SEMICONDUCTORES DE

Si, Ge y Se

ELECTRONICA INDUSTRIAL 1
El presente proyecto de investigación enseña y
amplia nuestros conocimientos sobre los
semiconductores de silicio, germanio y selenio.

Nos muestra una variedad de aplicaciones en el

área de la ciencia eléctrica y la función dentro de
la cual han sido utilizados cada uno de estos
elementos.

Observaremos como las propiedades de cada

dispositivo influyen sobre la tensión de entrada en
determinado circuito.

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 INDICE

CARATULA 1
PROLOGO 2
DEFINICION 5
Incremento de la conductividad en un semiconductor 6
Semiconductor Intrínseco 8
Semiconductor Extrínseco 8
Semiconductor tipo n 8
Semiconductor tipo p 9
Unión N – P 9
Polarización directa e inversa 10
TIPOS DE SEMICONDUCTORES 11
DIODOS 11
Características de Diodos 12
Caída de Tensión en Directa 12
Tensión Inversa 12
Conexión y Soldadura 13
APLICACIONES DE LOS DIODOS 14
Diodos de Protección para Relés 14
Diodos Rectificadores 15
Diodos de Tratamiento de Señal 16
Diodos Zener 17
Diodos de Capacidad Variable 17

TRANSISTORES 19
TIPOS DE TRANSISTORES 19
Transistor de Unión Bipolar 20
Transistor de Efecto de Campo 21
Fototransistores 22

FOTORRESISTORES 23

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APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES 23
CIRCUITO INTEGRADO 23
AMPLIFICADOR 23
FUENTES DE ALIMENTACION 24
OSCILADOR 25
C.P.U. 25
CONCLUSIONES 26
LINKOGRAFIA 26
BIBLIOGRAFIA 26

ELECTRONICA INDUSTRIAL 4
 SEMICONDUCTORES

I. DEFINICIÒN:

Semiconductor es un elemento
que se comporta como
un conductor o como
un aislante dependiendo de
diversos factores, como por
ejemplo el campo eléctrico o
magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el
que se encuentre.
Tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico
pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, sirve para
fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores,
circuitos integrados y microprocesadores.
El equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina
característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar
electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se
unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica
fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de
potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar
conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un
material aislante.

Los semiconductores son materiales moderadamente estables, es decir, si nada

les perturba no conducen la corriente. Ahora bien, basta que les molestemos
un poco para que esos electrones de valencia, que tiene cada átomo, salten y
se vayan a la aventura formando una corriente eléctrica.

ELECTRONICA INDUSTRIAL 5
Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los

materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura
interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la
resistencia al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos
semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad
también aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede

variar aplicando uno de los siguientes métodos:

 Elevación de su temperatura

Un aumento de temperatura hace que los electrones tengan más energía

y se pongan nerviosos. Alguien podría pensar que los electrones son
como granos de maíz en una sartén y según se van calentando empiezan
a saltar saliéndose del recipiente.
Al igual que las palomitas, nuestros electrones saltan y se van del
átomo al que estaban unidos para empezar a circular junto con otros
electrones creando la corriente.

 Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura

cristalina

Lo cual se conoce con el nombre de dopaje. La técnica del dopaje

consiste simplemente en alterar la estructura interna de un
semiconductor, añadiendo dentro de él una pequeñísima cantidad de
átomos de otro elemento bastante similar al original. Al dopar un
elemento ocurre como si a un montón de harina le añadimos un
pellizquito de levadura lo removemos bien y lo metemos al horno, a
simple vista parece que no hemos hecho nada pero los efectos físicos
son bien visibles. Al dopar un semiconductor se produce un gran
aumento de su permisividad al paso de la corriente.

