ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МОЛДОВЫ

ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Курс лекций

Часть первая

Chişinău
2013

0
ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МОЛДОВЫ

ФАКУЛЬТЕТ ИНЖЕНЕРИИ И МЕНЕДЖМЕНТА

В ЭЛЕКТРОНИКЕ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЯХ

КАФЕДРА ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ

ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Курс лекций

Часть первая

Chişinău
Editura „Tehnica-UTM”
2013

1
 Курс лекций по дисциплине Оптоэлектроника
адресуется студентам с профилем обучения 525 – Элек-
троника и коммуникации, специальность – телерадио-
коммуникации, дневной и заочной форм обучения. Пер-
вая часть курса содержит материал, посвященный источ-
никам оптического излучения.

Авторы: к. ф.-м.н., доцент МОРОЗОВА В.

к. ф.-м.н., доцент БЕЖАН Н.

Рецензент: к.т.н., доцент АВРАМ И.

Redactor: ОЛИНИЧЕНКО Т.
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Bun de tipar 13.11.13 Formatul hârtiei 60x84 1/16
Hârtie ofset. Tipar RISO Tirajul 50 ex.
Coli de tipar 4,25 Comanda nr.106
_________________________________________________
UTM, 2004, Chişinău, bd. Ştefan cel Mare şi Sfânt, 168
Editura “Tehnica-UTM”
2068, Chişinău, str. Studenţilor 9/9

© UTM, 2013

2
 Введение

Что такое оптоэлектроника?

Оптоэлектроника – это научно-техническое направ-
ление, основанное на использовании одновременно как
оптических, так и электрических методов передачи, обра-
ботки, приема, хранения и отображения информации.
Кроме сочетания оптических и электронных процессов
для современной оптоэлектроники характерно стремле-
ние к миниатюризации и интеграции элементов на основе
твердотельной, главным образом полупроводниковой
технологии.
Оптоэлектроника развивается как цельное направле-
ние и объединяет в себе достижения многих областей
науки: оптики, квантовой и полупроводниковой электро-
ники, электро-, магнито- и акустооптики, физики свето-
диодов, теории информации, технологии материалов и
интегральных схем.
Оптоэлектроника состоит из ряда крупных разделов:
- источники когерентного и некогерентного излуче-
ния;
- одно- и многоэлементные фотоприёмники;
- оптроны, т.е. устройства, в которых светодиодный
излучатель связан с твёрдотельным фотоприемником оп-
тически, но развязан электрически;
- устройства обработки информации (модуляторы,
дефлекторы, системы оптической памяти, голографиче-
ские запоминающие устройства);
- устройства визуализации информации;
- интегральная оптика;
- волоконно-оптические системы связи.
Использование оптического диапазона длин волн
обладает следующими особенностями:
3
 - несущая частота в оптическом диапазоне намного
выше, чем в радиодиапазоне (1014 – 1015 Гц), то есть в 106
- 107 раз выше частот радио- и телесигнала. Это позволя-
ет в миллионы раз увеличить ёмкость каналов передачи;
- длина волны света намного меньше длины радио-
волн, что позволяет фокусировать их в волоконных све-
товодах ≈ 5µm ;
- узкая направленность светового пучка с углом рас-
ходимости <0.10. Для радиоволн в этом случае потребо-
валась бы антенна около сотен метров в диаметре;
- передача информации осуществляется фотонами,
которые не взаимодействуют с внешними полями;
- применение оптических методов записи, хранения,
обработки информации позволяет добиться плотности
записи ~ 10 9 бит/см 2 .
В настоящее время оптоэлектроника возглавляет
список полупроводниковых приборов с самым большим
объемом продаж. Наибольшее распространение получи-
ли светодиоды с гетеропереходом, уличные информаци-
онные экраны, крупнейший из которых имеет размеры
36х27 м 2 и содержит 19 млн. светодиодов, создающих по-
рядка 1 млрд. оттенков. Оптоэлектронные приборы ис-
пользуются в сотовых телефонах, заменяют лампы нака-
ливания и лампы дневного света. Созданы высокоэффек-
тивные фотодетекторы для регистрации оптических сиг-
налов.
Основой современной оптоэлектроники являются ге-
тероструктуры. В течение ряда лет развитие полупровод-
никовой электроники было связано с использованием р-n
переходов в материалах с постоянной шириной запре-
щенной зоны Eg . При этом основным в технологии был
контроль над введением примесей в кристалл, т.е. струк-
тура получалась вследствие изменения концентрации и
типа легирующей примеси.

4
 Совершенствование технологии позволило перейти к
приборам другого типа, на основе гетеропереходов. Ге-
теропереход - это контакт 2-х и более различных по хи-
мическому составу полупроводников в одном кристалле.
При этом происходит не только изменение ширины за-
прещенной зоны, но и других электрофизических пара-
метров: зонной структуры, эффективной массы носите-
лей заряда, подвижности, края поглощения, коэффициен-
та преломления и др. Возможности управления этими
свойствами позволяют создавать новые приборы и улуч-
шать параметры существующих.
Под идеальным гетеропереходом понимают переход,
на границе раздела которого отсутствуют поверхностные
электронные состояния контакта (ПЭСК).
В отличие от идеального, в реальном гетеропереходе
необходимо учитывать наличие поверхностных состояний
на границе раздела. Если их больше, чем суммарный за-
ряд примесей в области объемного заряда, то ПЭСК бу-
дут изменять положение уровня Ферми и искривлять
энергетические зоны. Тогда высота барьера на границе
раздела будет определяться концентрацией ПЭСК и вы-
прямление и инжекция в гетеропереходе могут полностью
отсутствовать.
Именно поэтому долгое время все предложения по
использованию гетероструктур не были реализованы.
Для создания идеального ГП была необходима иде-
альная пара материалов и совершенная технология изго-
товления структуры.
Основные параметры, которые должны учитываться
при выборе пары, это:
- относительное изменение параметра решетки
a1 − a 2 2(a1 − a 2 )
∆a = = ≈ 1% ;
(a1 + a 2 ) / 2 a1 + a 2
- коэффициент линейного расширения;

5
 - Eg и электронное сродство, т.е.расстояние от края
зоны проводимости до уровня вакуума;
- диэлектрическая проницаемость контактирующих
материалов ε ;
- коэффициент преломления n .
Из всех возможных комбинаций пар соединений групп
AIII BV и AII BVI только в AlSb-GaSb; AlAs-GaAs, AlP-GaP
сочетались эти свойства и технологичность их изготовле-
ния.
Особым преимуществом этих гетеропереходов явля-
ется то, что в данных системах образуется непрерывный
ряд твёрдых растворов во всем интервале концентраций.
Это позволяет создавать гетеропереходы с изменяемой
Eg и уменьшенной разностью ∆a , т.е. позволяет созда-
вать практически идеальные ГП. Например,
GaAs1− x Px − GaAs Ga x In1− x As .
Значительно упрощается задача получения идеаль-
ного ГП между четверными твердыми растворами типа:
A 1x A12− x B1y B12− y , Al x1 Ga1− x1 Py1 As1− y1 − Al x2 Ga1− x2 Py 2 As1− y 2 .
К этому типу относятся ГП в системах

Al − Ga − P − Sb, Al − Ga − Yn − P, Al − Ga − In − As,
Al − Ga − In − Sb, Al − Ga − As − Sb.

Рассмотрим пример построения зонной диаграммы

гетероперехода.
Постоим энергетическую диаграмму гетероперехода
GaAs − Ge в предположении, что объемные свойства этих
полупроводников сохраняются до границы раздела, где
имеет место резкий переход от одного материала к дру-
гому.
Исходные данные, необходимые для построения зон-
ной диаграммы:

6
 Eg GaAs = 1,45 эВ - ширина запрещенной зоны арсенида
галлия;
Eg Ge = 0,7 эВ - ширина запрещенной зоны германия;
χ GaAs = 4.13 эВ – электронное сродство арсенида гал-
лия;
χ Ge = 4.07 эВ – электронное сродство германия.
Арсенид галлия обладает электронной проводимо-
стью, а германий - дырочной.
Предположим, что степень легирования обоих кри-
сталлов одинакова δ GaAs = δ Ge = 0,11 эВ. Обозначим через
Φ GaAs – работу выхода электронов в GaAs, Φ Ge – работу
выхода германия.
Работа выхода – это расстояние от уровня Ферми до
уровня вакуума, т.е. работа выхода зависит от степени
легирования материала, а электронное сродство нет, и
определяется только материалом (рисунок 1.1).

