es un circuito Driver, y podemos
empezar enunciando que el circuito driver es sobre quien recae la función de tomar
la señal de control de cualquier transistor y adaptarla o convertirla en una señal que
cumpla las condiciones que en la zona de saturación o corte se necesitan.
Entre las características más importantes que debe tener el Driver podemos citar:
Proporcionar una entrada de alta impedancia respecto al circuito de control.
Regular los niveles presentes en la tensión.
Crear espacios de tiempo “muertos” y las adecuadas protecciones.
Para poder seleccionar de manera correcta el driver se debe tener en cuenta
aspectos como la tensión máxima de salida del driver sea mayor que la tensión
mínima necesaria en la puerta del MOSFET para que así se realice la conmutación
a la frecuencia seleccionada.
Hay diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto- acopladores o drivers
fabricados como circuitos integrados, cada uno de estos con ventajas y desventajas.
A continuación se enuncia el funcionamiento de los principales componentes del
driver.
Figura 1circuito integrado driver de MOSFET

Figura 2. Etapa driver de MOSFET de potencia

Drivers “Control de los MOSFET en el puente H”
En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos
especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de
potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes

funciones básicas:

1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de

tensión y corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de
potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de

sobre cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un

circuito impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los
componentes de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades
parásitas y facilitar el armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen
algunas de las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos
integrados son económicos pero no pueden ser conectados directamente a los
dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensión de alimentación
independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de
protección o de interfaz aislada con el controlador. Circuito de Manejo de Compuerta
de Bajo Costo para MOSFET e IGBT.
MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que

requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación
es muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los
MOSFET DE POTENCIA están encontrando cada vez más aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los
problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin embargo
los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su manejo
requiere de cuidados especiales además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los
MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo
agotamiento, de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se
muestra en la siguiente figura. Con dos silicios n fuertemente dopados para tener
conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal mediante una
delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como compuerta. Drenaje y
fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a
fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones del área del canal n estarán repelidos, y se creara una región de
agotamiento, por debajo de la capa de óxido, que resultara en un canal efectivo más
angosto y en una alta resistencia de drenaje, a fuente R DS. Si VGS se hace
suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor
en RDS y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre,
el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp por otra parte V GS se
hace positivo, el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con
un MOSFET tipo agotamiento de canal p se invierten las polaridades de V DS, IDS, y
VGS. Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al
anterior.

Figura 3. Transistores MOSFET

Recuperado de: Modulo Electrónica Industrial – UNAD
TOPOLOGÍA PUENTE H O COMPLETO.

La topología “Puente completo” emplea cuatro interruptores como se observa en la

figura 3.0. De esta forma, con una sola fuente de continua, se pueden aplicar a la
carga tanto tensiones positivas como negativas o cero con un simple cambio de los
interruptores que conducen en cada momento. Esta topología incorpora ventajas e
inconvenientes de las topologías Push Pull y puente medio.

Figura 4. Topología puente H

Recuperada de: Monografía - DC/AC Pure Sine Wave Inverter – WP

Ventajas de usar puente en H

Se puede aplicar a la carga +Vdc. Vdc y 0V
Una correcta utilización del bus DC, debido que la tensión máxima de salida es la
tensión del bus
La tensión aplicada en la carga es la tensión de la fuente de continua
Desventajas de usar puente en H
Se dobla el número de interruptores con respecto a otras topologías
Dos de los interruptores no están referidos a masa por lo que serán necesarios
circuitos de disparo que permitan aplicar una tensión flotante.

Figura 5. Salida de potencia, topología puente H con transformador

Las resistencias R 13, 14, 17 y 18 apagan al dispositivo después de conducir,

llevándolos a tensión negativa la compuerta.
Las resistencias R11, R12, R15 y R16 en paralelas con los Diodos D4, D5, D6 y D7,
acoplan la señal que proviene de la etapa driver, así mismo los diodos protegen la
compuerta.
La resistencia R31 es la shunt detecta la corriente que consume el circuito.
Para la implementación del inversor spwm se clasifican los mosfet IRFP 2907 por
sus características de velocidad de suicheo, tensión y amperaje de trabajo.
Anexamos el data sheet del Mosfet elegido
TRANSFORMADOR

El transformador recibe la tención RMS de salida del puente H, y la transfiere al

secundario en una amplitud, de acuerdo a la constitución del transformador

El transformador hace parte de la salida de potencia del inversor, su constitución

depende de las exigencias del diseño del inversor, como por ejemplo si es diseñado
para 120 VCA o 220 VCA
Un transformador es una máquina eléctrica estática que transforma la energía
eléctrica recibida en otra energía eléctrica de características distintas, bien sea de
tensión, intensidad, etc.
El transformador es uno de los equipos eléctricos más útiles de los utilizados en la
electricidad, puede aumentar o disminuir la tensión, puede aislar un circuito de otro.
El transformador se utiliza, la mayoría de las veces, para rebajar la tensión de
alimentación a valores más bajos y así poder manipular los circuitos sin riesgos para
los usuarios.
El devanado primario es el que recibe la energía y el devanado secundario es el
que la cede. Un transformador, al ser una máquina estática, no tiene pérdidas
mecánicas y por tanto puede alcanzar rendimientos del 98%.
3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor.
¿Por qué es necesario filtrar la salida?
Un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida y que es sensible a la
frecuencia y permite eliminar o excluir las señales que no se sitúen en un
determinado rango, dejando que las señales de otras frecuencias pasen.