ELECTRONICA INDUSTRIAL 6
La conductividad eléctrica de los cuerpos materiales (σ) constituye la
capacidad que tienen de conducir la corriente eléctrica. La fórmula
matemática para hablar la conductividad es la siguiente:

1L
σ=
RA

Como se puede apreciar en esta fórmula, la conductividad (σ) se obtiene

hallando en primer lugar el resultado de la reciproca de la resistencia (o
sea, 1/R) multiplicándolo a continuación por el resultado que se obtiene de
dividir la longitud del material (L) entre su área (A). En esa fórmula se
puede también que la resistencia (R) es inversamente proporcional a (σ),
por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad
resultante será mayor.

También puede ocurrir que una vez llena la banda de valencia, ya no haya
más electrones, con lo que la banda de conducción queda vacía y el
material no conduce, es decir, es un aislante.

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la

siguiente forma:

1. Intrínsecos
2. Extrínsecos

ELECTRONICA INDUSTRIAL 7
 1. SEMICONDUCTOR INTRINSECO

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en

estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. Poseen una conductividad eléctrica fácilmente
controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar
como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.
Ejemplo: Si y Ge puros.

2. SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le

introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección.
Los electrones que estén en la última banda incompleta podrán
desprenderse de los átomos con mucha facilidad, por tanto, podrán
conducir muy bien electricidad y en consecuencia, un buen conductor de
electricidad. A las bandas que se ocupan completamente se le llama bandas
de valencia y a las que se ocupan parcialmente se les llama de conducción.
Dependiendo de esas impurezas habrá dos tipos:
a. Semiconductores de tipo n:
En las redes de Si o Ge se introducen
elementos los cuales tienen un electrón más
en su capa de valencia a los elementos que
tienen un electrón menos, se comportan
como impurezas donadoras de electrones o
portadores negativos.
Si los átomos añadidos tienen cinco
electrones en su última capa el semiconductor se denomina de tipo
N, por ser potencialmente más negativo que uno sin dopar. En este
tipo de materiales tenemos un quinto electrón que no se recombina
con los demás y que, por tanto, está libre y vaga por el elemento
produciendo corriente.

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 b. Semiconductores de tipo p:

En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un

electrón menos en su capa de valencia, por lo que se comportan
como aceptores o captadores de electrones. Introducimos átomos
con tres electrones de valencia en un elemento de átomos con
cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su
nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los
átomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual número de
electrones que de protones) que tienen estos elementos.

c. Unión N – P:

Comportamiento de cara al paso de corriente eléctrica.

Los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en
los huecos que le sobran al material tipo P, no todos los de un
bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que están
medianamente cerca de la frontera que los separa. A esto se le
llama recombinación.

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 Debido a la atracción mutua que existe entre ellos ya que poseen
cargas opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta
cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una
concentración de electrones mayor de lo normal, lo que provoca
que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a
un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones para
apaciguar la atracción hueco-electrón inicial pero no tantos
como para llegar a repelerse entre ellos.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado
una barrera de potencial. Una barrera de potencial es
simplemente una oposición a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro. Esta situación permanecerá inalterable
mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir,
compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro
potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectándolo a
una batería.

d. Polarización directa e inversa:

1. Polarización Directa:

Al polarizar directamente una unión P-N el polo negativo de la

batería está inyectando electrones al material N, mientras que
el polo positivo recibe electrones del lado P creándose así una
corriente eléctrica. Con esta batería hemos conseguido vencer
el obstáculo que se había creado debido a la barrera de
potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los

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 electrones y los huecos pueden pasar libremente a través de la
frontera.

2. Polarización Inversa:

Al polarizar inversamente una unión P-N no se crea una

corriente en sentido opuesto sino que, curiosamente, no hay
corriente alguna. Esto es porque los huecos libres del tipo P
se recombinan con los electrones que proceden del polo
negativo de la batería, y los electrones libres del tipo N son
absorbidos por ésta, alejándose tanto huecos como electrones
de la unión, en vez de vencer nuestra barrera de potencial
ésta se ha hecho más grande y no existe corriente; aunque,
para ser exactos, sí existe una corriente y esta es la producida
por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequeña e
inapreciable.

