Вы находитесь на странице: 1из 3

Компоненты и технологии, № 2’2005 Компоненты

Устойчивость MOSFETтранзистора
к импульсам тока в индуктивной нагрузке

В настоящее время для коммутации индуктивных нагрузок (двигатели, источники питания)


часто используются мощные MOSFETтранзисторы. При этом способность прибора
выдерживать всплески тока при размыкании нагрузки является одной из наиболее важных
его характеристик. В статье рассмотрена физика процесса возникновения всплеска тока
при однократной и периодической коммутации, даны практические советы по расчету
безопасных режимов работы MOSFETтранзисторов на индуктивную нагрузку. Статья
основана на Application note #10273_1 Philips Semiconductors.

Александр Борисов Физика возникновения


одиночного всплеска тока в цепи
boralex@gamma.spb.ru с индуктивной нагрузкой

Процесс возникновения всплеска тока в коммути-


руемой цепи с индуктивной, не закороченной на ди-
од нагрузкой хорошо исследован и описан в литера-
туре [1–3]. Для расчета или проведения эксперимен-
та может быть использована переключающая схема,
изображенная на рис. 1.

Рис. 1. Тестовая схема для оценки устойчивости MOSFET


транзистора к всплескам тока в индуктивной нагрузке

Положительный импульс напряжения, приложен-


ный к затвору транзистора (рис. 2a) открывает его, Рис. 2. Диаграммы токов и напряжений в цепи MOSFET
однако вследствие реактивного характера нагрузки транзистора при работе на индуктивную нагрузку —
ток в канале транзистора будет нарастать по линей- одиночное переключение (a — напряжение на затворе
ному закону. Скорость нарастания будет зависеть транзистора VGS, b — напряжение сток — исток VDS,
от численного значения индуктивности нагрузки L c — ток в канале транзистора ID, d — мощность,
и напряжения на стоке транзистора VS (рис. 2b, 2c). рассеиваемая на канале P, e — температура канала Tj)
После окончания импульса на затворе транзистор
закроется, однако вследствие реактивного характера Пиковый ток в канале транзистора до момента сня-
нагрузки ток через канал не может прекратиться мгно- тия напряжения с затвора обозначим IAS (рис. 2с).
венно. Падение напряжения на канале транзистора Скорость спада тока в канале зависит от величины
зафиксируется на уровне напряжения пробоя VBR индуктивности нагрузки и определяется следующим
до тех пор, пока ток в канале не снизится до 0 (рис. 2b). образом:
Напряжение пробоя находится по формуле:
(2)
(1)

40 www.finestreet.ru
Компоненты и технологии, № 2’2005 Компоненты
Мгновенную мощность, рассеиваемую
на канале (рис. 2в), можно найти как произве-
дение мгновенного значения тока в канале
на мгновенное значение напряжения сток —
исток. Максимальное значение рассеиваемой
мощности PAV(pk) будет наблюдаться в момент
снятия напряжения с затвора транзистора.
Энергия, отдаваемая индуктивной нагрузкой, бу-
дет численно равна площади фигуры, ограни-
ченной графиком рассеиваемой на канале мощ-
ности PAV, и может быть найдена по формуле:

(3.1)
или

(3.2)

