Вы находитесь на странице: 1из 220

Конструирование

и технология
микросхем

учебное пособие
для вузов
Конструирование
и технология
микросхем
Курсовое проектирование

Под редакцией д-ра техн. наук,


проф. J1. А. К оледова

Допущ ено Министерством высшего и среднего


специального образования СССР
в качестве учебного пособия
дл я студентов вузов, обучающ ихся по специальностям
«Конструирование и производство радиоаппаратуры »
и «Конструирование и производство
электронно-вычислительной аппаратуры»

М осква «Высшая школа» 1984


ББК 32.844
К 65
УД К 621.38

Л . А. Коледов, В. А. Волков, Н. И. Д окучаев,


Э. М. И льина, Н. И. П атрик

Рецензенты:
кафедра «Технология производства радиоэлектронной аппаратуры»
Московского авиационного института (зав. кафедрой —
проф. Б. Ф. Высоцкий); проф. М. Ф. Пономарев (Таганрогский
радиотехнический институт)

Конструирование и технология микросхем. Курсовое


К65 проектирование: Учеб. пособие д л я вузов по спец. «К он­
струирование и производство рад и о ап парату ры » и «К он­
струирование и производство электронно-вы числитель­
ной ап п аратуры » /К о л е д о в JI. А., Волков В. А., Д о к у ч а ­
ев Н. И. и др.; П од ред. JI. А. Коледова. — М ’: Высш. шк.,
1984. 231 с., ил.
В пер.: 70 к.
В книге приведены данны е об элем ен тах и компонентах, материалах и
технологии производства, конструктивно-технологических ограничениях и пра­
вилах разработки топологии интегральных микросхем; рассмотрены методы
обеспечения их н адеж ности, влагостойкости, тепловых реж им ов и др.

Б Б К 32.844
6Ф0.3

© И здательство «Высшая школа», 1984


ПРЕДИСЛОВИЕ

В соответствии с Основными н аправлениям и экономического и


социального разви тия С С С Р на 1981 — 1985 годы и на период до
1990 года на одиннадцатую пятилетку и последующие годы наме­
чено сохранить высокие темпы развития микроэлектроники, как наи­
более прогрессивного направления электронной техники, которое
б у д е т 'Принимать на себя решение новых, все более сложных и р а з ­
нообразных задач. Успехи микроэлектроники оказы ваю т револю ци­
онизирующее воздействие на многие отрасли народного хозяйства:
приборостроение, радиоаппаратостроение, машиностроение, авто­
мобильный и ж елезнодорож ны й транспорт и др. Расш ирение о б л а ­
стей поименения микроэлектроники, ее использование в производ­
ственных процессах, в сфере бытового о бслуж ивания потребует но­
вых р азр а б о т о к элементной базы микроэлектронной ап п аратуры
различного назначения. В этих условиях важнейшей задачей я в л я ­
ется всемерное повышение качества подготовки специалистов в об­
ласти микроэлектроники.
Д а н н а я книга предназначена д ля студентов специальностей
«К онструирование и производство радиоаппаратуры », «Конструи­
рование и производство электронно-вычислительной аппаратуры ».
Она будет полезна та к ж е студентам смежных специальностей э л е ­
ктронной и вычислительной техники, приборостроения и ав том ати ­
ки при изучении курсов по основам микроэлектроники.
Пособие содержит данные, необходимые д ля самостоятельного
выполнения студентам и курсового проекта по разр а б о тк е топологии
и конструкции одного из типов интегральны х микросхем: полупро­
водниковых (на биполярных или полевых транзисторах) и гибрид­
ных (по тонкопленочной или толстопленочной технологии).
Д л я каж дого типа И М С в пособии имеются сведения о техно­
логических процессах, технологических ограничениях (возм ож но­
стя х), свойствах и характер и сти ках используемых материалов, по­
следовательности действия при р азра б отк е конструкции И М С и ме­
тодах расчетов. Кроме того, оно снабжено методическими у к а за н и ­
ями о том, как использовать имеющиеся сведения, чтобы получить
окончательный результат и проверить правильность разработк и.
Ввиду ограниченности времени, отводимого на курсовое проек­
тирование (40— 60 ч самостоятельной внеаудиторной раб оты ), и
сложности разработки пособие рассчитано на то, что проектируе­
мыми объектами будут в основном микросхемы второй степени
интеграции. Но принципы р азработк и конструкций ИМ С более вы ­
соких степеней интеграции остаются теми же. М еняется лиш ь о бъ­
ем вычислительных операций и появляется необходимость в исполь­
3
зовании машинных средств д л я поиска оптимальных вариантов
конструкции.
Д л я экономии времени при выполнении курсового проекта и
привития навыков работы с вычислительной техникой в учебном
пособии приводятся алгоритмы и программы .расчетов некоторых
элементов И М С на ЭВМ, а т а к ж е сведения о возмож ностях сущ е­
ствующей специализированной системы автоматизированного про-,
ектирования ИМ С.
Пособие состоит из трех частей. П е р в а я часть посвящена техно­
логии и конструированию полупроводниковых интегральных м и к ­
росхем на биполярных и униполярных тр анзисторах. Во второй ча­
сти р ассм атриваю тся вопросы конструирования гибридных пленоч­
ных интегральных микросхем с использованием технологии тонких
и толстых пленок. М атериал по технологии производства полупро­
водниковых и гибридных И М С приводится лишь в объеме, требуе­
мом д ля понимания и обоснования технологических ограничений
при конструировании. В третьей части представлен материал, отно­
сящийся к оформлению конструкций полупроводниковых и гибрид­
ных микросхем, конструктивному обеспечению требований к инте­
гральны м микросхемам, оговоренных в технических условиях. О со­
бое внимание уделено расчетам и обеспечению теплового реж им а,
защ иты от климатических воздействий. Рассм атри ваю тся вопросы
оформления технической документации на ИМ С, приводятся при­
меры ее оформления.
В основу пособия положен многолетний опыт проведения курсо­
вого проектирования И М С на каф ед ре микроэлектроники Москов-
ского института электронной техники.
П редисловие и введение написаны Л. А. Коледовым, глава 1—
Л. А. Коледовым и Н. И. Патриком, гл ав а 2 — Н. И. Д окучаевы м,
главы 3 и 4 — Л . А. Коледовым и Э. М. Ильиной, гл ав а 5 — Л . А.
К оледовым и В. А. Волковым, гл ав а 6 — Э. М. Ильиной, П р и л о ж е ­
н и я — Л. А. Коледовым, Э. М. Ильиной, Н. И. Патриком.
Авторы в ы р а ж аю т искреннюю благодарность профессорам
Б. Ф. В ы со ц к о м у , А. И. Коробову, М. Ф. П ономареву за ценные з а ­
мечания и советы, высказанны е ими при рецензировании рукописи
пособия и способствовавшие улучшению его содерж ания. Они п ри ­
знательны председателю Научно-методического совета по техноло­
гии, конструированию и производству радио- и электронно-вычис-
лительной аппаратуры проф. В. Б. П естрякову за постоянное внима­
ние к изданию книги. Авторы б лаго д а р ят так ж е коллектив препо­
давател ей и сотрудников каф едры микроэлектроники М И Э Т за по­
лезные советы и помощь при написании и подготовке данного посо­
бия.
Все зам еч ан ия и п ож елания, которые могут возникнуть при изу­
чении и практическом .использовании данного пособия, просим н а ­
правлять по адресу: 101430, М осква, Г С П -4 , Н егли н ная ул., д. 29/14,
издательство «В ы сш ая школа».

Авторы
ВВЕДЕНИЕ

Интегральная микросхема (И М С ) — это конструк­


тивно законченное изделие электронной техники, выполняю щее оп­
ределенную функцию преобразования информации и со д ерж ащ ее
совокупность электрически связанных меж ду собой электрорадио-
элементов (Э Р Э ), изготовленных в едином технологическом цикле.
Термин «интегральная микросхема» отраж ает: объединение значительного
числа транзистороз, диодоз, конденсаторов, резисторов и соединяющих проводни­
ков в единую конструкцию (конструктивная интеграция); выполнение схемой
функций преобразования информации, более сложных по сравнению с функциями
отдельных ЭРЭ (схемотехническая интеграция); выполнение в едином технологи­
ческом цикле одновременно всех ЭРЭ схемы и межсоединений и одновременное
формирование группозым методом большого числа одинаковых ИМС (техноло*
гическая интеграция).

По способу изготовления различаю т полуп р о во д ни к о вы е и п л е ­


ночные ИМС. В полупроводниковых ИМ С все Э Р Э и часть м еж сое­
динений сформированы в приповерхностном слое полупроводнико­
вой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных ИМ С пассивные
Э Р Э изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или
толстых (10— 50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую под­
лож ку. Гиб ри дны е ИМ С (ГИ С ) представляю т собой комбинацию
пленочных пассивных Э Р Э с миниатюрными бескорпусными дис­
кретными активными приборами (полупроводниковыми ИМ С, тр а н ­
зисторами, д и о д ам и ), расположенны х на общей диэлектрической
подложке. ЭРЭ , которые являю тся неотъемлемой составной частью
И М С и не могут быть выделены из нее к а к самостоятельное и зде­
лие, назы ваю т элементами ИМ С, а дискретные активные Э Р Э
Г И С — навесными компонентами (или просто ком понентам и), под­
черкивая тем самым, что их изготовляю т отдельно в виде самостоя­
тельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем
Г И С к а к покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов
элементы И М С назы ваю т интегральными (интегральный резистор,
интегральный диод).
В совмещ енны х ИМ С активные Э Р Э выполнены в приповерхно­
стном слое полупроводникового кр и сталла (к а к у полупроводнико­
вой И М С ), а пассивные нанесены в виде пленок на покрытую д и ­
электриком поверхность того ж е кр и сталла (к ак у пленочной И М С ).
Перечислим особенности И М С как нового типа изделий эл е кт­
ронной техники:
а) ИМ С самостоятельно выполняет законченную, часто д оволь­
но сложную функцию. Она мож ет (быть усилителем, запоминаю щ им
устройством, генератором, детектором и т. д. Ни один из Э Р Э с а ­
мостоятельно таких функций выполнять не может, для этого его
следует соединить с другими дискретными Э Р Э по отдельной схеме;
5
б) выпуск и применение ИМ С сопровож даю тся существенным
уменьшением массы, габаритов и стоимости радиоэлектронной ап ­
парату ры , снижением потребляемой мощности и повышением н а­
дежности;
в) элементы И М С р асполагаю тся в п ред елах одной подложки
« а сравнительно небольших расстояниях друг от друга и ф орм и ру­
ются одновременно; это о бусловли вает малый технологический р а з ­
брос их параметров. Особенно высока точность выполнения соот­
ношения п арам етров нескольких элементов (например, отношения
сопротивлений). Эта точность сохраняется при изменении т ем п ер а­
туры окруж аю щ ей среды, так как все элементы И М С работаю т
практически при одной температуре и термические коэффициенты
параметров элементов одной и той ж е ИМ С приблизительно оди­
наковы. Эту особенность И М С часто используют при создании уст­
ройств, мало чувствительных .к влиянию технологического разброса
парам етров элементов и к изменению температуры;
г) при р азра б отк е полупроводниковых ИМ С стремятся выбрать
схемные решения с минимальным числом пассивных элементов. Р е ­
зисторы и конденсаторы зан и м аю т значительную площ адь ИМ С,
технологические возможности создания этих элементов с достаточ­
ной точностью в широком диапазоне номиналов ограничены.
Обозначения ИМС,. К аж ды й конструктивно-технологический вариант (груп­
па) интегральных микросхем согласно ОСТ 11.073.915—80 имеет следующие обо­
значения: 1, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — пленочные и
некоторые другие ИМС (например, вакуумные, керамические). По функциональ­
ному назначению ИМС подразделяю т на подгруппы (Г — генераторы, Д — детек­
торы, К — коммутаторы и ключи, Л — логические элементы, М — модуляторы,
Н — наборы элементов, П — преобразователи сигналов, Е — схемы источников
вторичного питания, Б — схемы задерж ки, С — схемы сравнения, Т — триггеры,
У — усилители, Ф — фильтры, А — формирователи импульсов, Р — схемы запоми­
нающих устройств, И — схемы цифровых устройств, В — схемы вычислительных
средств, Ц — фоточувствительные схемы с зарядовой связью, X — многофункци­
ональные схемы). В пределах каж дой подгруппы ИМС подразделяю т на виды,
каж дом у виду присвоена определенная буква; таким о б р а зо м , сочетание двух
букз в обозначении ИМС характеризует ее вид и подгруппу (например, ГС — ге­
нераторы гармонических сигналов, Л И — логические элементы, И, И Р — наборы
резисторов, УВ — усилители высокой частоты, ВМ — микропроцессоры, BE —
микро-ЭВМ, ВУ — схемы микропрограммного управления, ВТ — микрокалькуля­
торы и др.).
Обозначение интегральной микросхемы состоит из следующих элементов:
первый эл ем ен т—-цифра, означаю щ ая группу, второй элемент — три цифры (от
ООО до 999) или две цифры (от 00 до 99), означающие порядковый номер р а з­
работки серии ИМС, третий элемент — две буквы, означающие подгруппу и вид
ИМС, четвертый элемент — условный номер разработки ИМС по функционально­
му признаку в данной серии. И нтегральные микросхемы выпускаю тся в состазе
серии, т. е. в совокупности нескольких видов ИМС, имеющих единое конструк­
тивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного примене­
ния в аппаратуре. Д в а первых элемента обозначения ИМС относятся к обозна­
чению серии (т. е. оно содерж ит от трех до четырех циф р). Н апример, ИМС
синхронизации микропроцессорного комплекта серии 1800 с порядковым номером
2 ее разработки в данной серии (по функциональному признаку) имеет обозна­
чение 1800ВБ2, ИМС логического элемента И — НЕ, открывающего перечень
схем широко распространенной серии 133, — обозначение 133ЛА1.
При необходимости разработчик ИМС имеет право в конце условного обо­
значения дополнительно указы вать буквы (от А до Я, кроме букв 3, М, О, Т, Ш,
6
П, Ч, Ы, Ъ ), характеризую щ ие отличие ИМС одного вида по электрическим
характеристикам. При маркировке эта буква мож ет быть заменена цветной
точкой.
Д л я ИМС, используемых в устройствах широкого применения, в начале обо*
значения добавляю т букзу К: К1800ВБ1, К133ЛА1.
Д ля бескорпусных ИМС з состав обозначения вводят дополнительно два
элемента: букву Б в начале обозначения и цифру (от 1 до 6) — в конце. Цифра
характеризует конструктивное исполнение бескорпусных ИМС: 1 — с гибкими вы­
водами; 2 — с ленточными (паучковыми) выводами и выводами, выполненными
на диэлектрической (в том числе полиимидной) пленке; 3 — с жесткими (шари­
ковыми или столбиковыми) выводами; 4 — на общей подлож ке или пластине, не
разделенные друг от друга; 5 — то ж е, что и 4, но разделенные без потери
ориентации (например, наклеенные на пленке); 6 — кристаллы с контактными
площ адками без выводов. Н апример, Б106ЛБ1А-1 — полупроводниковая ИМС се­
рии Б106-1 (логический элемент И — Н Е /И Л И — Н Е) в бескорпусном исполне-
нии с гибкими выводами.
При перезоде серии микросхем для исполнения в более дешевом пластм ас­
совом корпусе в начале обозначения ставят букву Р. Например, при переводе
микросхем серии 140 в металлостеклянном корпусе на пластмассовый корпус
201.14-1 серию стали обозначать Р140. ИМС операционного усилителя, входящ е­
го в эту серию, имеет обозначение Р140УД1А.
Д л я обозначения ИМС повышенного качества перед цифровым обозначени­
ем серии указываю т буквы ОС (а при их малом выпуске — буквы ОСМ ).
Д л я микросхем, поставляемых на экспорт (шаг выводов 1,27 или 2,54 мм ),
в начале обозначения добавляю т букву Э. Например, полупроводниковая логи­
ческая ИМС серии К1500 (логический элемент И — Н Е) в экспортном исполне­
нии имеет обозначение ЭК1500ЛА1.
Цель, задачи и методика выполнения курсового проекта. З а д а ­
чей выполнения курсового проекта (К П ) является р азр а б о тк а кон­
струкции ИМ С и технологического м арш рута ее производства в со­
ответствии с заданной в техническом задании (ТЗ) принципиаль­
ной электрической схемой. Конструктивно-технологический вариант
изготовления И М С выбирается студентом в результате ан ал и за з а ­
дания на К П или зад ается руководителем проекта.
Ц елью работы н ад курсовы м проектам является приобретение
практических навыков решения инженерной зад ач и создания кон­
кретного микроэлектронного изделия, а т а к ж е закрепление, угл у б ­
ление и обобщение теоретических знаний, приобретенных на преды ­
дущих этап ах обучения в вузе.
Основные этапы выполнения курсового проекта:
этап I — анализ технического зад ан и я с целью выявления сути,
оценки объема и плана предстоящей работы;
этап II — выбор технологии изготовления ИМ С исходя из а н а ­
лиза технического зад ан и я (функции, выполняемой ИМС, м а сш та­
бов производства, условий э ксп л уатац и и ). Особое внимание при
этом необходимо обратить на технологические ограничения, что об ­
легчит последующую работу по конструированию элементов ИМС,
выбору .компонентов и р азр а б о тк е конструкции И М С в целом;
этап III — расчет элементов и выбор компонентов И М С соглас­
но принципиальной электрической схеме с учетом технологических
ограничений;
этап IV — р а зр а б о тк а топологии и выбор корпуса ИМ С. Р а з ­
работку эскиза топологии И М С и последующих вариантов тополо­
гии проводят согласно п равилам проектирования, изложенным в
ГЛ- i — 4 дЛЯ различных конструктивно-технологических типов
ИМ С. Выбор корпуса ИМ С производят из числа унифицированных
конструкций (см. гл. 5) по следующим исходным данным: разм еру
кри сталла полупроводниковой И М С или платы ГИС и числу внеш ­
них выводов ИМ С (числу контактных п лощ адок внешних выво­
дов на топологии И М С ); герметичности корпуса и условиям э к с ­
плуатации (последние данны е указы ваю тся в Т З ) . П л о щ а д ь и р а з ­
меры монтажной площ адки долж ны соответствовать разм ерам
кри сталла или платы либо несколько превосходить их, число
выводов корпуса и их рядность т а к ж е долж ны соответствовать то­
пологии ИМ С;
этап V — проверка качества разработки топологии и конструк­
ции ИМ С. М етодика проверки правильности разработки топологии
ИМ С различных типов приведена в гл. 1— 4. Дополнительно для
оценки качества разработки проводят расчеты 'паразитных связей
и параметров, тепловой расчет, расчет вл агозащ и ты (см. гл. 5);
этап VI — корректировка или переработка топологии либо кон­
струкции ИМ С. П оправки в топологию и конструкцию вводят, если
проверка качества и проверочные расчеты даю т на это основания;
этап V II — оформление расчетно-пояснительной записки. Она
д о л ж н а содерж ать обоснование выбранного конструкторского и
технологического решения в виде сравнительной оценки этого реш е­
ния с другими возможны ми вариантами, показ преимущ еств при ­
нятого инженерного решения с точки зрения эффективности про­
изводства, качества и стоимости. Пояснительная записка д олж на
выполняться на листах писчей или линованной бумаги форм ата 11,
необходимые иллюстрации и чертежи долж ны .быть выполнены на
миллиметровой бумаге ф орм ата 11 или большего ф о рм ата.
Объем пояснительной записки без учета чертежей и графиков
должен составлять примерно 30—40 страниц рукописного текста.
Она д олж н а содержать: титульный лист, оглавление, техническое
задание, подписанное руководителем, описание принципа действия
проектируемой ИМС, выбор и обоснование конструктивно-техноло­
гического в ари ан та производства ИМ С, описание технологии со
структурной схемой процесса, расчет конструктивных и электриче­
ских парам етров элементов ИМ С, эскиз топологии И М С на милли­
метровой бумаге, проверочные расчеты и скорректированный при
необходимости вариант топологии, исследовательскую часть (в ы д а­
ется по усмотрению руководителя п роекта), выводы, список исполь­
зованной литературы и ГОСТов, приложения (маршрутную или
операционные карты технологического процесса);
этап V III — оформление конструкторской документации на
ИМС. Ее объем составляет 2— 3 листа форм ата 24. Ч ертеж и следу­
ет выполнять в соответствии в Е С К Д каран даш ом или тушью. Они
д олж ны содерж ать как минимум следующую информацию: э л е к т­
рическую схему ИМ С, топологический чертеж ИМ С, сборочный чер­
теж ИМС, структурную схему технологического процесса. Д р у г а я
информация выносится на чертежи по указанию руководителя про­
екта. Н а ч ертеж ах и пояснительной записке д о л ж н а стоять лич­
ная подпись студента, удостоверяю щ ая самостоятельность вы пол­
нения проекта и ответственность за принятые решения;
этап IX — подготовка в защ ите курсового проекта. Н а этом э т а ­
пе проводится работа по составлению короткого (8— 10 мин) до­
к л ад а о наиболее существенных р езул ьтатах курсового проектиро­
вания, подготовке к обоснованию и защ ите принятых инженерных
решений, подготовке ответов на возможны е вопросы членов комис­
сии по приемке КП.
Организация и руководство курсовым проектом. Курсовой про­
ект по курсу «К онструирование и технология микросхем» выполня­
ют с использованием одного из четырех наиболее распростран ен ­
ных вариантов конструктивно-технологического ^исполнения инте­
гральных микросхем: полупроводникового на биполярных тран зи ­
сторах, полупроводникового на М Д П -тран зи сторах, гибридного тон­
копленочного и гибридного толстопленочного. В связи с этим
техническое задан и е на проект долж но содерж ать необходимое и
достаточное количество сведений, опираясь на которые студент д о л ­
ж ен самостоятельно обосновать и вы брать способ изготовления
ИМ С. Однако, учиты вая раннее (за 2—3 года) распределение сту­
дентов на места работы, зак азн у ю систему подготовки специалис­
тов д л я того или иного предприятия или объединения, каф едры и
руководители проектов могут у ж е в ТЗ определять технологию
производства И М С с учетом специфики будущей работы молодого
специалиста. Типовое ТЗ на р азрабо тк у конструкции И М С д олж но
содержать: электрическую схехму И М С с указанием номиналов и
х арактери сти к элементов и компонентов, кратким описанием р еа л и ­
зуемой функции и необходимыми характеристикам и входных и вы ­
ходных сигналов, а та к ж е назначение, серийность производства,
условия эксплуатации И М С и рекомендуемую литературу.
Р азн о о б р а зи е функционального назначения ИМ С, вариантов их
конструктивно-технологического исполнения позволяет выдать к а ж ­
дому студенту индивидуальное задание на проект.
З а д а н и е на проект долж но быть подписано руководителем, д а ­
тировано и зарегистрировано в ж у р н а л е учета К П кафедры.
Руководство курсовым проектированием начинается с выдачи
ТЗ на проект. И н д иви ду альн ая беседа руководителя со студентом
по заданию является необходимым условием успеха дальнейшей
работы, так как позволяет выявить степень подготовленности сту­
дента, отметить отдельные, наиболее ответственные этапы КП,
уточнить граф и к его выполнения.
Б ольш ое организующее значение на первых этапах курсового
проектирования имеет вводная лекция по КП, прочитанная л екто ­
ром курса, в которой разъ ясн яю тся роль этого вида учебной р а б о ­
ты д л я подготовки специалиста, уровень требований к занятиям,
сущность выданных заданий и пути их реализации.
В процессе выполнения К П к аф ед ра и руководитель проекта
проводят групповые и индивидуальные консультации. К а к прави­
ло, групповые консультации проводятся по расписанию и не долж ны
переходить в лекции. Н а этих консультациях необходимо д ав ат ь
9
конкретные указан ия по устранению встретившихся затруднений,
проводить разбор решений типовых зад ач , встречаю щ ихся при в ы ­
полнении КП, ан ализировать типовые ошибки, выполнять наиболее
трудны е расчеты. И ндивидуальны е консультации долж ны прово­
диться регулярно 1— 2 р аза в неделю. Г л ав н ая их цель — контроль
за ходом и правильностью выполнения КП, выявление допущенных
ошибок, помощь студенту в нахождении правильного пути решения
вопроса.
К ак групповые, так и индивидуальные консультации не долж ны
п ревращ аться в репетиторство, в н атаскивание студента. Они д о л ­
ж ны помогать разви тию 'сам остоятельн ости в инженерной д еяте л ь ­
ности, навы ков планомерной, продуманной, ответственной работы.
В процессе консультирования руководитель н е-долж ен д ав ать сту­
денту готовых решений, а лишь р азв и ва ть его творческие способ­
ности, умение анал и зи ро вать вари ан ты технических решений, осоз­
навать допущенные ошибки и находить пути к их исправлению. Эту
работу следует проводить, опираясь на конкретные материалы, р а с ­
четы, эскизы, вари ан ты технических решений, п редъявляем ы е сту­
дентом консультанту. Ины ми словами, руководитель долж ен стро­
ить свою индивидуальную работу со студентом, исходя из его сам о­
стоятельных проработок после того, как появилась уверенность, что
студент достаточно хорошо ознаком ился с м атериалом, понял его
сущность.
После заверш ения работы руководитель тщ ательно проверяет
проект и, если он удовлетворяет всем требованиям к КП, д оп у ска­
ет проект к защите, д е л а я соответствующие надписи на чертеж ах
и в записке с проставлением предварительной оценки.
З а щ и т а курсового проекта. З а щ и т а является особой формой
проверки выполнения курсового проекта. Эта процедура д олж н а
приучить будущего инж енера к публичной защ ите принятых им тех­
нических решений.
З а щ и та вклю чает короткий д о к л а д (8— 10'мин) студента по т е ­
ме проекта перед н азн ачаем ой кафедрой комиссией п реподавате­
лей из двух-трех человек и ответы на вопросы, зад ав ае м ы е чле­
нами комиссии. Студент при защ ите д олж ен д ать объяснения по су­
щ еству проекта, проявить достаточный уровень теоретической под­
готовки и умение применить ее при решении конкретной задачи.
Р езу л ь таты защ иты оцениваются отметкой по четырехбалльной
системе. Студент, не выполнивший и не представивший КП в ус­
тановленный срок или не защ итивш ий его по неуважительной при­
чине, считается имею щ им академическую задолж енность.
Курсовые проекты, сод ер ж ащ и е оригинальные обоснованные ре­
шения, новые теоретические, технологические и конструкторские
проработки и предлож ения по практической их реализации, вы дви­
гаются на конкурс курсовых проектов, городские и республикан­
ские смотры студенческих работ, а проекты, имеющие наибольшую
научную и практическую ценность, — на всесоюзный конкурс науч­
ных раб о т «Студент и научно-технический прогресс».
Часть I
КОНСТРУИ РОВАН ИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ
ПО ЛУ П РО ВО ДН И КО ВЫ Х ИНТЕГРАЛЬНЫ Х М ИКРОСХЕМ

Глава 1
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

§ 1.1. Элементы полупроводниковых ИМС


на биполярных транзисторах

Транзисторы типа п-р-п. Биполярны й транзистор типа п-р-п я в ­


л яе тся основным схемным элементом полупроводниковых ИМ С. Он
о б ладает лучшими характеристикам и, чем транзистор типа р-п-р,
а технология его изготовления более проста. Остальные элементы
И М С выбираю т и конструируют так и м образом, чтобы они совм ещ а­
лись со структурой транзистора типа п-р-п. Их изготовляют одно­
временно с транзистором типа п-р-п на основе какой-либо из его об­
ластей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора
типа п-р-п определяет основные электрические парам етр ы осталь­
ных элементов микросхемы.
Н аиболее широкое распространение получила тр ан зи сторн ая
структура типа п+-р-п со скрытым подколлекторным д+-слоем
(рис. 1.1). С ледует обратить внимание на то, что вывод коллектора
интегрального транзистора распо­
ложен на поверхности прибора. Это
увеличивает сопротивление тела
коллектора и ухудш ает х а р а к т е ­
ристики транзистора в усилитель­
ном режиме (ухудшается ч астот­
ная храктеристика) и в п ереклю ­
чающем реж им е (уменьш ается
эффективность переключения в
реж им е н асы щ ения). Увеличение
степени легирования всего объема Рис. 1.1. Конструкция интегрального
коллекторной области и уменьш е­ транзистора типа п+-р-п
ние ее удельного сопротивления
снижаю т пробивное нап ряж ени е перехода коллектор — база
и увеличивают емкость этого перехода, т. е. та к ж е ухудш аю т х а ­
рактеристики транзистора. Компромиссным решением проблемы
является создание скрытого высоколегированного я+-слоя на гра­
нице коллектора и подложки. Этот слой обеспечивает низкоомный
II
путь току от активной коллекторной зоны к коллекторному кон­
такту без с н и ж е н и я пробивного н ап ряж ен и я перехода коллектор —
база. Конструктивно он располагается непосредственно под всей б а ­
зовой областью и простирается вплоть до дальней от базы стороны
коллекторного контакта. Толщина слоя составляет 2,5— 10 мкм,
удельное поверхностное сопротивление ps = 1 0 4 - 3 0 О м /П .
Р аб о ч а я зона транзистора начинается непосредственно под эмит-
терной зоной, и д л я обеспечения требуемого коллекторного тока
при минимальном последовательном падении нап р яж ени я коллек­
торный контакт р асполагаю т как можно ближ е к эмиттерному. М и­
н имальны е горизонтальны е р азм еры прибора определяются двум я

Рис. 1.2. Конструкция биполярных интегральных транзисторов:


а — асимметричная; б — симметричная

основными технологическими ф акторам и : минимально д остиж им ы ­


ми при фотолитографии разм ер ам и окон в окисле кремния и з а з о ­
ров меж ду окнами, а та к ж е разм ером боковой дифф узии под оки­
сел. Поэтому при проектировании транзистора следует учитывать,
что расстояние меж ду базовой областью и коллекторны м к о н так­
том долж но быть значительно больше суммы разм еров боковой
диффузии р-б азы и гс+-области под коллекторным контактом. Н а ­
значение этой /г+-области состоит в обеспечении надежного ф орм и ­
рования невыпрямляю щ его контакта алю миния к слаб олеги рован ­
ной «-области коллектора, поскольку алюминий является акцептор­
ной примесью в кремнии с растворимостью порядка 1018 атомов/см3
при тем пературе формирования контакта. Уровень ж е легиро­
вания эпитаксиального «-слоя, составляю щ его тело коллектора, р а ­
вен 1015— 1056 атом ов/см3. К а к отмечалось, он.диктуется необходи­
мостью увеличения н ап ряж ен и я пробоя перехода коллектор — база.
Расстоян ия м еж д у изолирующей р-областью и элементам и т р а н ­
зистора определяю тся т а к ж е разм ером боковой диффузии. Они
до лж ны быть примерно равны толщине эпитаксиального слоя.
Д в е типичные конструкции интегральных транзисторов п о к а за ­
ны на рис. 1.2. Д л я асимметричной конструкции (рис. 1.1, 1.2, а).
12
характерн о то, что коллекторны й ток протекает к эмиттеру только
в одном направлении. При симметричной конструкции (рис. 1.2, б)
коллекторный ток подходит к эмиттеру с трех сторон и сопротивле­
ние коллектора оказы вается примерно втрое меньше, чем при асим­
метричной конструкции. Д л я симметричной конструкции тр ан зи ­
стора облегчается р а зр а б о тк а топологии металлической разводки,
так как в ней часть .коллекторной области можно разместить под
окислом, а поверх окисла над коллектором провести алюминиевую
полоску к эмиттерной (рис. 1.2, б) или базовой области. Н а рис.
1.2, а дан ы топологические разм еры областей интегрального бипо­
лярного транзистора, типичные д л я И М С средней степени и нтегра­
ции. П а рам етры этих областей приведены в табл. 1.1.

Т а б л и ц а 1.1
П араметры областей интегрального транзистора типа п - р - п

Удельное Удельное
Концентрация Толщина слоя объемное поверхностное
Наименование области примеси /V, d , мкм сопротивление сопротивление
см- 3 материала р, слоя р5 , Om/D
Ом-см

П одлож к а р-типа 1 ,5 -1015 200— 400 10


Скрытый П+-СЛОЙ — 2,5— 10 — 10— 30

СЛ
СЛ
Коллекторная /г-область —

1
1 0 16 2,5— 10
0

о
Б азовая р-область 5 - 1 0 18 1,5— 2,5 — 100—300
Эмиттерная п+-область 1021 0,5— 2,0 —, 2 — 15
И золирую щ ая область — 3,5— 12 — 6 — 10
Пленка окисла кремния — 0,3— 0,6 — —
М еталлическая пленка 0 ,6— 1,0 1,7- 10-в 0,06— 0,1
(алюминий)

П р и м е ч а н и е : .V — объем ная концентрация примеси для подложки и коллекторной


области и поверхностная концентрация примеси для эмиттерной и базовой областей.

При больших токах существенную роль играет эф ф ект вытесне­


ния тока эмиттера, который объясняется достаточно 'просто. Н а п р я ­
ж ение в любой точке эмиттерного перехода п редставляет собой р а з ­
ность внешнего нап ряж ени я и падения н ап р яж ени я в объеме базы,
т. е. нап ряж ени е в центральной части эмиттера меньше н а п р я ж е ­
ния у его краев, и внешние области эмиттера 'работают при боль­
ших плотностях тока по сравнению с внутренними. П овы ш енная
плотность то ка у краев эмиттера приводит к повышенным рекомби­
национным потерям носителей за р я д а в этих областях и к уменьш е­
нию коэффициента усиления транзистора В. .Конструкция мощных
транзисторов д о л ж н а обеспечивать максимальное отношение пери­
метра эмиттера к его площ ади. Н апример, целесообразно исполь­
зовать узкие эмиттеры с большим периметром (рис. 1.3). П а р а м е т ­
ры интегральных транзисторов типа п-р-п приведены в табл. 1.2.
13
Р ассмотрим разновидности интегральных биполярных тран зи ­
сторов. „ „
Т р а н з и с т о р ы с т о н к о й б а з о й . 1ранзисторы с тонкой
базой о б л а д а ю т повышенными значениями коэффициента усиления
В и необходимы д л я создания ряда аналоговых И М С (входные к а ­
скады операционных усилителей). У этих транзисторов ширина ба-

Рис. 1.3. Конструкция мощного Рис. 1.4. Конструкция много-


транзистора (вид с в ер х у ): эмиттерного транзистора
1 — эмиттерная область; 2 — область
базы; 3 — область изоляции; 4 — кол­
лекторная область

Т а б л и ц а 1.2
П араметры интегральных транзисторов типа п - р - п

Температурный
Параметры Номинал Допуск S, % коэффициент,
1/°С

Коэффициент усиления В 100— 200 ±30 5-1 0 - 3


П редельная частота /т , МГц 200—500 ±20
Пробивное напряжение UKб, В 40—50 ±30
Пробивное напряж ение Uaб, В 7— 8 ±5 (2—б ) - 10-*

зы (расстояние м еж д у эмиттерными и коллекторными переходами)


да = 0,2н-0,3 мкм, коэффициент усиления 5 = 2000-^-5000 при ко л л ек­
торном токе / к = 20 мкА и уровне нап ряж ени я (Укэ = 0,5 В. П робив­
ное н ап р яж ени е коллектор — эмиттер около 1,5— 2 В.
М н о г о э м и т т е р н ы е т р а н з и с т о р ы ( М Э Т ). Конструкция
МЭТ, широко используемых в цифровых ИМ С транзисторно-тран­
зисторной логики, приведена на рис. 1.4. Число эмиттеров м ож ет
быть равным 5— 8 . М ЭТ мож но р ассм атри в ать как совокупность
транзисторов с общими б азам и и коллекторами. П ри их конструи­
ровании необходимо учитывать следую щие обстоятельства.
Д л я подавления действия паразитных горизонтальных п+-р-п+-
транзисторов расстояние м е ж д у кр а ям и соседних эмиттеров д о л ж ­
но превыш ать диффузионную длину носителей з а р я д а в базовом
14
слое. Если структура леги рована золотом, то д иф ф узионная длина
не превыш ает 2— 3 мкм и указан ное расстояние достаточно сделать
равным 10— 15 мкм.
Д л я уменьшения п аразитны х токов через эмиттеры при инве­
рсном включении М ЭТ искусственно увеличиваю т сопротивление
пассивной области базы, у д ал я я б азо ­
вый контакт от активной области т р а н ­
зистора, чтобы сопротивление переш ей­
ка, соединяющего базовый контакт с
базовой областью, составило 200—
300 Ом.
Многоколлекторные тран­
з и с т о р ы (M KT). М К Т — это прак- Рис- к5- Конструкция много-
,д „ г коллекторного транзистора
тически М сН , используемыи в инверс-
ном режиме: общим эмиттером я в л я ­
ется эпитаксиальны й слой, а кол лекторам и — п+-области малы х
разм еров (рис. 1.5). Т а к а я структура яв л яется основой И М С ин­
тегральной инжекционной логики (И 2Л ) . Главной проблемой при
конструировании М К Т явл яется обеспечение достаточно высокого
коэффициента усиления в расчете на один коллектор, д л я чего
скрытый гс+-слой необходимо р асп о л агать как можно бли ж е к б а ­
зовому слою, а п+-коллекторы — как можно бли ж е друг к другу.
Транзисторы типа р-п-р. И н тегральн ы е транзисторы типа
р-п-р существенно уступают транзисторам типа п-р-п по коэф ф ици­
енту усиления и предельной частоте. Д л я их изготовления исполь­
зуют стандартную технологию, оптимизированную для ф ор м и р ова­
ния транзистора типа п+-р-п. Естественно, что получение транзисто­
ров типа р-п-р с близкими к теоретическим пределам п ар ам етр ам и
в этом случае невозможно.
Г о р и з о н т а л ь н ы е т р а н з и с т о р ы т и п а р-п-р. В н а­
стоящ ее время эти транзисторы используют в И М С наиболее часто
(рис. 1.6). Их изготовляю т одновременно с транзисторам и типа
п+-р-п по обычной технологий. Эмиттерный и коллекторны й слои
получают на этап е базовой диффузии, причем коллекторный слой
ох ваты вает эмиттер со всех сторон. Б а з о в а я область формируется
на основе эпитаксиального слоя с подлегированием контактной об ­
ласти во время эмиттерной диффузии. Перенос носителей з а р я д а в
транзисторе типа р-п-р происходит в горизонтальном направлении.
Д ы рки, инж ектированны е из боковых частей эмиттера в базу, диф ­
фундирую т к коллекторной области. Перенос наиболее эффективен
в приповерхностной области, так к а к здесь расстояние w м еж ду
коллектором и эмиттером минимально и, кроме того, наиболее вы ­
сокая концентрация примеси в p -слоях. Ш ирину базы w уд ается в ы ­
полнить равной 3— 4 мкм (м еш ает боковая диф ф у зия под м а ску ),
в резул ьтате чего коэффициент усиления оказы вается равным 50,
а /т —20ч-40 МГц. Б е з особого труда получаю т w = б-г-12 мкм, но
при этом В = 1,5-4-20, а /т —2-^5 МГц. Д л я подавления действия п а­
разитных р-п-р-транзисторов (р—эмиттер, п —эпитаксиальны й слой,
р — п одл о ж к а) стремятся уменьшить п л о щ ад ь донной части эм ит­
15
тера (его д ел аю т возможно более у зк и м ), используют скрытый пр­
елой вдоль границы эпитаксиального слоя и подложки. Н а основе
горизонтального транзистора легко
сформ ировать многоколлекторный
транзистор типа р-п-р (рис. 1.7).

Рис. 1.6. Конструкция гори­ Рис. 1.7. Конструкция


зонтального транзистора многоколлекторного го­
типа р-п-р ризонтального транзи­
стора типа р-п-р

Основные недостатки горизонтального транзистора типа р-п-р —


сравнительно бо льш ая ширина б азы и однородность распределения
примесей в ней (транзистор является бездрейфовым). Их можно
устранить двум я способами. Д л я этого
базовый контакт используют дрейфовую структуру, п о ка­
занную на рис. 1.8. Д в а электр од а в про­
тивоположных концах базы создают в б а ­
зовом слое электрическое поле, которое
уменьш ает время переноса инж екти ро ван ­
ных дырок и создает в эмиттере смещение,
сниж аю щ ее инжекцию из его донной ч а ­
сти.
ДрейсроБый
Вертикальные т р а н з и с т ор ы
ДрейшоВыи
анод катод т и п а р-п-р. М ожно использовать та к ж е
з к Д вертикальную р-я-р-структуру, п о к а за н ­
Dl\ p | I—Г ную на рис. 1.9. Д л я ее формирования н е­
обходимо изменить технологию: прово­
Подложка дить более глубокую диффузию д ля ф ор­
мирования p -слоя и вводить дополнитель­
ную операцию диффузии д л я создания
Рис. 1.8. Конструкция дрей­ р ++-слоя, причем д л я получения р++-слоя
фового бокового транзисто­
ра типа р-п-р требуется акцепторная примесь, у кото­
рой п редельн ая растворимость больше,
чем у донорной примеси в я+-слое. Фактически перед проведением
диффузии акцепторов приходится стравливать наиболее л егирован­
ную часть л +-слоя, т. е. вводить еще одну дополнительную о п ер а­
цию.
16
Составные транзисторы. С оставные интегральные транзисторы
могут быть реали зован ы на основе двух транзисторов одного или
разных типов, располож енны х в одной изолированной области. На
~7~

_ ... .

__8Д- IjJp-n-Dj*—°Л"
Ь Ч&Д ta-p-п) б HZb5W
! 1П'Р'П) ЬЭ 'I?
Рис. 1.9. Конструкция вертикального Рис. 1.10. Конструкция составного
транзистора типа р-п-р, изготовленно- транзистора
го методом тройной диффузии на ос­
нове планарно-эпитаксиальной струк­
туры

рис. 1.10 представлена транзисторная структура, в которой в зав и ­


симости от схемы соединений могут быть реализованы составные
транзисторы, состоящие из двух транзисторов типа п-р-п с общим
коллектором или из вертикального тран зи сто ра типа п-р-п и гори­
зонтального тран зи стора типа р-п-р. В принципе возм ож на р е а л и ­
зация составных транзисторов в разных изолированных областях.
Составной транзистор имеет коэффициент усиления, равный про­
изведению коэффициентов усиления составляю щ их его транзисто­
ров: В ~ В \ В 2, однако быстродействие составного транзистора опре­
д еляется наименее быстродействующим транзистором.
Интегральные диоды. Л ю бой из /?-я-переходов п лан арн о -эп и так­
сиальной структуры мож ет быть использован д л я формирования
диодов, но только переходы б аза — эмиттер и база — коллектор
действительно удобны д ля схемных применений. П я ть возможных

г) д)

Рис. 1.11. Конструкции интегральных диодов

вариантов диодного включения интегрального транзистора п о к а за ­


ны на рис. 1. 11: а — переход база — эмиттер с коллектором, зак о ­
роченным на базу; б — переход коллектор — б аза с эмиттером, за-
17
I
/
короченным на базу; в — п арал л ел ьное включение обоих перехо­
дов- g — переход база — эмиттер с разомкнутой цепью коллектора;
д _’переход б а за — коллектор с разомкнутой цепью эмиттера. П а ­
рам етры интегральных диодов приведены в табл. 1.3.
Таблица 1.3
Параметры интегральных диодов
Значения параметров

Вариант паразитная время восстанов­


пробивное обратный ток емкость емкость на
включение ления обратного
напряжение диода подложку
'сбр- нА тока / в, не
V в Сд , пФ Со. пФ

Б К —Э 7—8 0,5— 1,0 0,5 3 10


Б Э —К 40—50 15—30 0,7 3 50
Б —ЭК 7—8 20—40 1,2 3 100
Б —Э 7—8 0,5— 1,0 0,5 1,2 50
Б -К 40—50 15—30 0,7 3 75

П р и м е ч а н и е : для обозначения вариантов ди одн ого включения транзистора при­


няты следую щ ие сокращ ения: слева от тнре указы вают обозначение ан ода, справа — ка>
тода; если две области транзистора соединены , их обозначения пишут слитно.

И з а н ал и за таблицы видно, что вари ан ты включения различа-


ются по электрическим п арам етр ам . Пробивны е н ап ряж ен и я (Упр
больше д л я вариантов с коллекторным переходом, обратные токи
^обр — д ля вариантов только с эмиттерным переходом, имеющим
наименьшую площ адь. Емкость диода м еж ду катодом и анодом Сд
для вар и ан та с наибольшей площ адью переходов м аксимальна
( Б — Э К ). П а р а зи т н а я емкость на п одлож ку С0 (считается, что под­
л о ж ка зазем л ен а) миним альна для варианта Б — Э. Время восста­
новления обратного тока tB, хар актери зую щ ее время переключения {
диода из открытого состояния в закрытое, минимально д ля в ар и ­
анта Б К — Э, т а к к а к здесь з а р я д н акапли вается только в базе.
О птимальны ми д ля И М С вар и ан там и включения являю тся
Б К — Э и Б — Э, причем чаще используется Б К — Э. П робивные н а­
п ряж ения (7— 8 В) достаточны д л я использования этих вариантов
в низковольтных ИМ С.
Интегральные резисторы. Резисторы ИМ С формирую т в любом j
из диффузионных слоев транзисторной структуры (эмиттерная и ба-
зовая о б ласти ), в эпитаксиальном слое (к оллекторн ая область) и
с помощью ионного легирования.
Р ассмотрим разновидности интегральных резисторов.
Диффузионные р е з и с т о р ы . Д иф ф узионны е резисторы ]
( Д Р ) изготовляю т одновременно с базовой или эмиттерной о б л а ­
стью (рис. 1. 12, 1.13, 1.14). Сопротивление Д Р п редставляет собой
объемное сопротивление участка диффузионного слоя, ограничен-
ного р-я-переходом. Оно определяется геометрическими р азм ерам и
резистивной области и распределением примеси по глубине диффу-
18
знойного слоя, которое, в свою очередь, характери зуется удельным
поверхностным сопротивлением ps. Значение ps является конструк­
тивным парам етром резистора, зависящ им от технологических ф а к ­
торов (реж им а д иф ф у зии ). При создании И М С парам етры д и ф ф у ­
зионных слоев оптимизируют с целью получения наилучших х а р а к ­
теристик транзисторов типа п-р-п, поэтому парам етры Д Р улучша-

Рис. 1.12. Конструкция диф ­ Рис. 1.13. Поперечный разрез


фузионного резистора на структуры диффузионного рези­
основе базовой области стора на основе базовой о бла­
сти

ют не варьированием технологических режимов, а выбором конфи­


гурации и геометрических разм еров резистора. Конфигурации д и ф ­
фузионных резисторов д аны на рис. 1.15. Низкоомны е (десятки ом)
р ези сто р ы ( рис. 1.15, а) имеют м алое отношение 1/Ь. Форму и р а з ­
меры контактов к ним вы бираю т такими, чтобы сопротивление
приконтактных областей было значительно меньше сопротивления
основной области резистора. Резисторы с сопротивлением от сотен
ом до единиц килоом в плане имеют вид, изображ енный на рис.
1.15, б, в. Здесь длина и ширина приконтактной области равны ш и ­
рине резистора. Топологию, показанную на рис. 1.15, г, д, исполь­
зуют для создания высокоомных резисторов (до 20 к О м ). Эти р е­
зисторы имеют сравнительно малую ширину, разм еры приконтакт­
ных областей определяю тся возможностями технологии создания
надежного контакта проводящ их алюминиевых полосок с полупро­
водниковым материалом. Ещ е более высокоомные резисторы (до
60 кОм) имеют форму меандра (рис. 1.15, е) или изготовляются
в донной части базовой области (пинч-резисторы, рис. 1.15, ж).
Д л и н а однополоскового диффузионного резистора не мож ет превы­
шать разм еров активной области кр и сталл а ( 1— 5 м м), ш и р и на ог­
раничена минимальной шириной окна под диффузию, определяемой
возможностями фотолитографии (2,5— 3 м км ), и боковой д и ф ф у зи ­
ей (уход примеси под окисел равен примерно глубине диф ф узион ­
ного р -я -п е р е х о д а ). Типичные значения сопротивления диф ф узион­
ных резисторов, 'которые можно получить при данном значении ps ,
л е ж а т в д иапазоне 4ps < i ? < 1 0 4ps- Ниж ний предел ограничивается
19
сопротивлениями приконтактных областей, верхний — допустимой
площадью, отводимой под резистор. {
М ак си м ал ьно е сопротивление Д Р на основе базовой области при­
близительно равно 60 кОм, если площ адь, отведенная под резистор,
не очень велика (не более 15% от (
п лощ ади к р и ста л л а ). Воспроизводи­
мость номинальных значений сопро­
тивления обычно составляет 15—
2 0% и зависит от ширины резистора
(табл. 1.4). Отклонения от номина­ а)
лов сопрс^тивлений резисторов, р а с ­ к.
4^
положенных на одном кристалле, за □ □
счет неточностей технологии имеют
один и тот ж е знак, поэтому отноше­ *)
ние сопротивлений сохраняется с вы ­
сокой точностью (табл. 1.4). А н ал о ­ □ □
гично, температурный коэффициент
отношения сопротивлений мал по
сравнению с ТК.R д л я отдельного □ □
резистора [(1,5— 3) • 10~4 1/°С]. Эту
особенность диффузионных резисто­ г)
ров учитываю т при р азр а б о тк е полу­
проводниковых ИМС. □
д)


в)
□ О
i1 h
ж)

Рис. 1.14. Конструкция диф ­ Рис. 1.15. Конфигурации диф ­


фузионного резистора на фузионных резисторов
основе эмиттерной области

На основе эмиттерной области формируются резисторы неболь­


ших номиналов [3— 100 Ом с Т К # = ( 1-т-2) • 10-4 1/°С], поскольку
значение ps эмиттерного слоя невелико (см. табл. 1. 1).
Пинч-резисторы. При необходимости создания в ИМ С
резисторов с сопротивлением более 60 кОм используют пинч-рези­
сторы (синонимы: канальные, сжаты е, закры ты е резисторы). Их
формирую т на основе донной, слаболегированной базовой области,
имеющей большее сопротивление и меньшую п лощ адь сечения
(рис. 1.16, 1.17). М акси м альное сопротивление таких резисторов со­
ставляет 200— 300 кОм при простейшей полосковой конфигурации,
ps = 2-b5 кО м /D . Пинч-резисторы имеют большой разброс номина­
лов (до 50% ) из-за трудностей получения точных значений толщи-
20
Таблица 1.4
Точность изготовления диффузионных резисторов на основе базовой области
и отношения их сопротивлений
Точность отношения сопротивлений, %
Ширина резистора, Точность воспроизведения
мкм номинала сопротив­
ления, % 1:1 1 :5

7 ±15 ±2 ±5
25 ±8 ± 0 ,5 ± 1 ,5

I
1— U- -1 1
::У, М-
Y^zzezzz, и

1'7 1|------------Т

\ П*/------\ р I Г
\
р
Рис. 1.16. Конструкция Рис. 1.17. Конструкция
пинч-резистора пинч-резисторов на основе
базовой области с использо­
ванием эмиттерной диф ф у­
зии (закрытый I и полуза­
крытый II варианты)

ны донной части p -слоя, большого T I < # = (3-f-5) • 10~3 1/°С вследст­


вие меньшей степени легирования донной части. У пинч-резистора
п+- и p -слои закорочены металлизацией (см. рис. 1.16) и соединены
с выводом резистора, находящ имся под большим положительным
потенциалом, чем остальные области структуры. Такое соединение
обеспечивает обратное смещение на всех переходах пинч-резистора.
Этот резистор имеет линейный участок в. а. х. только до н а п р я ж е ­
ний 1— 1,5 В, его пробивное н ап ряж ени е равно 5—7 В (эмиттерный
лереход, см. табл. 1.2).
Эпитаксиальные р е з и с т о р ы . Из трех областей т р а н ­
зистора коллекторная имеет наименьшую концентрацию л еш р у ю -
щей примеси и максимальное значение ps (500— 5000 О м/ D ) . П о ­
скольку эпитаксиальны й слой легирован однородно, проводимость
эпитаксиального резистора (Э Р ) постоянна по всему его сечению
в отличие от Д Р . У Э Р (рис. 1.18) поперечное сечение по форме су­
щественно отличается от сечений Д Р , ибо эпитаксиальны й резистор
■формируется разделительной диффузией. Т ак к а к эта дифф узия
•самая п родолж и тельн ая и точная регулировка разм еров д и ф ф узи ­
онны х областей, особенно величины боковой диффузии, затруднена,
р азб р о с номиналов сопротивления Э Р значителен. К азал ось бы, что
больш ие значения ps позволяю т экономить площ адь кр и сталл а при
формировании Э Р больших номиналов, однако значительная пло­
щ адь области разделительной диффузии (рис. 1.18) сводит на нет
21
это преимущество. Эпитаксиальны е резисторы имеют высокое н а­
пряж ение пробоя ( > 1 0 0 В) и большой Т К R, поскольку коллектор­
ная область легирована слабо.
Эпитаксиальные пинч-резисторы. Конструкции
этих резисторов отличаются от обычного Э Р тем, что их поперечное
сечение уменьшено сверху на глу­
бину базового слоя, что и предоп­
ределяет большие, чем у ЭР, з н а ­
чения ps ( p s = 4 - ^ 8 кО м / D ) и но-

Рис. 1.18. Конструкция ин- Рис. 1.19. Конструкция


грального резистора на ос­ эпитаксиального пинч-
нове коллекторной области резистора

миналы сопротивления при одной и той ж е площ ади (рис. 1.19).


