Вы находитесь на странице: 1из 70

1. Предмет и задачи курса. Определение оптического волновода.

Предметом курса является оптические волноводы. Оптический волновод – это диэлектрическая


структура, в которой электромагнитное излучение оптического диапазона распространяется
направленно (каналируемое распространение). Волновод является основой, без которой было бы
невозможно дальнейшее развитие интегральной оптики и фотоники.

Задачами курса является описание различных методов расчета оптических волноводов с


применением различных физических разделов, таких как:

 Лучевая оптика (геометрическая оптика) (не учитывает волновые свойства света)


 Скалярная теория дифракции
 Электромагнитное представление
 Квантовая оптика

Так же в ходе курса рассмотрены некоторые технологические методы изготовления интегральных


оптических элементов.

2. Классификация волноводов по типу оптического профиля, диапазону и


назначению. Одномодовые и многомодовые волноводы.
Волновод состоит из серцевины с показателем преломления 𝑛𝑐𝑜 , оболочки (𝑛𝑐𝑙 ) и защитного
покрытия (непрозрачное). Для описания волновода, используют его оптический профиль n(r).
Различают волноводы со ступенчатым профилем (б) и с градиентным профилем (в).

Различают так же одномодовые и многомодовые волноводы. В одномодовом волноводе,


излучение распространяется вдоль оси Z (рис а). Для многомодового волновода же возможно
распространение излучение в других направлениях, так же для них справедливо выражение:

Из-за затухания и рассеивания излучения в волноводе, используются излучение определенных


диапазонов, называемых окнами пропускания. Для стандартного волновода со ступенчатым
профилем окна пропускания: 0,85 мкм; 1,31 мкм; 1,55 мкм; Первое окно (0,85 мкм.)
прозрачности обладает наибольшей из окон величиной затухания, поэтому используется в
основном для локальных сетей, третье окно обладает наименьшим затуханием, поэтому
используется в магистральных линиях.

Волноводы используют для передачи сигнала, или излучения, например лазерного. Для
передачи сигнала целесообразнее применять одномодовые волноводы, в то время как для
передачи мощного излучения лучше использовать многомодовый.
3. Анализ ступенчатых многомодовых волноводов в
геометрическом приближении. Условие полного внутреннего
отражения и критический угол. Лучевые параметры
Распространение света по разным типам волокон(на всякий случай)

Закон Снеллиуса (также Снелля или Снелла) описывает преломление света на границе двух
прозрачных сред. Также применим и для описания преломления волн другой природы,
например, звуковых.

 Теоретическое объяснение закона Снеллиуса — см. в статье Преломление.


Закон был открыт в начале XVII века голландским математиком Виллебрордом
Снеллиусом[1]. Несколько позднее опубликован (и, возможно, независимо переоткрыт) Рене
Декартом.
Угол падения света на поверхность связан с углом преломления соотношением
Если , имеет место полное внутреннее отражение (преломлённый луч
отсутствует, падающий луч полностью отражается от границы раздела сред).

 Следует заметить, что в случае анизотропных сред (например, кристаллов с низкой


симметрией или механически деформированных твердых тел) преломление подчиняется
несколько более сложному закону. При этом возможна зависимость направления
преломленного луча не только от направления падающего, но и от его поляризации
(см. двойное лучепреломление).

 Также следует заметить, что закон Снеллиуса не описывает соотношение


интенсивностей и поляризаций падающего, преломленного и отраженного лучей, для
этого существуют более детальные формулы Френеля.

 Закон Снеллиуса хорошо определен для случая «геометрической оптики», то есть в


случае, когда длина волны достаточно мала по сравнению с размерами преломляющей
поверхности, вообще же говоря работает в рамках приближенного описания, каковым и
является геометрическая оптика.

Также информацию можно посмотреть и в предыдущем варианте документа.

