Polarización en C.
C de un FET Canal N
line 1: 1st Perez A Jose Antonio
line 2: Facultad de Ingienerias e
Arquitectura
line 3: Ingieneria Eléctrica)
line 4: Pamplona, Colombia
line 5: jpz_2104@hotmail.com
INFORME DE PRACTICAS DE LABORATORIO, PROGRAMA INGENIERIA ELECTRONICA, UNIVERSIDAD DE PAMPLONA ©2017 IEEE
line 1: 2nd Gonzales Q Oscar Ivan
line 2: Facultad de Ingienerias e
Arquitectura
line 3: Ingieneria Eléctrica
line 4: Pamplona, Colombia
line 5:
oscarivangonzalesquiroz@gmail.
com
line 1: 3rd Pulido Fabian Andres
line 2: Facultad de Ingienerias e
Arquitectura
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line 4: Pamplona, Colombia
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line 1: 4th Capacho Jonh
Alexander
line 2: Facultad de Ingienerias e
Arquitectura
line 3: Ingieneria Eléctrica
line 4: Pamplona, Colombia
line 5:
john.alexander.capacho@gmail.c
om
Resumen — El FET es un dispositivo activo que opera parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
como una fuente de corriente controlada por voltaje. Los forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se
más comunes son los transistores de compuerta aislada hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
llamados MOSFET y los de compuerta de unión llamados sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión
llamada puerta (g-gate) en el collar.
JFET. Posee cuatro zonas de operación, óhmica o lineal,
saturación, corte y ruptura.
El Transistor de Efecto de Campo (Field Effect Transistor)
es un dispositivo semiconductor cuyo funcionamiento se
basa en el control de la corriente por medio de un campo
eléctrico. Estos fueron propuestos inicialmente en su versión
JFET por W. Shockley en 1952

Palabras claves — FET, MOSFET, transistores, zonas de

operaciones.

I. INTRODUCCION
A los transistores de efecto de campo se les conoce
abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre
ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
• Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction
Field Effect Transistor)
• Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido -
Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente,
mientras que los transistores FET son dispositivos controlados
por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida
es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un
caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión
aplicada. En los transistores FET se crea un campo eléctrico
que controla la anchura del camino de conducción del circuito Figura 2 Símbolos gráficos para un FET de canal N
de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud
controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).

De forma análoga a como en los transistores bipolares

existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de
campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores
consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares,
es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores
(electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en Figura 3 Símbolos gráficos para un FET canal P
los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un
único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y
de los huecos en los de canal p. B. Fundamento de transistores de efecto de campo:
Una de las características más importantes de los FETs es Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas
su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias dopadas alternativamente con purezas donadoras o
desde uno hasta varios cientos de megohmios, muy superiores aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se
a la que presentan los transistores bipolares que presentan muestran en la Figura 4.
impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo ohmios.
Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora
de ser utilizados en circuitos amplificadores

II. ESTADO DEL ARTE

A. Transistor de efecto de campo

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Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado
por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en
 Monte el circuito y tome los datos de funcionamiento
del JFET de la figura mostrada en la guia. Compruebe la
zona de trabajo del FET. Dibuje la curva del drenador en
estas circunstancias.
 Implementar una configuración de auto polarización
del transistor. Comprobar su región de trabajo.
 Calcular el punto de operación para esta
configuración.
 Obtener la recta de carga para la configuración dada.

A. Abreviaturas y acrónimos

I: Corriente eléctrica
V: Voltaje
R: Resistencia
Figura 4 Estructura y representación de los transistores Unidades SI
Corriente (I) = Amperios
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están Voltaje (V) =Voltios
polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente Resistencia (Ώ) = Ohmios
que la inversa de saturación de la unión PN. La zona n (en el Tiempo (S)= Segundos
FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona B. Ecuaciones
de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de
puerta).

C. Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de

campo (FET):

ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se

comporta como una resistencia variable dependiente del valor
de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia
que presenta el dispositivo para VDS. = 0 (rds on), y distintos
valores de VGS.
ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el
transistor amplifica y se comporta como una fuente de
corriente gobernada por VGS.
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula
(ID=0).