Пробивное н апряж ение этих резисторов определяется пробивным
напряж ением UKб (см. табл. 1.2), Т К ^ ~ 4 - 10-3 1/°С .
Ионно-легированные резисторы. С труктура этих
резисторов т а к а я же, к а к и у Д Р , но глубина ионно-легированных
слоев, в которых сформировано тело резистора, составляет лиш ь
0,1— 0,3 мкм (рис. 1.20). Ионная имплантация мож ет обеспечить

а) 6)
Рис. 1.20. Конструкции ионно-легированных резисто­
ров, сформированных имплантацией примеси р-типа
в эпитаксиальный (коллекторный) слой (а) и приме­
си «-типа в базовый слой (б)

малую концентрацию легирующей примеси в слое. При соответст­


вующем выборе дозы легирования и парам етров отж ига (10—20
мин при 500— 600°С) можно получить p s = 0,5-4-20 кО м/ D в резисто­
рах со структурой рис. 1.20, а и p s = 500-=-1000 О м / D в резисторах
со структурой рис. 1.20, б. Могут быть достигнуты номиналы со­
22
противлений в сотни килоом со сравнительно « изким Т К .ft и допус­
ком ± 1 0 % . Ш ирина и толщ ина ионно-легированных резисторов с
большими номиналами сопротивлений очень малы, что услож няет
получение качественного омического контакта. Д л я формирования
надеж ны х контактов используют диффузионные р- или п-области,
которые создают на стадии базовой или эмиттерной дифф узии (рис.
1.20 ).
Характеристики интегральных р е з и с т о р о в . Ти­
пичные характеристики интегральных резисторов приведены в табл.
1.5.
Таблица 1.5
Характеристики интегральных резисторов

Толщина Поверхностное ТКЯ (а ), Паразитная


Тип резистора СЛОЯ, МКМ сопротивление Допуск, % емкость,
I/°C пФ/ммв
РS ’ Ои/П

Д ифф узион­ 2 ,5 -3 ,5 100— 300 ± (5— 20) ± ( 0 , 5 - 3 ) -1 0 - 3 150— 350


ный резистор
на основе базо­
вой области
Пинч-рези- 0 ,5 — 1,0 (2— 1 5 ) -10s ±50 ± ( 1 , 5 — 3 ) - 1 0 ~ 3 1000— 1500
стор
Диффузион­ 1 ,5 -2 ,5 1— 10 ±20 ± ( 1 — 5 ) - 10-* 1000— 1500
ный резистор
на основе эмит­
терной обла­
сти
Эпитакси­ 7— 1,0 (0V5 — 5) - 103 ± ( 1 5 — 25) ± (2 — 4 ) • 10~ s 80— 100
альный рези­
стор
Ионно-леги­ 0 , 1- 0 , 2 (5 — 10 ) • 102 ±50 ± (1,5— 5) ■1 0 - 3 200— 350
рованный ре­
зистор /г-типа

Т о н к о п л е н о ч н ы е р е з и с т о р ы . В совмещенных И М С (в
одной конструкции совмещены элементы, изготовляемы е по полу­
проводниковой и пленочной технологии) поверх слоя защ итного
диэлектрика могут быть сформ ированы тонкопленочные резисторы.
По сравнению с полупроводниковыми резисторами они об ладаю т
следующими преимуществами: имеют более .высокие значения ps,
меньшие значения п аразитны х парам етров, более высокую точность
изготовления, низкий TKft. Основной их недостаток— необходимость
введения дополнительных операций в технологический м арш рут из­
готовления И М С и дополнительных мер защ иты от внешних воздей­
ствий. Н а и б о л ее часто используемые м атер и ал ы д л я тонкопленоч­
ных резисторов — нихром и тан тал (табл. 1.6 ), наиболее распрост­
раненная ф орм а — п олосковая (см. гл. 3). Тонкопленочные резисто­
ры располагаю т на гладкой поверхности защ итного д и электри ка
(обычно стекло или SiCb), не содерж ащ ей ступенек.
23
Т а б л и ц а 1.6
Характеристики тонкопленочных резисторов совмещ енных ИМС

ТКЯ(ссд) ■ 10~4’ Разброс


Материал ps , Ом/а Допуск, % отношения
1/°С сопротивлений,^

Нихром 40—400 1 ±5 ±1
Тантал 200— 5000 1 ±5 ±1
П ленка SiC>2 80—4000 0— 15 ±8 ±2

Интегральные конденсаторы. В интегральных полупроводнико­


вых конденсаторах роль д и электри ка могут выполнять обедненные
слои обратно смещенных р-п-переходов или пленка окисла крем ­
ния, роль о б к л а д о к — легированные полупроводниковые области
или напыленные металлические пленки. Х арактеристики конденса­
торов полупроводниковых ИМ С невысоки; кроме того, д л я получе­
ния сравнительно больших емкостей необходима значительная пло­
щ адь схемы. Поэтому при проектировании электрической схемы
полупроводниковой И М С стремятся избегать применения конден­
саторов.
Д и ф ф у з и о н н ы е к о н д е н с а т о р ы . В И М С для формиро­
вания диффузионных конденсаторов (Д К ) мож ет быть использо­
ван любой из р-я-переходов (рис. 1.2 1 ): коллектор — подлож ка

Рис. 1.21. Варианты формирования интегральных диффузионных


конденсаторов на основе р-п-переходов

(C j), база — коллектор ( С2), эмиттер — база (С3), переход р-обла-


сти изолирующей диффузии и скрытого п+-слоя ( £ 4). В арианты Cj
и С4 не могут быть р еали зован ы в ИМ С с диэлектрической и зо л я­
цией.
В близкой к реальной полупроводниковой структуре (рис. 1.21)
с удельным сопротивлением подложки 10 О м -см , сопротивлением
слоя базы 200 О м /П и сопротивлением слоя эмиттера 2 О м/D при
глубинах р - п - п е р е х о д о в эмиттер — база 2, 3 мкм, база — коллектор
2,7 мкм и коллектор — п одлож ка 12,5 мкм р-/г-переходы, использу­
емые д л я формирования Д К , имеют такие характеристики:
удельную емкость дна р-п-перехода коллектор — п одлож ка
100 п Ф /мм2, а боковой стенки 250 п Ф /м м 2; пробивное н апряж ение
перехода до 100 В;
24
удельную емкость р-гс-перехода б а з а — коллектор 350 пФ /мм2,
а его пробивное нап ряж ени е 30— 70 В;
удельную емкость дна р -п -перехода эмиттер — б аза 600 пФ /мм2,
а боковой стенки 1000 п Ф /м м 2, пробивное нап ряж ени е перехо­
д а 7 В.
Самую большую удельную емкость (более 1000 п Ф /мм2) имеет
р -п-переход, область изолирующей р-диффузии — подколлекторный
л +-слой, его пробивное нап ряж ени е 10 В. Т К С конденсаторов на
этом переходе сравнительно большой (2 -1 0" 4 1/°С).
Поскольку ширина обедненного слоя обратно смещенного пере­
хода зависит от н апряж ения, емкость Д К та к ж е изменяется с и зм е­
н е н и е м н апряж ения. Удельную емкость любого полупроводниково­
го перехода можно аппроксимировать формулой С0~ K { .\IU )m,
где К — коэффициент пропорциональности, зависящ ий от уровня
леги ровани я полупроводниковых областей; т — показатель: т е
^ [ 7 з ; V2], причем т = У 2 соответствует ступенчатому, а т — Уз —
линейному переходу. О стальны е значения т , входящ ие в у к а з а н ­
ное множество, соответствуют реальным распределениям примеси,
в том числе гауссову и по функции ошибок.
В табл. 1.7 д аны значения удельной емкости переходов интег­
рального транзистора со скрытым слоем iг без него, с подложкой
p -типа ( р = 5 О м - с м ) , гауссовым распределением примеси в базе
(ширина 0,7 мкм) и распределением примеси по функции ошибок
в эмиттере.
Таблица 1.7
Значения удельной емкости переходов интегрального транзистора

СКп(без Л+-СЛОИ),
и, в С эб, пФ/мм» С бк , пФ/мм* ^ки(с я^ -слоем ),
иФ/мм* пФ/мм2

0 1400 300 260 190


5 1000 120 90 60
10 — 90 55 40

Эмиттерный переход о б л а д а ет наибольшей удельной емкостью,


но малы ми н ап ряж ени ем пробоя и добротностью. Базовы й переход
используется д л я ф орм ирования Д К наиболее часто. Пример кон­
струкции такого конденсатора приведен на рис. 1.22. П ар ам етр ы
диффузионных конденсаторов на этих переходах приведены в
табл. 1.8. Значения максимальной емкости даны ориентировочно
в предположении, что площ адь всех конденсаторов И М С не пре­
вы ш ает 20— 25% площ ади кри сталла. Н едостатком Д К является
необходимость обеспечения строго определенной полярности (см.
рис. 1.21), т ак как условием их нормальной работы является о б р а т ­
ное смещение р-п-перехода.
М Д П - к о н д е н с а т о р ь т . Их конструкция представлена на
рис. 1.23. Н ижней обкладкой служит эмиттерный л+-слой, в ерх­
н е й — пленка А1, диэлектриком — тонкие слои S i 0 2 или SisN4. П о ­
25
следний предпочтителен вследствие большей емкости Со (диэлек­
трическая проницаемость е нитрида выше, чем окисла крем н ия), но
S i 0 2 более доступен. Толщ ина д и эл ектри ка составляет 0,05—
0,12 мкм. П а р ам етр ы М Д П -конденсаторов приведены в табл. 1.8.
Недостатком М Д П -кон д ен саторов в составе биполярных И М С яв-

Рис. 1.22. Конструкция интеграль­ Рис. 1.23. Конструкция интеграль­


ного диффузионного конденсато­ ного М Д П -конденсатора:
ра: 1 —■верхняя обкладка; 2 — алюминие­
1 — алюминиевый вывод от верхней о б ­ вый вывод от нижней обкладки; 3 —
кладки конденсатора; 2 — алюминие­ подлож ка р-тнпа; 4 — коллект орная
вый вывод от нижней обкладки кон­ п-область; 5 — /г+-слой (ннжняя об­
денсатора; 3 — пленка золота (контакт кладка к онденсатора); 6 ~ тонкий оки­
к п одлож ке); 4 — подлож ка р-типа; сел (диэлектрик к онденсатора); 7 —
5 — коллекторная n -область (ннжняя толстый окисел
обкладка конденсатора); 6 — базовая
p-область (верхняя обкладка конден­
сатора); 7 — пленка окнсла кремния

Т а б л и ц а 1.8
Параметры интегральных конденсаторов
Максимальная

£ X
С тах- пф

Тип Удельная Допуск 8, Пробивное Доброт­


1 емкость

конденсатора емкость С0) напряжение ность*


пФ/мм % U„nt
пр’
ВJ

Д К на переходах:
Б -К 1 50(350)** 300 ± 15ч-20 - 1 , 0 33— 70 50— 100
Э— Б 6 00(1 0 0 0 )* * 1200 ±20 - 1 , 0 7— 8 1— 2 0
к -п 1 00(250)** — ± 15-Г-20 — 35— 70 —
М ДП с диэлектри­
ком:
S i0 2 400— 600 500 ±20 0 ,0 1 5 33—53 25—80
Si3N4 800— 1600 1200 ±20 0 ,0 1 50 2 0 — 1 00
Тонкопленочные с
диэлектриком:
S i0 2 500—800 653 ±20 ±3 20— 40 13— 100
Si3N4 3000—5500 4500 ±20 2—5 23 10— 10!)

* Д ля Д К на частоте I МГц, для М ДП и тонкоплеиочиых конденсаторов иа частоте


10 МГц.
** В ск обках указаны значения С0 для вертикальных (боковых) стеиок р-га-перехода.

26
л я е т с я необходимость введения дополнительной операции со зд а­
ния тонкого д иэл ектри ка и еще одной фотолитографии.
Т о н к о п л е н о ч н ы е М Д М - к о н д е н с а т о р ы . В совмещен­
ных И М С мож но сформ ировать плоские М Д М -конденсаторы в ми­
ниатюрном исполнении. Они состоят из двух м еталлических слоев,
разделенны х слоем д и электри ка (см. гл. 3). В качестве об кл ад о к
используют А1 или Та, в первом случае диэлектриком служ ит А120 з,
во втором — Т а 2Об. Д и э л ектри ч еск ая посто­
ян н ая Т а2Об на порядок выше, чем у боль­
шинства других диэлектриков, но окисел п
та н тал а не применяют в ИМС, работаю щ их п+
т. 1*
н а высоких частотах. М ДМ -конденсаторы ,
т а к ж е как и М Д П -конденсаторы , работаю т
при любой полярности. Их недостатком по
сравнению с диффузионными кон ден сатора­
ми является необратимый отказ в случае 1 п+
пробоя диэлектрика. п \
Соединения и контактные площ адки. С о- , . p - si )
е д и н е н и я . Элементы И М С электрически
соединены м еж д у собой с помощью ал ю м и ­ Рис. 1.24. Конструкция
ниевой разводки толщиной до 0,8 мкм. К ог­ диффузионной перемыч­
д а в однослойной разводке не удается и збе­ ки
ж а т ь пересечений, применяют диф ф узион ­
ные перемычки (рис. 1.24). Речь идет об изоляции двух взаимно
перпендикулярны х проводников, первый из которых разм ещ ен по­
верх защ итного окисла, второй «подныривает» 'под него в виде у ч а ­
стка п+-слоя. Этот участок имеет заметное сопротивление (3—
5 О м ), вносит дополнительную паразитную емкость и зан и м ает
сравнительно большую п л о щ ад ь (для него требуется о тд ел ьн ая

Рис. 1.25. Конструкция соединений (а) и контакт­


ной площ адки (б) ИМС

изолированная о б ласть), поэтому диффузионной перемычкой .поль­


зуются в исключительных случаях. Д иф ф узионны е перемычки не
применяют в цепях питания, в которых протекают достаточно боль­
шие токи.
К о н т а к т н ы е п л о щ а д к и . К онтактные площ адки ( К П ),
расп о л агаем ы е обычно по периферии полупроводникового кр и ста л ­
27
ла, с л у ж а т д л я создания соединений полупроводниковой схемы с
выводами корпуса с помощью золотых или алюминиевых прово­
лочек методом термокомпрессии. Д л я К П используют тот ж е м а те­
риал, что и д л я создания разводки (чащ е всего алю миний); К П ф ор ­
мируют одновременно с созданием разводки. Д л я предотвращ ения
зам ы к ан ий К П на подлож ку в случае нарушения целостности
окисла при термокомпрессии под каж д ой К П формирую т изоли­
рованную область (за исключением КП, соединенных с проводни­
ками, имеющими контакт с п одлож кой). Конструкция К П приве­
дена на рис. 1.25.
Рис. 1.26, Фрагмент тополо­
гии ИМС с фигурами сов­
мещения

Фигуры совмещения. Фигуры совмещения являю тся вспомога­


тельными элементами ИМ С, необходимыми д ля точного выполне­
ния операции совмещения рисунка ф отош аблона при ф отолитогра­
фии с рисунком ранее созданных слоев. Число фигур совмещ ения
на единицу меньше числа операций фотолитографии, использован­
ных при изготовлении И М С (рис. 1.26). Фигуры совмещения могут
иметь различную форму (рис. 1.27, а — д ) .

§ 1.2. Изоляция элементов и технологические


процессы производства ИМС

Д л я нормальной работы И М С необходимо, чтобы элементы или


группы элементов были разм ещ ены в электрически изолированных
друг от д руга областях. Эти области долж ны иметь следующие
электрические и физические свойства: нап ряж ени е пробоя изоляции
более высокое, чем нап ряж ени е питания ИМС; м алу ю паразитную
28
емкость, небольшие токи утечки, высокую теплопроводность, бли­
зость коэффициента термического расш ирения (К Т Р ) изолирующей
области к К.ТР кремния, большую радиационную стойкость, малую
площ адь, отводимую под изоляцию.
Изоляция с помощью р-п-переходов. В § 1.1 были приведены
данны е о конструктивно-технологическом исполнении и некоторых
хар актери сти ках элементов И М С на биполярных транзисторах,
выполненных способом изоляции элементов с помощью обратно
смещенных р-п-переходов (диодная и зо ляция).
Д л я формирования любого элемента полупроводниковой ИМ С
и создания ее конструкции обычно достаточно трех р -п -переходов
и четырех слоев двух типов электропроводности. И зо л яц и я обеспе­
чивается р-п-переходом м еж ду подложкой и коллекторными о б л а ­
стями элементов И М С (рис. 1.28). При подаче отрицательного по­
тенциал а_на подлож ку и золирую ­
щий переход см ещ а ет ся- в о б р а т ­
ном н ап р ав л ен и и 1Г карм ан ы «-ти­
па, в которых разм ещ ены элем ен ­
ты ИМС, оказы ваю тся окр уж ен ­
ными со всех сторон областью р-
типа и изолированными друг от
друга обратно смещенными р-п-
-СГ \ПсиЛШХХ!.
переходами, сопротивление кото­
рых по постоянному току велико. Рис. 1.28. И золяция двух интеграль­
Х арактеристики изоляции могут ных транзисторов с помощью р-п-пе­
ухудш аться з а счет паразитны х реходов
емкостей и токов утечки, особенно
при работе на высоких частотах и в т яж ел ы х эксплуатационны х ус­
ловиях (повышенные тем пературы ). Несмотря на это, метод диод ­
ной изоляции является распространенным. -
Сокращ енны й м а рш рут изготовления И М С с изоляцией э л е ­
ментов обратно смещенными р -п -переходами методом п л а н ар н о ­
эпитаксиальной технологии представлен на рис. 1.29. И з рисунка
видно, что операция изоляции элементов осущ ествляется группо­
вым методом, органически сочетается с технологией изготовления
И М С в целом и реализуется проведением разделительной (изоли­
рующей) дифф узии на всю глубину эпитаксиального слоя.
Рассм отрен н ая технология позволяет получать необходимую
степень легирования коллектора и подложки независимо друг от
друга. При выборе высокоомной подложки и не очень высокоомно­
го эпитаксиального слоя (коллектора) можно обеспечить оп тим ал ь­
ные емкости перехода коллектор — база и его нап ряж ени е пробоя.
Н али ч и е эпитаксиального слоя позволяет точно регулировать тол­
щину и сопротивление коллектора, которое, однако, остается д оста­
точно высоким (70— 100 О м ). Снижение сопротивления коллектора
достигается созданием скрытого п+-слоя путем диффузии в р-под-
л о ж к у примеси «-типа перед наращ иванием эпитаксиального слоя.
Изоляция диэлектриком. Д иэл ектри ч еск ая изоляция позволяет
создавать ИМ С с улучшенными характеристиками по сравнению
29
77У7771______ tZZZ
P P
\______ ___________ ©,

77777J
V
ч 17/
J
77; V V J

+S*
' ©, ._______________' © , ©

pn щ
&Ш=±п
2Z Z Z ^71 Г У /У У /Л ^ //.! 177
n

© p ©

Рис. 1.29. Последовательность операций планарно-эпитакси­


альной технологии производства биполярных полупроводнико­
вых ИМС с изоляцией элементов /?-я-переходами:
/ — механическая обработка поверхности рабочей стороны Si пласти­
ны p -типа д о 14-го класса чистоты и травление в п арах НС1 для
удал ен и я наруш енного слоя; 2 — окисление для создан и я защитной
маскн при диф ф узии прнмесн л-типа; 3 — фотолитография для вскры­
тия окон в окисле и проведения локальной диф ф узии в м естах форми­
рования скрытых слоев; 4 — диф ф узия для создания скрытого п+ -слоя;
5 — снятие окисла и подготовка поверхности перед процессом эпитак­
сиального наращивания; 6 — формирование эпитаксиальной структуры;
7 — окисление поверхности эпитаксиального слоя дл я создан и я защ ит­
ной маски при разделительной диф ф узии; 8 — фотолитография для
вскрытия окон под разделительную диф ф узию ; 9 — проведение р а зд е ­
лительной диф ф узии н создан и е изолированных карманов; 10 — окис­
ление; / / — фотолитография для вскрытия окон под базовую ди ф ф у­
зию; 12 — формирование базового слоя диф ф узией прнмесн р-типа;
13 — окисление; 14 — фотолитография дл я вскрытия окон под эмнттер-
ную диф ф узию ; 15 — формирование эмнттерного слоя диф ф узней при­
меси л-типа; 16 — фотолитография для вскрытия контактных окои;
17 — напыление пленки алюминия; 18 — фотолитография для создания
рисунка разводки и нанесение слоя защ итного диэлектрика
7///7%Ь
V
zfzzzza 77Л y-r?r-r7/7] rZZ
У. Г\17
п
©
/?+

Рис. 1.30. Последовательность операций технологического про­


цесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с
диэлектрической изоляцией элементов:
1 — структура со скрытым диффузионным слоем на подлож ке я-типа
после операций механической обработки, химического полирования,
окисления, фотолитографии, локальной диф ф узии примеси п-тнпа;
2 — фотолитография для вскрытия окон в окисле перед операцией ло­
кального травления кремния; 3 — травление кремния; 4 — снятие окис­
ла; 5 — нанесение окисла, нитрида нлн карбида кремния; 6 — о с а ж д е ­
ние нз парогазовой фазы слоя высокоомного полнкрнсталлического
кремния толщиной — 200 мкм; 7 — сошлифовыванне монокристалличе-
ского кремния д о получения изолированных диэлектриком карманов и
получение рабочей поверхности высокого класса чистоты; 8 — окисле­
ние рабочей поверхности; 9 — фотолитография для вскрытня окон под
базовую диф ф узию ; 10 — формирование базового слоя; 11 — фотолито­
графия для вскрытия окон п од эмнттерную диф ф узию ; 12 — ф орми­
рование зм иттериого слоя; 13 — фотолитография для вскрытия кон­
тактных окон; 14 — напыление пленки алюминия; 15 — фотолитогра­
фия дл я создания рисунка разводки и нанесение слоя защ итного д и ­
электрика
со схемами, в которых применяется диодная изоляция, а именно:
существенно увеличить нап ряж ени е пробоя изолирующей области,
значительно (примерно на шесть порядков) уменьшить токи утеч­
ки, уменьшить (примерно на два п орядка) п аразитны е емкости и
в результате увеличить рабочую частоту аналоговых и быстродей­
ствие цифровых ИМС, повысить их радиационную стойкость.
Один из технологических м арш рутов формирования ИМ С с д и ­
электрической изоляцией элементов представлен на рис. 1.30. И з о ­
ляция обеспечивается слоем окисла, нитрида или кар би д а кремния
(Si) либо их сочетаниями (позиция 5 и последую щие). Поликрис-
таллический кремний, удельное сопротивление которого составляет
менее 0,01 О м-см, выполняет роль механического основания ИМС.
Основные трудности реали заци и этого способа заклю чаю тся в про­
ведении прецизионного ш лиф ования с исключительно малыми от­
клонениями толщины сош лифованного слоя и высокой дефектности
монокристаллических карм ан ов после механической обработки их
рабочей поверхности. П оликристаллический кремний можно з а м е ­
нить диэлектриком, например ситаллом, керамикой (керамическая
и зо л яц ия), но ввиду несогласованности К Т Р кремния и керамики
этот вар и ан т не обеспечивает требуемой плоскостности пластин
после процессов термической обработки и отличается низким в ы ­
ходом годных изделий. В ИМ С с диэлектрической изоляцией з а ­
труднен теплоотвод от полупроводниковых областей; кроме того,
площ адь, зан и м ае м ая элементами ИМ С, сравнительно большая,
т. е. степень интеграции ИМ С невысока.
Комбинированная изоляция. К о м б инированная__изоляция э л е ­
ментов И М С является компромиссным в а р и а н т о в сочетающим
технологичность изоляции р-п-переходом и высокие качества и зо­
ляц и и диэлектриком. Количество способов этой изоляции очень
велико. Зд ес ь'эл ем е н ты ИМ С со стороны подложки изолированы
обратно смещенным р-я-переходом, а с боковых сторон — д и э л ек ­
триком (окислом, стеклом, керам икой).
ТакихМ образом, изоляция р -^ п е р е х о д о м зам еняется и зо л я­
цией диэлектриком в наиболее уязвимом приповерхностном слое и
с боковых сторон. Н аиб ол ьш ее распространение на сегодняшний
день получили такие способы комбинированной изоляции, как л о ­
кальное окисление (и зоп лан арн ая технология) и вертикальное
анизотропное травление (п ол и п л ан ар н ая технология).
В основе этих технологий л еж и т локальное сквозное окисление
или протравливание тонкого (2— 3 мкм) эпитаксиального слоя
кремния n -типа, в результате чего этот слой оказы вается разд ел е н ­
ным на островки, в которых можно формировать элементы ИМС.
Схема технологического процесса «И зоп л ан ар I» представлена
на рис. 1.31, а — д. М аской при локальном травлении и последу­
ющем окислении кремния служ ит нитрид кремния, скорость окис­
ления которого примерно на порядок меньше, чем у кремния. П р е д ­
варительное перед окислением локальное травление эпи так си ал ь­
ного слоя кремния осуществляют на 60— 65% от общей его толщины,
с тем чтобы о б р азо в ав ш ая ся ка н а вк а при окислении зарос-
32
л а окислом точно до краев, так как удельный объем окисла при­
мерно вдвое больше удельного объема кремния. Это обеспечивает
планарность структуры перед формированием разводки.
Технологический процесс «И зоп л ан ар II» (рис. 1.32, а — г ) по­
зв о л яет уменьшить заним аем ую транзистором ИМ С площ адь на
злог 5i.;Nb 70% по сравнению с 'планарно­
эпитаксиальной технологией и
Q
/
иа 40% по сравнению с процес­
1
сом « И зоп лан ар I». Особенно­
1 П- 7Т/л+_ сти конструкции транзистора,
р /
1 \ \ сформированного по техноло­
с; \ \ /
J 2 7 гии «И зоп л ан ар I», за к л ю ч а ­
ются в следующем: вывод кол­
С г х и 1 лектора отделен от базы и
j [ п~ ) {
\ р
6} 5iOz
"7F~
Р V//y^ р р т р
а)
п~ Уг п+
с
3)

JT

Р и с .'1.31. П оследовательность опе­ Рис. 1.32. П оследователь­


раций технологического процесса ность операций технологиче­
«И зопланар I»: ского процесса «И зопла­
а — структура со скрытыми слоями нар II»:
после проведения фотолитографии по а — структура со скрытым сло­
слоям окисла и нитрида кремния; б — ем и пленкой нитрида кремния;
травление кремния; в — формирование б — фотолитография по нитриду
разделительного окисла; г — формиро­ и локальное травление кремния;
вание коллектори методом диффузии; в — формирование толстого изо­
д — формирование других областей ак ­ лирующего окисла; г — удал е­
тивных и пассивных элементов мето­ ние маски иитрида кремния и
дами планарной технологии формирование элементов в изо­
лированных областях методом
планарной технологии

эмиттера слоем изолирующего толстого окисла и помещен в отдель­


ную область; уменьшение числа фотошаблонов, так как базовую
дифф узию можно проводить по всей поверхности полупроводнико­
вой структуры, не формируя базовых окон.
2 -4 4 9 33
Особенностями технологического процесса «И зопланар II» я в л я ­
ются: снижение требований к допускам при изготовлении ф ото ш аб ­
лонов и к точнности их совмещения при фотолитографическом
вскрытии окон под коллекторную и эмиттерную дифф узии, посколь­
ку неточности приходятся на область разделительного толстого
окисла и не влияют на окончательный результат; сформирован при­
стеночный эм итт ер,‘больш ая часть боковых-стенок которого изоли­
рован а разделительны м окислом, что позволяет получить тран зи с­
торы с более высоким коэффициентом усиления.

Рис. 1.33. Уменьшение размеров ИМС, сформированных с применением пла*


нарно-эпнтаксиальной технологии (а), технологий «И зопланар I» (б) и «И зо­
планар II» (в)

Современные биполярные Б И С и С Б И С , изготовляемые в ос­


новном способами комбинированной изоляции, об ладаю т достаточ­
но высокими характери сти кам и изоляции. Преимущ еством этой и зо­
ляции является возможность достижения высокой степени интегра­
ции ИМ С, которую иллю стрирует рис. 1.33, а — в.

§ 1.3. Конструирование и расчет параметров


элементов ИМС на биполярных транзисторах

К а к правило, при р азр а б о тк е И М С производят расчет геомет­


рии пассивных элементов биполярных И М С (резисторов и конден­
саторо в), а конструкции транзисторов и диодов выбираю т из банка
данны х по этим элементам , имеющегося на данном предприятии,
применительно к одной (или нескольким) базовым технологиям.
При строгом соблюдении режимов базовой технологии вер ти кал ь ­
ную структуру элементов можно считать заданной. В этом смысле
расчет резисторов и конденсаторов п ривязан к базовой технологии
(заданы поверхностные концентрации, глубины залегани я р-я-пере-
х о д о в и д р .).
Конструирование и расчет параметров резисторов. Исходными
данны ми д л я расчета геометрических разм еров интегральных по­
34
л упроводниковы х резисторов являются: задан н ое в принципиаль­
ной электрической схеме номинальное значение сопротивления R и
допуск на него AR\ поверхностное сопротивление легированного
слоя ps, на основе которого формируется резистор; среднее зн ач е­
ние мощности Р и максимально допустимая удельная мощность
р ассеяния Р о; основные технологические и конструктивные огран и ­
чения.
Топология интегральных полупроводниковых резисторов пред­
ставл ена на рис. 1.15. Х арактеристики резисторов зави сят от того,
какой слой транзисторной структуры использован в качестве рези ­
стивного (см. табл. 1.5).
П о л н ая относительная погрешность сопротивления д иф ф узио н ­
ного резистора определяется суммой погрешностей:

AR / R — ДЛ'ф/Л''ф- f Aps/ps -\-a RA T ; ( 1 .1 )


К ф = 1 /Ь = R/Ps, ( 1.2 )
где /<ф — коэффициент формы резистора; АКф/Кф — относительная
погрешность коэффициента формы резистора; Aps/ps — относитель­
н ая погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопро­
тивления легированного слоя, д ля типовых технологических процес­
сов A p s/p s = 0 ,0 5 -^ 0 ,l; ал — температурный коэффициент сопро­
тивления резистора (см. табл. 1.5); ад Д Т — тем пературн ая погреш­
ность сопротивления. П ринимаем, что интегральный полупроводни­
ковый резистор в сечении, перпендикулярном направлению п ротека­
ния тока, имеет прямоугольную форму.
Р асчет геометрических разм еров интегрального полупроводни­
кового резистора начинают с определения его ширины. З а расчетную
ширину Ьрасч резистора принимают значение, которое не меньше
наибольшего значения одной из трех величин: ЬТехп, Ьточн, ЬР, т. е.
^расч5?г п а х {^Texui Ь10ЧН, ЬР}, где ЬТехн — м и ним альная ширина рези­
стора, оп ределяем ая разреш аю щ ей способностью технологических
процессов; ЬТОЧн — м и н им альн ая ширина резистора, при которой
обеспечивается зад а н н а я погрешность геометрических разм еров;
ЬР — м и ним альная ширина резистора, опред ел яем ая из м а к си м ал ь ­
но допустимой мощности рассеяния.
Величину Ьтехн находят из перечня технологических ограниче­
ний выбранной технологии (например, д л я план ар н о-эп и таксиал ь­
ной технологии Ьтехн= : 5 м км ).
Ш ирину Ьточн определяют из вы раж ен и я ■
^Тточн
ОЧН (Д b -j- Д//Л’ф) А'ф/ДЛ'ф, (1.3)

где А6 и АI — абсолютные погрешности ширины и длины резистив­


ной полоски, обусловленные технологическими процессами.
Д л я типовых технологических процессов (АЬ = А / = 0 , 0 5 ч -
0,1 мкм)
Д-Кф/^ф—ДRlR APs/Ps—а/?ДГ . (1.4)
35
Ш и р и н у bp о п р е д е л я ю т и з в ы р а ж е н и я

Р
Ьр = (1.5)
Р (/<ф ’

где P q— максимально допустим ая удельная мощность рассеяния,


в ы б и раем ая в зависимости от типа корпуса микросхемы и условий,
ее эксплуатации в пределах 0,5—4,5 В т/мм2.
Д л я составления чертеж а топологии следует вы брать шаг коор­
динатной сетки. Его вы бираю т равным 0,5 или 1 мм (допускается
0,1 или 0,2 мм) . З а д а в а я с ь .м а с ш т а б о м 1 0 0 : 1, 200: 1, 300: 1_ и т. д.,
определяю т шаг координатной сетки д л я фотош аблона, затем про­
межуточное значение ширины резистора:

( 1.6 )
где Дтрав— погрешность,-вносимая за счет растравл иван и я окон в
маскирую щем окисле перед диффузией (для типовых технологиче­
ских процессов Дтрав = 0,2 -f-0,5 м км); Ау —-погрешность, вносим ая
за. счет ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел в бо­
ковую сторону (ориентировочно Ду составляю т 60% глубины б а ­
зового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).
Д а л е е н аходят топологическую ширину резистора Ьтоп (ширину
на чертеже топологии) и реальную ширину резистора иа к р и сталл е
после изготовления ИМС.
Если Ьдром^Ьтехн, то за bтоп принимают равное или б л и ж а й ш ее
к Ьпром большее значение, кратное шагу координатной сетки, при­
нятому д л я чертеж а топологии.
Р е а л ь н а я ширина резистора на кристалле

b — b lQU-f- 2 (Дтрав -{- Ду). (1.7)

Если в &Пром<&тех1ь то за bTоп принимаю т равное или б л и ж а й ­


шее к bтехн большее значение, кратное ш агу координатной сетки.
Р еальную ширину резистора на кристалле определяю т так же, к а к
и в первом случае.
Расчетную длину резистора определяю т по формуле

v . . = ь (Я/Ps — я 1^1 — f h h ~ 0,55JVII3r), ( 1.8)


где A W — количество изгибов резистора на угол л / 2 ; k\, к2 — по­
правочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных
областей резистора (рис. 1.34, а — е й 1.35, а — г), зависящ ее от
конфигурации контактной области резистора, соотношения р а з м е ­
ров контактного окна L b контактной области L2 и реальной ширины
резистора b с каж д ой его стороны; п\ и по — число контактных пло­
щ адок (обычно п = 2 ).
Следует учитывать, что реальн ая длина резистора I на к р и стал ­
ле будет меньше топологической длины /топ на чертеж е топологии
за счет увеличения геометрических р азм еров контактных областей
36
резистора с обоих кондов в результате боковой диффузии. Поэтому
сн ач ал а оценивают промежуточное значение длины резистора
Aij-ou = ^расч "4" ^ чравН- .• (1-9)

З а топологическую длину резистора /топ принимают ближ айш ее


к /пром значение длины, кратное ш агу координатной сетки, приня­
тому д ля чертеж а топологии.

Рис. 1.34. Линии тока и эквипотенциальные поверхности в резистивном


слое:
а — при изгибе резистора под прямым углом; б — у металлического контакта; в —
у металлического контакта плнч-резисгора

ЗМ?-ч)

! : ! ! 1
1 1 ! ! 1чПг
W i г
/ К
/ I л-
V

О 0.750.500,75L,./Ь 1,0 2,0 3,0 i 2/b 1,0 7,0 3,0 Lz /b 0 2 4 6 8 b/!.2


I) 5) В) г)
Рис. 1.35. Значения коэффициентов /г( и k2 для расчета диффузионных ре­
зисторов при различных конструкциях контактных областей:
а, г — для низкоомных резисторов; б, в — для высокоомных резисторов

Р е а л ь н а я длина резистора на кристалле


/ = / Т0„ - 2 ( Д трав + Д//). (1.10)
Отклонение разм еров резистивной области за счет погрешно­
стей Дтрав и Ду следует обязательно учитывать при определении
величин L\ и L 2 и выборе коэффициентов k x и k 2.
37
При окончательном определении топологических значений Ьтоп
и /тол рассчитывают сопротивление спроектированного резистора
и погрешность, используя реальные значения ширины и длины р е­
зистора на кристалле. При необходимости увеличиваю т ширину
пли длину резистора до значения, даю щ его приемлемую погреш­
ность.
Сопротивление резисторов, показанны х на рис. 1.15, определяю т
по формулам :
д ля резисторов рис. 1.15, а, б, г, д
R = P s ( U b + 2k); (1.11)

д л я резистора рис. 1.15, в


R = ?s b-\-2>k\\ (1-12)

д л я резистора рис. 1.15, е


R ~ P s {h lb -\-2 k —
)—0,5БДА„ЗГ), (1-13)

где {х — су м м арн ая длина прямолинейных участков;


д л я пинч-резистора рис. 1.15, ж
R = ?sklb + Ps l(/i + h)lb + 2*1, (1.14)
где p s ' — поверхностное сопротивление базового слоя, ограничен­
ного эмиттерным слоем; ps — поверхностное сопротивление б а зо ­
вого слоя.
Конструирование и расчет параметров конденсаторов. И сходны ­
ми д аиньш и д ля расчета конденсаторов являются: необходимое з н а ­
чение емкости С и допуск на него А С; рабочее нап р яж ени е U, В;
интервал рабочих тем ператур АТ, °С; р аб о ч ая частота /, Гц; основ­
ные технологические и конструктивные ограничения. При расчете

5) в)

Р________________ 1
г) Ю
Рис. 1.36. Структуры конденсаторов полупроводниковых ИМС на основе
переходов Э — Б (а), К — Б (б), К- - П (в), параллельно включенных пе-
реходов Э — Б и К — Б ( :), М Д П -конденсатора (д)

необходимо вы брать тип и конструкцию конденсатора, определить


его геометрические разм еры , зан и м аем ую площадь. Н а рис. 1.22,
1.23, 1.36, а — д представлены структуры конденсаторов полупро­
водниковых ИМ С, их характеристики д ан ы в табл. 1.8.
38
Емкость диффузионного конденсатора прямоугольной формы
на основе обратно смещенного р-я-перехода
С = С лон-\-Сбок= С 0аЬ-{-Соб(а-{-Ь) Xj, ( 1- 15)
где С о и С об — удельные емкости донной и боковых частей р-п-пе­
рехода; а, b и Xj — геометрические разм еры р-м-перехода.
Соотношение сл агаем ы х зависит от отношения а/b. О п ти м ал ь ­
ным является отношение a / b — 1, при этом доля «боковой» емкости
оказы в ается минимальной. Д л я курсового проектирования д о ста­
точно определить С0 и С0б из табл. 1.8.
По зад ан н ы м значениям С, С0, С0б, Xj находят геометрические
разм еры конденсатора квадратной формы; если д л я топологии
И М С требуется конденсатор прямоугольной формы, то один из р а з ­
меров прямоугольника выбирают, исходя из конструктивных со­
ображений. Р асч ет еще более упрощается, если значением Сбок
мож но пренебречь. Д л я расчета ДС необходимо учесть погрешно­
сти технологии при выполнении геометрических разм еров д и ф ф у ­
зионных слоев и отклонения емкости от номинального значения за
счет изменения температуры.
Емкость М Д П -ко н д ен сатор а определяется вы раж ением
C = 0 , 0 8 8 5 e S / d = C 0S , (1.16)
где е и d — относительная диэлектрическая проницаемость (для
SiOg 8 = 4 ) и толщ ина диэлектрика; С0 — у дельн ая емкость (см.
табл. 1.8 ); 5 — п лощ адь верхней обкладки конденсатора.
Р аб очее н ап р яж ени е М Д П -кон ден саторов (обычно 10— 50 В)
ограничено напряж ением пробоя диэлектрика, которое рассчиты ва­
ют по ф ормуле Unp= E npd, где Е пр — электрическая прочность д и ­
электр и ка (для S i 0 2 £ n p -= 1 0 7 В /см ). При расчете геометрических
разм еров М Д П -ко н д ен сатор а зад аю тся d, определяю т Со и рассчи­
ты ваю т площ адь верхней обкладки.
М Д М -конденсаторы совмещенных ИМ С рассчитываю т а н а л о ­
гично пленочным конденсаторам ГИМ С (см. гл. 3).
При вычерчивании ч ертеж а топологии конденсаторов их р азм еры
корректирую т с учетом ш а га координатной сетки.
Конструирование и выбор структуры интегральных транзисто­
ров. Процесс проектирования п ланарны х транзисторов состоит из
следующих этапов: д л я данной серии ИМ С или нескольких серий,
исходя из быстродействия, потребляемой мощности, необходимой
степени интеграции, за д а ю т электрические п арам етры транзисторов
как базовых элементов ИМ С; выбираю т технологию производства
ИМ С, п арам етры м а т ер и ал а подложки и эпитаксиального слоя, при ­
ближенно оценивают основные разм еры конструкции транзисторов
в плане и в сечении, проводят расчет электрических п арам етров
транзисторов и, если они существенно отличаются от заданны х, пу­
тем ступенчатого изменения конструктивных разм еров и последу­
ющих расчетов подбирают геометрию всех областей транзисторной
структуры, не выходя за рам ки технологических ограничений. З а ­
тем осущ ествляю т экспериментальную проверку проведенной р а б о ­
39
ты: р а зр а б а т ы в аю т комплект фотошаблонов, выпускают опытные
партии транзисторных структур и измеряю т их характеристики. Ес­
ли парам етры транзисторов отличаются от заданных, то методом
последовательных приближений путем изменения разм еров т р а н ­
зисторных областей и их характеристик, корректировки режимов
технологических процессов добиваю тся необходимого соответствия
параметров.
Расчет транзисторов сложен, трудоемок, без применения ЭВМ
практически невыполним, точность его невысока. Поэтому часто
этап расчета конструкции транзисторов опускают, акцентируя вни­
мание на экспериментальном этапе. При этом на предприятии, вы ­
пускающем ИМС, формирую т банк интегральных транзисторов с
широким спектром характеристик. При таком подходе зад ач а кон­
структора ИМ С состоит в подборе конкретных типов интеграль­
ных транзисторов для данной ИМ С в соответствии с ее электриче­
ской схемой.
С начала выбираю т физическую структуру различных областей
транзистора. Удельное сопротивление подложки долж но быть боль­
шим (1 — 10 О м -с м ), что обеспечивает высокое нап ряж ени е пробоя
и малую емкость обратно смещенного р-п-перехода коллекторной
подложки.
При выборе уровня легирования коллекторной области (эпи так­
сиального слоя) необходимо выполнить ряд противоречивых требо­
ваний: д ля получения малого последовательного сопротивления
коллектора уровень его легирования д олж ен быть высокий, а для
получения малой емкости и высокого н ап ряж е н и я пробоя перехода
б а з а — коллектор — низкий.
Обычно удельное сопротивление эпитаксиального слоя в ы б и р а­
ют равным 0,1— 0,5 О м -см , а толщину — в пределах 2— 15 мкм.
И спользование тонких эпитаксиальны х слоев (до 3 мкм) позволяет
уменьшить паразитны е емкости и увеличить плотность разм ещ ения
элементов. В структурах со скрытым п+-слоем и подлегированием
области коллекторного контакта последовательное сопротивление
коллектора составляет 10— 50 Ом.
При выборе уровней легирования базовой и эмиттерной о б л а ­
стей необходимо та к ж е учитывать несколько противоречивых т р е­
бований. Так, д л я уменьшения паразитного сопротивления между
активной областью базы и контактом к базе следует увеличивать
уровень легирования базы. О днако это приводит к снижению э ф ф ек ­
тивности эмиттера и уменьшению нап ряж ени я пробоя перехода б а ­
з а — эмиттер. Кроме того, поверхностная концентрация примеси в
базовом слое не д олж на быть меньше 5 - 10 16 см-3, так как на по­
верхности этого слоя возможно образован ие инверсного проводящ е­
го к ан ала п -типа, индуцированного встроенным зар я дом в окисле.
Высокий уровень легирования эмиттера необходим для получе­
ния большого коэффициента инжекции. О днако при уровнях л еги ­
рования эмиттерной области, достигающих предела растворимости
примеси в кремнии, в кристаллической решетке образую тся точеч­
ные и линейные дефекты, которые значительно уменьш аю т время
40
ж изн и носителей за р я д а , что, в свою очередь, приводит к умень­
шению коэффициента инжекцни.
Частотные характеристики транзисторов зави сят в основном от
паразитны х емкостей переходов н последовательных сопротивле­
ний его областей. Влияние паразитны х парам етров уменьшают
конструктивно за счет м акси м альн о возможного уменьшения гео­
метрических разм еров транзистора.
После выбора физической структуры выбирают конфигурацию
транзистора. Поскольку характеристики в значительной степени
зависят от разм еров различны х областей транзистора, нужно учи­
тывать, что периметр эмиттера определяет токовые характеристики
транзистора, п лощ адь эмиттера — частотные характеристики, пло­
щ адь базы — емкость перехода б аза — коллектор и распределенное
сопротивление базы, п лощ адь коллектора — е.мкость перехода кол­
лектор — подлож ка и последовательное сопротивление коллектора.
В м алом ощ ны х (0 ,3 < c P < c 3 мВт) и микромощ ных ( 1 < Р < С
< 3 0 0 мкВт) цифровых И М С разм еры всех областей транзистора
стремятся выполнить минимальными, на пределе возможностей
технологии, хотя это мож ет привести к снижению выхода годных
изделий.
Обычно анализирую т несколько типовых конфигураций тран зи с­
торов, представленных на рис. 1.37, где сплошными линиями обо­
значены границы диффузионных областей, а пунктирными — г р а ­
ницы вскрытия окон в пленке двуокиси кремния д ля последующего
ф ормирования металлических контактов. Д л я микромощ ных схем
наиболее пригодна полосковая конструкция тран зи стора (рис.
1.37, а, в).
Взаимное располож ение контактов к различным областям т р а н ­
зисторной структуры вы бираю т в зависимости от конкретного топо­
логического рисунка микросхемы и удобства располож ени я вы во­
дов транзистора. Если необходимо получить м алое сопротивление
коллектора, применяют транзисторы с увеличенной контактной об ­
ластью к коллектору (рис. 1.37, б, г — ж). Д л я получения малого
сопротивления базы и высокого коэффициента усиления использу­
ют конструкции с двум я контактами к базовой области (рис.
1.37, ж ) . М ногоэмиттерные транзисторы (рис. 1.37, з — к) п рим еня­
ют во входных цепях схем транзисторно-транзисторной логики
(Т Т Л ). Конструкция, п о казан н ая на рис. 1.37, м, используется при
формировании двух (или более) транзисторов, имеющих один ако­
вый потенциал на коллекторе.
Транзисторы средней ( 3 < Р < 2 5 мВт) й большой ( 2 5 < Р <
< 2 5 0 мВт) мощностей работаю т в реж им ах высоких плотностей
эмиттерного тока (200— 3000 А /см2). Поэтому в мощных схемах це­
лесообразны узкие эмиттеры с.большим периметром.
Топологию мощного тран зи стора р а зр а б а т ы в а ю т так, чтобы
обеспечить м аксим альное отношение периметра эм иттера к его пло­
щади. Это значительно увеличивает активную область транзистора
и обеспечивает достаточно большой рабочий ток без увеличения
разм еров всей структуры. Н а рис. 1.3 представлена топология мощ-
41
пого транзистора с эмиттерной областью, выполненной в виде гре­
бенки с зубцами, расположенными по одну сторону от общей пере­
мычки. Контакты эмиттера и базы располагаю тся рядом и чере­
дуются. Возможны и другие варианты топологии эмиттерной области.
\ а к н е транзисторы используют в выходных к а ск а д а х ИМС,
когда требуется обеспечить достаточно большие мощности.
Отметим, что усложнение конструкции транзисторов повышен:
пои мощности приводит к ряду н еж елательны х эффектов. Так, в
результате технологического разб роса парам етров отдельные эле-

141,5

Щ15 10

!? ш\
itfl!

- М —/-*1----« 5----

177,5
100

--------»-

1T I lT IT Z
ii i
j
i f щ ii!
i t-f- * 1 1"•
t-U -i' 4
iiL
jji г
~iJ — - — -- Ti f
Iщ \10
«Гр
-I г ?5
д) e)

Рис. 1.37. Б анк данных о топологии интегральных биполярных транзисто­


ров: одноэмнттерных (а — ж)\ многоэмиттерных (з — л ) \ с общим кол­
лектором (м )
менты тран зи стора имеют различны е сопротивления и входят в р е­
ж и м насы щ ения не одновременно. Это приводит к перегрузке низ-
"коомных элементов.
- Д л я формирования транзисторов типа р-п-р одновременно с
транзисторам и типа п-р-п в одном технологическом процессе ис­
пользуют л ате р ал ьн ы е структуры (см. рис. 1.6, 1.7), в которых кол-

Рис. 1.37. Продолжение

43
лекторную область распол агаю т вокруг эм иттера д ля увеличения
коэффициента усиления.
Конструирование и выбор структуры диодов ИМС. Б а н к д а н ­
ных диодных структур, выполненных по планарно-эпитаксиальной
технологии, представлен на рис. 1.38, а — в. Диоды, сф орм ирован ­
ные на основе перехода эмиттер — б аза (см. рис. 1.11), х арактер и ­
зуются наименьшими значениями обратного тока за счет самой м а ­
лой площ ади и самой узкой области объемного зар я д а . Обычно
структурам диодов соответствуют обратные токи в п ределах 0, 1—
50,0 мА (см. табл. 1.3).

