Chapitre II Générateur photovoltaïque

Ⅱ.1) Introduction :
La production d’un GPV est variable, elle dépend d’une part du niveau d’éclairement
et de la température de la cellule ainsi du vieillissement de l’ensemble. d’autre part de
la charge qu’elle alimente.

Dans un système de conversion des énergies renouvelables, des convertisseurs

sont utilisés pour charger des batteries de stockage, l’étude du convertisseur est
intéressante dans la mesure où il est utilisé dans la plupart des nouveaux types de
sources de production Nous avons partagé notre travail en deux parties.

D’abord, on va modéliserle panneau solaire, etétudierles facteurs qui influent

surproduction d’un GPV. Puis, on va voiles différents types du convertisseur statique,
et on s’est basé sur le convertisseur élévateur (BOOST).

Ⅱ.2)Panneaux solaire photovoltaïques :

L'énergie solaire photovoltaïque désigne l’électricité produite par transformation
d’une partie du rayonnement solaire avec une cellule photovoltaïque. Plusieurs
cellules sont reliées entre elles et forment un panneau solaire (ou module
photovoltaïque).

Plusieurs modules qui sont regroupés dans une centrale solaire photovoltaïque sont
appelés champ photovoltaïque. Le terme photovoltaïque peut désigner soit le
phénomène physique - l'effet photovoltaïque - ou la technologie associée.

Ⅱ.2.2) La structure des panneaux solaire :

C’est la conversion de l’énergie que transportent les photons de la lumière
lorsqu’ils rentrent en collision avec des matériaux semi-conducteurs convenablement
traités, en énergie électrique capable de créer un courant d’électrons à travers un
circuit extérieur. en réalisant un travail utile. [5.7]

La clé pour produire un courant électrique utile est d’arriver à extraire les
électrons libérés. Un procédé pour faire cela est d’introduire dans le matériau semi-
conducteur des éléments chimiques qui contribuent à produire un excès d’électrons et
de trous. Ces éléments. qui altèrent notablement les propriétés intrinsèques du semi-

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conducteur, s’appellent les dopants et le matériau est dopé lorsque le processus

d’incorporation au semi-conducteur est achevé.

Un dopant approprié pour le silicium est le bore. La structure créée s’appelle

un semi-conducteur de type P (positif).Un autre dopant possible pour le silicium est
phosphore. Le semi-conducteur est dit de type N (négatif).

Si les photons de lumière incidente communiquent de l’énergie aux électrons

du semi-conducteur, quelques électrons peuvent traverser la barrière de la potentiel,
en étant expulsés hors du semi-conducteur dans un circuit extérieur. Ceci génère un
courant électrique. Les électrons, après avoir parcouru le circuit externe, retournent
dans le semi-conducteur par la face opposée.

.Le matériau semi-conducteur ne stocke donc pas d’énergie électrique mais

la génère, en transformant l’énergie incidente. [7]

Figure.Ⅱ.1 :Coupe transversale d’une cellule PV typique

Ⅱ.2.3) Principe de fonctionnement de la cellule photovoltaïque :

La cellule photovoltaïque est composée d'un matériau semi-conducteur qui
absorbe l'énergie lumineuse et la transforme directement en courant électrique. Le
principe de fonctionnement de cette cellule fait appel aux propriétés du rayonnement
et à celles des semi-conducteurs. Lorsqu’une cellule est exposée au rayonnement
électromagnétique solaire, les photons de la lumière viennent frapper la face avant de
la cellule. Cette énergie est suffisante pour permettre aux électrons (présents en
abondance sur cette face) de se déplacer sur la face arrière de la cellule (qui présente
un manque d’électrons).[9]

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II.3)Modélisation du système photovoltaïque :

II.3.1)Modélisations du panneau solaire :
A partir de l’étude d’un schéma équivalent électrique de cellule photovoltaïque
Figure II.1 et la démonstration mathématique de la caractéristique courant-tension et
puissance-tension:

Figure II.2 : schéma équivalent de la cellule photovoltaïque

Donc, le courant fourni par la cellule photovoltaïque est :

Ipv = Iph − Id − IR (II.1)

e(Vpv +(Ipv ∗Rs )) Vpv +(Ipv ∗Rs )

Ipv = Iph − Isat [exp ( ) − 1] − (II.2)
nKT Rp

II.3.2) Détermination des paramètres de schéma :

 Determination de 𝑰𝒑𝒗 :

A partir de la figure II.2, si on néglige 𝑅𝑝 et 𝑅𝑠 dans et dons la condition standard de

test (STC) :

e(Vpv )
Ipv = Iph−ref − Isat−ref [exp ( ) − 1] (II.3)
nKT

Dans le cas court-circuit :

e(0)
Isc−ref = Iph−ref − Isat−ref [exp (nKT) − 1] = Iph−ref (II.4)

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Alors :

Isc ≈ Iph−ref (II.5)

Le photo-courant dépend de la température et l’irradiation

𝐺
Iph = 𝐺 (Iph−ref + 𝜇𝑠𝑐 ∗ ∆𝑇) (II.6)
𝑟𝑒𝑓

G : irradiation (W/𝑚2 ),𝐺𝑟𝑒𝑓 :iradiation à STC=1000(W/𝑚2 ),∆𝑇 =

𝑇𝑐 𝑇𝑐−𝑟𝑒𝑓 (𝑘𝑒𝑙𝑣𝑖𝑛), 𝑇𝑐−𝑟𝑒𝑓 : est la températeur a STC 25 + 237 = 298K.