Рисунок 1.1. Энергетические диаграммы GaAs и Ge

Видно, что энергия электронов на уровне Ферми

ЕFp < EFn, поэтому для выравнивания уровней Ферми по-
сле приведения в контакт часть электронов из GaAs пе-
рейдёт в Ge. Это вызовет изгиб зон вверх в GaAs и вниз в

7
Ge. Обозначим изгиб зон VD n и VD p (рисунок 1.2) соответ-
ственно в n- и p-материалах.

Рисунок 1.2. Зонная диаграмма гетероперехода

GaAs − Ge

Из рисунка 1.2 видно, что в зоне проводимости и в

валентной зоне возникают разрывы ∆Ec и ∆E V . Рассчи-
таем величину этих разрывов.
Расстояние между уровнями Ферми до приведения
полупроводников в контакт равно
EFp − EFn = (χ Ge + EgGe − δ Ge ) − (χ GaAs + δ GaAs ) = VDn + VDp .
Тогда:
∆Ec = χ Ge − χ GaAs = 0.06 эВ,
∆E V = (E gGaAs − E gGe ) − (χ Ge − χ GaAs ) = 0.69 эВ , соответст-
венно.
Отсюда ∆Ec + ∆E v = EgGaAs − EgGe .
Видно, что это справедливо при любом уровне леги-
рования.
Аналогично строится зонная диаграмма гетеропере-
хода p − GaAs − n − Ge .
Если разрыв в валентной зоне велик, то он может ог-
раничить инжекцию дырок. В результате ток будет опре-

8
деляться только электронами и наоборот, при большом
разрыве в зоне проводимости – только дырками.
Таким образом, из-за разности Eg и электронных
сродств контактирующих материалов в v-зоне и в с-зоне
появляются разрывы. Их наличие приводит к появлению
особенностей в механике протекания тока в гетеропере-
ходе:
1) при смещении в прямом направлении может иметь
место односторонняя инжекция носителей заряда из ши-
рокозонного материала в узкозонный;
2) в ГП возможно получение в узкозонном материале
концентрации инжектированных носителей, превышаю-
щей концентрацию основных носителей заряда в широко-
зонном материале. Этот эффект называется эффектом
суперинжекции и делает ГП уникальным по эффективно-
сти эмиттером для лазеров и светодиодов;
3) в идеальных ГП на границе раздела возникает от-
ражение электронов и изменяется эффективная масса
при переходе носителей через контакт, что приводит к
изменению тока через ГП;
4) в идеальном ГП из-за изменения коэффициента
преломления может возникать отражение фотонов, что
приводит к их накоплению в узкозонном материале. Для
этого надо, чтобы узкозонный материал имел на рабочей
длине волны большую оптическую плотность, чем широ-
козонный. Обычно с уменьшением Eg n увеличивается.
Одной из уникальных возможностей ГП является возмож-
ность создания на их основе приборов с изотипными пе-
реходами (n − N, p − P ) , что невозможно при использова-
нии гомопереходов. На таких переходах созданы быстро-
действующие переключающие диоды, туннельные гете-
родиоды.

9
 Инерционность диодов с p-n переходом связана, в
основном, с накоплением и рассасыванием неосновных
носителей заряда.
В изотипных ГП на границе раздела возникает потен-
циальный барьер типа барьера Шоттки, металл-
полупроводник (рисунок 1.3).

Рисунок 1.3. Зонная диаграмма изотипных

гетеропереходов

Поэтому эти диоды имеют выпрямляющую вольт-

амперную характеристику и работают только на основных
носителях заряда. В таких диодах отсутствует эффект
накопления и быстродействие ограничивается только ве-
личиной нелинейного сопротивления и ёмкостью активно-
го элемента цепи.
Так, диоды n-Ge – n-Si имеют время
ния τ ~0,1 нс при токе10 мА.
Использование ГП позволило получить эффективные
СИД, лазеры, работающие при комнатной температуре,
значительно улучшить характеристики фотопреобразова-
телей и создать новые типы оптоэлектронных приборов.

10
 1. Источники излучения

1.1. Виды источников излучения. Основные

характеристики источников излучения

Существуют два основных типа источников излуче-

ния: тепловые и люминесцентные.
Тепловое излучение создаётся нагретыми телами и
его интенсивность и спектральное распределение опре-
деляется формулой Планка, по которой общая энергия,
излучаемая телом за 1 с, ~ Т4, а длина волны максимума
излучения λ max ~ T −1 , где T - абсолютная температура на-
гретого тела.
Спектр излучения нагретых тел располагается в ос-
новном в инфракрасном диапазоне.
В оптоэлектронике используются, в основном, люми-
несцентные источники излучения, которые называются
источниками холодного свечения. При люминесценции
энергия, необходимая для излучения, может подводиться
к телу любым нетепловым способом. Соответственно,
различают: фотолюминесценцию, катодолюминесцен-
цию, хемилюминесценцию, биолюминесценцию, электро-
люминесценцию.
Обычно люминесценция наблюдается при комнатной
температуре и ниже, где тепловое излучение мало и все
регистрируемое излучение является люминесценцией. В
общем случае это сумма теплового и люминесцентного
излучения. Поэтому, по определению Вавилова, «люми-
несценцией называется излучение, избыточное над теп-
ловым при данной температуре, которое продолжается
после прекращения возбуждения в течение времени,
превышающем период световой волны» (t c ≈ 10−14 c) .
Обычно это послесвечение намного больше из-за про-

11
цессов преобразования энергии в люминесцирующем
веществе.
Практически все обратные переходы в твердом теле,
происходящие после поглощения энергии, при которых
энергия электрона уменьшается, могут сопровождаться
излучением (рисунок 1.4). Используя материалы с разной
Eg и с различными примесями, можно получить излуче-
ние во всём видимом, инфракрасном и ультрафиолето-
вом диапазонах.

Рисунок 1.4. Основные переходы в полупроводниках:

1) межзонные переходы;
2) с участием «горячих носителей»;
3) зона-акцептор;
4) донор-зона;
5) через донорно-акцепторные пары;
6) через глубокие центры;
7) внутризонные переходы, вызывают излучение,
которое называется «тормозным», протекающее
с участием «горячих» носителей;
8) экситонная рекомбинация

Не все перечисленные переходы являются излуча-

тельными. Примеси и дефекты, через которые осуществ-
ляются излучательные переходы, называются центрами
свечения. Если рекомбинация не сопровождается излу-
чением, то такие центры называются центрами тушения.
12
 Соотношение между числом излучательных и общим
числом переходов называется внутренним квантовым
выходом:
число излучательных переходов
ηк = .
общее число переходов

Φ
В случае электролюминесценции ηk = , где
I/q
Φ - поток фотонов, I / q - число электронов, прошедших
через кристалл.
Так как не все фотоны выходят из устройства, то для
характеристики излучения используется внешний кванто-
вый выход ηke = ηk ⋅ K 0 , где K 0 - коэффициент, учиты-
вающий потери на отражение и самопоглощение света в
структуре.
Внешний энергетический выход (КПД) равен
hν
ηe = ηke ⋅ ,
qU
где qU – энергия электрона; U – приложенное смещение;
hν – энергия фотона.
В общем случае:
λ
Φ 1 2
W W λ∫1
ηe = = ϕ(λ )dλ ,

где Ф – поток излучения, т.е. число фотонов, излучаемых

за 1 сек; φ (λ) – спектральная плотность излучения, интег-
рированная в пределах спектрального диапазона излуче-
ния. W – потребляемая мощность (рисунок 1.5).
Излучение различных центров может происходить
самопроизвольно и независимо друг от друга. При этом v
r
частота ν, фаза φ , поляризация p , волновой вектор k
будут различны.Такое излучение называется спонтанным
или некогерентным излучением.

13
 Рисунок 1.5. Спектральная плотность излучения

В случае, когда излучение одного центра стимулирует

излучение другого с той же частотой, поляризацией и на-
правлением распространения, излучение будет когерент-
ным (согласованным).
В оптоэлектронике используются как источники неко-
герентного излучения (светодиолды, источники на основе
порошковых люминофоров), так и источники когерентного
излучения (лазеры).

1.2. Инжекционные светодиоды с p-n переходом

Светодиод – это основной источник излучения в оп-

тоэлектронике. Это включенный в прямом направлении p-
n переход, в котором происходит рекомбинация электро-
нов и дырок как в области объемного заряда, так и на
расстоянии диффузионной длины L n и L p неосновных
носителей заряда по обе стороны от него (рисунок 1.6).
Приложение напряжения понижает потенциальный
барьер и создает условие для инжекции электронов в
р-область и дырок в n-область.
Уравнение идеальной статической вольт-амперной
характеристики p-n перехода имеет вид:

14
 qU qU
I = I s (e kT
− 1) ≈ I se kT
, где I s - ток насыщения p-n пере-
хода.

Рисунок 1.6. Зонная диаграмма светодиода

с p-n переходом

Общее число рекомбинаций за 1 сек определяется

силой тока I.
Поток излучения можно выразить как
Φ = ηk ⋅ I / q = ηk ⋅ I s / q ⋅ exp(qU / kT) при ηk = const .
Однако внутренний квантовый выход ηk = γP ,
где γ – коэффициент инжекции (доля электронного тока,
попадающего в р-область), P - доля излучательных пере-
ходов.
Коэффициент инжекции γ и внутренний выход ηk
зависят от тока, поэтому и поток излучения Φ зависит от
тока по формуле Φ ~ I b . При малых токах преобладает
рекомбинация в области пространственного заряда
(ОПЗ), где вероятность излучательных переходов мала,
поэтому с ростом тока квантовый выход ηk растёт, а по-
том становится постоянным (рисунок 1.7,а).

15
 ηk Φ b<1
ηkmax
b=1
Φ≈Ib
b>1

20 40 I, mА 20 40 I,mA

а) б)
Рисунок 1.7. Зависимость внутреннего квантового
выхода (а) и потока излучения (б) от
тока инжекции

При больших токах ηk уменьшается из-за разогрева

структуры и роста числа безызлучательных переходов.
Зависимость ηk (I ) приводит к тому, что зависимость
Φ(I ) линейна только в области средних токов, где кван-
товый выход постоянен.
В области низких токов эта зависимость суперлиней-
на, а в области высоких – сублинейна. Область, где Φ(I )
линейна, является рабочей областью светодиода (рису-
нок 1.7,б).
Внешний квантовый выход ηke = ηk ⋅ K 0 всегда мень-
ше внутреннего, что обусловлено потерями внутри струк-
туры и при выводе излучения из структуры (рисунок 8).
Из-за полного внутреннего отражения при углах па-
дения Θ > Θc из структуры выйдет свет только в преде-
лах конуса с полууглом Θ c .
Запишем закон Снеллиуса для границы раздела
между двумя материалами с показателями преломления
n1 < n 2 :
n1sinΘ=n2sinφ.

