НАНОЭЛЕКТРОНИКА

НАНОЭЛЕКТРОНИКА – область науки и техники, занимающаяся созданием,

исследованием и применением электронных приборов с нанометровыми
размерами элементов, в основе функционирования которых лежат квантовые
эффекты.
1 квантово-размерный эффект
2 баллистический транспорт нос зар
3 туннелирование нос зар
4 спиновые эффекты
КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ – это эффект, связанный с
квантованием энергии носителей заряда, движение которого ограничено в
одном, двух или трех направлениях.

БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА – характер

движения носителей заряда в твердотельных наноструктурах, который
заключается в переносе электронов без их рассеяния.
ТУННЕЛИРОВАНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА – это преодоление
микрочастицей потенциального барьера в случае, когда ее полная энергия
(остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты
потенциального барьера.
СПИНОВЫЕ ЭФФЕКТЫ – это эффекты, в основе которых лежит спин
поляризованный траниспорт носителей зарядов в твердотельных веществах.

КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ. СПОСОБЫ СОЗДАНИЯ

КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР
КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ – это ограничение движения носителей заряда
в низкоразмерной структуре, приводящее в следствии их квантово-волновой
природы к конечному (не 0), минимальному значению их энергии и
дискретности энергий разрешенных состояний.
3D 2D 1D 0D, число перед D –количество координат, по которым движение
электронов не ограничено.
 3D – объемный материал, типичный кристалл

 2D – квантовая пленка, представляет двумерную структуру, в которой

квантовое ограничение действует только в одном направлении. 2D-
двумерный электронный газ (2DEG).

 1D – квантовый шнур, провод, нить – это одномерная структура, в

которой движение носителей зарядов ограничено в двух направлениях.
  0D – квантовая точка, это нульмерная структура, в которой движение
носителей заряда ограничено по всем трем направлениям. 0D точки-
искусственные атомы, из-за сходства энергетических характеристик
атомов и квантовых точек.

КАК СОЗДАТЬ ТАКИЕ СТРУКТУРЫ, МИЛОК?

1 сверхрешетки
2 квантовые колодцы
3 модуляционно-легированные структуры
4 дельта легированные структуры
СВЕРХРЕШЕТКА – монокристаллическая пленка из одного материала,
воспроизводящая постоянную решетки монокристаллической подложки из
другого материала. Сверхрешетки бывают: псевдоморфные, напряженные,
релаксированные. Как псевдоморфные так и напряженные сверхрешетки,
изготовленные путем многократного эпитаксиального осаждения различных
по составу п/п, используют для формирования встроенных квантовых
колодцев, в которых электроны и/или дырки испытывают квантовое
ограничение.
КВАНТОВЫЕ КОЛОДЦЫ:
Структура, состоящая из полупроводников с различной шириной
запрещенной зоны (или полупроводника и диэлектрика), в которой
наноразмерная область из материала с меньшей шириной запрещенной зоны
находится между областями из материала с большей шириной запрещенной
зоны, действует как квантовый колодец для подвижных носителей заряда.
 Материал с меньшей шириной запрещенной зоны образует собственно
колодец, а соседние области создают потенциальные барьеры, играющие для
этого колодца роль стенок. Повторение такой структуры в пространстве дает
периодические квантовые колодцы. Классическим примером твердотельных
квантовых колодцев служат сверхрешетки, изготовленные из
полупроводников с различными электронными свойствами.