110
50 ,
15

I+ 1
J_
___
Г- Г

I го ,20
■w 12,5 12,5
117,5 'шь ■^г
О) с) в)
Рис. 1.38. Б анк данных о топологии интегральных диодов: на переходе Б — К
(а, б), на переходе Б — Э (в)

Н аименьш ей паразитной емкостью ( ~ 1 , 2 пФ) т а к ж е об ладаю т


диодные структуры на основе перехода эмиттер — база. Д л я других
структур значение паразитной емкости порядка 3 пФ.
Бы стродействие диодов кроме паразитной емкости х ар а к тер и зу ­
ется временем восстановления обратного сопротивления, т. е. вре­
менем переключения диода из открытого состояния в закрытое.
Оно минимально (около 10 не) для перехода эмиттер — б аза при
условии, что переход коллектор — б аза закорочен (см. рис. 1. 11, а ) ,
так как при такой диодной структуре за р я д н акапл и в ается только
в базовом слое. В других структурах за р я д накапл и вается не то л ь ­
ко в базе, но и в коллекторе и время восстановления обратного
сопротивления составляет 50— 100 не.
И з а н ал и за парам етров диодов мож но заключить, что диод на
основе транзисторной структуры с зам кнутым переходом база —
коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, по­
скольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Д иод на основе
перехода эмиттер — б аза применяют в цифровых схемах в к а ­
честве накопительного диода. Д иоды с замкнутым переходом б а ­
за — эмиттер и диоды на основе перехода б аза — коллектор, и м е­
ющие наибольшие н апряж ения пробоя, могут быть использованы в
качестве диодов общего назначения.
44
§ 1.4. Разработка топологии ИМС

Основой д л я разработки топологии полупроводниковой ИМ С


яв л яю тс я электрическая схема, требования к электрическим п а р а ­
м е тр ам и к п ар ам етр ам активных и пассивных элементов, конструк­
тивно-технологические требования и ограничения.
Р а зр а б о т к а чертеж а топологии вклю чает в себя такие этапы: вы ­
б о р конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМ С;
р азм ещ ен и е элементов на поверхности и в объеме подложки и со­
з д а н и е рисунка разводки (коммутации) меж ду элементами; р а з ­
работку предварительного в ари ан та топологии; оценку качества т о ­
пологии и ее оптимизацию; разр аботку окончательного варианта
топологии. Целью работы конструктора при р а з р а б о т к е топологии
.является минимизация площ ади кри сталла ИМС, миним изация
сум м арн ой длины разводки и числа пересечений в ней.
Конструктивно-технологические ограничения при разработке
топологии ИМС на биполярных транзисторах. Электрофизические
.характеристики и геометрические разм еры вертикальной структуры
элементов ИМС, формируемых по планарно-эпитаксиальной тех­
нологии, приведены в табл. 1.1.
В аж нейш ей технологической характеристикой, определяю щей
гори зонтальн ы е разм еры областей транзисторов и других элем ен ­
то в ИМС, является минимальный геометрический разм ер, который
м о ж е т быть уверенно сформирован при заданном уровне техноло­
гии, например миним альная ширина окна в окисле кремния, мини­
м а л ь н а я ширина проводника, минимальный зазор м еж д у проводни­
к а м и , минимальное расстояние между
к р а я м и эмиттерной и базовой областей и 11б+20э
т. д. Пусть минимальный размер, который
м о ж е т обеспечить технология, равен d. d
Т о гд а разм еры активных областей и сам о­ JCM»
+
го транзистора при минимальной его пло­ ■ъ
‘о Я 1 1
1
щ а д и определятся величинами, приведен­
1
н ым и на рис. 1.39. З а зо р меж ду областью,
зан и м а е м о й транзистором, и другими э ле­
d 1 | d d_
!
м ентами ИМ С больше минимального р а з ­
м е р а d на величину боковой диффузии
---- !
1—

-1
под окисел, которая при разделительной Рнс. 1.39. Соотношение р а з­
д и ф ф у зи и примерно равна толщине эпи­ меров областей транзистора
т ак с и а л ь н о г о слоя dr,. Таким образом, .при со стандартным размером d.
Минимальном разм ере 10 мкм миним аль­
н а я длина транзистора простейшей конструкции будет равна
~ 130 мкм. П ри достигнутом в настоящее время' уровне технологии,
хар актери зую щ ем ся минимальным размером 4 мкм, м и н им альн ая
д л и н а транзистора равна ~ 6 0 мкм. При минимальном р азм ере
1,5— 2 мкм, предельном для оптической фотолитографии, разм ер
т р а н зи с т о р а при d0— 3 мкм составит ~ 2 8 мкм.
П риведенные рассуж дения верны, если сум м арн ая величина
«боковой диффузии при формировании базовой и эмиттерной обла-
45
стсй существенно меньше d. Если это условие не выполняется, то
д ля минимально допустимого топологического зазо р а меж ду д в у м я
диффузионными областями справедливо соотношение
^д.о ^ У\~{~ ^ 2 - Ь 5ф Ч ' ® 1. (1-^7)
где tj\ и г/2 — величины боковой диффузии под окисел; 6ф — с у м м ар ­
ная допустим ая ошибка в положении кр ая окон под диффузию за
счет фотолитографии; ш \ — м акси м ал ь н ая ширина области об ъем ­
ного за р я д а в работаю щ ем приборе.
Приведенное неравенство можно не учитывать при a f = 1 0 мкм
(см., например, рис. 1.40), но при d ^ -Ъ мкм с ним приходится счи­
таться и снижение линейных размеров транзисторов с дальнейш им
уменьшением d будет проходить уж е не столь высокими тем пами.

Si о,

U'
3-

\
V'
Рис. 1.40. В ертикальная структура планарно-эпитаксиального би­
полярного транзистора с двумя выводами базы и кольцевым вы­
водом коллектора, выполненная в масш табе (разводка не пока­
зана):
/ — скрытый п+-слой; 2 — подлож ка р-тнпа; 3 — коллектор (эпитаксиаль­
ный слой); 4 — область разделительной диффузии

lL'Z.—

di
!: п;'л:
djA

Б-:
ш ш

Л ь
г dm *5 d-ig dm d iz

:!:£ fe i: +Еп
т
г
I_____
о'з

Рис. 1.41. Конструктивно-технологические ограничения при разработке то­


пологии ИМС на биполярных транзисторах

46
Конструктивно'технологические ограничения, которые необхо­
димо учитывать при разр а б о тк е топологии И М С на биполярных
транзисторах, приведены на рис. 1.41. Приведем конструктивно-тех­
нологические ограничения при конструировании И М С на б иполяр­
ных транзисторах, выполненных по п лапарно-эпитаксиальиой тех­
нологии с использованием изоляции р-п-переходом.
Минимально допустимые размеры , мкм
Ш ирина линии скрайбирования слоя .................................. 60
Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края
слоя металлизации илн до края диффузионной обла­
сти ................................................................................................... 50— 100
Размер контактных площ адок для термокомпрессионной
приварки проводников d j ....................................................... 100X100
Расстояние меж ду контактными площ адками d2 ................ 70
Размер контактных площ адок тестовых элементов рабо­
чей с х е м ы ...................................................................................... 50X 50
Ш ирина проводника d3:
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 4
при длине ^ 5 0 м к м ..................................... .................... 6
Расстояние меж ду проводниками <£»:
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 3
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 4
Ш ирина области разделительной диффузии d s ................. 4
Расстояние от базы до области разделительной диф ф у­
зии d6 .............................................................................................. 10
Расстояние меж ду краем области подлегирования кол­
лекторного контакта и краем разделительной обла­
сти d7 ............................................................................................... 10
Расстояние меж ду краем разделительной области и к р а­
ем скрытого « +-слоя d g ............................................................ 10
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
коллектору и краем базы d g ................................................ 7
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
базе и краем базы d l 0 ............................................................. 3
Расстояние меж ду эмиттерной и базовой областями d n 3
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
эмиттеру и краем эмиттера d i 2 ............................................ 3
Расстояние меж ду контактным окном к базе и эмитте­
ром d, ................................................................................................ 4
Расстояние меж ду базовыми областями, сформирован­
ными в одном к о л л е к т о р е ....................................................... 9
Расстояние меж ду эмиттерными областями, сформиро­
ванными в одной б а з е ............................................................. 6
Расстояние меж ду контактным окном к коллектору и
областью разделительной диффузии d 14............................ 10
Размеры контактного окна к базе d i .................................. 4X 0
Разм еры контактного окна к эмиттеру d l 6 .......................... 4 X 4 или
3X 5
Ш ирина области подлегирования п + -слоя в коллекто­
ре d l 7 ............................................................................................... 8
Ш ирина контактного окна к коллектору d i 8 ...................... 4
Ширина резистора d ...................................................................... 5
Размеры окна вскрытия в о к и с л е ........................................... 2,5X 2,5
Перекрытие металлизацией контактных окон в окисле к
элементам ИМС d2о .................................................................. 2
Расстояние от края контактного окна к ^ -р а з д е л и т е л ь ­
ным областям для подачи смещения до края области
разделения d2 i ............................................................................. 6

47
Расстояние от края контактного окна к изолированным
областям, л-типа для подачи смещения до края обла­
сти разделения d22 ..................................................................... 6
Ш ирина диффузионной п ер ем ы ч к и .......................................... 3
Размер окна в пассивирующем окисле d23 ...................... 100X 100
Расстояние от края окна в пассивации до края контакт­
ной площадки d 2A........................................................................ 6
Расстояние меж ду соседними резисторами d25 ................... 7
Расстояние меж ду диффузионными и ионно-легнрован-
ными р е зи с т о р а м и ..................................................................... 4
Расстояние между контактной площадкой и проводя­
щей дорожкой d26 ..................................................................... 20
Ш ирина скрытого л + - с л о я ......................................................... 4
Расстояние между контактным» площ адками тестовых
э л е м е н т о в ....................................................................................... 40

Следует об ращ ать особое внимание на размеры топологических


зазоров, так как при неоправданно м алы х их значениях ИМС или
не будет функционировать из-за перекрытия областей структуры
(например, базовой области и области разделительной д и ф ф у зи и )„
или будет иметь искаженные парам етры за счет усиления п ар ази т­
ных связей между элементами. С другой стороны, завыш ение р а з ­
меров топологических зазоров приводит к увеличению площ ади
кристалла.
Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС.
Р а з р а б о т к а топологии И М С — творческий процесс, и его результа­
ты существенно зависят от индивидуальных способностей р а з р а ­
ботчика, его навыков и знаний. Сущность работы по созданию топо­
логии ИМС сводится к нахождению такого оптимального вар и ан та
взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечи­
ваются высокие показатели эффективности производства и каче­
ства ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость,
материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых
электрических параметров заданным. Приводимые здесь п равила
проектирования являю тся обобщением опыта проектирования И М С
на биполярных транзисторах.
К разр або тк е топологии приступают после того, как количество,,
типы и геометрическая форм а элементов ИМ С определены.
Правила проектирования и з о л и р о в а н н ы х об­
л а с т е й . Количество и разм еры изолированных областей о к а зы в а­
ют существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:
1) сум м арн ая площ адь изолирующих р-п-переходов д о л ж н а
быть минимальной, так как их емкость является паразитной. М ини­
мальные разм еры изолированной области определяются геометри­
ческими разм ерам и находящихся в ней элементов и зазорами, ко­
торые необходимо выдерж ивать между краем изолированной о б л а ­
сти и элементами и между самими элементами, размещенными в
одной изолированной ообласти;
2 ) к изолирующим р-я-переходам всегда долж но быть прилож е­
но напряж ение обратного смещения, что практически осущ ествля­
ется подсоединением подложки p -типа, или области р аздели тель­
ной диффузии p -типа, к точке схемы с наиболее отрицательным
48
потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, п рило­
женное к изолирующему р-я-переходу, не долж но превыш ать н а ­
пряж ени я пробоя;
3) диффузионные резисторы, формируемые на основе б а з о в о г о
слоя, можно распол агать в одной изолированной области, которая,
подключается к точке схемы с наибольшим полож ительным п о­
тенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадках
ИМ С, на которую подается нап ряж ени е смещения от коллекторного'
источника титания (рис. 1.42, а, б);

Рис. 1.42. Принципиальная электрическая схема цифровой ИМС на токовы х


ключах (а) и преобразованная электрическая схема для составления эскиза-
топологии (б)

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев сл е­


дует распол агать в отдельных изолированных областях;
5) транзисторы типа п-р-п, коллекторы которых подсоединены
непосредственно к источнику питания, целесообразно р азм ещ а ть вт.
одной изолированной области вместе с резисторами;
6) транзисторы типа п-р-п, которые включены по схеме с общим?
коллектором, можно распо л агать в одной изолированной области;
7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6 , необхо­
димо распо л агать в отдельных изолированных областях, т. е. в се
коллекторные области, имеющие различны е потенциалы, д о л ж н ы
быть изолированы;
8 ) для уменьшения паразитной емкости меж ду контактны ми
площ адкам и и подложкой, а т а к ж е д л я защ иты от короткого з а ­
мы кания в случае нарушения целостности пленки окисла под ним и
при приварке проволочных выводов под каж дой контактной пло­
щ адкой создаю т изолированную область, за исключением кон так т­
ных п лощ адок с наиболее отрицательным потенциалом;
9) количество изолированных областей д л я диодов мож ет силь­
но изменяться в зависимости от типа диодов и способов их в к л ю ­
49
чения. Если в качестве диодов используются переходы база — кол­
лектор, то д л я каждого диода требуется отдельная изолированная
область, так как каж д ы й катод (коллекторная область п-типа) д о л ­
жен иметь отдельный вывод (рис. 1.43, а ) . Если в качестве диодов
используются переходы эмиттер — база, то все диоды можно поме­
стить в одной изолированной о б л а сти .'П р и этом все катоды диодов
(эмиттерные области) сформ ированы отдельно в общем аноде ( б а ­
зовой области, рис. 1.43, б). Аноды диодов с помощью соединитель­
ной м еталлизаци и зак ор ач иваю т на изолированную (к оллектор­
ную) область;

Рис. 1.43, Принципиальные электрические схемы и конструкции трех диодов


с общими анодами:
а — на основе перехода Б—К ( I — базовые области р-тнпа; 2 — коллекторные области
л-типа; 3 — подлож ка; 4 — коллекторные контакты ); б — на основе перехода БК—Э
(/ — подложка; 2 — коллекторная область л-типа; 3 — базовая область р-типа; 4 —
эмиттерные области л-типа; 5 — перемычка коллектор — б а з а ) .

10) д ля дифф узионных конденсаторов требуются отдельные и зо­


лированны е области. Исклю чение составляю т случаи, когда один
из выводов конденсатора является общим с другой изолированной
областью;
11) д ля диффузионных перемычек всегда требую тся отдельные
изолированные области.
Правила р а з м е щ е н и я э л е м е н т о в И М С на п л о ­
щ а д и к р и с т а л л а . П осле определения количества и золирован ­
ных областей приступают к их разм ещ ению в нужном порядке, р а з ­
мещению элементов, соединению элементов меж ду собой и с кон­
тактны ми площ адкам и, руководствуясь следующими правилами:
1) при размещении элементов И М С и выполнении зазоров м е ж ­
ду ними необходимо строго выполнять ограничения (см. рис. 1.41),
соответствующие типовому технологическому процессу;
2 ) резисторы, у которых нужно точно вы д ер ж и в ать отношение
номиналов, долж ны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и
располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим э л е ­
ментам ИМ С, у которых требуется обеспечить точное соотношение
их характеристик;
3) резисторы с большой мощностью не следует распол агать
вблизи активных элементов;
50
4) диффузионные резисторы можно пересекать п р о в о д я щ е й 'д о ­
рож кой поверх слоя окисла кремния, покрываю щего резистор (см.
рис. 1.42, б ) ;
5) форм а и место располож ения конденсаторов не являю тся кр и ­
тичными?
6 ) соединения, используемые д л я ввода питания, зазем лен и я,
входной и выходной выводы, необходимо выполнять в виде широких
и коротких полосок, что уменьш ает п арази тн ы е сопротивления;
7) д л я улучшения р азв язки меж ду изолированными областями
контакт к подл ож ке следует располагать рядом с мощным тр ан зи ­
стором или как можно б ли ж е к входу или выходу схемы;
8 ) число внешних выводов в схеме, а та к ж е порядок р асп о л о ­
ж ени я и обозначения контактных площ адок выводов И М С на кри­
ст а л л е долж ны соответствовать выводам корпуса;
9) ком мутация в И М С д о л ж н а иметь минимальное количество
пересечений и минимальную длину проводящ их дорожек. Если
полностью и зб е ж ать пересечений не удается, их мож но осущ ест­
вить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнитель­
ные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя
диффузионные перемычки и, наконец, созд авая дополнительный
слой изоляции меж ду пересекаю щимися проводниками;
10) первую контактную п лощ адку расп ол агаю т в нижнем левом
углу кри сталл а и отличают от остальных по ее положению отно­
сительно фигур, совмещения или зар а н е е оговоренных элементов
топологии. Н умерацию остальны х контактных п лощ адок п роводят
против часовой стрелки. Контактные площ адки распо л агаю т в з а ­
висимости от типа выбранного корпуса по периметру кри сталл а или
по двум противоположным его сторонам;
11) фигуры совмещения распо л агаю т одной-двумя группами на
лю бом свободном месте кристалла;
12) при р а зр а б о тк е аналоговы х ИМ С элементы входных д и ф ­
ференциальны х каскадов долж ны иметь одинаковую топологию и
быть одинаково ориентированными в плоскости кри сталла; д ля
уменьш ения тепловой связи входные и выходные каскады долж ны
бы ть максим ально удалены; д ля уменьшения высокочастотной св я­
зи через подлож ку контакт к ней следует осущ ествлять в двух точ­
к а х — вблизи входных и выходных каскадов.
Р е к о м е н д а ц и и по р а з р а б о т к е эскиза тополо­
г и и . Д л я обеспечения разработк и эскиза топологии рекомендуется
с самого н ач ал а вычертить принципиальную .электрическую схему
так, чтобы ее выводы были располож ены в необходимой последова­
тельности (см. рис. 1.42, б ). К а ж д а я линия, п ересекаю щ ая резистор
на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать ме­
таллизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор
по окислу на топологической схеме.
Н а этап е эскизного проектирования топологии необходимо пре­
дусмотреть решение следующих задач: располож ить как можно
больш ее число резисторов в одной изолированной области; подать
наибольш ий потенциал на изолированную область, где разм ещ ены
51
резисторы ; подать наиболее отрицательный потенциал на п о д л о ж ­
ку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить
элем енты , на которых рассеиваю тся большие мощности; располо­
ж и ть элементы с наименьшими разм ерам и и с наименьшими з а п а ­
сам и на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число
и зол ир ов ан н ы х областей и уменьшить периметр каж дой изолиро­
ванной области.
В случае если принципиальная электрическая схема содерж ит
обособленны е группы или периодически повторяющиеся группы
элементов, объединенных в одно целое с точки зрения вы п олн я­
е м ы х ими функций, р азрабо тк у рекомендуется начинать с составле­
н и я эскизов топологии д л я отдельных групп элементов, затем объ-
•единить эти эскизы в одни, соответствующий всей схеме.
Н а основе эскиза р азр а б а т ы в а ю т предварительный вариант то­
пологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в в ы б р ан ­
ном масш табе, обычно 100:1 или 2 0 0 : 1 (вы бираю т масш табы ,
кратны е 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе
координат. К аж д ы й элемент топологии представляет собой за м к н у ­
т у ю фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий,
п ар ал л ел ь н ы х осям координат. П ридание элементам форм в виде
отрезков прямых линий, не п арал л ел ьн ы х осям координат, допу­
стимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному
упрощ ению формы элемента. Н апример, если форма элемента со­
стоит из ломаны х прямых, составленных в виде «ступенек» с м е л ­
ким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. К о ­
о рд ин аты всех точек, располож енны х в вершинах углов ломаны х
линий, д олж н ы быть кратны шагу координатной сетки.
При вычерчивании чертеж а топологии на миллиметровой б у м а­
ге принимают минимальный шаг координатной сетки, равный
0,5 мм. М ожно выбрать другой шаг, но он д олж ен быть кратным
минимальному. Действительный (на кристалле) разм ер ш ага коор­
динатной сетки зависит от выбранного м асш таба топологии.
При вычерчивании общего вида топологии рекомендуется ис­
п ользовать линии разного цвета д ля различных слоев ИМС: эмит-
терного — черный, базового — красный, разделительного (к олл ек­
т о р н о г о ) — зеленый, вертикального — черный пунктирный, скры ­
того — зеленый пунктирный, м еталлизаци и — желтый, окна в окисле
д л я контакта к элементам — синий пунктирный, окна в пассиви­
рующем (защ итном ) о к и с л е — синий сплошной.
В процессе вычерчивания топологии д л я получения оптимальной
компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов,
например пропорциональное увеличение длины и ширины резисто­
ров или их многократный изгиб, позволяю щ ие провести над рези ­
стором полоски металлической разводки или получить более плот­
ную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элем ен ­
тов в процессе их разм ещ ения проводят корректировочные расчеты
в соответствии с ф ормулам и и рекомендациями, изложенными
в § 1.3.

52
При проектировании слоя м еталлизации разм еры контактных
п л о щ а д о к и проводников следует брать минимально допустимыми,
я расстояния м еж ду ними — м аксим ально возможными.
П осле выбора располож ения элементов и контактных площ адок,
со зд ан и я рисунка разводки необходимо разм естить на топологии
ф и гу р ы совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы
и т. д.— приборы, предназначенные д л я за м ер а электрических п а ­
р а м ет р о в отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры
со в м е щ ен и я могут иметь любую форму из приведенных на рис. 1.27
(чащ е всего к в ад рат или крест), причем надо учесть, что на каж дом
фотош аблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры,
р ас п о л о ж е н н ы е рядом друг с другом. М еньш ая фигура п редна­
з н а ч е н а для совмещения с предыдущей технологической операцией,
а больш ая — с последующей. Н а первом ф отош аблоне располож ена
т о л ь к о б ольш ая фигура, а на последнем — только меньшая.
При разр а б о тк е топологии важ н о получить минимальную пло­
щ а д ь кр и сталла ИМС. Это позволяет увеличить производитель­
ность, снизить материалоемкость и повысить выход годных ИМ С,
п о скол ьку на одной полупроводниковой пластине мож но р а зм е ­
сти ть большее число кристаллов и уменьшить вероятность п о п а д а­
н и я дефектов, приходящ ихся на кристалл. При разм ер ах стороны
к р и с т а л л а до 1 мм ее величину выбираю т кратной 0,05 мм, а при
р а з м е р а х стороны кристалла 1— 2 мм — кратной 0,1 мм.
Д л я любой принципиальной электрической схемы мож но полу­
чить много приемлемых предварительны х вариантов топологии,
удовл етво ряю щ и х электрическим, технологическим и конструктив­
ным требованиям. Лю бой предварительный вар и ан т подлеж ит
д ал ьн ей ш е й доработке.
Если после уплотненного разм ещ ения всех элементов на кри­
с т а л л е выбранного р а зм ер а о стал ась н езан ят ая площ адь, рекомен­
д у е т с я перейти на меньший разм ер кристалла. Если этот переход
н евозм ож ен, то незанятую площ адь кри сталла можно использовать
д л я внесения в топологию изменений, направленны х на снижение
треб о в ан и й к технологии изготовления полупроводниковой ИМС.
Н апри м ер , мож но увеличить разм еры контактных площ адок и р а с ­
ст о я н и я меж ду контактными площ адкам и, ширину проводников и
р асстоян и е м еж ду ними, по возможности выпрямить элементы р а з ­
водки, резисторы, границы изолированных областей.
В заклю чение производят контрольно-проверочные расчеты по­
лученной топологии микросхемы, вклю чаю щ ие в себя оценку теп­
л о в о го р еж и м а и п аразитны х связей.
Проверка правильности разработки тополо­
г и и И М С . Последний из составленных и удовлетворяю щий всем
тр еб ов ан и я м вариант топологии подвергают проверке в такой по­
следовательности: П роверяю т соответствие технологическим о г р а ­
ничениям: минимальных расстояний м еж ду элементами, п рин ад­
л е ж а щ и м и одному и разным слоям ИМ С; м иним альны х разм еров
элем ен тов, принятых в данной технологии, и других технологиче­
ских ограничений; наличие фигур совмещения для всех слоев ИМ С;
53
размеров контактных п лощ адок д л я присоединения гибких выводов;
расчетных разм еров элементов их р азм ер ам на чертеж е топологии;
мощности рассеяния резисторов, м акси м альн о допустимой у д ел ь ­
ной мощности рассеяния (Ро = P / S n ^ 103- М 0 4 м В т/м м 2), а т а к ж е
обеспечение возможности контроля х арактери сти к элементов ИМ С.
Р а з р а б о т к а документации на комплект фотошаблонов для про­
изводства ИМС. Исходя из окончательного и проверочного в а р и а н ­
та топологии ИМ С, выполняю т чертежи слоев схемы, необходимые
д л я создания комплекта фотошаблонов. Д л я ИМ С со скрытым
слоем и изоляцией элементов р-п-переходами, изготовляемой по
планарно-эпитаксиальной технологии, необходим комплект из семи
фотош аблонов д л я проведения следующих фотолитографических
операций: 1 — вскрытия окон в окисле под локальную дифф узию
донорной примеси при создании скрытых слоев перед операцией
эпитаксии; 2 — вскрытия окон в окисле под разделительную д и ф ф у ­
зию акцепторной примеси при создании изолирую щих областей;
3 — вскрытия окон в окисле под локальную диффузию акцепторной
примеси при создании базовой области транзисторов и резисторов;
4 — вскрытия окон в окисле под локальную диффузию донорной
примеси при создании эмиттерных областей транзисторов, резисто­
ров, диффузионных перемычек и прикоптактных областей в к ол л ек­
торах транзисторов; 5 — вскрытия окон в окисле под. контакты
разводки к элементам ИМ С; 6 — фотолитографии по пленке алю м и ­
ния д ля создания рисунка разводки и контактных площ адок; 7 —
фотолитографии по пленке защ итного диэлектрика д л я вскры тия
окон к контактным п лощ ад кам ИМС.

Пример разработки топологии ИМС

Н а рис. 1.44 а представлена принципиальная электрическая схема логиче­


ского элемента И — НЕ диодно-транзисторной логики. Активными элементами
схемы являю тся транзистор промежуточного каскада Т и транзистор выходного
каскада Т2, входные диоды Д , —Д 4, диод промежуточного каскада Д 5, пассивны­
ми элементами — резисторы R :—Т?4.
После проверочного расчета схемы проводят расчет геометрических (топо­
логических) размеров пассивных и активных элементов.
Д ля схемы рис. 1.44 а в качестве транзистора промежуточного каскада Т }
выбран из банка транзисторов одноэмиттерный однобазовый транзистор с по­
лосковой контактной областью к коллектору (см. рис. 1.37, в). Н а основе струк­
туры транзистора Г] сформированы диод Д 5 и тестовый транзистор (рис. 1.44 в).
Транзистор выходного каскада Т2 является более мощным. В качестве этого
транзистора выбран одноэмиттерный однобазовый транзистор с П-образной кон­
тактной областью к коллектору (см. рис. 1.37, г).
В качестве входных диодов Д \ —Д 4 выбран диод на основе р-л-перехода
база — коллектор транзисторной стр у к ту р ы .. Д иод промежуточного каскада Д 5
выполняют на переходе эмиттер — база той ж е транзисторной структуры. И сход­
ными данными для разработки эскиза топологии являю тся принципиальная
электрическая схема, геометрические размеры активных элементов, геометриче­
ские размеры резисторов. Проектирование эскиза топологии (рис. 1.44 б) реко­
мендуется начинать с какой-либо контактной площадки, затем последовательно
переходить от одного элемента к другому, по возможности располагая элементы,
соединенные меж ду собой, в непосредственной близости друг от друга и учиты­
вая требования к расположению контактных площ адок. Н а рис. 1.44 б показан
первый вариант эскиза топологии логического элемента И — НЕ.
54
Контакт Цепь
11 Питание
Контакт | Цепь
10 |,Питание
JU.
LJ \кснтакт Цепь
i 7 \BaxoO

Цепь Контакт
Вход 5

Вход 4

Вход

Вход Ш м -

Расширитель [ 7 ] —'

Рис. 1.44а. П ринципиальная электрическая схема логического


элемента И — НЕ

= ^ = 1 г ,-~
11 j jI 10
, - i — L lL - - L= n ±l

U -
ItjJ г
ш
a
1 L.

J
___ l
!
----- h ПЩПШп
! II—5—J t! ! r - o - 1
.ЬгфггЬ Li^rtr j j a
|i °Д,\
Г
=^1
I I
I I = J jl U = ,
L" .J

Рис. 1,446. Эскиз топологии логического элемента И — НЕ


Окончательный вид топологии приведен на рис. 1.44 в. Н а кристалле преду­
смотрен тестовый транзистор, предназначенный для контроля параметров транзис­
торов схемы. Он имеет такую ж е конфигурацию, что н транзистор T t. К онтакт-

Рис. 1.44в. Топология логического элемента И — Н Е

ные площадки тестового транзистора имеют форму, отличную от формы кон­


тактных площ адок схемы.
Фигуры совмещения имеют форму квадратов. Зап ас на совмещение для
к вадратов составляет 5 мкм.

Глава 2
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
НА УНИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

§ 2.1. Механизм работы и классификация


МД П-транзисторов
М Д П -тран зи сторы отличаю тся от биполярных транзисторов, по­
скольку механизм их работы основан на перемещении только ос­
новных носителей зар я д а . В связи с этим их н азы ваю т у н и п о л я р ­
ными. Эти транзисторы имеют преимущества перед биполярными:
малый уровень шумов, бо льш ая стойкость к радиационным излуче­
ниям, устойчивость от перегрузок по току, высокое входное сопро­
тивление. К недостаткам следует отнести меньшее быстродействие,
56
худш ую технологическую воспроизводимость парам етров и боль­
ш у ю временную нестабильность.
М Д П -тран зи стор имеет четыре электрода, которые н азы ваю т
истоком, стоком, затвором и подложкой (рис. 2.1, а). Принцип
.действия М Д П -тран зи стор а основан на эф ф екте изменения э л е к ­
тропроводности поверхностного слоя полупроводника меж ду сто­
ком и истоком под действием н апряж ения, приложенного к у п р ав ­
л я ю щ е м у электроду (затвору), отделенному от поверхности полу­
проводника тонким слоем диэлектрика. Участок полупроводника
с изменяющ ейся электропроводностью н азы ваю т каналом и изо­
б р а ж а ю т на чертеж ах в виде скрещенных тонких л и н и й .
Существуют две разновидности М Д П -транзпсторов: с встроен­
н ы м каналом и с индуцированным каналом.

<>и и^ 3 <?с U,o5


J . ijAwW l . L , . Н иж няя f j Y f
1 1—p
--j
п
1 граница
канала
___II
n \. -g-T-i
II_
. _
я
СГ

(~$£,7}0К \Сток
V " ист ок
тГ
Объемный заряд j

Сток
3 °—|
|4 ! Х 1

'чтдор а) 6]
■Ja'mQop
Р и с. 2.1. М ДП -транзистор с инду­ Рис. 2.2. М ДП -транзистор с инду­
цированным каналом р-типа: цированным каналом /г-типа:
а — упрощ енная конструкция; б — ус­ а — упрощенная конструкция; б — ус­
ловное обозначение ловное обозначение

В М Д П -тран зи стор е с индуцированным каналом (рис. 2.1, а,


2.2, а) при нулевом напряжении па затворе канал отсутствует. Ес­
л и увеличивать нап ряж ени е на затворе (по м одулю ), то при неко­
то р о м значении нап ряж ени я затвор — исток U0, н азы ваемом поро­
говым напряжением, на поверхности полупроводника будет индуци­
р о в ать ся инверсный слой, электропроводность которого совпадает
с электропроводностью истока и стока. В результате образован ия
э того слоя области стока и истока оказы ваю тся соединенными тон­
ким токопроводящ им каналом и во внешней цепи возникает ток.
Структура М Д П -тр ан зи стора с встроенным каналом такова,
■что создание ка н а л а в тонком приповерхностном слое полупровод­
ника предусматривается самой технологией производства. Поэтому
конструкция такого транзистора будет отличаться от конструкций,
п редставленных на рис. 2. 1, а, 2 .2, а, изображ ением нижней гран и ­
цы к а н а л а сплошной линией. Электропроводность ка н а л а о б я з а ­
тел ьн о совпадает с электропроводностью стока и истока. П оско л ь­
к у электропроводность подложки обратн а электропроводности к а ­
н а л а , области стока, истока и ка п а л а отделены от подложки
57
р-я-переходом. Ток в к а н а л е такого транзистора м о ж ет возникать
и при нулевом смещении на затворе.
И сток и сток в принципе обратимы, и их можно менять местами
при включении транзистора в схему. В этом случае при симметрич­
ной структуре тран зи стора его п арам етры сохраняю тся, а при не­
симметричной структуре (сток и исток могут разли чаться формой,
п лощ адям и ) они будут отличаться.
В связи с тем, что до последнего времени наибольш ее примене­
ние в цифровых ИМ С получили М Д П -тран зи сторы с индуцирован­
ным каналом , дальнейш ее излож ение будет относиться к т р а н зи ­
сторам этого типа.
По электропроводности ка н а л а разл и чаю т /7-кан альн ы е и « -к а ­
нальны е М Д П -тран зи сторы . У прощ енная конструкция этих прибо­
ров п о казан а на рис. 2 .1, а, 2 .2, а, а условное обозначение на э л е к ­
трических с х е м а х — на рис. 2.1, б, 2.2, б.
Существует класси ф и кац и я М Д П -тран зи сторов по конструктив­
но-технологическим п ризн акам (чащ е по виду м а тер и ал а затв о р а)
(см. § 2 . 3 ) .
И н тегральн ы е микросхемы, сод ерж ащ и е одновременно р -к а ­
нальные и n -канальны е М Д П -транзисторы , назы ваю т ком плем ен­
тарны ми (сокращенно К М Д П - И М С ). К М Д П -И М С отличаются в ы ­
сокой помехоустойчивостью, малой потребляемой мощностью, в ы ­
соким быстродействием. Эти преимущества, однако, достигаются за
счет более сложной технологии с меньшим выходом годных схем.

§ 2.2. Особенности использования МДП-транзистора


как типового схемного элемента ИМС

В электрических схемах цифровых ИМ С кроме активных э л е ­


ментов (М Д П -транзисторов) широко используют резисторы боль­
ших номиналов и конденсаторы. Резисторы являю тся нагрузками
ключевых схем (инверторов), рассм атриваем ы х далее, а конденса­
торы находят применение при проектировании ячеек памяти з а п о ­
минаю щих устройств.
П роектирование резисторов по аналогии с полупроводниковыми
И М С на биполярных тран зи сторах в М Д П -И М С я в л яе тся-н е ц е л е­
сообразны м по двум я причинам: п лощ ад ь диффузионного резисто­
ра большого номинала ( ^ 2 0 кОм) п о ч т и 'н а порядок превы ш ает
п лощ адь активного М Д П -п р иб ора; п ар ази тн ая емкость резистор —
подл о ж ка диффузионного резистора значительна и существенно
ухудш ает частотные свойства схемы.
Поэтому д л я получения большей степени интеграции в М Д П -
И М С в качестве резисторов нагрузки используют т ак н азы ваем ы е
нагрузочн ы е МДП-транзисторы. Эти транзисторы имеют конструк­
цию, сходную с М Д П -тран зн сто рам и, работаю щ им и в активном ре­
жиме. Необходимый номинал резистора достигается подачей на
затвор нагрузочного М Д П -тран зи стора определенного потенциала
и подбором геометрических размеров канала.
При необходимости спроектировать конденсатор в М Д П -И М С
58
мож но использовать емкость затвор — по дл ож ка или сток (ис­
ток) — по дл ож ка М Д П -транзисторов. Требуемое значение емкости
конденсатора обеспечивается площ адью областей затвора, стока
или истока М Д П -тр ап зи стор а.
Н а основании изложенного можно утверж дать, что М Д П -т р а н ­
зистор является типовым схемным элементом М Д П -И М С и может
выполнять функции как активных приборов (ключевой транзистор
в инверторе, усилительный транзистор и т. д .), так и пассивных
элементов (нагрузочный транзистор в инверторе, конденсатор в
ячейке памяти и т. д .). Это позволяет при проектировании М Д П -
И М С обходиться только использованием М Д П -тран зи сторов, кон­
структивные п арам етры и схема включения которых будут зависеть
от выполняемой функции.

§ 2.3. Технологические процессы производства М ДП-ИМ С

В М Д П -И М С нет необходимости применять дополнительные об­


ласти д л я изоляции элементов друг от друга, в связи с чем степень
интеграции М Д П -И М С выше, чем степень интеграции И М С на би­
полярны х транзисторах, а технологические марш руты их изготов­
ления сод ерж ат меньшее количество операций.
Н аибольш ее распространение получили следующие марш руты
производства: технология М Д П -И М С на p -канальных тран зи сторах
с алюминиевыми и кремниевыми затворам и, технология М Д П -И М С
на /г-канальных транзисторах с кремниевыми з а ­
творами, технология К М Д П -И М С с алю миниевы ­
ми, молибденовыми или кремниевыми затворам и.
Н а рис. 2.3 п о казана .последовательность тех­
нологических операций при производстве р -к а ­
нальных М Д П -И М С с алюминиевыми затворам и,
на рис. 2.4 — /г-канальных М Д П -И М С с крем н ие­
выми затво рам и и на рис. 2.5 — м арш рут произ­
водства К М Д П -И М С с кремниевыми затворам и.
У каж ем лишь некоторые хар актерн ы е п а р а ­
метры областей и слоев М Д П -структур, приве­
денных на рис. 2.3— 2.5: для ионно-легированных
п+-областей ps = 3 0 - r 3 5 О м /П , глубина залегания
Рис. 2.3. Последовательность технологических операций при
производстве р-канальных М ДП -И М С с алюминиевыми з а ­
творами:
1 — окисление кремниевой пластины я-типа; 2 — фотолитография
дл я вскрытия ОКОИ под области стоков, истоков и диффузионных
шин; 3 — локальная загонка примеси p-типа в поверхностную об­
ласть будущих стоков н истоков методом ионного легирования
и второе окисление с одновременной разгонкой примеси; 4 — ф о­
толитография для удаления окисла с подзатворных областей; 5 —
формирование подзатворного диэлектрика окислением в сухом
кислороде и дополнительная разгонка примеси в областях стоков
и истоков; 6 — фотолитография для вскрытия окон под контакты
к областям стока, истока и диффузионным шинам; 7 — нанесение
пленки алюминия н фотолитография д л я создания рисунка р аз­
водки; в — нанесение пассивирующего слоя ФСС с последующим
фотолитографическим вскрытием окон над контактными площ ад­
ками и областями скрайбирования

59
р-п-перехода л'/= (1 ,0 ± 0 ,2 ) мкм; для р+-области ps =40 -f-6 0 Ом/П,.
Xj— (1 ,5 ± 0 ,3 ) мкм; области р-карманов, являю щ иеся к а к бы под­
л ож кой /г-канального транзистора в К М Д П -И М С , легированы до.
концентрации 2 - 1016 ат/см3 и имеют значение Xj= (6 ± 1) мкм; плен­
ки поликристаллического кремния толщиной ^ 0 , 5 мкм, используе­
мые в качестве проводящ пх шнн, имеют ps=£$50 О м /П при легиро­
вании их фосфором и p s ^ l O O О м /П при легировании бором. Т ол ­
щина защитного окисла составляет ~ 1 мкм, толщина подзатворно-
го окисла, получаемого методом термического окисления в сухом,
кислороде, 0,07— 0,10 мкм.

§ 2.4. Основные параметры МДП-структур


и М ДП-транзисторов

Д л я удобства проектирования М Д П -И М С целесообразно р а с ­


смотреть электрофизические парам етр ы исходной полупроводнико­
вой (кремниевой) подложки, а т ак ж е конструктивные и электри че­
ские парам етры М Д П -трап зи стор ов и их связь между собой.
К электрофизическим парам етрам кремния, влияю щим на х а ­
рактеристики М Д П -структур, относятся: тип электропроводности
п ( р ) ; концентрация примеси в пластине N 0, см“ 3 или удельное о б ъ ­
емное сопротивление ру, О м -см ; подвижность носителей з а р я д а в
ка н а л е j.in или ,up, см2/ ( В - с ) ; концент­
рац и я поверхностных состояний N пов, с ^
см-2 ; диэлектрическая проницаемость Д ,| л и 3-
£п. ■ ^11 П+ 1 T n U i\
Основными конструктивными п а р а ­ 1
метрами М Д П -тр ан зи стор а (рис. 2.6) i р
являю тся: длина ка н а л а /к, мкм; ш ири­
на к а н а л а Ьк, мкм; толщина затворного
диэлектрика /гд, мкм. Остальные кон­
структивные п арам етры [размеры з а ­
твора, областей стока (истока), толщ и­
на стока (истока) и т. д.] являются
вспомогательными и определяются при
проектировании по технологическим
ограничениям на разм еры М Д П -с т р у к ­
тур (см. табл. 2 . 1). Рис. 2.6. К определению кон­
К основным электрическим п а р а ­ структивных параметров М Д П -
метрам и характери сти кам М Д П - т р а н ­ транзнстора
зисторов относятся: стоковая х а р а к т е ­
ристика / с = / ( ^ с ) при ^ 3 = const; стоко-затворная х а р а к те р и с т и к а
I c = f { U з) при Uc = const; пороговое н апряж ение U0, В; крутизна 5,.
А/В, и удельная крутизна S 0, А /В 2; дифф еренциальное сопротивле­
ние к а н а л а R K, Ом; входное сопротивление R BX, МОм; п арази тн ы е
м еж электродны е емкости Сзп, С3ц, Сзс, ССц, Сип, ССц, пФ; постоянная
времени ка н а л а тк, не.
61
Рассмотрим парам етр ы Uо, 5 , So и R K на основе а н ал и за стоко­
вых и стоко-затворных х арактери сти к М Д П -тран зи стор а без учета
токов утечки в схеме включения с общим истоком (рис. 2.7, а ) , как
наиболее распространенной в цифровых ИМС.
Семейство стоковых х арактери сти к п- и р-кан альн ы х М Д П -тран -
зисторов приведено на рис. 2.7, б. Условно их мож но разделить на

и3о \ \ UP >U32
У
и * ---- Л “сн
U„ .и .

Г
а) 6) б)
Рис. 2.7. Схемы включения (а), стоковые (б) и стоко-затворные (в)
статические характеристики п- и р-канальны х М ДП -транзисторов

д в а участка: крутой и пологий, где н аблю дается насыщение стоко­


вого тока / с при достаточно большом стоковом напряж ении UQ.
Границу насыщения характери зую т напряжением насыщения
U m = U 3- U Q (2.1)
(знаки при U3 и U0 соответствуют типу электропроводности инду­
цированного к а н а л а ).
Семейство стоко-затворных характери сти к приведено на рис.
2.7, в. Н а ч а л о всех характери сти к соответствует пороговому н а ­
пряжению U q. При стоковых нап ряж ени ях, соответствующих р еж и ­
му насыщения (U c^ U c u ) , характеристики практически сливаются.
Аналитическое вы р аж ен и е стоковой характеристики имеет вид

/ с= |лСзо6к- [2 U C{U3 — С/о)— U с] при L/c ^ L f 3 — U 0 (крутой участок),


21к . ( 2 .2 )
/ с_ v-C3r)bK :Qrj3 — L/Qy при U c y > U 3 — U Q (пологий участок),
(2-3)
где Сзо — удельн ая емкость затвора относительно канала, опреде­
л я е м а я по формуле
£ 3о= £ о£д//гд (2-4)
(ед — диэлектрическая проницаемость затворного д и эл ектри ка ).
Усилительные свойства М Д П -тран зи стор а х арактери зую тся
крутизной стоко-затворной характеристики:'"-

5 = - ^
dU з

62
П родиф ф еренцировав вы раж ен и я (2 .2 ), (2.3), получим зн ач е­
ния крутизны д л я крутого и пологого участков стоковой х ар а к т ер и ­
стики соответственно:

при U c (2.5)

S = - ^ f ^ ( U , - U „ ) = S , ( U !>- U a) при U C > U 3- U 0, (2.6)

где S 0 — удельн ая крутизна.


И з выражений (2.5), (2.6) видно, что крутизна М Д П -тр ан зи сто ­
ра линейно зависит от нап ряж ени я на э л ектр од ах и не является од­
нозначным параметром. Д л я ее определения необходимо о б я з а ­
тельно оговорить реж им работы, т. е. нап ряж ени я. Поэтому д ля х а ­
рактеристики п ар ам етров М Д П -тр ан зи стор а целесообразнее ввести
удельную крутизну, которая в ы р а ж ае тся через электрофизические
и конструктивные п арам етры М Д П -структуры :
S Q= \)-C3QbtJ l K. (2.7)
Аналогично, дифф еренцируя вы раж ен и е (2.2), мож но опреде­
лить сопротивление ка н а л а д ля крутого участка характеристики:

R K— ----- ----- = ------------ ----------- при £/(.■<£/3 — U Q. (2.8 )


д / с/ д и с S 0 (U3 - U i - C f о) и • 3 v '
Д л я определения сопротивления ка н а л а в пологой области сто­
ковой характеристики существует эмпирическая формула

4 = ------^ --------— , (2.9)


s a ( U , - u 0r
где So' — удельная крутизна, вычисляем ая опытным путем; п =
= 1-1-2 — коэффициент, зависящ ий от технологии изготовления.
Пороговое н ап ряж ени е связано с электрофизическими п ар ам ет­
рами М Д П -структуры соотношениями

£ /0= — (|?мп| + - % ^ — 1— —— j-2^ ] для р-канального тр ан зи сто р а,


\ С 3q С 307
(2 . 10)
U о= — | ?мп| — _|— — 1~2оФ. для « -к ан ал ьн ого транзистора.
^зО ^зО 1
( 2. 11)
Здесь фмп — разность потенциалов, оп ределяемая разницей в р аб о­
т ах выхода полупроводника п м атер и ал а затвора, в частности м е­
та л л а (в случае алюминиевого затвора эту величину определяют
по графику рис. 2.8 по известной концентрации примесей в полу­
проводниковой пластине А^о и типу ее электропроводности); QSSr
Qп — соответственно плотности зар я д а поверхностных состояний на
границе полупроводника и диэлектрика и пространственного з а р я ­
да в полупроводнике.
63
Плотности зарядов определяю т по вы раж ен и ям
QsS = <
j N u ов> (2 .1 2 )

Qtt = V 2 e 0saN Q^ r (2.13)


г д е q — за р я д электрона; фф. — потенциал, зависящ ий от п о лож е­
н и я уровня Ферми в полупроводнике относительно середины з а ­
прещенной зоны:
? ф , - = ? т In А ^ о / / / ( 2. 14)

г д е фт — температурный потенциал ( ~ 0,026 В); щ — собственная


концентрация носителей в полупроводнике, р ав н ая д л я кремния
•2 -1C10 с м - 3.
И з сравнения формул (2.10), (2.11) видно, что пороговое н а ­
п р яж е н и е /г-канального транзистора ниже, т а к как два последних
N, СМ-3
слагаемы х меняют знаки на обратные. С у­
щественным резервом снижения пороговых
1 напряж ений является уменьшение разности
п потенциалов фмп за счет подбора м атери ала
з атв ор а и уменьшения плотности поверхно­
стных состояний N нов, которая зависит от
качества поверхности и ее ориентации отно­
сительно плоскостей кристаллической (ре­
шетки.
Д л я определения паразитных емкостей
Рис. 2.8. Зависимость и входного сопротивления необходимо снова
разн ости ■ потенциалов
д л я системы А1—Si
обратиться к конструкции М Д П -транзисто-
■-от концентрации примеси ра, представленной на рис. 2 .6. К ак видно
в кремнии из рисунка, входное сопротивление R B% р а в ­
но сопротивлению утечки конденсатора з а ­
т в о р — сток (исток) или затвор — подлож ка и достигает десятков
— сотен мегаом.
П а р ази тн ы е меж электродны е емкости М Д П -тран зи стора зави-
•сят от геометрических разм еров стока, истока, затво ра и о п р ед ел я­
ю т с я (при симметричном расположении стока и истока) по форму-
«ЛЭМ'
емкость затвор — сток (исток)
^зн = ^ зс = СзО^к (^3 — ^к)/2 , (2.15)
емкость затвор — подлож ка
^зп С ,$ЬК1 (2.16)
емкость сток (исток) -^ п о д л о ж к а
Ссп = Сцп = С/'о ]ЬК1С+ 2 (bK-j- /с) hj] , (2.17)
емкость сток — исток
С си— CcuCttJ\Pcn 4" Сип) = Сс11/ 2. (2.18)
В схеме с общим истоком (рис. 2.7, а)
Ссп ~ Ссп. (2.19)
«54
Удельную емкость обратно смещенного перехода сток — п одл ож ­
ка Cj о определяю т по эмпирической формуле

С ], о-
V- 2?5де0ЛГ0
( 2 .20 )

где £/дПф — диффузионный потенциал перехода сток — подлож ка


( —•0,7 В ); U cmin — минимальное н апряж ение стока.
При проектировании цифровых М Д П -И М С удобнее оперировать
входной и выходной емкостями М Д П -тр ан зи сто ра, которые легко
в ы разить через меж электродны е емкости д л я схемы с общим исто­
ком:
С,«=С,„ + С„„ (2.21)
Ст = С „. (2.22)

Быстродействие М Д П -тран зи сторов ограничивается временем


релаксации з а р я д а в активной области транзистора, которое х а р а к ­
теризуют постоянной времени ка н а л а тк:
*к == с зЛ ,
П од ста вл яя сюда значения из вы раж ений (2 .8), (2.7), (2.16),
получим
при U c < £ / 3— £/0. (2.23J

П остоянная времени ка н а ла , равная 10- 9— 10-10 с, много мень­


ше постоянных времени внешних цепей транзистора, которыми и
определяю тся частотные характеристики М Д П -И М С .
Рассмотренные парам етры М Д П -тран зи стора отраж ен ы на э к ­
вивалентной схеме рис. 2.9, а, где через Rim и Я Сп обозначены со-

зо

жт
о)
Рис. 2.9. Эквивалентные схемы М Д П -транзисторов:
а — полная; б — упрощ енная (для аналитических расчетов)

противления закры ты х р-п-переходов исток— подлож ка и сток —


подлож ка. Д л я аналитических расчетов в статическом реж им е м о ж ­
но использовать упрощенную схему (рис. 2.9, б ), полученную путем
объединения выводов истока и подложки в пренебрежении инер­
ционностью канала.
3—449 65
§ 2.5. Режимы работы и связь м еж ду конструктивными
и электрическими параметрами МДП-транзисторов в цифровых
ИМС

Ц и ф ровы е М Д П -И М С п редназначены д л я выполнения опреде­


ленных логических функций. Базовой логической схемой д л я по­
строения этих И М С является и н в е р т о р , выполняющий логиче­
скую функцию инвертирования входного сигнала (операцию Н Е ) .
Д л я установления связи м еж д у конструктивными и электриче­
скими п ар ам етр ам и М Д П -тран зи стор ов цифровых М Д П -И М С м а ­
лой и средней степеней интеграции достаточно рассмотреть стати­
ческий и динамический реж им ы работы трех наиболее распростра­
ненных инверторов, которые отличаются схемой включения
нагрузочного транзистора. Схемы, где нагрузочный транзистор вы­
полняет функцию резистора, относят к инверторам с пассивной н а­
грузкой, а схемы, где он выполняет функцию активного элем ента,—
к инверторам с активной нагрузкой.

Рис. 2.10. Схема инвер­ Рис. 2.11. Вольт-амперные характери­


тора с пассивной н а­ стики нагрузочного транзистора:
грузкой / - 1/ , 2 - и з= и я п1+и0;
3 - u e>u,.m+U'

Статический режим работы инвертора с пассивной нагрузкой.