16
 Рисунок 1.8. Отражение излучения от поверхности
светодиода

Критический угол падения Θ c соответствует углу

преломления ϕ = π / 2
n1sinΘc=n2sin(π/2)=n2.
Тогда
sinΘc =( n2/n1); Θc =arcsin( n2/n1)=arcsin(1/n1), для грани-
цы с воздухом, когда n1 = 1 .

Для арсенида галлия Θc = 16°, для фосфида галлия

Θc =17°
Кроме того, потери на отражении определяются ко-
эффициентами отражения контактирующих материалов.
Коэффициент отражения равен

17
 2
⎛ n − n2 ⎞
R = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ .
⎝ n1 + n 2 ⎠
В дополнение к этому лучи ослабляются из-за внут-
реннего самопоглощения в полупроводнике.

а) б) в)
Рисунок 1.9. Конструкция трех различных светодио-
дов: а) полусфера; б) усеченная сфера;
в) параболоид

Улучшить условия вывода излучения можно, изменив

геометрию диода (рисунок 1.9) или добавляя прозрачную
пластмассовую сферическую линзу на поверхности дио-
да. При этом внешний квантовый выход светодиодов на
фосфиде галлия увеличивается с 2-х до 12%.
Для GaAs со сферической поверхностью внешний
квантовый выход при комнатной температуре составляет
~ 40÷50%.
Быстродействие этих светодиодов 10−7 ÷ 10−6 c .
Существенно повысить квантовый выход можно, ис-
пользуя гетероструктуры (рисунок 1.10).
При прямом смещении происходит практически одно-
сторонняя инжекция электронов в p область, т.к. барьер
для дырок слишком высок. В результате увеличивается
коэффициент инжекции γ электронов в узкозонный мате-
риал и, соответственно, ηk . Другим преимуществом гете-
18
роперехода является возможность вывода излучения че-
рез широкозонный материал (широкозонное окно) без по-
терь на поглощение, что приводит к росту внешнего кван-
тового выхода до 80%.

Рисунок 1.10. Односторонняя гетероструктура

светодиода

Использование эффективных светодиодов на основе

арсенида галлия ограничено тем, что они излучают в ин-
фракрасном диапазоне. Однако это излучение можно
преобразовать в видимое.
Характеристики преобразования зависят от процесса
последовательного поглощения двух ИК фотонов, сопро-
вождающегося испусканием одного фотона в видимой
области. Так, при поглощении 2-х квантов с энергией
hν1,2=1,3 эВ излучается один квант с энергией hν3,1=2,6 эВ
(рисунок 1.11).
Эти диоды называются антистоксовскими диодами,
т.к. по правилу Стокса частота фотолюминесценции
обычно ниже частоты возбуждающего излучения. В анти-
стоксовских диодах наблюдается обратное. Конструкция
такого светодиода показана на рисунке 1.11. Слой GaAs
покрывается слоем люминофора. В качестве люминофо-
ров используются фториды, оксисульфиды лантана, ак-
тивированного иттербием и эрбием La 2O 3S : Yb, Er . Об-

19
щий квантовый выход двойного преобразования ≈ 1% , но
такой же квантовый выход имеет светодиод на фосфиде
галлия, легированном азотом GaP:N, обладающий зеле-
ным излучением. Т.о. применение светодиодов с антисто-
ксовым преобразованием оправдано, когда надо полу-
чить повышение яркости в видимом диапазоне. Однако
быстродействие таких диодов определяется процессами
в люминофоре и всегда ниже, чем у обычных светодио-
дов.

Рисунок 1.11. Светодиод с антистоксовским

преобразованием

Основными материалами для светодиодов являются

материалы группы A III B V : GaAs, InP , GaP и твердые рас-
творы на их основе. Они обладают в основном прямой Eg
и интенсивной люминесценцией. Меняя состав твердого
раствора, можно изменять не только Eg, но и коэффици-
ент преломления n. Зависимость ширины запрещенной
зоны от состава твердого раствора показана на рисунке
1.12. Группа АIV BVI (PbSnTeSe-PbTe) работает в ИК диа-
пазоне от нескольких µm до 20 µm.
Для светодиодов используются, в основном, двойные
гетероструктуры (рисунок 1.13).
Слой GaAs называется активным слоем. Электроны
и дырки накапливаются и рекомбинируют в этом слое.
Свет не поглощается в широкозонных окнах AlGaAs .

20
 Рисунок 1.12. Зависимость ширины запрещенной
зоны от состава для твердых растворов
в системе InGaAsP

Рисунок 1.13. Конструкция и зонная диаграмма

светодиода с двойной гетероструктурой

Используются два основных типа конструкций: по-

верхностно-излучающий СД (рисунок 1.14) и СД с излу-
чающей гранью (рисунок 1.15).
Квантовая эффективность люминесценции опреде-
ляется как отношение числа носителей заряда, дающих
вклад в изучение, к полному числу носителей, участвую-
щих в рекомбинации.

21
 Рисунок 1.14. Конструкция поверхностного
светодиода

Рисунок 1.15. Конструкция торцевого светодиода

Она может быть выражена через времена жизни не-

основных носителей заряда.
R
ηk = изл ,
R
где R - полная скорость рекомбинации, R изл - скорость из-
лучательной рекомбинации.

22
 Обозначим через τ - полное время жизни, через τ изл
- время жизни при излучательной рекомбинации и τ безизл -
время жизни при безызлучательной рекомбинации. Тогда
∆n ∆n 1 1 1
R изл = , R= , = + ,
τ изл τ τ τ изл τ безизл
отсюда
τ= τизл · τбезизл/(τизл+τбезизл),

ηк = τизл · τбезизл/τизл ·(τизл+τбезизл)= τбезизл/(τизл+τбезизл).

Квантовый выход стремится к единице, ηк ~ 1, когда

τизл << τбезизл .
Поэтому для обеспечения высокой эффективности
люминесценции τизл должно быть мало по сравнению с
τбезизл .
Важной характеристикой светоизлучающих материа-
лов является диапазон рабочих частот. Рассмотрим от
чего зависит предельная рабочая частота светодиода.
Скорость излучательной рекомбинации

Rизл=G · (n·p/n0·p0),

где G – скорость полной термической генерации; n0, p0 –

равновесные концентрации носителей заряда; n, p – пол-
ные концентрации. Тогда Rизл=B·np, где В=G/ n0·p0 – кон-
станта излучательной рекомбинации.
При низком уровне возбуждения в материале р-типа
р≈ p0, n>>n0.

Тогда τизл = ∆ n/Rизл ≈(n-n0)/В·n·p ≈ n/В·n·p0 ≈ 1/В·p0.

1
Для n типа τ изл ≈ .
B ⋅ n0

23
 1
Предельная рабочая частота светодиода fc = .
2πτ
Если τ изл << τ безизл , то
1
fc = ,
2πτ изл
т.к. в этом случае
τ изл ⋅ τ безизл
τ = ≈ τ изл .
τ изл + τ безизл
Таким образом, при увеличении концентрации n 0
и p 0 τ изл уменьшается, а f c растет. Для достижения высо-
ких частот необходимо уменьшать толщину области ре-
комбинации и увеличивать концентрацию равновесных
носителей заряда.
Обычно fc ≈ 10 МГц для светодиодов на базе
AlGaAs , мощность излучения достигает 100 мВт при токе
инжекции 100-200 мА. Долговечность работы светодиода
на этих материалах порядка 105 часов, область излучения
λ = 730 ÷ 900 нм , полуширина спектральной характеристи-
ки ∆λ = 30 ÷ 60 нм .
Для светодиодов на базе InGaAsP λ = 1,1 ÷ 1,5 µм ,
∆λ = 100 − 200 нм , Pизл = 1 ÷ 3 мВт , долговечность поряд-
ка 109 часов.

1.3. Квантовые переходы

Квантовым переходом называется скачкообразный

переход квантовой системы с одного уровня на другой
(рисунок 1.16). При этом может поглощаться либо испус-
каться квант света.
Излучательные переходы могут быть спонтанными и
вынужденными (индуцированными, стимулированными).
24
При спонтанных переходах излучение некогерентное.
Фронт волны меняется хаотично во времени и с расстоя-
нием. Такое излучение не может быть использовано ни
для усиления, ни для генерации электромагнитных коле-
баний.

Рисунок 1.16. Квантовые переходы с поглощением

либо испусканием квантов света

Если квантовая система облучается электромагнит-

ным полем соответствующей частоты, то кванты этого
излучения могут взаимодействовать с частицами как
верхнего, так и нижнего уровней, что приводит к излуче-
нию или поглощению фотонов. В этом случае возникаю-
щее излучение когерентно. Оно синфазно с облучающим
излучением, т.е. оно передается облучающему полю,
усиливая его мощность. Т.о. вынужденное излучение по-
зволяет получить усиление и генерацию.
Излучение, возникающее при переходах между элек-
тронными уровнями, соответствует частотному интервалу
f = 1014 ÷ 1015 Гц.
В обычной среде I = I 0 ⋅ e − αd , т.е. по закону Ламберта-
Бугера интенсивность прошедшего через слой материала
света I уменьшается экспоненциально. Показатель экс-
поненты зависит от коэффициента поглощения α .
25
 Рассмотрим двухуровневую систему, в которой число
частиц в 1 кубическом сантиметре, находящихся на дан-
ном уровне, т.е. обладающих энергиями E1 и E 2 , обозна-
чим через N1 и N 2 . N 1 и N 2 называются населенностями
уровней E1 и E 2 (рисунок 1.17,а).
Если N1>N2, то вероятность перехода E1→E2 больше
вероятности перехода E2→E1, и в системе преобладает
поглощение над излучением.