IV. MEDICIONES Y ANALISIS DE RESULTADOS

A. Medir el voltaje VGS

Para efectuar la medicion se coloco las puntas del multimetro
Figura 5 Zonas de funcionamiento del FET en la puerta(gate ) y en fuente(source) del transistor (j111),
(j112).
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y B. Medir los voltajes VS ,VD.
surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se
altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un Recordemos que el voltaje de cualquier circuito se efectua de
dispositivo simétrico). forma paralela.
Esta medicion se puede efectuar colocando las pinzas del
III. DISEÑO METODOLOGICO multimetro en la fuente(source) y tierra para medir el voltaje
I. Montaje del circuito. de source.
Para el voltaje de drenador(drain) se coloca una de las puntas J111 1,505 1,637 0,125 1,764 2,7 0
del multimetro en tierra y la otra punta en drain. J112 1,491 1,625 0,257 1,884 1,14 0
C. Medir los voltajes VDS
Tabla 2 toma de muestras cálculo J111
Para medir el voltaje Drain-Source se coloca una de las puntas VGS ID VDS
del multimetro a drain y la otra source. 0,8 -0,67 4,1
1 -0,73 3,81
D. Medir la corriente ID 1,2 -0,83 3,67
Para medir la corriente de drain se abre el circuito y se 1,4 -0,95 3,52
coloca el multímetro en serie con el circuito a medir. 1,6 -1,15 3,41
1,8 -1,2 3,45
V. ANEXOS
2,2 -1,24 3,21
2,4 -1,36 3,05
2,6 -1,52 2,99
2,8 -1,61 2,74
3 -1,75 2,67
3,2 -1,83 2,54
3,4 -1,95 2,32
3,6 -2,08 2,28
3,8 -2,16 2,13
4 -2,58 2,11
4,2 -2,83 2,05
4,4 -3,06 1,99
4,6 -3,19 1,85
4,8 -3,48 2
Figura 6 Montajes de los circuitos j111. 5 -3,63 1,32
5,4 -3,82 1,11
6 -4,19 0,92
6,4 -4,32 0,41
7 -4,54 0,16
7,4 -4,63 0,08
7,8 -4,9 0

Figura 7 montaje de los circuitos j112

Figura 8 Toma de datos para curva de transferencia J111,

J112

Tabla 1 muestras para curvas de drenador

VGS VS VDS VD ID IG
 J112
VDS VDS ID
0,8 -0,5 3,63
1 -0,48 3,62
1,2 -0,54 3,61
1,4 -0,62 3,59
1,6 -0,65 3,57
1,8 -0,72 3,55
2 -0,89 3,46
2,2 -1,41 3,31
2,4 -2,29 2,94
2,6 -2,93 2,76
2,8 -4,5 2,28
3 -6,9 2,24
3,2 -8,32 0,69
3,4 -9,58 0,2
3,6 -9,99 0,05 CONCLUSIONES

3,8 -10,11 0 Se obtuvo conocimiento de cómo calcular el voltaje VP por

medio de diferentes medidas.
Se analizo el comportamiento de las diferentes curvas
obtenidas en el circuito, a si mismo se halló, el punto de
operación de las diferentes configuraciones.
Se comprobó que la corriente de puerta(gate) es demasiado
pequeña, tanto que el multímetro da como medida 0 V.
Se presentaron problemas a la hora de medir la corriente de
drain, ya que la fuente no suministraba la capacidad del
circuito.

REFERENCIAS
 VI. UNIVERSIDAD DE LA FRONTERA (2011) EL TRANSISTOR
DE EFECTO DE CAMPO (FET) [ONLINE] AVAILABLE AT:
HTTP://146.83.206.1/~JHUIRCAN/PDF_ELECTRONICA/FETA
H.PDF [ACCESSED 10 NOV. 2019].
 Electronica fácil. Transistor fet [online] Available
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https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANS
ISTOR-FET.html [Accessed 10 Nov. 2019].
 Boylestad, Robert l. y Nashelsky, Louis (2009)
DÉCIMA EDICIÓN. Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos [online]
Available at: http://web.fi.uba.ar/~fbarreiro/Taller
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2019].
 Albert Paul Malvino (2000) SEXTA EDICIÓN.
Principios de electronica [online] Available at:
https://electronikuts.files.wordpress.com/2014/09/
principios-de-electronica-malvino.pdf [Accessed
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