Вы находитесь на странице: 1из 15

Министерство образования и науки Калужской области

ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ


ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ КАЛУЖСКОЙ ОБЛАСТИ
«КАЛУЖСКИЙ КОЛЛЕДЖ ЭКОНОМИКИ И ТЕХНОЛОГИЙ»
(ГАПОУ КО «ККЭТ»)

ИНДИВИДУАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ

по дисциплине Физика

по теме:
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Руководитель индивидуального проекта _______________ И.А. Рыбалко


(подпись)

Студент группы ИС-11 ______________________________ М.Э. Тягунов


(подпись)

Оценка:__________________

Калуга 2019
СОДЕРЖАНИЕ

Введение…………………………………………………………………………...3
1 Общие сведения о транзисторах…………………………………...............4
2 Биполярные транзисторы…………………………………………………..5
3 Принцип работы биполярных транзисторов…...………………………....8
4 Схемы включения биполярных транзисторов…………………………….9
5 Биполярные транзисторы с изолированным затвором………………….11
Заключение……………………………………………………………………….14
Список использованных источников…………………………………….……..15

2
ВВЕДЕНИЕ

На протяжении большей части ХХ века главной наукой была физика.


Электрификация, автомобили, полеты в космос, атомная бомба - всеми этими
достижениями человечество обязано именно физике.
Последнее информационное направление в настоящее время является
наиболее актуальным и самым известным. Совершенно невозможно
представить наш мир без персональных компьютеров, ноутбуков,
смартфонов, планшетников всего того, без чего немыслимы
информационные технологии. Однако все эти вещи стали реальностью
только и исключительно благодаря развитию микроэлектроники.
Целью проектирования является изучение структуры и принципа
работы биполярных транзисторов.
В процессе работы над проектом применялись такие методы
исследования, как изучение и анализ литературы, изучение и обобщение.

3
1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТРАНЗИСТОРАХ

Транзисторами называют полупроводниковые приборы, которые


располагают не менее чем тремя выводами и в определённых
обстоятельствах могут усиливать мощность, преобразовывать сигнал, или
генерировать колебания. Различных видов транзисторов много - это полевые
(униполярные) и биполярные транзисторы, биполярные транзисторы с
изолированным затвором и однопереходные транзисторы, фототранзисторы
и другие.
Усилительные каскады, выполненные на транзисторах, требуют
небольшого напряжения питания величиной всего в несколько вольт, а КПД
может достигать нескольких десятков процентов. Транзисторы по сравнению
с электронными лампами обладают большей экономичностью, низким
энергопотреблением, длительным временем наработки на отказ, малой
массой и габаритами, высокой механической прочностью. К недостаткам
транзисторов следует отнести невысокую радиационную стойкость,
невозможность работы при температуре полупроводникового кристалла из
кремния значительно выше 125°C и прочее.
Транзисторы классифицируют по материалу полупроводника,
подразделяя на германиевые, кремниевые, из арсенида галлия и прочие.
Биполярные транзисторы, у которых две из трёх областей имеют
дырочный тип проводимости, называют транзисторами с прямой
проводимостью, или структуры p-n-p. А биполярные транзисторы, у которых
две из трёх областей имеют электронный тип проводимости, называют
транзисторами с обратной проводимостью, или структуры n-p-n.
Рассматриваемые приборы, которые не способны усиливать сигнал с
частотой более 3 МГц, называют низкочастотными транзисторами. Приборы,
которые могут усиливать сигнал с частотой более 3 МГц, но менее 30 МГц,
называют среднечастотными транзисторами. А транзисторы, которые
допускают усиление сигнала с частотой, превышающей 30 МГц, называют

4
высокочастотными, а позволяющие работать на ещё большей частоте (выше
300 МГц) называют сверхвысокочастотными или СВЧ.
Если транзисторы не могут обеспечить мощность рассеевания,
превышающую 0,3 Вт, то такие транзисторы называют маломощными.
Приборы, которые имеют рассеиваемую мощность более 0,3 Вт, но менее 3
Вт, называют транзисторами средней мощности. А транзисторы, мощность
рассеяния которых превышает 3 Вт, называют мощными транзисторами.

5
2 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярными транзисторами называют полупроводниковые приборы с


