Вы находитесь на странице: 1из 5

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.

net/publication/327084377

An Evaluation of CMOS Inverter Operation Under Cryogenic Conditions

Conference Paper · June 2018


DOI: 10.1109/EDM.2018.8435038

CITATION READS

1 65

3 authors, including:

Anton Cherepanov Vladislav Yu. Vasilyev


Novosibirsk State Technical University Novosibirsk State Technical University
9 PUBLICATIONS   10 CITATIONS    183 PUBLICATIONS   432 CITATIONS   

SEE PROFILE SEE PROFILE

Some of the authors of this publication are also working on these related projects:

Silicon resonant pressure sensor (Russia, Project Manager) View project

Patent View project

All content following this page was uploaded by Vladislav Yu. Vasilyev on 16 October 2018.

The user has requested enhancement of the downloaded file.


Оценка Работы КМОП Инвертора в
Криогенных Условиях
Антон А. Черепанов1,2, Илья Л. Новиков2, Владислав Ю. Васильев1,2
1
ООО «СибИС», Новосибирск, Россия
2
Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск, Россия

Аннотация – Данная работа посвящена исследованию работы криогенных температурах (77 и 48 K) с целью оценки его
КМОП при криогенных условияхs. Изготовленный логический работоспособности при условиях экстремально низких
инвертор по технологическому процессу 250 нм BCD был температур. Тестовая структура инвертора была изготовлена
исследован при температурах 300, 77 и 48 K. Переходная и по полупроводниковому процессу 250 нм BCD (BIPOLAR-
выходная статическая характеристики КМОП инвертора и
CMOS-DMOS or double-diffused MOS) [6].
характеристики его транзисторов были получены и
проанализированы.
Ключевые слова – КМОП, СБИС, криогенная электроника
II. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТА
Некоторый опыт и детали разработки и верификации ИС по
I. ВВЕДЕНИЕ И ОПРРЕДЕЛЕНИЕ ПРОБЛЕМЫ тех. прроцессу BCD были описаны в [7,8]. Там же