De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven
para garantizar la calidad de los inversores.

Filtros LC
El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico
fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de
un filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde n
es la frecuencia natural del filtro.

A continuación se muestra el diagrama de Bode en modulo y Fase del filtro LC en

función de la frecuencia natural del filtro Wn.
 Figura11. Diagrama de Bode. Universidad Carlos III. Delgado Martin Raúl.

Menores que la frecuencia natural del filtro (W < Wn) la ganancia del filtro es 0dB y
para frecuencias mayores (W > Wn) el filtro atenúa la señal a razón de -40dB = dec.
Sin embargó, a frecuencia W= Wn aparece un gran pico de resonancia. Para
diseñar el filtro se debe tener en cuenta que:

Debe atenuar los armónicos producidos por la conmutación, que aparecen a

frecuencias ftri y múltiplos o 2ftri y múltiplos según el tipo de modulación.

Debe dejar intacto el armónico fundamental.

No debe amplificar los armónicos de baja frecuencia. (En relación al pico de

resonancia).

Dado que la atenuación crece a razón de 40dB = dec, la frecuencia natural del filtro
debe encontrarse al menos una década antes de los primeros armónicos producidos
por la conmutación. Si estos armónicos, para el peor de los casos (Modulación
bipolar) aparecen alrededor de la frecuencia de la señal portadora ftri = 10Khz,
implicará que la frecuencia natural del filtro debe ser:

El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:
La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relación a la señal
portadora.

La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la señal

fundamental.

9,3 KHz señal portadora < 10 veces = 930 Hz

60 Hz señal fundamental > 10 veces = 600 Hz.

Sumadas las dos señales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la
frecuencia por la cual calcularemos el filtro = 765 Hz
Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf

1 1
f= depejamos l y tenemos l =
2π ∗ l ∗ c 2π ∗ f ∗ c
1
remplazando valores tenemos l = = 208 mH
2π ∗ 765Hz ∗ 1uf

Figura 12.Diagrama del filtro pasa bajo pasivo.

 Figura 13. Filtro pasa bajo en el puente H

3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida

frente a la distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no
lineales.
En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una
muestra de la tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el
oscilador Bubba. En ese circuito la tensión de referencia tiene una variación con la
amplitud de la señal fundamental y la cual varía con el índice de amplitud, en tensión
y corriente.
En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando
microcontroladores para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la
retroalimentación se toma y se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1
Vdc, la cual es llevada a una entrada del microcontrolador y conformando un
algoritmo se manipula la amplitud del voltaje de salida.
Filtros Activos

Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces

de eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.
Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo.
Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.

Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)

Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la
siguiente figura.

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del

condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.
 Conclusiones

Se reconocen e interpretan los conceptos dados a lo largo del curso para la

construcción de los puntos solicitados en la presente entrega
La relación al circuito LC, se optó por aportado en este documento, esperando que
cumpla con el objetivo de filtrar la salida del puente inversor
Después de la realización del presente trabajo, destacaría que se optó por el diseño
de circuito Driver con la implementación del integrado IR2110
 Referencias

J. Benavent García, A. Abellán García, E. Figueres Amorós - Electrónica de

Potencia: Teoría y Aplicaciones. 199 - 235 paginas.

Rashid, M H., (1995). Electrónica de Potencia: Circuitos, dispositivos y

aplicaciones.(2 ed.) : Prentice Hall.

Polanía, J A.,(2011). Control de motores Eléctricos. Colombia.

(PP.136).Recuperado
de:http://www.ceduvirt.com/resources/Control%20de%20Motores%20con%20Matl
ab.pdf
C. Pérez Fuster, M. IRANGO PONTES. Electrónica Analógica Integrada Emilio
Batalla Viñals - 1993 - 392 páginas.

I. Sos Bravo. CEAC - 2006. Electrónica analógica - 152 páginas.

ELECTRONICA DE POTENCIA Recuperado noviembre de 2016, de:

http://electronicadepotenciacuc.wikispaces.com/Convertidores+DC-
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Academia edu Recuperado noviembre de 2016, de:

http://www.academia.edu/6097805/Qu%C3%A9_es_un_convertidor_DC-AC

http://fglongatt.org. (s.f.). Obtenido de GENERALIDADES DE LA MODULACIÓN DE

ANCHO DE PULSO : http://fglongatt.org/OLD/Reportes/RPT2004-03.pdf
http://personales.unican.es. (s.f.). Obtenido de Circuitos pasivos:
http://personales.unican.es/perezvr/pdf/CH3ST_Web.pdf
http://www.gte.us.es. (s.f.). Obtenido de CONVERTIDORES CC/AC.:
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_16