II. TIPOS DE SEMICONDUCTORES:

A. DIODOS
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la
electricidad solo en un sentido. La flecha del símbolo del diodo muestra la
dirección en la cual puede fluir la corriente. Los diodos son la versión
eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron
llamados realmente válvulas.

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  CARACTERISTICAS DE DIODOS:

 CAÍDA DE TENSIÓN EN DIRECTA.

Esto significa que hay un pequeño

voltaje a través de un diodo
conduciendo, este voltaje es llamado
caída de voltaje o tensión en directa y es
de unos 0,7 V para todos los diodos
normales fabricados de silicio. La caída
de voltaje en directa de un diodo es casi
constante cualquiera que sea la corriente
que pase a través de él por lo que tiene
una característica muy pronunciada
(gráfica corriente-voltaje).

 TENSIÓN INVERSA
Todos los diodos tienen un
máximo voltaje o tensión
inversa (usualmente 50 V o
más) y si esta se excede el
diodo fallará y dejará pasar
una gran corriente en
dirección inversa, esto es
llamado ruptura.
El punto de ruptura del diodo
es en el momento que entra
en conducción 0.7v si es de
silicio en este momento se
abre el diodo y puede
circular corriente a través de el, si esta polarizado inversamente

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 teóricamente no se venciera el punto de ruptura pero existe un
punto en el cual también se rompe y ocurre conducción. En otras
palabras es cuando se rompe la barrera para poder permitir el
paso de corriente.

Los diodos ordinarios pueden clasificarse dentro de dos tipos:

 DIODOS DE SEÑAL
Los cuales dejan pasar pequeñas
corrientes de 100 mA o menos.

 DIODOS RECTIFICADORES
Los cuales dejan pasar grandes
corrientes
Además hay diodos LED (diodo
emisor de luz) y diodos zener, estos
últimos suelen funcionar con
tensión inversa y permiten regular y
estabilizar el voltaje.

 CONEXIÓN Y SOLDADURA

Los diodos deben conectarse de la forma correcta, el diagrama

puede ser etiquetado como (+) para el ánodo y (–) para el
cátodo. El cátodo es marcado por una línea pintada sobre el
cuerpo del diodo. Los diodos están rotulados con su código en
una pequeña impresión, puede que necesites una lupa potente
para leer esta etiqueta sobre diodos de pequeña señal.
En los diodos de pequeña señal pueden dañarse por
calentamiento cuando se suelden, pero el riesgo es pequeño a
menos que estés usando un diodo de germanio (su código
comienza con OA...) en cuyo caso deberías usar un disipador
de calor enganchado al terminal entre la unión y el cuerpo del
diodo. Un simple terminal metálico de tipo cocodrilo puede
ser usado como disipador de calor.

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 Los diodos rectificadores son bastante más robustos y no es
necesario tomar precauciones especiales para soldarlos.
 APLICACIONES DE LOS DIODOS

 DIODOS DE SEÑAL (PEQUEÑA CORRIENTE)

Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar

información (señales eléctricas), por lo que solo son
requeridos para pasar pequeñas corrientes de hasta 100 mA.
Un diodo de señal de uso general tal como el 1N4148 está
hecho de silicio y tiene una caída de tensión directa de 0,7V.

Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una caída de

tensión directa más baja, de 0,2 V, y esto lo hace conveniente
para usar en circuitos de radio como detectores los cuales
extraen la señal de audio desde la débil señal de radio.

Para uso general, donde la medida de la caída de tensión

directa es menos importante, los diodos de silicio son mejores
porque son menos fácilmente dañados cuando se sueldan,
tienen una más baja resistencia cuando conducen, y tienen
muy baja corriente de pérdida cuando se les aplica un voltaje
en inversa.