К РИОГЕННАЯ электроника сегодня одна из быстро


развивающихся направлений в связи с новыми
квантовыми электронными приборами. Квантовые системы,
представлено несколько фотографий изготовленных
микросхем. Преимуществом этой BCD технологии является
то, что она предоставляет набор устройств и опций
основанные на Джозефсоновских переходах, такие как необходимых для силовых ИС. Набор тестовых структур был
СКВИД или сверхпроводящие кубиты требуют надежной и разработан и встроен в эти микросхемы со своими
точной электроники для правильного функционирования. [1, собственными контактными площадками. Это позволило
2]. Ключевой момент заключается в том, что эти электронные получить характеристики тестовых структур с помощью
системы должны выдерживать экстремально низкие зондовой станции и разварить ИС в стандартные корпуса для
температуры < 1 K. Однако, расширенные стандарты печатных плат.
микроэлектроники гарантируют работоспособность Логический КМОП инвертор состоит из низкопороговых
устройств в температурном диапазоне от -50C до 125C. в транзисторов. На Рис. 1(a,b) представлена схема и топология.
настоящее время существует множество микроэлектронных Низкопороговые устройства могут работать при малых
технологий: от классического КМОП (Комплементарный напряжениях питания, что очень важно в криогенных
Металл-Оксид-полупроводник) до более необычных HEMT системах. Ширина (100 m для pМОП и 50 m для nМОП) и
(Транзисторы с высокой подвижностью электронов), SiGe длина (1.2 m) каналов транзисторов достаточно велики
(Кремний-германий) технологий и т.д. Все эти технологии чтобы пренебречь субмикронными эффектами и эффектами
реализованы на мировых полупроводниковых фабриках. Они короткого канала. Напряжение питания (Vdd) составляет 5 В.
позволяют получить интегральные схемы (ИС), работающие
в указанном выше температурном диапазоне в соответствии
с набором технической документации (PDK)
предоставленной фабриками для каждой технологии.
Ранее [3] мы проанализировали некоторые особенности
КМОП, биполярной кремниевой технологии, HEMT и
гетероструктурного SiGe для криогенных применений. Мы
пришли к выводу, что широко распространённый КМОП тех.
процесс не демонстрирует каких-либо преимуществ при
глубокой заморозке. Однако, сравнительно низкая цена этой (а) (b)
технологии заставляет ученых всего мира исследовать
область криогенного КМОП [4,5]. Для того чтобы Fig. 1. Schematic (a) and (b) layout of CMOS inverter.
разработать ИС, работающие при криогенных условиях,
необходимо для начала исследовать характеристики Эксперимент проводился в несколько этапов:
активных приборов (транзисторов), изготовленных по - измерения при комнатной температуре 300 K;
полупроводниковым технологиям. - измерения при температуре жидкого азота 77 K;
Целью данной работы является исследование логического - измерения в криостате при 48 K;
КМОП инвертора (как базового логического вентиля) при - измерения при комнатной температуре 300 K.
Основные характеристики КМОП инвертора это его два раза, а экстремум немного сдвинулся в сторону бОльших
переходная (Vout от Vin) и статическая выходная (Itot от. Vin) напряжений.
характеристики. При 48 K статические характеристики После измерений при жидком азоте, измерения
транзисторов в составе инвертора были также исследованы. повторились при комнатной температуре, чтобы убедиться в
Набор стандартного измерительного оборудования был том, что устройство сохранило свою работоспособность.
использован для исследований: двухканальный Полученные результаты повторились, как и при комнатной
лабораторный источник питания, мультиметр. Криостат температуре.
использовался для измерений при 48 K [9]. При 77 K, Затем, образцы КМОП инвертора были помещены в
экспериментальные образцы окунались в жидкий азот. криостат для криогенных измерений при температуре 48 K.
Переходная характеристика и зависимость тока потребления
представлены на Рис 4 и Рис. 5 соответственно.
III. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ Основной особенностью зависимости тока потребления
Первый этап измерений – исследование переходной (Рис. 2) является небольшое увеличение тока потребления и, что
характеристики и зависимости тока потребления от входного наиболее интересно, ненулевой ток при нулевом входном
напряжения (Рис3) КМОП инвертора при комнатной напряжении. Это может означать, что pМОП транзистор
температуре (300 K). немного вышел из строя.
Характеристики при комнатной температуре полностью
соответствуют с компьютерными моделями полученными от
фабрики.

Fig. 4. Transfer characteristics of CMOS inverter (Vout vs. Vin) at 48 K.

Fig. 2. Transfer characteristics of CMOS inverter (Vout vs. Vin) at room and
liquid nitrogen temperatures.

Fig. 5. Dependence of consumption current of CMOS invertor from


input voltage at 48 K.