МОДУЛЯЦИОННО-ЛЕГИРОВАННЫЕ СТРУКТУРЫ - это структуры в

которых область полупроводника, где генерируются носители заряда, и
область, где осуществляется их перенос, пространственно разделены. Для
этого используются гетероструктуры, образованные полупроводниками с
различной шириной запрещенной зоны.
В модуляционно-легированной структуре донорная примесь обычно вводится
в полупроводник с большей шириной запрещенной зоны. Структура сохраняет
свою электрическую нейтральность до тех пор, пока электроны находятся у
своих донорных атомов. Как только электроны покидают донорные атомы
(вследствие тепловой активации при Т > 0К), они пересекают границу раздела
и переходят в соседнюю область с более низкой потенциальной энергией. Там
электроны теряют свою энергию и оказываются захваченными в
приграничной области, поскольку не имеют возможности преодолеть
потенциальный барьер Ес и вернуться обратно. Эти электроны оказываются
пространственно отделенными от сильно легированной донорной примесью
области полупроводника, откуда они поступили. Скатившиеся в
потенциальную яму электроны индуцируют электростатический потенциал,
который (наряду с притяжением положительно заряженными ионами
примеси) «прижимает» их к границе между материалами А и В. В результате
у границы гетероперехода для электронов образуется квантовый колодец с
близким к треугольному профилю распределения потенциала. Ширина этого
колодца - несколько нанометров. Энергетические уровни в нем для
поперечного (вдоль оси х) движения электронов оказываются квантованными,
как и в прямоугольных квантовых колодцах. Заняты только нижние
энергетические уровни. Однако электроны на этих уровнях сохраняют
свободу для движения в двух других направлениях, т. е. в плоскости,
параллельной плоскости гетероперехода. Каждый такой уровень представляет
собой дно одной из двумерных подзон размерного квантования. Так в
слаболегированном узкозонном полупроводнике у границы гетероперехода
образуется двумерный электронный газ (2DEG). Электроны в нем заполняют
делокализованные в двух направлениях состояния. Для формирования
двумерного электронного газа вполне достаточно одного локализованного в
поперечном направлении уровня.
Модуляционное легирование дает два важных преимущества. Во-
первых, электроны оказываются отделенными от донорных атомов, что
ослабляет их рассеяние ионизированными примесями. Во-вторых, у границы
гетероперехода образуется двумерный электронный газ.
ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАННЫЕ СТРУКТУРЫ – это полупроводниковая
структура с существенно неравномерным профилем распределения примесей,
характеризующимся локализацией примесных атомов в очень тонком
внутреннем слое (в идеале - в пределах одного моноатомного слоя) называют
дельта-легированной (δ-легированной) структурой.
Носители заряда в сильно легированной области связаны кулоновским
взаимодействием с порождающими их примесными атомами, поэтому они не
уходят далеко от области локализации примесей.
 Энергетические состояния в колодце квантуются в соответствии с
эффектом квантового ограничения, что приводит к образованию двумерных
подзон, которые и заполняются электронами вплоть до высоких
концентраций.

БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Электрон, сталкиваясь с другим электроном или рассеиваясь на
колебаниях решетки, дефектах либо границе раздела, неизбежно изменяет
свое состояние. Среднее расстояние, которое электрон проходит между двумя
последовательными актами рассеяния, называют средней длиной свободного
пробега (l). В макроскопических системах средняя длина свободного пробега
электронов всегда намного меньше размера этих систем.
𝐺 = 𝜇𝑛𝑒
Можно настолько уменьшить размер структуры, что l>lструктуры и акт рассеяния
происходить не будет → баллистический характер движения. Тогда
предполагают, что G=бесконечности, ρ=0. Рассмотрим квантовую нить:
В металле при Т≈0К накачиваются электроны с Е ≈EF1, 𝜇2 < Е < 𝜇1 ,
𝜇1 −𝜇2
- тепло, которое выделяют контакты.
2

Если электрон имеет импульс px , то его скорость px/m* и его вклад в ток
𝑒𝑝𝑥
𝐿𝑚∗
Для получения полного тока необходимо сложить вклад всех электронов
𝑒
𝐼= ∑ 𝑝𝑥
𝐿𝑚∗
𝑖,𝑝𝑥
𝑝𝑥
При условии 𝜇2 < 𝐸𝑖 + < 𝜇1 . Если 𝜇1 − 𝜇2 мало, то
2𝑚∗
𝑒𝑉𝑚∗
𝐸𝑖 < 𝜇2 , ∆𝑝 =
𝑝
∆𝑝𝐿
-количество электронных состояний в интервале ∆𝑝. Подставим и
2𝜋ℎ
получим:
𝑒 2 𝑉𝑁
𝐼=
2𝜋ℎ
N- число подзон, лежащих ниже уровня химического потенциала 𝜇,т.е.
содержащих электроны. Отсюда
𝑒2
𝐺= 𝑁
2𝜋ℏ
𝑒2
При N=1 →𝐺 = - квантовая единица проводимости. Значение G
2𝜋ℏ
конечное, а не бесконечное как предполагалось. При прохождении тока в
контактах выделяется тепло GV2 по закону Джоуля-Ленца.
ЭФФЕКТ ААРОНОВА-БОМА
Электронные волны, поступающие из волновода к левому (входному)
контакту, расщепляются на две группы равных по амплитуде волн, огибают
две половинки кольца, встречаются и интерферируют в правой части кольца,
покидая затем его через правый (выводной) контакт. Миниатюрный соленоид,
несущий магнитный поток Ф, размещается внутри кольца так, что его
магнитное полу перпендикулярно плоскости кольца и проходит через
отверстие в нем.