 DIODO DE PROTECCIÓN PARA RELÉS

Los diodos de señal son también usados para proteger

transistores y circuitos integrados del breve alto voltaje
producido cuando la bobina de un relé es desconectada.
El diagrama muestra cómo un diodo de protección es
conectado “al revés” sobre la bobina del relé. La corriente que
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 fluye a través de la bobina de un relé crea un campo magnético
el cual cae de repente cuando la corriente deja de circular por
ella.
Esta caída repentina del campo magnético induce sobre la bobina un
breve pero alto voltaje, el cual es muy probable que dañe transistores y
circuitos integrados.
El diodo de protección permite al voltaje inducido conducir una breve
corriente a través de la bobina (y el diodo) así el campo magnético se
desvanece rápidamente. Esto previene que el voltaje inducido se haga
suficientemente alto como para causar algún daño a los dispositivos.

 DIODOS RECTIFICADORES (GRANDES

CORRIENTES)
Los diodos que todo aficionado al mundillo electrónico conoce en
primer lugar son los de tipo rectificador sencillo. Quizás esto se deba a
lo intuitivo de la comprensión de la función rectificadora. Como ya se
ha visto anteriormente, una de las principales características prácticas
de los diodos es facilitar el paso de la corriente continua en un único
sentido (polarización directa).
Parece lógico comprender de un plumazo que si hacemos circular a
través de un diodo una Corriente Alterna esta sólo lo hará en la mitad
de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo
que a la salida del mismo obtendremos una señal de tipo pulsatoria
pero continua (si entendemos por tensión o señal continua aquella que
no varía su polaridad).

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 (A) Terminales
(B) Soporte metálico
(C) Semiconductor
(D) Punta de contacto

Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentación para

convertir la corriente alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso
conocido como rectificación. También son usados en circuitos en los
cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo. Todos los
diodos rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una
caída de tensión directa de 0,7 V.
La tabla muestra la máxima corriente y el máximo voltaje inverso para
algunos diodos rectificadores populares. El 1N4001 es adecuado para
circuitos con más bajo voltaje y una corriente inferior a 1 A

 DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEÑAL (RF).

Los diodos de tratamiento de señal requieren algo más de calidad de

fabricación que los típicos rectificadores. Estos diodos están destinados a
formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitación de
señales. etc.

Uno de los puntos más críticos en el diodo, a la hora de trabajar con media y
alta frecuencia, se centra en la capacidad de unión, la cual se debe a que en la
zona de la unión PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que
conforman una capacidad real.

En los diodos de RF (Radio-frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea

reducida a su mínima expresión, lo cual ayudará a que el diodo conserve todas
sus "habilidades" rectificadoras, incluso cuando tenga que trabajar en altas

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frecuencias. Entre los diodos más preparados para bregar con las altas
frecuencias destaca el diodo denominado Schottky

1. Resorte a presión
2. Contacto de oro
3. Silicio
4. Molibdeno vaporizado
5. Soldadura.

 DIODOS ZENER

Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo.

Están diseñados para trabajar de una forma confiable y no
destructiva dentro de su zona de “ruptura” de manera que
pueden ser utilizados en inversa para mantener bastante
fijo el voltaje entre sus terminales. El circuito muestra
cómo debe ser conectado, con su resistencia en serie para
limitar la corriente.

Los diodos zener están clasificados por su tensión de ruptura y su máxima

potencia:
• El mínimo voltaje o tensión de ruptura disponible es 2,4V
• Los rangos de potencia más comunes están entre 400mW y 1,3W

 DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE

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La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma
utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se
busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el
cual está situado el diodo.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, además de las zonas

constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una
resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un condensador de
elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la
resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el
diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas pérdidas.

Si aumentamos la tensión de polarización inversa las capas de carga del diodo

se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la
capacidad del hipotético condensador (similar al efecto producido al distanciar
las placas de un condensador estándar).

Por esta razón podemos concluir que los diodos de capacidad variable
(conocidos más popularmente como Varicaps varían su capacidad interna al
ser alterado el valor de la tensión que los polariza de forma inversa.