4. Каналируемые и неканалируемые моды. Смешанный и


устоявшийся режимы распространения . Число отсечки.
Концепция волноводных мод, или просто мод, имеет большое значение в лазерной оптике, в
частности для описания когерентных световых пучков в волноводах . Каждая мода
характеризуется собственным коэффициентом затухания и фазовой задержкой,
пропорциональной оптическому пути и константе распространения. Фазовая задержка
непрерывно накапливается в ходе распространения моды в среде. Указанные свойства мод
позволяют применять модовые представления при решении прямой задачи дифракции, если
разложить световой пучок по поперечным модам. Зная указанные выше законы
распространения в среде для каждой поперечной моды, можно найти результат и для всего
светового пучка. Отметим, что в случае рассмотрения волноводов для нас представляют
интерес лишь моды, сохраняющие свою энергию при прохождении любого расстояния в
волноводе с нулевым поглощением, т.н. каналируемые или направляемые мод.
Каналируемая мода воспроизводит свою структуру после прохождения оптического пути
произвольной длины в волокне.
Волоконно-оптические преобразователи в зависимости от физической основы используемых
в них явлений можно подразделить на два типа - интерференционные и амплитудные. В
преобразователях интерференционного типа используют, как правило, два одномодовых
световода, причем физическому воздействию подвергается один световод, в то время как
другой является опорным, и далее получают интерференционную картину, расшифровав
которую определяют величину физического воздействия. В преобразователях амплитудного
типа используют один многомодовый световод. В таких преобразователях измеряют
изменения амплитуды светового потока в световоде в результате внешнего воздействия.
Изменения амплитуды происходят из-за перехода части энергии направляемых мод в
неканалируемые моды в результате физического воздействия. Вид этих воздействий
различен в различных преобразователях. Но, независимо от вида воздействия, переход
энергии в неканалируемые моды будет осуществляться по-разному для различных мод. Для
мод более высоких порядков, то есть находящихся ближе к отсечке, энергия света
локализована ближе к границам сердечника световода и, следовательно, будет переходить в
неканалируемые моды при меньших величинах воздействий, чем для мод более низких
порядков.

коэффициент бегущей волны, КБВ - равный кбв = Емин/Емакс, где Емин и Емакс - наименьшая и
наибольшая величины действующего значения напряженности электрического поля, измеренные при
перемещении вдоль волновода какого-либо индикатора поля.
Если на конце волновода волна полностью отражается, то устанавливается режим стоячих
волн. Полное отражение можно получить, закрыв конец волновода металлической, хорошо
проводящей крышкой. Режим стоячих волн используется при различных измерениях. Он
удобен для измерения длины волны в волноводе, так как в стоячей волне напряженность
поля Е в узлах равна нулю. Это дает возможность установить положение двух соседних
узлов, расстояние между которыми равно половине длины волны.
Режим смешанных волн получается, если на конце волновода энергия поглощается
частично. Практически, обычно всегда бывает этот режим, так как невозможно получить
чисто бегущую или чисто стоячую волну. Особенно трудно осуществить режим бегущей
волны. Принято считать, что нагрузка хорошо согласована с волноводом, если кбв
получается не меньше 0,8. Во многих случаях даже довольствуются значением кбв от 0,5 и
выше.

Число отсечки- это максимальный номер моды, после которой нет каналируемой моды.
- волновое чило в воздухе.
a-радиус сердцевины.
n1 и n2- показатели преломления сердцевины и оболочки.

5.Межмодовоая дисперсия, хроматическая дисперсия и


проблема уширения импульса. Градиентные волноводы и
их назначение.
1. Межмодовая дисперсия в ступенчатом волноводе.
Любой световой импульс, введенный в волокно, состоит из ряда лучей, которые
распространяются и вдоль оси волокна и по траекториям, очень наклоненным к ней.
Рассмотрим два крайних луча (рис. 1). Луч 1 - осевой. Луч 2 - распространяющийся под
углом θкр , соответствующим полному отражению от границы раздела с оболочкой.

Рисунок 1 – распространение лучей в ступенчатом волноводе.

Пусть осевой луч №1 пройдет путь L вдоль волокна. На это он затратит время:

Здесь v - скорость света в сердцевине. Чтобы сместиться вдоль оси волокна на то же


расстояние, наиболее наклонный луч №2 должен пройти путь L/cos θкр. На это он затратит
время:

Таким образом, лучи, введенные в волокно одновременно, пройдя расстояние L, на


выход придут с запаздыванием:

В результате световой импульс, содержащий лучи под всеми возможными углами,


окажется размытым во времени на величину, определяемую выражением:
Такое уширение светового импульса при его распространении, возникающее из-за
того, что лучи в волокне распространяются под разными углами и проходят при этом
разные расстояния, называется межмодовой дисперсией.

Дисперсия Δt имеет размерность времени. Обычно дисперсия нормируется в расчете на

1 км, тогда под названием "дисперсия" понимается величина , измеряемая в нс/км.


