TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
EconoPACK™3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
EconoPACK™3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 150 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 200 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  300  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  700  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 150 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 1,90 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 6,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  1,40  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  5,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  10,5  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,40  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 150 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,26 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,29  µs
RGon = 2,4 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 150 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,05  µs
RGon = 2,4 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 150 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,42 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,52  µs
RGoff = 2,4 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 150 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,09  µs
RGoff = 2,4 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH Tvj = 25°C mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon  16,0  mJ
RGon = 2,4 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH Tvj = 25°C mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff  14,5  mJ
RGoff = 2,4 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 600 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,18 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,09 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  150  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  300  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  4550  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,15 V
VF
Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 150 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 190 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  210  A
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung IF = 150 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 17,0 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  30,0  µC
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls IF = 150 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 7,00 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  13,0  mJ
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   0,34 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,14 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25  5,00  kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25   20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  t.b.d.  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  t.b.d.  K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
   Cu  
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  AI203  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 7,5
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 225  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH  0,009 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
 LsCE  21  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  1,80  mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  300  g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125°C

300 300
Tvj = 25°C VGE = 19V
270 Tvj = 125°C 270 VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
240 240 VGE = 11V
VGE = 9V
210 210

180 180
IC [A]

IC [A]
150 150

120 120

90 90

60 60

30 30

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=600V

300 40
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
270 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
35

240
30
210

25
180
E [mJ]
IC [A]

150 20

120
15

90
10
60

5
30

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 50 100 150 200 250 300
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=150A,VCE=600V

35 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
30

25

20

ZthJC [K/W]
E [mJ]

0,1

15

10

5 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,00341 0,01039 0,09061 0,07559
τi[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499

0 0,01
0 2 4 6 8 10 12 14 16 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125°C
350 300
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip 270 Tvj = 125°C
300
240

250 210

180
200
IC [A]

IF [A]

150

150
120

100 90

60
50
30

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=2.4Ω,VCE=600V IF=150A,VCE=600V

20 20
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
18 18

16 16

14 14

12 12
E [mJ]

E [mJ]
10 10

8 8

6 6

4 4

2 2

0 0
0 50 100 150 200 250 300 0 2 4 6 8 10 12 14 16
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]

0,1

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,00643 0,01931 0,17143 0,14283
τi[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS150R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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