La utilización más solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a
complejos sistemas mecánicos de condensador variable en etapas de sintonía
en todo tipo de equipos de emisión y recepción. Por poner un ejemplo, cuando
actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando
(mecánicamente) el eje del condensador variable que incorpora éste en su
etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la ruedecilla o, más
comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno
receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la tensión de
polarización inversa de un diodo varicap contenido en el módulo sintonizador
del equipo

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 B. TRANSISTORES

Los transistores amplifican corriente, por

ejemplo pueden ser usados para amplificar la
pequeña corriente de salida de un circuito
integrado (IC) lógico de tal forma que pueda
manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo
de mucha corriente. Un transistor puede ser
usado como un interruptor (ya sea a la máxima
corriente, o encendido ON.
Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E).
Estos términos se refieren al funcionamiento interno del transistor.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su
principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un
circuito cerrado.
Un transistor es un dispositivo que puede utilizarse para amplificar señales
o como interruptor para permitir o no el paso de la corriente dentro de un
circuito (esto es lo que sucede con lo que normalmente conocemos como
unos y ceros en un ordenador). En función de cuál sea el uso que quieras en
tu circuito unos tipos de transistor son más eficientes que otros.

TIPOS DE TRANSISTORES:

 Transistor de unión bipolar o BJT.

 Transistor de efecto campo o FET.
 Fototransistores.

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 1. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR O BJT

Puedes pensar en el BJT como un grifo en el que se permite que circule una
corriente grande (entre el colector y el emisor) en función de una pequeña
corriente que circula por la base. Otra forma de verlo es pensar que cuando
circula corriente por la base la resistividad entre colector y emisor se
reduce, con el consecuente aumento de la corriente (si supones que el
voltaje es constante).

En función de la corriente que esté circulando por la base el transistor se

comportará de alguna de las siguientes formas:

 CORTE: Circuito abierto (interruptor abierto) entre colector y

emisor, si la corriente que circula por la base es nula.
 SATURACIÓN: Como circuito cerrando entre colector y emisor y
con un aumento grande de corriente.
 ACTIVA: En un determinado rango de corrientes de base, la
amplificación, el aumento de corriente, que se aprecia entre colector
y emisor se puede regular.

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Como puedes ver este tipo de dispositivo se gestiona mediante corriente y
puede otorgar una gran amplificación, por lo que suelen ser preferibles
estos tipos de transistor a la hora de utilizarlos como amplificadores
(aunque también se pueden utilizar como interruptores, sobre todo cuando
los cambios de estado corte-saturación no tienen que ser
excesivamente rápidos, es decir, no se está trabajando a una frecuencia muy
elevada).

2. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO O FET

El transistor de efecto campo es bastante similar al transistor BJT (modos

de funcionamiento incluidos), con la diferencia de que éste se regula
mediante tensión en lugar de corriente debido a que tiene una impedancia
de entrada alta. Una forma de comprender este concepto es que al tener una
resistencia a la entrada de la base grande, la corriente de la base siempre
será pequeña y lo que marca la diferencia es el voltaje.

Algunas de las grandes virtudes de los transistores de efecto campo son su

menor consumo y su rapidez a la hora de cambiar de estado (de estado de
corte a estado de saturación). Sin embargo, estos transistores suelen tener
una ganancia menor, es decir, amplifican menos.

Por tanto, aunque todos los tipos de transistor se pueden utilizar para los

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mismos proyectos, el hecho de que este transistor amplifique menos y,
sobre todo, responda más rápidamente a los cambios, lo hacen
especialmente útil a la hora de utilizarlos como interruptores.

3. FOTOTRANSISTORES

Los fototransistores son transistores de silicio con un orificio de entrada

para la luz de unos pocos mm2, constituidos de manera muy análoga a los
BJT convencionales, no suelen tener conexión a la base, pues la corriente
de entrada la originan los portadores de carga liberados por la luz. La luz
llega al trayecto base – colector.