Таким образом, межмодовая дисперсия для ступенчатого волокна рассчитывается по
формуле:

2. Хроматическая дисперсия.
Хроматическая дисперсия состоит из материальной дисперсии и волноводной
дисперсии. Материальная дисперсия - это зависимость показателя преломления среды от
длины волны (или частоты). В результате наличия материальной дисперсии скорость
распространения электромагнитных волн с различными частотами оказывается различной.
Результатом такой дисперсии является уширение светового импульса при распространении
в диспергирующей среде.

Волноводной дисперсией называется уширение импульса, происходящее из-за того,


что постоянная распространения моды зависит от длины волны или частоты:

(1)
где Δλ - уширение длины волны вследствие некогерентности источника излучения,

- относительная разность показателей преломления.

Результирующее уширение импульса, возникающее в результате влияния


хроматической дисперсии находится следующим образом:

Тогда хроматическая дисперсия вычисляется по формуле:

где - результирующий коэффициент удельной хроматической дисперсии.

Если волноводная дисперсия, рассчитанная по формуле (1) всегда больше нуля, то

материальная дисперсия (2) может быть как положительной, так и


отрицательной. При определенной длине волны λ0 (примерно 1310±10нм для ступенчатого
волокна) происходит взаимная компенсация материальной и волноводной дисперсии, и
хроматическая дисперсия становится равной нулю. Эта длина волны, на которой
хроматическая дисперсия обращается в ноль, называется "длиной волны нулевой
дисперсии" λ0 . Однако не следует забывать, что реальный световой импульс содержит в
себе не одну длину волны, а спектр длин волн, которые распространяются с групповыми
скоростями, лежащими в некотором интервале. Поэтому на практике хроматическая
дисперсия не обращается в ноль, но принимает очень маленькое значение для источников,
которые излучают на длинах волн, близких к λ0 .

___________________________________________________________________________

То, что говорил Павельев.


Межмодовая дисперсия.

Если волновод многомодовый, то при попытке передать импульс сразу по набору мод, то на
выходе импульс будет уширяться, так как разным модам соответствуют разные
геометрические траектории, а следовательно разные геометрические длины и следовательно
разное время для передачи этого импульса, используя разные лучевые траектории. Раз
импульс уширяется, то рано или поздно на каком то расстоянии мы не сможем передать
информацию, так как мы не сможем разделить один импульс от другого и это приведет к
уменьшению информационной емкости волоконно-оптических линий связи.

Бороться с этим можно используя градиентные волноводы.

Хроматическая дисперсия.

Это зависимость показателя преломления от длины волны.

Если у нас ступенчатое волокно и сердечник имеет постоянное значение показателя


преломления и мы используем лазерный диод у которого спектр в диапазоне (𝜆1 , 𝜆2 ) и мы
рассчитываем волокно на длину волны 𝜆0 , так как там присутствуют еще более
коротковолновые длины волн и у нас может возникнуть каналируемая мода первого и
второго порядка и на большом расстоянии это приведет к уширению импульса.

Бороться с этим можно повышая монохроматичность. На входе волокна поставить фотонно-


кристаллическую структуру, которая из излучения лазерного диода пропустит нужную
длину волны

4. Оптические волокна с градиентным профилем показателя


преломления

Сердечник многомодового градиентного волокна имеет неоднородный профиль


показателя преломления. Его коэффициент преломления плавно уменьшается от края к
оси волокна. Это плавное изменение заставляет лучи проходить по сердечнику по
синусоиде.
В многомодовом ступенчатом световоде моды распространяются по оптическим путям
различной длины и поэтому приходят к концу световода в разное время. Эта
нежелательная модовая дисперсия может быть значительно уменьшена, если показатель
преломления стекла сердцевины уменьшается параболически от максимальной
величины n0 у оси световода до величины показателя преломления n2 на поверхности
раздела с оболочкой. Такой градиентный профиль показателя преломления или профиль
показателя преломления, описываемый по степенному закону, с показателем степени
профиля u=2 характеризуется уравнениями:

Лучи света проходят по оптическому волокну по волно- и винтообразным спиральным


траекториям. В противоположность ступенчатому профилю показателя преломления, они
распространяются уже не зигзагообразно. Вследствие непрерывного изменения
показателя преломления n(r) в стекле сердцевины лучи непрерывно преломляются, и
поэтому их направление распространения меняется, за счет чего они распространяются
по волновым траекториям. Лучи, колеблющиеся вокруг оси волновода, проходят более
длинный путь, чем луч света вдоль оси световода. Однако, благодаря меньшему
показателю преломления в отдалении от оси оптического волокна эти лучи
распространяются соответственно быстрее, благодаря чему более длинные оптические
пути компенсируются меньшим временем прохождения. В результате различие временных
задержек разных лучей почти полностью исчезает. При точном изготовлении
параболического профиля показателя преломления разность временных задержек по
результатам измерений в градиентном световоде составляет немногим более 0,1 нс при
времени прохождения света 5 мкс на расстоянии 1 км.
6. Методы изготовления волноводных структур
МЕТОДЫ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ И ПОЛОСКОВЫХ
ВОЛНОВОДОВ