Если длина каждой ветви кольца меньше средней длины свободного

пробега электронов при неупругом рассеянии в материале кольца (т. е. если
имеет место баллистический или квазибаллистический перенос носителей
заряда), то ток в выходном контакте определяется интерференцией
электронных волн. Векторный потенциал А магнитного поля,
перпендикулярного плоскости кольца, направлен по азимуту. Следовательно,
электроны, проходящие по каждой из ветвей кольца, двигаются или
параллельно, или антипараллельно векторному потенциалу. Это приводит к
появлению разности фаз электронных волн, прибывающих к выходному
контакту по различным ветвям кольца. Она определяется как ∆𝜑 =
2п( Ф /Ф0 ), где Ф0 = ℎ/𝑒 - квант магнитного потока; h - постоянная
Планка; е - элементарный заряд.
Коэффициент прохождения электронных волн с одинаковыми
начальными фазами кольцевого интерферометра Ааронова-Бома в
зависимости от индукции внешнего магнитного поля В описывается
выражением Т(В) = cos2 [𝑒Ф/(2ℎ)], где Ф =В*Seff- магнитный поток;
𝑆𝑒𝑓𝑓 = 𝜋𝑑 2 /4 - эффективная площадь; d - диаметр интерферометра, когда
толщина кольца много меньше его диаметра.
ЭФФЕКТ ААРОНОВА-БОМА является квантово-механическим явлением, в
котором на заряженную частицу влияет электромагнитное поле в областях, где
частица не может находиться.
ФОРМАЛИЗМ ЛАНДАУЭРА БУТТИКЕРА
В БЕЗОТРАЖАТЕЛЬНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ:

𝑒2
𝐺= 𝑁
2𝜋ℏ
С УЧЕТОМ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ Т БЛИЗКИМ К 0:
 Входящий поток электронов из контакта 1 в проводник находится по

Такой формализм Ландауэра будет отличаться от безотражательного

вероятностью электрона быть отраженным от границы электрод-проводник.
С УЧЕТОМ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ Т ≠0:
 При Т≠0 появляется тепловая энергия электронов и теперь уровни будут
размываться. Диапазон электронов, которые могут участвовать в
возниковении, тока будет больше. передаточная функция будет
рассчитываться с учетом тепловой энергии. У каждого энергетического
уровня свой коэффициент прохождения, необходимо собирать совокупность
электронов. Вместо M будет средний коэффициент Т ̅ = Т ∗ 𝑀.

2𝑒 2
𝐺= ̅(𝐸𝑓 )
Т
ℏ
ФОРМАЛИЗМ ЛАНДАУЭРА-БУТТИКЕРА:
Формализм рассматривает многотерминальную систему (много вх и вых).

Проводимость в многотерминальном проводнике это прошедшие и

отраженные электрические волны. В каждом канале есть прохождение и
отражение от границ проводник-канал. У каждого канала своя 𝜇 .

ЭФФЕКТ ХОЛЛА
КЛАССИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА:
Классический эффект Холла возникает, когда полоску проводящего
материала помещают в магнитное поле и пропускают через нее электрический
ток. Электроны испытывают воздействие силы Лоренца, которая
перпендикулярна как магнитному полю, так и первоначальному направлению
движения электронов. Под действием этой силы электроны «прижимаются» к
одной из сторон образца (к какой именно - зависит от направления магнитного
поля), что приводит к накоплению на ней заряда. Падение напряжения V,
измеренное при заданном токе I через образец, характеризует сопротивление
материала R = V/ I. Напряжение Vн, индуцированное перпендикулярным
силовым линиям тока магнитным полем, называют напряжением Холла
(Холловское напряжение). Соответствующее сопротивление Холла
(Холловское сопротивление) определяется как Rн=Vн/I. Для классического
эффекта Холла Rн = В/(еn), где В - магнитная индукция; е - заряд электрона; n
- концентрация носителей заряда (электронов и/или дырок) в образце.
Примечательно, что сопротивление Холла не зависит от формы образца. Оно
увеличивается линейно с увеличением напряженности (индукции) магнитного
поля, в то время как продольное сопротивление R должно быть независимым
от магнитного поля при его малых напряженностях. Благодаря этому
классический эффект Холла стал стандартной методикой для определения
типа, концентрации и подвижности свободных носителей заряда в металлах и
полупроводниках.

КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА:

Для наблюдения квантового эффекта Холла необходимо иметь:
1. 2DEG
Например, можно создать его в полевом транзисторе с
индуцированным каналом изолированным затвором

К затвору прикладывается отрицательное напряжение, дырки начинают

к нему притягиваться, но пройти сквозь SiO2 они не могут, уйти от него
мешает электрическое поле. Они могут двигаться в плоскости слоя от
истока к стоку, в этом смысле слой можно назвать двумерным.
 2. Магнитное поле
На заряженные частицы действует сила Лоренца, заставляя их
еВ
вращаться по круговым орбитам с частотой 𝜔с = это приводит к
𝑚∗
появлению у заряженных частиц в магнитном поле уровней энергии –
уровни Ландау.
Энергия i-ого уровня:
1
𝐸𝑖 = (𝑖 + )ℏ𝜔𝑐
2
Полная энергия:
1 ℏ2 𝑘𝑧2
𝐸𝑖 = (𝑖 + 2)ℏ𝜔𝑐 + 2𝑚∗
Наличие магнитного поля приводит к тому, что и по остальным двум
направлениям энергия перестает меняться непрерывно, т.о. в 2DEG в
магнитном поле полная энергия электрона может принимать лишь некоторые
фиксированные значения. Квантовый эффект Холла предполагает наличие
плато в графиках зависимости холловского сопротивления от магнитного
поля в этих областях холловское сопротивление будет определяться:
ℎ
𝑅н = 𝑖𝑒 2 , где i- номер уровня Ландау
Продольное сопротивление обращается в 0.

Было установлено что, сопротивление Холла, на участках, соответствующих

плато напряжения Холла равно Rн = h/(ie2), где h - постоянная Планка, i -
некоторое целое число. Этот эффект называется целочисленным квантовым
эффектом Холла и он не зависит от типа материала. Квант сопротивления
h/e2, определенный с высокой точностью по квантовому эффекту Холла, стал
стандартом сопротивления. Позже обнаружили, что число i может принимать
и дробные значения, такие как 1/3, 2/3, 2/5, 3/5 и так далее. В общем случае i
= p/q, где р и q - целые числа, причем q - нечетные. Это явление получило
название «дробный квантовый эффект Холла»

ОДНОЭЛЕКТРОНИКА
ТУННЕЛИРОВАНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА : ОДНОЭЛЕКТРОННОЕ,
РЕЗОНАНСНОЕ
ОДНОЭЛЕКРОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЧЕРЕЗ ОДИНОЧНЫЙ БАРЬЕР:
В наноэлектронике туннельный эффект чаще всего используют для
прохождения электронов проводимости сквозь тонкий (порядка 1-10 нм)
слой изолятора между двумя проводниками ("туннельный переход")

Пока U не достигнет Uk, ток через

такую структуру не течет

е2
-работа, которую необходимо выполнить для перемещения электрона с
2С
электрода 1 на электрод 2против силы кулоновского притяжения.
𝑒𝑈 −это максимальная работа, которую способен совершить источник
напряжения U.
 е2 е
Если 𝑒𝑈≥ , U≥ , то в этом случае происходит туннелирование
2С 2С
𝑒
𝑈𝑘 = - кулоновский зазор(потенциал, напряжение)
2𝐶

КУЛОНОВСКАЯ БЛОКАДА – это явление отсутствия, в туннельной

наноразмерной структуры в случае, если напряжение источника питания не
достигает определенной величины (Uk) в следствие сил кулоновского
отталкивания.
ТУННЕЛЬНЫЙ ПЕРЕХОД – простейший конденсато, туннелирование
электронов приводит к небольшой перезарядке этого конденстаора,
следовательно, к изменению напряжения на нем. В случае, если S и след. С
малы, перезарядка даже на 1 элементарный заряд приводит к заметному
скачку напряжения. Для наблюдения этого явления необходимо выполнить
НЕСКОЛЬКО УСЛОВИЙ:
- тепловые флуктуации должны быть малы по сравнению с E перехода
е2
≫ 𝑘𝑇 где C полная емкость туннельного перехода
2С
ℏ е2
- квантовые флуктуации с E= должны быть малы по сравнению с след.
𝑅𝑇 𝐶 2С
ℏ
𝑅𝑇 (сопротивление туннельного перехода) ≫ (квант сопротивления)
е2

- Емкость С – полная емкость системы, включая все подводящие провода и

источник тока, что приводит к невозможности наблюдения данного явления
с обычными металлическими проводниками в качестве электродов (решение:
соединить последовательно 2 туннельных перехода)
ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ КОЛЕБНИЯ:
 ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ КОЛЕБАНИЯ В ДВУХБАРЬЕРНОЙ
СТРУКТУРЕ: СИММЕТРИЧНЫЕ, НЕСИММЕТРИЧНЫЕ БАРЬЕРЫ,
КУЛОНОВСКАЯ ЛЕСТНИЦА
График смещен из-за
ТП1 ТП2 наличия остаточного
заряда на островке