Para su funcionamiento, el fototransistor equivale a un fotodiodo

(semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja.) que lleve una amplificador (dispositivo que,
mediante la utilización de energía, magnifica la amplitud de un fenómeno)
incorporado.

La configuración más común de un fototransistor es la de silicio

NPN. Normalmente se construye mediante el proceso de difusión, con una
ventana transparente o una lente en la cubierta .Cuando no incide la luz, se
comporta como un transistor corriente. Pasa solo una corriente residual de
colector – emisor (algunos nA)

Cuando penetra la luz a través del orificio de entrada para la luz, se liberan
portadores de carga en la transición PN que incrementan la conductividad
de la capa de barrera. El fototransistor se convierte en mejor conductor. Se
hace funcionar con el emisor tipo n negativo respecto al colector tipo n,
quedando polarizada directamente la unión base – emisor, mientras que la
unión colector – base esta en sentido contrario.

Si incide luz sobre la unión colector – base y los fotones tienen energía
suficiente para crear portadores de carga libres adicionales, la polarización
inversa en la unión hace que los electrones pasen a la zona del colector. Los
huecos restantes de la zona base al ser positivos, elevan el potencial de esta
respecto al emisor. Algunos de ellos se pierden, por recombinación, en la
base, si bien la mayoría llegan al colector. Estos salen por el terminal de
colector y constituyen la corriente de salida.

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 C. FOTORRESISTOR
Fotorresistencia (LDR) Una fotorresistencia es un componente
electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz
incidente. Puede también ser llamado fotorresistor, fotoconductor, célula
fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz.

III. APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

A. CIRCUITO INTEGRADO
Dispositivo electrónico miniaturizado consistente en un sistema
interconectado de elementos activos ( diodos, transistores) y pasivos
(resistencias, condensadores), intimamente unido a un material
semiconductor, y capaz de realizar las mismas funciones que un circuito
electrónico completo.

B. AMPLIFICADOR
Dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una señal eléctrica.
Se utiliza para ampliar la señal eléctrica débil captada por la antena de un
receptor de radio, la emisión débil de una célula fotoeléctrica, la corriente
atenuada de un circuito telefónico de larga distancia, la señal eléctrica que
representa al sonido en un sistema de megafonía y para muchas otras
aplicaciones. Un dispositivo de amplificación de uso muy común es el
transistor. Otras formas de dispositivos amplificadores son los distintos
tipos de tubos de vacío termoiónicos como el triodo, el pentodo, el klistrón
y el magnetrón.
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 C. FUENTES DE ALIMENTACIÓN: GENERADORES DE
CORRIENTE CONTINUA