Выбор технологии изготовления волновода для интегральной оптики


определяется материалами волновода и подложки, геометрией волновода и
профилем показателя преломления сердцевины волновода. На рис. 4.1
показаны основные технологические методы и процессы, применяемые для
изготовления планарных и полосковых волноводов.

Рис. 4.1. Технологии изготовления оптических волноводов

Для создания сложных многокомпонентных устройств интегральной


оптики, как правило, используют сочетание нескольких методов и
технологий. Для создания волноводных структур в большинстве случаев
применяют методы фотолитографии. Упрощенная схема технологического
процесса изготовления интегрально-оптического устройства показана на рис.
4.2. Начинается процесс с изготовления подложек и включает в себя
изготовление материала подложек, резки и шлифовки заготовок и
окончательной их полировки. Затем проводится изготовление слоев с
высоким показателем преломления и создание на подложке волноводов
заданной конфигурации с помощью фотолитографии. (В зависимости от
конструкции конкретного интегрально-оптического устройства в процесс
могут вводиться дополнительные операции, в том числе, изготовление
буферных слоев. В этом случае проводится дополнительные этапы
фотолитографии.)
Затем проводится изготовление согласующих и вспомогательных
слоев. Каждый из этих этапов включает в себя фотолитографию. При
создании слоев сложной конфигурации и многослойных конструкций
каждый этап может повторяться несколько раз (на рисунке повторы показаны
пунктиром).
Рис. 4.2. Технологический процесс изготовления интегрально-оптического устройства

4.1. Методы вакуумного нанесения

Методы вакуумного нанесения используются для создания волноводов


в виде тонких пленок, а также для нанесения тонкопленочных покрытий на
волноводы. Суть методов вакуумного нанесения заключается в том, что в
вакууме создают поток атомов или молекул, которые осаждаясь на подложки
в виде тонкого равномерного слоя формируют планарные волноводы (рис.
4.1.1).

Рис. 4.1.1. Схема установки для вакуумного нанесения пленок


Термовакуумные методы получения пленок

Термовакуумные методы основаны на нагреве в вакууме вещества до


температуры испарения и образования пара и дальнейшей конденсации
вещества на подложке . Поток испарившихся частиц в вакууме образуется
если давление пара испаряемого материала превышает давление в
вакуумной камере.

Рис. 4.1.2. Основные методы термического испарения материала для вакуумного


нанесения пленок. а – резистивный; б – высокочастотный; в – электронно-лучевой

Резистивное испарение (рис. 4.1.2, а). Небольшое количество


материала помещают на нагреватель из фольги или проволоки. Нагреватель
изготавливают из вольфрама или молибдена и нагревают пропусканием
электрического тока. Резистивное испарение используют для материалов, у
которых температура испарения не превышает 1500 ОС. Существенными
недостатками метода являются частичное испарение материала нагревателя,
загряняющее осаждаемый слой, а также растворение и химическое
взаимодействие испаряемого материала с нагревателем при высокой
температуре.
Высокочастотное испарение (рис. 4.1.2, б). Испаряемый материал
помещают в тугоплавкий диэлектрический тигель и нагревают СВЧ-полем.
Максимальная температура испарения в данном случае определяется
термостойкостью материала тигля.
Электронно-лучевое испарение (рис. 4.1.2, в). Материал помещают в
тигель из проводящего материала, охлаждаемый проточной водой и
нагревают сфокусированным электронным лучом. В данном случае
плавление и испарение материала происходит не во всем его объеме, а лишь
в области воздействия электронного луча. Поэтому в данном методе удается
исключить загрязнение осаждаемого слоя материалом тигля. Электронно-
лучевой метод позволяет испарять наиболее тугоплавкие материалы.
Особенностью метода является то, что на начальной стадии нагрева
диэлектрических материалов происходит зарядка поверхности материала,
вызывающая отклонение и замедление электронов и уменьшающая
эффективность нагрева. Для уменьшения этого эффекта на поверхность
материала иногда наносят тонкий проводящий слой углерода.
После разогрева материала его электрическое сопротивление резко
снижается и эффект зарядки поверхности исчезает.

