REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO

“SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSIÓN MATURÍN

EL TIRISTOR

Docente: Bachiller:
Ing. Daniel Bastardo .Bello José
Electrónica de Potencia CI: 27.287.508

Maturín, diciembre 2019.

 ÍNDICE DE CONTENIDO

MARCO TEÓRICO --------------------------------------------------------------------- 1

Tiristor ---------------------------------------------------------------------------------- 1

Estructura del Tiristor --------------------------------------------------------------- 1

Implementación con Transistores ----------------------------------------------- 3

Curvas de operación del tiristor -------------------------------------------------- 4

Tiristor de Tríodo Bidireccional (TRIAC) --------------------------------------- 6

Rectificador controlado de media onda ---------------------------------------- 7

Selección de dispositivos de potencia ----------------------------------------- 9

 MARCO TEÓRICO

Tiristor
Un tiristor es un dispositivo semiconductor con cuatro capas de estructura
pnpn, con tres uniones pn. Los tiristores son una familia de semiconductores
de potencia. Se usan mucho en circuitos electrónicos de potencia. Se manejan
como interruptores biestables, que funcionan de un estado no conductor a un
estado conductor. El tiristor posee tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta.
Trabaja de forma simular a la de un transistor. Cuando la compuerta es
activada por una señal, el tiristor se polariza en directa. Aun cuando deja de
circular corriente por la compuerta, sigue estando en estado de conducción.
Sólo pasará a un estado de bloqueo cuando la tensión en el ánodo con
respecto al cátodo (𝑉𝐴𝐾 ) descienda por debajo de cero.

Estructura del Tiristor

Un tiristor está formado, como se mencionó anteriormente, por cuatro
capas de estructura pnpn. Consta de tres terminales: ánodo(A), cátodo (K) y
compuerta (G). En la figura 1 se muestra la estructura interna y el símbolo del
tiristor. Las capas de la estructura pnpn son de diferentes tamaños.

Figura 1. Estructura interna y simbolo electrónico del tiristor,

respectivamente.

1
 La capa anódica, P1, tiene un espesor relativo moderado y está muy
dopada en la superficie exterior para facilitar el contacto eléctrico con el
terminal metálico del ánodo. La capa de bloqueo, N2, es la de mayor espesor
y tiene baja concentración. Junto con la capa anódica P1 forma el diodo que
bloquea el paso de la corriente en sentido inversor cátodo-ánodo. La capa de
control, P2, es más estrecha que las anteriores porque deberá permitir
fácilmente la llegada a N1 de los electrones emitidos por N2 en el estado de
conducción. Forma con N1 la unión que bloquea el paso de corriente en
sentido directo, o lo permite en el estado de conducción. La capa catódica, es
la más delgada y está muy dopada para facilitar la emisión de electrones hacia
la unión de control y el contacto eléctrico con el terminal metálico de cátodo.
Forma con la capa de control en diodo de gran corriente inversa.

Figura 2. División de las capas internas del tiristor.

2
 Implementación con Transistores
Se puede considerar que un tiristor equivale a dos transistores
complementarios, un transistor pnp, y otro npn. La siguiente figura muestra dos
transistores conectados que forman un tiristor, y las corrientes equivalentes a
ellos.

Figura 3. Tiristor implementado

con dos transistores.

La corriente 𝐼𝐶 del colector se relaciona, en general, con la corriente del

emisor 𝐼𝐸 y la corriente de fuga de la unión colector-base, 𝐼𝐶𝐵𝑂 .
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂 (ecc1)
𝐼𝐶
Y la ganancia de corriente en base común se define como 𝛼 ≃ ⁄𝐼 . Para
𝐸

el transistor 𝑄1, la corriente del emisor es la corriente anódica 𝐼𝐴 , y la corriente

del colector 𝐼𝐶 , se puede determinar con la ecuación anterior
𝐼𝐶1 = 𝛼1 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝐵𝑂1 (ecc2)
Donde es la ganancia en corriente e 𝐼𝐶𝐵𝑂1 es la corriente de fuga para
𝑄1. De igual modo, para el transistor 𝑄2 , la corriente del colector 𝐼𝐶2 es:
𝐼𝐶2 = 𝛼𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝐵𝑂2 (ecc3)

