ANÁLISE DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UM TRANSÍSTOR BIPOLAR

AUTOR E FILIAÇÃO:
 Eurico Viegas
 Isa Morouço
 Marcos Miguel
 Miguel Bento
 Luís Lopes
 Pedro Paz
 Tiago Moura

Palavras Chave: Transístor, Bipolar, Base, Emissor, Colector

Abstracto: Neste trabalho foi realizada a análise das curvas de entrada e de saída de um
transístor bipolar. Para tal, recorreu-se a um PC equipado com uma placa de aquisição de
dados bem como com o programa HPSemic para obter as curvas características (CC) de um
transístor bipolar (Ref. BC531). Outros parâmetros importantes no nosso estudo foram
extraídos da analise gráfica das curvas obtidas: das curvas de saída IC/VCE em modo normal é
determinada a tensão de Early (VE=130,52 V), enquanto que das curvas de entrada IB/VBE é
determinado VT para o díodo B/E, que corresponde à tensão mínima de funcionamento
(VBE min = 0,62V). Das curvas de entrada IC/IB em modo normal e em modo inverso é
determinado o ganho de corrente em configuração de emissor comum em modo normal e
modo inverso (respectivamente, hFE N = 150,801 ehFE I = 7,17). A partir destes é
determinado o ganho de corrente em configuração de base comum quer em modo normal
quer em modo inverso (respectivamente, αN ≃ 0,993 e 𝛼𝐼 ≃ 0,88). Por último, foi efectuado
o cálculo de VCEsat, (𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = 0,11𝑉), valor superior/inferior (riscar o que não interessa) ao
valor de VCE nesse ponto. Tendo determinado as características operacionais relevantes do
transístor, podemos assim aferir da sua capacidade para as aplicações em vista.

Introdução: O transístor bipolar dependendo da forma como as junções

revolucionou a electrónica, ao permitir a base-emissor e colector-base se encontram
amplificação de uma grandeza electrica polarizadas.
usando um volume muito menor que o
requerido por uma válvula com capacidade Corpo do Artigo: Determinação dos
equivalente. Tal como os diodos, o transístor seguintes parâmetros caracterizadores de
apenas conduz a partir de uma tensão um transístor bipolar:
específica VBEmin,correspondente à tensão
limiar de condução da junção base-emissor.
Outra grandeza relevante para a operação
do transístor é o ganho em configuração de
emissor comum, hfe, que relaciona a
corrente de colector com a corrente de base.
Ao contrário do díodo, o transístor tem
quatro modos de funcionamento,

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Ganho de corrente em configuração de Ganho de corrente em configuração
emissor comum - modo normal, hfeN : de emissor comum - modo inverso,
hFE I .

-3
1,4x10

-3 -4
1,2x10 3,5x10

-3 -4
1,0x10 3,0x10

-4 -4
8,0x10 2,5x10
Ic(mA)

-4 -4
6,0x10 2,0x10

Ic(mA)
-4 -4
4,0x10 1,5x10

-4 -4
2,0x10 1,0x10

-5
0,0 5,0x10

0,0 -6
2,0x10
-6
4,0x10
-6
6,0x10
-6
8,0x10
-5
1,0x10 0,0
Ib(mA)
0,0 -5
1,0x10
-5
2,0x10
-5
3,0x10
-5
4,0x10
-5
5,0x10
Ib(mA)

IC
Tendo em conta que IB
= hFE N , é directo
Tal como anteriormente, utilizamos
que o hFE N se trata do declive da regressão
IC
linear acima efectuada, cuja equação é = hFE I e seguindo o mesmo método,
IB
𝐼𝐶 = 150,801𝐼𝐵 − 1,5779. Neste caso, hFE I = 7,17.
hFE N = 150,801.
Ganho de corrente em configuração
Ganho de corrente em configuração de base comum - modo inverso, αI
de base comum - modo normal, α
(ou αN ). Utilizando o hFE I determinado na alínea
anterior, determina-se o ganho de corrente
Utilizando o hFE N determinado na alínea em configuração de base comum (αI )
anterior, determina-se o ganho de corrente através da expressão:
em configuração de base comum (αN )
𝛼𝐼 𝛼𝐼
através da expressão: hFE I = ⇔ 7,17 = ⇔ 𝛼𝐼
1 − 𝛼𝐼 1 − 𝛼𝐼
𝛼𝑁 𝛼𝑁 ≃ 0,88
hFE N = ⇔ 150,801 = ⇔
1 − 𝛼𝑁 1 − 𝛼𝑁
⇔ αN ≃ 0,993