Важный параметр, который необходимо


учитывать при расчете ключевых схем — уве-
личение температуры канала транзистора, ко- Рис. 3. Область безопасной работы MOSFETтранзистора BUK764R055B при работе на индуктивную нагрузку.
торая начинает возрастать в начальный мо- Температура канала ограничена значением 175 °C
мент нарастания тока в канале. Мгновенное
увеличение температуры канала определяет- В докладе [2] детально описана методика оп- сматривать так же, как и одиночные. Однако
ся следующим уравнением: ределения устойчивости транзистора к оди- до недавнего времени большинство произво-
ночным всплескам тока в цепи с реактивной дителей полупроводниковых приборов не да-
составляющей. Область безопасной работы вало рекомендаций по выбору режима рабо-
(4) может быть определена как функция макси- ты мощных MOSFET-транзисторов на индук-
мального тока через канал IAS от длительнос- тивную нагрузку в условиях многократных
где Zth — тепловой импеданс канала. Макси- ти события tAV. Максимальное значение тока переключений.
мальное увеличение температуры канала через канал IAS определено таким образом, что Так как всплеск тока в индуктивности
Tjrise(max) приблизительно может быть опреде- температура канала в течение времени t AV в любом случае является отрицательным
лено как: не превысит 175 °C. Используя формулу (6), фактором, длительная работа транзистора
можно представить область безопасной рабо- в условиях многократных переключений
ты графически (рис. 3). может привести к деградации кристалла, да-
(5) На рис. 3 показаны области безопасной рабо- же если величина всплесков лежит в облас-
ты на индуктивную нагрузку (одиночные вспле- ти безопасной работы для одиночного пе-
При этом делается предположение, что тем- ски тока) транзистора BUK764R0-55B. Кривая реключения (рис. 3). В описанном случае не-
пература канала достигнет максимального зна- Tj = 25 °C определяет область безопасной рабо- обходимо учитывать ряд дополнительных
чения в момент времени tAV/2, где tAV — дли- ты при начальном значении температуры кана- факторов, таких, как частота, скважность
тельность переходного процесса, обусловлен- ла 25 °C. Максимально возможное увеличение переключений и тепловое сопротивление
ного реактивностью нагрузки (рис. 2). температуры канала вследствие поглощения Rth прибора в режиме периодических пере-
Zth(tAV/2) — тепловой импеданс канала в момент энергии, отдаваемой индуктивностью, состав- ключений.
времени tAV/2. ляет 150 °C, таким образом, результирующая Для примера будем использовать переклю-
Максимальная температура канала может температура канала не превышает 175 °C. чающий каскад, показанный на рис. 1. В слу-
быть найдена из уравнения: Кривая Tj = 150 °C определяет область безо- чае многократных переключений на затвор
пасной работы при начальном значении тем- транзистора будут подаваться положительные
(6) пературы канала 150 °C. Максимально возмож- импульсы с частотой f и скважностью, как по-
ное увеличение температуры канала составля- казано на рис. 4а.
где Tj — температура канала до момента сня- ет 25 °C, результирующая температура канала Диаграммы напряжений и токов в цепи (на-
тия напряжения с затвора. не превышает 175 °C. пряжение пробоя VBR, ток канала ID) будут ана-
Области, находящиеся на графике ниже кри- логичны соответствующим диаграммам для
вых, являются областями безопасной работы режима одиночного переключения, за исклю-
Устойчивость транзистора
(SOA) транзистора при соответствующей на- чением того, что максимальный ток через ка-
к одиночным всплескам тока
чальной температуре канала. нал (в момент снятия напряжения с затвора)
в индуктивной нагрузке
Температура канала, при которой происхо- обозначен IAR (рис. 4b).
Причина отказа ключевого MOSFET-тран- дит его необратимое разрушение, составляет Значение мощности, рассеиваемой на кана-
зистора при работе на индуктивную нагрузку приблизительно 380 °C, что значительно ле при периодическом переключении PAV(R),
состоит в превышении максимально допусти- меньше Tj(max) = 175 °C. Однако длительная можно получить, усредняя мощность, рассе-
мой для канала температуры и, соответствен- работа транзистора с температурой канала, иваемую при однократном переключении
но, приводит к невосстановимому разруше- близкой к Tj(max), не рекомендуется, так как (рис. 4c). Для начала необходимо рассчитать
нию транзистора. Если температура канала это может вызвать медленные изменения энергию, отдаваемую индуктивностью в слу-
в случае рассеивания энергии, отдаваемой ин- структуры прибора. чае однократного переключения [3], тогда:
дуктивностью (рис. 2e), превысит рекоменду-
емое значение, прибор может быть повреж- (7)
Повторяющиеся всплески тока в цепи
ден. Обычно в документации на транзистор
с индуктивной нагрузкой
рекомендованная температура канала указы- Изменение температуры канала в случае пе-
вается ниже максимальной, что позволяет уве- Процесс повторяющихся всплесков тока риодических переключений индуктивной на-
личить надежность конечного изделия. в цепи с индуктивной нагрузкой можно рас- грузки показано на рис. 4d. Температура T0