3
 Donde 𝛼2 es la ganancia en corriente e 𝐼𝐶𝐵𝑂2 es la corriente de fuga para
𝑄2 . Al combinar 𝐼𝐶1 e 𝐼𝐶2 :
𝐼𝐴 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 = 𝛼1 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝐵𝑂1 + 𝛼2 𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝐵𝑂2 (ecc4)
Si la corriente de disparo, control, de compuerta es 𝐼𝐺 , 𝐼𝐶 = 𝐼𝐴 + 𝐼𝐺 , y
despejando 𝐼𝐴 de la ecuación 4:
𝛼2 𝐼𝐺 + 𝐼𝐶𝐵𝑂1 + +𝐼𝐶𝐵𝑂2
𝐼𝐴 =
1 − (𝛼1 + 𝛼2 )
La ganancia en corriente 𝛼1 varía con la corriente del emisor 𝐼𝐴 = 𝐼𝐸 ; 𝛼2
varía con 𝐼𝐾 = 𝐼𝐴 + 𝐼𝐺 . Si aumenta en forma repentina la corriente de
compuerta 𝐼𝐺 , por ejemplo de 0 a 1 mA, aumenta de inmediato la corriente
anódica, que hace aumentar más 𝛼1 y 𝛼2 . La ganancia en corriente 𝛼2 depende
de 𝐼𝐴 e 𝐼𝐺 . El aumento en los valores 𝛼1 y 𝛼2 hace aumentar mas 𝐼𝐴 . En
consecuencia, hay un efecto regenerativo, de o retroalimentación positiva. Si
(𝛼1 + 𝛼2 ) tiende a la unidad, el denominador de la ecuación tiende a cero,
resultando un valor grande de la corriente anódica 𝐼𝐴 , y el tiristor se enciende
con una pequeña corriente de compuerta.

Curvas de operación del tiristor

La figura 4 muestra la gráfica de las curvas de operación de tiristor.
Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las
uniones 𝐽1 y 𝐽3 tienen polarización directa. La unión 𝐽2 tiene una polarización
inversa, y sólo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se
dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo directo. Si el voltaje
de ánodo a cátodo 𝑉𝐴𝐾 se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la
unión 𝐽2 polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como
ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se denomina voltaje de
ruptura directa 𝑉𝐵𝑂 . Dado que las uniones 𝐽1 y 𝐽3 ya tienen polarización directa,
habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones, que
provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el tiristor
está en estado de conducción. Existe una caída de voltaje pequeña, 1 Volt por
general, provocada por la caída óhmica de las cuatro capas.

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 La corriente del ánodo debe ser mayor que la corriente de enganche 𝐼𝐿 ,
a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de la
unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo a cátodo, el dispositivo
regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, es la corriente
de ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción
inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de
compuerta.
Una vez que es tiristor es activado, se comporta como un diodo en
conducción y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá
conduciendo indefinidamente. Sin embargo, si se reduce la corriente directa
del ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento 𝐼𝐻 , el tiristor pasará a
estado de bloqueo. La 𝐼𝐻 está en el orden de los miliamperios y es menor que
𝐼𝐿 . Es decir, 𝐼𝐿 > 𝐼𝐻 . La corriente de mantenimiento es la corriente mínima del
ánodo para mantener el tiristor en estado de régimen permanente.

Figura 4. Curvas de operación del Tiristor.

Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al ánodo, la unión

𝐽2 tiene una polarización directa, pero las uniones 𝐽1 y 𝐽2 tienen una
polarización inversa. El tiristor estará en estad de bloqueo inverso y una

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corriente de fuga inversa (𝐼𝑅 ), fluirá a través del dispositivo. El tiristor se puede
activar también aumentando el voltaje directo 𝑉𝐴𝐾 más allá de 𝑉𝐵𝐶𝑂 , pero esta
forma de activarlo puede dañar permanentemente el tiristor.

Tiristor de Tríodo Bidireccional (TRIAC)

Es un semiconductor capaz de conducir corriente en ambos sentidos
entre los terminales 𝑇1 y 𝑇2 . El triac es el equivalente a conectar dos SCR en
antiparalelo, con una conexión de compuerta en común (figura 6). Este
dispositivo está preparado para operar en aplicaciones de corriente alterna de
50 Hz y 60 Hz, sin embargo, no admite operar con frecuencia de red superiores
a 60 Hz, lo que hace que sea más delicado que un SCR.

Figura 5. TRIAC: estructura interna, símbolo y equivalente con SCRs,

respectivamente.