б
Рисунок 1.17. Прохождение света через слой
толщиной d

Активной называется среда, в которой N2>N1. В этом

случае излучение преобладает над поглощением и в
структуре будет возникать усиление света. Такая среда
называется средой с инверсной заселённостью. При
N1=N2 среда прозрачна, α =0, такое состояние называется
насыщением уровней Е1 и Е2 (рисунок 1.17,б).
Пусть число спонтанных переходов Е2→Е1 равно dN2
за время dt.
Тогда
dN2= -A21·N 2·dt,

26
где А21 – вероятность перехода Е2→Е1 за единицу време-
ни. Знак «минус» означает убывание числа частиц на Е2.
Проинтегрировав это выражение в пределах от насе-
ленности уровня Е2 в момент времени t = 0 до населен-
ности в момент времени t

N2 ( t ) t
dN 2
∫
N2 ( 0 )
N2
= − A 21 ∫ dt .
0

Получаем
t
−
τ 21
N 2 ( t ) = N 2 ( 0) ⋅ e ,

1
где τ 21 = - среднее время жизни частиц на E 2 . Эта
A 21
величина характеризует время, в течение которого пер-
воначальная населенность уровня убывает в e раз –
время релаксации. Обычно τ = 10−6 ÷ 10−9 c . Если τ ≈ 10−3 c ,
то такой уровень называется метастабильным.
В изолированной системе при постоянной температу-
ре распределение населенностей будет равновесно. Ес-
ли происходит спонтанный переход, выделяемый квант
поглощается частицей с нижнего уровня и излучения в
пространство не происходит.

1.4. Ширина спектральной линии

Для двухуровневой системы:

E 2 − E1
hν 21 = E 2 − E1 , ν 21 =
h
Отсюда при строго фиксированных значениях энергии
Е1 и Е2 должна излучаться энергия на единственной час-
тоте ν21, т.е. излучение монохроматично. Однако в реаль-
ных системах уровни Е1 и Е2 не являются бесконечно тон-

27
кими. Они имеют конечную ширину, «размытость», кото-
рая увеличивается с ростом Т. Поэтому ν21 не является
строго фиксированной, и поглощение или излучение на-
блюдается в полосе частот ∆ν. Эта полоса тем уже, чем
больше время жизни частицы на верхнем уровне.
Из теории колебаний известно, что если длительно-
сти сигнала ∆t соответствует полоса частот ∆ν, то ∆ν·∆t≈1,
∆ν =1/∆t.
∆ν = ∆Е/h,
тогда
h
∆Е/h = 1/∆t ∆E = .
∆t
∆Е·∆t ≈h – соотношение неопределённости Гейзен-
берга.
Т.е. размытости уровня ∆E соответствует неопреде-
ленность момента времени ∆t перехода частицы с одно-
го уровня на другой. Т.к. спонтанные переходы имеют
статистический характер, то ∆t выражается в произволь-
ности времени жизни τ 21 частицы на уровне E 2 , т.е.
∆t = τ . Тогда ∆E ⋅ τ ≈ h .
Монохроматическому излучению соответствует
∆ν = 0 , что справедливо только для ∆E = 0 . Но тогда
время жизни должно стремиться к бесконечности, т.е.
время жизни частицы на E 2 должно → ∞ . Т.к. это невоз-
можно, то всегда есть «размытость» уровня, т.е. ∆ν ≠ 0 и
излучение немонохроматично.
Если частицы не подвержены внешним воздействи-
ям, то ∆ν= ∆Е/h и ∆Е·∆t≈h , т.е. ∆ν обусловлено только
временем жизни τ частиц на верхнем уровне. Такое зна-
чение ∆ν называется естественной шириной спектраль-
ной линии, которая фактически обусловлена (рисунок
1.18) только спонтанным излучением. ∆ν растёт с ростом
ν. Форма спектральной линии при естественной ширине
соответствует лоренцевской кривой, совпадающей с ре-

28
зонансной характеристикой колебательного контура. В
реальных условиях уширение спектральной линии более
сильное. Если при этом форма остаётся лоренцевой,
уширение называется однородным, если форма линии
меняется – то неоднородным. Основными причинами,
которые приводят к увеличению уширения спектральной
линии, являются: соударение частиц между собой и со
стенками резонатора, эффект Доплера, влияние элек-
тромагнитных полей, соударение с решеткой в кристалле.

Рисунок 1.18. Ширина спектральной линии

излучения

Эффект Доплера: изменение λ при движении источ-

ника волн относительно приемника. При приближении к
приемнику λ уменьшается, при удалении – растет на ве-
vλ 0
личину λ − λ 0 = , где λ 0 - длина волны источника, c –
c
скорость света, v - относительная скорость движения ис-
точника относительно приемника.

1.5. Оптические квантовые генераторы

Если в усилителе поле, облучающее активную среду,

возбуждается входным сигналом, подлежащим усилению,
то в оптическом квантовом генераторе такое поле перво-

29
начально возникает в результате флуктуаций, и, в част-
ности, из-за спонтанного излучения.
По типу активной среды существующие оптические
квантовые генераторы (ОКГ) делятся на газовые, жидко-
стные, на полупроводниках, твердотельные, волоконные
и т.д.
Создание инверсной заселённости в активной среде
называется накачкой. Существую различные виды накач-
ки: оптическая, электрическая, рентгеновская, химическая
и т.д.
Наиболее распространённым является метод вспо-
могательного электромагнитного поля, частота которого
совпадает с частотой одного из переходов. Метод заклю-
чается в том, что вещество облучается электромагнит-
ным полем от генератора. Частицы нижних уровней пере-
ходят на верхние, возникает инверсная заселённость.
Т.о. накачка обеспечивает питание ОКГ.
В двухуровневой системе создать инверсную засе-
ленность методом непосредственного воздействия внеш-
него облучения невозможно. При сколь угодно большой
мощности накачки можно добиться только насыщения
перехода E1 → E 2 , т.е. N1 = N 2 (рисунок 16).
В 1955 г. Басов, Прохоров и Крохин предложили
трехуровневую систему (рисунок 1.19).

Рисунок 1.19. Энергетическая диаграмма

трехуровневой системы

30
 Накачка осуществляется в такой системе на частоте
ν 13 , а усиление либо на частоте ν 32 , либо на ν 21 . В про-
цессе накачки переход E1 → E 3 обычно насыщается, т.е.
N1 = N 3 . Один из уровней, E 2 либо E 3 , должен быть ме-
тастабильным, т.е. частицы на нем должны иметь значи-
тельно большее время жизни, чем на других уровнях. Та-
кой уровень будет служить резервуаром для накопления
частиц и возникновения инверсной населенности. Если
метастабильным является уровень E 3 , то инверсная за-
селенность возникает между уровнями Е3 и Е2. Если ме-
тастабильным является уровень E 2 , то между уровнями
E 2 − E1 возникает инверсная заселенность. Еще больши-
ми возможностями обладает четырехуровневая система,
в которой можно проводить накачку одновременно на 2-х
частотах ν13 и ν24 (рисунок 1.20).
При этом достигается большая инверсная заселен-
ность. Во втором случаев из-за спонтанных переходов
заселённость уровня E 3 растёт, а E 2 – уменьшается,

Рисунок 1.20. Энергетическая диаграмма

четырехуровневой системы

т.е. возрастает инверсная заселённость между уровнями

E 3 и E 2 . В результате для накачки требуется мощность в
десятки и сотни раз меньшая, чем в 3-уровневой системе.

31
 Из закона Ламберта-Бугера видно, что при α≈0,01см -
1
для усиления в 10 раз потребуется d=5м, что трудно
реализовать. По аналогии с законом Ламберта-Бугера
можно записать выражение для мощности излучения
Pвых=Рвх · е β d, где β – показатель квантового усиления, Рвх
– входная, Pвых – выходная мощность. Разложим в ряд
выражение:

Pвых=Рвх (1+ β d), Pвых/Рвх =1+ β d.

Отсюда:
Pвых = Pвх + β ⋅ dPвх
Pвых − Pвх = β ⋅ dPвх = Pа .

Приращение мощности
P − Pвх Pa
β = вых = .
Pвх ⋅ d Pвх ⋅ d
β показывает приращение мощности на единицу входной
мощности и на единицу длины активной области.
Для уменьшения геометрических размеров активной
среды без уменьшения эффективности усиления исполь-
зуют положительную обратную связь (ПОС). Активное
вещество помещают в резонатор, настроенный на часто-
ту усиливаемого сигнала. Если коэффициент отражения
от стенок резонатора > 50%, то возможна генерация.
Однако мощность излучения не может возрастать
неограниченно. Каждый индуцированный переход вниз
уменьшает заселенность верхнего уровня. Перейдя вниз,
частицы начинают поглощать энергию, и если не поддер-
живать каким-либо способом число частиц на верхнем
уровне, то наступит насыщение, характеризующееся ра-
венством заселенностей верхнего и нижнего уровней.
При насыщении усиление исчезает.
Для поддержания инверсной заселенности в активной
среде используется источник накачки (источник питания).
32
На рисунке 1.21 показана блок-схема оптического генера-
тора, где AC - активная среда, ИП - источник питания,
ПОС -петля положительной обратной связи.