двумя взаимодействующими электрическими p-n-переходами, которые
способны усилить сигнал по мощности за счет внешнего источника питания.
Простейшим транзистором служит полупроводниковый триод с двумя p-n-
переходами.
В биполярном транзисторе в переносе тока одновременно принимают
участие два типа зарядов - электроны и дырки. Переходы транзистора
образованы тремя областями с чередующимися типами проводимости. В
зависимости от порядка чередования этих областей различают транзисторы
n-p-n и p-n-p типа. Транзисторы n-p-n типа предпочтительнее, так как
подвижность электронов в них выше подвижности дырок.
Переход, работающий в прямом направлении, называется эмиттерным,
а соответствующий крайний слой - эмиттером. Средний слой называется
базой. База имеет проводимость противоположного типа и всегда является
высокоомной, т.е. концентрация дырок в ней во много раз меньше, чем
концентрация электронов в эмиттере.
Второй переход, нормально смещенный в обратном направлении,
называется коллекторным, а крайний слой - коллектором. Это название
отражает функцию собирания инжектированных носителей, прошедших
через слой базы. Концентрация электронов в нем тоже велика, она лишь
незначительно ниже, чем в эмиттере.
Транзистор, вообще говоря, обратимый прибор, т.е. эмиттер и
коллектор можно поменять местами, сохранив работоспособность прибора.
Однако в связи с несимметричностью реальной структуры, а также
различием материалов эмиттера и коллектора нормальное и инверсное
включения транзистора неравноценны.
В зависимости от технологии изготовления транзистора концентрация
примесей в базе может быть распределена равномерно или неравномерно.

6
При равномерном распределении внутреннее поле отсутствует, и неосновные
носители в базе движутся в ней вследствие процесса диффузии. Такие
транзисторы называются диффузионными или бездрейфовыми.
При неравномерном распределении концентрации примесей в базе
имеется внутреннее электрическое поле, и неосновные носители заряда
движутся в ней в результате дрейфа и диффузии, причем дрейф играет
доминирующую роль.

7
3 ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Если к транзистору приложить напряжение к эмиттерному переходу в


прямом направлении, а к коллекторному переходу в обратном направлении,
причем напряжение коллектора больше напряжения эмиттера, то тогда
эмиттерный переход открывается, его потенциальный барьер уменьшается,
переход становится более узким, его сопротивление снижается и начинается
процесс инжекции носителей заряда из эмиттера в базу, так как концентрация
электронов в эмиттере гораздо выше концентрации дырок в базе. Поэтому
база заполняется неосновными носителями заряда и поскольку толщина базы
в реальных транзисторах делается меньше, чем длина свободного пробега
электронов, то лишь малая часть электронов, инжектированных в базу,
рекомбинирует с дырками базы. Заряд рекомбинированных электронов
остается в базе и для восстановления электронейтральности базы из внешней
цепи должен прийти дополнительный положительный заряд, поэтому ток
базы представляет собой ток рекомбинации.
Основная часть электронов, инжектированных в базу, не успевает
рекомбинировать с дырками и попадает вблизь коллекторного перехода,
электроны оказываются в электрическом поле, которое для них является
ускоряющим, поскольку коллекторный переход включен в обратном
направлении, а электроны в базе являются неосновными носителями заряда.
Поэтому все электроны из базы поступают в коллектор, образуя во внешней
цепи коллекторный ток. Кроме тока, вызванного инжектированными в базу
неосновными носителями заряда, через коллекторный p-n-переход,
смещенный в обратном направлении, протекает обычный обратный
неуправляемый ток. Так как база высокоомна, то можно считать, что дырки в
эмиттер не переходят, поскольку они еще в базе рекомбинируют с
электронами. Рекомбинация дает ток базы, который невелик, потому что
концентрация дырок в базе мала.

8
4 СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Схема включения транзистора с общим эмиттером. Эта схема дает


наибольшее усиление по напряжению и току, в связи с чем является наиболее
распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход
база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается
напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В
этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно
фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.
Но ко всему схема с общим эмиттером имеет существенный
недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит
к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким
образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше
использовать другую схему включения. Например, с общей базой.
Схема включения транзистора с общим коллектором. Особенность
этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на
вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.
Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим
эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький,
основной недостаток этой схемы. Он приближается к единице, но всегда
меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается
равным всего нескольким десяткам единиц. В схеме с общим коллектором
фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует.
Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице,
выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е.
повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным
повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается
с эмиттера относительно общего провода.
Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов

9
или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление.
Например, конденсаторный микрофон.
Схема включения транзистора с общей базой. Эта схема не дает
значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах,
поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику
транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с
общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет
наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления.
Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а
выходное — не очень большое, то собранные по схеме с общей базой
каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое
сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.
В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а
уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано,
коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы.
Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме
с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также
отнести необходимость использования двух источников питания. Все три
схемы включения биполярных транзисторов изображены на Рисунке 1.