Метод лазерной абляции

Взаимодействие импульсного лазерного излучения высокой


интенсивности с поверхностью твердого тела приводит к мгновенному
испарению (абляции) части вещества и образованию плазмы, состоящей из
атомов, ионов, электронов и кластеров вещества, разлетающихся с высокой
скоростью. Схематично метод показан на рис. 4.1.3 [10].

Рис. 4.1.3. Испарение материала методом лазерной абляции

Импульсный лазерный луч с помощью объектива через окно в


вакуумной камере фокусируется на поверхность материала, находящегося в
охлаждаемом тигле. Испаряемое вещество в виде плазмы достигает
подложку и формирует на ней пленку. Данный метод является наиболее
«чистым» по сравнению с другими методами нанесения пленок, так как в нем
отсутствуют нагреваемые элементы и узлы, а в вакуумной камере находится
только тигель с испаряемым веществом. Метод лазерной абляции позволяет
испарять любые вещества независимо от их температуры плавления,
электропроводности и химического состава. Лазерным нанесением пленок
получены поликристаллические слои многих материалов: Cr, W, Ti, C, Si, Ge,
SrTiO3, BaTiO3, GaAs, GaP, InSb, ZnO, ZnS, CdTe и др. Поэтому метод
лазерной абляции в настоящее время широко используется в
технологических процессах микроэлектроники и интегральной оптики.

4.2. Золь-гель методы


Метод основан на реакциях гидролиза ряда металлоорганических и
неорганических соединений в растворах. Исходными реагентами, как
правило, являются алкоксисоединения металлов или полупроводников, а
также легко гидролизующиеся хлориды, оксихлориды и нитраты металлов.
Алкоксисоединения представляют собой такие соединения, в которых ион
металла или полупроводника (R) связан через кислород с органическими
радикалами по схеме:

В качестве растворителя используется этанол с небольшим


количеством воды. В ряде случаев в раствор в качестве катализатора
добавляют небольшое количество соляной кислоты. Оптимальные
соотношения компонентов раствора должны, с одной стороны, обеспечить
быстрый гидролиз материала в растворе с образованием золя. С другой
стороны – полный гидролиз на поверхности подложки с образованием геля.
В качестве подложек могут быть использованы стекла различного состава и
кристаллические материалы.
Технологический процесс формирования тонкопленочных волноводов
золь-гель методом состоит из нескольких этапов. Первый этап заключается в
приготовлении раствора и его созревании. Созревание растворов происходит
в несколько стадий:
1. сольволиз или образование промежуточных продуктов,
ускоряющих гидролиз;
2. частичный гидролиз пленкообразующих соединений;
3. коалесценция продуктов гидролиза с образованием полимолекул.
Пленки, полученные золь-гель методом, как правило, имеют
аморфную структуру. Для формирования поликристаллической пленки
проводится ее дополнительный отжиг. Показатель преломления пленок,
полученных описанным методом, несколько ниже, чем показатель
преломления монокристалла из аналогичного материала. Это связано с
наличием в пленках наноразмерных пор. Метод позволяет изготавливать
волноводы из смеси оксидов различных веществ. В то же время, выбор
материалов для пленки волновода ограничен спецификой физико-
химических процессов, используемых в данной технологии.