В случае
симметричного
барьера

В случае
несимметрич-
ного барьера

Если коэффициенты прохождения туннельных переходов одинаковы, то

барьеры СИММЕТРИЧНЫЕ и наоборот.
КУЛОНОВСКАЯ ЛЕСТНИЦА - вид ВАХ двухбарьерной несимметричной
структуры,в которой 1 барьер более прозрачен, чем 2. Такой вид ВАХ
объясняется:
е2
На островке 1 электрон:
2С
4е2
Хотим добавить еще один:
2С
4е2 е2 3е2 3е
А2−1 =
2С
− 2С = 2С
, U≥ , U≥3𝑈𝑘
2С
Для добавления 3 электрона:
9е2 4е2 5е2 5е
А3−2 =
2С
− 2С = 2С
, U≥ , U≥5𝑈𝑘
2С

Участки плато: в следствие силы кулоновского отталкивания

электроны не туннелируют на наноостровок, пока U не достигнет
значения кратного Uk.
СОТУННЕЛИРОВАНИЕ: УПРУГОЕ И НЕУПРУГОЕ
СОТУННЕЛИРОВАНИЕ – это явление, которое сопутствует явлению
одноэлектронного туннелирования в двухбарьерной структуре, внешнее
отражение находит в увеличении тока ВАХ. Это можно объяснить:
параллельно с туннелированием электроны с истока переходят через
наноостровок в сток. В зависимости от температуры меняется количество
электронов, которые занимают энергетические уровни, соответствующие
свободному движению электронов. Ток будет больше, чем при
одноэлектронном туннелировании.

В случае УПРУГОГО СОТУННЕЛИРОВАНИЯ электрон туннелирует в

определенное энергетическое состояние островка и затем уходит из этого же
состояния, которое в результате остается неизменным.
При НЕУПРУГОМ СОТУННЕЛИРОВАНИИ электрон, вошедший в
островок, занимает одно энергетическое состояние, а покидает островок
электрон с другого уровня.

РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА – это совокупность п/п слоев,
разделенных туннельными барьерами, где хотя бы один из слоев
представляет собой квантовую яму.

Для наблюдения в чистом виде:

 1. Мы постулируем, что прозрачность барьером и сами барьеры
одинаковы.
2. Если к подобной структуре подать напряжение, то основное падение
напряжения происходит именно на барьерах (будут скаты).

РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ – это явление резкого возрастания

электрического тока сквозь туннельный переход, когда энергетические
уровни электронов с обеих сторон от перехода уравниваются.

В начальный момент времени необходимо либо выделить диапазон

электронов, участвующих в образовании тока, либо расширить диапазон
энергий, но развести энергетические уровни.
При дальнейшем понижении уровня 1 электроны уже не могут
туннелировать с сохранением энергии и импульса, поэтому они
задерживаются в колодце. Ток через структуру уменьшается, что приводит к
появлению на вольтамперной характеристике участка с отрицательным
дифференциальным сопротивлением.
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Б,Э,К делают n+ для повышения скорости (нет рекомбинации). Принцип

работы: если подать напряжение между контактами эмиттера и коллектора
должны наблюдать резонансную точку, она создается благодаря
двухбарьерной структуре. С помощью 3-его контакта базы можно менять
высоту резонансной точки. Усилительной функции такой транзистор не
реализует, наз. Транзистор т.к. есть привычные области Э,Б,К.

СПИНТРОНИКА

СПИНТРОНИКА – это область науки и техники, центральное место в

которой занимает активное использование спиновой степени свободы в
твердотельных системах. Изначально предполагалось, что будет необходимо
меньше энергии для перемещения электрона, но это оказалось не так.
Спин определяется как собственный момент количества движения
элементарных частицу, имеющий квантовую природу и несвязанный с
перемещением частиц, как целого. Спин электрона имеет 2 возможные
ориентации: «вверх», «вниз».
Происхождение магнитного момента свободного атома связано с 3 главными
обстоятельствами:
1. Наличие спина, которым обладают все электроны
2. Наличие у всех электронов орбитального момента количества
движения, связанного с их движением вокруг ядра
3. Изменение орбитального момента при наложении внешнего
магнитного поля
Магнетизм: диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетик
Нас интересуют ферромагнетики т.к. на их основе можно реализовать
спин-электронный транспорт.
Кол-во электронов со спином вверх равно
кол-ву электронов со спином вниз, след.
Нельзя реализовать спин-поляризованный
транспорт. В образовании тока будут
участвовать электроны близкие к уровню
Фреми.
В таких материалах состояния электронов с
различными спинами существенно
различаются по энергиям. В образовании
тока НЕ будут участвовать все электроны
(условно) со спином вверх т.к. их энергия
меньше энергии Ферми, след. Реализуется
спин поляризованный транспорт носителей
заряда