Рисунок 1.21. Блок-схема оптического квантового

генератора

Общая конструкция ОКГ показана на рисунке 1.22.

Рисунок 1.22. Общая конструкция оптического

квантового генератора

Так как показатель квантового усиления β пропорцио-

нален разности заселенностей уровней N2–N1 , то при
прочих равных условиях рабочее вещество надо выби-
рать с возможно большей концентрацией частиц. Поэто-

33
му для усилителей используют преимущественно твер-
дые тела, где концентрация частиц на 5-6 порядков выше,
чем в газах.
В качестве резонатора используют зеркала различ-
ной формы (плоские, сферические, параболические), гра-
ни призм полного внутреннего отражения, границы сред с
различным показателем преломления.
Расстояние между зеркалами зависит от размеров
активной среды и составляет от микронов в полупровод-
никовых лазерах до сотен метров в газовых лазерах.

1.6. Структура поля в открытом резонаторе

Рассмотрим структуру поля в открытом резонаторе.

Вдоль оси резонатора z распространяется плоская вол-
на, которая, интерферируя с отраженной волной, соз-
дает q пучностей и узлов. Число q зависит от длины вол-
ны излучения и от длины резонатора L . Числом q опре-
деляется тип (мода) продольной структуры волны. Обыч-
но q = 105 ÷ 107 .
Поперечная структура волны аналогична типам волн
в волноводе и определяется количеством перемен знаков
r
поля E в плоскости, перпендикулярной оси резонатора.
Через m обозначается число перемен знака по оси x ,
через n - по оси y .
Т.о. принято обозначение типа волны ТЕМ mnq . Часто
q опускают. Тогда мода ТЕМ 00 соответствует одномодо-
вому режиму в поперечном направлении. Чем выше по-
рядок моды, тем больше поперечное сечение луча. При
малых m и n энергия поля сосредоточена вблизи оси ре-
зонатора и падает до 0 на краях зеркала (рисунок 1.23).

34
 Если на длине резонатора L укладывается целое
число полуволн, то из-за многократного отражения в ре-
зонаторе образуется стоячая волна.

Рисунок 1.23. Структура поля в открытом

резонаторе

λ
Условия образования стоячей волны L = q ⋅ , где q
2n
- продольное квантовое число, n – показатель преломле-
ния. Длина волны излучения связана с частотой по фор-
муле
C
L = q⋅ ,
2 νn
отсюда
c
ν = q⋅ ,
2nL
где ν – собственная частота резонатора. Т.о., в зависи-
мости от числа q в резонаторе возможно существование
большого количества мод. Расстояние между соседними
модами (рисунок 1.24)
c
∆γ = γ q − γ q−1 = .
2nL

35
 Рисунок 1.24. Спектральные характеристики
спонтанного и вынужденного
излучения

Т.о., чем больше длина резонатора L , тем большее

число мод поддерживает данный резонатор и меньше
расстояние между соседними модами. Огибающая линия
на рисунке 1.24 соответствует спектральной линии среды
при спонтанном излучении.

1.7. Основные характеристики и особенности

газовых ОКГ

К газовым ОКГ относятся генераторы, у которых в ка-

честве активной среды используются различные газы, их
смеси и пары металлов. По способу получения инверсной
заселенности активной среды (по способу возбуждения)
газовые ОКГ делятся на 3 класса: газоразрядные, газоди-
намические и химические.
В газоразрядных возбуждение осуществляется за
счет электрического разряда в газе. Этот класс газовых
оптических квантовых генераторов делится на атомар-
ные, ионные и молекулярные. Возбуждение в них осуще-
ствляется за счет переходов между энергетическими
уровнями нейтральных атомов, ионов или молекул рабо-
чего газа.
36
 В газодинамических ГОКГ инверсная заселенность
создается за счет быстрого охлаждения (при расшире-
нии) газовой смеси, предварительно нагретой до высокой
температуры при большом давлении.
В химических ГОКГ возбуждение создается за счет
энергии, высвобождающейся при химической реакции
компонент газовой смеси.
Использование большого количества газовых сред
дало возможность создать ГОКГ на несколько сотен длин
волн. Это намного превосходит диапазон длин волн всех
остальных классов ОКГ.
Отличительные характеристики газовых лазеров:
1. Ширина спектральной линии близка к естественной
из-за слабого взаимодействия частиц газа. В специаль-
ных ГОКГ ∆ν составляет несколько герц.
Это приводит в высокой монохроматичности и когерент-
ности излучения газового лазера по сравнению с другими
типами ОКГ.
2.Стабильность частоты излучения ~ 10−13 ÷ 10−14 Гц в
одночастотных ОКГ, что обусловлено высокой оптической
однородностью газовой среды.
3. Расходимость пучка ≈ 1 ÷ 10 угловых минут.
4. Высокая степень поляризованности излучения.
К недостаткам газовых лазеров можно отнести низ-
кую мощность излучения и низкий КПД.
Энергетические характеристики ГОКГ.
Мощность излучения атомарных лазеров Pвых со-
ставляет от долей до сотен мВт (маломощные лазеры).
Ионные лазеры имеют мощность излучения от сотни
мВт до сотнен Вт (средняя мощность).
Молекулярные лазеры – десятки и сотни кВт (боль-
шая мощность).
КПД ГОКГ - 10 −3 ÷ 10 −1 % , кроме ГОКГ на CO 2 , КПД ко-
торого около 40%.

37
 Увеличение мощности осуществляется за счет уве-
личения длины газоразрядных трубок и за счет примене-
ния систем быстрой прокачки газа. Другой вариант, когда
требуется большая мощность – использование каскадно-
го построения ОКГ в виде малошумящего задающего ге-
нератора с нужными параметрами и усилителя оптиче-
ской мощности с большим коэффициентом усиления.
На рисунке 1.25 показана конструкция гелий-
неонового газового лазера.
Активной средой этого лазера является смесь He+Ne
в соотношении от 7:1 до 5:1. Схема энергетических уров-
ней этих газов показана на рисунке 1.26.

Рисунок 1.25. Конструкция газового оптического

квантового генератора (He-Ne – лазер):
1-анод; 2-катод; 3-зеркала резонатора;
4-выходные окна ;5-газоразрядная труб-
КА; 6-источник высокого напряжения

При подаче напряжения на электроды возникает

электрический разряд, за счет использования энергии ко-
торого часть атомов Ne переходят на уровни 3s и 2s.
Время их жизни при этом намного большее, чем на уров-
нях 3p и 2p.
В результате между уровнями 3s → 3p (3.39µm) ,
3s → 2p (0.63µm ) и 2s → 2p (1.15µm ) создается инверсная
заселенность. Однако уровень 1s снижает заселенность
38
из-за переходов 1s → 2p и 1s → 3p . Для увеличения засе-
ленности уровней 3s и 2s добавляется гелий, который
имеет 2 метастабильных уровня 21 s и 23 s , энергетически
близких к уровням 3s и 2s неона. В результате неупругих
столкновений возбужденных атомов He с атомами Ne
происходят переходы на уровни 2s и 3s Ne . Характери-
стики He − Ne лазера: длина трубки 0.05 ÷ 3.0 м , диаметр
~ 7мм , мощность излучения от десятков мВт до 100 мВт.

Рисунок 1.26 Схема энергетических уровней

смеси He и Ne

С торцов трубка закрывается плоскими окнами под

углом Брюстера к оси трубки, что обеспечивает наи-
меньшие потери на торцах и высокую степень поляриза-
ции излучения.
Резонатор – это плоские или сферические пластины
из оптического стекла с отражающим покрытием. Резона-
тор, образованный плоскими зеркалами, называется ре-
зонатором Фабри-Перро. При этом, если обозначить че-
рез R 1 и R 2 радиусы кривизны зеркал, можно за-
писать, что R 1 = R 2 = ∞ . Он имеет наиболее узкую диа-
грамму направленности, но при этом требуется очень

39
точная юстировка. При отклонении от параллельности на
3-5 угловых секунд мощность излучения падает до 0. По-
этому ОКГ с такой конструкцией имеют ограниченное
применение. Наиболее распространены резонаторы
плоскость – сфера или две сферы. Тогда точность взаим-
ного расположения зеркал – 1-3 угловых минуты. Полу-
конфокальный резонатор образован одним плоским и од-
ним сферическим зеркалом, при условии, что R 1 = 2L ,
R 2 = ∞ , где L - длина резонатора. Конфокальный резона-
тор образован двумя одинаковыми сферическими зерка-
лами, оси и фокусные расстояния которых совпадают
( R 1 = R 2 = L ). Поле в таком резонаторе концентрируется
около оси, что снижает дифференциальные потери. Дан-
ный тип резонатора малочувствителен к юстировке.
Часто вместо зеркал применяются призмы полного
внутреннего отражения. При этом используется то, что
внеосевые моды с повышением их порядка распростра-
няются под большим углом к оси резонатора. При этом
ТЕМ 00 - мода соответствует углу расходимости 3-4 угло-
вые минуты.
ГОКГ чаще всего используются в одномодовом режи-
ме, т.е. в резонаторе для моды ТЕМ 00 потери намного
меньше, чем для мод более высокого порядка. Для этого
есть несколько способов: 1) выбор размеров резонатора;
2) использование специальных внутрирезонансных эле-
ментов управления лазерным лучом; 3) использование
селективных отражателей.
Излучение лазера, работающего в одномодовом ре-
жиме, обычно содержит несколько типов продольных ко-
лебаний. Количество их определяется шириной линии
люминесценции, уровнем потерь и размером резонатора.
Часто требуется выходное излучение, в котором
присутствует только один тип продольных колебаний.
Такое излучение называется одночастотной генерацией.
40
Для этого используется управление пороговым током ге-
нерации, применение фильтров, интерферометрический
способ и т.д.
Применение в системах связи ГОКГ дает высокую
пропускную способность, обусловленную высокой часто-
той несущей ~ 1014 − 1015 Гц, высокой направленностью,
помехоустойчивостью, скрытностью связи. В диапазоне
0,4-0,8 мкм (видимый диапазон) можно разместить 80
миллионов телевизионных каналов со стандартной поло-
сой пропускания 6,5 МГц. Однако на качество передачи
сильное влияние оказывают погодные условия.
Более перспективно использование таких лазеров в
космическом пространстве. При этом ГОКГ обеспечивает
возможность передачи информации на расстояние около
160 млн. км (до Марса) со скоростью 1 Гбит/с, 2700 млн.
км (до Юпитера) со скоростью 40 Кбит/с, 6400 млн. км (до
Плутона) со скоростью 1 Кбит/с.