Materiais Semicondutores Página 2

Tensão de Erly para o modo normal,
𝑉𝐸
A determinação da tensão de Erly é
efectuada no gráfico de curvas de saída em
modo normal:
No seguimento do que foi referido, a
regressão linear referente ao terceiro valor
foi consideravelmente discrepante
relativamente aos outros pelo que não será
incluído na determinação do parâmetro.
Assim, através da média ponderada dos dois
valores chegamos a um valor final para a
Tensão de Erly de:

0,13037𝑉 + 0,13067𝑉
= 0,13052𝑉
-3
1,2x10 2

Tensão mínima de funcionamento

-3
1,0x10

-4
8,0x10
V BE min
-4
Ic(mA)

6,0x10

-4
4,0x10
-5
1,0x10
-4
2,0x10
-6
8,0x10
0,0
-6
6,0x10
0 1 2 3 4 5
Ic(mA)

Vce(V)
-6
4,0x10

-6
2,0x10

No qual se executam regressões lineares 0,0

para diferentes valores de 𝐼𝐵 na zona de

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
funcionamento normal. Nas equações dadas Vbe(V)

pelas regressões determinamos as suas

intersecções com o eixo dos xx, onde
A regressão linear realizada neste ponto,
supostamente todas devem intersectar no
cuja equação é
mesmo valor, será esse valor a VE .
𝐼𝐶 = 1,97325 × 10−4 − 1,22291 × 10−4
Foram escolhidas as rectas para valores de
𝐼𝐵 superiores pois estas introduzem menos Dá-nos a tensão limiar de condução, que
erro acontece aproximadamente quando 𝑦 = 0
ou seja, 𝐼𝐶 = 0. Concretizando:
𝑦 = 7,74728 × 10−6 𝑥 + 0,00101 × 10−3 ⇔
0 = 1,97325 × 10−4 𝑉𝐵𝐸 − 1,22291 × 10−4 ⟺
⇔ 𝑦=0 ⇔
⟺ VBEmin = 0,62V
⇔ 𝑥 ≃ 0,13037𝑉

𝑦 = 5,4788 × 10−6 𝑥 + 7,15929 × 10−4 × 10−3 ⇔

⇔ 𝑦=0 ⇔

⇔ 𝑥 = 0,13067𝑉

𝑦 = 4,58025 × 10−6 𝑥 + 4,28429 × 10−4 × 10−3

⇔ 𝑦=0 ⇔

⇔ 𝑥 = 0,935𝑉

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 kT α N I B +I C −α I I C
Calculo 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻 através da expressão VCE SAT = ln , utilizando 𝑰𝑪 e
q α I α N I B −I C +α N I C
𝑰𝑩 de um ponto que esteja na zona de saturação e compare com o valor
medido de 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻 para esse ponto.

-3
1,2x10

-3
1,0x10

-4
8,0x10
Ic(mA)

-4
6,0x10

-4
4,0x10

-4
2,0x10

0,0

0 1 2 3 4 5
Vce(V)

X = 0,152514648; Y = 8,84695033E-4

Para calcular a partir da fórmula, é necessário arbitrar um ponto na área de saturação do gráfico,
de onde retiramos 𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 e 𝐼𝐵 (que é fixo) e determinamos

𝑘𝑇 𝛼𝑁 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 − 𝛼𝐼 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = 𝑙𝑛 ⇔
𝑞 𝛼𝐼 𝛼𝑁 𝐼𝐵 − 𝐼𝐶 + 𝛼𝑁 𝐼𝐶

1,38 × 10−23 × 300 0,993( 0,008 × 10−3 + 8,85 × 10−4 − 0,88 × 8,85 × 10−4 )
⇔ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = −19
ln⁡
1,602 × 10 0,88 × ( 0,993 × 0,008 × 10−3 − 8,85 × 10−4 + 0,993 × 8,85 × 10−4 )
⇔

1,38 × 10−23 × 300 1,134006 × 10−4

⇔ 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = −19 ln = 0,11 𝑉
1,602 × 10 1,53912 × 10−6

O valor de 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 é razoável tendo em conta que o valor dado pelo gráfico é igual a 0,15 V.

Artigo realizado com base no protocolo do trabalho prático nº 2 de Materiais Semicondutores.

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