Рисунок 1

10
5 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

БТИЗ выполнены как сочетание входного униполярного (полевого)


транзистора с изолированным затвором и выходного биполярного. Таким
образом, БТИЗ имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор. Оно
подчеркивает его гибридность тем, что изолированный затвор изображается
как в ПТ, а электроды коллектора и эмиттера - как у БТ. Сочетание двух
приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и
биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой
токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии.
Структура БТИЗ. На схеме VT-полевой транзистор с изолированным
затвором, VТ1 - биполярный транзистор, R1-последовательное
сопротивление канала полевого транзистора, R2-сопротивление,
шунтирующее переход база-эмиттер биполярного транзистора VТ1.
Благодаря сопротивлению R2 биполярный транзистор заперт и не оказывает
существенного влияния на работу полевого транзистора VT. Структура
транзистора IGBT дополнена еще одним р-n-переходом, благодаря которому
в схеме замещения появляется еще один р-n-р-транзистор VТ2.
Образовавшаяся структура из двух транзисторов VT1 и VT2 имеет глубокую
внутреннюю положительную обратную связь, т.к. ток коллектора
транзистора VT2 влияет на ток базы транзистора VT1 а ток коллектора VT1
определяет ток базы транзистора VT2.
Другим достоинством БТИЗ транзисторов является значительное
снижение последовательного сопротивления и следовательно снижение
падения напряжения на замкнутом ключе.
Быстродействие БТИЗ несколько ниже быстродействия ПТ, но
значительно выше быстродействия БТ. Исследования показали, что для
большинства транзисторов типа БТИЗ время включения и выключения не
превышает 1,0 мкс.

11
6 ВЛИЯНИЕ ЧАСТОТЫ НА УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Известно, что чем выше частота сигнала, поступающего на вход


транзисторного каскада, тем меньше коэффициент усиления по току.
Основной вклад в снижение усилительных свойств нужно отнести к
барьерной ёмкости и отставанию переменных токов коллектора от эмиттера
на время, необходимое для диффузии носителей заряда в области базы.
Кроме того, ёмкости между корпусом и выводами транзистора пагубно
влияют на усилительные свойства прибора.
Коллекторный переход транзистора обладает высоким
сопротивлением. Повышение частоты приводит к снижению реактивной
ёмкости коллекторного перехода, что приводит к его существенному
шунтированию и ухудшению усилительных свойств каскада.
Носители заряда преодолевают область базы и рекомбинируют за
небольшой конечный интервал времени, исчисляемый десятками
наносекунд. Чем выше будет частота, тем существенней станет запаздывание
носителей заряда. На постоянном токе сдвиг фаз между токами коллектора и
эмиттера транзистора равен нулю, а полный ток базы минимален. На
высокой частоте между переменными токами коллектора и эмиттера
транзистора возникнет сдвиг фаз, которого не было на постоянном токе. При
этом полный ток базы транзистора на высокой частоте много больше
полного тока базы на низкой частоте и, тем более, на постоянном токе.
Повышение тока базы для получения заданного фиксированного тока
коллектора означает уменьшение коэффициента усиления транзистора по
току.
Чтобы повысить граничную частоту усиления транзистора, необходимо
выполнить область базы как можно меньшей толщины, повысить скорость
прохождения через неё неосновных носителей зарядов, уменьшить ёмкость
корпуса и выводов транзистора.

12
7 ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РЕЖИМЫ РАБОТЫ
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Чтобы германиевый транзистор не вышел из строя, температура его


кристалла должна быть меньше примерно 70°C, кремниевого транзистора -
меньше 125-150°C, а арсенид-галлиевого транзистора - меньше 150-200°C.
Введение легирующих добавок несколько корректирует максимально
допустимую температуру кристалла, а некоторые специально
сконструированные транзисторы выдерживают и более высокую
температуру. Нагрев биполярных транзисторов вызывает увеличения
проводимости области базы и обратного тока коллектора. При повышении
температуры корпуса транзистора от 20°C до 60°C обратный ток коллектора
обычно может возрасти до шести раз. Следовательно, изменения
температуры оказывают очень существенное влияние на функционирование
транзисторного каскада, вызывая значительные изменения режима его
работы. Чтобы изменение температуры не привело, к возникновению
автогенерации каскада, предназначенного для усиления, или другим вредным
последствиям, необходимо применять цепи термостабилизации режимов
работы транзисторов.

13
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении, немного о будущем: исследователи ожидают, что в 2020


г. процесс миниатюризации остановится. Транзисторы достигнут такого
размера, что уже не будут подчиняться законам классической физики, на
которых построена работа всех современных вычислительных машин. Во
всем мире сейчас проводятся исследования в области создания новой
элементной базы для электроники. Наиболее перспективным принято
считать: создание транзистора на основе органических соединений и на
основе углеродных трубок. И если в создании отдельных транзисторов уже
получены определенные обнадеживающие результаты, то перспективы
создания микросхем на основе новой элементной базы выглядят более
туманными. Поэтому принципы работы традиционных полупроводниковых
приборов будут востребованы еще достаточно долгое время.
В ходе работы над проектом произведен анализ и изучение структуры и
принципа работы биполярных транзисторов.

14
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Червяков Г. Г. Электронные приборы / С. Г. Прохоров,


О. В. Шиндор. - 2012. – 334 с.
2. Москатов Е. А. Электронная техника. Начало / 2010. – 200 с.
3. Гаврило С. А. Искусство схемотехники. Просто о сложном / 2011. –
350 с.

15