1.8. Общая характеристика и особенности

твердотельных лазеров

В качестве активной среды в твердотельных лазерах

используются кристаллические и аморфные твердые те-
ла. Первые ТОКГ были созданы на синтетическом руби-
не. Большим достижением явилось создание ТОКГ на
стекле с неодимом, простого и дешевого.
Для получения генерации в ТОКГ используются пере-
ходы между энергетическими уровнями примесных ионов
редкоземельных элементов и металлов, вводимых в не-
больших количествах в кристаллы и аморфные тела.
Примесные ионы выполняют роль активатора, в котором
при накачке создается инверсная заселенность.

41
 Наиболее распространенные ТОКГ на рубине, длина
волны излучения λ=0,69 мкм, стекло с Nd (1,06 мкм), ит-
трий-алюминиевом гранате (YAG) (1,064 мкм).
Обычно ГОКГ работают с оптической накачкой, в ка-
честве которой используются импульсные и непрерывные
лампы со спектром, перекрывающим спектр поглощения
активных элементов.
Для получения высокого уровня импульсной энергии
и большой плотности мощности излучения при неболь-
ших частотах импульсов используется стекло с Nd. При
этом можно изготавливать активные элементы большого
размера, высокой оптической однородности, низкой
стоимости. Низкая частота обусловлена низкой тепло-
проводностью стекла.

Рисунок 1.27. Блок-схема твердотельного

оптического квантового генератора

Для высокой средней мощности используется рубин

ввиду его высокой теплопроводности.
Для малого энергопотребления при высоких часто-
тах и малых габаритах используется YAG лазер, обла-
дающий высоким КПД, низким порогом генерации.
В качестве активного элемента в твердотельном ла-
зере используется рубин ( Al 2O 3 : Cr +3 ), иттрий-

42
алюминиевый гранат, легированный неодимом ( YAG -
лазер, Y3 Al 3O12 : Nd ), стекло с неодимом.
Источником накачки служат в основном ксеноновые
лампы. Чем больше энергии приходится на область по-
глощения активного элемента, тем больше КПД лазера.
Остальная энергия является даже вредной, т.к. идет на
нагревание активного элемента и остальных частей лазе-
ра.

Рисунок 1.28. Конструкция твердотельного лазера:

1 – активный элемент;2 – лампа на-
качки; 3 – отражатель; 4 – резонатор;
5 – блок питания; 6,7 – охладители;
8 – элемент управления лазерным
лучом

На рисунке 1.29 показаны спектры поглощения кри-

сталла рубина и излучения ксеноновой лампы. Видно, что
большая часть энергии излучения лампы поглощается в
рубине.

43
 Рисунок 1.29. а) спектр поглощения рубина;
б) спектр излучения Хе-лампы

Для фокусировки излучения лампы на активный эле-

мент используются отражатели различной формы, пока-
занные на рисунках 1.30 и 1.31.

Рисунок 1.30. Конструкция твердотельного оптиче-

ского квантового генератора:
1) активный элемент;
2) источник накачки;
3) отражатель

44
 η= световаямо щностьвА . С .
световаямо щностьлпмп накачки

Рисунок 1.31. Система накачки ТОКГ

Поверхность покрывается Ag, Au, либо используются

специальные интерференционные покрытия, обеспечи-
вающие селективное отражение только той доли света,
которая находится в области поглощения активного эле-
мента.
Мощность излучения, степень когерентности, на-
правленность излучения твердотельного лазера зависят
от качества резонатора, его добротности Q. Величина Q
определяется отношением энергии, запасенной в резона-
торе, к энергии, теряемой в единице времени.

ωE зап 2π L
Q= ≈ ⋅ ,
E потерь λ a
где L – длина резонатора, ω - частота световой волны,
a=1-(R1*R2) – коэффициент, учитывающий потери на от-
ражении, R1,R2 – коэффициенты отражения зеркал резо-
натора.
Наиболее узкий спектр излучения в резонаторе Фаб-
ри-Перро. Однако при отклонении от параллельности

45
зеркал резонатора на несколько угловых секунд доброт-
ность резко падает.
Поэтому чаще используется полуконфокальный ре-
зонатор, для которого выполняется условие L ⋅ R ≈ 1 , где
R – радиус сферы. Этот резонатор называется «неста-
бильным», т.к. небольшое изменение длины резонатора
L приводит к изменению номера генерируемых мод. По-
этому главное требование для обеспечения стабильности
– это постоянство L с высокой степенью точности.
КПД твердотельного лазера не превышает 3%. Это
связано с большими потерями, распределение которых
показано на рисунке 1.32.
На рисунке 1.33 в качестве примера показана энерге-
тическая диаграмма лазера на стекле с Nd, которая пред-
ставляет собой 4-уровневую систему. В этой системе ме-
тастабильным является уровень, а индуцированные пе-
реходы происходят на частоте
E − E2
ν 32 = 3 ,
h
т.е. инверсная заселенность создается между уровнями
E 3 и E 2 . Если E 3 − E2 < kT , то система становится трех-
уровневой, излучение происходит на частоте
E − E1
ν 31 = 3 .
h
Мощность излучения ТОКГ составляет в импульсе
≈ 100 МВт для маломощных и ≈ ГВт для мощных лазе-
ров. Мощные лазеры работают в режиме редких вспышек
f ≈ 0.12 Гц и длительности импульса τ имп ≈ 6 ÷ 30нс . Рас-
ходимость пучка лазера составляет от нескольких милли-
радов до нескольких угловых минут. Сверхмощные лазе-
ры имеют характеристики Рвых≈ 100 ГВт при длительности
импульса τимп= 1 нс и Рвых≈ 50000 ГВт при длительности
импульса τимп= 1 пс.

46
 Рисунок 1.32. Распределение потерь в ТОКГ

Рисунок 1.33. Энергетическая диаграмма

твердотельного лазера на стекле
с Nd (4-уровневая система)

1.9. Полупроводниковые лазеры

Главным преимуществом полупроводникового лазера

является высокий КПД, который достигает 80% в лазере с
двойной гетероструктурой.
Необходимым условием для генерации является ин-
версная заселенность. В полупроводнике это означает,
что все электроны должны находиться в зоне проводимо-

47
сти, все дырки – в валентной зоне. Другими словами,
полупроводник должен быть одновременно вырожден по
электронам и дыркам (рисунок 1.34).

Рисунок 1.34. Энергетическая диаграмма

полупроводника с одновременным
вырождением по электронам и дыркам

Если энергия фотона hν находится в пределах Eg+

EFn+EFp>hν >Eg, где EFn и EFp – уровни Ферми для элек-
тронов и дырок, соответственно, то такой фотон не будет
поглощаться средой. Более того, он может вызвать пере-
ход электрона из с-зоны в v-зону. Однако в действитель-
ности получить вырождение можно только для электро-
нов или для дырок. Поэтому для создания инверсии ис-
пользуется p-n переход между 2-мя вырожденными по-
лупроводниками при прямом смещении. Лазеры на базе
таких структур называются инжекционными гомолазера-
ми, если обе части изготовлены из одного полупроводни-
ка.
Более эффективны инжекционные лазеры на основе
гетеропереходов – гетеролазеры. Существуют гетерола-
зеры 2-х типов: с односторонней и двусторонней гетеро-
структурой. Односторонняя гетероструктура – это комби-
нация p-n перехода и гетероперехода на расстоянии
меньше диффузионной длины инжектируемых носителей
(Ln , L p ) .

48
 В такой структуре из-за уменьшения коэффициента
преломления и увеличения потенциального барьера
достигается более сильная локализация оптического из-
лучения и инжектированных носителей (рисунок 1.35).