Если в приемнике спин будет отличаться от спина источника, то

сопротивление структуры будет максимальным. Если спины совпадают –
минимальным.
СОБСТВЕННАЯ СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ:

Чем меньше температура, тем меньше диапазон энергий для создания потока
электронов. Работа устройства ограничена температурой Кюри, превышая
которую ферромагнетик теряет свойства.
 ГИГАНТСКОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ - относительное изменение электрического
сопротивления материала или структуры в магнитном поле (единицы %).
ГИГАНТСКОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ – это квантово-механический
эффект, наблюдаемый в тонких металлических пленках, состоящие из
чередующихся ферромагнитных и немагнитных проводящих слоев, который
заключается в существенном изменении электрического сопротивления
такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности
соседних магнитных слоев.
Сопротивление пленок по
абсолютному значению очень мало,
поэтому берут много слоев, тонкие
пленки единицы нанометров – чтобы
сохранить спин электрона

Когда намагниченности двух ферромагнетиков направлены противоположно

друг другу (антипараллельны), то выходящие из одного ферромагнетика
спин-поляризованные носители не могут попасть в другой ферромагнетик, не
найдя соответствующих их спину вакантных мест в нем. Они рассеиваются
на границе раздела, вызывая рост сопротивления. Напротив, одинаковое
направление намагниченностей обоих ферромагнетиков гарантирует
одинаковую поляризацию спинов инжектируемых электронов и электронных
состояний в соседнем ферромагнитном слое. Таким образом, рассеяние
носителей на границах раздела сводится к минимуму, что соответствует
самому низкому сопротивлению структуры.
Толщину слоев выбирают, как правило, исходя из требования, чтобы в
каждом слое расстояние, на котором электрон сохраняет определенную
ориентацию своего спина, было намного больше толщины этого слоя. Такое
условие обычно хорошо выполняется при толщине слоя менее 10 нм.
Электрон должен иметь возможность пройти через большое число слоев,
прежде чем ориентация его спина изменится. На всем пути следования
электрона каждая магнитная граница раздела может играть для его спина
роль своеобразного фильтра. Чем больше рассеивающих границ раздела
пересекает электрон, тем сильнее эффект «фильтрования». Это и объясняет
увеличение гигантского магнитосопротивления с ростом числа слоев.
𝑅𝑚𝑎𝑥−𝑅𝑚𝑖𝑛
ГМС= ∗ 100%
𝑅𝑚𝑖𝑛
Намагниченностью ФМ2 управляют с помощью внешнего магнитного поля.
Намагниченность ФМ1 не меняется под его воздействием. ПМ, чтобы не
происходило перемагничивания ферромагнетиков.

ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
Вместо парамагнетика используется диэлектрик. Характер прохождения тока
– туннелирование через диэлектрические прослойки. Если магнитные
моменты ФМ сонаправлены – туннелирование, а если не сонаправлены –
туннелирование будет происходить с меньшей вероятностью, максимальное
сопротивление.
СПИНОВОЙ ВЕНТИЛЬ - Тонкопленочная структура, состоящая из двух
магнитных слоев, обычно рассматривается как спиновый вентиль. Он
конструируется так, чтобы магнитный момент одного из этих слоев был
устойчив к изменению направления внешнего магнитного поля, а магнитный
момент другого слоя при таких же условиях легко изменял свое направление
на противоположное. Этот магнитомягкий слой действует, таким образом,
как клапан, чувствительный к внешнему магнитному полю.

РАСЩЕПЛЕНИЕ СОСТОЯНИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО СПИНАМ

1. РАЗБАВЛЕННЫЕ МАГНИТНЫЕ П/П (РМП)

2. ЭФФЕКТ ЗЕЕМАНА - Расщепление эн уровней под действием

внешнего магнитного поля
.Электрон совершает квантовый скачок с высшей орбиты на низшую
(или, что то же самое, с высшего энергетического уровня на низший),
испуская при этом фотон строго определенной частоты,
соответствующей разности энергий между двумя энергетическими
уровнями. Теперь, если предположить, что электроны с
противоположным магнитным спином, находятся на одной орбитали,
они будут обладать несколько различающимися энергиями, и каждый
энергетический уровень окажется расщеплен на два близких
подуровня. Соответственно, там, где раньше имелась единственная
возможная энергия квантового перехода между двумя уровнями,
теперь имеется четыре возможных энергии перехода.