Чтобы понять причину такого поведения КМОП инвертора


при температуре 48 K, исходная схема (Fig. 1) эксперимента
была изменена: Vdd вывод был подключен на землю, к
Fig. 3. Dependence of consumption current of CMOS invertor from входному и выходному выводам инвертора были
input voltage at room and liquid nitrogen temperatures.
подключены к каналам лабораторного источника питания.
Так как, составные транзисторы работают при
Далее, эти зависимости были получены при температуре
противоположных полярностях напряжений, возможно
жидкого азота (77 K). Переходная характеристика (Fig. 1)
получить входные и выходные статические характеристики
КМОП инвертора стала более резкой. Это означает
pМОП и nМОП транзисторов по средством свипирования
увеличение пороговых напряжений транзисторов в составе
напряжений затвор-исток и сток-исток sweeping при
инвертора. Зависимость тока потребления (Fig. 2) возрасла в
различных значениях параметров напряжений.
Рис. 6 и Рис. 7 показывают входные и выходные IV. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
статические характеристики составных nМОП (a) и pМОП (b)
транзисторов. Экстремально низкие температуры имеют значительное
В обоих случаях (nМОП и pМОП транзисторы), общим влияние на работу полупроводниковых приборов, включая
являются значительное увеличение подпороговых токов с МОП транзисторы.
ростом напряжения сток-исток, увеличение пороговых Как мы показали выше, температура жидкого азота (77 K)
напряжений при 48 K, уменьшения напряжения пробоя, не приводит к проблемам работоспособности КМОП
малая область насыщения. инвертора. Однако, рабочие токи возросли почти в два раза.
В то время как характеристики n-канального МОП Также наблюдалось увеличение пороговых напряжений.
транзистора выглядят вполне пристойно, характеристики p- Эти явления могут быть описаны небольшим
канального МОП транзистора слабо похожи на вымораживанием примеси в каналах транзисторов и
характеристики транзистора в принципе. возрастанием подвижности носителей заряда, и как следствие
Основным отличием pМОП входной характеристики от уменьшение сопротивления каналов, в связи с уменьшением
nМОП является очень слабая способность затвора рассеяния на кристаллической решетке.
контролировать канал. Лишь небольшое напряжение сток- Более интересные эффекты обнаружены при 48 K. Во-
исток вызывает значительный ток через канал, несмотря на первых, значительное увеличение подпороговых токов может
напряжение затвор-исток. быть объяснено горячими носителями заряда и ударной
Слабая способность контролировать затвором канал ионизацией, что приводит к увеличению затворного и токов
проявляется на выходных характеристиках pМОП в подложку.
транзистора. Случай нулевого напряжения затвор-исток Второй момент заключается в том, что поведение nМОП и
показывает экспоненциальную зависимость канального тока pМОП сильно различаются: пагубные эффекты низких
от тянущего напряжения. При случаях высоких напряжений температур на pМОП более заметны. Напряжение затвора
затвор-исток выходные характеристики вырождаются в неспособно контролировать ток канала при высоких
линейную (омическую) зависимость. напряжениях тянущего поля. Этот факт может быть объяснен
двойной площадью прибора pМОП (100µ×1.2µ) транзистора
для инвертора в сравнение с nМОП транзистором (50µ×1.2µ).
Таким образом, Вероятность инжекции горячих носителей
заряда и ударной ионизации выше.

(а)

(а)

(b)
Fig 6. Input static characteristics of
component nMOS (a) and pMOS (b) transistors at 48K temperature.

После нагрева криостата до комнатной температуры (b)