Рисунок 1.35. Энергетическая диаграмма

одностороннего гетеролазера
(ОГС типа p-n-N)

Эти лазеры лучше гомолазеров, но обладают рядом

недостатков: одностороннее ограничение инжекции, ма-
лая локализация фотонов, уход носителей при больших
смещениях через гомопереход.
Эти недостатки устранены в ДГС-лазере. На рисунке
1.36 показаны сравнительные характеристики гомолазе-
ра, ОГС-лазера и ДГС-лазера. Видно, что более сильное
изменения коэффициента преломления в ДГС-лазере
приводит к сильной локализации как носителей тока, так
и излучения в указанной области.
Инверсная заселенность в инжекционном лазере воз-
никает при токе инжекции, который называется порого-
вым током.
Если для гомолазера пороговая плотность тока
A A
jпор ~ 105 2 , то для ДГС-лазера jпор ~ 10 3 2 . Это по-
см см
зволяет получать генерацию при комнатной температуре
в отличие от гомолазера, который работает только при
температурах жидкого азота ( T = 77K ).
49
 Е

Рисунок 1.36. Сравнительные характеристики

трех лазерных структур

1.10. Полосковый лазер. Управление

поперечными модами полупроводникового
лазера

Улучшить характеристики ДГС-лазеров удалось пу-

тем создания активной среды в виде полоски, заключен-
ной между широкозонными областями. Такой ДГС-лазер
называется полосковым. Конструкция полоскового лазе-
ра показана на рисунке 1.37.
Обычно длина лазерного диода в направлении z Lz =
= 50-100 мкм, толщина активной области d 0.1-0.5 мкм,
ширина контактной полоски W 0.5-1 мкм. Уменьшение
толщины d приводит к уменьшению числа генерируемых
поперечных мод. Ширину W трудно сделать тоньше од-
ного микрометра. Т.о. электроны и дырки заперты в резо-
наторе типа волновода с прямоугольным сечением. Ко-

50
эффициент преломления активного слоя больше, чем
для пассивных областей, поэтому свет в узкозонном слое
распространяется как в волноводе. Коэффициент удер-
жания света ~ 0,2 , но этого достаточно для генерации.

Рисунок 1.37. Конструкция полоскового лазера

Пороговая плотность тока в таком лазере

jпор = I пор / ωL Z . Величина порогового тока определяется
по зависимости мощности излучения от тока инжекции
(ватт-амперная характеристика). Эта характеристика со-
стоит из двух участков. При токах, меньше порогового,
излучение лазера спонтанное, т.е. он работает как свето-
диод. При токах, больше порогового, возникает генерация
и излучение становится когерентным (рисунок 1.38).
Если число генерируемых поперечных мод велико
(рисунок 1.39), то увеличивается пороговый ток и возни-
кает нестабильность направления излучения, ухудшают-
ся модуляционные характеристики.

51
Рисунок 1.38. Ватт-амперная характеристика
полупроводникового лазера

Рисунок 1.39. Спектральная характеристика

полупроводникового лазера

52
 Поэтому режим генерации должен быть одномодо-
вым. Это достигается уменьшением размеров сечения
волновода d ≈ W ≈ 0.45мкм для лазера на базе GaAs ,
имеющего длину волны излучения λ = 0,9мкм .
На практике, чтобы не допустить возбуждения в на-
правлении x больше одной моды, формируется волновод
вдоль оси х с разницей коэффициентов преломления.
Примеры таких конструкций лазеров, одномодовых в по-
перечном направлении, показаны на рисунке 1.40.

Рисунок 1.40. Конструкции полупроводниковых

лазеров:
а) зарощенная мезаструктура;
б) структура с террасированной
подложкой;
в) структура с каналированной
подложкой

1.11. Управление продольными модами

Для получения одномодового режима в продольном

направлении используется резонатор с малыми потерями
только для определенной продольной моды, т.е. чтобы
только для определенной моды (обычно нулевой) увели-
чивался коэффициент отражения резонатора и повыша-
лась добротность резонатора. Для этого были созданы
53
лазеры с распределенной обратной связью (РОС-
лазеры), лазеры с вертикальным резонатором (ЛВР-
лазеры), лазеры с внешней синхронизацией мод и т.д. В
настоящее время чаще всего применяются РОС-, РБО-,
ЛВР-лазеры.
Английская абревиатура РОС-лазера – DFB (Distri-
buted Feed-Back), РБО-лазера – DBR (Distributed Bragg-
Reflector) и ЛВР-лазера – VCSEL (Vertical-Cavity-Surface-
Emitting Laser).
В многомодовых лазерах при изменении тока накач-
ки происходит изменение спектрального состава излуче-
ния, что при модуляции тока накачки информационным
сигналом приводит к динамическому уширению спектра и
к перескоку максимума мощности с одних мод на другие.
В отличие от лазеров с резонатором Фабри-Перро, в
РОС- и РБО-лазерах положительная обратная связь, не-
обходимая для генерации лазерного изучения, создаётся
не за счёт зеркал на торцах кристалла, а образуется
внутри самого лазера. В РОС-лазерах такая связь созда-
ется благодаря распределенной структуре под названием
«гофр», располагающейся в диэлектрическом слое вбли-
зи активного слоя (рисунок 1.41).

Рисунок 1.41. Конструкция лазера с распределен-

ной обратной связью (РОС-лазер)

54
 На рисунке 1.41:
Λ - период дифракционной решетки, т.е. шаг «гоф-
ра». Численное значение Λ определяется длиной волны
Брэгга λ b ;
Λ = mλ b 2n ;
λ b = 2nΛ m – длина волны, для которой коэффициент
отражения максимален;
n - коэффициент преломления;
λ = λ b ± δλ - длина волны излучения;
m – целое число, соответствующее степени дифрак-
ции;
δλ - определяется глубиной канавки дифракционной
решетки и длиной резонатора LZ.

Обратная связь осуществляется за счет брэгговского

рассеяния волн на «гофре», который представляет собой
фазовую дифракционную решетку с очень высокой раз-
решающей способностью, являющуюся распределенным
резонатором.
РОС-лазеры являются одним из основных источников
излучения для протяжённых волоконно-оптических линий
связи. Спектральная характеристика излучения такого
лазера показана на рисунке 1.42.
РБО-лазеры имеют другую конструкцию, в которой
активная область излучения находится вне зоны фильт-
рации мод, что обеспечивает формирование более узкой
(на порядок) линии излучения. Конструкция такого лазера
показана на рисунке 1.43.
Путём формирования дифракционной решётки с од-
ной или обеих сторон активного слоя, ему придают изби-
рательные свойства. Дифракционная решётка формиру-
ется из материала, отличающегося от материала актив-
ного слоя и имеющего другой коэффициент преломления.

55
 Рисунок 1.42. Спектральная характеристика
РОС-лазера

Рисунок 1.43. Конструкция лазера с распределен-

ным брэгговским отражателем
(РБО-лазер)

Преимущества РОС- (DFB) и РБО- (DBR) лазеров по

сравнению с лазерами с резонатором Фабри-Перро:
1) уменьшение зависимости длины волны излуче-
ния от тока инжекции и от температуры;
2) высокая стабильность одномодового и одночас-
тотного излучения;

56
 3) глубина модуляции составляет практически
100%;
4) позволяет реализовать интегральные оптиче-
ские системы со встроенными лазерными структу-
рами.
Эти лазеры комбинируются с p-i-n – фотодиодом для
мониторинга тока накачки и термоэлектрическим охлади-
телем для стабилизации температуры излучателя.
Основным недостатком таких лазеров является
сложность технологии изготовления и высокая стоимость
лазерных структур.
Для получения высокой стабильности излучения,
уменьшения стоимости изготовления и упрощения техно-
логии разработаны ЛВР- (VCSEL) лазеры, в которых ге-
нерация оптического излучения происходит перпендику-
лярно плоскости p-n перехода (рисунок 1.44).

Рисунок 1.44. Конструкция лазера с вертикальным

резонатором (ЛВР-лазер)

Большим достоинством такого лазера является то,

что сечение луча VCSEL – это окружность, в отличие от
эллипса для всех других лазеров, что улучшает ввод из-
лучения в световод и уменьшает возникающие при этом
57
потери (рисунок 1.45). VCSEL-лазер представляет собой
вертикальную структуру из ряда слоёв n и р типа. Число
слоёв зависит от требуемой длины волны излучения.
Слои изготавливаются из твёрдых растворов InGaAlAs
или InGaAsP (длина волны излучения 1,310-1,550 µм) ме-
тодом молекулярной эпитаксии. Лазер работает в одно-
модовом режиме в продольном направлений, используя
резонатор очень малой длины (~ 1мкм ) . Излучает в на-
правлении, перпендикулярном к активной области, как
СИД с излучающей поверхностью.

Рисунок 1.45. Конфигурация светового поля лазера с

резонатором Фабри-Перро (а)
и диарамма направленности
ЛВР-лазера (б)

В поперечном направлении одномодовый режим дос-

тигается за счет уменьшения диаметра структуры до 2-3
мкм (рисунок 1.46) .
Выходная мощность ЛВР-лазеров меньше, чем для
РОС- и РБО-лазеров. Однако они существенно дешевле
и легко создаются в матричном исполнении для ВОЛС со
спектральным уплотнением канала.
Основные характеристики излучения полупроводни-
ковых лазеров:
1. Пороговый ток зависит от потерь в резонаторе, от
размеров активной области и т.д. При комнатной тем-
пературе величина Iпор~ 10-30 mA;
58
 2. Выходная мощность Рвых в режиме непрерывной
генерации порядка 1-10mW. Для лазеров на базе твердых
растворов AlGaAs Рвых~200мВт. Рекордное значение вы-
ходной мощности – 40 мВт/cм2;
3.η=10-80%;