3. ЭФФЕКТ РАШБЫ – спиновое расщепление электронных

энергетических уровней без воздействия внешнего магнитного поля в
следствии отсутствия инверсной симметрии потенциала
кристаллической решетки.
Эффект проявляется в гетероструктурах, в которых возникают
эффективные электрические поля на границах раздела сред. Эти
внутренние электрические поля за счет спин-орбитального
взаимодействия приводят к расщеплению электронных состояний
вдоль оси волновых векторов. В результате образуются две
дисперсионные поверхности, соединяющиеся в одной дираковской
точке (рис. 1а). В магнитоупорядоченных веществах дисперсионные
поверхности разделяются (рис. 1б), т.е. возникает эффективное
магнитное поле и магнитная анизотропия.
 МЕХАНИЗМЫ СПИНОВОГО РАССЕИВАНИЯ (перенос носителей
заряда с определенным спином, механизмы релаксации)

1. МЕХАНИЗМ БИРА-АРОНОВА-ПИКУСА
В его основе лежат процессы обменного взаимодействия между
электронами и дырками и их рекомбинации, приводящие к
флуктуациям локального магнитного поля и «переключению» спина
электронов. Этот механизм особенно эффективен в полупроводни - ках
р-типа при низких температурах.
2. МЕХАНИЗМ ЭЛЛИОТА-ЯФЕТА
Он является следствием спин-орбитального рассеяния, вызванного
столкновением электронов с фононами или примесями. Этот механизм
играет важную роль при низких и средних температурах (в n
полупроводниках).
3. МЕХАНИЗМ ДЬЯКОНОВА-ПЕРЕЛИ
При высоких температурах, особенно в полупроводниках A3B5,
обычно преобладает третий механизм - механизм Дьяконова-Переля .
Причиной спиновой релаксации в этом случае является спиновое
расщепление зоны проводимости, которое обусловлено спин-
орбитальным взаимодействием, вызванным отсутствием в соединениях
А3B5 инверсной симметрии.
4. СВЕРХТОНКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СПИНОВ ЭЛЕКТРОНОВ СО
СПИНАМИ ЯДЕР (имеет гетероструктуры с квантовым ограничением),
характерно для коллективного изменения спин-электронов в квантовых
колодцах и электронов, локализованных вблизи донорной примеси.
КАКОЙ МАТЕРИАЛ НЕОБХОДИМО ИСПОЛЬЗОВАТЬ, ЧТОБЫ ДОЛГО
СОХРАНЯТЬ СПИН ЭЛЕКТРОНА?
- полупроводник n типа, НЕ А3В5, чистый, широкозонный материал или с
искусственными квантовыми колодцами.
ЭФФЕКТ КОНДО - в металлах, содержащих небольшое количество
магнитных примесей (таких, как Fe, Со, Ni), сопротивление при очень низких
температурах увеличивается, что связано с ненулевым полным спином всех
электронов в образце. Этот эффект получил называние эффекта Кондо. Он
наблюдается не только в металлах с магнитными примесями, но и в
квантовых точках. Температуру Тк при которой начинается рост
сопротивления, называют температурой Кондо.

Атом магнитной примеси в немагнитном металле представлен

квантовым колодцем, который имеет только один энергетический уровень Е0
ниже уровня Ферми в металлической матрице. Этот уровень занят одним
электроном с определенным спином (например, направленным вверх, как это
показано на диаграмме стрелкой). Атом примеси окружен множеством
электронов атомов матрицы, занимающих все состояния с энергиями ниже
уровня Ферми, в то время как состояния с более высокой энергией свободны.
Когда к образцу прикладывается электрическое напряжение, то занятые
электронами уровни по обеим сторонам колодца слегка смещаются.
Добавлению в колодец еще одного электрона препятствует кулоновское
межэлектронное взаимодействие с характерной энергией U. Удаление
электрона от атома примеси требует добавления к системе энергии, по крайней
мере, Е0 (рис. 3.49, а). Однако принцип неопределенности Гейзенберга
позволяет электрону покидать колодец на короткое время порядка h/ Е0.
Поэтому электрон может туннелировать из колодца, занять ближайший
вакантный уровень вне его (рис. 3.49, б), а затем быть замещенным одним из
электронов, окружающих примесь (рис. 3.49, в). Если замещающий электрон
имеет противоположное направление спина, то направление спина примеси в
образце изменяется. В результате в некоторой области образца начальное и
конечное направление спина примеси различаются. При понижении
температуры эти процессы начинают доминировать над затухающими
тепловыми механизмами рассеяния подвижных носителей заряда, что и
проявляется как увеличение электрического сопротивления образца.
ИНЖЕКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ОПРЕДЕЛЕННЫМ СПИНОМ -