Fig 7. Output static characteristics of
измерения были повторены. Однако, характеристики component nMOS (a) and pMOS (b) transistors at 48K temperature.
сохранили свою форму (но не абсолютные значения токов и
напряжений) которые они имели при 48K. Наконец, третий момент, заключается в сохранение формы
выходных и входных статических характеристик после
нагрева до комнатной температуры. Это явление другое
доказательство наличия горячих носителей при 48 К, которое Anton A. Cherepanov was born in Novosibirsk
in 1990. He received M.S. degree in micro-and
приводит к вырождению МОП структуры.
nanoelectronics from Novosibirsk State
Technical University (NSTU), Novosibirsk,
Russia, in 2015.
IV. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Currently he is PhD student in NSTU. Since
2014 he is working as R&D engineer in SibIS
Возрастающий интерес к сфере криогенной электроники LLC (Novosibirsk, Russia). Main research
(космическая сфера и область квантовой электроник) двигает interests are integrated circuits design
исследователей к поиску новых подходов в технологии, (simulation, schematic, layout), radio frequency
схемотехники и топологии. Наиболее распространенная and microwave electronics, cryogenic
electronics
КМОП технология недостаточно хороша для этих e-mail: cherepanov@sib-is.ru
применений. Однако, множество коммерческих Ilya L. Novikov was born in 1969 in
технологических процессов основаны на КМОП (включая Novosibirsk (Russia). He graduated the
«криогенные технологии», такие как «Кремний-Германий», Physical-Technical Faculty of the Novosibirsk
State Technical University at 1993 on speciality
например) и этот факт движет исследованиями ограничений „physical electronics (microelectronics)“. He
КОМП технологии для низких температур. received his Ph. D. in technical science
В этой работе представлены результаты оценки (kandidat technicheskih nauk) in the
работоспособности КМОП инвертора при криогенных Novosibirsk State Technical University at 1999.
During 1996-2015 he worked at the Department
условиях Тестовая структура инвертора была получена по of Semiconductor Devices and Microelectronics
тех. процессу 250 нм BCD (BIPOLAR-CMOS-DMOS or of the Novosibirsk State Technical University.
double-diffused MOS). In 2016 he joined the laboratory of quantum
Эффекты криогенных температур были обнаружены при cryogenic electronics. Since 1993 he is working
in the field of superconductivity and low-
77K и 48 K. Мы пришли к выводу, что инжекция горячих temperature physics.
носителей заряда и ударная ионизация ведет к значительному e-mail: ilya_novikov@mail.ru
вырождению устройства при 48 К. При температуре жидкого
азота (77 K) КМОП транзисторы сохраняют свою
Vladislav Yu. Vasilyev (Vassiliev) received his
работоспособность. M.S. in chemistry from Novosibirsk State
Дальнейшие наши исследования будут связаны с SiGe University (Russia), and his Ph.D. in physical
технологией. chemistry and D.Sc. in solid-state chemistry
from Russian Academy of Sciences in 1990 and
2002, respectively. Currently he is Deputy
Director of SibIS LLC and a professor at
REFERENCES Novosibirsk State Technical University
[1] Sebastiano F., Homulle H. A.R, van Dijk J. P.G. Cryogenic CMOS (Russia).
interfaces for quantum devices // 7th IEEE International Workshop on e-mail: vasiliev@sib-is.ru
Advances in Sensors and Interfaces (IWASI), 2017, pp.
[2] Patra B., Incandela R. M., van Dijk J. P. G. Cryo-CMOS Circuits and
Systems for Quantum Computing Applications // IEEE Journal of Solid-
State Circuits, Vol. 53, 2018, pp. 309-321.
[3] Cherepanov A.A., Vasilyev V.Yu. Integrated Low Noise Amplifiers for
Cryogenic Applications // Proc. 2017 18th International Conference of
Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices
EDM, 2017, pp.142-146.
[4] Beckers A., Jazaeri F., Ruffino A., Cryogenic characterization of 28 nm
bulk CMOS technology for quantum computing // 47th European Solid-
State Device Research Conference, 2017.
[5] Song L., Homulle H., Charbon E., Sebastiano F., Characterization of
bipolar transistors for cryogenic temperature sensors in standard CMOS
// IEEE SENSORS conf., 2016
[6] TSMC web page, section “Power IC” (web page) URL:
http://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/power_ic.htm
[7] Antonov A.A., Karpovich M.S., Pichugin I.V., et al.: “Multi-
Functional Control Integrated Circuits in 250 nm BCD Technology for
High-Efficiency Power Converters”. Proc. 2016 17th International
Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and
Electron Devices EDM, 2016, pp.411-416.
[8] Antonov A. A., Karpovich M.S., Pichugin I.V., et al.: “In silicon”
verification of Multi-Functional Control Integrated Circuits in 250nm
BCD Technology for High-Efficiency Power Converters’. Proc.of XIII
International APEIE Conference, 2016, pp.83-87
[9] Novikov I.L, Ivanov B.I, Krivetskiy A., Experimenatal study of noise
parameters in a microwave measurement system for flux qubit readout
// Доклады Академии Наук Высшей Школы Российской
Федерации, Vol. 26, 2015, pp. 52 -65.

View publication stats