Простейшей инвертирующей схемой на М Д П -тран зи сторе яв л я е т­
ся инвертор с пассивной нагрузкой (рис. 2.10). В нем в качестве н а ­
грузки используется М Д П -тран зи стор Т\ (в дальнейш ем просто н а ­
грузочный транзистор) с каналом того ж е типа, что и ключевой
тран зи стор-7Y Рассмотрим вначале более простой случай, когда н а ­
грузочный транзистор Т\ включен как нелинейный двухполюсник
(затвор объединен со стоком). Вольт-амперной характеристикой
такого двухполю сника является геометрическое место точек, в ко­
торых выполняется условие UC= U 3. Она п редставляет собой п а р а ­
болу, описываемую вы раж ением
I c = S j 2 ( U a- U & ,

целиком л еж а щ у ю в пологой области стоковых характер и сти к (кри­


в а я 1 на рис. 2.11).
Основной статической характеристикой инвертора является его
66
передаточная характери сти ка £/Вы х=/(£Лзх), по которой легко р а с ­
считать остальные статические характери сти ки схемы: амплитуду
логического перепада ( U вых max— ^ в ы х т 1п), ц
потребляемую мощность, статическую поме- цШ
хоустойчивость. _ и'п
Р ассм отри м передаточную характер и сти ­
ку инвертора (рис. 2.12). П ри этом будем uM~uoi
считать пороговые н ап р яж ени я ключевого
Т2 и нагрузочного Т { транзисторов одинако- и%ш
выми: U0l = U02 = U0, что х арактерн о д ля
схем в интегральном исполнении. Влияние ^6х Uo2 ^вх ^ Sx
п одлож ки полагаем пренебрежимо малым,
Рис. 2.12. П ередаточная
что хорошо выполняется д л я низколегиро­ характеристика инверто­
ванной подлож ки с концентрацией примеси ра с нелинейной нагруз­
не более 1015 см-3. В общем случае на пере­ кой
даточной характеристике можно выделить
три участка. Н а участке А В ключевой транзистор закры т, а н ап р я­
ж ен и е на выходе инвертора
и въ^ и л,п - и ^ и л л - и , . (2.24)

Участок В С является переходным, где оба транзистора, Т \ к Т 2,


откры ты и р аботаю т в пологой области стоковых характеристик.
Н а участке CD раб оч ая точка ключевого транзистора Т2 переходит
в область стоковых хар актери сти к с большой крутизной.
Зако н изменения выходного н ап ряж ени я д ля участка CD м о ж ­
но получить из условия равенства токов транзисторов Т\ и Т2:
So, (У„.„ - u m - и „у = S 02 [2U m (£/„ - и ,) - u L J .
Отсюда i
^и.п + rnUm — ( m + 1) 6^0 —
m+ 1
— VWvi.n + rn(fBX— ( m + 1)У 0]2 — (m + 1) — Up)2
(2.25)
m+ 1

г д е m — S 02/ S Qi — отношение значений удельной крутизны транзисто­


ров инвертора.
Обычно статический реж им инвертора рассчиты ваю т так, чтобы
при задан н ы х значениях
(2.26)
получились выходные напряжения, удовлетворяю щ ие неравен-
ствам

^ Вых1 > ^ в ы х , и лыа <£/2ы*. (2.27)


П од ставл яя вторые неравенства (2.26), (2.27) в (2.25), получим
в ы р а ж ен и е д л я расчета отношения значений удельной крутизны
з* 67
ключевого н нагрузочного транзисторов, при котором выполняется
заданны й статический режим:

________ . ( 2 .2 8 )

Если концентрация примесей в подл ож ке больше 1015 см-3, то


необходимо учитывать влияние подложки. И з схемы рис. 2.10 вид­
но, что меж ду истоком и подложкой нагрузочного транзистора Т\
имеется разность потенциалов, которая изменяет пороговое н ап р я ­
ж ение транзистора U0u а следовательно, и выходное напряжение,
определяемое вы раж ен и ям и (2.24), (2.25). Тогда выходное н ап р я­
ж ение инвертора с учетом влияния подложки и первого неравен­
ства (2.27) мож но рассчитать по ф ормуле
< и „ х - K J J m = U m (1 - /<•„), (2.29)
где Uвых — нап ряж ени е без учета влияния подложки (2.24);
K n = b l V Un.n — Uo — t V U n . n — Uo — коэффициент влияния под­
ложки; »— V ' 2soEnWVo/C3o — постоянная величина д л я д ан н о ­
го транзистора.
В лияние потенциала подложки на характеристики М Д П -тран -
зистора закл ю ч ается в том, что его изменение модулирует то л щ и ­
ну области объемного з а р я д а (см. рис. 2.2, а) и, следовательно,
канала, изменяя ток стока / с. Таким образом, подл о ж ка является
как бы вторым затвором в М Д П -транзисторе.
Статический режим работы инвертора с пассивной нагрузкой и
двумя источниками питания. Д л я повышения быстродействия на
затвор нагрузочного тран зи стора часто подаю т нап ряж ени е от от­
дельного источника питания ^/ц.п2> ^ и . п 1+ ^о (рис. 2.13). При 00
I3
N
ии.Пг 9
> у
Выход
—О

Вых

Рис. 2.13. Схема инвер­ Рис. 2.14. П ередаточная


тора с пассивной н агруз­ характеристика инвер­
кой и двумя источника­ тора При £/и.п2 > Уи.щ +
ми питания + t/oi
этом нагрузочная характери сти ка п ерем ещ ается в область малы х
н апряж ений Uc i и становится более крутой (кривые 2, 3 на
рис. 2.11). С татическая х арактери сти ка нагрузочного транзистора
в этом случае описывается уравнением

/„ 1= - % - [(У .,,2- u m - £/„)2- (У„.„2- - £/„)*]. (2.30)

68
С повышением н ап ряж ени я V n.n2 нелинейность этой х ар а к тер и ­
стики уменьшается и быстродействие схемы в пределе стремится
к быстродействию инвертора с линейной нагрузкой (резистором).

П еред ато чн ая характери сти ка инвертора имеет три участка


(рис. 2.14), причем на каж дом участке нагрузочный транзистор от­
крыт, так как t/Il.n 2 > ^ n .n i+ t / o . Н а участке А В ключевой т р а н зи ­
стор Т 2 зак ры т и выходное н ап ряж ени е и вых= и п.п ь Н а участке В С
ключевой транзистор р аб о тает в пологой области, а на участке
C D — в крутой области стоковой характеристики. П ри рав н и в ая то­
ки транзисторов Т { и Т 2 д л я участка CD, получим
S o i [(^ И .п 2 — ^вы х ~ ^ о )2 ~ илг2 — U и.п1 — & о ) 2] =

= 5 K [ 2 i/.„ ( £ /„ - £ /„ ) - i/L ] . (2.31)


Отсюда

ГГ Я г ( £ /вх — У р ) + W и.п2 — У р ) — [яг (^ в х — У о ) + (Ц-и.п2 — ^ о)]2 — .


^ вых
т + .1 ’‘ *

(яг + I) [( Uи.„2 — U q) 2 — ( U и.п2 — Cf0 — U и.п1)2]


т+ 1

В ф орм улах (2.30), (2.31) при необходимости мож но учесть


влияние подложки путем уменьшения н ап р яж ени я и ял2 на величи­
ну ЯпУвых, эквивалентную повышению порогового н ап р яж ен и я н а ­
грузочного транзистора Т\. Д л я упрощения расчетов мож но под­
ставить в . (2.31) вместо Un.n2 значение UnM2— (KnUn.ni)/2, достаточно
точное д ля середины д и а п а зон а изменения выходного нап ряж ени я.

Обычно статический реж им инвертора с двум я источниками пи­


тан и я рассчиты ваю т аналогично схеме с одним источником (см.
рис. 2.10). П о д ставл яя вторые неравенства (2.26), (2.27) в (2.31),
получим вы раж ен и е д ля расчета отношения значений удельной кру­
тизны ключевого и нагрузочного транзистора, при котором вы пол­
няется заданный статический режим:

,п > - ^ и-п2 — ^ ~ . ^ ^ и-п2^ : .”1Г^ 0.. )2 . (2.32)"


2^ ых( ^ х- ^ о ) - К ых)2
Статический режим работы инвертора с активной нагрузкой.
Т а к а я схема инвертора широко распространена в К М Д П -И М С ,
где одновременно используются п- и р-кан альн ы е М Д П -тр ан зи сто -
ры. П реимущ ествам и подобных инверторов являю тся отсутствие
потребления мощности от источника питания в статическом реж им е
и лучш ая форма передаточной характеристики.
Схема инвертора и его стоковые характеристики приведены на
рис. 2.15, а, б. К а к видно, затворы нагрузочного р-канального т р а н ­
зистора Ti и ключевого я-кан ал ьного транзистора Т2 соединены вм е­
69
сте, а исток каж дого транзистора объединен с подложкой. Выходом
инвертора являю тся объединенные стоки. При таком включении
ключевой и нагрузочный транзисторы раб отаю т в противофазе, т. е.
зап и ран ие одного связано с отпиранием другого и наоборот, что улуч­
шает быстродействие. П ротивоф азны й реж им мож но объяснить тем,
что в схеме всегда выполняется условие UMx-\-U3vl2 — Utt,n, так что
уменьшение н ап ряж ени я £/зи одного из транзисторов приводит к
увеличению н апряж ения и зи другого.

li
В)
Рис. 2.15. Инвертор с активной нагрузкой:
а — электрическая схема; 6 — стоковые характеристики в открытом (А) и закры­
том (Б) состояниях; в — передаточная характеристика

Р ассмотрим передаточную характеристику инвертора (рис.


2.15, в). П ар ам етр ы транзисторов будем считать одинаковыми, а
токи утечки— пренебрежимо малыми. Пусть н ап р яж ен и е питания
связано с пороговыми н ап ряж ени ям и транзисторов неравенством
£ /и .п > I tfoi I + ^ 02- (2.33)

Тогда при 0 < U BX<Uo2 транзистор Т2 закрыт, транзистор Т\ от­


крыт и выходное нап ряж ени е и вых— и и.п. При увеличении UBX от
U 02 до и а л — U 01 происходят плавное зап и ран ие транзистора Т\, от­
пирание транзистора Г2 и уменьшение н ап ряж ен и я UBых. При U BX=
= £Ai.n— £Лн транзистор Т\ окончательно зап и рается и L/Bы х = 0.
В заклю чение отметим, что инвертор м ож ет р аб отать и при
Un.n< | £Лп | + U 02, однако этот реж им приводит к увеличению в ре­
мени переключения, т а к как в течение части его оба транзистора
Т х и Т2 будут закрыты . Но, с другой стороны, он д ает экономию в
потребляемой инвертором мощности.
Обычно статический реж им инвертора рассчиты ваю т так, чтобы
при условиях (2.26) выполнялись неравенства (2.27). В силу спе­
цифики работы инвертора с активной нагрузкой д л я этого д о с та ­
точно проверить неравенство (2.33).
Статическая помехоустойчивость инвертора. С татическая поме­
хоустойчивость £/пом характери зуется м акси м альн ы м н ап р яж е н и ­
ем статической помехи, действующей на выходе или входах инвер­
тора, но не наруш аю щ ей его нормального функционирования.
70
Помехоустойчивость определяют из соотношения
/ / +ПО»
£ / n0M= m i n < (2.34]
U noi
где U пш • — допустимые значения положительной и отри ца­
тельной статических помех.
Значения статических помех мож но определить по передаточной
характеристике рис. 2.15, в или по форм улам
и ^ = и 02- и °вх» (2.35)
и - (2.36)
При расчете статического реж им а инвертора д л я обеспечения
заданной помехоустойчивости в рабочем д иапазоне температур
И М С пороговые н ап р яж ени я ключевого и нагрузочного тран зи сто­
ров необходимо определять (при Uq\ — Uq2 = U q) п о в ы раж ению
(£/0-ТК£/0Л7\) ,/у° (2.37)
^пом
У ™ - ( У о + т к г / 0л П ) ,
где Т К ^ о — температурный коэффициент пороговых напряж ений
( ^ 4 мВ/°С) ; AT'i^T'max— T’komhJ А7’2=7'комн— Т mini Ткоми— + 20° С.
Д инам ический реж им работы инверторов. А нализ динам ическо­
го реж им а работы рассмотренных схем инверторов проведен при
следующих условиях:
а) входное нап ряж ени е изменяется скачкообразно от £/вхшщ
ДО U в х m a x ’)
б) нагрузка имеет чисто емкостный характер и р ав н а С п' —
= СН+Свых~Си, где Свых—выходная емкость инвертора.
Схема включения источника входного нап ряж ени я и конденса­
тора нагрузки д л я оценки быстродействия инвертора с нелинейной
uu (t)

ГН
tm^tsb/M/2

ЕЁ
о

Рис. 2.16. Схема включения (а) и временные Рис. 2.17. К определе-


днаграммы работы инвертора (б) в динамическом нию быстродействия ин-
режиме вертора

нагрузкой приведена на рис. 2.16, а, а соответствующие ей времен­


ные д иаграм м ы — на рис. 2.16, б. Обычно быстродействие инверто­
ра оценивают временами включения tm a , выклю чения tVbWn и за-
71
держ кн распространения сигнала /зад, уровни отсчета которых у к а ­
заны на рис. 2.16, б. Очевидно, быстродействие инвертора будет
определяться временем п ерезаряд а конденсатора Сш которое, в
свою очередь, определяется средним значением емкостного тока ic .
П ри скачкообразном входном сигнале раб о ч ая точка инвертора
перем ещ ается по траекториям, отмеченным на рис. 2.17 цифрами
1 — 2 — 3 при выключении (соответствует запиранию транзисто­
ра Гг) и 3 — 4 — 1 при включении (соответствует отпиранию т р а н ­
зистора Т2). В этом случае быстродействие инвертора мож но оце­
нить по площ ади, расположенной под нагрузочной статической
характеристикой при выключении, и по площ ади м еж ду нагрузоч­
ной и стоковой характери сти кам и ключевого транзистора при вкл ю ­
чении. Д ействительно, как видно из рис. 2.17, эти площ ади пропор­
циональны средним значениям токов з а р я д а и р аз р я д а конденсато­
ра нагрузки: t’c 3ap = fn , icpa 3P= i c — in- Чем больше площ ади, тем
больш е средние значения емкостных токов и тем быстрее протекают
переходные процессы. Т ак к а к площадь, соответствующ ая р азря д у
конденсатора нагрузки, на рис. 2.17 больше площади, соответству­
ющей его заряду , то время включения инвертора t Bкл всегда
меньше времени выключения / Выкл. Поэтому ограничимся расчетом
большего времени £Выкл.
Расчет времени выключения /ВЫкл легко провести при скачкооб­
разном входном сигнале, составив дифф еренциальное уравнение
за р я д а конденсатора нагрузки С„ током i ( t ) нагрузочного тр ан зи ­
стора:
(2.38)
at

Д л я решения уравнения (2.38) в его правую часть нужно под­


ставить в случае инвертора с пассивной нагрузкой уравнение тока
(2.3 ), в случае инвертора с пассивной нагрузкой и двум я источни­
ками питания — уравнение тока (2.2), а в случае инвертора с а к ­
тивной нагрузкой — оба у равнения тока (2.2), (2.3).
Д а л е е приведены решения уравнения (2.38) д л я различных т и ­
пов инверторов в виде вы раж ен и й д л я времен выключения ^выкл-
Сюда включены вы р а ж ен и я д ля слож ны х схем инверторов с пас-
сивной (рис. 2.18, а, б) и с
активной (рис. 2.19, а, б)
нагрузками. Эти схемы
имеют расширенные фун­
кциональные возм ож но­
сти, выполняя логические
функции И Л И — Н Е и

Рис. 2.18. Сложные схемы ин­


E/.SS л g верторов с пассивной н агруз­
Вход п о— кой:
О 5 а — элемент ИЛИ — НЕ;
&} б — элемент И—НЕ

72
И — НЕ, и отличаю тся от простых инверторов п ар ал л ел ьн ы м или
последовательным включением нескольких ключевых и нагрузоч­
ных М Д П -транзисторов.
Д л я инвертора с пассивной нагрузкой (см. рис. 2.10, 2.18, а , б)
, _ ______18СН______ (2.39)
выкл~ S0 l{CIH.u- C I 0)

п Вход2\
Входпо- -Н Тп Выход

Тп+,

а) 5)
Рис, 2.19. Сложные схемы инверторов с активной нагрузкой:
а — элемент И Л И —НЕ; б — элемент И —НЕ

Д л я инвертора с пассивной нагрузкой и двумя источниками пи­


тан и я (см. рис. 2.13, 2.18, а, б)
С„ 9 ( 2 - 1 ,9/С)
^ВЫКЛ---' (2.40);
■Sqi (1 — К) (Ии.п2 — Ud)j 2,0 - 1,1 к >
где

К — ^ H . n l / ( ^ H.n2 CJQ).
Д л я инвертора с активной нагрузкой по схемам рис. 2.15, а,
2.19, б
С„ 0 ,9 — К
^выкл In ( 2 0 /С - 1) (2.41)
•501(^И.п tf0) 0 ,5 К

по схеме рис. 2.19, а


пС« 0 ,9 — /С
^выкл In (20ЛГ — 1) 4- (2.42)
5 q i { U и.п — ^ о ) 0,5/С

где п — число последовательных нагрузочных транзисторов; К —


= (Un.n- U 0) / U a.n.
Р аб о та инверторов в цепочке. Одиночный инвертор использует­
ся довольно редко. К ак правило, он раб отает в составе сложны х
логических схем. При этом к инвертору п редъявляю тся требования
согласования электрических уровней с соседними ка ска д а м и д ля
передачи двоичной информации и обеспечения заданного быстро­
действия.
73
Обычно согласование электрических уровней обеспечивается пу­
тем зап и ран ия последующего инвертора при открытом предыдущем
и наоборот. Д л я цепочки инверторов на М Д П -тран зи сто рах
(рис. 2.20) вследствие непосредственной связи м еж ду ними усло­
вие согласования обеспечивается, если
и ^ > и а, (2.43)
У .ы „ ш < У о , (2.44)
где U вых min— минимальное нап р яж ени е на выходе открытого ин­
вертора.
П ри проектировании инверторов, работаю щ их в цепочке, д ля
выполнения условия (2.43) требуется правильный подбор н а п р я ж е ­
ния источника питания, а для выпол­
нения условия (2.44) необходимо р а с ­
считать отношение значений крутиз­
ны ключевого и нагрузочного тран зи ­
сторов по форм улам (2.28), (2.32). При
проектировании цепочки инверторов с
активной нагрузкой достаточно вы пол­
Рис. 2.20. Ц епочка инверторов нить только условие (2.43).
с пассивной нагрузкой Обеспечение заданного быстродей­
ствия в цепочке инверторов достигает­
ся путем равномерного распределения з а д е р ж е к м еж д у ка ска д а м и
по формуле
*Вы к л = 2 /зад/ я , (2.45)
где £зад — треб уем ая за д е р ж к а распространения сигнала (задается
Т З ) ; п — количество последовательно включенных инверторов.
Емкость нагрузки выходного инвертора обычно зад ается, а ем ­
кость нагрузки промежуточного инвертора Си принимаю т равной
входной емкости последующего инвертора С Вх и собственной в ы ­
ходной емкости Свых:
Ся = СВус С вых= С ЗИ2 —{—Сзп2 ~Ь- СЗС<)КtA~\- С Мет .п1 ~Ь ^сп2* (2.46)
г д е / С м = 5 о2/5 о1 — коэффициент М и ллера; С мет — емкость конден­
сатора, образованного проводником, соединяющим каскады , и под­
ложкой.
О днако определение С„ по ф орм уле (2.46) невозможно, т а к как
последние три слагаем ы х неизвестны и могут быть определены
только после разрабо тк и эскиза топологии И М С в целом. Поэтому
д л я предварительного расчета ц елесообразно выбирать
С’я= 1,0-s- 1,5 пФ, (2.47)
а в процессе поверочного расчета уточнить это допущение.
Р асч ет динамического р еж и м а работы инвертора проводят так,
чтобы при задан н ом времени за д е р ж к и сигнала £эаД и емкости н а ­
грузки Св в любых р е ж и м ах работы выполнялось неравенство
* аа ж < Л С к д /2 . (2.48).
74
Условие (2.48) выполняется в том случае, если удельную кру­
тизну нагрузочных транзисторов инверторов рассчитывать по ф ор­
м улам (2.39) — (2.42) в зависимости от схемы*, а время вы клю че­
ния — по в ы раж ению (2.45).
Н а основании ан ал и за статического и динамического режимов
работы различны х типов инверторов удалось установить в а ж н е й ­
шие связи их конструктивных и электрических парам етров:
1) расчет толщины затворного диэлектрика /гд производят по
ф орм улам (2.4), (2.10), (2.11) и (2.37) из условия получения з а д а н ­
ной статической помехоустойчивости;
2 ) удельная крутизна Soi нагрузочного транзистора, рассчиты ­
ваем ая по ф орм улам (2.39) — (2.42), из условия получения з а д а н ­
ного быстродействия однозначно определяет отношение ширины
к а н а л а М Д П -тр ан зи стор а к его длине bKi/lKi\
3) расчет геометрии ключевого транзистора (отношения
производят по ф орм улам (2.28), (2.32) из условия обеспечения з а ­
д анны х выходных н апряж ений инвертора в статическом режиме.

§ 2.6. Конструирование транзисторов


и топологии кристалла М ДП-ИМ С

При разр а б о тк е М Д П -тран зи стор ов конструктор д олж ен стре­


миться к повышению удельной крутизны So при работе в активном
реж име, снижению порогового нап р яж ени я Uо, уменьшению зан и ­
маемой площ ади и паразитны х емкостей. Конечной целью явл яется
увеличение быстродействия и степени интеграции при заданной по­
требляемой мощности. Техническая противоречивость указан ны х
требований (особенно первого и третьего) зас тав л яет конструктора
идти на определенные компромиссы и д ел ает его труд творческим.
Требование уменьшения площ ади, занимаемой отдельным М Д П -
транзистором и микросхемой в целом, приводит к р а зр а б о тк е
кри сталл а минимально возможной площади. Однако существует
предел возможностей той или иной технологии, связанны й с мини­
мальным геометрическим разм ером (см. § 1.4) и точностью его вы­
полнения. Поэтому при расчете и выборе конструктивных п а р а м е т ­
ров М Д П -тран зи стор ов и других элементов схемы следует учиты­
вать технологические ограничения на разм еры М Д П -структур, ко­
торые приведены в табл. 2.1.
П роектирование топологии М Д П -И М С средней и большой сте-.
пеней интеграции имеет некоторые особенности. В частности, мето­
ды проектирования топологии м ож но п одразделить на д в а в з а в и ­
симости от того, из каких элементов создаю тся эти ИМ С:
1) совокупности типовых элементов — МДП-транзисторов;
2 ) совокупности типовых логических элементов и блоков (вы ­
ходных и промежуточных инверторов, триггеров, регистров и т. д .).
Первый метод совпадает с методом проектирования И М С малой
степени интеграции и позволяет получить наибольшую плотность
разм ещ ения элементов на кристалле. Однако затр а ты времени при
этом велики.
78
Т а б л и ц а 2.1
Технологические ограничения на размеры МДП-структур
Вид технологии
Наименование элемента топологии,
Чертежи топологии наименование и обозначение размера
/г-М Д П л -М Д П КМДП

р-канальный МДП-тран­ 0,07— 0,10

1
Толщ ина затворного диэлектрика (SiCh) Лд, мкм

О
:5 * 0 ,1

о
0
зистор с алюминиевым Толщина толстого диэлектрика ( S i 0 2) Лтд, мкм 1,0 1,0 1,0
затвором Толщ ина м еталлизации (алю миния) Лм, мкм 1,2 1,2 1,2
Толщ ина кремниевого затво р а Лп.к.з, мкм — 0,5 0,5
Толщина межслойной изоляции (ФСС) Лм.и, мкм — 1,0 1,0
Толщина пассивирующего слоя (ФСС) Лпс, мкм 1,0 1,0 1,0
Т олщ ина стоков, истоков, диффузионных проводни­ 1,5 1,0 1,0 (п+)
ков h j, мкм 1,5 (р+)
Толщ ина p -областей для формирования я-канальных --- — 6,0— 7,0
транзисторов К М Д П -И М С hi, мкм
М инимальная длина алюминиевого (кремниевого) з а ­ 12' 5 5
твора /з, мкм
П ерекрытие областей стока (истока) алюминиевым 2,0 0,8 1,0
(кремниевым) затвором £, мкм
п-канальный МДП-тронзис- М инимальное расстояние от края контактного окна 4,0 2,0 2,0
тор с кремниевым затвором до края стока (истока), диффузионного проводника
кремниевого затво р а а, мкм
М инимальный разм ер контактного окна к стоку (исто­ 6X 6 5X 5 5X 5
ку), диф фузионному проводнику и кремниевому з а ­
твору сХ с, мкм
М инимальное расстояние от затвора до края контакт­ 10,0 4,0 4,0
ного окна к стоку (истоку) d, мкм
П ерекрытие области канала затвором на его конце е, 3,0 2,0 Д о охран­
мкм ного кольца
(А1)
2,0 (Si)
М инимальное расстояние меж ду соседними стоковыми 10,0 5,0 5,0
(истоковыми) областями и диффузионными проводника­
Исток Затвор Сток Охранное ми /, мкм
кольцо

Продолж ение табл. 2.1


Вид технологии

Чертежи топологии ■Наименование элемента топологии,


наименование и обозначение размера
р-М Д П л-М Д П КМДП

М инимальная ширина диффузионного проводника и 8,0 5,0 5,0


охранного кольца g , мкм
Дифф узионные
проводники Минимальное расстояние м еж ду кремниевыми затв о ­
(3* — 4,0 4,0
рами к, мкм

М инимальное расстояние меж ду алюминиевыми з а ­ 8,0 5,0 5,0


творами и меж ду проводниками металлизации s, мкм
ПоликремпиеВые
М инимальная ширина проводников металлизации /, 8,0 5,0 5,0
проводники
мкм

Перекрытие проводником металлизации контактного 3,0 2,0 2,0


окна ко всем областям t, мкм
ш ш н щ : ••
Расстояние от края кристалла до контактной площ ад­ 5? 50
Проводники металлизации ки и, мкм
v / A '/ . / s ? / / / / ; / / ? . Я
и М инимальный размер контактной площ адки для руч­ 50X 50
f ^ ной (числитель) и автом атизированной (знаменатель)
150 X 1 5 0
термокомпрессионной сварки v x v , мкм
Контакт1ные площадки
М инимальное расстояние м еж ду контактными пло­ 70
щ адкам и для ручной (числитель) и автоматизированной
50
(знаменатель) термокомпрессионной сварки w, мкм

%
Р асстояние меж ду контактными площ адками и други ­ 20
ми элементами схемы х, мкм
Второй метод п редполагает использование топологии логических
элементов или блоков, спроектированных ранее. Д л я рац и ональн о­
го использования площ ади кри сталл а топологию типовых элем ен ­
тов и блоков проектируют в виде прямоугольных ячеек равной вы­
соты. П роектирование вклю чает разм ещ ение типовых элементов
или блоков и трассировку соединений м еж д у ними. Д ан н ы й метод
ускоряет процесс проектирования топологии, но приводит к увели­
чению площ ади кр и сталл а и ухудшению п арам етров ИМ С.
Находит применение и комбинированный метод разрабо тк и то­
пологии М Д П -И М С , в котором сн ач ал а р азр а б а ты в ае тся тополо­
гия типовых логических элементов с последующим их разм ещ ени ­
ем на плоскости кристалла.
Курсовое проектирование М Д П -И М С охваты вает схемы малой
и (реже) средней степеней интеграции. При этом наиболее прием­
лемыми являю тся первый и комбинированный методы проектирова­
ния топологии.'
Р а зр а б о т к у эскиза топологии кр и сталл а целесообразно начи­
нать с конструирования отдельных элементов, к которым относятся
ключевые и нагрузочные М Д П -тран зи сторы , охранные диоды и
кольца. З а тем производят рациональное разм ещ ение этих элем ен ­
тов на кри сталле с одновременной прокладкой диффузионных шин
и металлической разводки. Н а периферии к р и сталл а р азм ещ а ю т
внешние контактные площ адки д ля соединения с выводами корпу­
са и фигуры совмещения.
Конструирование М Д П -транзисторов, работаю щ их в активном
реж име. Д л я транзисторов, работаю щ их в активном реж им е (к
ним относятся ключевые транзисторы всех инверторов и нагрузоч­
ный транзистор инвертора, изо­
браженны й « а рис. 2.15), с целью
получения малы х паразитны х
меж электродны х емкостей необхо­
димо вы бирать по табл. 2.1 мини­
мальную длину к а н а л а , обуслов­
ленную технологическими ограни­
чениями:

, = / 3- 2/, (2.49)

и подгонять отношение ширины и


длины к а н а л а bKflK,TeXB к требуемо*
му значению удельной крутизны
S 02, рассчитанному по формулам
(2.28), (2.32). О стальны е конст­
Рис. 2.21. Ч ертеж топологии М Д П - руктивные пар ам етры транзисто­
транзистора с П-образным каналом ра (размеры областей стока, ис­
тока, затвора, контактных окон
и т. д.) вы бираю т в соответствии с технологическими ограничения­
ми (см. табл. 2.1). Там ж е представлены чертежи топологии М Д П -
транзисторов с к а н а л а м и разны х типов электропроводности.
78
В случае, когда ЬкДк.техн^20, рекомендуется П -о б р аз н а я конфи­
гурация ка н а л а ключевого тран зи стора (рис. 2.21). Это имеет мес­
то при проектировании К М Д П -И М С .
Отдельно следует остановиться на ч ертеж ах топологии М Д П -
транзисторов д ля сложны х схем инверторов, где требуется обеспе­
чивать последовательное или п арал л ел ьно е соединение ключевых
транзисторов. Д л я повышения степени интеграции допускается
объединение областей стоков или истоков, как это сделано на
рис. 2.22, а, б\ 2.23, а, б.
м, с„иг

T 2EJ хУ 1 )
3’ .
°ч

и„иг
б)

Рис. 2.22. Чертеж топологии (а) Рис. 2.23. Чертеж топологии (а) и элект­
и электрическая схема (б) после­ рическая схема (б) параллельного вклю­
довательного включения М ДП- чения МДП-транзисторов
транзисторов

Конструирование М Д П -транзисторов, раб о таю щ их в пассивном


реж име. К ним относятся нагрузочные транзисторы инверторов с
пассивной нагрузкой типа и зображ ен н ы х на рис. 2.10, 2.13. У таких
транзисторов значение удельной крутизны Soi мож ет быть малым,
и д л я уменьшения площади, заним аем ой элементом, ц елесооб раз­
но выбирать минимальную ширину ка н а ла , обусловленную техно­
логическими ограничениями согласно табл. 2 .1:

2a - j - c д л я прямоугольной
формы стока (истока),
(2.50)
g д л я ступенчатой
формы стока (истока).

Д л и н у к а н а л а подгоняют в целях получения отношения Ьк.техв/1к,


соответствующего требуемому значению удельной крутизны Sow
рассчитанному по в ы р аж ен и ям (2.39), (2.40). Остальные конструк­
тивные парам етр ы вы бираю т в соответствии с технологическими ог­
раничениями (см. табл. 2.1). Ч е р теж топологии и электрическая
схем а нагрузочного тран зи стора с областям и стока (истока) сту*
пенчатой формы приведены на рис. 2.24, а, б.
Конструирование охранных диодов. О хранны е диоды использу*
ются во входных цепях цифровы х ком плем ентарных и обычных
М Д П -И М С и предназначены д л я предотвращ ения пробоя пленки
79
затворного диэлектри ка под действием статического электричества.
В качестве примера рассмотрим диодную защ итную схему входной
цепи инвертора К М Д П -И М С . В ходная цепь, электрическая схема
которой приведена на рис. 2.25, состоит из подключенных к входной
шине охранных диодов Д \ и Д 2. К ак известно, статический заряд,
накапли ваем ы й на выводах корпуса И М С или инструменте мон-
г. и

Рис. 2.24. Конструкция (а) Рис. 2.25. Д иодная


и электрическая схема (б) защ итная схема
' нагрузочного р-канального
М Д П -транзистор а

таж ни ка, м ож ет иметь положительный и отрицательный знаки.


П олож ительны й за р я д «стекает» через диод Д \, а отрицательный —
через диод Д 2. Т а к а я схема приводит к уменьшению входного со­
противления и появлению входного тока утечки в пределах 0,5—
— 1 мкА. Однако динамические парам етры схемы при правильном
проектировании охранных диодов практически не ухудшаются.
Описанная защ и тн ая схема не допускает подачу на вход на-
пряж ения и вх> и ж.п, что мож ет привести к протеканию через вход­
ную цепь больших токов и разруш ению диодов. Поэтому при вкл ю ­
чении ап п ар атур ы на К М Д П -И М С с защ ищ енны ми входными ц еп я­
ми н ап р яж ен и е питания следует п одавать раньш е входного сигна­
ла, а при выключении ап п аратуры — снимать позже. Н а х о д я т при­
менение и однодиодные защ итны е схемы, в которых используется
только охранный диод Д 2.
Основными требованиями при конструировании охранных д ио­
дов являю тся обеспечение достаточного нап ряж ени я пробоя
C ^ 2 U n.n), т а к как в рабочем состоянии схемы на диоды подается
обратное напряж ение, равное £/„.п, и получение малы х паразитных
емкостей. П ервое требование обеспечивается тем, что одной об­
ластью этих диодов служ и т низколегированная п о д л о ж к а ИМ С,
а другой — специально формируемые низколегированные участки*
Д л я получения малы х п аразитны х емкостей контактное окно к об­
ласти диода необходимо р а зр а б а ты в ат ь с учетом технологических
ограничений, указан ны х в табл. 2.1.
Ч е р теж топологии охранных диодов Д 2 и Д \ приведен на
рис. 2.26. Особенностью топологии является то, что электрический
контакт к я-области диода Д \ и p -области диода, осуществляется
через подложку.
80
Паразитные МДП-структуры и конструирование охранных колец.
В М Д П -И М С активные п арази тн ы е эф ф екты возникают за счет
об разован ия п аразитны х М Д П - и биполярных транзисторов. На
рис. 2.27, а , б д л я примера п о каза н а возможность о б разован ия п а­
разитного p -к ан ал а, меж ду диффузионными проводниками пита­
ния р+-типа, если поперечный проводник м еталлизации находится
под высоким отрицательным потенциалом.

Рис. 2.26. Ч ертеж топологии Рис. 2.27. Ч ертеж топо­


охранных диодов логии (а) и электриче­
ская схема (б) п ар ази т­
ного р-канального М ДП -
транзистора

Основным путем борьбы с паразитны м и кан алам и в обычных


р -М Д П и л -М Д П схемах явл яется такое повышение пороговых н а­
пряж ений п арази тн ы х структур, чтобы выполнялось неравенство
(2.51) и структуры не вклю чались при работе схемы. Это достига­
ется увеличением толщины изолирующего д и электри ка /гт.д либо
дополнительным легированием областей
Паразитный Паразитный
вне основных М Д П -стр уктур (см. р-канал п-канал
рис. 2.4).
Б л агоп ри ятн ы е условия д л я о б р а зо в а ­
ния паразитных кан алов имеются в кон­
щгшр-
Т Т Г 7Г 8
струкции с К М Д П -тран зи сто рам и . Ф р аг­
мент структуры инвертора с К М Д П -тран -
п
зисторам и показан на рис. 2.28. П а р а з и т ­
ный p -канал об разу ется м еж ду о б л а ст я ­
Рис. 2.28. О бразование па­
ми 3 и 6 при отрицательном потенциале разитны х каналов в инвер­
относительно подлож ки 1 на м еталличе­ торе с активной нагрузкой:
ском проводнике 4, соединяющем стоки 3 / — подлйжка; 2, 3 — исток и
и 8 КМ Д П -транзисторов. П арази тны й п - сток р-канального М Д П -транзи­
стора; 4 — металлический про­
ка н а л образуется м еж ду областям и 1 и водник; 5 — п + -охранное коль­
8 при положительном потенциале на про­ цо; 6 — р-карман; 7 — р + .охран­
воднике 4 относительно р -к арм ан а. Эти /г-канального ное кольцо; 8, 9 — сток и исток
М Д П -транзнетора
ка н а лы способствуют протеканию токов
утечки м еж ду транзисторам и за счет инверсии электропроводности
полупроводникового м а тери ал а на границе кремний — окисел.
Основным методом устранения паразитных каналов в К М Д П -
структурах явл яется применение охранных колец. Их формируют
81
л окальн ы м легированием в процессе формирования стоков и исто­
ков р- и /i-канальны х транзисторов. При этом каж д ы й р- и п-ка-
кальиый транзистор о к р уж аю т охранным кольцом соответственно
п+- и р +-типов. Д л я лучшей изоляции на кольцо р+-типа подают
самый низкий, а на кольцо п+- т и п а — самый высокий потенциал
схемы Пример выполнения ч ер теж а топологии охранного
кольца р+-типа п оказан в табл. 2.1. Н а структуре рис. 2.28 охр ан ­
ные кольца 5 (п+) и 7 (р+) разм ещ а ю т в областях об разован ия п а ­
разитных каналов.
Применение охранных колец существенно увеличивает площ адь
элементов К М Д П -И М С , поэтому при проектировании необходимо
стремиться к уменьшению их количества, используя одно кольцо
на группу транзисторов.
Конструирование эски за топологии кри ста л л а М Д П -И М С . Р а з ­
работку э ски за топологии кр и сталл а производят в такой после­
довательности:
1) р азм ещ а ю т контактные площ адки (К П ) по периметру крис­
т а л л а (нумерация контактных площ ад о к н ар ас тает против часовой
стрелки от К П ь к а к п оказано на
------------- '----- 3----- рис. 2.29), способы распозн аван и я КП[
□ □ □ □ D g s \ Фигуры от остальных ука зан ы в гл. 1;
□ I! п ®a совмещения
U 2 ) о ставляю т место >на периферии
кр и ста л л а д ля разм ещ ения фигур со­
! □ вмещ ения и тестовых элементов
и □ ш п □ (М Д П -т р а н зи с т о р о в );
3) выделяю т контактны е площ адки
д л я подведения цепей питания (£/и.п
Рис. 2.29. Пример размещения и « об щ ая » ), которые являю тся неиз­
контактных площадок и фигур менными д л я данной серии ИМ С;
совмещения на кристалле 4) если И М С содерж ит р яд одно­
типных схем, « р и стал л д ел ят на р а в ­
ные части (по площ ади) и проектируют топологию только одной
части с последующим разм нож ением;
5) эскиз топологии необходимо начинать с первой контактной
площ адки, а затем переходить от одного элемента к другому, р а з ­
мещ ая соединенные м е ж д у собой элементы в непосредственной
близости друг от друга с учетом технологических ограничений (см.
табл. 2.1);
6 ) в М Д П -И М С с алю миниевыми зат в о р ам и в качестве р а з в о д ­
ки используют диффузионные проводники и проводники м етал л и ­
зации, а в М Д П -И М С с кремниевыми затв ор ам и — диффузионные
проводники, проводники из поликристаллического кремния (как
продолж ение областей затворов) и проводники металлизации. Д л я
увеличения степени интеграции проводники м еталлизации ж е л а ­
тельно разм ещ а т ь перпендикулярно диффузионным и кремниевым
проводникам.
§ 2.7. Порядок расчета конструктивных
и электрических параметров элементов М ДП-ИМ С
П ор ядок расчета транзисторов обычных и ком плем ентарных
М Д П -И М С , имеющих различную схемотехническую реализацию ,
имеет свою специфику.
Типовое техническое за д а н и е на р азр а б о тк у конструкции
М Д П -И М С в качестве исходных данны х вклю чает электрическую
схему цифровой ИМС, коэффициент разветвления / ( р а з , емкость
н агрузки Са, время зад ер ж ки распространения сигнала t3ад, н а­
п ряж ение источника питания Un.п, выходное нап р яж ени е логиче­
ского нуля СУвых выходное н ап ряж ен и е логической единицы и 1 Ых>
статическую помехоустойчивость Unом, входную емкость СВх, поро­
говое нап ряж ени е паразитны х транзисторов Uопар, технологию и з­
готовления ИМ С, материал пластины и затворов, концентрацию
примеси в пластине No, плотность поверхностных состояний N a0B,
подвижность носителей з а р я д а в ка н а л е ц, технологические ограни­
чения на разм еры М Д П -структур.
П о р я д о к расчета параметров транзисторов р- и п -к а н а л ь н ы х
М Д П - И М С (данные ИМ С используют инверторы рис. 2.10, 2.13,
2.18):
1) изучают принцип работы ИМ С и связи ее электрических и
конструктивных парам етров по § 2.5;
2) рассчитываю т требуемое пороговое нап ряж ени е М Д П -т р а н ­
зисторов |£70| д ля обеспечения заданной статической помехоустой­
чивости по ф ормуле (2.37) при условии U l x = i f l bix и U l x = U вЫХ,
3) определяю т удельную емкость затвора относительно ка н а л а
Сзо для р- и n -кан альн ы х транзисторов по вы раж ен и ям (2 .10),
(2. 11);
4) находят толщину затворного диэлектрика Лд по ф ор м у ­
ле (2.4);
5) определяю т по схеме И М С количество последовательно вкл ю ­
ченных инверторов п и время выключения каж д ого инвертора г^ыкл
по вы раж ению (2.45);
6 ) рассчитываю т конструктивные п арам етры выходного инвер­
тора:
а) технологическую ширину к а н а л а &к1техн нагрузочного т р ан ­
зистора по табл. 2.1 и формуле (2.50);
б) удельную крутизну S 0i нагрузочных р- и п-канальных т р а н ­
зисторов по форм улам (2.39), (2.40) при заданной емкости н агруз­
ки Сн;
в) отношение ширины ка н а л а нагрузочного транзистора к его
длине ЬК1ТехнДк1 по форм уле (2.7) при заданны х значениях подви ж ­
ности носителей з а р я д а в к ан але ц,р или
г) технологическую длину к а н а л а /К2техн ключевого М Д П -тран -
зистора по табл. 2.1 и формуле (2 .49 );
д) отношение значений удельной крутизны ключевого и н агру­
зочного транзисторов тп по ф ормуле (2.28) при задан н ы х Umu и
U ВХ------
x — иI I ВхЫХ•1
83
е) отношение ширины к а н а л а ключевого тран зи стора к его
длине &к2/^к2техн по величине т\
ж) остальные конструктивные п арам етр ы нагрузочного и ключе­
вого транзисторов по д анны м табл. 2.1 с учетом рек ом ен д а­
ций § 2.6 ;
7) рассчитываю т конструктивные парам етр ы промежуточного
инвертора: после определения емкости нагрузки Сн промеж уточно­
го инвертора по в ы раж ению (2.47) ведут расчеты п ар ам етров по
п. а), б), в), д ал ее находят отношение значений удельной крутизны
ключевого и нагрузочного транзисторов т : д ля р -к а н а л ь н ы х — по
ф ормуле (2.28) и д л я л-канальны х — по формуле (2.32) при з а д а н ­
ных Ua.ni, UЦ.П2, U вх ~ ^ в ы х и затем конструктивные парам етры
согласно п. е) и ж ) ;
8) рассчиты ваю т конструктивные парам етр ы входного инверто­
ра (порядок расчета полностью совпадает с расчетом п ромеж уточ­
ного инвертора).
П ор я д о к расчета параметров транзисторов комплементарных
М Д П - И М С с к рем ниевы м и затворами (данные И М С используют
инверторы рис. 2.15 и 2.19):
1) изучаю т принцип работы инвертора с активной нагрузкой и
связи его электрических и конструктивных парам етров по § 2.5;
2) рассчиты ваю т требуемое пороговое нап р яж ени е М Д П -тран -
зисторов |[Уо| д ля обеспечения заданной статической помехоустой­
чивости по формуле (2.37) при условии U вх =£/вых и £/вх=£/вых;
з) определяют удельную емкость затвора относительно канала
Сз0 для р- и n-канальных транзисторов по формулам (2.10), (2.11)
при условии фмп=0;
4) находят толщину затворного д и электри ка /гд по формуле
(2.4) д л я р- и /г-канальных структур и вы бираю т большее значение;
5) проверяю т выполнение условия (2.33) д ля выбранного з н а ­
чения толщины затворного д иэл ектр и ка /гд;
6) рассчиты ваю т технологическую длину ка н а л а нагрузочного
транзистора (/К1техн) и ключевого транзистора (/К2техн) по табл. 2.1
и в ы раж ению (2.49);
7) рассчитываю т удельную крутизну S 0i нагрузочного транзисто­
ра по ф орм улам (2.41), (2.42) при зад ан н ы х значениях Сн и
^выкл = 2 ^зад в зависимости от схемы инвертора;
8) рассчиты ваю т удельную крутизну S 02 ключевого транзистора
по ф ормулам (2.42) или (2.41) при зад ан н ы х значениях Сн и
^выкл — 2 ^зад в зависимости от схемы инвертора;
9) находят отношение ширины к а н а л а нагрузочного и ключевого
транзисторов к его длине 6к1^ к 1техн и бкгДкгтехн по ф ормуле (2.7)
при зад ан н ы х значениях подвижности носителей з а р я д а ц р и Цп;
10) определяю т другие конструктивные парам етр ы ключевых и
нагрузочных транзисторов, охранных колец, диодов по табл. 2.1 с
учетом рекомендаций § 2.6.
Расчет паразитных связей и параметров М Д П - И М С . Р асч ет п а­
разитных связей и парам етро в вклю чает проверку наличия п а р а ­
зитных каналов, определение статического коэффициента разветв-
84
лення Краз и времени зад ер ж к и сигнала £3ад с целью контроля вы ­
полнения условий:

^Опар (2.51)

^раз раз.доп» (2.52)

(2.53)

П р авы е части неравенств (2.51) — (2.53) зад аю тс я в ТЗ, а л е­


вые части при проверке необходимо определить расчетным путем.
П р о в ер к а наличия паразитны х каналов включает:
1) анализ эскиза топологии кр и сталла д л я выявления областей
возможного образован ия п аразитны х каналов;
2 ) р азработк у мер повышения пороговых напряж ений п ар ази т­
ных структур для исключения их влияния. К таким мерам относят
выбор толщины толстого д и электри ка /гт.д, которая обеспечивала
бы требуемое пороговое нап р яж ени е паразитны х М Д П -структур
U о пар. Значение /гт.д определяю т из вы раж ений (2.10) и (2.11) со­
ответственно д ля паразитны х р- и п-каналов.
Д л я определения статического коэффициента разветвления т р е­
буется:
1) рассчитать удельную емкость проводника м еталлизации над
толстым диэлектриком Ст.д о по формуле (2.4), а та к ж е удельную
емкость перехода сток (исток) — п одлож ка Cj о по в ы р а ж е ­
нию (2.20);
2) д ля проверки неравенства (2.52) определить статический ко­
эффициент разветвления по формуле

(2.54)

где СМонт — емкость м о н таж а ( ~ 5 — 10 пФ ); Св х j — входная ем ­


кость ИМ С по /-му входу, опред ел яем ая как
*
Свх/ = ^ (^зп/-)~^'зи/)~1~^зс^М-|-(^кп~1~^пр) Ст.дО-j-CpxP» (2.55)

где k — количество транзисторов входного инвертора, включенных


п араллельно; Сзс — емкость затвор — сток ключевых транзисторов;
К м — коэффициент, учитывающий эф ф ект М иллера; 5 КП— площ адь
контактной площ адки; 5 пр — п лощ адь проводника м еталлизации
от контактной площ адки до затвора; С0хр— емкость охранных д ио­
дов.
Определение времени зад ер ж к и сигнала разработанной много­
каскадной М Д П -И М С вклю чает расчет конструктивной н агрузоч­
ной емкости Сц.констр промежуточного и входного инверторов по
ф о р м у л е (2.46) и по эскизу топологии кри сталла, а та к ж е проверку
неравенства
85
сн.консТр (2.56)
где С„ — расчетное значение емкости (2.47).
При невыполнении условия (2.52) производят перерасчет топо­
логии входного инвертора путем увеличения времени его выключе­
ния, рассчитанного ранее по (2.5). Д л я однокаскадны х И М С целе­
сообразно переработать топологию входного инвертора, произведя
расчет на меньшую емкость нагрузки Сн. При невыполнении усло­
вия (2.53) или (2.56) необходимо произвести перерасчет топологии
промежуточных инверторов на большую емкость Сн', чем з ад ан о
в (2.47).

Пример расчета конструкции и топологии КМ ДП -И М С

Техническое задание
Р азраб отать конструкцию и топологию микросхемы И Л И — Н Е по следую*
щим исходным данным: электрическая схема (рис. 2.30); /СРа з = Ю ; Св = 50 пФ;

о—и !

7
005щии
Рис. 2.30. Электрическая схема микросхемы И Л И — Н Е

*зад = 50 не; <7и.п = 9 В ± 1 0 % ; С/°ых< ;0 ,3 В; U xb!X^ 7,5 В; УПо м = 0 ,9 В; техно­


логия КМ Д П ; технология м онтаж а кристалла в корпусе — ручная термоком»
прессия; материал пластины — КЭФ4.5 < 1 0 0 > ; м атериал затвора — поликри*
сталлический кремний; М0Л = Ю15 см-3 ; ^ = 2■ 10 1в см-3 ; Nn0Ji= ( l- i- 2 ) Ж
Х 1 0 “ см- 2 ; jx„ = 450 см2/( В - с ) ; jj,p = 2 5 0 см2/( В - с ) ; t/о п а р ^ Ю В; герметич»
ность корпуса 5 -1 0 -5 л-м км /с; Т = — 45-т- + 8 5 ° С.
Т ак как электрическая схема содерж ит четыре однотипных двухвходовых
инвертора, достаточно рассчитать конструктивные параметры только одного из
них. П оследовательность расчета соответствует приведенному ранее порядку:
1) по выражению (2.37) | i / 0| = l,46 В;
2) по формуле (2.10) С3о = 4 ,6 5 -1 0 -8 Ф/см2, а по формуле (2.11) С»о“
= 2 , 4 - 10~8 Ф/см2;
№ *» (0 ,0 7 5
3) по выражению (2.4) /гд = т а х j = m ax < = 0 , 1 5 мкм;

4) Уо1= —2,31 В, U02= 1,46 В, |УоП + г/о2 = 3 ,7 7 < £ /я.п = 9 В;


5) по табл. 2.1 и формуле (2.49) /к1техн = /к2техн==^з—2г = 3 мкм;
6) по выражению (2.42) S 0i= = 4 ,4 -10-4 А /В2;
7) по выражению (2.41) S 02= 1,93-10~ 4 А/В2;
8) по выражению (2.7) 6Ki/LiTexH = 73 и ЬК2/Л<2техн= 18.
Отсюда Ьк1= 219 мкм, а Ьк2 = 5 4 мкм.
Остальные размеры областей М ДП -транзисторов выбирают по табл. 2.1.