Лазер

Металлический контакт

Брэгговское зеркало
Потенциальная яма
Металлический контакт

Брэгговское зеркало

Рисунок 1.46. Конструкция лазера с вертикальным

резонатором

4. Конфигурация светового поля в ближней и даль-

ней зоне характеризует угол рассеивания светового пото-
ка (рисунок 45). Измеряется в ближней зоне (распреде-
ление световой мощности на торцевой поверхности ре-
зонатора с помощью микроскопа и в дальней зоне, на
расстоянии ~ 30 см от излучающей поверхности).
Для РОС- и РБО-лазеров Θ II ≅ 150 Θ ⊥ ≅ 300 , т.е. на-
много больше, чем для газовых лазеров. Увеличение угла
расходимости луча полупроводникового лазера обуслов-
лено дифракцией света на выходной щели структуры.
Для ЛВР-лазера Θ ⊥ = Θ II = 150 , т.е. основание свето-
вого конуса – окружность;
5. Полуширина спектральной характеристики по
сравнению со светодиодом, для которого ∆λ составляет
20÷60 нм, для лазера с решеткой Фабри-Перро
59
∆λ =1÷4 нм; для РОС- и РБО-лазеров ∆λ =0,1÷0,3 нм; для
ЛВР-лазера ∆λ ~ 0.5нм;
6. Температурные характеристики
Все характеристики лазера сильно зависят от темпе-
ратуры. С ростом температуры растёт пороговый ток,
уменьшается квантовая эффективность , меняется длина
волны в максимуме излучения и увеличивается полуши-
рина спектральной характеристики ∆λ . Величина порого-
вого тока увеличивается с температурой по экспоненци-
альному закону
⎛ T − TS ⎞
I пор (T) = I пор (TS ) exp⎜⎜ ⎟⎟ ,
⎝ T0 ⎠
где Iпор (Ts) – пороговый ток при стандартной температу-
ре, То - характеристическая температура, зависящая от
материала лазера.
Например:
To GaAs= 120-150K;
To InGaAsP=50-70K.

Изменение величины порогового тока с ростом

температуры хорошо видно по ватт-амперным характери-
стикам, показанным на рисунке 1.47.

Рисунок 1.47. Температурные характеристики

полупроводникового лазера

60
 Температурный коэффициент изменения полушири-
ны спектральной линии при изменении температуры на
∆λ нм
1К составляет приблизительно: ≈ 0.07 − 0.09 для
∆T K
∆λ нм
лазера с резонатором Фабри-Перро; ≈ 0.07 − 0.09
∆T K
∆λ нм
для РОС- и РБО-лазеров и ≈ 0.05 для VCSEL-
∆T K
лазера;
7. Динамические характеристики
Для волоконно-оптических линий связи важное зна-
чение имеют динамические свойства лазера, которые
проявляются в зависимости спектральной характеристики
от скорости передачи при непосредственной модуляции
мощности излучения изменением тока инжекции.
У одномодовых лазеров с резонатором Фабри-Перро
увеличение скорости передачи сопровождается измене-
нием модового состава, что характеризуется динамиче-
ским расширением спектра до 10 нм при частотах моду-
ляции fM ~ 1 − 2ГГц (рисунок 1.48).

Рисунок 1.48. Динамическое уширение спектра

лазера при модуляции

Для РОС- и РБО-лазеров при fM ~ 0.25 − 2ГГц лишь

незначительно сдвигается λ max при сохранении высокой

61
степени подавления побочных мод. Поэтому эти лазеры
называются динамически одномодовыми. В случае
ЛВР-лазеров эти параметры ещё лучше.
8. Модуляционные характеристики
Модуляционные характеристики полупроводникового
лазера определяются быстродействием излучателя, т.е.
временем нарастания импульса излучения от уровня 0,1
до уровня 0,9 или временем спада от уровня 0,9 до уров-
ня 0,1 (рисунок 1.49).

Рисунок 1.49. Импульс накачки (а) и импульс

излучения лазера (б)

В инжекционных лазерах используется прямая моду-

ляция оптического сигнала током смещения. При этом
частота модуляции намного превосходит максимальную
частоту при непрямой модуляции, т.е. при использовании
внешних модуляторов.
При прямой модуляции частотная характеристика
имеет ограниченную верхнюю частоту, определяемую
эмпирической формулой
1 I S / I пор − 1
fmax = ,
2π τS ⋅ τp

62
где I пор - пороговый ток лазера, I S - ток модулирующего
сигнала, τ S - время, в течение которого инжектируются
носители, τ p - время жизни фотонов в структуре. Частот-
ные характеристики зависят и от добротности резонато-
ра. Эти характеристики носят резонансный характер (ри-
сунок 1.50).

Рисунок 1.50. Частотные характеристики модуляции

полупроводникового лазера

В основе резонанса лежит процесс взаимодействия

между инжектированными носителями и фотонами. В зо-
не генерации между ними происходит обмен энергией.
При возбуждении лазера скачком тока I S наблюдается
задержка τ S начала генерации на время, необходимое
для возрастания тока до пороговой величины. Увеличе-
ние концентрации носителей приводит к увеличению ре-
комбинации, что в свою очередь приводит, с задержкой, к
падению концентрации и уменьшению мощности излуче-
ния. Т.е. возникает колебательный процесс, который на-
зывается «пичковым», или «звоном лазера», что ограни-
чивает частоту модуляции. Снижает «звон» применение
РОС-лазеров со специальными поглощающими добавка-
ми на основе титана.

63
 Т.о., частота, на которой наблюдается максималь-
ная глубина модуляции, определяется релаксационными
колебаниями, которые возникают из-за запаздывания во
времени излучения по сравнению с моментом инжекции
(~3 нс) и из-за времени, которое фотон проводит в струк-
туре. Расчетное значение этой частоты ~ 3 ГГц (рисунок
1.51).

Рисунок 1.51. Зависимость глубины модуляции

от частоты для полупроводникового
лазера

При больших частотах глубина модуляции умень-

шается из-за разогрева структуры и изменения коэффи-
циента преломления, а при меньших - преобладают ре-
лаксационные процессы.
Наиболее важным применением полупроводнико-
вых лазеров является их использование в волоконно-
оптических линиях связи. Они составляют элемент опти-
ческих модулей, которые представляют собой излучате-
ли, размещенные в корпусах, сопряженных со стандарт-
ными оптическими соединителями. Эти модули имеют
встроенные фотодиоды обратной связи, терморезисторы,
термоохладители. При использовании внешней модуля-
ции оптического сигнала лазеры компонуются встроен-

64
ным в интегральную схему оптическим модулятором. На
рисунке 1.52 показана интегрированная структура РОС-
лазера и электро-абсорбционного оптического модулято-
ра (ЭАБОМ), а на рисунке 1.53 – интегральная конструк-
ция оптического модуля на базе этих элементов.

Рисунок 1.52. Интегрированная структура РОС-лазера

и электроабсорбционного оптического модулятора

В волоконно-оптических линиях связи со спектраль-

ным уплотнением канала используются линейки лазеров
и модуляторов, объединенных в один модуль. Пример та-
кой интегральной оптической схемы показан на рисунке
1.54, где линейка лазерных излучателей скомпонована с
оптическими модуляторами и с оптическим мультиплек-
сором для ввода мультиплексированного оптического
сигнала в оптический волновод.

65
 Рисунок 1.53. Интегральная конструкция
оптического модуля передачи
(РОС-лазер и ЭАБОМ)

Рисунок 1.54. Интегральная оптическая схема с линейкой

лазерных излучателей, оптических модуляторов и опти-
ческого мультиплексора для волнового уплотнения кана-
ла связи
Такие устройства позволяют существенно повы-
сить скорость передачи и увеличить объем передаваемой
информации по одному оптоволокну.

66
 ЛИТЕРАТУРА

1. Васильев А.Ф., Чмутин А.М. Фотоэлектрические при-

емники излучения. – Волгоград: ВолгГУ, 2010.
2. Янг М. Оптика и лазеры, включая волоконную оптику
и оптические волноводы. – М.: Мир, 2005.
3. Миногин В.Г.Физика лазеров. – М.: МФТУ, 2010.
4. Тарасов Л.В. 14 лекций о лазерах. – М.: Либроком,
2011.
5. Пароль Н.В., Кайдалов С.А. Фоточувствительные
приборы и их применение. – М.: Радио и связь, 1991.
6. Александрович С.В. Основы оптоэлектроники. –
Укр.: ДонНУ, 2012.
7. Ермаков О.Н. Прикладная оптоэлектроника. – М.:
Техносфера, 2004.
8. Фриман Р. Волоконно-оптические системы связи. –
М.: Мир, 2007.
9. Розеншер Э., Вингер Б. Оптоэлектроника. – М.: Мир,
2007.
10. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.:
Радио и связь, 2007.
11. Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устрой-
ства. – М.: Эко-Тренд, 2006.
12. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлект-
роника. – М.: Высшая школа, 1991.
13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов . – М.:
Мир, 1984.
14. Филачев А.М., Таубкин Ш.И., Тришенков М.А. Твер-
дотельная фотоэлектроника. Физические основы.–
М.: Физматкнига, 2007.
15. Щука А.А. Наноэлектроника. – М.: Физматкнига, 2007.

67
 СОДЕРЖАНИЕ

Введение……………………………………………….3
1. Источники излучения……………………………….11
1.1. Виды источников излучения. Основные харак-
теристики источников излучения……………….…11
1.2. Инжекционные светодиоды с p-n переходом…..14
1.3. Квантовые переходы…….………………………….24
1.4. Ширина спектральной линии……………………...27
1.5. Оптические квантовые генераторы……………....29
1.6. Структура поля в открытом резонаторе...…….....34
1.7. Основные характеристики и особенности
газовых ОКГ……………………………………….….36
1.8. Общая характеристика и особенности
твердотельных лазеров………………………….....41
1.9. Полупроводниковые лазеры………………….……47
1.10. Полосковый лазер. Управление поперечными
модами полупроводникового лазера…………...50
1.11. Управление продольными модами…………..…..53
Литература …………………………………………...67

68