Si una armadura gira entre dos polos magnéticos fijos, la corriente en la

armadura circula en un sentido durante la mitad de cada revolución, y en el
otro sentido durante la otra mitad. Para producir un flujo constante de
corriente en un sentido, o corriente continua, en un aparato determinado, es
necesario disponer de un medio para invertir el flujo de corriente fuera del
generador una vez durante cada revolución. En las máquinas antiguas esta
inversión se llevaba a cabo mediante un conmutador, un anillo de metal
partido montado sobre el eje de una armadura. Las dos mitades del anillo se
aislaban entre sí y servían como bornes de la bobina. Las escobillas fijas de
metal o de carbón se mantenían en contacto con el conmutador, que al girar
conectaba eléctricamente la bobina a los cables externos. Cuando la
armadura giraba, cada escobilla estaba en contacto de forma alternativa con
las mitades del conmutador, cambiando la posición en el momento en el
que la corriente invertía su sentido dentro de la bobina de la armadura. Así
se producía un flujo de corriente de un sentido en el circuito exterior al que
el generador estaba conectado. Los generadores de corriente continua
funcionan normalmente a voltajes bastante bajos para evitar las chispas que
se producen entre las escobillas y el conmutador a voltajes altos. El
potencial más alto desarrollado para este tipo de generadores suele ser de
1.500 voltios. En algunas máquinas más modernas esta inversión se realiza
usando aparatos de potencia electrónica, como por ejemplo rectificadores
de diodo.
Los generadores modernos de corriente continua utilizan armaduras de
tambor, que suelen estar formadas por un gran número de bobinas
agrupadas en hendiduras longitudinales dentro del núcleo de la armadura y
conectadas a los segmentos adecuados de un conmutador múltiple. Si una
armadura tiene un solo circuito de cable, la corriente que se produce
aumentará y disminuirá dependiendo de la parte del campo magnético a
través del cual se esté moviendo el circuito. Un conmutador de varios
segmentos usado con una armadura de tambor conecta siempre el circuito
externo a uno de cable que se mueve a través de un área de alta intensidad
del campo, y como resultado la corriente que suministran las bobinas de la
armadura es prácticamente constante. Los campos de los generadores
modernos se equipan con cuatro o más polos electromagnéticos que
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ELECTRONICA INDUSTRIAL
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aumentan el tamaño y la resistencia del campo magnético. En algunos
casos, se añaden interpolos más pequeños para compensar las distorsiones
que causa el efecto magnético de la armadura en el flujo eléctrico del
campo.
El campo inductor de un generador se puede obtener mediante un imán
permanente (magneto) o por medio de un electroimán (dinamo). En este
último caso, el electroimán se excita por una corriente independiente o por
autoexcitación, es decir, la propia corriente producida en la dinamo sirve
para crear el campo magnético en las bobinas del inductor. Existen tres
tipos de dinamo según sea la forma en que estén acoplados el inductor y el
inducido: en serie, en derivación y en combinación.

D. OSCILADOR
Aparato destinado a producir oscilaciones eléctricas, es decir, corrientes
alternas periódicas.

E. C.P.U.
Unidad central de proceso o UCP (conocida por sus siglas en inglés, CPU),
circuito microscópico que interpreta y ejecuta instrucciones. La CPU se
ocupa del control y el proceso de datos en las computadoras. Generalmente,
la CPU es un microprocesador fabricado en un chip, un único trozo de
silicio que contiene millones de componentes electrónicos. El
microprocesador de la CPU está formado por una unidad aritmético-lógica
que realiza cálculos y comparaciones, y toma decisiones lógicas (determina
si una afirmación es cierta o falsa mediante las reglas del álgebra de
Boole); por una serie de registros donde se almacena información
temporalmente, y por una unidad de control que interpreta y ejecuta las
instrucciones. Para aceptar órdenes del usuario, acceder a los datos y
presentar los resultados, la CPU se comunica a través de un conjunto de
circuitos o conexiones llamado bus. El bus conecta la CPU a los
dispositivos de almacenamiento (por ejemplo, un disco duro), los
dispositivos de entrada (por ejemplo, un teclado o un mouse) y los
dispositivos de salida (por ejemplo, un monitor o una impresora).

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 IV. CONCLUSIONES
Estos elementos han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Con el desarrollo de este trabajo además de consolidar el trabajo en equipo,
y consolidar nuestras capacidades investigativas nos aportó importantes
conocimientos en algunos casos en forma de cultura general, y otras
ocasiones conocimientos específicos acerca de los diodos y cada uno de los
tipos más conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha
proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la electrónica sino a la
ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en la
actualidad funcionan con componentes eléctricos y con presencia de
transistores.

V. LINCOGRAFIA

 http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_6.ht
 http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/diodo.pdf
 http://www.mupiel.es/elect/ley/semi.html
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semi
conductor_5.htm
 http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/funciona.htm

VI. BIBLIOGRAFIA

 Donald R. Askeland, Ciencia e ingeniería de los materiales,

Ed. Paraninfo Thompson Learning, 2001
 William F Smith, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de
materiales, 3ª Edición, Ed. Mc Graw Hill.

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ELECTRONICA INDUSTRIAL
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