86
<3 UJ
s^ ^-i. g ’=J
S 51
<э X ^£
S§ |S
=3
e §&
Cl Co
*= S: e
»; ^
Й C; §l a* С
§S с: 3* cз
° c~ П
.§ LJ

И Л И — НЕ
кристалла КМДП-ИМС
Рис. 2.31. Топология
При разработке эскиза топологии кристалл разбиваю т на четыре равные
части и производят размещ ение транзисторов только первого инвертора (Г,— 7\,)
с учетом технологических ограничений. П лотность размещ ения элементов обес­
печивается последовательным соединением р-канальных транзисторов (Т\, Т2)
с объединенными стоковой и истоковой областями и параллельным соединенней
«-канальных транзисторов (Т3, Г4) через область подложки. Вариант топологии
кристалла с четырьмя двухвходовыми инверторами приведен на рис. 2.31. По
оси симметрии кристалла расположены фигуры совмещения.
Оценку качества разработанной топологии производят по ранее изложенной
методике. Д ля устранения паразитных /г-каналов вводят охранное кольцо р+-ти-
па, охватываю щ ее /г-канальные транзисторы инверторов, а для устранения ос­
тальных паразитных p -каналов толщину окисла кремния /гт.д в соответствии с
(2.10) делаю т равной 1,7 мкм.
Определенное по (2 .5 4 ) значение статического коэффициента разветвления
/Сраз = 57>/С раз.доп = 10 удовлетворяет требованиям технического задания, по­
этому доработку эскиза топологии не производят.
Часть II
КОНСТРУИ РОВАН И Е И ТЕХНОЛОГИЯ
ГИ БРИ Д Н Ы Х ИНТЕГРАЛЬНЫ Х МИКРОСХЕМ

Глава 3
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИС

§ 3.1. Подложки тонкопленочных ГИС

П о д л ож ки ГИС являю тся диэлектрическим и механическим ос­


нованиями д л я располож ения пленочных и навесных элементов и
с л у ж а т д ля теплоотвода. Электрофизические парам етр ы м а т е р и а ­
лов п одлож ек даны в табл. 3.1, а химический состав некоторых из
них — в табл. 3.2.
Д л я м алом ощ ны х Г И С мож но применять бесщелочные бороси­
л ик атн ы е стекла С41-1 и С48-3, а т а к ж е ситаллы. По сравнению с
ситал л ам и стекла имеют меньшую теплопроводность, что не позво­
л яет использовать их при повышенных уровнях мощности. Ситалл
имеет ряд преимуществ перед стеклами. Он хорошо о б р аб аты в а ет ­
ся, вы д ерж ивает резкие перепады температуры, о б л а д а ет высоким
электрическим сопротивлением, газонепроницаем, а по механической
прочности в 2— 3 р а за прочнее стекла. Д л я мощных ГИС прим еня­
ют керамику поликор, а д ля особо мощных ГИС — бериллиевую ке­
рамику, имеющую очень высокую теплопроводность (см. табл. 3.1).
Недостатком керамики является значительная шероховатость по­
верхности, что затр уд н яет получение воспроизводимых номиналов
тонкопленочных элементов. По этой причине керамику 22ХС ис­
пользую т только д л я толстопленочных ГИС. Увеличение класса
чистоты обработки поверхности путем глазуро ван и я керамики сл о­
ем бесщелочного стекла приводит к значительному уменьшению теп­
лопроводности (см. табл. 3.1).
В случаях, когда требуется обеспечить хороший теплоотвод, в ы ­
сокую механическую прочность и жесткость конструкции, п рим еня­
ют металлические подложки: алюминиевые подложки, покрытые
слоем анодного оксида, или эм ал и р ованн ы е стальные подложки.
Габаритные разм еры п одлож ек стандартизованы . Обычно на
стандартной подлож ке групповым методом изготовляю т несколько
пл а т ГИС (заметим, что платой н азы вается часть подложки с р а с ­
положенными на ее поверхности пленочными элементам и одной
Г И С ). Д елен ие стандартной подложки на части, кратные двум и
89
г
• »s w
ев в) g S ю
ев н я н
о о* I
о о о о
ег о о, 2
сЗ с*
к J к *_■
*3 S я ®°
о
cd
Н X
оа, яез >
—sfc»
► 00 I \

Яп**X
ев
о
Чв соХ <N СО
ь-

X
«-IJ | I
о
Ts
g x
J, S'
ГИС

1
о
1
материалов подложек

О о
ю 2 3 ю
+1
о
Материал

CD

« I
2к а.* о 00
£5 «* со
S* ю
ю

1
о
Электрофизические параметры

in I
со О'
CN
+1 о
см
о
ю
I
о
00 I
I .о о
CN
+1 со
00

I
о
I
ю о
CN nT
+1 о
<N

03 о dj 33 гг
а, та •» CbJ* ££«*—
II 4 v о
VO
о
§ 2 о. К. СО я s
а.
с
“ о я и m gU
°- о °
s « ь §& b
о
>я я е н 2 о.;» ft ^ си
X Н0Э У С II 2 а. I О о
ою
X О* ® ^ г л Я
SS b l (N
О,
а> >> 5 ^ ^
CL)
a я
-
5 гп «2
S3 са “ с^> o' н Р- Л Я
Ь* н
§Я g II ЕГ S
о с_ *. н. £з <-> ЙЙО sf О
x X Я
W 5 К. JS
o-CQ
в geo си а н s Я
« •§
ё§и *н г*

ч
е5 я
8
«US
s
н ЭК&я ?
^
-I-
0) w
о
•0-S
о(D соо § ££>
^ о
«га а
Н sr
s>&zz
а.
а
а> СП ОО
* 1 а* я
о •&a с 17 £И X X
90
Т а б л и ц а 3.2
Химический состав подложек ГИС
Состав

Материал
подложки N aaO РеО
SiO , A l,O s ВаО СаО тю , MgO ВаОз UO,
К,О МпО

C41-I 60,5 13.5 9 ,5 9 ,0 7,5 0,25


С48-3 6 6 ,3 3 .5 0 ,5 20,9 8,0 0,6 0,2
CT50-I 2 5 ,0 20,0 2 5 ,0 3 0 ,0 0,06

Т а б л и ц а 3.3

>
Типоразмеры плат ГИС
(размеры, мм)

_________
>& типо­
размера

№ типо­
типо­
типо­

Ширина
Ширина

Ширина
размера

Ширина
размера

размера
Длина

Длина

Длина

Длина
1 96 120 6 20 24 1п 5 6 16' 8 10
2 60 96 .7 16 20 12 2 ,5 4 17 24 60
3 48 60 V 8 12 16 13 16 60 18 15 48
4 30 48 Г 9 10 16 14 32 60 19 20 45
5 24 30 МО 10 12 15 8 15 —

трем, д ает ряд типоразмеров плат, приведенных в табл. 3.3. П л аты


№ 3 — 10 используют в стандартны х корпусах, остальные — в бес-
корпусных ГИС и микросборках. Толщ ина п о дл ож ек составляет
0,35— 0,6 мм. Р азм е р ы п одлож ек имеют только минусовые допуски
в пределах (0,1— 0,3 м м ).

§ 3.2. М атериалы элементов тонкопленочных ГИС

М ате р и а лы резисторов. П а р ам ет р ы тонкопленочных резисторов


определяю тся свойствами применяемых резистивных м атериалов,
толщиной резистивной пленки и условиями ее формирования. Д л я
создания ГИС необходимы резистивные пленки с удельным по­
верхностным сопротивлением ps от десятков до десятков тысяч ом
на квадрат. Чем меньше толщ ина пленок, тем выш е ps, но одновре­
менно повышается Т К # , а т а к ж е ухудшается временная и тем пе­
р атур н ая стабильность пленок.
В качестве резистивных м атериалов используют чистые м е т а л ­
лы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а т а к ж е
специальные резистивные м атер и ал ы — керметы, которые состоят
из частиц м етал л а и диэлектрика (например, Сг и S iO ). Ш ироко
распространены пленки хрома и та н т а л а (табл. 3.4). С плавы , из
91
Таблица 3.4
Основные параметры материалов тонкопленочных резисторов
Материал Параметры

удельное по-
верхностное допустимая
диапазон номиналь­ удельная температурный коэффициент
для иапылеиия резистивной сопротивление сопротивления T K #
пленки контактных площадок резистивной ных значений сопро­ мощность
тивлений, Ом рассеяния при Т---- 60-г125°С
пленки р£,
Р о, Вт/см9
Ом/П

Нихром, проволока М едь 300 50—30 000 м о -4


Х20Н80 (ГОСТ 12766—67)

Нихром, проволока Золото с подслоем 10 1— 10 000 —2,25-10'"4


2
(ГОСТ 8803—58) хрома

50 5—50 000

Сплав М ЛТ-ЗМ М едь с подслоем ва­ 500 ' 50—50 000 2 - 1 0 -1


(6К 0.028.005 ТУ) надия (луж еная)

Медь с подслоем ни­


хрома (защ ищ енная ни­
келем)

Хром (ГОСТ 5905—67) М едь (луж еная) 500 50—30 000 1 0,6 - 10~*__

Кермет К-50С Золото с подслоем 3000 - 10'ОО— 10 000 2 з-ю - 4


’(ЕТ0.021.013 ТУ) хрома (нихрома) 5000 500—200 ООО —4-101- 4 .
10 000 10 000’— 10 000 000 —5-10^ 4

Материал
Параметры

удельное по­
верхностное допустимая
для напыления сопротивление диапазон номиналь­ удельная температурный коЗффициент
резистипной пленки контактных площадок ных значений сопро­ мощность
резистивной сопротивления 'ГК/?
нленки р^, тивлений, Ом рассеяния при Г -----£0-И 25°С
О м /а Р 0, В т /см а

Т антал ТВЧ; лента тол­ Алюминий с подслоем 20— 100 100— 10 000 3
щиной 0,3—3 мм (РЭТУ ванадия — 2 -1 0 -4
1244—67)

М едь с подслоем ни­ 100 50— 100 000


хрома

Тантал 10 10— 15 000

Сплав РС-3001 1000 100—50 000 2 — 0 ,2 - 10- ‘


(ЕТ0.021.019 ТУ) 2000 ’ , 200— 100 000

Сплав РС-3710 Золото с подслоем 3000 1000—200 000


со
О
1
1

(Е Т 0 .0 2 1.034 ТУ) хрома (нихрома)


которых наиболее часто используют нихром, имеют большее зн ач е­
ние ps по сравнению с пленками чистых металлов. Н а основе керме-
тов получают высокоомные резисторы. Н аиб о л ее распространен
кермет, в состав которого входят хром и моноокись кремния (50—
90% Сг, 50— 10% S iO ). В зависимости от содерж ан ия хрома м о ж ­
но получить резистивные пленки с удельным сопротивлением от
сотен ом на к в ад рат до десятков килоом на квадрат, об ладаю щ и е
высокой стабильностью. О днако в связи с тем, что свойства кермет-
ных пленок в сильной степени зави сят от технологических факторов,
резисторы имеют худшую воспроизводимость номиналов и боль­
ший ТК/? по сравнению с металлическими; В настоящ ее время
промышленностью освоена больш ая группа металлосилицидных
сплавов системы Сг— Si, легированных небольшими д обавк ам и ж е ­
леза, никеля, кобальта, в ол ьф рам а (PC-3001, PC-3710, РС-5604К,
MJIT-3M, РС -5 406 Н ). П ри сравнительно малом TK-R и высокой с т а ­
бильности воспроизведения удельных поверхностных сопротивле­
ний диапазон номиналов сплавов P C достаточно широк: 50 О м / П —
50 кОм/Ш. Н аиболее часто используют сплавы PC-3001, РС-3710
(37,9% Сг, 9,4% Ni, 52,7% S i), М Л Т-ЗМ (43,6% Si, 17,6% Сг,
14,1% Fe, 24,7% W) (см. табл. 3.4).
М атери алы конденсаторов. О б клад ки конденсаторов долж ны
иметь высокую проводимость, коррозионную стойкость, технологи­
ческую совместимость с м атери алом подложки и диэлектрика кон­
д енсатора: Т К Л Р , близкие к Т К Л Р подложки и диэлектрика, хо­
рошую адгезию к подлож ке и диэлектрику, высокую механическую
прочность.
Н аилучш им м атери алом д л я обкл ад ок конденсаторов является
алюминий, который, однако, имеет плохую адгезию к подложке.
Д л я предотвращ ения отслаивания нижней обкладки вначале н а ­
пыляют подслой титана или ванадия. Верхняя о б кл ад ка, н а п ы л я ­
ем ая на диэлектрик, не требует подслоя. Применение золота д ля
об клад ок не рекомендуется из-за высокой подвижности атомов и воз­
можной дифф узии сквозь диэлектрик, приводящей к короткому з а ­
мыканию обкладок.
М атериал диэлектри ка долж ен иметь хорошую адгезию к под­
л о ж ке и м а тери ал у обкладок, о б ладать высокой электрической
прочностью и малы ми потерями, иметь высокую диэлектрическую
проницаемость и минимальную гигроскопичность, не р азл а га тьс я в
процессе формирования пленок. В качестве диэлектрических м а те­
риалов наиболее часто используют моноокиси кремния и германия.
В табл. 3.5 приведены основные п арам етры диэлектрических м а те­
риалов тонкопленочных конденсаторов.
М атериалы проводников и контактных площ адок. Они долж ны
иметь м алое удельное сопротивление, хорошую адгезию к п о д л о ж ­
ке, высокую коррозионную стойкость. С амы м распространенным
м а тери алом тонкопленочных проводников и контактных п лощ адок
в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хро­
ма, нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию,
а золото — нужную проводимость, высокую коррозионную стой-
94
: 95

fc
Продолжение табл. 3.5

«зевн Т,
I
о. ^ о О

aj;K
о£
—a s
05=
н-1
ЭЭ1Г09 эн ‘fijw
*/ вкнзвн Behofred
С «е
ЫHii.
2dSc О
CN

*7 ГРX S 5f
o 5.S
p ; -^»
s £ 2»*-
£ «j " I
2si
* °9“Ё
o. o jU-
b- О
*г;> w
ЯО?. = -i

)o!й-5 »Г
к( О S
э* х Ч>ч
ФоXffl
О

яз г?" са

о
20. о
О о
о о
о о
(N

□/ко <5d (N
Я01ГВ1'Н90 ИХНЭ1ГН О
ЭИНЭ1Г0Ш,ОЙПОЭ 30H .lt/
- O H x d s a o u эончь*01гХ
а> —>Л VO
£ § сл ^ Е О
С <о «J
^ I 03 К
V I «2 сл *.
са
Г4 ^^ щ
Н сч о
5 »я5Р £ К к
к 2 <и X
—. о ®
ч я ^— О5=5 Si
О.
—ч
£2 >>
^ кк §н
Й *
«ь К
НЙ к с к я
аw яЯ < е я ^
о < «
СЗ СJ ,_ч
h - л)
Я Я £
2 s Я
ь я сз
х а
о с
> л. а(- аs
У *о et
хОя (Т)
=; о2р
К *■—
н
С а ох
=; а
96
кость,возможность пайки и сварки. Толщ ина золотых пленочных
проводников обычно составляет 0,5— 1 мкм.
В ап п арату ре с менее жесткими требованиями к надежности в
качестве проводников используют пленки меди или алю миния с
подслоем хрома, нихрома или титана. Д л я предотвращ ения окис­
ления меди и улучш ения условий пайки или сварки ее покрывают
никелем, золотом или серебром. Д л я пайки медные контактные пло-

Таблица 3.6
Параметры многокомпонентных систем проводников и контактных площ адок
тонкопленочных ГИС

Удельное
Материалы подслоя, слоя Толщина поверхностное Рекомендуемый способ
и покрытия слоев, мкм сопротивление контактирования внешних
Р5 , Ом/О выводов

П одслой — нихром 0,01—0,03 0,03—0,05 П айка микропаяльни­


Х20Н80 (ГОСТ 2238—58) ком или сварка импульс­
Слой — золото Зл999,9 0 , 6 — 0 ,8 ным косвенным нагре­
(ГОСТ 7222—54) вом

П одслой — нихром 0,01—0,03 Сварка импульсным


Х20Н80 (ГОСТ 2238— 58) косвенным нагревом
Слой — медь MB (вакуум- 0 ,6 — 0 ,8
плавленая) (М РТУ 0,02—0,04
14-14-42— 65)
П окрытие — никель 0,08—0,12
(М РТУ 14-14-46—65)

Подслой — нихром 0,01—0,03 П айка микропаяльни­


Х20Н80 (ГОСТ 2238—58) ком или сварка импульс­
Слой — медь MB (ваку* 0,6—0,8 ным косвенным нагревом
умплавленая) 0,02— 0,04
(М РТУ 14-14-42—65)
Покрытие — золото 0,05—0,06
;3л999,9 (ГОСТ 7222—54)

Подслой — нихром 0,01— 0,03 С варка сдвоенным


Х20Н80 (ГОСТ 2238—58) электродом
Слой — алюминий А97 0,3—0,5 0,06—0,1 ■
(ГОСТ 11069—64)

П одслой — нихром 0,04— 0,05 С варка импульсным


Х20Н80 (ГОСТ 2238—58) косвенным нагревом
Слой — алюминий А99 0,25— 0,35
(ГОСТ 11069—58)
Покрытие — никель 0,05 0, 1—0,2
(М РТУ 14-14-46—65)

4—449 97
щадки целесообразно о б луж ивать погружением схемы в припой,
при этом остальны е пленочные элементы долж ны быть защищены,
Алюминий об л а д а ет достаточно высокой коррозионной стой
костыо и мож ет использоваться как с защ итны м покрытием никеля
д л я обеспечения возможности пайки, т а к и без него, если присоеди­
нение навесных компонентов и внешних контактов осущ ествляется
сваркой. Толщина медных и алю миниевых проводников равна
~ 1 мкм, а толщ ина никелевого или золотого покрытия обычно с
ставл яет десятые — сотые доли микрометра.
В табл. 3.6 приведены основные парам етры токопроводящ их м
териалов, подслоя и покрытия, а в табл. 3.7 — парам етры диэлек-
Таблица 3.7
Электрофизические параметры материалов, применяемых для защиты
элементов тонкопленочных ГИС
Параметры

тангенс темпера­
удельное турный
угла д и э­ объемное электриче­
Материалы ди электрика удельная лектриче­ ская проч- коэффи­
емкость Со, ских потерь сопротивле­ циент ТКС
пФ/мм» ние Ру, н о с т ь £ „Р , при Т —
tg В при В/см
/ = 1 кГц Ом »см — 6(Н-85°С
1 /“С

М оноокись кремния 17 0 ,0 3 MOW 3-106 5 -1 0 -4


6К 0.028.004 ТУ
Халькогенидное стекло 50 0,01 MOW 4-105 5 -1 Э—4
ИКС-24
Негативный фоторезист 12 0,01 1.1012 МО5 5 • 10- 4
ФН-108 Х А0.028.077 ТУ
Фоторезист ФН-11 50—83 --- 3-1012 6-105 ---
ТУ 6-14-631—71
Л ак полиимидный электро­ 83— 100 --- 2-1012 5-105 ---
изоляционный
Окись кремния SiC>2 100 1-1013 6-105

трических м атериалов, применяемых д л я защ иты элементов тонко­


пленочных ГИС. С ледует разл и чать многослойную разводку от
многоуровневой, когда создается система коммутации элементов и
компонентов ГИС в несколько этаж ей (уровней), разделенны х сл о­
ем диэлектрика. В каж дом из уровней разв од ка может быть мно­
гослойной.

§ 3.3. Методы формирования конфигураций элементов


тонкопленочных ГИС
Д л я формирования конфигураций проводящего, резистивного и
диэлектрического слоев используют различны е методы: масочный —
соответствующие м атери алы напы ляю т на подлож ку через съемные
маски; фотолитографический — пленку наносят на всю поверхность
подложки, а затем в ы травли ваю т с определенных участков; э л е к ­
98
троннолучевой — некоторые участки пленки удал яю т по заданной
программе с подложки испарением под воздействием электронного
чпуча; лазерны й — аналогичен электроннолучевому, только вместо
}лектронного применяю т луч л аз е р а. Н аиб о л ьш ее распространение
лолучили два первых спо­
соба, а так ж е их комбина
ции.
Масочный метод. При
-^сочном методе рекомен-
•т ся т а к а я последова-
t ^льность формирования
слоев д ля изготовления
ГИС, содерж ащ их рези­
сторы, проводники, пере­
сечения пленочных про­
водников, конденсаторы.
Напыление: 1) резисто­
ров; 2) проводников и
контактных площадок;
3) межслойной изоляции;
1) проводников; 5) ниж-
'Них об кл ад о к конденсато­
ров; 6) диэлектрика;
7) верхних о б кл ад ок кон­
денсаторов; 8 ) защ итного pzzg
слоя. При отсутствии кон­ □
денсаторов исключаются
операции 5—7, а при о т­
сутствии пересечений — 3)j
операции 3, 4.
Фотолитографический
метод. П ри фотолитогра­
фическом методе д ля и з­
готовления ГИС, со д е р ж а ­
щих резисторы и провод­
ники, используют два в а ­
рианта технологии: Рис. 3.1. Технологический процесс производст­
1) напыление м а тер и а­ ва тонкопленочной ГИС комбинированным м а­
л а резистивной пленки; сочным и фотолитографическим методами:
напыление м а тер и ал а про­ а — напыление резисторов через маску; б — напыле­
водящей пленки; фотоли­ дние проводящей пленки; в,— фотолитография прово­
ящ его слоя. Напыление через' маску: г — нижних
тография проводящего обкладок конденсаторов; 3 — диэлектрика; е — верх­
них обкладок конденсаторов; ж — нанесение защ ит­
слоя; фотолитография р е­ ного слоя; з — м онтаж навесных компонентов с ж е ­
зистивного слоя; нанесе­ сткими выводами
ние защитного слоя;
2 ) после проведения первых двух операций — ф отолитография
проводящ его и резистивного слоев; ф отолитография проводящего
слоя; нанесение защ итного слоя.
При производстве микросхем, содерж ащ их проводники и рези-
Л*

сторы из двух р азны х резистивных м атериалов, рекомендуется та
кая последовательность операций: напыление пленки первого р 1) напыление через маску резисторов; напыление проводящ ей
зистивного м атери ал а; напыление пленки второго резистивнс ленки; ф о т о л и т о г р а ф и я проводящ его слоя; нанесение защ итного
м а тер и ал а; напыление м а тер и ал а проводящ ей пленки; фотолк -оя;
графин проводящ его cJ
S *2 ) напыление резистивной пленки; ф отолитограф ия резистивно-
-1слоя; напыление через маску проводников и контактны х площа-
фотолитография вторе _>к; нанесение защ итного слоя;
резистивного слоя; фото 3) напыление резистивной пленки; напыление через маску кон-
лит огра фия первого
тивного слоя- нанесеЗИТ актных п л°ЩаД°к и п роводников;уфотолитография резистивного
’ ени*рюя; нанесение защ итного слоя.
защ итного слоя. (I Рекомендации по применению методов изготовления ГИС. Ма-
Комбинированный ма Ьочпый метод применяют в мелкосерийном и серийном производ­
сочный и фотолитографк
стве. Точность изготовления R- и С-элементов ± 1 0 % . Фотолитогра-
ческий метод. При совм
>ический метод используют в массовом производстве. Д о с т и ж и м а я
щении масочного и фот
очность изготовления пассивных элементов ± 1 % . К ом бинирован­
литографического методо*
н ы й масочный и фотолитографический метод применяю т в серий­
д ля микросхем, содерж а
ном и массовом производстве, при этом м а к си м ал ь н ая р а з р е ш а ­
щих резисторы, проводни1
ю щ ая способность при изготовлении пленочных элементов 50 мкм,
ки и конденсаторы, ис
[точность изготовления R- и С-элементов ± 1 и 10% соответственно.
пользуют д ва варианта
технологии:
1) напыление резисто § 3.4. Компоненты ГИС
ров через маску; напыле
ние проводящей пленю В качестве компонентов ГИС применяют диоды и диодные м а т­
на резистивную; фотоли рицы, транзисторы и транзисторные матрицы, полупроводниковые
тограф ия проводяще ИМ С, конденсаторы, наборы прецизионных резисторов и конден­
слоя; поочередное напыл с о р о в , индуктивности, дроссели, трансформ аторы . Компоненты
/огут иметь жесткие и гибкие выводы.
ние через маску нижни.
обкладок, диэлектрика i
верхних об клад ок конден
саторов; нанесение за щ и т ­
ного слоя (рис. 3.1, а—ж )\
На рис. 3 .1 ,з п оказан
м о н таж навесных компо­
нентов с жесткими вы во­
дами;
2) напыление резис-1
Рис. 3.2. Технологический процесс производст­ тивное пленки; напыление!
ва тонкопленочной ГИС комбинированным ме­
тодом (масочным и двойной фотолитографии):
проводящей пленки на ре-|
зистив'ную; фотолитогра-, КС
а — напыление сплошных резистивной н проводящей
пленок; б — травление проводящ его и резистивного фия проводящего и резис Паяное (сварное) л / Клеебос

/
слоев; в — селективное травление проводящ его слоя. тивного слоев; фотолито Соединение
Напы ление через маску: г — нижних обкладок кон­
соединение Т ' соединение с помощью
денсаторов; д — диэлектрика; е — верхних обкладок графия проводящего слоя,[ контакт ола
конденсаторов; ж — нанесение защ итного слоя; з —
м онтаж навесных компонентов
напыление через маску]
нижних обкладок, диэлек­ Рис. 3.3. Способы крепления компонентов ГИ С и присоединения их вы-
трика 'И верхних обкладок водов
конденсаторов; нанесение защитного слоя (рис. 3.2, а—ж). Монтаж
навесных компонентов представлен на рис. 3.2, з. Способ м о н таж а компонентов на плату долж ен обеспечить ф и к­
Д л я схем, не со д ерж ащ и х конденсаторы, применяю т один из сацию полож ения компонента и выводов, сохранение его целостно­
трех вариантов: сти, п арам етров и свойств, а т а к ж е отвод теплоты, сохранение це­
лостности Г И С при термоциклировании, стойкость к вибрациям и
100
101
J l apTfoM' Ha рис- 3 ‘3 Показаны способы установки, крепления и при-
няют r при выводов ко м понентов ГИС. Гибкие выводы присоеди­
няют в центре контактной площ адки (рис. 3.4), при этом конец гиб­
кого вывода не долж ен выступать за пределы площадки. Расстояние
от места выхода гибкого вывода из защ итного покрытия до места
его присоединения к контактной п лощ адке долж но быть не менее
половины высоты компонента.

5)
Рис. 3.4. Крепление компонентов ГИС к плате и присоединение гибкого
вывода к контактной площадке:
а — располож ение вывода на контактной площ адке; б — крепление
компонента ГИС (1 — подлож ка; 2 — контактная площ адка; 3 — ги б­
кий вывод; 4 — компонент ГИС)

Выбор того или иного типа прибора определяется технологиче­


скими возможностями производства, обеспечивающими установку,
крепление и присоединение выводов прибора на плате ГИС, а т а к ­
ж е рядом парам етров и критериев, характери зую щ и х работу при­
бора в конкретной схеме. П оскольку надеж ность прибора опреде­
л яется реж им ам и его работы в схеме, следует учитывать зави си ­
мость электрических парам етров от условий работы схемы, з н а ­
чений токов, напряжений, мощностей и т. д.
Транзисторы и диоды. В табл. 3.8 приведена система обозначе­
ний полупроводниковых приборов, используемых в качестве компо­
нентов ГИС.
Способы установки на плату, электрические параметры , г а б а ­
ритные и присоединительные разм еры транзисторов приведены в
табл. 3.9 и на рис. 3 $ , а диодов диодных матриц и диодных сбо­
рок — в табл. 3.10 и на рис. г
5
Конденсаторы. Перспективными д ля применения в Г И С я в л я ­
ются керамические конденсаторы КЮ-17 (рис 3.7) и КЮ-9 (рис.
3.8, а — б). Их парам етры приведены в табл. 3.11 и 3.12. Эти кон­
денсаторы выпускаю тся двух типов — с нелужеными (посеребрен­
ными) и луж ены ми торцами, являю щ имися выводами обкладок.
Н елуж ен ы е выводы предназначены д ля присоединения к контакт­
ным п лощ ад кам с помощью гибких выводов (рис. 3.9, а), л у ж е ­
н ы е — непосредственно к контактным п лощ ад кам платы ГИС
(рис. 3.9, б).
102
00
со «5 <0)
Jн Л
Я) =
■к
Й
ощй
о аw я
s
3S5 о <

1
с;

)1—999

>30 М Гц
о

/>
Я V
05 CJ н н
О со
05 V/

<30 МГц
05 Я ю

ЗМГ ц <
СО о р У
S

< /<
_| АX V я
о £
5S иЮ
£к *
о
00 О гса в V/
X и 3
0е) от> д
*- st- 05 ч оГ *0 V/ а
и 05 о я Р X
о о
:г =; Ь- to о
_1 S л Vo
га о
ая СО к; О СО
-—> V/ :>>
2н С *“ V/
S Ю
аа п 1
3и 05 >30 М Гц
о 05
Q. со Y v/ =
О
_! S но
/>

\о Я н
а
Cl «—> н са
со о V/
е о ю
05
<30 МГц

05 я V ё
П — транзи- / < З М Г ц 3 М Г ц < / > З М Г ц / < З М Г ц | 3 М Г ц <

ю о V/
аа X g v^ o
< /<

о
та*5 _| га р '->
ж '—■\V/юу
S
X
«к 2Я ю
О) схГ Ю
=с оо Я
g й
оеэ о *=*
05 <L> V
мощности мощности термодио­ т>503 не
к н
2 2* 05 а
средней диоды и сальные

СО
Магнито- Универ­

о и
О.
X _1 со
>>
ч
sч *^ О
о О)сз
05
>Я 05
5
X
со
_1
ды

V
6 г-> я
X со *- н
п
о а CQ
VO о
101— 199 201—299

<30 М Гц

со
/ <0,3 А 0 , 3 < / <

о (D
<10 А

св о О 3
< /<

г S V/ а:а

X
о>=* сга 0)
н
S
U со сС X
3
§ к
малой

о*
с
3
CQ
маний и <;го сторы биполяр-

сторы полевые
Т — транзи-

о яя
дноды

S
«5 ж
=; «
<
т>зг*а

1
S'S
соединени я ные

са .«=[

0 а °
Я
Г — гер

«I я С.
X а>
Чо £ X
1
S.E ’ 1s S
Оо =я <
0)
К
оо
С S
X
103
о
со ОЮСЧ(МОО<МСОСО^»ЛО^О
(М0 - 0 - « 0 0 0 0 сэ0 1 0 О О О со
СЗ О
О О О О О О О О О О О О О О О О о
гг о о о о о о о о о о о о о
S3 О О О

О
та - с£ ^ЮЮЮ10ЮЮ(^(МЮЮЮ10 юю
Н «gЬ IO O O O O Q O q O O O C O ’-* — О О Ю 0 0 0 0
Ю Ю Ю
о б 0 0 ОО
.). .|. , |. , |. . |. . | . .]. . |. . |. . |. .|. . |. ,|. .|. + .|.
t 5 |f e O O O O O O in O O O O O O О О О
£ g.sа> —•’«tCCKO<OtD»oOtO<D^tDtO
5* I I Iw I I I I I I I I I
71"?

^ ^
OCDIOC/* — OlDCOCOCOCOOO со со со
~ о о о —- —* о о о о о —- —•
сз а)
CJ ч
а. О

х OOCO^OOO^OOOOOOO
OCNCOOOCOOtD(M(NO(NOO
н
S О О О
Q. ь- - ^ ^ C ’ o ’^ — o ' — — — CNCO
ГЗ КS
VO
«3
м *5
а- g
U OOCO^^O^DOOOO Oio юю ю
N , t-*-- Г"*
ю
в OtMCOOOCOO^DCNtNCvlCMOCN (N
л о
Q . CU ^ ^ 0 0 ~ —0 ~ —
ь о
О И
5 у
«с и S
g о о <г-> о (тч о о о о о о о о о
ез 5 О О Ю ю ОО Ю СМ СМ О -=*< О 00 Ю ОО
6 го смсмсм
с Си СМОТ — <М СМ — — '*• OJ (N (М
о н I I I s 1 I0 0I 0I 0 II0 ТС 1I 0 I0 I V/S
s
Ж А
- О О О 0 ОЮ О Ю
ЛS
н
C M tN 'i* CM J " см ^ сч rj< 00 ■чС rj* ю <м*о
w Си
а
* S
z. s
£■Й
а л 0 0 10 01Г5 0 0 ЮЮОЮЮО

максимальная мощность в цепи коллектора;


ОЮ Ю о
ё « CDCM— —>— '■----------— о
а> л CN

* 4
& s
Э f-
2 *
— максимальный ток коллектора;

с ж О О Ю Ю Ю Ю Ю Ю Ю О О О О ю юю
<в 5 ЕГО —iO ~ — — — — —(М—ЮСО
=5 5 2
S О

“ I
§& И о О О О lO О О О О О О О о ою о о
*Н Я
и
S 1SМ '-N-N-IN(MIMIN<NMinO <м <м
CN — СМ см
s
- >»'-
3

О
о
о C Q ^ ^ U - f f l ( X |W ^ ^ r Q r Q t - ;r Q tu C Q C Q
е
О <М^ О СО СО |гл гп СО
—м ^ солоосососоЙ л Йм
Н С Н Ь ' Н Н Н Ь ' Н Н Н ^ Н
о
I I I I I I I I II II I I I I CSJ
< < < н
О —>од t r ^ - ^ rj< - О Oi ^
c n o o o - ^ o ic o c o ^ ^ 5 S ^
СО 0 0 0 5
со ю
см
о. 2 к
Й МЙ
—(MCNJCOCOPCOCOCOCOCOCOCO СО СО с о -с*
н гь-н н Ь н н н н н н н н н н

сз VO со со я
чф «
ч * СО Е
СО со со
о о о
я’ ®-
04 с£ £Х Р, С

104
Таблица 3.10
Способы установки на плату, электрические параметры, габаритные
и присоединительные размеры бескорпусных диодных матриц,
диодных сборок, диодов
Электрические параметры
Габаритные раз­
< меры, мм, не более
сг
Способ

Масса, г,
Тип X
схема

не более
установки 2 X а
2 У О соединений
X < а Ь И
о"
с 6 5

Рис. 3 ^ , а 2Д 918Б, 40 53 4 С общим 1,15 1,15 1,0 0 ,005


2Д918Г анодом 0,006
К Д 907Б,
К Д907Г

Рис. 3 б КД901А — 13 6 С общим 1,1 1,3 0,8 0 ,005


КД901Г катодом
2Д904А — 12 5 6 1,3 1,1
2Д904Е 1,0 1,0 1,0 0,010
^Рис. З ^ Г s | 2Д С 408А ' 12 2J 4 Д иоды не 0 ,9 1,1 0 ,7 0 , 00ft
2ДС 408Б > соединены
меж ду
собой

Рис. г 2Д910А— 5 10 3 С общим 1.0 ' 1,0 1,0 0,01


2Д910В катодом 1,0 1,0 1,0
'2 Д 9 1 1А—
2Д911Б
Рис. 3.5, в 2Д912А 10 о 3 С общим 0,75 0 ,75 0 ,34 0,01
анодом

КД913А 10 10 3 С общим 0,75 0,75 0 ,75 0 ,0 0 2


J катодом
1 1
Примечание: U 0 §v max — постоянное обратное напряж ение в интервале темпера»
тур — 60-^80° С;
^пр m a x — суммарный средний прямой ток через все диоды илв
одни д н о д в интервале температур —60-*-85" С.

Выбор типа конденсатора производят по значениям емкости,


рабочего н апряж ения, интервалу рабочих тем ператур, допустимой,
реактивной мощности и допустимому отклонению емкости от номи.~
н ала.
К ерам ические конденсаторы в зависимости от вида применен­
ной д ля д и электри ка керамики п одразделяю т на группы. Конден­
саторы с диэлектриком из высокочастотной керамики имеют нор­
мированный Т К С (группы ПЗЗ, М47, М75, М750, M l 500, М 22 00).
В написании группа букв означает: П — положительный, М — от­
рицательный ТКС, а цифра — среднее знчение Т К С -1 0 - 6 на ч ас­
тотах п о ряд ка мегагерц. В зависимости от номинала допустимое
Рис. 3.5. Способы установки на плату, габаритные и присоединительные размеры
транзисторов в соответствии с табл. 3.9
Разм еры контактных площ адок приведены в табл. 3.15

Рис. 3.6. Способы установки, габаритные и присоединительные размеры диодных


_ матриц и диодных сборок в соответствии с табл. 3.10

Рис. 3.7. Конструкции конденсатора ^


КЮ-17 с нелужеными и лужеными
выводами (S i, L u Н i — размеры по- т
еле луж ения)

106
Т а б л и ц а 3.11
Параметры конденсаторов ЮО-17
Габаритные размеры, мм
Пределы номинальных емкостей . II
для групп ткс, >ф ТО“
S а ~
- <3>
Щ /. В н и, т «■з 5
°3
пзз М4 7 М7 5 i l l
d o .s 5 ®X
£,

Ш
22—68 22- -82 3 3 — 103 1 1 ,5 1,5 1 ,0 1,5 1,4 1,2 0 , 2-- 0 , 5 0,1
75— 150 9 1 --183 110— 233 2 2 1,7 1,0 2 1,9 1,2 0 ,2 - - 0 , 7 0,1
160—510 233--620 220—910 3 ,5 4 2 ,7 1,0 4 3 ,0 1,2 1-- 1 , 5 0 ,2
560—910 693--1003 1033— 1203 5 5 ,5 2 ,7 1,0 5 ,5 3 ,0 1,2 1,5-- 2 0 ,3
1000— 18Э0 1100- -2330 1333—2403 10 о ,0 4 ,3 1 ,0 5 ,5 4 ,6 1,2 1,5-- 2 ;о ,4
560— 820 683--1003 1033— 1533 7 4 2 ,7 1 ,8 4 3 ,0 2 , 0 1-- 1 , 5 0 ,3
1000— 1500 1103--1830 1633—2003 10 0 ,0 2 ,7 1,4 5 ,5 3 ,0 2 ,0 1, 2-- 2 0 ,4
2 0 0 0 -3 0 0 0 2400--3630 2730—3930 23 0 ,0 4 ,3 1,8 5 ,5 4 ,6 2 ,0 1,5 - 2 0 ,5

а)
т 5} В)
Рис. 3.8. Конструкции конденсатора КЮ-9 с нелужеными (а) и л у ж е­
ными (б) выводами; конденсатора К10-9М с лужеными выводами (в)
(В, S — размеры после металлизации, В и Si — размеры после м еталли­
зации и лужения)

у/' Л

аI '
Рис. 3.9. Способы установки конденсаторов K 10-I7 и КЮ-9
на плату ГИС:
а — с гибкими выводами; б — на контактные площадки

107

1
Т а б л и ц а 3.12
Параметры конденсаторовчК10-9
Пределы номинальных емкостей для групп ТКС, пФ Габаритные размеры, мм
гп
Типоразмер

Допустимая

Масса, г,
реактивная

не более
мощность,
ПЗЗ, М47 Ш5 Ш 500 НЗО Н90 вар L в 5 в, S,

I 2 ,2 — 10 11—24 36— 1 ООО 150— 1 ООО 1 000—3 300 1,25 2 2 0,6 2 0,1

2 11—27 27— 51 110—200 1 500 4 700 2 ,5 2 0,15


4 0,6 4

4
1,2 0,3
3 30 — 51 56— 120 220—390 2 200— 3 300 6 800— 10 000 5

180—390 680— 3 300 1 000— 10 000 5 2 ,5 0,3


4 1 0 -5 1 22—120
5 ,5 0,6 5 ,5

5 56— 120 130— 270 430— 1 ООО 4 700— 6 800 15 000—2 200 10 6 0,6

1,25 2 2 1 2 1,5
6 1 1 -2 4 27— 62 110— 240 1 500— 2 200 4 700— 10 000 0,1

7 30—62 56— 120 220— 470 2 200— 4 700 6 800— 15 000 2 ,5 2 0,15
4 1 &
8 68—120 130—270 520— 1 000 6 800— 10_000 22 000— 33 000 5 4 0,3

9 56— 120 130—270 430—2 000 4 700— 10 000 15 000— 33 000 5 2 ,5


5,5> 1 5,5 0,6

10 130—330 300— 620 1 100— 2 400 15 000— 33 000 57 000— 68 000 10 6

- - —— ■
— ------- -—— ------------------------------ П ппП п тГ, л .4 10
о. Пределы номинальных емкостей для групп ТКС, пФ Габаритные размеры, мм
4J
55 Допустима в
ю
сз реактивна и
о ПЗЗ, М47 М75 М1500 НЗО Н90 мощность,
L в S я- ач
X вар Bi 5, S3
Н я
** о
я

11 2 7 -3 8 6 8 -9 1 273—390 3 300 2 ,5
15 000 2 2 1,4 2 0 ,2

12 68— 100 130—200 510— 750 6 800 22 000 5 2 0 ,3


4 1,4 4 2
13 ПО—200 220— 430 820— 1 500 10 000— 15 000 33 000—47 000 10 4 0 ,5

14 130—200 300—430 1 100— 1 500 15 000 47 000 10 2 ,5 0,5


5 ,5 м 5 ,5
15 220—560 470— 1200 1 600—4 700 22 000—47 000 68 000— 100 000 - 20 6 1,0

16 110— 153 220— 430 820— 1 500 10 000— 15 000 33 000—47 000 5 2 0 ,3
4 2 ,5 4
17 J60—330 470— 820 1 600—3 000 22 000—33 000 68 000— 100 000 10 5 0,5
3
18 220—330 470—820 1 600—3 000 22 000—33 000 68 000— 100 000 10 2 ,5 0,5
5 ,5 2 ,5 5 ,5
19 3 6 0 -8 2 0 910— 2200 3 300—8 200 47 000— 68 000 15 000—22 000 20 6 1,0

20 9 10—2200 2400—3900 9 100— 15 000 10000— 15000 ;53 000—47 000 30 8 •8 2 ,5 8 1,5
/

Таблица 3.13
Параметры конденсаторов К53-15
Габаритные размеры, мм
Номиналь­ Номинальная емкость, Масса, г,
ное напря­ мкФ не более
жение, В 1 ' в н А

2,2; 3,3 2 ,5 0, 15
3 4 2 ,3
5 ,0 2 0,25
4,7; 6,7

10; 15 0,65
8 5 ,5
22; 33 10, 0 1 ,5

1,5; 2,2 _2 ,5 0 ,15


6 ,3 4 2 ,3
3,3; 4,7 5 ,0 0,25
2
6,8 0 ,65
8 5 ,5
10; 15 10,0 1,5

1,0; 1,5 2 ,5 0,65


10 4 2 2 ,3
2,2; 3,3 5 ,0 1,5

0,68; 1,0 2 ,5 0 ,15


4 2 ,3
16
1,5; 2,2 5 ,0 2 0,25

3,3; 4,7 5 ,5 0 ,65


8

6,8; 10 10,0 1,5

0,47; 0,68 2 ,5 . 0,15


20 4 2 ,3
1,0; 1,5 5 ,0 0,25
2
2,2; 3,3 0,65
8 5 ,5

4,7; 6,8 10,0 1.5

0,1; 0,15; 0,22 2 ,5 1.6 0,12


4 2 ,3
0,68; 1,0 5 ,0 0,25
30
1,5; 2,2 0,65
2 5 ,5

3,3; 4,7 10,0 8 1,5

0,33; 0,47 2 ,5 2 ,3 0,15

110
отклонение емкости конденсаторов этих групп составляет ± 5 , 10,
20%. К онденсаторы с диэлектриком из низкочастотной керамики
^ имеют ненормированный Т К С (группы НЗО, Н50, Н70, Н90) и д о ­
пустимое отклонение емкости от номинала соответственно ± 3 0 ,
± 5 0 , — 70— 50, - 9 0 4 - 5 0 % .
Н оминальное нап ряж ени е к о н д е н с а т о р о в ^ Ю -1 7 25 В, интервал
рабочих температур — 60-f-80° С, сопротивление изоляции не менее
10 МОм. КонденсаторьСКДО-Э^работают при более низких н а п р я ж е ­
ниях- ^?) 16 В ), но в более широком и нтервале температур — 60-г-
125° С при том ж е значении сопротивления изоляции.
В качестве электролитических конденсаторов в ГИС целесооб­
разно использовать м алогабаритн ы е оксидно-полупроводниковые
конденсаторы К53. Они рассчитаны на рабочее нап ряж ени е до ЗОВ
в интервале тем ператур — 604-85° С. Электролитические конденса­
торы К53-15 и К53-16 отличаются конструкцией выводов.
Конденсатор К53-15 (рис. 3.10) имеет выводы по типу ш ари к о­
вых и предназначен д л я автоматизированного м он таж а, а конден­
сатор К53-16 имеет гибкие выводы (рис. 3.11) и монтируется на
плату с помощью проволочного м он таж а. П ар ам ет р ы конденсато­
ров К53-15 и К53-16 приведены в табл. 3.13 и 3.14.

Ф0,2±0,05

Положительный
Вывод
Ф-
/теные /
хонтактьг^ Л -f Ь-
Г. -ф -

Рис. 3.10. Конструкция кон­ Рис. 3.11. Конструкция кон­


денсатора К53-15 денсатора К53-16

Таблица 3.14
П араметры конденсаторов K53-I6
Размеры, мм
Номинальное Номинальная
напряжение, М асса, г,
емкость, мкФ ZJ не более
В ^inax ■^шах max

1,5; 2,2 1,9 3,4 3,4 0,05


1,6 4,7 2,3 3,7 1,6 0,075
6 ,8 ; 10 2,3 5,0 1,6 0,1

111
Продолж ение табл. 3.14
Р азм еры , мм
Номинальное Номинальная М асса, г,
напряжение, емкость, мкФ
В ^m ax не более
■^Шах

1.0 1,9 3,4 1,2 0,05


3 3,3 2,3 3,7 1,6 0,075
4,7 2,3 5,0 1,6 0,1

А 2,2 2,3 3,7 1,6 0,075


%
3,3 2,3 5,0 1,6 0,1

0,68 1,9 3,4 1,2 0,05


6,3 1,5 2,3 3,7 1,6 0,075
2,2 2,3 5,0 1,6 0,1

0,47 1,9 3,4 1,2 0,05


10 1,0 2,3 3,7 1,6 0,075
1,5 2,3 5,0 1,6 0,1

0,33 1,9 3,4 1,2 0,05


16 0,68 2,3 3,7 1,6 0,075
1,0 2,3 5,0 1.6 0,01

0,22 1,9 3,4 1,2 0,05


20 0,47 2,3 3,7 1,6 0,075
0,68 2,3 5,0 1,6 0,1

0,01; 0,015
0,022; 0,033
0,047; 0,047; 1,9 3,4 1,2 0,05
0,1
30 0,15

0,22; 0,33 2,3 3,7 1,6 0,075


0,47 2,3 5,0 1,6 0,1

§ 3 .5 . К о н с т р у к т и в н ы е и т е х н о л о г и ч е с к и е о г р а н и ч е н и я
при п р оек ти р ов ан и и тон к оп л ен оч н ы х Г И С

В табл. 3.15 приведены основные конструктивные и технологи­


ческие ограничения при использовании следующих методов со зд а­
ния пленочных элементов: масочного (М ), фотолитографического
(Ф ), комбинированного масочного и фотолитографического (М Ф ),-
электронно-ионного (ЭИ) и по танталовой технологии (ТА).
Помимо ограничений, приведенных в табл. 3.15, при конструиро­
вании Г И С необходимо выполнять общие п равила и ограничения:
1) к а ж д а я плата микросхемы д о л ж н а иметь ключ, которым яв-'
л яется н иж няя л ев ая кон тактная п лощ ад ка с вырезом по большей
стороне платы или специальный зн ак в форме треугольника, п р я­
моугольника;
112
Таблица 3.15
Конструктивные и технологические ограничения
при проектировании тонкопленочных ГИС

Размер ограничения, мм, при


использовании метода
Элемент топологии Содержание ограничения
М МФ ЭИ

Точность изготовления
линейных размеров пле­
ночных элементов и р ас­
стояний меж ду ними А/,
Ab, Aa, AL, АВ и других
при расположении пле­
ночных элементов в од­
ном слое, мм ±0,01 ±0,01 ±0,01 ±0,01 ± 0,01

М инимально допусти­
мый размер резистора,
мм b 0,1 0,15 0 ,0 5
I 0 ,3 0,1 0 ,3 0,1

. М инимальна допусти­
мые расстояния меж ду
пленочными элемента­
ми, расположенными в
одном слое, а, мм 0 ,3 0,1 0 .3 0,1 0 ,0 5

М аксимально допусти­
мое соотношение разм е­
ров 1/а 10 10Д 30 100

М аксимально допусти
мое расстояние меж ду
пленочными элементами,
расположенными в р а з­
ных слоях, с, мм 0,2 0,2 0,1

П ерекрытия для сов


мещения пленочных эле­
ментов, расположенные
в разных слоях, е, мм >0,2 > 0,2 > 0,1

М инимальное расстоя­
ние от пленочных эле­
ментов до края платы d,
мм 0 ,5 0,2 0 ,5 0 ,4 0,2

М инимальная ширина
пленочных проводников
г, мм 0,1 0,05 0,1 0,1 0,05
М инимально допусти­
мое расстояние меж ду
краем пленочного рези­
стора и краем его кон-
тактной площ адки /, мм 0,2 0,1 0,2 0,1 0,1
—г -
113

I
Продолжение табл. 3.15
Размер ограинчення, мм, при
использовании метода
Элемент топологии Содержание ограничения
М МФ ЭИ ТА

Минимально допусти­
мые расстояния, мм:
м еж ду краями ди­
электрика и нижней
обкладки конденса­
тора f 0,1 0,1 0, 1 0,1

меж ду краям и верх­


ней и нижней обкла­
док конденсатора g 0,-2

м еж ду краем ди­
электрика и соедине­
нием вывода конден­
сатора с другим пле­
ночным элементом h 0,3

м еж ду краем ди ­
электрика и нижней
обкладкой конден­
сатора в месте вы­
вода верхней об­
кладки с 0,2

от пленочного кон­
денсатора до при­
клеиваемых навес­
ных компонентов z 0,5

М инимальная площ адь


перекрытия обкладок
конденсаторов L x B , мм2 0,5 X 0 , 5

М аксимальное откло­
нение емкости конден­
сатора от номинального
значения, % ±12

М инимальное расстоя­
ние от проволочного
проводника или вывода
до края контактной пло­
щадки или до края пле­
ночного проводника, не
защищенного изоляци­
ей, k, мм 0,2

114
Продолжение табл. 3.15
Размер ограничения, мм, при
использовании метода
Элемент топологии Содержание ограничения
М МФ ЭИ ТА

Минимальные разм е­
ры контактных площ а­
док для м онтаж а навес­
ных компонентов с ш а­
риковыми или столбико­
выми выводами, мм
m 0,2
п
0,1
Минимальные разм е­
ры контактных площ адок
для контроля электриче­
ских параметров, мм , 0,2 X 0,2
Минимальное расстоя­
ние меж ду контактными
площ адками для при­
варки и припайки про­
волочных проводников,
мм 0,2
М аксимальная длина
гибкого вывода без до ­
полнительного крепления
о, мм ____ 3,0
Минимальные рас­
стояния, мм, меж ду кон­
тактными площ адками
для м онтаж а навесных
компонентов с шарико­
выми или столбиковыми
выводами и пленочным
резистором р, диэлект- 0,6
риком конденсатора б 0,35
Минимальные расстоя­
ния, мм, от края навес­
ного компонента, до:
края платы q 0,4
края другого компо­
нента г 0,4
края навесного пас­
сивного компонента 0,6
края контактной
площадки, предна­
значенной для при­ ^ Д л я всех
методов
варки проволочных
выводов, s
проволочного про­ 0,4
водника
луженого пленочного 0,3
элемента
0,2
115
Продолжение табл. 3.15
Размер ограничения, мм, при
использовании метода
Элемент топологии Содержание ограничения

М МФ ЭИ ТА

М инимальные разм е­
ры контактных площ а­
док д л я приварки про­
волочных проводников
или проволочных выво­
дов навесных компонен­
тов при диаметре про­
волоки, мм:
д ля одного 0,15X0,1
проводника
д ля двух 0,2 X 0,2
0 0,03 проводников
для трех 0,2 X 0,3
проводников
для одного 0,2X 0,15
проводника
для двух 0,25X 0,25
0 0,04 проводников
для трех 0,25X 0,40
проводников
' для одного 0,25X 0,2
проводника
д ля двух 0,3 X 0,3
0 0,05 проводников
для трех 0,3 X 0,5
проводников

2) в одной микросхеме следует применять навесные компонен­


ты с одинаковым диам етром и м атери алом гибких выводов. О дно­
типные по расположению выводов компоненты предпочтительнее
ориентировать одинаково;
3) навесные компоненты рекомендуется по возможности распо­
л а г а т ь р ядам и, пар ал л ел ьны м и сторонам платы. Д опускается у ста­
новка навесных активных компонентов с гибкими выводами вплот­
ную, если контакт м еж ду ними не влияет на работоспособность
схемы;
4) при рядном расположении навесных компонентов рекомен­
дуется рядное располож ение контактных п лощ адок под одноимен­
ные выводы;
5) не допускается установка навесных компонентов на пленоч­
ные конденсаторы, пленочные индуктивности и пересечения пленоч­
ных проводников. Д опускается установка навесных компонентов
на пленочные проводники и резисторы, защ ищ енны е диэлектриком;
6) не допускаю тся резкие изгибы и н атяж ен ие проволочных про­
водников. Н е рекомендуется д ел ать перегиб проволочного вывода
116
через навесной компонент. Проволочные проводники и гибкие выво­
ды не долж ны проходить над пленочным конденсатором;
7) не допускается оставлять незакрепленными участки гибких
выводов длиной более 3 мм. Необходимо предусмотреть з а к р е п л е ­
ние их точками клея холодного отвердения (например, эпоксидного
к л е я ЭД-20, ЭД -16).