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СПИНА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Зонная структура полупроводникового светодиода и схема оптических
переходов в квантовом колодце GaAs при наличии магнитного поля показаны
на рис. 3.47. Эпитаксиальный слой слабо легированного магнитного
полупроводника ZnBeMnSe здесь используется как инжектирующий спины
контакт для светодиода. Диод состоит из квантового колодца GaAs между
барьерными слоями AIGaAs. Во внешнем магнитном поле полностью
поляризованный источник электронов со спином, направленным вниз,
формируется в зоне проводимости ZnBeMnSe. При соответствующем
внешнем смещении эти носители электрически инжектируются через границу
раздела ZnBeMnSe/n-AlGaAs и попадают в квантовый колодец i-GaAs. Там
они испытывают излучательную рекомбинацию с неполяризованными
дырками, поступающими в колодец из барьерной области p-AlGaAs, и
испускают свет с определенной круговой поляризацией.
 СПИНТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
СПИНОВОЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
Спиновой полевой транзистор появился первым в семействе спиновых
транзисторов. Он построен по принципу полевого транзистора, у которого
исток и сток выполнены из ферромагнитного материала и намагничены в
направлении протекания тока в канале. Для управления проводимостью
канала предложено с помощью затвора управлять прецессией спинов
электронов во встроенном поле, связанном с инверсной асимметрией
ограничивающего потенциала в канале, т. е. использовать эффект Рашбы.

В идеальном случае канал транзистора должен быть выполнен в виде

квантового шнура.
Функционирование спинового полевого транзистора, сконструированного с
учетом перечисленных требований, происходит следующим образом. Исток
инжектирует электроны с направлением спина вдоль канала - в направлении
оси z. При отсутствии напряжения на затворе инжектированные электроны без
изменения спина полностью попадают в стоковую область прибора. Подача на
затвор напряжения приводит к появлению электрического поля в направлении
оси у, которое индуцирует спин-орбитальное взаимодействие (эффект Рашбы)
в канале транзистора. Это вызывает появление магнитного поля, взаимно
перпендикулярного одновременно и направлению движения электронов, и
направлению электрического поля, т. е. в направлении оси х. Величина
магнитного поля определяется величиной поданного на затвор напряжения.
Это магнитное поле вызывает прецессию спинов, движущихся к стоку
электронов в плоскости y-z. Скорость прецессии не зависит от скорости
движения электронов. Поэтому, акты рассеяния в канале, приводящие к
изменению скорости движения электронов, не влияют на прецессию спина.
ВРЕМЯ-ПРОЛЕТНЫЙ СПИНОВОЙ ТРАНЗИСТОР
Практическая реализация рассмотренной выше идеи управления углом
прецессии спина электронов в проводящем канале. В нем создается
постоянное магнитное поле в проводящем канале из полупроводникового
материала, а скорость движения электронов управляется внешним
электрическим потенциалом. В этих условиях модуляция скорости движения
электронов контролирует прецессию спинов движущихся в канале
электронов.
Инжектор спин-поляризованных электронов сконструирован в виде
трехслойной туннельной структуры немагнитный
металл/диэлектрик/ферромагнетик. При" приложении напряжения V., между
контактами горячие электроны (электроны с энергией несколько эВ) с
обеими ориентациями спинов инжектируются из немагнитного металла в
намагниченную ферромагнитную базу. Там электроны с неосновным спином
рассеиваются, а с основным, совпадающим с направлением намагниченности
базы спином, проходят через нее и через барьер Шоттки и попадают в
полупроводник. Так происходит фильтрация по спину горячих электронов,
поступающих в полупроводник. На полупроводник наложено внешнее
магнитное поле, совпадающее по направлению с направлением движения
электронов.
ПАМЯТЬ НА ЭФФЕКТЕ ГИГАНТСКОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Элементы памяти, использующие эффект гигантского магнитосопротивления,
объединяют в матрицы, чтобы получить интегральную микросхему,
функционирующую как энергонезависимая память. На их основе созданы
интегральные микросхемы магниторезистивной памяти с произвольной
выборкой. Принцип работы таких элементов иллюстрирует рис. Эти элементы
являются, по существу, спин-вентильными структурами, расположенными в
определенной последовательности и соединенными между собой
проводящими дорожками, которые образуют шины считывания. Шина
считывания имеет сопротивление, равное сумме сопротивлений
составляющих ее элементов. Ток протекает по шине считывания, и усилители
в конце линий обнаруживают изменение общего сопротивления. Информация
в них при отключенном питании может храниться бесконечно долго и
сохраняется даже при радиационных воздействиях, критичных для
работоспособности полупроводниковых интегральных микросхем.