Détermination de 𝑰𝑫 :

Le courant de la diode est :

e(Vpv +(Ipv ∗Rs ))

ID = Isat [exp ( ) − 1] (II.7)
nKT

 Détermination de 𝑰𝒔𝒂𝒕 :

Tant que la résistance 𝑅𝑝 est généralement grandeon peut la négligerI𝑅 par (II.1),
et dans le cas idéal (STC) :

 La tension à circuit over est (𝑉 = 𝑉𝑐𝑜 et I=0)

 Le courant à court-circuit est (I=I𝑐𝑠 et V=0)

e(V
0 = Iph−ref − I0−ref [exp ( nKTco ) − 1 ] (II.8)

Avec le remplacement de (II5) dans (II.8) en a trouvé :

e(V
0 ≈ Isc − Irs [exp ( nKTco ) − 1] ( II.9)

Donc :

e(Vco−ref
Irs = Isc / [exp ( ) − 1] (II.10)
nKT

Et par la méthode 𝑛𝑒𝑤𝑡𝑜𝑛𝑅𝑎𝑝ℎ𝑠𝑜𝑛on peut le calculer 𝑰𝒔𝒂𝒕 :

𝑇𝑐 𝑞∗𝐸𝑔 1 1
𝐼𝑠𝑎𝑡 = 𝐼𝑟𝑠 ∗ (𝑇 )3 [𝑒𝑥𝑝 ( 𝑛∗𝐾 ) (𝑇 − 𝑇 )] (II.11)
𝐶−𝑟𝑒𝑓 𝑐−𝑟𝑒𝑓 𝑐

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Avec :

Eg : Energie de Gap de la cellule. (Silicium-cristallinEg = 1, 12 eV)

Tc q∗Eg 1 1 e(Vpv +(Ipv ∗Rs ))

ID = Irs ∗ (T )3 [exp ( n∗K ) (T − T )] [exp ( ) − 1] (II.12)
C−ref c−ref c nKT

 Détermination de 𝑰𝑹 :

A partir de l’équation (II.1) le courant qui traverse la résistance shunt R P est :

Vpv +(Ipv ∗Rs )
Ip = (II 13)
Rp

II.4)La convertisseur statique :

II.4.1) Les Hacheurs :
Le convertisseur DC-DC permet d’alimenter une charge sous une tension continue
réglable à partir d'une source continue fixe.

On obtient une tension de valeur moyenne variable en établissant et

interrompant périodiquement l'alimentation de la charge par la source grâce à des
interrupteurs.

II.4.2) Les types des hacheurs :

Différents types d’hacheurs selon la position du commutateur et du hacheur, différents
types de convertisseurs de tension peuvent être réalisés :

 Abaisseur de tension «Buck »

 Abaisseur élévateur de tension « Buck-Boost »
 Le convertisseur SEPIC
 Élévateur de tension « BOOST »

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II.4.2.a) Convertisseur Buck :

Hacheur abaisseur, hacheur dévolteur, hacheur série, hacheur de type Buck.
L’hacheur série est un convertisseur direct DC–DC. La source d'entrée est de type
tension continue et la charge de sortie continue de type source de courant.
L'interrupteur K1 peut être remplacé par un transistor puisque le courant est
toujours positif et que les commutations doivent être commandées (au blocage et à
l'amorçage).[15]

Figure II.3 : La fonction hacheur BUCK

 Principe de Fonctionnement :
L’interrupteur K1est fermé pendant la fraction DT de la période de découpage T. La
source d'entrée fournit l'énergie à la charge R à travers l’inductance L. Lors du
blocage du transistor, la diode K2 assure la continuité du courant dans l’inductance.
L'énergie emmagasinée dans cette inductance est alors déchargée dans le
condensateur et la résistance de charge.[15]

II.4.2.b) Convertisseur Buck-boost :

Hacheur inverseur, dévolteur- survolteur, de type buck-boost.

L’hacheur inverseur est un convertisseur indirect DC–DC à stockage inductif. La

source d'entrée est de type tension continue (filtrage capacitif en parallèle avec
une source de tension ) et la charge de sortie continue de type source de tension
(condensateur en parallèle avec la charge résistive).

Le convertisseur dévolteur-survolteur combine les propriétés des deux

convertisseurs précédents, il est utilisé comme un transformateur idéal de n’importe

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 Chapitre II Générateur photovoltaïque

quelle tension d’entrée pour n’importe quelle tension de sortie désirée; son
schéma de base est illustré sur la Figure II.15 .

L'interrupteur K1peut être remplacé par un transistor puisque le courant est toujours
positif et que les commutations doivent être commandées (au blocage et à
l'amorçage).[15]

Figure II.4 : La fonction hacheur Buck-Boost.

II.5) Conclusion :
L’énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d’une
partie dans ce chapitre, On a identifiées équations qui modélisent un panneau solaire.
Le panneau s’est influencé par des facteurs extérieurs (la température et le
rayonnement) et des facteurs intérieurs (l’association du module cellule hybride). De
plus, on a fait une vue d’ensemble sur les différents types de convertisseurs statiques
basant sur le principe de fonctionnement du convertisseur BOOST.

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