§ 3.6. Расчет конструкций элементов тонкопленочных ГИС

Конфигурации тонкопленочных резисторов. Типовые к он ф и гу ра­


ции тонкопленочных резисторов приведены на рис. 3.12, а — г.
Н аиболее распространенной явл яется прямоугольная форма, как
с а м а я простая по технологическому исполнению. Резистор в виде
полосок зан и м ает большую площадь, чем резисторы типа «меандр»
или «змейка».

B E l HT
а) 5) В) г)
Рис. 3.12. Конфигурации тонкопленочных резисторов:
а — полоска; б — составной из полосок; в — меандр; г — змейка

При масочном методе изготовления резисторов, и зображ енны х


на рис. 3.12, б — г, расстояние м еж д у соседними резистивными по­
лоскам и долж но быть не менее 300 мкм, длина резистивных уч аст­
ков I не д о л ж н а п ревыш ать расстояние а более чем в 10 раз д л я
обеспечения необходимой жесткости маски. При этом точность из­
готовления резисторов типа «меандр» и «змейка» не превыш ает
20% . Д л я получения большей точности рекомендуется применять
конфигурацию, изображ енную на рис.
3.12,6, или выполнять резистор мето­
дом фотолитографии.
М еандр уступает в отношении ст а­
бильности- и надежности конструкции
типа «змейка» из-за перегрева в угол­
ках, но он предпочтительнее с точки
зрения изготовления фотошаблонов и
поэтому более распространен. Рис. 3.13. Конфигурации рези­
Контактные площ адки следует р ас­ сторов, сопротивление которых
п о лагать с противоположных сторон зависит от погрешности совме­
щения слоев
резистора для устранения погрешности
совмещения проводящ его и резистивного слоев. По этой причине
п ридавать резисторам форму, изображ енную на рис. 3.13, не реко­
мендуется, так как сопротивление таких резисторов зависит от точ­
ности совмещения масок и фотошаблонов (неточности при совмещ е­
нии изменяют длину таких резисторов).
117
Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. К онструк­
тивный расчет тонкопленочных резисторов заклю чается в опреде­
лении формы, геометрических разм еров и минимальной площади,
заним аем ой резисторами на подложке. При этом необходимо, что­
бы резисторы обеспечивали рассеивание заданной мощности при
удовлетворении требуемой точности y R в условиях существующих
технологических возможностей.
Исходные данные, пля р а с ч е т а : номинал резистора Rj, Ом; д о ­
пуск на номинал y Rl. > <yQ. мощность рассеяния Pi, мВт; рабочий д и а ­
пазон тем ператур Tmax— Tmin, °С; технологические ограничения
(см. табл. 3.15); шаг координатной сетки, мм.

Порядок расчета

1. О пределяю т оптим альное с точки зрения минимума площ ади


под резисторами ГИС сопротивление к в ад р ата резистивной пленки:

(3.1)

где п — число резисторов; R i — номинал i-го резистора.


2. По табл. 3.4 выбираю т м атери ал резистивной пленки с удель­
ным сопротивлением, б ли ж айш им по значению к вычисленному
Psonr • При этом необходимо, чтобы T K # м а тер и ал а был м иним аль­
ным, а удел ьн ая мощность рассеяния P q — максимальной.
3. П роизводят проверку правильности выбранного м а тери ала
с точки зрения точности изготовления резисторов.
П ол н ая относительная погрешность изготовления пленочного
резистора у я = А R f R состоит из суммы погрешностей;

воспроизведения величины ps резистивной пленки; \ R t — тем п ера­


турная погрешность; уДст — погрешность, обусловленная старени­
ем пленки; у я к — погрешность переходных сопротивлений кон­
тактов.
Погрешность коэффициента формы зависит от погрешнос­
тей геометрических разм еров — длины I и ширины b резистора:

Погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопро­


тивления Yps зависит от условий напыления и м а т ер и ал а резистив­
ной пленки. В условиях серийного производства ее значение не
п ревыш ает 5% .
118
Т ем пературная погрешность зависит от Т К R м а тер и ал а пленки:
Y/г, — (7"max — 20°С), (3.2)
где а.ц — температурный коэффициент сопротивления м атери ал а
пленки, 1/° С.
Погрешность унст> обусловленная старением пленки, вы зван а
медленным изменением структуры пленки во времени и ее окисле­
нием. Она зависит от м атери ал а пленки и эффективности защ иты,
а т а к ж е от условий хранения и эксплуатации. Обычно д ля ГИС
Уп ст не превыш ает 3% .
Погрешность переходных сопротивлений контактов уяк зависит
о т технологических условий напыления пленок, удельного со­
противления резистивной пленки и геометрических разм еров кон­
тактного перехода: длины перекрытия контактирую щ их пленок,
ширины резистора. Обычно унк ~ 1 -г -2 % . Если м атери ал кон такт­
ных площ адок выбран в соответствии с табл. 3.4, то этой погреш­
ностью можно пренебречь.
Д опустим ая погрешность коэффициента формы
(3.3)

Если значение \ к фдоп отрицательно, то это означает, что изго­


товление резистора заданной точности из выбранного м атери ал а
невозможно. В этом случае необходимо вы брать другой материал
с меньшим ТК/? либо использовать подгонку резисторов, если поз­
воляет технологическое оборудование.
4. О пределяю т конструкцию резисторов по значению коэффи­
циента формы Кф'.
(3.4)

При 1 sgc Лф, =sS[ 10 рекомендуется конструктировать резистор


прямоугольной формы, изображ енный на рис. 3.12, при Кфг >10 —
резистор сложной формы (составной, меандр или типа «змейка»,
рис. 3.12, б —г ) , при 0,1 г^/Сф, 1 — резистор прямоугольной ф о р ­
мы, у которого длина меньше ширины. К онструировать резистор с
/С ф/<0,1 не рекомендуется, т а к как он будет иметь большие кон так т­
ные площ адки и зан и м ать значительную площ адь на подложке.
Если в одной схеме сод ер ж атся низкоомные и высокоомные
резисторы, мож но использовать два резистивных м атери ала,
д л я выбора которых определяю т р~^лпт сн ач ал а д л я всех резисторов
опт
по ф орм уле (3.1), после чего разб и ваю т резисторы на две группы
так, чтобы Ri max первой группы было меньше, a Rim'm второй груп­
п ы — больше значения р5 , вычисленного д л я всех резисторов.
З а т е м по э т о й 'ж е формуле рассчитываю т р5опт1 и р5опта и в ы б и р а­
ю т м атери алы д ля каж дой группы резисторов в отдельности.
5. Д альн ей ш и й расчет проводят в зависимости от формы резис­
торов.
119
Р а с ч е т п р я м о у г о л ь н ы х п о л о с к о в ы х р е з и с т о р о в . Д л я резисторов,
имеющих Л Ф^ 1 (рис. 3.14, а, б ), сн ач ал а определяю т ширину, а
затем длину резистора. Расчетное значение ширины резистора
долж но быть не менее н аиб ол ьшего
тШ зн ач е ни я одной из трех величин:
^расч > ш а х (6техн; Д10ЧН; Ь р ],
(3.5)
где Ьтехн — миним альная ширина р е­
т
зистора, оп ределяем ая в озм ож н остя­
ми технологического процесса (см.
а) табл. 3.15); ЬТочи — ширина резисто­
Рис. 3.14. К расчету резисторов ра, о п ределяем ая точностью изготов­
типа «полоска» (а) и «меандр» (б) ления:

^точн 3.6)
-г Ы

(Ab, АI — погрешности изготовления ширины и длины резистора,


зави сящ ие от метода изготовления, см. табл. 3.15); ЬР — миним аль­
ная ширина резистора, при которой обеспечивается зад а н н а я мощ ­
ность:

ь-V P 0R Г р оКф-

З а ширину b резистора принимают б ли ж ай ш ее к Ьрасч большее


значение, кр атное шагу координатной сетки, принятому д ля черте­
ж а топологии с учетом м асш таба. Д л я тонкопленочной технологии
ш аг координатной сетки обычно составляет 1 или 0,5 мм. Н апример,
если шаг координатной сетки 1 мм, м а сш та б 2 0 : 1, то округление
производят до величины, кратной 0,05 мм.
Д а л е е находят расчетную длину резистора:
I расч" ■ьк*. (3.8)
З а длину I резистора принимают б ли ж а й ш ее к /расч значение,
кратное ш агу координатной сетки, принятому д л я ч ертеж а тополо­
гии с учетом м асш таба. При этом следует оценивать получаю щ ую ся
погрешность и при необходимости вы бирать большее значение ши­
рины b резистора, при котором округление длины /раСч д ает прием­
лем ую погрешность.
Определяю т полную длину резистора с учетом перекрытия кон­
тактны х площадок:
^п о л н = ^ + 2е, (3.9)
где е — разм ер перекрытия резистора и контактных п лощ адок (см.
табл. 3.15).
При использовании метода двойной фотолитографии 1иолп=1-
П лощ адь, зан и м аем ая резистором на подложке,
(3.10)
120
Д л я резисторов, имеющих Д ф < 1, сн ач ал а определяю т длину, а
зате м ширину резистора.
Р асчетное значение длины резистора /расч выбираю т из условия
/расч Н 13Х {^техн» ^точн> ^ р } »

где /Техн— м и ним альная длина резистора, оп ределяем ая р азр е ш аю ­


щей способностью выбранного метода формирования .конфигурации
(см. табл. 3.15); /точи — м иним альная длина резистора, при которой
обеспечивается за д а н н а я точность:
^точн ( ^ “ Ь Д ^ ф ) /У Л Г ф » (3 -1 2 )

1Р — м и н им альн ая длина резистора, при которой рассеивается з а ­


д а н н а я мощность:
1Р= У Р К ф/ Р й. (3.13)
З а длину / резистора принимают б ли ж айш ее к /расч значение,
кратное ш агу координатной сетки, принятому для чертеж а тополо­
гии.
Расчетную ширину резистора определяю т по формуле

йр„ч = ^ ф - (З Л 4>
З а ширину b резистора принимают б ли ж айш ее к брасч значение,
кратное шагу координатной сетки. При этом следует оценивать по­
л учаю щ ую ся погрешность и при необходимости корректировать
значение длины / резистора в большую сторону, при котором округ­
л ение ширины брасч д ает приемлемую погрешность.
П олную длину резистора с учетом перекрытия контактных пло­
щ а д о к и п лощ адь резистора определяют соответственно по форм у­
л а м (3.9) и (3.10).
Д л я проверки находят действительную удельную мощность и по­
грешность резистора. Очевидно, резистор спроектирован удовлетво­
рительно, если: /
1) удел ьн ая мощность рассеяния Ро' не превышает допустимого
значения Р о:
P o = P / S Р 0; (3.15)

2) погрешность коэффициента формы у/гф Ие превыш ает допус­


тимого значения укфдоп :

УКф= А^полн“!~ &Ь/Ь -CY/f^on; (3.16)

3) сум м ар н ая погрешность y'R не превыш ает допуска уя\

V s = Y ts + V ^ + Y R( + Y„K+ VR[T< V « . (3.17)


I 4 1
Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов сложной
формы . При конструировании резистора в виде отдельных резистив­
ных полосок, соединенных проводящими перемычками (см. рис.
121
3.12, б), сумма длин резистивных полосок д о л ж н а быть равна д л и ­
не, определенной по форм уле 1= ЬКф.
Резисторы типа «меандр» (рис. 3.14, б) рассчитывают из усло­
вия минимальной площ ади, занимаемой резистором.
Расчет м еандра проводят после определения ширины b рези^.
тора в такой последовательности.
О пределяю т длину средней линии меандра:
1СР= Ь К Ф. (3.18)
З а д а ю т расстояние меж ду резистивными полосками а. С учетом
технологических ограничений (см. табл. 3.15) при масочном методе
fimin —300 мкм, при фотолитографии а т т = Ю 0 мкм (обычно зад:
а = Ь).
Н ах одя т шаг одного звена меандра:
t=ci-\-b. (3.19)
О пределяю т оптимальное число звеньев меандра я 0пг из условг
чтобы площ адь, зан и м ае м ая резистором типа «меандр», была мин.
мальной. Очевидно, это будет в случае, когда меандр вписывается ь
к в а д р а т (L = B ).
Если отношение длины средней линии м еан д р а к Ширине резис­
тивной полоски больше 10, то оптимальное число звеньев меандра
мож ет быть вычислено по приближенной формуле
п т х У ц сг1 1 ) ( В Щ . (3.20)
При L = B (меандр квадратной формы) и а = Ь вы раж ен и е упро­
щается:
(3.21 j
Значение п оит округляю т до ближ айш его целого.
О пределяю т длину меандра:
L = n { a + b). (3.22)
Вычисляют ширину меандра:

В= , (3.23,
11
где п — оптимальное число звеньев меандра, округленное до б ли ­
ж айш его целого.
Расстоян ие а вы бираю т из конструктивно-технологических сооб­
раж ений. Например, при напылении резисторов через маску разм ер
tfmin определяется минимально возможны м расстоянием между со­
седними щ елями в маске. Д л я обеспечения требуемой жесткости
маски оно долж но удовлетворять условию
B mJ a < 10. (3.24)
Если это условие не выполняется, необходимо изменить расстоя­
ние а и вновь вычислить «опт, L, В. Д л я фотолитографического ме­
тода у казан ное условие некритично.
122
Приведенные расчетные соотношения не учитывают, что в резис­
торах типа «меандр» плотность тока в изгибах неравномерна (рис.
j.1 5 ). Это приводит к сокращению электрической длины пленочного

Ь ь ь b У


ш ■* ч ш ж %
\Ь ь
& %
\\ь
й
а) о)

■f Рис. 3.15. Распределение Рис. 3.16. Конструкции изгибов пле­


I плотности тока в резисторах ночных резисторов типа «меандр»:
типа «меандр» а — изгиб под прямым углом; б — П -об-
разный изгиб

резистора и уменьшению его сопротивления. Н еравном ерное распр е­


деление плотности тока н аблю дается в пределах трех квадратов
о б ласти изгиба (рис. 3.16, а, б ) .
Д л я приближенной оценки сопротивления меандра можно вос­
пользоваться формулой
R ^ P s 0 ср/ * ) = р Л -
( Д л я уточненного расчета с учетом изгибов конструкцию резисто­
ра типа «меандр» можно представить в виде последовательно соеди­
ненных прямолинейных участков и изгибов. При этом его сопротив­
л ение можно определить к а к сумму сопротивлений прямолинейных
участков и изгибов:

Ps, (3.25)

&е R n — сопротивление изгибов; т — число изгибов, п — длина


прямолинейных участков; п — число звеньев меандра.
Д л я изгиба под прямым углом (рис. 3.16, a) R и = 2,55р5 , для
П -образного изгиба (рис. 3.16, б) R n = 4 p s . Отсюда длина п рям о­
линейного участка одного звена м еандра

Ь. (3.26)
рsn
После этого корректируют разм еры L и В с целью обеспечения
задан н ого номинала резистора.
К в а д р а тн а я или бли зкая к ней форма резистора типа «меандр»
часто оказы вается неудобной при компоновке пленочных элементов
на подлож ке микросхемы, например, из-за отличной от кв ад р ат а
123
площади, отводимой под резистор. Тогда, зная габаритную п л о щ ад ь
м еандра S = L B и зад ав ш и сь одним из размеров м еан дра (напри­
мер, В ' ) , определяют второй разм ер L ' и число звеньев меандра п':
L ' = S I B ' f n ' = L 'l t .

Пример расчета группы резисторов


Определить форму, геометрические размеры , метод изготовления и мини­
мальную площ адь, занимаемую резисторами на подложке, при следующих исход­
ных данных: номиналы резисторов /?1== 6 кОм, /?2= 1 кОм, # 3= 1 0 0 кОм, допу­
стимое отклонение сопротивления резисторов от номинала y Ri = 5 °/о, y Ri R
= 15%; мощности рассеяния Я, = 10 мВт, Р 2= 3 0 мВт, / 53= 1 6 мВт; диапазон
температур —20-4-100° С; погрешность воспроизведения м атериала резистивной/
пленки у = 2 ,5 % ; погрешность старения резистивной пленки -у/?ст = 0 ,3 % . f
О пределяем оптимальное сопротивление квад р ата резистивной пленки п|
формуле (3.1): I

/
-'6 + 100 + 1 п „
Г / 6 - + 1/100 + 1 = 9 'з 4 к 0 я / а -
По табл. 3.4 выбираем материал резистивной пленки с ближайш им к p s onT
значением ps — кермет К-50С. Его параметры: p s = 1 0 кОм/D , TRR = —5Х
Х Ю -4 1/°С; Ро = 20 мВ т/м м2.
П роверяем правильность выбранного м атериала. В соответствии с вы р аж е­
нием (3.2) температурная погрешность у Л/ = 5 -1 0 ~ 4-8 0 -100 = 4% , а допустимая
погрешность коэффициента формы для наиболее точного резистора по (3.3)
УКфДоп1= 5—4—0,3—2 ,5 < 0 . Это означает, что изготовление первого резистора с
заданной точностью из данного материала невозможно. Н еобходимо вы брать
другой материал с меньшей температурной погрешностью или изготовлять рези­
стор Ri с меньшей точностью и последующей подгонкой его до точности 5%.
Допустим, что по условиям производства подгонка неж елательна. Выбираем
другой материал. Наименьшую температурную погрешность имеет сплав РС-3001.
Его параметры: ps = 2 кОм/D , Т К R = — 0,2-10-4 1/°С, Р 0= 20 мВт/мм2.
Определяем температурную погрешность сплава PC-3001: у и ( = 0,2- 10_4Х
X 8 0 -1 0 0 = 0 ,1 6 % . Допустимая погрешность коэффициента формы для первого*
наиболее точного резистора у*ф Д °п1= 5—2,5—0,16—0 ,3 = 2 ,0 4 % . Соответственно
для второго и третьего резисторов у ^ф Д о п 2 = 1 5 —2,5—0,!6—0,3 = 12,04%. Сле­
довательно, сплав РС-3001 подходит для изготовления всех резисторов с зад ан ­
ной точностью без подгонки.
Определяем форму резисторов по коэффициенту формы (3.4): Кф1= 3 — ре­
зистор Ri прямоугольной формы типа полоски, /СФ2= 0 ,5 — резистор /?2 прямо­
угольной формы, но его длина меньше ширины, /Сфз= = 5 0 — резистор /?3 сложной
формы.
Д алее анализируем технологические возможности и выбираем метод ф ор­
мирования конфигурации резисторов.
С точки зрения технологичности все резисторы целесообразно изготовлять
одним методом (см. табл. 3.15). Если метод изготовления заранее не задан,
больш ая часть резисторов имеет прямоугольную форму и нет ограничений по
площ ади подложки, то целесообразно выбрать масочный метод. С помощью это­
го метода можно изготовить резисторы типа «меандр» лишь с точностью ± 2 0 %.
П оскольку по условию точность изготовления резистора R i = ± 5 % и требуется,,
чтобы резисторы занимали минимальную площ адь, для данного случая следуе^
выбрать фотолитографический метод и выполнять резистор в виде меандра.
По табл. 3.15 определяем технологические ограничения для метода фотоли
тографии Д/ = ДЬ = 0,01 ММ, Ьтехи = ^техн = 0,1 мм, a min = 0,l мм, &mtn = Q,l мм.”
Д алее проводим расчет последовательно для каж дого резистора.
Расчет резистора Яi

Расчетную ширину резистора определяем по выраж ениям (3.5) — (3.7):


6Т0ЧИ= (0,01 + 0 ,0 1 /3 ) /0 ,0 2 0 4 = 0,654 мм,

' = / 10/(20-3) = 0 ,4 0 8 мм.


С учетом округления принимаем &i = 0,66 мм. Д лина резистора по (3.8)
/, = 0 ,6 6 -3 = 1 ,9 8 мм. Полную длину резистора с учетом перекрытия контактных
площ адок (не определяется при методе двойной фотолитографии) находим по
(3.9): /поля— 1,98+2-0,1 = 2 ,1 8 мм. П лощ адь резистора по (3.10) 5] = 0,6 6 -2 ,1 8 =
* = 1,439 мм2.
Д ля проверки определяем действительную удельную мощность и погрешность
изготовления резистора R { по формулам (3.15) — (3.17):
P q i — 10/1,439 = 6 ,9 5 мВт/мм2 < 2 0 мВт/мм2,

, = ( 0 , 0 1 / 2 , 1 8 ) + (0 , 01/ 0 , 66) « 0 , 0 1 9 < 0 ,0 2 0 4 ,


Ф1
= 2 ,5 + 0 ,1 6 + 0 ,3 + 1,9 = 4 ,8 6 % < 5 % .

^ Расчет резистора R2
П оскольку коэффициент формы резистора R 2 меньше единицы, расчет начи­
наем с определения длины по формулам (3.11) — (3.13):

= / ( З Э - 0 , 5 ) / 2 0 = 0,866 мм; / Т0ЧН2 = (0 ,0 1 + 0 ,0 1 - 0 , 5 ) / 0 , 12 = 0,125 мм; 1те*„

г выбираем по табл. 3.15. Д л я метода фотолитографии / техн = 0,1 мм. О кончатель­


но с учетом ш ага координатной сетки /2= 0 ,8 7 мм. Расчетная ширина по (3.J4)
62= 0,87/ 0,5 — 1,74 мм. П олная длина с учетом перекрытия контактных площ а­
док /поли2=0,8 7 + 2 - 0 ,1 = 1,07 мм. П лощ адь резистора S 2— 1 ,0 7 -1 ,7 4 = 1,86 мм2.
Д л я проверки определяем действительную удельную мощность и погреш­
ность изготовления резистора R 2 по формулам (3.15) — (3.17):

^02 ~ 3 3 /1,86 = 16,1 мВт/мм2 < 2 0 мВт/мм2 ,

= ( 0 ,0 1 / 1 ,0 7 ) + (0 ,0 1 /1 ,7 4 ) = 0,015 < 0 , 1 2 ,

= 2 ,5 + 0 ,1 6 + 0 , 3 + ! ,5 = 4 ,4 6 % < 15%.

Расчет резистора R3
После определения /<ф и выбора формы резистора находим ширину рези-'
стора R 3 типа «меандр» по формулам (3.5) — (3.7):
0,01 + 0 ,0 1 /5 0 f 16
*гочвЗ = --------- — ------- = 0,085 мм; bp% = 1 / « 0 , 1 2 6 мм;

^техн — 0,1 мм.


С учетом округления 63= 0,130 мм.
Д лина средней линии меандра по (3.18) Un — Q, 1 3 -5 0 = 6 ,5 мм. З ад аем ся
ч расстоянием меж ду соседними звеньями меандра. Д ля метода фотолитографии
'О табл. 3.15 Ujxiinz=—0,100 мм. П усть a3— b3= 0 ,1 3 >мм. Ш аг одного звена по
^гЗ .1 9 ) t = 2 b ? = 0.26 мм. О птимальное число 'звеньев меандра по (3.11)
/lour — ] /’(0,13*5Э )/0,2б = 5 . Д лина меандра по (3.22) L = 5 - 0 ,2 6 = 1,3 мм. Ш и­
рина меандра по (3.23) В = ( 6 , 5 — 0 ,1 3 -5 ) /5 = 1,17 мм.
125
Проведем уточненный расчет резистора R 3 с учетом неравномерности плс-
«ости тока в изгибах.
Топология резистора с п — 5 приведена на рис. 3.17. Выделим элеме!
Л -образн ы х изгибов, т а к к ак а = Ь , Количество элементов изгибов т = п (с •.
том двух приконтактных областей
гибов). Сопротивление П-образных
гибов R n = Aps. .0 -
Рассчитаем длину прямолинег
участков по (3.26): г'
100— 5 -4 -2 >
/ п = -------- — --------- 0 ,1 3 = 0,78 if.
2*5 I
Окончательные габаритные р а ?
резистора: длина L по (3.22) L=2
X (0,13+ 0,13) = 1,3 мм, ш и р и н а '-i
(рис. 3.17)
Б = / в + 4А = 0 , 7 8 + 4 - 0 , 1 3 = 1,3 i
Габаритная площ адь резистора 5
= L f i = 1 ,3 -1 ,3 = 1,69 мм2.
Рис. 3.17. К примеру расчета рези­ П роверка расчета резистора R 3 по
стора типа «меандр» формулам (3.15) — (3.17):

P qз = 1 6 /1,69 = 9 ,4 7 мВт/мм2 < 20 мРт/м м 2;

= (0 ,0 1 /0 ,1 3 ) +- (0,0 1 /0 ,1 3 » 5 3 ) = 0,978 < 0,12

Y^ 3 = 2 , 5 +- 0 , 1 6 + 0 , 3 -+ 7 ,8 = 10,76% < 15% .


К.
Проверки показывают, что все резисторы спроектированы удовлетвор
•тельно.
Расчет тонкопленочных конденсаторов. Все характеристики тон­
копленочных конденсаторов: емкость, рабочее напряжение, тем пе­
ратурны й коэффициент емкости, частотные свойства и разм еры —
з а в и с я т от выбранных материалов, п арам етры которых рассм отре­
ны в § 3.2.

Рис. 3.18. Конструкция тонко­ Рис. 3.19. Конструкция конден­


пленочного конденсатора с пло­ сатора с расчетной площадью
щадью верхней обкладки бо­ от 1 до 5 мм2
лее 5 мм2
Емкость тонкопленочных конденсаторов определяется площадью
п ерекры тия его об кл ад ок (активной п лощ адью или плош адью в ерх­
ней о б к л ад к и ). Н а рис. 3.18 приведена конструкция конденсатора
126
°ощадью верхней об кл ад ки более 5 мм2. Т ак как верхние обклад-
'Ъормиру-ют масочным методом, то для устранения погрешности
Тещения маски в месте вывода верхней об клад ки с противопо-
гюй стороны от вывода д ел аю т компенсатор. При значительной
'■ щ ади верхней обкладки эта погрешность м а ла и компенсатор
■цен. При активной площ ади пленочного конденсатора менее
~aJ ’ начинает оказываться краевой эффект, причем тем сильнее,
i'fi - эньше площ адь. При активной площ ади от 1 до 5 м м 2 об клад -
щенсатора можно выполнять в виде двух взаимно пересекаю-
Kfir ,i полосок (рис. 3.19). Если расчетная площ адь конденсатора
ие 1 м м 2, конденсатор можно выполнять в виде последователь-
• у е д и н е н н ы х конденсаторов (рис. 3.20). Если расчетная п лощ ад ь

КЧЧЧЧЧЧЧ1

•iC. 3.20. Конструкция конденсатора Рис. 3.21. Конструкция конденсатора,


расчетной площадью менее 1 мм2 в состоящего из двух последовательно
иде двух последовательно соединен­ соединенных конденсаторов, исполь­
ных конденсаторов зующих в качестве диэлектрика под­
лож ку

шком м а ла и не позволяет конструировать конденсатор приемле-


, размеров, можно использовать в качестве д и электри ка подлож-
су (рис. 3.21), к о т о р а я д о л ж н а быть пригодна д ля напыления
-б к л а д о к с обеих сторон. М ож но конструировать та к ж е гребенча­
тый конденсатор (рис. 3.22). Емкость такого конденсатора почти
целиком определяется емкостью, обусловленной краевым эф ф ектом .
Потери в о б к л ад к ах зависят от располож ения выводов нижней
и верхней об кл ад ок по отношению друг к другу. Н а рис. 3.23 приве-
тены конструкции конденсаторов с одно- и двусторонним располо-

Рис. 3.22. Конструкция Рис. 3.23. Конструкция конденсатора


гребенчатого конденсато­ с двусторонним, (а) и односторонним
ра (б) расположением выводов верхней
и нижней обкладок

жением выводов. Предпочтительнее второй вариант, т а к к а к на ч ас­


тотах выше 10 М Гц емкость конденсатора с ростом частоты п ад ает
;дленнее при двустороннем (рис. 3.23, а ) , чем при одностороннем
\Рис. 3.23, б) расположении выводов.
М и ни м альн ая толщина диэлектрического слоя ограничена требо­
ванием получения сплошной 'пленки без сквозных отверстий и с за-
127
дайной электрической прочностью, а м акси м ал ь н ая толщина огр а­
ничена механическими нап ряж ени ям и в растущей пленке. Толщину
д иэл ектр и ка определяю т по ф ормуле

(3.27)
где К 3 — коэффициент зап аса электрической прочности (для п ле­
ночных конденсаторов Д'3 = 2 -ь З ); Upaб — рабочее напряжение, В:
£пр — электри ческая прочность м а тери ал а диэлектрика, В/мм.
С уммарную относительную погрешность емкости конденсатора
оп ределяю т по формуле
Yc = Yc„ + Ys + Yc, + YcCT, (3.2:

где у с 0— относительная погрешность удельной емкости, х а р а к т е ­


ризую щ ая воспроизводимость удельной емкости в условиях д ан н о ­
го производства (зависит от м а тер и ал а и погрешности толщины
д и эл ектр и ка и составляет 3— 5 % ) ; ys — относительная погреш­
ность активной площ ади пленочного конденсатора (зависит от точ­
ности геометрических разм еров, формы и площ ади верхних о б к л а ­
док конденсатора): у ct — относительная тем пературн ая погреш­
ность (зависит в основном от Т К С м а тер и ал а д и эл ектри ка);
Усст — относительная погрешность, обусловленная старением пле­
нок конденсатора (зависит от м а тер и ал а и метода защ иты и обыч­
но не п ревы ш ает 2—3 % ) .
О тносительная тем пературн ая погрешность
Yc, = а с (Т шах — 20°С), (3.29)

где ас — Т К С м а тер и ал а диэлектрика, определяемый по табл. 3.6.


Относительная погрешность активной площ ади конденсатора
M B - f ДB L
(3.30)
LB

г д е AS, AL, ДВ — соотвётственно погрешности площ ади, длины и


ширины верхней обкладки.
Относительная погрешность активной площ ади конденсатора
(площ ади перекрытия обкладок) минимальна, если обкладки име-
■Ют форму кв ад р ат а . Отклонение контура верхней обкладки от
кв ад р ата сопровож дается увеличением y s-
Д л я учета этих отклонений используют коэффициент формы о б ­
кл ад ок
К Ф= Ц В . (3.31)

Тогда относительную погрешность активной площ ади конденса­


т о р а при A L = A B можно определить по формуле

(3.32)

128
Д ли обеспечения заданной точности емкости при изготовлении
конденсатора необходимо, чтобы выполнялось условие

( 3 ' 3 3 )

где Y'sдоч — максимально допустимая относительная погрешность


активной площади, которая мож ет быть определена как
Ys.tou^ Y c - Y c o “ Ус( - Yс Сг. (3.34)
Из вы раж ения (3.33) следует, что при выбранном из то п о л о п н
чееких соображении значении коэффициента формы площ адь верх­
ней обкладки

^ ( I+ V . (3.35)

Если равенство выполняется, то получаем вы раж ение для


удельной емкости:

c „ „ , , , = c ( i ) 2 1T ^ r . (3.36,

В частном случае, когда К ф =1 (для об кл ад ок квадратной ф ор ­


мы) , приведенные вы раж ен и я упрощаются:
2 д £ / К 5 < у 5д011. (3.37)
S > 4 0U/vs, J 2, (3.38)
C o,„™ =C [vSjo,/(2Ai)p. (3,39)

Порядок расчета

1. Выбираю т м атериал диэлектрика по рабочему напряжению


в соответствии с данными, приведенными в табл. 3.5. Чтобы конден­
сатор занимал как можно меньшую площадь, нужно выбирать м а ­
териал с возможно более высокими диэлектрической проницае­
мостью, электрической прочностью, а так ж е малыми значениями
ТК С и tg б.
Приведенное в габл. 3.5 значение удельной емкости С0 соответ­
ствует определенной толщине диэлектрика без учета точности изго­
товления конденсатора.
2. О пределяю т минимальную толщину диэлектрика из условия
электрической прочности (3.27). Толщина д олж на быть в пределах
0,1 — 1 мкм, в противном случае следует выбрать другой материал
диэлектрика. При толщине диэлектрика менее 0,1 мкм в нем воз­
можны поры, что может привести к короткому зам ы кан ию обкладок.
При толщине диэлектрика более 1 мкм возможен разры в верхней
об клад ки в месте вывода из-за большой ступеньки по толщине плен­
ки. Оптимальная толщина диэлектрика 0,3— 0,5 мкм.
5— 449 129
3. О пределяю т удельную емкость конденсатора (пФ /см2), исхо­
дя из условия электрической прочности:
C0i/ = 0,0S85s/«r. (3.40)
Здесь d в см.
4. Оценивают по (3.29) относительную температурную погреш­
ность.
5. Определяю т по (3.34) допустимую погрешность активной пло­
щади конденсатора. Если увдоп^О, то это означает, что изготовле­
ние конденсатора с заданной точностью невозможно, нужно выбрать
другой материал диэлектри ка с меньшей температурной погрешно­
стью. Уменьшить погрешность старения можно за счет дополнитель­
ной защ иты микросхемы от влаги.
6. Определяю т удельную емкость конденсатора с учетом точно­
сти его изготовления по (3.36), для об кладок квадратной формы —
по (3.39); погрешность длины AL находят по табл. 3.15 для масоч­
ного метода.
7. Выбирают минимальнее значение удельной емкости конденса­
тора, учитывая электрическую прочность и точность изготовления:
С0 < m i n {С0к, С0 гочн) * (3.41)
8. Определяю т коэффициент, учитывающий краевой эффект:
| 1; С/С0> 5 мм2,
(3.42)
1 1,3 — 0,06С/С0; 1 < С / С 0< 5 мм2.
9. Определяю т площ адь верхней обкладки:
S = C / C 0K . (3.43)
Если площ адь перекрытия об клад ок меньше 1 мм2, необходимо
взять другой диэлектрик с меньшим значением s, или увеличить
толщину диэлектрика s в возможных пределах, или конструировать
конденсатор специальной формы (см. рис. 3.20—3.22).
Если площ адь перекрытия об клад ок больше 200 мм2, требуется
взять другой диэлектрик с большим значением в, либо уменьшить
толщину диэлектрика d в возможных пределах, либо использовать
в ГИС навесной конденсатор, удовлетворяющий исходным данным.
10. О пределяю т разм еры верхней обкладки конденсатора. Д л я
обкладок квадрат ной формы ( К ф = 1 )
L = B = V 'S . (3.44)

Р азм е р ы L и В округляют до значения, кратного шагу коорди­


натной сетки с учетом м асш таба топологического чертежа.
11. Определяю т разм еры нижней обкладки конденсатора с уче­
том допусков на перекрытие (см. рис. 3.18, табл. 3.15):
L H— В а— L -f- 2q, (3.45)
где q — разм ер перекрытия нижней н верхней об клад ок конденса­
тора (см. табл. 3.15).
130
12. Вычисляют разм еры диэлектрика:
/;д= я д= £ н4 - 2 / , ( 3 .46 )
где f — размер перекрытпя ннжпей обкладки и диэлектрика (см.
табл. 3.15). По танталовой технологии диэлектрик получают аиодн--
роваиием Та, поэтому [ = 0.
13. Определяю т площадь, занимаемую конденсатором:
S a = L kB k. (3.47)
С начала проектируют обкладки конденсатора квадратной фор­
мы, а при отсутствии места на чертеж е топологии для расположения
квад рата задаю тся одной из сторон конденсатора, коэффициентом
формы обкладок и вычисляют разм еры о б кл ад ок прямоугольной
фермы.
Д л я проверки емкости в процессе или после изготовления мик­
росхемы конденсатор необходимо снабдить специальными кон такт­
ными площ адками.
Если конденсатор шунтируется резистором и при этом полное
сопротивление параллельного соединения зам ерить невозможно, то
при проектировании топологии указанны е элементы рекомендуется
выполнять незашуптнровапными. В этом случае окончательное сое­
динение производится навесным проводником после необходимых
измерений.
14. Осуществляют проверку расчета.
Конденсатор спроектирован правильно, если:
а) рабочий тангенс угла диэлектрических потерь не превыш ает
заданного:
tgSpae < t g 8 . (3.48)

Если пренебречь сопротивлением выводов обкладок, то рабочий


тангенс угла можно представить в виде суммы тангенсов углов по­
терь в диэлектрике t g 6 mKJa и в о б к л ад к ах t g 6 06:
tg spae = tg 8ДНЭЛ+ tg 8об- (3.49)
Значение lg 6дцЭЛ определяю т по табл. 3.5 д ля выбранного м ате­
ри ала диэлектрика.
Тангенс угла потерь в о б кл ад ках находят по формуле

t g s 06 ~ Y w/?o6C’ (3 '50)

где R об — сопротивление об клад ок конденсатора, Ом; С — емкость


конденсатора, Ф; w — угловая частота; со = 2л/тах (fmax — часто­
та, Гц).
Сопротивление об кл ад ок конденсатора зависит от его формы:
^?об == Р5об^"ф» (3.51 )
где ps об — удельное поверхностное сопротивление м атер и ал а о б ­
кл ад ок (определяют по табл. 3.5);
5* 131
б) раб оч ая напряженность электрического поля £раб не превы ­
шает /:Пр м атери ала диэлектрика:
^раб ^npt (3.52)
где
£ р аб = £/рабАЛ (3.53)
r/ = 0,0885s/C0, см; (3.54)
в) погрешность активной площадп конденсатора не превыш ает
допустимую:
4*6 < Ч о , ’ (3-55)
где Vs раб определяют по (3.32), а уйдоп— по (3.34).
Если один из п. а), б) пли в) не выполняется, необходимо вы ­
брать другой м атериал диэлектрика или изменить конструкцию
конденсатора.
Если в схеме имеется несколько конденсаторов, то для изготов­
ления их в едином технологическом цикле целесообразно выбирать
для всех конденсаторов один п тот ж е диэлектрик с одинаковой
толщиной, а следовательно, одинаковой удельной емкостью С0.
В противном случае для напыления пленки диэлектрика конденса­
торов понадобятся различные маски, а возможно, и напылитель-
ные установки, что значительно усложнит технологический процесс.
Д л я нескольких конденсаторов на одной подложке расчет начи­
нают с .конденсатора, имеющего наименьший номинал емкости. П о с ­
ле выбора м атери ал а и вычислений по формулам (3.27), (3.34),
(3.36), (3.39), (3.40) определяю т значение удельной емкости, при
котором конденсатор будет зан и м ать минимальную площ адь па
подложке:
C’0min = C’mIn/^mi,r (3 -56)
Окончательный выбор С0 производят по формуле
Со -^птш {Comiu, Cgi/j C qT04H|. (3.57)
Вычисляют толщину диэлектрика, соответствующую удельной
емкости С0 по (3.54). Если толщина диэлектрика не выходит за
пределы возможностей тонкопленочной технологии (0,1 — 1 м км ),
то п родолж аю т дальнейший расчет, если нет — выбирают другой
материал.

Пример расчета конденсаторов


Определить геометрические размеры и минимальную площ адь двух конден­
саторов иа одной подложке, изготовленных в едином технологическом цикле,
при следующих исходных данных: емкость конденсаторов C i= 1 0 0 пФ, С2=
= 2500 п Ф ; допустимое отклонение емкости от номинала у с = 1 5 % ; рабочее иа-
п р я ж ^ и е , t / Pa o = 15 В; диапазон температур = —60Ч-125°С; тангенс угла ди­
электрических потерь па рабочей частоте tg 6 = 0,03; максимальная рабочая час­
тота f max = 400 кГц; погрешность воспроизведения удельной емкости \ с 0 = 5% ;
погрешность старения \ с =!%•

132
По табл. 3.5 с учетом изложенных рекомендаций выбираем материал
диэлектрика для обоих конденсаторов — моноокись кремния. Его параметры:
е = 5; tg 6 = 0,01; Е Пр = 2-1 0 6 В/см; ТКС = 2 -1 0 ~ 4 1/'°С. Минимальную толщину
диэлектрика d min и удельную емкость Ссг для обеспечения необходимой элект­
рической прочности находим по (3.27) и (3.40):
d m\a = (3-1 5 )/(2 -1 36) = 0,225-1 )-4 см ,
о пФ пФ
C qk = 0,0885 = 0 , 1 9 7 - 1 3 5 ---------- = 197
0 ,2 2 5 -1 3 -4 см2
Температурная погрешность емкости в соответствии с (3.29) у с( = 2 -Ю _4Х
Х (1 2 5 —20) - 100 = 2,1 %, а допустимая погрешность активной площ ади конден­
сатора согласно (3.34) у в до п = 1 5 —5— I—2 ,1 = 6 ,9 % .
Миннмальную удельную емкость для обеспечения точности изготовления
наименьшего по номиналу конденсатора определяем по (3.39):

a AL = 0,01 мм (см. табл. 3.15).


Определяем, какова долж на быть .удельная емкость наименьшего по номи­
налу конденсатора с учетом технологических возможностей изготовления по
площ ади перекрытия обкладок и толщине диэлектрика. Задаем ся S min — 1 ММ2.
Тогда по (3.56)
С 0 min = ЮЭ/1 = 133 П Ф/М М 2.

Таким образом, получены три значення удельной емкости:


Cov = 197 пФ /м м 2; С 0томи = 119^ пФ/мм2; С 0ш1п= 133 пФ/ым2.
Окончательно выбираем С0= 100 пФ /мм2.
Определяем, какая толщина диэлектрика соответствует выбранной удельной
емкости С0 по (3.54): d = 0,0 8 8 5 -5 /(1 0 0 -102) = 0 , 4 4 - 10-4 см, что вполне приемле­
мо для тонкопленочной технологии.
Д алее проводим расчет геометрических размеров конденсаторов по ф орму­
лам (3.42) — (3.47).

Расчет конденсатора Сi
Отношение C J C 0= 1 0 0 /1 0 0 = 1 мм2. Коэффициент, учитывающий краевой
эффект, К = 1,3—0,06-1 = 1,24. П лощ адь перекрытия обкладок S[ = l-1 ,2 4 =
= 1,24 мм2; форма обкладок — перекрещивающиеся полоски (см. рис. 3.19) к вад ­
ратной формы ( К ф = 1) ; размеры обкладок L X= B X= Y 1 ,2 4 = 1,11 мм; 1щ —
= В п1 = 1,11 мм, £ д 1= Вд| = 1,11+2-0,1 = 1,31 мм; площ адь конденсатора по д и ­
электрику 5 д1= 1,72 мм2.
П роверку расчета производим по формулам (3.48) — (3.55), (3.34):

tg Вдиэл1 = 0,02 (по табл. 3 .5 ),


t g 5 pa6t = 0,02 + 0,03033 < 0 , 0 3 ;
£ раб1 = 1 5 /(0 ,4 4 -1 3 -4 ) = 0,34.106 В /см < 2 - 1 0 6 В/см;

\’5 Раб1 = 0 ,0 1 - 2 /V 1,24 = 1,8% < 6 , 9 % .


Расчет конденсатора С2
Расчет конденсатора С2 проводят аналогично.
Отношение С2/С 0= 2 5 0 0 / 10 0 = 2 5 мм2. Коэффициент, учитывающий краевой
эффект, k — 1. П лощ адь перекрытия обкладок S 2= 25 мм2; форма обкладок при-
5*— 449 133
ведена на рис. ЭЛ8; размеры обкладок конденсатора квадратной формы (/Сф=
= l) i 25 = 5 мм, Lh2= jB h2= 5 + 2 -0,2 = 5,4 мм, ^.д2==^ д 2==5,4 -Ь2 Х
мм; площ адь конденсатора по диэлектрику S n2 = 5 , 6 2 = 3 1 ,3 6 мм2.
Х О ,1 = 5 , 6
П роверка расчета:
2
t g B 06 ^ 2 = -------2 Л - 4 0 0 - 1 0 3 . 0 , 2 - 2 5 3 0 - 10—12 = 1 ,8 8 .1 0 -3 ,
3
tg Spa62 = 0,02 -h 0,03188 < 0,03;
£ раб2== 1 5 /(0 ,4 4 .1 0 -4 ) = 0,34-106 < 2 - 1 0 6 Б /с м ,

Y 5 Pa62 = 0 , 0 1 - 2 / 1 / 2 5 = 0 , 4 % < 6 , 9 % .

П роверки показывают, что конденсаторы не выходят за пределы точности,


имеют запас по электрической прочности и тангенс угла диэлектрических потерь
меньше заданного.

§ 3.7. Разработка топологии тонкопленочных ГИС

Р а з р а б о т к у топологии рекомендуется проводить в такой после­


довательности: составление схемы соединения элементов на п л а ­
те; расчет конструкций пленочных элементов; определение необхо­
димой площ ади платы и согласование с типоразмером корпуса,
выбранного д ля ГИС; р а зр а б о т к а эскиза топологии-, оценка каче­
ства р азработанн ой топологии и при необходимости ее корректи­
ровка.
Д л я составления схемы соединений на принципиальной э л е к ­
трической схеме вы деляю т пленочные элементы и навесные компо­
ненты, н ам ечаю т порядок их располож ения и проводят упрощение
схемы соединений с целью уменьшения числа пересечений провод­
ников и сокращ ения их длины.
П рои зводят выбор материалов и расчет геометрических р а з м е ­
ров пленочных элементов. За тем приступают к определению необ­
ходимой площ ади платы. И з технологических соображ ений элем ен ­
ты микросхемы распо л агаю т на некотором расстоянии от ее кр а я
(см. табл. 3.15). П ро м еж у тки меж ду элементам и определяю тся
технологическими ограничениями и условиями теплоотвода.
Ориентировочную площ адь платы определяю т по формуле

S = /f (5а/г+5лс + 5Бк+ 52н.к), (3.58)


ю
где К — коэффициент зап ас а по площади, определяемый количест-
вом элементов в схеме, их типом и сложностью связей меж ду ни­
ми (для ориентировочных расчетов мож но принимать /С = 2 -^ 3 ) ;
S z r , S s c, S SK— площади, зан и м аем ы е всеми резисторами, конден­
саторами, контактными площ адкам и; 5 ^ п.„ — сум м арн ая п лощ адь
навесных компонентов, которые не могут быть располож ены н ад
пленочными элементами и заним аю т площ ад ь на плате.
После вычисления ориентировочной площ ади платы выбираю т
ее типоразмер согласно табл. 3.3. Одновременно выбираю т способ
134
з а щ и т ы Г И С (см. § 5.2) и в случае использования корпусов — ти ­
поразм ер корпуса. Рекомендуемые разм еры плат: 2 0 x 2 4 , 2 0X 16,
15Х 16, 1 5 x 8 мм и т. д.
Д а л е е приступают к р азра б отк е эскиза топологии. Н а этом э т а ­
пе реш аю т зад ач у оптимального разм ещ ения на плате пленочных
элементов, навесных компонентов и соединений между ними, а т а к ­
ж е м еж ду внешними контактными площ ад кам и на плате и в ы в од а­
ми корпуса.
Д л я разрабо тк и эскизных топологических чертежей необходи­
мо знать: £хему_электрическую принципиальную и схему соедине­
ния элементов; форму и геометрические разм еры пленочных э ле­
ментов и навесных компонентов; ориентировочные разм еры и
м а тер и ал платы, предварительно выбранный метод индивидуаль­
ной герметизации, вид и разм ер ы корпуса или метод установки
платы в блоке при групповой герметизации; возможности произ­
водственной базы, предназначенной д л я изготовления р а з р а б а т ы ­
ваемой ГИС.
Н ачальн ы й этап разрабо тк и топологии состоит в изготовлении
эскизных чертежей, выполненных на миллиметровой бумаге в
м а сш т а б е 10: 1 или 20: 1. М асш таб выбирают, исходя из удобства
работы , наглядности и точности. Эскизный чертеж в ари ан та топо­
логии Г И С выполняют совмещенным д л я всех слоев.
Н авесные компоненты и зо б р а ж аю т с соблюдением порядка р а с ­
полож ения выводов. Грани навесных компонентов распо л агаю т
в д о л ь осей координатной сетки. Если используются навесные ком­
поненты с жесткими выводами, то в чертеж е топологии выполняю т
контактны е площ адки (см. рис. 3.1, 2.2), которые соответствуют их
цоколевке и имеют размеры , указан ны е в табл. 3.15. Если выводы
навесных компонентов гибкие, то на чертеж выносят их и зо б р а ж е­
ние согласно рис. 3.3, 3.5, 3.6, 3.9, 3.11.
Одновременно с разм ещ ением элементов и компонентов прово­
д я т линии электрической связи (проводники). Д л я экономии в ре­
мени на начальной стадии проводники предварительно слегка н а ­
мечаю т к а р ан даш ом в одну линию по оси проводника. Р асстоян ие
меж д у п араллельны м и линиями, изображ аю щ им и проводники,
берут с учетом ширины проводников и расстояний меж ду ними.
Л и ни и проводят п арал л ел ь н о осям координат. При вычерчивании
необходимо следить за тем, чтобы пленочные проводники отл и ча­
лись от проволочных выводов навесных компонентов, навесных
перемычек, места соединения их обозначаю т контактными п ло щ ад ­
ками. Следует избегать пересечения с начерченными ранее провод­
никами. После того как выполнена коммутационная схема и обеспе­
чены минимальны е длины проводников, а т а к ж е минимальное число
пересечений, проводники и зо б р а ж аю т в две линии.
Элементы ГИС, п р ин ад л еж ащ и е разным слоям, в первом эскизе
рекомендуется и зо б р а ж ать разными цветами.
При создании чертеж а топологии необходимо о б р ащ а ть в н и м а­
ние на использование наиболее простых форм элементов, равн ом ер­
ность разм ещ ения элементов на плате, обеспечение удобств при вы-
5** 135
полпенни сборочных операций, увеличение разм еров контактных
площадок, расширение допусков на совмещение слоев и т. д.
При вычерчивании элементов следует экономно использовать
площ адь, что достигается выбором соответствующей конфигурации
(если это допускается) разм ещ аем ы х пленочных элементов.
При р азр аботк е топологии нужно учитывать обеспечение воз­
можности измерений электрических парам етров пленочных элемен­
тов (резисторов, конденсаторов и т. д .). Если структура электри че­
ской схемы не позволяет этого сделать (например, п араллельное
соединение конденсатора и рези стора), методика проверки узлов
и требования к топологии, связанные с этой проверкой, долж ны
быть определены до н ач ал а разработк и топологии.
При разр а б о т к е топологии необходимо обеспечить возмож ность
выполнения требований к монтажу применяемых навесных компо­
нентов, а т а к ж е требования к сборке и защ ите микросхемы.
При проработке первого варианта топологии обычно не у д а е т ­
ся получить приемлемую конфигурацию слоев. Р аб о та над следую ­
щими в ар и ан там и топологии сводится к устранению недостатков
первого в ари ан та д ля того, чтобы чертеж отвечал всем конструк­
тивно-технологическим требованиям и ограничениям, изложенным
в табл. 3.15.
При масочном методе изготовления после окончательного р а з ­
мещения элементов рекомендуется произвести р аскраску слоев в
различны е цвета, чтобы оценить возможность изготовления масок.
Маски не долж ны сод ер ж ать провисающих участков. В случае
сложной конфигурации маски проводят распределение проводни­
ков на два слоя или часть проводников переносят в слой нижних
об клад ок конденсаторов, если это не наруш ает жесткости м аски
д ля формирования нижних обкладок.
После того к а к окончательно вы бран вариант топологии, при­
ступают к изготовлению чертежей слоев микросхемы по элементам
(резисторы, проводники и контактные площадки, нижние о б к л а д ­
ки конденсаторов, диэлектрики и т. д .). Эти чертежи — основа д л я
изготовления комплекта фотош аблонов и масок.
Способ н последовательность работы по разм ещ ению и вы б о­
ру формы пленочных элементов могут быть различными: эта р а б о ­
та во многом определяется опытом разработчи ка и носит индивиду­
альный характер. Д л я нахождения оптимального в ари ан та р а з м е ­
щения элементов на плате в настоящ ее время используют методы
проектирования топологии с помощью ЭВМ.
Оценка качества разработки тоиологии ГИС. Р а зр а б о т а н н а я то­
пология до лж на: соответствовать принципиальной электрической
схеме; удовлетворять всем предъявленным конструктивным т р е­
бованиям; быть составлена таким образом, чтобы д ля изготовления
микросхемы треб овалась наиболее простая и деш евая технология;
обеспечить заданны й тепловой реж им ы и возможность проверки
элементов в процессе изготовления. Емкостные и индуктивные св я­
зи не долж ны н аруш ать нормальную работу схемы при задан н ы х
условиях эксплуатации.
136
При проверке правильности разработки топологии ГИС прини­
мают такой порядок. П роверяю т соответствие принципиальной э л е к ­
трической схеме; внешних контактных площ адок — вы водам корпу­
са; конструктивно-технологическим требованиям и ограничениям
согласно табл. 3.15; расчетным значениям длины, ширины и коэф ­
фициента формы резисторов и в случае необходимости производят
корректировку разм еров резисторов. П роверяю т наличие в схеме
пересечения пленочных проводников и защ иту их диэлектриком, в оз­
можность контроля элементов, обеспечение нормального функцио­
нирования микросхемы при заданных условиях эксплуатации. При
необходимости проводят оценку емкостных и индуктивных связей.

