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Fausto Polanco A.

Práctica Nº8 “Diseño de amplificadores en Base (Escuela Politécnica Nacional, fausto.polanco@epn.edu.ec)

Común y Colector Común”

(Trabajo Preparatorio)
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“fs” debido a la tolerancia de los resistores comúnmente 10,
Resumen— El presente trabajo contiene las respuestas al 20 o 30%, debido a que la ganancia de voltaje es inversamente
cuestionario correspondiente a la práctica, el cual facilita al proporcional a la suma de la resistencia dinámica y RE1 se
estudiante los conocimientos previos necesarios para poder considera una condición de estabilidad térmica (r e << RE1),
desenvolverse de manera correcta. para la realización de cálculos siempre se consideran valores
mayores o iguales (preferente mayores) al límite de operación
I. INTRODUCCIÓN para que el TBJ no entre en saturación o en región de corte,

E l TJB (Transistor de juntura Bipolar) operando en la zona

activa es usado para aplicaciones de amplificación,
dependiendo de su configuración se logran obtener diferentes
para que el amplificador logre funcionar aun en las peores
condiciones de operación se considera un valor de Beta de 50
unidades, la variación del VBE igual a 1 [V] en el cual se
características de amplificación para el presente caso base y considera un rango de temperatura de trabajo de 50 ºC.
colector común.
Configuración Colector Común:
II. DESARROLLO Está presente configuración puede presentar una resistencia en
1. .Indicar las principales características y diferencias entre paralelo a un capacitor en colector o solamente un cable estas
amplificadores en configuración de Base Común y Colector configuraciones difieren en el análisis de polarización mas no
Común, además de sus aplicaciones. en el análisis AC.
Se considera dentro de los cálculos un factor de seguridad
Configuración Base Común: “fs” debido a la tolerancia de los resistores comúnmente 10,
20 o 30%, debido a que la ganancia de voltaje es inversamente
Características y Diferencias proporcional a la suma de la resistencia dinámica y RE || RL se
Valores de Av típica de decenas de unidades. considera una condición de estabilidad térmica (r e << RE || RL )
Impedancia de entrada baja. para que AV sea lo más cercano posible a la unidad, para la
Impedancia de salida alta. realización de cálculos siempre se consideran valores mayores
La señal de entrada y salida no presentan desfase. o iguales (preferente mayores) al límite de operación para que
el TBJ no entre en saturación o en región de corte, para que el
Aplicaciones amplificador logre funcionar aun en las peores condiciones de
Realizar tareas de acoplamiento. operación se considera un valor de Beta de 50 unidades, la
variación del VBE igual a 1 [V] en el cual se considera un
Configuración Colector Común: rango de temperatura de trabajo de 50 ºC.

Características y Diferencias.
Ganancia de voltaje cercana a la unidad.
Impedancia de entrada alta.
Impedancia de salida baja.
La señal de entrada y salida no presentan desfase. 3. Consultar el procedimiento de diseño para los
amplificadores en configuración de Base Común y
Aplicaciones Colector Común.
Realizar tareas de acoplamiento.
Usado como amplificador de corriente. Base Común:

2. Consultar los criterios de diseño para los amplificadores

en configuración de Base Común y Colector Común

Configuración Base Común:

Esta configuración puede ser implementada de dos formas con
o sin capacitor en base, debido a que los amplificadores de la
presente práctica no presentan requerimiento de impedancia
de entrada se presenta la configuración con capacitor en base.
Se considera dentro de los cálculos un factor de seguridad
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Laboratorio de Dispositivos Electrónicos.
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I1 =I2+IB
El valor de la fuente de DC (VCC).
VCC ≥VRC+VCE+VE
Valor de los resistores restantes.
RB2 = VB/I2
RB1 = (VCC - VB) / I1
Y por último se encuentran los valores de capacitancia.

|XCB| << RB1 || RB2 || [(β+1)(re+RE1+RE2 || ZinfuenteDC)]

En donde la impedancia de la fuente de DC se asume un valor

estándar (50 Ω).
|XCE|<< Zin
Zin= RE2 || (re+ RE1)
|X CC|= RC || RL
Figura #1. Para todos los valores se considera una reactancia 10 veces
Asumir RC en función de RL menor, recortando la fórmula de la reactancia de un capacitor.
RC = RL RC < RL RC > RL Xc=1/(wC)
Se asegura de qué la corriente de colector sea mayor que la Colector Común:
corriente de salida pico, y se obtiene un valor de VRC.

Nótese el factor de seguridad “fs” el cual considera la

tolerancia de los resistores.
Se encuentra el valor de la corriente de colector la cual se
considera igual a la corriente de emisor, y posteriormente se
halla el valor de la resistencia dinámica re.

Figura #2.
Asumir RE en función de RL
R E = RL RE < R L RE > R L
Se encuentra el valor de RE1 despejando de la ecuación de la De manera similar al caso anterior.
ganancia de voltaje.

Se comprueba la condición de estabilidad térmica antes Como en esta ocasión se presenta dos condiciones se elige la
mencionada (r e << RE1). más exigente para cumplir con las dos.
Se hallan voltajes sobredimensionando los valores para evitar Se procede a hallar voltajes.
que el punto de trabajo se salga de la región activa. Vcc ≥ 2VE

Se hallan valores de corrientes.

IB =IE / (β+1)
VCE MIN :2 [V] VBE : 0.7 [V] I2 =10*IB
Se encuentra un valor de resistencia total de emisor (R ET) con I1 =I2+IB
el fin de halla el valor de RE2. El valor de los resistores restantes.
RET = VE/IE RB2 = VB/I2
RE2 =RET-RE1 RB1 = (VCC - VB) / I1
Se hallan corrientes, considerando las peores condiciones de Y por último la reactancia de los capacitores.
operación BETA = 50 [unidades] además de lograr aproximar |XCB|<< Zin
a un divisor de tensión el ramal de RB1 y RB2. Zin= RB1 ||RB2|| Zin Transistor
IB =IC / β ZinTransistor= (β+1)(re+ RE || RL)
I2 =10*IB |XCE|= RE || RL
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4. Diseñar un amplificador con TBJ que cumpla con las

siguientes condiciones.
Configuración Base Común:
RL: 2.2 KΩ.
Vinp: 600 mV.
Av: 4.

Configuración Colector Común:

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RL: 4.7 KΩ.

Vinp: 3 V.
Av: 1.

Figura #4.

Figura #5.
Configuración Colector Común:

5. Realizar las simulaciones de los circuitos diseñados,

presentar las formas de onda de entrada y salida en
papel milimetrado, las formas de onda en los terminales
del TBJ y una tabla de los valores DC que considere Figura #6.
que debería tomar en simulación para poder comparar
con la práctica del diseño.
Configuración Base Común:

Figura #7.

Figura #3

Figura #8.
BIBLIOGRAFÍA
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[1] Diodes Incorporated, «Diodes,» Septiembre 2014. [En

línea]. Available:
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds28002.pdf.
[Último acceso: 12 4 2019].
[2] R. LLugsi, Apuntes de Dispositivos Electrónicos, Quito,
2019.
[3] RS, «Rs Online,» [En línea]. Available: https://es.rs-
online.com/web/p/rectificadores-de-puente/3690218/.
[Último acceso: 19 Abril 2019]