www.finestreet.ru 41
Компоненты и технологии, № 2’2005 Компоненты

Рис. 4. Диаграммы токов и напряжений в цепи


MOSFETтранзистора при работе на индуктивную
нагрузку — многократные переключения Рис. 5. Область безопасной работы MOSFETтранзистора BUK764R055B при работе на индуктивную нагрузку.
(a — напряжение на затворе транзистора VGS, Температура канала ограничена значением Tj(max) = 175 °C в режиме однократного переключения и Tj(avg) = 170 °C
b — напряжение сток — исток VDS и ток в канале ID, в режиме многократного переключения
c — мощность, рассеиваемая на канале P,
d — температура канала Tj) Итак, для безопасной работы MOSFET-тран- Согласно графику на рис. 5 определим об-
зистора на индуктивную нагрузку в режиме ласть безопасной работы транзистора, вос-
включает в себя температуру подложки тран- периодического переключения необходимо пользовавшись кривой Rep. Ava.
зистора Tmb и увеличение температуры пере- выполнять следующие условия: Таким образом, условие 1 выполняется —
хода во время нагружения транзистора Tcond: 1. Ток канала IAR не должен превышать мак- ток канала не превышает допустимый.
симально допустимый, указанный на диа- 2. По формуле (3.1) рассчитаем энергию, от-
(8) грамме области безопасной работы. даваемую нагрузкой при одиночном пере-
2. Установившаяся температура перехода Tj(avg) ключении: EAS = 9 мДж.
∆Tj (рис. 4d) — установившаяся температу- не должна превышать 170 °C. 3. По формуле (7) рассчитаем усреднен-
ра перехода, связанная с рассеиванием мощ- ную мощность, выделяемую на канале:
ности индуктивного всплеска: P AV(R) = 27 Вт.
Пример расчета устойчивости
4. По формуле (9) рассчитаем усредненное уве-
MOSFETтранзистора к импульсу тока
, (9) личение температуры канала вследствие
в индуктивной нагрузке в режиме
всплесков тока: ∆Tj = 135 °C.
однократного переключения
где Rth(j–amb) — тепловое сопротивление пере- 5. По формуле (9) определим температуру ка-
ход — среда. Сумма уравнений (8) и (9) даст Прибор: Philips BUK764R0-55B, индуктив- нала в режиме многократного переключе-
усредненную температуру перехода MOSFET- ность нагрузки: L = 2 мГн, максимальный ток ния индуктивной нагрузки: Tj(avg) = 235 °C.
транзистора в режиме периодических пере- в канале: IAS = 40 А, тепловое сопротивление Условие 2 не выполняется, так как темпера-
ключений индуктивной нагрузки: переход — среда: Rth(j–amb) = 5 K/Вт. тура канала в режиме коммутации превыша-
1. Длительность переходного процесса t AV ет допустимую Tj(avg) = 170 °C.
(10) определим по формуле (2), tAV = 1,11 мс. Решение: для обеспечения безопасной ра-
Согласно графику на рис. 5 определим об- боты транзистора BUK764R0-55B в режиме пе-
ласть безопасной работы транзистора. риодических переключений необходимо по-
2. Для проверки найдем максимально возмож- низить температуру перехода до Tj(avg) = 170 °C.
Устойчивость транзистора
ное увеличение температуры канала Tjrise(max), Данное требование можно обеспечить приме-
к периодическим всплескам тока
используя формулу (5) (согласно докумен- нением теплоотвода, который понизит тепло-
в индуктивной нагрузке
тации Zth(556мкс) = 0,065 K/Вт). Получим вое сопротивление переход — среда. Если
После детального изучения физики про- Tjrise(max) = 124,8 °C. Rth(j–amb) = 2,5 K/Вт, температура перехода бу-
цесса периодических переключений индук- Согласно полученным результатам темпе- дет равна Tj(avg) = 167,5 °C, таким образом, ус-
тивной нагрузки понятно, что температура ратура канала Tj в рабочем режиме не должна ловие 2 будет выполнено.
перехода не является единственным деструк- превышать 50 °C.
тивным фактором. Однако, одновременно ог-
Литература
раничивая температуру перехода и ток IAR,
Пример расчета устойчивости
можно определить область безопасной рабо- 1. D. L. Blackburn. Turn-off Failure of Power
транзистора к периодическим
ты таким образом, что названные факторы MOSFETs // Proc. 1985 IEEE Power Electronics
всплескам тока в индуктивной нагрузке
не приведут к деградации кристалла в режи- Specialists Conference. June 1985.
ме многократного переключения индуктив- Прибор: Philips BUK764R0-55B, индуктив- 2. D. L. Blackburn. Power MOSFET Failure
ной нагрузки. ность нагрузки: L = 0,5 мГн, максимальный Revisited // Proc. 1988 IEEE Power Electronics
На рис. 5 изображены области безопасной ра- ток в канале: IAR = 6 А, частота переключений: Specialists Conference. April 1988.
боты для MOSFET-транзистора BUK764R0-55B f = 3 кГц, тепловое сопротивление переход — 3. Rodney R. Stoltenburg. Boundary of Power
в режиме одиночного переключения (кри- среда: Rth(j–amb) = 5 °K/Вт, температура перехо- MOSFET, Unclamped Inductive-Switching
вые Tj(max) = 25 °C и Tj(max) = 150 °C) и в ре- да в рабочем режиме: T0 = 100 °C. (UIS) Avalanche-Current Capability // Proc.
жиме периодического переключения (кри- 1. Длительность переходного процесса t AV 1989 Applied Power Electronics Conference.
вая Rep. Ava). определим по формуле (2): tAV ≈ 0,042 мс. March 1989.

42 www.finestreet.ru