Si la 𝑇2 es positiva con respecto a la terminal 𝑇1 , el triac se puede activar

aplicando una señal de compuerta positiva entre la “Puerta” (G) y la terminal
𝑇1 . Si la terminal 𝑇2 es negativa con respecto a la terminal 𝑇1 , se activará al
aplicar una señal negativa entre la Puerta G y la terminal 𝑇1 .
Los triacs se fabrican para intensidades desde algunos amperios hasta
unos 40 A eficaces con tensiones desde 400 V hasta 1000 V. Los

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encapsulados de los triacs varían dependiendo de la intensidad que pueden
soportar. Las cápsulas híbridas metal-plástico: TO-220 (entre 6 y 15 A), TOP-
3 (entre 25 y 40 A) y la RD 91 (entre 30 y 40 A). En cápsula metálica de vástago
roscado: TO-48 y TO-65 se fabrican triacs de 15 A a 60 A y de 200 V a 1000V.

Figura 6. Encapsulados para los TRIACs: a) TO-220. b) TOP-3.

c) RD-91. d) TO-65.

Rectificador controlado de media onda

Un rectificador convierte corriente alterna en corriente continua por lo que
la finalidad de estos es generar una salida continua pura o generar una onda
ya sea de tensión o de corriente que tengan una determinada componente de
continua. Una rectificación de media onda puede ser controlada o no
controlada (control sobre la señal de salida). Para obtener voltaje de salida
controlados, se usan tiristores de control de fase en lugar de diodos. El voltaje
de salida de los rectificadores controlados varia controlando el ángulo de
retardo o de disparo del tiristor.
Tomando como ejemplo la figura 7. Durante el medio ciclo positivo del
voltaje de entrada, el ánodo del tiristor es positivo con respecto al cátodo por

7
lo que se dice que el tiristor está en polarización directa. Cuando el tiristor 𝑇1
se dispara en 𝜔𝑡 = 𝛼, el tiristor conduce, apareciendo a través de la carga el
voltaje de entrada. Cuando el voltaje de entrada empieza a hacerse negativo,
𝜔𝑡 = 𝜋, el ánodo del tiristor es negativo con respecto al cátodo, el tiristor ahora
tiene una polarización inversa, por lo que se desactiva. El tiempo desde que el
voltaje de entrada empieza a hacerse positivo hasta que se dispara el tiristor
en 𝜔𝑡 = 𝛼, se llama ángulo de retraso o ángulo de disparo α.

Figura 7. Rectificador de media onda controlado.

 Parámetros:
Voltaje promedio de salida 𝑉𝑐𝑑 :
𝑉𝑚
𝑉𝑐𝑑 = (1 + cos 𝛼)
2𝜋
Voltaje de salida máximo 𝑉𝑑𝑚 :
𝑉𝑚
𝑉𝑑𝑚 =
𝜋
Voltaje de salida normalizado 𝑉𝑛

8
 𝑉𝑐𝑑
𝑉𝑛 =
𝑉𝑑𝑚
Voltaje de salida rms:
𝑉𝑚 1 𝑠𝑒𝑛 2𝛼 1/2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ (𝜋 − 𝛼 + )]
2 𝜋 2

Selección de dispositivos de potencia

La selección del dispositivo de potencia correcto para un circuito
electrónico de potencia requiere una evaluación exhaustiva de muchos
parámetros. La tensión de bloqueo, la corriente de fuga y las características
térmicas son factores importantes desde el punto de vista de la fiabilidad. La
tensión de saturación, la tensión de umbral, la conductancia y la corriente
máxima son importantes desde el punto de vista del funcionamiento. Reducir
al mínimo la pérdida de potencia es esencial para el diseño integral de un
circuito electrónico de potencia eficiente.
Las pérdidas del dispositivo de potencia se pueden clasificar
principalmente en tres elementos: pérdida de excitación, que se genera al
hacer funcionar el dispositivo de potencia; pérdida de conmutación, que se
genera cuando el dispositivo se enciende o apaga; y pérdida de conducción,
que se genera mientras el dispositivo está encendido. La pérdida de
conducción es dominante en las frecuencias de conmutación inferiores a 10
kHz. La pérdida de excitación y la pérdida de conmutación se hacen
dominantes a medida que aumenta la frecuencia de conmutación.
La selección de un dispositivo de potencia que presente un buen
equilibrio entre la resistencia 𝑅𝑂𝑁−𝑂𝐹𝐹 y las capacitancias parásitas del
dispositivo es el primer paso en el diseño de un circuito electrónico de potencia
eficiente. La carga de puerta se define como la cantidad total de carga que se
necesita para activar totalmente un dispositivo de potencia. También se puede
ver como un parámetro que representa las características no lineales de
capacitancia de entrada del dispositivo.