Глава 4
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ ГИС

§ 4.1. П латы толстопленочных ГИС

П л аты толстопленочных ГИС долж ны быть дешевыми, иметь


высокие механическую прочность, теплопроводность, термостой­
кость и химическую стойкость.
Н аиболее подходящими м а тери ал ам и для плат толстопленоч­
ных ГИС являю тся высокоглиноземистая керам и ка 22ХС, поликор
и керам и ка на основе окиси бериллия, электрофизические п ар ам ет ­
ры которых приведены в табл. 3.1.
Высокая механическая прочность керамики позволяет исполь- •
зовать плату в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, а
вы сокая теплопроводность дает возможность изготовлять мощные
микросхемы.
Самую высокую теплопроводность имеет бернллиевая к е р ам и ­
ка, но в массовом производстве ее не используют из-за высокой
токсичности окпсп бериллия. К ерам ику типа «поликор» применя­
ют для создания многослойных толстопленочных БИС .
В условиях массового производства используют платы из к е р а ­
мики 22ХС, изготовляемые прессованием порошков или методом
шликерного литья с последующим обжигом при температуре
1650° С.
Точность изготовления пассивной части микросхемы в зн ачи ­
тельной мере зависит от плоскостности и шероховатости платы.
М ак си м ал ь н а я кривизна поверхности (макронеровность) не д о л ж ­
на превыш ать 4 мкм на 1 мм. Ш ероховатость (мпкронеровность)
рабочей поверхности платы д о лж н а быть не ниже 8-го класса (вы­
сота неровностей 0,32— 0,63 м км ). Более высокая чистота обраб от­
ки поверхности платы не нужна, так к а к адгезия толстых пленок
к шероховатой поверхности лучше, а влияние мпкроиеровностей
мало сказы вается на свойствах пленок толщиной 10— 70 мкм.
137
Р азм е р ы п лат определяю тся конкретной конструкцией корпу­
сов (см. § 5.2). М акси м ал ьны е разм еры п лат 6 0 X 4 8 мм. П л аты
больших размеров не применяют из-за ухудшения парам етров
пленочных элементов вследствие коробления плат при вжигании
пленок. Толщ ина плат 0,6— 1 мм.

§ 4.2. Пасты д ля толстопленочных ГИС

Нанесение м атери ал а толстых пленок, в состав которых, как п р а ­


вило, входят металл, окисел м етал л а и стекло, на плату осущ ествля­
ют продавливанием через сетчатый траф ар ет, имеющий закр ы ты е
и открытые участки (рис. 4.1). Д л я трафаретной печати материал
толстых пленок долж ен иметь консистенцию пласты. П асты под­
разд ел яю т на проводящ ие (для проводников, контактных площа-

'ian p cd n sH u e печат и

Рис. 4.1. Схема процесса т р а ф а ­ Рис. 4.2. Зависимость ps паст от


ретной печати бесконтактным спо­ концентрации металлических по­
собом: рошков в стеклянной фритте
/ — ракель; 2 — паста: 3 — трафарет;
4 — плата; 5 — отпечаток пасты

док и об кл ад о к конденсаторов), резистивные и диэлектрические


(для конденсаторов, изоляционных и защ итны х слоев).
В 'состав паст входят основные материалы , придающие,.пленкам
необходимые д ля их функционирования физические свойства и
вспомогательные материалы , придаю щ ие пастам основные техно­
логические и физико-химические свойства. В качестве основных
м а тери алов в проводящ ие и резистивные пасты входят м еталлы
Ag, Au, Pt, Pd, In, Os, Ro, сплавы P t —Au, P d —Ag, P d —Au, мно­
гокомпонентные системы P d — P d O —Ag.
С целью экономии драгоценны х м еталлов д л я формирования
резисторов применяют сплавы A g — Ru, B i— Ru, R u— Ir и пасты на
основе рутения.
Зависимость удельного поверхностного сопротивления от кон­
центр а д п и металлических порошков в пасте представлена на рис.
4.2’’ Основным м атери алом для диэлектрической пасты служ ит
р азм ел ьч ен н ая керам и ка с высокой диэлектрической проницаемо­
стью и низким t g 6 , например керам и ка на основе В аТ Ю 3. Д л я меж -
138
слойной изоляции используют кристаллизую щ иеся стекла с малы м
значением диэлектрической проницаемости. Д л я хорошего сцепле­
ния пленки с платой и св язы вания частиц основного м а тери ал а
м еж д у собой в состав паст вводят порошок стекла (чащ е всего вис­
мутоборосиликатные сте к л а). Д л я придания пасте необходимых
вязкости и поверхностного натяж ения, позволяющих ей легко про­
никать через траф ар еты и, не растекаясь, зак р еп л ять ся на плате,
вводят дополнительные органические вещества и растворители.
’В состав паст входит примерно 2/з основного вещ ества и стекла и
7з органических добавок. Х арактеристики проводящих, резистивных
и диэлектрических паст приведены в таб л . 4.1— 4.3, а парам етр ы
пассивных элементов толстопленочных Г И С — в табл. 4.4.

Таблица 4.1

Характеристики проводящих паст ( П П)

Удельное
поверхностное
Обозначение T олщина сопротивление
пасты слоя, мкм Область применения
Р5 , Om/D ,
не более

ПП-1 10— 20 0,05 Д л я изготовления проводников, ниж ­


них обкладок конденсаторов и контакт­
ных площ адок первого слоя с разм ер а­
ми сторон элементов не менее 0 ,2 мм
П П-2 15—20 5,0 Д л я изготовления верхних обкладок
конденсаторов, не смачиваемых припоем
при лужении
ПП-3 15—25 0,05 Д л я изготовления проводников, ниж ­
них обкладок конденсаторов и контакт­
ных площ адок под монтаж навесных
компонентов с жесткими выводами
ПП-4 15—25 0,05 Д л я изготовления проводящих эле­
ментов, наносимых на слой диэлектрика

Таблица 4.2

Удельное поверхностное сопротивление ps резистивных паст (П Р )

Обозначение
ласты ПР-5 ПР-100 ПР-500 ПР-1к ПР-Зк ПР-6к ПР-20К ПР-50к ПР-ЮОк

Удельное по­ 5 100 530 ЮЭО 3J30 ,6303 20 003 53 033 130 033
верхностное со­
противление
ps, О м /П

139
Т а б л и ц а 4.3

Характеристики паст для диэлектрика конденсаторов ( ПК)


и межслойного диэлектрика (П Д )

Танген^ угла
диэлектриче­
Обозначение Толщина Удельная ских потерь
пасты пленки, емкость С0, на часто!е Область применения
мкм пФ/см2 1,5 МГц
хЮ“ 3

П К 1000-30 4 3 -6 ) 3733 3 ,5 Д л я диэлектрика конденсаторов,


изоляции пересекающихся провод­
ников
П К 12 4 3 -6 3 1 3 033 3,5 Д л я диэлектрика конденсаторов
ПД-1 6 )— 73 163 2 Д л я межслойной изоляции при
двух уровнях пленочных элемен­
тов
П Д-2 53—63 223 3 Д л я межслойной изоляции при
трех (и более) уровнях пленочных
элементов
пд-3 33—53 -- 2 Д л я верхнего защитного слоя
при использовании пасты ПД-1
П Д-4 33—53 3 Д л я верхнего защитного слоя
при использовании пасты П Д-2

Таблица 4.4

Основные параметры пассивных элементов толстопленочных ГИС


Элементы

П:раметры межслойная
резисторы конденсаторы изоляция

Толщина пленки, мкм 15—23 4 3 -6 ) 3 3 -7 3


(диэлектрик)
Минимальный размер I x b , мм 0 ,8 X 0 , 8 1X1 —
Д иапазон номиналов 25 О м— 53—2533 пф
1МОм “
Допустимое отклонение от номина­ + 2* ±15 --
ла, %
Температурный коэффициент со­ * 8 -1 3 -»
противления ТК^?, 1/°С, при Т =
= —60— 125° С
ОС
со
х

М аксимальная допустимая удель­


ная мощность рассеяния Ро, мВт/мм2
Температурный коэффициент ем­ ± 3 ,5 - 1 0 - 4 3 • 13-4
кости ТКС, 1/°С, при Т = —6 0 +
^85° С
Н апряж ение пробоя Unpoo, В 153 53)

* После лазерной подгонки.

НО
§ 4.3. Основные технологические операции
изготовления толстопленочных ГИС

Нанесение паст. Нанесение паст можно производить двумя спо­


собами: бесконтактным и контактным.
При бесконтактном способе подложку, на которую нужно нанес­
ти пасту, устанавливаю т под сетчатым траф аретом с некоторым з а ­
зором; пасту подают поверх траф арета и передвижением ракеля
через отверстия в тр аф а р ете переносят на подложку в виде столби­
ков, копирующих отверстия в сетке (см. рис. 4.1). Р астекаясь, стол­
бики соединяются, образуя такой же рисунок, как на тр аф арете.
Сетчатые тр аф ареты изготовляют из капрона, нейлона или н е р ж а ­
веющей стали.
Качество трафаретной печати зависит от скорости перемещения
и д авлен ия ракеля, зазо р а между сетчатым трафаретом и платой,
натяж ен ия т р аф а р ета и свойств пасты. Необходимо строго соблю­
д ат ь п араллельность платы, т р аф а р ета и направления д виж ения
ракеля.
Д л я устранения неравномерности толщины резисторов рекомен­
дуется составлять топологию так, чтобы все резисторы р а с п о л а га ­
лись по длине в одном направлении по движению ракеля. По этой
ж е причине не рекомендуется проектировать длинные и узкие, а
так ж е короткие и широкие резисторы.
И з рис. 4.3 видно, что при использовании одной и ж е пасты ко­
роткие резисторы имеют большую толщину пленки, а сл ед о ватель­
но, меньшее значение ps, чем д ли н ­
ные, из-за разных прогибов откры ­
тых участков сетчатого траф ар ета.
При контактном способе т р а ф а ­
ретной печати плату устанавли ваю т
под траф аретом без зазор а. О тд еле­
ние -платы от т р а ф а р ета осущ ествля­ Рис. 4.3. Влияние ширины и дли­
ют вертикальным перемещением без ны резистора на толщину отпе­
чатка (при / [ < / 2, h i > h 2)
скольжения во избеж ание р а з м а з ы ­
вания отпечатка пасты. При ко н так т­
ном способе пасту можно наносить пульверизацией с помощью р а с ­
пылителя. Точность отпечатка при контактном способе выше, чем
при бесконтактном.
Терм ообработка паст. П асты после нанесения подвергают терм о­
о б р а б о т к е — сушке и вжиганию. Сушка необходима для удаления
из пасты летучих компонентов (растворителя). Сушку проводят
при температуре 80— 150° С в течение 10— 15 мин в установках с
инфракрасны м (И1\) нагревом. ИК-излучение проникает в глубь
слоя пасты на всю его толщину, обеспечивая равномерную сушку
без образован ия корочки на поверхности.
^Вжигание производят в печах конвейерного типа непрерывного
действия с постепенным повышением температуры до м а к си м ал ь ­
ной, выдерж кой при ней и последующим охлаждением. Р я д печей
141
содерж ит приставки ИК-суш ки, что позволяет объединить эти опе­
рации.
В начале при термообработке происходит выгорание органиче­
ской связи (температура 300— 400° С, при этом скорость нагрева
во избеж ание об разован ия пузырьков не д о л ж н а превыш ать
20 град/мин). Во второй, центральной температурной зоне конвей­
ерной печи происходит сплавление частиц основных материалов
между собой с образованием 'проводящих мостиков и спекание их
со стеклом и керамической платой при температуре 500— 1000° С.
Н а выходе из печи платы о х л аж д аю т с небольшой скоростью
во избеж ание их растрескивания и отслаивания 'пленок от
плат.
П еред первым нанесением паст платы подвергают очистке и
термическому отжигу при тем пературе 600— 620° С. П асты для соз-
д ания^проводящ их слоев вж игаю т при тем пературе 750— 800° С,
Л пасты д и электри ка конденсаторов и изоляционный слой — при
г)700— 750° С,^верхние об клад ки конденсаторов — при 700— 720° С,
' диэлектрик 'за щ и т н о г о слоя — при 620— 650° С, резисторы — при
51600— 650° С. Д л я исключения появления сквозных пор в диэлектри ­
ке конденсаторов его наносят в два слоя, причем ка ж д ы й слой су­
ш ат и вж и гаю т отдельно.
Если одна и та ж е паста наносится на обе стороны платы, то
возможны раздельное нанесение и вж игание пасты с ^каждой сто­
роны, а та к ж е нанесение и сушка пасты с одной стороны, нанесе­
ние, сушка и вж игание пасты с другой стороны при одновременном
вжигании ранее нанесенной пасты.
П оследовательность технологических операций нанесения и
термообработки паст при производстве толстопленочной ГИС сле­
дует вы бирать такой, чтобы к а ж д а я последую щ ая операция имела
более низкую тем пературу вжигания по сравнению с предыдущей.
Последними наносят и вжигают резистивные пасты. В озможны
такие варианты:
1) д ля схем с однослойной разводкой, сод ер ж ащ и х проводни­
ки, конденсаторы, и резисторы, — формирование проводников, кон­
тактных п лощ адок и нижних об кл ад о к конденсаторов; ф орм и рова­
ние слоя диэлектрика; формирование верхних об кл ад ок конденса­
торов; формирование резисторов;
2) д ля схем с двухслойной разводкой, содерж ащ их проводники
и резисторы, — ф ормирование проводников; нанесение межслой-
ной изоляции с отверстиями д ля контактных переходов; формиро­
вание второго слоя проводников; формирование резисторов;
3) для схем с трехслойной разводкой, содерж ащ и х проводники
и резисторы, — формирование проводников, шин питания и внеш­
них контактных площ адок, нанесение диэлектрика межслойной и зо­
ляции с окнами д л я контактов; формирование второго слоя провод­
ников и контактов к первому слою; нанесение еще одного слоя изо­
ляции; формирование верхнего слоя проводников; формирование
защ итного диэлектрика; формирование резистивных слоев.
Последовательность нанесения слоев у к а зан а для одной стороны
142
платы, при использовании второй стороны эта последовательность
сохраняется.
З а щ и т а толстопленочных ГИС. Ее осущ ествляю т глазурованием
поверхности сформированной пленочной структуры стеклами с низ­
кой температурой размягчения, не превышающей 500° С во и з б е ж а ­
ние изменения парам етров резисторов. Толщина защ итного д и э л ек ­
трического слоя 30— 60 мкм, сопротивление изоляции более 1012 Ом
при постоянном напряж ении 100 В.
Если толстопленочная ГИС у станавливается в корпус, то з а щ и ­
ту с использованием глазурования, как правило, не производят.
Сборка. После нанесения и вж и ган ия всех слоев пассивной ч а с ­
ти схемы производят подгонку пленочных элементов, монтаж н авес­
ных компонентов, армирование (установку выводов) и гермети­
зацию.

П У \ 1—I
6)
й) 5}
Рис. 4.4. Армирование плат выводами и контактными переходами:
q_ установка вывода; б — расклепывание; в — обрезание вывода для обра­
зования контактного п ерехода; г — вывод и контактный п ереход после облу-
жнвания

Д л я осуществления контроля в процессе подгонки контактные


площ адки элементов долж ны быть облужены. Армирование можно
производить до и после подгонки. Выводы и контактные переходы
в виде проволочек (рис. 4.4, а — г) устанавл и ваю т перед подгонкойг
а рамочные выводы, соединенные меж ду собой на общей рам<ке, - -
на заключительном этапе сборки перед
герметизацией. После герметизации рам ■I
ку обрубают и выводы разъединяют.
Подгонка резисторов. В условиях м а с­ J S . VL
сового производства отклонение от номи а
налов сопротивлений резисторов може^ а) 8}
достигать 50% , поэтому необходимо про­ Рис. 4.5. Толстопленочный
изводить их подгонку. П одгонка толсто­ резистор после лазерной
пленочных резисторов и конденсаторов подгонки:
принципиально не отличается от тонко-' а — с участками грубой и точ­
ной подгонки; 6 — с подгонкой
пленочных и производится изменением под углом
конфигурации элементов или отжигом.
И спользуется л а зе р н а я подгонка удалением части резистивной
пленки. Точность изготовления резисторов с подгонкой в условиях
массового производства около 2%.
С начала производят грубую подгонку выж иганием пленки по­
перек резистора, затем точную — вдоль резистора (рис. 4.5, а). В ы ­
143
жигание резистивной пленки под углом (рис. 4.5, б) позволяет сов­
местить грубую и точную подгонку.
Если при лазерной подгонке сопротивление резистора только
увеличивается за счет уменьшения его ширины, то отжиг нагревом
до температуры 400— 5 0 0 °С позволяет изменить сопротивление в
обе стороны, поскольку при этом меняются свойства резистивных
пленок.
Подгонка конденсаторов. Д л я толстопленочных конденсаторов
используют воздуш но-абразивную подгонку удалением части верх-

Рис. 4.6. С труктурная схема технологического процесса изготовления тол­


стопленочных ГИС

ней об клад ки абразивом. Это сл ож н ая м алоп рои зводи тельная опе­


рация, при осуществлении которой возможно повреждение д и эл ек­
трика и нижней обкладки, что снижает выход годных схем.
В толстопленочных ГИС широко применяю т навесные м а л о г а ­
баритны е конденсаторы. М о н таж навесных компонентов произво­
д ят теми ж е .методами, что и д л я тонкопленочных Г И С (см. § 3.4).
144
Толстопленочные Г И С герметизируют в м еталлополимерны е,
м еталлокерам ические, керамические и пластмассовы е корпусы или
зал и в к о й стеклоэмалью .
На рис. 4.6 приведена об щ ая структурная схема технологиче­
ского процесса изготовления толстопленочных ГИС. В ари ан т 1 ис­
пользую т д ля схем с проволочными выводами, герметизируемых в
.металлополимерные корпусы, а вариант 2 — для схем с рам очны ­
ми выводами, герметизируемых в керамические, м етал л окер ам и ч е­
ские и пластмассовы е корпусы.
Последовательность операций изготовления толстопленочной
Г И С , содерж ащ ей резисторы, навесные и пленочные конденсато­
ры , проводники и пересечения, активные компоненты с жесткими
выводами, армированной рамочными выводами, с герметизацией
опрессовкой представлена на рис. 4.7.

чл

%
iZ
\\rfA

а}

5) г) ж/
Рис. 4.7. Последовательность операций изготовления толстопленочной ГИС

После очистки и отж ига платы на нее наносят и в ж и гаю т пооче­


редно с обеих сторон проводящ ую пасту для формирования провод­
ников, контактных площ адок и нижних об кл ад ок конденсаторов
(рис. 4.7, а ) , после чего формируют д иэлектри к для конденсаторов
и пересечений проводников (рис. 4.6, б). Верхние обкладки и пле­
ночные перемычки (рис. 4.7, е) изготовляют из одной пасты. П ослед ­
ними формирую т резисторы (рис. 4.7, г), имеющие самую низкую
тем п е р ату р у вжигания. После облуж ивания контактных площ адок
145
(верхние об кл ад ки конденсаторов, резисторы п диэлектрик припо­
ем не смачиваются, так как их изготовляют из паст, инертных к
припою) производят л азерную подгонку резисторов (рис. 4.7, (5),
Н а рис. 4.7, е, ж представлены заклю чительны е сборочные о п ер а­
ции; установка выводов, м он таж навесных компонентов н гермети­
зац и я опрессовкой с использованием пластмассы, после чего про­
изводят обрезание рамки и разъединение выводов.

§ 4.4. Р а зр а б о т к а топологии толстопленочных ГИС

При р азра б отк е топологии учитывают особенности толстопле­


ночной технологии, конструктивные и технологические ограниче­
ния.
Последовательность разрабо тк и топологии аналогична последо­
вательности, принятой д ля тонкопленочных ГИС (см. гл. 3).
Особенности толстопленочной технологии. Пленочные элементы
могут располагаться на обеих сторонах платы. Соединения м е ж ­
д у/эл ем е н та м и , расположенными на разны х сторонах платы, осу­
щ ествляю т через отверстия или внешние контактные площ адки,
(рис. 4.8, а, б). С ум м ар ная площ адь элементов в одном уровне не
до л ж н а превыш ать 70% площ ади рабочей стороны платы.

Г' Г' 'И


-щ. и ::
I___

V S)
Рис. 4.8. Контактные пере­ Рис. 4.9. Конструкции пере­
ходы для соединения эле­ мычек при однослойной р а з­
ментов, расположенных на водке .толстопленочных
разных сторонах платы: ГИС:
а — через отверстие в плате; а — проволочные; б —. пленочные
б — через боковую поверхность
платы

Проводники, контактные площадки, выводы. П асты для провод­


ников и контактных п лощ адок выбираю т по табл. 4.2. Проводники,
расположенны е в нижнем слое при многослойной развод ке соедине­
ний, не д олж н ы находиться под резисторами, подгоняемыми л а з е р ­
ным лучом. М инимальный разм ер круглого отверстия в межслойной
изоляции д ля соединения двух уровней 0,6 мм, квадратного отвер­
стия 0,5 x 0 , 5 мм. К онтактн ая п лощ адка над переходом д о л ж н а
быть удален а от других элементов не менее чем на 0,3 мм. П ересече­
ния проводников в однослойной разводке выполняю т с помощьк»
проволочных или пленочных перемычек (рис. 4.9, а, б).
П роволочные перемычки используют в случае навесных компо­
нентов с гибкими выводами, а пленочные — с жесткими выводами.
При этом разм еры контактных площ адок пленочных перемычек
146
д о л ж н ы быть на 0,2 мм больше ширины перемычки (рис. 4.9, б) с
каж д ой стороны.
В арианты конструктивного выполнения внешних контактных
площ ад о к и выводов показаны на рис. 4.10. Отогнутый конец в ы ­
вода не д олж ен выходить за пределы
внешнего контура контактной п ло щ ад ­
ки . Внутренний диаметр контактной
п лощ адки д ля м он таж а внешнего вы ­
вода долж ен быть больше диаметра
отверстия в плате на 0,1 мм.
Навесные компоненты. Навесные
компоненты — бескорпусные диоды и
диодные матрицы, транзисторы, полу­
проводниковые ИМ С, конденсаторы,
тран сф о рм атор ы — могут быть с гиб­
кими или с жесткими выводами.
В одной толстопленочной Г И С сл е­
дует применять навесные компоненты с
одинаковы м диаметром гибких выводов
д л я упрощения процесса сборки. С
этой ж е целью расположение навесных
компонентов с гибкими выводами на Рис. 4.10. В арианты конструк­
тивного выполнения внешних
плате целесообразно у казы в ать техно­ контактных площ адок и выво­
логическими знаками, выполненнными дов
резистивными или диэлектрическими
пастами (рис. 4.11). Навесны е компоненты рекомендуется р а с п о л а ­
гать на одной стороне платы. Д опускается устанавл и вать их на р е­
зисторах и проводниках, защ ищ енных диэлектриком. Н ельзя уста-

Рис. 4.11. Технологиче­ Рис. 4.12. Конструкция


ский знак и место у ста­ контактных площ адок
новки навесного компо­ для монтаж а навесных
нента с гибкими^ выво­ конденсаторов
дами (1 — технологиче­
ский знак; 2 — место у с­
тановки)

навл ивать навесные компоненты на стороне платы, зали ваем ой ком ­


паундом.
Активные компоненты (транзисторы, диоды, транзисторные и д и ­
одные сборки) рекомендуется распол агать рядами, п араллельно
147
сторонам платы. Компоненты, однотипные по расположению выво­
дов, предпочтительно ориентировать одинаково. Контактные пло­
щадки следует располагать напротив выводов активных компонен­
тов. Контактные площ адки для одноименных выводов активных
компонентов рекомендуется располагать в одном ряду.
При м онтаж е навесных компонентов с жесткими выводами про­
водники целесообразно покрывать защ итны м диэлектриком, остав­
л я я открытыми лишь контактные площ адки. П ленка диэлектрика
д олж н а отстоять от кр а я облуженной контактной площ адки на
0,5 мм. Учитывая, что навесные конденсаторы имеют большой д о ­
пуск по длине и ширине, разм еры контактных п лощ адок (мм) для
них (рис. 4.12) определяю т из следующих зависимостей:
^ > £ т а х + °,4 ММ,

^ l = ^ m l n — °>2 ММ» (4.1)


Z,i-j-2Z? ^ Z inax-|-0,4 мм,
где Z-тпь Z-тах — миним альная и м акси м ал ьн ая длина конденсатора;
Z?max — м акси м ал ь н ая ширина конденсатора; В , I — ширина и длина
контактных площ адок; L\ — расстояние м еж ду контактными пло­
щ адками.
Д л я уменьшения толщины слоя припоя контактные площ адки
д ля монтаж а навесных конденсаторов допускается выполнять с про­
резями шириной t не более 0,2 мм (рис. 4.12). М инимальное рассто­
яние м еж ду прорезями <i = 0,5 мм. М инимальное расстояние от края
контактной площ адки до прорези с»i = 0 ,2 мм.
Резисторы. М ак си м альное число резистивных слоев на одной сто­
роне платы, выполненных из паст с различны м удельным сопро­
тивлением, равно трем. Резисторы рекомендуется ориентировать
одинаково, а резисторы, близкие по номиналам, изготовлять из од­
ной пасты и располагать на одной стороне платы. Контактные пло­
щ адки резисторов целесообразно распол агать в одном слое с про­
водящими элементами. Если принципиальная электрическая схема
не предусматривает внешних выводов д ля каж дого резистора,, то
для обеспечения контроля в процессе лазерной подгонки необходи­
мо со здавать технологические проволочные перемычки для соеди­
нения элемента с внешними контактными площ адкам и, которые
удаляю т после подгонки (срываю т пинцетом).
Пленочные конденсаторы. Их не следует распол агать на стороне
платы, заливаем ой компаундом. Если пленочные конденсаторы
соединены между собой, то они могут иметь общую нижнюю или
верхнюю обкладку.
Основные конструктивно-технологические ограничения для тол ­
стопленочных ГИС приведены в табл. 4.5.
Р а з р а б о т к а эскиза топологии. Эскиз топологии следует выпол­
нять в масш табе 10: 1 или 20 : 1 на миллиметровой бумаге. Ш аг
координатной сетки топологического чертеж а рекомендуется выби­
рать равным 1 или 0,5 мм. На чертеже необходимо показы вать обе
стороны платы.
148
Таблица 4.5-
Конструктивно-технологические ограничения
при проектировании толстопленочных ГИС

Точность изготовления линейных размеров


пленочных элементов н расстояний меж ду ни­
ми Д/, ДЬ, Аа при расположении пленочных
элементов в одном слое:
для пасты ПП-3 ± 0 ,0 5
для остальных паст ± 0,1

Минимальный размер резистора ftmrnX/min 0,8 X 0,8

М аксимальное отклонение сопротивления от


номинала:
до подгонки -5 0 %
после лазерной подгонки ± 2%

М инимальное расстояние а меж ду пленоч­


ными элементами, расположенными в одном
слое:
для паст ПП-1, ПП-2 0,2
для пасты ПП-3 0,05
для пасты ПП-4 0,1
для остальных паст 0,3

Минимальное расстояние с меж ду пленочны­ 0,4


ми элементами, расположенными в разных
слоях

Перекрытия е для совмещения пленочных 0,1


элементов, расположенных в разных слоях

Минимальные расстояния от кр ая платы до:


пленочного элемента d 0,1
края отверстия ] 0,5
края навесного компонента q 1,0

Минимальные размеры контактных площ а­


док для м онтаж а навесных компонентов с ш а­
риковыми или столбиковыми выводами:
т 0,2
п 0,1

149
Продолжение табл. 4.5
Величина ог­
Элемент топологии Содержание ограничения раничения

Минимальные расстояния:
меж ду краями диэлектрика и нижней об­ 0,2
кладки f
/] —
1 меж ду краями нижней и верхней обкла­ 0,3
1 док Р
меж ду краем диэлектрика и проводником 0,4
43 в месте вывода верхней обкладки k

ОЕГ7_ М инимальная площ адь перекрытия обкладок 1,ОХ 1,0


конденсатора L x B

М аксимальное отклонение емкости конденса­ ±15


тора от номинала, %

М инимальная ширина проводников i:


при нанесении на керамику:
паста ПП-1 0,2
паста ПП-3 0,15
при нанесении на диэлектрический слой:
паста ПП-1 0,3
п аста ПП-3 0,2
паста ПП-4

М инимальная ширина проводника при пайке 0,4


к нему гибких выводов о______________________

М инимальные размеры контактных площ а­


док a X b для м онтаж а активных компонентов
с гибкими выводами и проволочных перемы­
чек методом пайки:
при ручном монтаже:
для одного вывода 0,3X 0,4
д ля двух выводов 0,4 X 0,7
д ля трех выводов 0,4 X 1,0
при автоматизированном монтаже:
для одного вывода 0,6 X 0,6
для двух выводов 0,6 X 0,9
для трех выводов 0,6X 1,2
М инимальные размеры контактных площа- 0,4 ХОД
док для контроля_______

М инимальное расстояние от края активного


компонента:
до контактной площ адки навесного кон­
денсатора г 1,0
до контактной площ адки, к которой при­
паивается вывод этого элемента, s 0,8
до луженого пленочного элемента t 0,2
М аксимальная длина гибкого вывода навес­ 3,0
ного компонента без дополнительного крепле­
ния
150
П оскольку в состав резистивных и проводящих паст входят
драгоценные металлы, чем меньше су м м ар н ая площ адь пленочных
проводников и резисторов, тем экономичнее производство микро­
схемы. Д л я учета расхода м атериалов на чертеж е платы у к а з ы в а ­
ют площ ади элементов, нанесенных различными пастами.

§ 4.5. Конструктивный расчет элементов толстопленочных ГИС

Расчет толстопленочных резисторов. Учитывая особенности


толстопленочной технологии, все толстопленочные резисторы изго­
товляю т с подгонкой, в связи с чем расчет резисторов на точность
не производят.
М инимальный разм ер резистора, определяемый возможностями
толстопленочной технологии, находят по табл. 4.4.
Резисторы можно распол агать на обеих сторонах платы, но не
более трех резистивных слоев на одной стороне. Все резисторы
до лж ны иметь прямоугольную форму. Не рекомендуется использо­
вать резисторы с коэффициентом формы более 5— 6 и менее 0,2.
Исходные данные для расчета: номинал резистора Ri, кОм;
мощность рассеяния Pi, мВт; относительная погрешность изготов­
ления резисторов до подгонки уя, % (см. табл. 4.5); м акси м альн о
допустим ая уд ел ьн ая мощность рассеяния резистивной пленки Р 0,
м В т/м м 2; минимальные разм еры резистора Ьт т х / т 1 п = 0 , 8 х 0 , 8 мм;
ш а г координатной сетки, мм.

Порядок расчета

1. Все резисторы р асп о л агаю т в порядке возрастания их номи­


налов и р азб и ваю т ориентировочно на группы так, чтобы при изго­
товлении каж ды й резистор состоял не более чем из 5— 6 к в а д р а ­
тов. Р азб и в к у проводят на основании номиналов сопротивлений и
значения ps резистивных паст (см. табл. 4.2).
2. Д л я каж д ой группы определяю т оптимальное значение у д ел ь­
ного сопротивления резистивной пасты psom:

(4.2)

где п — количество резисторов.


3. По рассчитанному значению p s -выбираю т согласно
таб л . 4.2 пасту с удельным сопротивлением р5, ближ айш им к pSonT.
4. Определяют коэффициент формы резистора:
=R /?s- (4.3)

Для определяю т геометрические разм еры резистора: ш и­


рину b и длину I.
•5. Ш ирина резистора прямоугольной формы Ьрасч д о л ж н а быть
151
не меньше наибольшего значения одной из двух величин ЬР и 6тех»:
6Ра с ч > т а х \Ьр, &техн}, (4.4)
г д е 6техи — м и ним альная н яф и н а резистора, обусловленная в о зм о ж ­
ностями толстоплепочной технологии; Ьтехн^О^ мм (см. табл. 4.5).
Ш ирина резистора из условия выделения задан н ой мощности
bP > V ( K PP > / P 0K ф), (4.5)
где К р — коэффициент зап ас а мощности, учитывающий подгонку
резистора:
К р — 1 -f- у#/50. (4.6)
П р и у я = 50% Кр = 2.
6. Р асч етн ая длина резистора
^расч ^расч^"ф* (4-7)
Расчетны е значения Ьрасч и /расч корректируют. З а длину I и ши­
рину b резистора принимают значения, б ли ж айш ие к расчетным в
•сторону уменьшения сопротивления резистора R h кратны е шагу или
половине ш ага координатной сетки с учетом м а сш таба чертеж а то ­
пологии. Н апример, если шаг координатной сетки 1 мм, масш таб
10: 1, то геометрические разм еры округляю т до значения, кратного
0,1 мм, причем ширину £>г,асч корректируют в большую, а длину
I?асч — в меньшую сторону. По откорректированному значению д л и ­
ны резистора / в зависимости от ширины b из графиков рис.
4.13, а — ж находят исправленное значение длины резистора / 11Сп р с
учетом растекани я паст.
Д л я резисторов, имеющих / ( ф < 1, расчет начинаю т с определения
длины по аналогии с приведенными формулами:
^расч ПТаХ \1р , ^техн}1

b > V (K p P K t)/P„, (4.8)


/ техн— 0,8 мм (см. табл. 4.5),

^расч == ^расч/^ф*
7. Д л и н а резистора с учетом перекрытия с контактными пло­
щ а д к ам и
^полн ^нспр~Ь2б, (4.9)
где с — минимальный разм ер перекрытия, определяемый по
табл. 4.5. Обычно значение е берут равным ширине проводника.
8. П л о щ а д ь резистора
(4.10)

О птим альное число паст определяю т из условия, чтобы п ло­


щ адь, за н и м ае м ая всеми резисторами на плате, была м и н им аль­
ной. Если окаж ется, что при увеличении числа паст выигрыш в
152
п л о щ ад и незначителен или разм еры платы достаточны, то целесо­
о б р а з н о остановиться на меньшем числе паст. При этом погреш­
ность изготовления резисторов будет тем меньше, чем меньше отли­
ч ается форма резистора от кв ад рата. Д л я выбора оптимального
в а р и а н т а можно воспользоваться программой расчета толстопленоч­
ных резисторов на ЭВ М (см. гл. 6).

д)
^хспр->мм
1
о-1-5мму/

/7/ т-1К
/\
/
1 2 3 4 I мм 1 2 3 Ы,мм
г)
^испр7ММ

Ж)

Рис. 4.13. Графики корректировки длин резисторов для учета р астека­


ния паст

Расчет толстопленочных конденсаторов. Исходные данны е д ля


расчета: емкость конденсатора С, пФ; относительная погрешность
изготовления конденсатора ус, %; рабочее н апряж ение Ораб, В; тех­
нологические ограничения (см. табл. 4.5).
Р асч ет конденсаторов на точность не проводят. Если точность из­
готовления конденсатора з а д а н а выше 15%, необходимо предусмот­
реть участок подгонки на верхней обкладке.
153
Порядок расчета
1. В зависимости от диапазона номинальных значении в ы б и р а­
ют диэлектрическую пасту по табл. 4.3. П асты д ля нижней и в ерх­
ней об клад ок выбираю т в соответствии с табл. 4.1.
2. О пределяю т п лощ адь верхней обкладки конденсатора:
5 = С / С 0. (4.11)
3. Р ассчи ты ваю т геометрические разм еры верхней обкладки кон­
денсатора. Д л я об клад ок квадратной формы
L= B = V S . (4.12)
4. Вычисляю т геометрические разм ер ы нижней обкладки кон­
денсатора:
L H= B = L + 2p-, (4.13)
где р — перекрытие м еж д у нижней и верхней об клад кам и (см.
табл. 4.5).
5. О пределяю т геометрические разм еры диэлектрика:
1 л= В я= 1 н + 2 / , . (4.14) v
где f — перекрытие м еж д у нижней обкладкой и диэлектриком (см.
таб л . 4.5).
6. Вычисляю т площ адь, занимаемую конденсатором на плате:
5 Д= £ ДВ Д. (4.15)
Если 'к вадратная форм а об кл ад ок конденсаторов по каким-либо
причинам неудобна, конструируют обкладки прямоугольной формы ,
зад ав ш и сь одним из разм еров верхней обкладки, L или В, и опреде­
л я ю т второй размер, исходя из необходимой площ ади конденсатора
и коэффициента формы обкладок.
В случае большого числа конденсаторов в схеме молено восполь­
зоваться программой расчета на Э В М (см. гл. 6).
Часть III
ОБЩИЕ ВОПРОСЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ
ИНТЕГРАЛЬНЫ Х МИКРОСХЕМ

Глава 5
КОНСТРУКТИВНЫЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
ОБЕСПЕЧЕНИЯ ТРЕБОВАНИЙ К ИМС

§ 5.1. Технические условия на ИМС

Технические условия (ТУ) на И М С представляю т собой комплекс основных


требований к ней и определяют ее выходные параметры, условия эксплуатации
и хранения. ТУ подразделяю т на общие (ОТУ), частные (ЧТУ), временные (ВТУ)
и др. Общие ТУ устанавливаю т заданные требования ко всем типам ИМ С опыт­
ного или массового производства, изготовляемых отечественной промышленно­
стью. Частные ТУ определяют назначение каж дого типа ИМС (ее принадлеж ­
ность к типу и серии И М С ), уточняют нормы на параметры и реж имы испыта­
ний, устанавливаю т специальные и дополнительные требования. В связи с тем,
что в процессе разработки, которая обычно сопровож дается изготовлением опыт­
ной партии ИМС, проектировщ икам еще не известны точные значения отдельных
параметров, выпускаю тся временные технические условия. ОТУ и ЧТУ взаим о­
связаны и дополняю т друг друга. Они обязательны для предприятия-заказчика,
предприятия-разработчика и завода-изготовителя.

ОТУ на ИМС широкого применения. Согласно ГОСТ 18725— 73,


ОТУ со д ерж ат требования к электрическим парам етрам , конструк­
ции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям,
надежности, долговечности и сохраняемости.
Требования к электрическим параметрам и режимам. Э л ектри ­
ческие п арам етры И М С при изготовлении, хранении и э к сп л у ата­
ции в реж им ах и условиях, допускаемы х в технической д о ку м е н та­
ции на ИМ С конкретных типов, долж ны соответствовать установ­
ленным в ней нормам. Согласно ГОСТ 17230— 71, предпочтительным
явл яется следующий ряд номинальных значений н ап ряж ени я пита­
ния ИМС: 1,2; 2,4; 3,0; 4,0; 5,2; 6,0; 9,0; 12,0;'15,0; 24,0; 30,0; 48,0;
100; 150; 200 В.
Требования к конструкции. Г абаритные и присоединительные
размеры, внешний вид и масса ИМ С долж ны соответствовать тр еб о­
ваниям, установленным в технической документации па ИМ С кон­
кретных типов. Бескорпусные ИМ С долж ны быть стойкими к про­
цессу сборки. Выводы ИМ С долж ны в ы д ерж ивать растягиваю щ ие
усилия и изгибы, легко паяться и свариваться.
Требования к устойчивости при механических воздействиях.
ИМ С долж ны сохранять п арам етры в пределах норм, установлен-
155
iiыx технической документацией в соответствии с группой ж е ст к о ­
сти согласно ГОСТ 16962— 71 в процессе и после воздействия м е х а­
нических нагрузок: вибрационных с частотой 1— 2000 Гц и м акси ­
мальным ускорением 10— 20 g, многократных ударов д ли тельн о­
стью 2— 6 мс с ускорением 75— 150 g, линейных (центробежны х)
н агрузок с максимальным ускорением 25— 2000 g.
Требования к устойчивости при климатических воздействиях.
ИМ С долж ны сохранять парам етры в пределах норм, установлен­
ных технической документацией, в процессе и после воздействия на
них следующих климатических факторов: температуры воздуха с
верхними значениями + 5 5 , + 7 0 , + 8 5 , +'100, + 1 2 5 , + 155° С и н и ж ­
ними значениями — 10, — 25, — 40, — 45, — 55, — 60° С, изменения
температур от верхнего до нижнего пределов (пределы выбираю т из-
указанного ряда значений в соответствии с ТУ на конкретную м ик­
росхему); относительной влаж ности окруж аю щ ей среды (для
корпусных ИМ С ) 98% при тем пературе 35° С. ИМ С долж ны допус­
кать эксплуатацию после их транспортировки при тем пературе
— 50° С. И М С в корпусном исполнении, предназначенные д ля экс­
плуатации в условиях тропического кл и м ата , долж ны быть устойчи­
выми к длительному воздействию влаги, соляного тумана и среды,
зараж енной плесневыми грибами.
Требования к надежности. М и ни м альн ая н ар аб о тка ИМС в у к а ­
занных реж им ах и условиях д олж на быть не менее 15 000 ч.
Интенсивность отказов И М С в р еж им ах и условиях работы, со­
ответствующих ТУ, не д о л ж н а превыш ать 3 ,7 -1 0-5 ч_| для И М С '
первой н второй степеней интеграции и б -Ю -1’ ч-1 д ля ИМ С тр еть ­
ей— шестой степеней интеграции.
Срок хранения ИМС. Д л я ИМ С в корпусном исполнении, р а з м е ­
щенных в упаковке предприятия-изготовителя, срок хранения в
о тап ли ваем ы х помещениях не менее шести лет; д л я ИМ С в бескор-
пусном исполнении, размещенных в негерметичной упаковке в цехо­
вых условиях при влаж ности не более 65% и нормальной тем п е р а­
т у р е ,— не менее 30 сут; для ИМ С в герметичной или влагонепрони­
цаемой упаковке предприятия-изготовителя в складких условиях —
не менее двух лет; д ля ИМ С, установленных в герметизируемые
объемы, — как д ля корпусных микросхем. Срок хранения И М С ис­
числяют с момента изготовления.
Маркировка. Н а каж д ом корпусе ИМ С долж ны быть отчетливо
нанесены: товарный зн ак предприятия-изготовителя; условное обо­
значение тина ИМС, месяц и две последние цифры года изготовле­
ния; обозначение первого вывода, если он не у казан другим спосо­
бом. М ар к и ров ка д о л ж н а оставаться прочной и разборчивой при
эксплуатации ИМ С в реж им ах и условиях, оговоренных в техниче­
ской документации.
Упаковка. К а ж д а я бескорпуспая И М С д о л ж н а быть у п ако в ан а
в индивидуальную тару, защ ищ аю щ ую ее от механических н агр у ­
зок. Тара д олж н а обеспечивать возможность измерения электри че­
ских параметров, а т а к ж е возможность извлечения ИМ С без по­
вреждений. Все ИМ С долж ны быть упакованы в потребительскую
156
т а р у (индивидуальную или групповую), исключающую возможность
их повреждения и деформацию выводов, и уложены в картонные
коробки, куда вкл ад ы ваю т паспорт:.

§ 5.2. Конструктивные меры защиты ИМС


от воздействия дестабилизирующих факторов

Основным способом защ иты ИМ С от воздействия д естаби л и зи ­


рующих факторов (температуры, влажности, солнечной радиации,
пыли, агрессивных химических и биологических сред, механических
воздействий) является г е р м е т и з ад и я. Ее осущ ествляю т с помо­
щью специально разрабо танн ы х конструкций — корпусов, в которых
р а зм е щ а ю т ИМС, либо нанесением защ итны х материалов непосред­
ственно на поверхность ИМС.
В настоящее время разр а б о тк а полупроводниковых ИМ С в кор­
пусах, как правило, сопровож дается разработкой их аналогов в бес-
корпусном варианте. Бескорпусные полупроводниковые, а так ж е
гибридны е ИМС р а з р а б а ты в аю т д ля эксплуатации в составе ячеек
и блоков микроэлектронной аппаратуры , которые подвергают общей
герметизации.
Герметизация с использованием корпусов. Корпусы ИМ С класси­
ф и ци рую т по форрле и расположению выводов и делят на пять ти­
пов в соответствии с табл. 5.1 и рис. 5.1— 5.5 (ГОСТ 17467—79).
По габаритны м и присоединительным разм ерам корпусы под­
р а з д е л я ю т на типоразмеры, каж д о м у из которых присваивается
шифр, состоящий 11з номера подтипа (табл. 5.1) и двузначного чис­
л а (01— 99), означаю щ его порядковый номер типоразмера; номер
подтипа и порядковый номер типоразм ера д аю т шифр ти поразм е­
ра. С тандартом регламентирую тся габаритные разм еры корпусов,
количество выводов, расстояние между ними, диаметр (ш ирина) и
д л и н а выводов и т. д. В конструкторской документации корпусам
присваиваю тся ус л о в н ы е обозначения, содерж ащ ие слово «Корпус»,
шифр типоразмера, цифровой индекс, определяющий число выводов,
порядковый регистрационный номер разработки и указан ие на стан ­
д а р т (например, корпус 2103.16-8 ГОСТ 17467—79). Зн ачительн ая
часть используемых в настоящее время корпусов была р а з р а б о т а ­
на до введения в действие нового станд арта и обозначается согласно
ГОС Т 17467— 72, в котором не были предусмотрены подтипы и от­
сутствовали корпусы типа 5. Д ал ее, где это возможно, приводятся
обозначения типоразмеров согласно новому и старому ст а н д ар ­
там .
В зависимости от применяемых м атериалов корпусы ИМ С под­
р а зд е л я ю т на стеклянные, керамические, пластмассовые, металло-
стеклянные, металлокерамические, металлополимерные, стекл окер а­
мические и др. Конструкции наиболее широко применяехмых для
герметизации полупроводниковых ИМ С корпусов показаны на рис.
5.6 —5.14, а их конструктивно-технологические характеристики даны
в табл. 5.2— 5.4.
157
Рис. 5.1. Конструкции корпусов Рис. 5.2. Конструкции корпусов типа 2 под­
типа 1 подтипов 11(a ), 1 2 (6), типов 2 1 (a) и 2 2 (6) с вариантами формов-
14(e) с вариантами конструкций ки н конструкций выводов
выводов

дами круглого сечения

Т О Ш

а)
Т а б л и ц а 5.1
Типы корпусов ИМС по ГОСТ 17467—79

Расположение проекции
Форма проекции кор­ выводов (выводных Расположение выводов (вывод­
Подтип

пуса на плоскость площадок) на плос­ ных площадок) относительно


5 основания кость основания плоскости основания

11 П рямоугольная В пределах про­ Перпендикулярное, в один


екции корпуса ряд
12 Перпендикулярное, в два
1 ряда
13 Перпендикулярное, в три
ряда и более
14 Перпендикулярное, по
1 контуру прямоугольника

21 То ж е За пределами Перпендикулярное, в два


проекции корпуса ряда
2
22 Перпендикулярное, в че­
1 тыре ряда в ш ахматном по­
рядке

31 К руглая В пределах про­ П ерпендикулярное, по од­


екции корпуса ной окружности
32 О вальная
3

41 П рямоугольная За пределами Параллельное, по двум


4 проекции корпуса противоположным сторо­
42 нам
П араллельное, по четы­
рем сторонам

То же В пределах про­ Перпендикулярное, ' для


екции корпуса боковых выводных площ а­
5
док; в плоскости основания
для нижннх выводных пло­
щ адок

Н а рис. 5.6, 5.8, 5.9, 5.11 и 5.13 представлены к о н с т р у к ц и и


м е т ал л о к е р а м и ч е с к и х и ме таллостеклянных кор­
п у с о в . Корпусы состоят из металлического .дна и металлической
крышки, а т а к ж е стеклянных или керамических деталей, в которые
впаяны либо впрессованы металлические выводы круглого или пря*
моугольного сечения. М еталлическое дно т а к ж е спаяно или спрес­
совано со стеклом или керамикой. Такие корпусы герметизируют
созданием вакуумплотного соединения крышки с вваренным в ди<
электри к фланцем путем пайки или сварки. М о н таж н ая площ ад ка,
контактные площ адки и выводы подобных корпусов имеют золотое
покрытие толщиной 2— 5 мкм д ля обеспечения процессов эвтектиче­
ской пайки, разв ар к и выводов и улучшения паяемости при сборке,
159
4 ML
— *
/7 -/
1
,

>— 1 U U ЦТ
1
|

------- ^ у — 1
:з: с:

N - 7 — ;
l- цГШТСГ
Е-

=*§f
а)
о a □ по
5)
ш
_ :П Г г n m I
Е

Рис. 5.4. Конструкции корпусов типа 4


Рис. 5.5. К онструкция
подтипа 41 с двумя вариантами формовки корпуса типа 5
выводов прямоугольного сечения (а) и под­
типа 42 (б)

Монтажная площадка

Л-;-,! 1~ Г Г
- ■ “ 1 “ ^ 1-Н

,/ 1
/
Ключ Л j ,

„и, 1
. J-

г ’ 1 ' “

Рис. 5.6. Конструкция металлокерамического корпуса 2103 (201.8-1)


^ ' []

с 0 , 5 2 ~ о ,1

г * * , ,

Монтажная
5,6 ±0,2 площадка.

Рис. 5.7. Конст­


Ключ рукция керамиче­
ского корпуса
2103 (201.16-13,
201.16-15)

Таблица 5.2
Конструктивно-технологические характеристики корпусов
типа 2 для герметизации полупроводниковых ИМС
М етод к ?епления
Размер кристалла в корпусе
Условное обозначение Вариант М асса, г, м онтаж ной:
корпуса исполнения не более площадки,
мм эвтектичес­ посадка
кая пайка на клей

2103(201.8-1) мк 1,8 5 , 0 * 3,0 + +


2102(201.14-10) мк 1,55 5,6x3,0 + —
2103(201.16-8) к 1, 6 5,0 X 3,0 + +
2103(201.16-13) к 1, 6 4,4 X 2 , 2 + +
2106(201.16-17) к 2,0 7,0 x 3 , 5 + +
2106(201.А.16-1) к 2,0 6,0X5,0 + —
2108(210.А.22-1) к 3,0 5,0 X 4 , 0 + +
2120( 210. 5. 24- 1) к 4,0 7,5 X 7 , 5 + +
2114( 212.32-1) мк 4,6 6,0 X 5 , 0 + —
2104(238.18-1) к 3,0 5,5 x 3 , 7 -ь —
2205(244.48-11) к 5,0 0 8,0 + +
2204( 249.42-1) к 4,15 6,2 х 6,2 + +
2104.18-2 к 1, 6 7,0 X 3 , 5 — +
2121.28-3 мк 4,5 5,0X5,0 — +
2123.40-4 мк 6,0 6,0 X 5,0 — +
П р и м е ч а н и я : 1) К, М К — к е ра м ич ес ки е и м е т а л л о к е р а м н ч е с к и е кор пусы; 2) м е ­
т о д исп ол ьз уе тся ( + ) и не исп ол ьзу е т с я (— 3) корп усы ге рм е т из ирую т ме тод ом шовн ой
кон т акт н о й сварки ; ге рметич но сть кор пусов 5-1 0-5 л -м к м /с .

161
Пр.. отсутствии золочения монтажной площ адки д л я м он таж а И М С
в корпус применяю т не эвтектическую пайку, а используют клей хо­
лодного отверждения. Д л я из-
готовления металлостеклянны х
корпусов используют д еф ицит­
ные материалы — золото, ни-
кель-кобальтовы е сплавы, по­
этому они с л у ж а т лишь д ля
герметизации И М С специаль­
ного назначения, Б И С и С Б И С
К, с большим количеством выво­
дов.
Конструкции керами­
ч е с к и х к о р п у с о в (рис. 5.7,
5.12), согласно данным
табл. 5.2, 5.4, обеспечивают
большое количество ти пораз­
меров, хотя и об ла д а ю т менее
хорошими защ итны ми свойст­
вами и характер и сти кам и н а ­
дежности из-за большей хруп ­
кости керамического основания
и крышки, если она вы пол­
8 вывадов <Ь0£5Щ05 няется тож е из керамики, и бо­
' \+Ш1Ш лее высокого теплового сопро­
тивления корпуса. К ерам ич е­
ские корпусы изготовляю т из
Рис. 5.8. Конструкция металлостеклянно­
го корпуса 3104(302.8-1)
нескольких (двух-трех) слоев
керамики, на которые наносят
методами толстопленочной тех-
нологии проводящ ие д о рож ки и ко н тактны е площ адки внутри и сн а­
ружи- корпуса. После прессования многослойной структуры осуще­
ствляю т обжиг, в результате которого формируется монолитное те­
ло керамического 'корпуса с встроенными проводящ им и д о р о ж к а ­
ми. Внешние плоские металлические выводы прямоугольного сече­
ния п ри в ари в аю т к внешним контактным п л о щ а д к а м сбоку
(рис. 5.7) или поверх основания корпуса (рис. 5.12). Аналогично
формирую тся выводы и у плоских прямоугольных м ет ал л о к ер а м и ­
ческих корпусов (рис. 5.13).
Керамическими являю тся и корпусы типа 5 (см. рис. 5.5), н азы ­
ваем ые микрокорпусами или кристаллодержателями. Они пред став­
л яю т собой керамическую пластину, внутри которой встроены ме­
талли чески е дорожки, а по периметру располож ены м е тал л и зи р о­
ванные кон так тн ы е площ адки, используемые в качестве внешних
выводов. Т а к а я конструкция позволяет уменьшить разм еры корпуса,
увеличить стойкость к механическим воздействиям и улучш ить
схемотехнические и технологические характеристики. Б л а г о д а р я бо­
л ее коротким выводам верхний частотный предел ИМ С, помещ ен­
ных в кристалл од ерж ател ь, увеличивается примерно в три р а за по
162
I

Таблица 5.3
Конструктивно-технологические характеристики металлостеклянных корпусов
типа 3 для герметизации полупроводниковых ИМС

М е т о д крепления крис­
Д иа метр талла в корпусе Мощность
Условное обозначение Масса, г, контактной рассеяния Герметичность,
корпуса не более площадки, при темпе­ л-мк м/с
мм эвтектичес­ посадка ратуре
кая пайка на клёй 20°С, Вт

3101 (301.8-2) 1,3 3 ,0 + + 0 ,4 6, М О - 6


3107 (301.12-1) 3 ,0 3 ,8 + + 0 ,5 6Д - 1 0 -6
3104 (302.8-1) 1,25 3 ,0 + + — 6,1-Ю - 6
3203 (311.8-1) 2 0,0 8 ,0 + — 3 ,5 5-10—5
3203 (311.8-2) 2 0 ,0 8 ,0 + — — 5 -1 0 - 5
3204 (311.10-1) 2 0,0 • 8 ,0 + — 5 ,0 5 -1 0 - 5

163
Рис. 5.10. Конструкция стеклянного Рис. 5.11. Конструкция металлостек­
корпуса 4105(401.14-3) лянного корпуса 4105(401.14-4)

I (


4,

Рис. 5.12. Конструкции керамических корпусов 4118.24-1, 4118 24-2, 4118 24-3,
4118.24-4
М онт аж ная ^
площадка £-
S,2+°>3 _ I

26,5-1,15

Рнс. 5.13. Конструкция металлокерамического корпуса 4122.40-2


Т абл и ц а 5. 4
Конструктивно-технологические характеристики корпусов типа 4
для герметизации полупроводниковых ИМС
ч. -----------------------------------
Метод крепления крис
Размеры талла в корпусе
Ус.ювное обозначение Вариант Масс а, г, монтажной
корпуса исполнения не более площадки,
мм э вт е к т и ч ес ­ н осадка
кая пайка на клей
•*

4105(401.14-3) С 0,35 4,9 X 2 . 0 +


4105(401.14-4) МС 0 ,3 5 4,9 X 2,0 + +
4105(401.14-5) мс 0 ,6 4,9 X 2 , 0 +
41 1 2 ( 4 0 2 .1 6 -2 1 ) к 1,6 5 , 1 X 3 ,1 ~Т~
4 1 1 2 ( 4 0 2 .1 6 - 2 3 ) к • 1 ,6 5 , 1 X 3 ,1 — +
165
П р о д о лж е ние табл. 5.4

М етод крепл синя


Размеры кр и ст а л л а в корп усе
Условн ое обо зн аче ни е В ар и а н т М асса, г, м он т аж н ой
корп ус а исполнения не более площадки,
мм эвтектиче­ посад ка
с к а я пай ка на кле й

4112(402.16-25) К 1,6 5 , 1X3, 1 + +


4112( 402. 16-32) к 1, 0 4, 0 X 3 , 2 + —
4112( 402. 16-33) к 1,0 4, 0 X 3 , 2' — +
4118(405.24-2) к 1,6 7,5 X 5 , 0 + ■ -г
4118(405.24-4) к 1, 51 7,5 X 5,0 + -г
4134(413.48-1) МС 2,2 0 8,0 + —
4116( 427. 18-2) мк 1,6 7, 2 X 6 , 2 — +
4151(429.42-1) к 4,0 6,2 X 6,2 + —
4151(429.42-3) к 4,0 6,2 X 6,2 — +
4151(429.42-5) к 4,0 7, 0 X 7 , 2 + —
4151 ( 4 29. 42- 6) к • 4,0 7,0 X 7 , 2 — +
4202(460. 24-1) МС 1,9 0 80 + —
4112. 16-1 к 1,1 5, 5 X 4 , 5 — +
4 1 12. 16 - 2 к 1,1 5,5 X 4 , 5 + —
4112. 16- 3 к 1, 16 5, 5 X 4 , 5 + —
4117. 22- 2 мк 2,0 7,2 X 6,2 — +
4118 . 24- 1, 3 к 1, 9 5, 0 X 5 , 0 + —
4118. 24- 2, 4 к 1,9 5,0 X 5,0 — +
4 1 19. 28 - 2 мк 2,2 5,0 X 5,0 •— +
4122. 40- 2 мк 3,0 6,0 X 5,0 — +
4131. 24- 2 мк 2,9 10, 7X8,3 — +
4 1 38. 42 - 2 мк 4,8 10,7X8,3 +

П р и м е ч а н и я : 1) С, К, МС, М К.— соответствен но с тек лянны е, ке ра ми чес ки е, м е ­


т а лл о с т е к л я н н ы е , м е т а л л о к с р а м и ч е с к н е корпусы; 2) герм етич но сть корпусов •4134.48-1 и
4202.24-1 — 1-1 0-5 л-м к м /с , всех о с т а л ь н ы х — 5 -10—3 л-мкм/с; 3) корп усы герм етиз ир уют
шовной контак тн ой сваркой, за исключ ени ем корпусов 4105.14-3, 4134.48-1, 4202.24-1, г е рм е ­
т изир уе мы х п айко й с и сп ол ьз ов ан и ем мягк их припоев ПОС-61, ПСр-2,5.

I^

Рис. 5.14. Конструкция пластмассового корпуса 2102(201.14-1)


166
сравнению с частотным пределом той ж е ИМС, размещенной в
другом корпусе. Упрощаются технологические процессы установки
п сборки кр п сталлодерж ателей в мпкросборках п па печатных п л а ­
тах, ремонтопригодность аппаратуры за счет упрощения процесса
смепы (перепайки) микрокорпусов.
Н аиболее дешевой и доступной является к о п е т р у к ц н я
пластмассового корпуса (рис. 5.14). Н и зкая стоимость

Рис. 5.18. Конструкция металлостек- Рис. 5.19. Конструкция металло-


лянного корпуса 1206 (153.15-1) стеклянного корпуса 1207
(155.15-1)

пластмассового корпуса определяется: дешевизной применяемого


м а тери ал а и технологии изготовления корпуса, в которой операции
формирования монолитного корпуса н герметизации ИМ С совме­
щены; возможностью автоматизации сборки с использованием плос­
ких выводов в виде рамок; возможностью осуществления групповой
технологии герметизации, например литьевого прессования с помо­
щью многоместных прессформ пли метода заливки эпоксидным ком­
паундом в многоместные литьевые формы.
168
Рис. 5.20. Конструкция металлостеклянного корпуса 1210
(157.29-1)

•449
За щ и т н ы е свойства пластмассовы х корпусов невысоки в связи с
тем, что пластм ассы об ла д а ю т низкими влагозащ итны ми свойства­
ми; кроме того, герметичность соединений м е тал л а с пластмассой
н аруш ается из-за большой (на порядок!) разницы коэффициентов
термического расш ирения этих м атериалов. По этой причине прим е­
нение п ластмассовы х корпусов разреш ено д л я герметизации ИМ С,
у стан авл и в аем ы х в стационарной ап паратуре, работаю щ ей в з а к р ы ­
тых отапливаем ы х помещениях.
Д л я герметизации гибридных И М С необходимы корпусы с боль­
шими р азм ерам и м он таж ны х площ адок. Конструкции корпусов,
п редставленные на рис. 5.15— 5.20, разреш ены д ля применения при
р а зр а б о тк е И М С ОСТ 11.0737001— 75. Д опускается в порядке ис­
ключения использовать м еталлополимерны е корпусы, п редставлен­
ные на рис. 5.21— 5.23. Технические характеристики этих корпусов
приведены в табл. 5.5.
[Выбор типа корпуса д ля И М С и конструктивно-технологическо­
го в ари ан та его исполнения определяется условиями работы а п п а­
ратуры , для которой дан ная И М С
п редназначена, и требованиями
по сборке, установке и м онтаж у
ИМ С на печатных 'платах.
Выбор типор азм ера корпуса
определяется р азм ер ом м о н т а ж ­
ной п ло щ ад ки д л я установки по­
лупроводникового к р и сталл а или
платы ГИС, высотой ИМС, равной
/2 выводов Ф0,вт х Т0ЛЩИНе п одл ож к и (для ГИС
плюс высота самого высокого н а ­
весного к о м п о н ен т а), и числом вы ­
водов ИМС.
К аж д ы й вывод корпуса И М С
имеет свою нумерацию. Н у м е р а ­
ция начинается с вывода, распо­
ложенного в зоне ключа. Ключ
следует распол агать в заш трих о­
ванной на рис. 5.1— 5.5 зоне.
В качестве клю ча мож ет быть
выступ, выемка, углубление или
другой конструктивный зн ак на
корпусе, зн ак или надпись, вы­
полненные маркировкой.
ФО,75miп Д о п у с к а е т с я применять корпу­
Рис. 5.21. Конструкция металлополн сы с большим, чем это необходи­
мерного корпуса «Тропа» мо по схеме, числом выводов. При
установке И М С на печатную п л а ­
ту незадействованные выводы удаляю т, но нумерацию выводов со­
храняю т.
Бескорпусная герметизация. Н ачал ьн ы м этапом г е р м е т и за ц и и ,
как бескорпусной, т а к и с использованием корпусов, часто является

170
п а с с и в а ц и я поверхности
крист алла полупроводниковых И М С и
предварит ельная защита поверхности гибридных ИМС. Д л я этого в
полупроводниковой технологии используют пленки SiCb, боросили­
катного или фосфоросиликатного стекла толщиной около 1 мкм.
В М Д П -И М С , где роль поверхности особенно велика, при гермети­
зации в п ластмассовы е корпусы наряду с этими м а т ер и ал ам и целе-

Рис. 5.22. Конструкция металлополнмерного корпуса «Пенал»

сообразно применять химически чистые и электрически нейтральные


полимерные м атериалы , например фторопласт-4, который можно
нанести в вакуум е в тлеющем р азр я д е в виде пленки толщиной
0,2— 0,4 мкм. В гибридной технологии д ля предварительной защ иты
используют пленки ЭЮг, SiO, GeO, негативный фоторезист ФН-103
(см. табл. 3.7), д ля толстопленочных Г И С — стекла. П оверх этих
сравнительно тонких слоев электрически и химически инертных м а ­
териалов при бескорпусной герметизации наносят герметики:
д ля герметизации полупроводниковых И М С — кремнийорганиче-
6* 171
Рис. 5.23. Конструкция металлополимерного корпуса «Акция»
Т а б л и ц а 5. 5
Конструктивно-технологические характеристики корпусов
___________ для герметизации гибридных ИМС_________________

Размеры Мощность Метод


Условное обозначение J .'^В ариант Масса, г, монтажной рассеяния герметиза­
корпуса исполнения не более площадки, при темпе­ ции кор­
мм ратуре пуса
20° С, Вт

1 2 0 3 (1 5 1 .1 4 -2 ,3 ) мс 1,6 1 5 ,6 X 6 ,2 3 .2 КС
1 2 0 3 (1 5 1 .1 5 -1 ) мс 2 ,0 1 7 ,0 X 8 ,3 1,6- АДС
1 2 0 3 (1 5 1 .1 5 -2 ,3 ) мс 1.6 1 5 ,6 X 6 ,2 3 .3 КС,
АДС
1 2 0 3 (1 5 1 .1 5 -4 ,5 ,6 ) мс 2 .4 1 4 ,0 X 6 ,2 3 ,2 КС
1 2 0 6 (1 5 3 .1 5 -1 ) мс 2 ,8 1 7 ,0 X 1 5 ,3 2 ,0 АДС
1 2 0 7 (1 5 5 .1 5 -1 ) МС 6 .5 1 6 ,8 X 2 2 ,5 2 .5 КС
1 2 1 0 (1 5 7 .2 9 -1 ) МС 1 4 ,0 3 4 ,0 X 2 0 ,0 4.6 ЛС
«Тропа» МП 1 .5 8,1 X 8,1 0 ,7 ЗК
«Пенал» МП 2 ,4 2 0 ,1 X 8 ,1 ‘ 0 ,6 ЗК
«Акция» МП 1 ,8 1 6 ,1 X 1 0 ,1 0 ,5 ЗК
П р и м е ч а н и я : 1) МС и М П - - металлост екляииые и мет;1ллополнмерн ые корпусы;
2) для посадки платы в к орпус исполь зуют клей -колодного отверя сдення; 3) КС а д с , л с ,
ЗК — коидеисаториая, арг онодуговая, лазерн ая с варка и залив ка компаунд ом соответ*
ственно.
172
скую э м ал ь КО-97, эпоксидсодерж ащ ую э м а л ь ЭП-91, ф то рсо д ерж а­
щий л а к ФП-525, эпоксидный ком паунд Э К М ; эм али и л ак и н а н о с я т
на одну, рабочую сторону кр и ­
сталла, компаунд — на обе сто­
роны и на боковые грани; эм али
и лаки наносят на кристалл
«с иглы» в виде растекаю щ ейся
по его поверхности капли, к ом п а­
у н д — методом окунания или об­
волаки ван ия (толщина герметизи­
рующего покрытия 200—400 м к м ) ;
д ля герметизации тонкопле­
ночных ГИС — лаки ФП-525,
УР-231, эм ал ь ФП-545; их н ан о­
сят в электростатическом тюле
распылением из пульверизатора,
погружением или поливом;
д л я герметизации толстопле­
ночных Г И С — компаунды Ф-47,
ЭК-91, ПЭП-177, ПЭК-19, наноси­
мые методом о бволакивания или
вихревого напыления до о б р азо ­
вания оболочки толщиной 0,2—•
1,2 мм.
К а к .правило, бескорпусные
И М С имеют прямоугольную или
кв адратн ую форму (рис. 5.24,
а, б ), что более удобно для опти­
мального их разм ещ ения на под­
лож ки или платы в сочетании
с другими э лектрор ад и о эл ем ен та­
ми.

§ 5.3. Обеспечение тепловых


режимов работы ИМС Рис. 5.24. Конструкции бескорпусных
полупроводниковых ИМС и способы
Конструкция ИМ С д о л ж н а их установки на плату:
быть тякпй чтобы трпипта п^тгто
и ь и ь 1 d K U n , чтооы теплота, выде-
а — ИМС серии БК734 с гибкими вывода-
ми; б_иМ С серии БК776 с ж естким »
л я ю щ а я с я при ее функционирова- выводами
нии, не п риводила в н аиболее н е­
благоприятных условиях эксплуатации к отказам элементов в ре­
зу л ьтате перегрева. К тепловыделяю щ им элементам следует отнести
преж де всего резисторы, активные элементы и компоненты. М ощ ­
ности, рассеиваемые конденсаторами и индуктивностями, невели­
ки. П леночная кохммутация И М С б лаго даря м алом у электри че­
скому сопротивлению и высокой теплопроводности металлических
пленок способствует отводу теплоты от наиболее нагреты х элемен­
тов и выравниванию температуры платы Г И С или кристаллов по­
лупроводниковы х ИМ С.

17а
Введем следующие понятия, необходимые д л я осуществления
тепловых расчетов.
П ер егр ев элемента и л и компонента И М С (0 , °С), — разность
м еж д у их температурой и средней температурой поверхности ко р­
пуса. М а к си м а льн о допустимая температура Тта х д о п — м а к си м ал ь ­
ная тем пература элемента или компонента ИМ С, при которой
обеспечиваются требования к их надежности. У д ельная мощность
рассеян и я (Ро, Вт/°С) — плотность теплового потока от элемента
ИМ С, к р и сталл а или платы ИМС. Внут реннее тепловое сопротив­
л ен и е элемента, кр и ста л л а или компонента И М С ( R t и н , °С/Вт)' —
тепловое сопротивление самого элемента (кристалла, компонента)
и тепловое сопротивление контакта м еж д у элементом (компонен­
том) и платой (кристаллом и корпусом) с учетом теплового сопро­
тивления клеевой прослойки.

Рис. 5.25. Тепловой поток от источника теплоты при различ­


ных соотношениях между размерами тепловыделяющих эле­
ментов и толщиной подложки:
1 — теплоотвод; 2 — слой клея или компаунда; 3 — подлож ка; 4—
тепловыделяющ ий элемент

В случае, когда весь тепловой поток сосредоточен под элем ен ­


том И М С и нап равлен к подлож ке (рис. 5.25), при соотношении
I, b ^ h тепловой поток п лоскоп араллелен и тепловое сопротивле­
ние

(5.1)

где R T — тепловое сопротивление; Яп и Як — коэффициенты тепло­


проводности м а тери ал а подложки и клея, В т /(м -° С ); /гп и h K— их
толщины; b и I — разм ер ы контакта тепловыделяю щ его элемента
с подложкой; h = h u + hK.
При уменьшении разм еров источника тепла тепловой поток с т а ­
новится р асходящ им ся (рис. 5.25), эффективность теплоотвода уве­
л ичивается и соответственно уменьшается тепловое сопротивление.
З т о т ф ак т учитывается функцией y (q , г):
эфф — ^ т У Л У ' г )> (5.2)

где q — lj2h, r = b/2h, I и b — линейные разм еры плоского источника


теплоты.
Д л я корпусов, представленных на рис. 5.6— 5.13, 5.15— 5.20, з н а ­
чения функции y (q , г) дан ы на рис. 5.26.
174
0,01 0,02 0,03 о м 0,05 0,07 0,09 q 0,10 0,150,200,250.3
а) S.I

Рис. 5.26. Значения функции у (<7> f):


OfiO 0fi5 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90
6) а — при <7=0-ьО,1; б — при (7=0,1 +0.4J
в — при < 7=0,4+1,0; г — при <7=1,0 + 4,0
З н а я значения R t и л и R t э ф ф д л я каж дого элемента ИМ С, легко
.рассчитать перегрев элементов за счет рассеиваемой мощности Р э:
0 Э“ ^э^Гвфф * ( 5 .3 )

Т е м п е р ату р а элемента

^ э = 5Гк + 0 9. ^ э = ^ с+ ® к + ® 9» ( 5 .4 )

г д е Тс — тем пература окру ж аю щ ей среды; 0 К— перегрев корпуса


относительно тем пературы окр уж аю щ ей среды.
В навесных, дискретных компонентах наиболее чувствительны к
перегреву области р -п-переходов. И х перегрев относительно п одл ож ­
ки определяется выраж ением
0 Вн = Н т вкР э. ( 5 .5 )

Д л я навесного полупроводникового компонента

Тик= + + © э + @ви* ( 5 .6 )

Перегрев корпусов 0 К определяется конструкцией корпуса и


мощностью рассеяния помещенных в него кр и сталла или п латы
ИМ С, особенностями м он таж а ИМ С в составе микроэлектронного
у з л а или блока, способом охлаж дения. Тепловое сопротивление
корпуса
Я к = 1 /(а З Д , ( 5 .7 )

где а — коэффициент теплопередачи, В т / ( м 2-°С); S T — площ адь


теплового контакта корпуса с теплоотводом.
При охлаж дении путем естественной конвекции а = 5+-20, при
о б дуве а = 20+-100, при теплоотводе кондукцией через тонкий
(0,1 мм) воздушный п ромеж уток а « 3 - 1 0 2, при теплоотводе кондук­
цией через слой эпоксидного клея толщиной 0,1 мм а = 3 -1 0 2-^-3-103,
при металлическом теплоотводе а = 1 0 4- М 0 5.
П ерегрев корпуса @к мож но оценить по форм уле
0 К= (5 .8 )

где Р 2 — сум м арн ая мощность, рассеи в аем ая ИМС.


Ф ормула (5.4) не учиты вает перегрева за счет взаимного в л и я ­
ния тепловыделяю щ их элементов, обусловленного налож ением теп­
ловых потоков всех источников теплоты, содерж ащ ихся в ИМ С. О д ­
нако этот фоновый перегрев частично учитывается значением 0к-
П риведенны е ф ормулы справедливы при следующих допущени­
ях: коэффициенты теплопроводности всех материалов конструкции
И М С в исследуемом д и ап азон е температур постоянны; теплоотда­
чей через газовую прослойку внутри корпуса и через гибкие прово­
лочные выводы мож но пренебречь; тепловыделяю щ ие элементы
я в л яю тс я плоскими источниками теплоты; тем пература корпуса оди­
н аков а во всех его точках (изотермичный корпус).
176
Нормальны й тепловой реж им элементов и навесных компонентов
И М С о б е с п е ч и в а е т с я при выполнении условий

Т ъ — 7 ’с т а х + ® К + @э < ^ т а х д о ч .
(5-9)'

1 нк —
— Т с max -4-
, вv к -I-
~ 0 -I-
Т 0 RH ^< Т max д о т

где Т е ш а х - м а к с и м а л ь н а я тем пература окруж аю щ ей среды в про­


цессе эксплуатации, зад ан н ая ТУ; Ттахдоп максимально допусти­
м ая рабочая тем пература элемента и компонента, обычно оговари­
в аем ая в ТУ на компоненты или м атер и ал ы пленочных элементов.
Д л я дискретных полупроводниковых приборов и полупроводни­
ковых ИМ С Тmxs. доп~55, 85 и 125° С (с м ^ т а б л . 3.9), д л я диодов
85° С, д ля конденсаторов КЮ-9, К 10-17(80}С, д ля конденсаторов
К53-15, К53-16 75° С (см. § 3.4).
Н ормальны й тепловой реж им ИМ С обеспечивается, если темпе­
рату р а самого теплонагруженного элемента И М С не превы ш ает его
максимально допустимой рабочей температуры.
Таким образом, ориентировочный расчет обеспечения теп л ового
р еж и м а ГИС сводится к определению Тнк и Гэ всех навесных компо­
нентов и всех резисторов Г И С и сравнению ее с Гщахдоп-
Необходимые данные д ля расчета; толщ ина подложки_0,6—
0,8 мм, коэффициент теплопроводности м а т ер и ал а подложки — со­
гласно табл. 3.1,{толщина слоя к л е^ 0 ,1 мм, его коэффициент тепло-
проводности __0,3 Вт/ (м •° С ), внутреннее тепловое сопротивление
дискретных полупроводниковых приборов в зависимости от конст»
руктивного исполнения 200— 1600° С/Вт. Н апример, д ля бескорпус­
ных транзисторов КТ331, КТ332 с заливкой герметиком с одной сто­
роны (согласно рис. 3.6) тепловое сопротивление = 220° С/Вт, а
с заливкой герметиком с двух сторон R T = 1600°С/Вт, д л я КТ307
R T = 630° С/Вт, д ля КТ324 R 7 = 860° С/Вт, д л я диодов К Д901, 904*
910, 911 (см. табл. 3.10; 3.11)
R T= 220° С /В т .
При несоблюдении неравенств
(5.9) необходимо прин и м ать д о­
полнительные конструктивные м е­
ры д л я обеспечения теплового р е ­
жима ИМС .
Пример. Провести ориентировочный
тепловой расчет резисторов и дискретно­
го транзистора фрагмента ГИС, и зобра­
женного на рис. 5.27, при следующих Рис. 5.27. Ф рагмент ГИС:
исходных данных: ГИС размещ ена на / — теплоотводящ ая шииа (медь); V — о с ­
нование металлостекляниого корпуса («в»-
ситалловой подложке С Т-50-1 толщиной вар); 3 — ситалловая подлож ка; 4 — сл оя
0,6 мм в металлостеклянном корпусе эпоксидного клея
К151.14-2, посаженном с помощью клея
(0,1 мм) на теплоотводящ ую шину; размеры контакта корпуса с теплоотводов,
15X 7 мм; мощность, выделяемая в корпусе, 0,2 Вт; максимальная тем пературе
окружаю щ ей среды в процессе эксплуатации ИМС 50° С. Геометрические разме­
ры элементов и рассеиваемые ими мощности приведены в табл. 5.6.
/г Q1 Л апбл’;це расчётные значения R T и Я Тзфф получены по формулам (5.1) в
(5.2), \( q , г) по графикам рис. 5.26, 0„ —по выраж ению (5.3).
177
Т а б л и ц а 5.в
Исходные и расчетные значения тепловых параметров
для компонентов ГИС
Исходные значения Расчетные значения
со
п Р5 U
Элемент 1 1
к*
X X м
£ S «С
•о О. к. >— о; Ф

КТ324 0,7 0 ,7 15 0,5 0 ,5 0,45 1,55-103 0,7-103 10,5


Rx 5 0,5 25 3 ,6 0 ,36 0 ,53 0,3-103 0,16-103 4 ,0
*2 2 0,6 60 1,4 0,43 0,54 0,63-103 0,34-103 20,4

Внутренний перегрев области р-я-перехода транзистора КТ324 [см. ф орм у­


лу (5.5) ]

0 ВН = 863-15- Ю~3 = 17,5°С .


j Оцениваем перегрев корпуса по соотношениям (5.7) и (5.8):
0 К = 0 ,2 /(3 3 0 .1 5 -7 .1 0 -6 ) = б , 3°С
Принимаем максимально допустимую рабочую температуру резисторов
125° С, транзистора КТ324 равной 85° С (см. § 3.4).
Проводим оценки рабочих температур и сравнение с максимально допусти­
мой температурой:
T Ri = 53 + 6 , 3 + 4 , 0 « 6 3 ° C < I 2 5 ° C , i

7 * , * = 5 3 + 6 , 3 + 20, 4 и 7 7 ° С < 125°С,


Т КТ354 = 50 + 6 , 3 + 10,5 + 17,5 и 8 4 ,3 °С < 8 5 ° С .
Таким образом, наиболее теплонагруженным из рассматриваемых электро­
радиоэлементов является транзистор, его рабочая температура в самых неблаго­
приятных условиях лишь немного меньше предельно допустимой.
В рам ках допущений ориентировочного расчета можио сделать вывод, что
для данной ИМС температура внешней среды 50° С является предельно допу­
стимой.

В том случае, если тепловой расчет покаж ет необходимость при­


нятия конструктивных мер д л я снижения перегревов элементов и
компонентов ИМ С, в первую очередь уменьшают тепловые сопро­
тивления за счет использования м атери ал о в с более высокими -ко­
эффициентами теплопроводности: поликоровых п одлож ек вместо
ситалловых, компаундов с наполнителям и в виде пылевидных к в а р ­
ца или кремния, увеличиваю щ их коэффициент теплопроводности
компаундов до 0,5— 0,8 и до 1,9— 2,4 В т / ( м - ° С ) , вместо клеев с ко­
эффициентами, равными 0,2—0,4. Следующим шагом д л я облегче­
ния тепловых н агрузок ИМ С является перемещение мощных тепло­
выделяю щ их элементов с платы на металлическое основание корпу­
са. Р езу л ьтатом такого изменения конструкции И М С является
исключение теплового сопротивления подложки и слоя компаунда
в цепи передачи теплоты мощных элементов. Д ал ьн ей ш е е снижение
178
\
тепловых нагрузок связано с мерами по обеспечению более интен­
сивного теплообмена корпуса ИМ С с элементами конструкции у зл а
или блока, вплоть до применения жидкостного охл аж д ен и я теплоот­
водов и тер м °эл е кт Рических холодильников.
Особенность теплового расчета полупроводниковых И М С з а к л ю ­
чается в том, что полупроводниковый кристалл можно рас см а т р и ­
вать как единственный тепловыделяю щ ий элемент и считать, что
суммарная мощность источников теплоты в нем равномерно р аспре­
делена в приповерхностном слое. Эта особенность в ы зван а в первую
очередь высоким коэффициентом теплопроводности кремния [80—
130 В т / ( м - ° С ) ] , малы ми р азм ер ам и элементов и небольшими р а с ­
стояниями м еж д у элементам и полупроводниковой ИМ С. Э кспери­
ментально установлено, что разброс температур на поверхности
кр и сталл а невелик (единицы или доли г р ад уса ).
Т е м п е р а т у р а э л е м е н т о в п о л у п р о в о д н и к о в о й ИМС

т'.^т'с + ек+вкр+е-н* (5.Ю):


Условие обеспечения нормальны х тепловых реж имов зап и сы ва­
ется в виде
5ПЭ= ^Псшах'4" ®К £'кр-Ь *"\ш <Ттахдсш> (5.1 1j
где 0 Кр — перегрев кри сталл а относительно подложки или основа­
ния корпуса.
Пример. Оценить рабочую температуру элементов полупроводниковой ИМС,
потребляющей мощность 0,2 Вт, размещенной в металлостекляниом круглом
корпусе с использованием эвтектического сплава. Д иаметр основания корпуса
15 мм. Условия эксплуатации: Тс т а х = 125° С, охлаж дение корпуса осущ еств­
ляется кондукцией через тонкий воздушный промежуток.
При установке кристалла непосредственно на основании металлостеклянного
корпуса эвтектической пайкой hn = 0, /гк = 0, согласно (5.1) R T = 0, ©Кр = 0
и согласно (5.7) и (5.8)
0 К = 0 ,2 /(3 -1 0 2 .3 ,1 4 .7 ,5 2 .1 0 -6 ) = 3 , 7 ° С ,

е в„ = Я г в н ^ = А кР ^ М к р = ( 0 ,2 - Ю - з .0 ,2 ) /8 0 = 2 ,5 - 1 0 - 6 .0 ,2 « 0,
7’9 — 1 2 5 + 3 , 7 и 129°С < 150°С.
М ожно оценить максимальную мощность, которую мог бы потреблять кри­
сталл ИМС в данных условиях, сохраняя свою работоспособность:
Т'тахдоп — Т’с тах = QK = Р тах/(3- 102-3,14.7,52.10—6).
Поскольку 0кр = 0, 0 ВН« О ,
Лпах = (15Э— 125).3-102-3,14-7,52.10“ 6 « 1,3 Вт.

§ 5.4. Обеспечение влагозащ и ты ИМС

О бщ ая характери сти ка окруж аю щ ей среды и влагостойкости


герметизирующ их м атериалов. Необходимость в л агозащ и ты ИМ С
возникает при использовании герметизирующ их конструкций, изго­
товленных с применением органических полимерных м а тери алов
(см. рис. 5.14, 5.21 5.23). В отличие от неорганических эти м ате­
179
ри ал ы об ла д а ю т повышенными значениями влагопоглощ ения и вла-
хопроиицаемости.
О круж аю щ и й воздух практически всегда п редставляет собой п а ­
ровоздуш ную смесь. С одерж ание паров воды в воздухе при р азл и ч ­
ных температурах определяет-
■и,г/м3 ся из рис. 5.28.
iSS Количество поглощенной гер­
метизирующей конструкцией
из воздуха влаги М увеличива­
ется с повышением п ар ц и а л ь ­
ного д авлен ия паров воды р н 2о
(закон Генри):
М = Г р п ,о, (5.12)
где Г — коэффициент р аствори ­
мости.
Коэффициент Г (с2/м 2) опре­
деляет количество влаги, кото­
рое способен поглотить м а те­
риал в данных климатических
условиях. Скорость процесса
поглощения влаги материалом
40 t° £
определяется коэффициентом
диффузии молекул воды D
Рнс. 5.28. С одерж ание паров воды в (м2/с) в м атериале. К оэф ф ици­
воздухе при различных температурах ент влагопроницаемости В (с)
я относительной влаж ности (1 — 100%;
2 -9 0 % ; 3 -8 5 % ; 4 -8 0 % ; 5 -7 0 % ;
характери зует способность м а ­
6 — 65%'; 7 — 50% ; 5 — 40% ) тер и ал а пропускать влагу и оп­
ределяется количеством воды,
прошедшей через мембрану из
этого м а тер и ал а при наличии разности давлений паров воды по обе
стороны мембраны. Коэффициент В о т р а ж а е т процесс в ы равн и ва­
ния концентраций влаги в двух объемах, разделенны х мембраной
из испытуемого м а тери ал а и имеющих в начальны й момент р азл и ч ­
ные концентрации влаги.
Коэффициенты В, D и Г связаны м еж д у собой соотношением
В=ЯГ. (5.13)
Зн ачен ия коэффициентов В, D и Г различны х герметизирующих
полимерных м а тери алов приведены в таб л . 5.7.
З н а я значения влаж н остн ы х коэффициентов, мож но расчетным
путем оценить влагозащ и тн ы е свойства м а тери алов и герметизирую-
щ и х конструкций на их основе.
Исходные данные для обеспечения влагозащиты ИМС. И сх од ­
ные данны е д л я расчета в л агозащ и ты микросхем: Т с — температур
р а окруж аю щ ей среды, К; Ф — относительная в л аж н ость о к р у ж а ю ­
щей среды, %; ро — п арц иальн ое давл ен ие паров воды окруж аю щ ей
среды, П а ; р Кр — критическое давление п аро в воды, приводящее к
о т к а зу И М С , П а ; S — п лощ ад ь герметизирую щ ей оболочки, через
которую влага дифф ундирует в корпус, м2; d — толщ ина герметизи-
180
Т а б л и ц а 5.7
Значения влаж ностны х коэффициентов различных
герметизирую щ их полимерных материалов

Влажностные коэффициенты

М атериал Назначение материала


В, с D , м '/с Г, с'/м*

Фторопласт-4 мо-1в 8 .3 4 - 1 0 ~ 13 12,0-10 -5


Полиэтилен 6,27-Ю-18 6 . 4 - 10-13 9 ,8 -1 0 -
Полистирол 4,22-1 0 -15 3 , 3 2 - 1 0 - 11 12,6-10-
Пластмасса 1,66-ю - 18 8 . 3 4 - 1 0 ~ 14 2,0-10- Полый пластмас­
К-124-38 совый корпус
Пластмасса 2,5-10 - 1» 3 , 0 6 - 1 0 - 1* 8 ,3 -1 0 - То ж е
В4-70
К омпаунд 2,08* 10-1® 6 .4 - 1 0 " 13 3 ,2 5 -1 0 - Герметизация за«
Э К -16 «Б» ливкой, рис. 5.21—
5.23
Кремнийорга- 8,2-10"15 8 ,2 - 10-12 1,0-10- Герметизация за ­
нический эласто­ ливкой
мер
К омпаунд ЭКМ 4,1-10-“ 7.1-10-** 5 ,7 7 -1 0 - Бескорпусная н
корпусная гермети­
зация полупроводни­
ковых ИМС, рис.
5.24, а
Прессматериал 1,83*10"18 6.1-10 - 11 3.0-10- Корпусная герме­
ЭФ П -63 тизация, рис. 5.14
Прессматериал 3,5 -Ю -18 8,0.10-» 4,37-10- То ж е
К-81-39с
Порошковый 8 ,0 - 10-18 1 ,1 4 - 1 0 ~ 12 7.0-10- Бескорпусная гер­
компаунд ПЭП-177 метизация толсто­
пленочных ГИС вих­
ревым напылением
Тнксотропный 8,5* 10-1® 1 .5 - 1 0 - * 2 5.7-10- Герметизация тол­
компаунд Ф-47 стопленочных ГИС
обволакиванием
Тнксотропный 6.0-ю - 1® 3 .0 - 1 0 - 12 2.0-10- То ж е
компаунд ЭК-91
Таблетируемый 7,8-10-1® 2.1-10-»* 3.7-10- Герметизация за ­
компаунд П Э К -19 ливкой, рис. 5.21—
5.23
Эмаль ЭП-91 7.0-10“ 18 1 ,0 8 - Ю - 12 6,5-10- Бескорпусная гер­
метизация полупро­
водниковых ИМС,
рис. 6.24, а
Эмаль КО-97 8,2-10-1® 1 ,Ы 0 -‘3 7,45-10- То ж е
Л а к УР-231 5,2-10-*® 3 ,5 -1 0 - 12 1,48-10* Б ескорпусная гер­
метизация тонко­
пленочных ГИС
Л а к ФП-525 4,5-Ю -1® 1,18-1 0 -‘* 3,8*10- То ж е
Клей ВК-3 2,9-1 О**1® 8,0-10-** 3,6*10- Герметизация кор­
Клей ВК-9 пусов клеевым швом
3,3-10"« 6,5-Ю -13 5,03-10-* То ж е

181
рующсй оболочки, м; V — внутренний объем корпуса, в котором
происходит растворение влаги, м 3; В — коэффициент влагопроница-
емости герметизирующей оболочки, с, D — коэффициент диффузии
молекул влаги в герметизирующей оболочке, м2/с, Г — коэффици­
ент растворимости влаги в м атериале, о кр уж аю щ ем ИМС, с2/м 2.
Рассчитывают время вл агозащ и ты И М С т, с, в течение которого
обеспечивается безотказная работа ИМС. Влагостойкость ИМ С
оценивают из расчета влияния влаги на самый чувствительный к ее
воздействию элемент или компонент ИМ С.
Влагостойкость полых корпусов. Корпусы, имеющие свобод,
ный внутренний объем, назы ваю тся полыми. В л аг о защ и та таких
корпусов оценивается временем т, в течение которого давление п а ­
ров воды внутри корпуса достигает критического значения р кр, при
котором наступает отказ PIMC:
t = t04-tu (5.14)
где то — время ув л аж н ен и я м а тери ал а оболочки; ti — время н ат ек а­
ния влаги во внутренний объем корпуса.
Значение то зависит от толщины оболочки d и коэффициента
диффузии D молекул воды в м а тери ал е оболочки:
т0= d 2/(6D ). (5.15)
Ф ормула предполагает, что насыщение м а т ер и ал а влагой осу’
щ ествляется только путем молекулярной дифф узии в оболочку
корпуса. Обычно tq следует учитывать при толщине оболочки
корпуса d > 0 , l мм.
Время натекания влаги

t l = J H l n ( --------—------- ) . ( 5 .1 6 )
BS I Ро-Ркр )
Тогда время т составит
™ 1П/------ Ео------ (5.17)
BS V Ро~Ркр I
В большинстве случаев внутри полых корпусов находится воз<
дух, который о б л а д а ет определенной влажностью. Если в н ач ал ь ­
ный момент времени в корпусе ИМ С имеется в л ага с парциальны м
давлением ра, то %уменьшается:
VTd . P a iP w Pa)
In (5.18)
BS (Po Ркp) (Po P h) 6D

В ф орм ул ах (5.16) — (5.18) Г — коэффициент растворимости


влаги в воздухе, равный 7 , 4 - 10-6 с2/м 2.
Если для герметизации И М С вы бран стандартный пластмассо*
вый или металлополимерны й корпус, то время в л агозащ и ты р ас­
считывают, исходя из влаж ности внешней среды в условиях хран е­
ния и эксплуатации И М С и давления р кр. В зависимости от чувст­
вительности к влаге элементов И М С значение р кр можно принять
182
равным 0,85— 0,95 р 0, так как при этих значениях р кр вл ага приво­
дит к внезапному или к постепенному отказу ИМС.
Пример. О пределить время влагозащ иты ИМ С в металлополимерном корпу­
се при 7’= 2 9 3 К, V = 2 - 10-7 м3, cf = 3• 10“ 3 м, 5 = 5 ,3 -10"6 м2. Использован з а ­
ливочный компаунд Э К -16 «Б».
О п р е д е л я е м время насыщения влагой компаунда по (5.15):

( 3 - 1 0 - 3)2
тз0 = — —----- -— - = 2 ,2 6 - Юбс « 26 су т.
0 6 .6 ,4 -1 0 - 1 3 J

П олагая, что в начальный момент влага внутри корпуса отсутствует, нахо­


дим время накопления влаги внутри корпуса до давления паров р кр по (5.16),
используя данные табл. 5.6:
2 - 1 0 - 7 .7 ,4 .1 0 - б .З - Ю - з , / 1 \
г. = -------------------------------------- In ----------- — = 12,1-106 ss 140 су т.
1 5,3-10-6.2,08.10-16 \ 1— 0,95 /
Общее время влагозащ иты
X = 26 + 143 = 166 с у т . '

Если внутри корпуса содерж ится некоторое количество влаги, например


р в = 0,оро, и по-прежнему р Кр= 0,95ро, то время диффузионного натекания влаги
2.10-7-7,4-10-6.3.10-3 . 1 (0 ,9 5 -0 ,5 ) ^ _
•е, — ----------- '------------------- In -------- ---------------------= 11,6о-106 с и 135 сут.
1 5,3.10-6-2,08-10-16 (1 — 0,95) (1 — 0,5)
Общее время влагозащ иты
-0 = 2 6 + 1 3 5 = 161 су т.

При заполнении внутреннего объема корпуса кремнийорганическим эласто­


мером, имеющим коэффициент Г = Ы 0 -3 с2/м 2, при ркР= 0,85ро время натекания
влаги
2-1 0 - 7 . Ю—з . 3- Ю -з . / 1
In ( ------ --------) = 10,2*108 с « 1180 сут а: 32,3 года.
5 ,3 - 1 0 - 6 .2 ,0 8 .1 0 - 6 \ 1— 0,85/
При /?н = 0,5р0
2-10-7-10-3-3.10-3 , 1(0,85 — 0,5)
Х1 = 5 ,3 - 1 0 - 6 .2 ,0 8 - 1 0 - 6 1 (1п —--------------
0,85) (1 — 0 ,5 )
= 8 ,3 5 - 108 с « 9703 сут « 2 4 ,5 года.
П риведенные расчеты предполагаю т отсутствие пор, трещин в герметизирую­
щем материале и других путей ускоренного поступления влагн в корпус. Путем
ускоренной диффузии влаги мож ет произойти поверхностная диффузия по гра­
нице раздела выводов с герметизирующим покрытием, что уменьшает время т.
С другой стороны, расчет не учитывает явлений адсорбции влаги на внут­
ренних стенках полого корпуса, которые должны повысить т. Тем не менее в
приведенном примере герметизация с использованием эластомера удовлетворяет
ТУ на срок хранения ИМС.

Влагостойкость монолитных корпусов. П о теря работоспособно­


сти ИМ С, герметизированных в монолитные .корпусы (см. рис. 5.14),
вызы вается поглощением герметизирующ им м атери алом влаги и
у вл аж н ен и ем поверхности ИМ С. При достижении критической кон­
центрации, соответствующей критическому давлению ркр паров во­
ды, наступает отказ ИМ С. Время, в течение которого на поверхно-
183
сти И М С достигается критическая концентрация влаги, определяю т
из вы раж ен и я
4d2) Я2 ( J Р кр
т = ----------- In (5.19)
лЮ Pq
К а к видно, оно определяется толщиной герметизирующего м ате­
ри ала, коэффициентом дифф узии молекул воды в нем и отношением
Ркр/Ро- Ф ормула (5.19) предполагает, что с поверхностью И М С по­
лимер имеет слабую адгезию.
Пример. Определить минимальную толщину монолитного пластмассового
корпуса, обеспечивающего безотказную работу ИМС в течение 30 сут при Рыр=*
= 0 ,9 р о . М атериал корпуса — пресспорошок ЭФП-63.
И з (5.19) и табл. 5.6 находим
1 4 2 .3 0 .2 ,4 -3 6 3 0 .6 ,1 .1 0 -1 3

/L------- —----------- ;-------- ---------= 1 ,36* О- 3 м = 1 ,3 6 мм.


41 п [3 ,142/8(1 — 0,9)]
Герметизирующая оболочка такой толщины обеспечивает требуемую влаго*
защ иту при отсутствии в ней дефектов.

Глава 6
АВТОМАТИЗАЦИЯ КОНСТРУИРОВАНИЯ ИМС

§ 6.1. Специализированная система автоматического


проектирования топологии ИМС
Р а з р а б о т к а топологии современной И М С является сложным и
трудоемким процессом. Конечный результат часто зависит от инту­
иции и опыта разработчика, которому приходится создавать и а н а ­
л изировать многие варианты топологии д ля выбора окончательного
решения. В этом окончательном варианте долж ны быть учтены в
соответствии с ТЗ одновременно схемотехнические требования, кон­
структивные и технологические ограничения, которые часто проти­
воречат друг другу. Конструктору приходится проводить многократ­
ные проверки разработанной технической документации. И спользо­
вание программно-управляемого оборудования в производстве И М С
(например, фотонаборных установок д ля изготовления ф отош абло­
нов) требует подготовки больших массивов информации, так как
д а ж е в одном слое современной Б И С содержится до 50 тыс. коор­
динат точек. Без средств вычислительной техники выполнить весь
объем работ затруднительно, а в ряде случаев и невозможно. С д ру­
гой стороны, труд разработчика, ка к и всякий творческий процесс,
трудно поддается ф ормализованному описанию и требует очень
сложного программного обеспечения. Это в свою очередь вызы вает
необходимость использования вычислительных машин, обладаю щ их
большой памятью и быстродействием.
Оптимальным вариантом решения зад ач конструирования яви ­
лось создание систем автоматического проектирования (С А П Р ) с
участием разработчика, в которых р а зр а б о т к а топологии ИМ С ве­
184
дется в форме «диалога» человека с машиной. Применение С А П Р
во много раз повышает эффективность труда разрабо тч и ка, позволя­
ет с в е с т и к минимуму возможность появления ошибок, а т а к ж е
более полно использовать творческий потенциал разр аботч и ка, ос­
в обож дая его от рутинного труда. В системах автоматического
проектирования предусмотрен ввод и вывод информации в форме,
удобной д ля разработч и ка, не являю щ егося специалистом в об лас­
ти программирования. Хранение исходной, промежуточной и окон­
ч а т е л ь н о й информации и вы д ач а ее разрабо тч и ку производится на
любом этапе работы. Система контролирует действие р азр а б о т ч и ка
и оперативно информирует его о допущенных ошибках. П римером
такой «диалоговой» системы, предназначенной д л я автом атизации
проектирования гибридных и полупроводниковых И М С и Б И С , я в ­
ляется отечественная система «Кулон» (рис. 6.1).

Рис. 6.1. П рограммно-аппаратны й комплекс системы «Кулон»

С истема обеспечивает выполнение следующих функций:


ввод графической информации с топологического чертеж а, гео­
метрия элементов которого представляет: прямоугольник со сторо­
нами, пар ал л ел ьны м и осям кородинат; прямоугольник со сторона­
ми, имеющими наклон относительно осей координат; многоуголь­
ник со сторонами, п араллельны м и одной из осей координат или
образую щ ими угол 45° с осями; описание проводников заданной ш и­
рины (трасси р овка); формирование библиотеки элементов тополо­
185
гии; отображ ение вводимого ф рагм ен та топологии на экран е г р аф и ­
ческого дисплея;
перемещение, стирание, копирование, повороты и зер кал ьн ое ото­
б р аж ен и е фрагментов топологии с помощью графического дисплея;
проверку минимальных расстояний
м еж ду элементам и топологии в одном
и в р азн ы х слоях;
вывод топологической информации
на графопостроитель;
формирование массива координат
точек для изготовления фотошаблонов.
Д л я оперативного ввода и вывода
информации сл уж ат д ва поста о п ера­
торов. К а ж д ы й пост имеет в своем сос­
таве пульт управления и контроля,
символьный и графический дисплеи,
устройство управления положением
м а ркер а (светового зн ака) на экр ан е
графического дисплея, полуавтомати-

Рис. 6.2. ЭВМ «Электроника Рис. 6.3. Внешнее запоминаю-


100-25» щее устройство ЭВМ

ческий кодировщ ик графической информации. Все эти устройства


сопрягаю тся с Э В М «Электроника 100-25» (рис. 6.2) через интер­
фейсный блок.
В вод информации в систему может производиться в цифровой
или текстовой форме, а та к ж е в виде координат точек с топологи­
ческого чертеж а.
Вывод результирую щей графической информации производит­
ся с помощью автоматического графопостроителя в виде тополо