4.3. Методы эпитаксии

Для формирования планарных оптических волноводов из


монокристаллических материалов используют технологии эпитаксии [10].
Эпитаксия это ориентированный рост слоев, кристаллическая решетка
которых повторяет кристаллическую структуру подложки. Если подложка и
слой состоят из одного вещества, то процесс называют автоэпитаксиальным,
если из различных – гетероэпитаксиальным. Если эпитаксия происходит в
результате химического взаимодействия вещества подложки с веществом
растущего слоя, то такой процесс называется хемоэпитаксией. Существует
целый ряд технологических методов и приемов эпитаксии, позволяющих
вырастить монокристаллические слои полупроводников и диэлектриков на
монокристаллических подложках. Рассмотрим некоторые из этих методов.
Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в
испарении или распылении материала в вакууме и осаждении его на
монокристаллическую подложку.
Эпитаксия из газовой фазы с диссоциацией химического соединения.
Атомы материала переносятся на горячую подложку в составе химического
соединения. На подложке происходит термодиссоциация реагента с
выделением атомов материала растущего слоя.
Твердофазная эпитаксия. В основе твердофазной эпитаксии лежат
процессы твердофазного физико-химического взаимодействия в
многослойной тонкопленочной системе при изотермическом отжиге. Данные
процессы происходят благодаря высокой температуре и наличию хорошего
контакта между слоями. Одной из фаз является монокристаллическая
подложка. Другие фазы могут быть аморфными или поликристаллическими.
При нагреве такой многокомпонентной структуры происходит
перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированное наращивание на
монокристаллическую подложку.
Молекулярно-лучевая эпитаксия. Основана на химическом
взаимодействии исходных компонентов пленки с нагретой
монокристаллической подложкой при осаждении этих компонентов с
помощью нескольких молекулярных пучков. мкм/ч, однако, данный метод
позволяет создавать наиболее совершенные и сложные эпитаксиальные
структуры.
Лазерная эпитаксия (графоэпитаксия). Используется для
выращивания пленок монокристаллического кремния на
поликристаллических, аморфных и стеклянных подложках.
Стимулирующее действие излучений и электрического поля на
эпитаксию. Процессы эпитаксии в большинстве случаев протекают
медленно, что снижает производительность при производстве интегрально-
оптических устройств. Ускорить процессы эпитаксии можно с помощью УФ
и ИК излучений, а также путем приложения к подложке электрического
потенциала.

4.4. Методы диффузии

Диффузия – процесс последовательного перемещения атомов примеси


в материале, обусловленный тепловым движением..
Существует два вида диффузии [10]:
- диффузия в материале, находящемся в состоянии химического
равновесия, т. е. при однородном химическом составе – самодиффузия
атомов растворителя;
- диффузия, когда системы не находится в состоянии химического
равновесия и градиенты химических потенциалов вызывают появление
результирующих химических потоков – химическая или взаимная диффузия.
Диффузия атомов может происходить не только снаружи в объем
материала, но и наоборот, из объема во внешнее пространство. Такая
разновидность диффузии называется эффузией (диффузией наружу). Процесс
эффузии объясняется тем, что существует градиент концентрации между
объемом материала и окружающим пространством. Поэтому при высоких
температурах некоторые компоненты материала могут выходить на его
поверхность и испаряться.

4.5. Метод ионного обмена


Ионный обмен является частным случаем процесса диффузии (п. 4.4).
Суть метода ионного обмена заключается в том, что ионы некоторых
примесей при диффузии в объем материала способны замещать ионы этого
материала [16]. При этом замещенные ионы материала также благодаря
диффузии выходят из него в окружающее пространство. Таким образом,
ионный обмен позволяет изменить химический состав материала в тонком
слое и, тем самым, изменить его оптические характеристики, например,
показатель преломления.

4.6. Метод ионной имплантации

Примесь, формирующая волновод, может быть введена в подложку не


только с помощью диффузии или ионного обмена, но и с помощью
технологии ионной имплантации . Сущность данной технологии заключается
в том, что ионы примеси в вакууме разгоняются в электрическом поле до
высоких энергий (от десятков до тысяч килоэлектронвольт) и внедряются в
подложку. В результате столкновений с атомами подложки они теряют
энергию и тормозятся на определенной глубине.
4.7. Методы фотолитографии

Принцип фотолитографии заключается в создании на поверхности


подложки защитной маски с заданным рисунком, соответствующим
формируемому оптическому узлу, например, волноводу. После этого
производится обработка подложки, например ее травление, через открытые
области маски. В процессе изготовления сложного интегрально-оптического
устройства часто приходится проводить фотолитографию многократно.
На рис. 4.7.1 показана упрощенная схема технологического процесса
фотолитографии.
Рис. 4.7.1. Технологический процесс фотолитографии

Технологический процесс состоит из четырех основных этапов:


изготовления фотошаблона, изготовления подложек с фоточувствительным
слоем (фоторезистом), экспонирования подложек с фоторезистом и
собственно литографического процесса. Так как от качества фотолитографии
зависит работоспособность интегрально-оптического устройства, то на
каждом шаге фотолитографического процесса производится контроль
результата и выявление дефектов и брака.

Технологии литографии

В основе литографических процессов лежит травление или изменение


физических и оптических свойств подложки через отверстия в
сформированной на ее поверхности маске. В результате травления на
подложке формируется рельефный рисунок, повторяющий рисунок маски. В
литографии применяют процессы влажного (химического) травления в
жидких средах и сухого травления в плазме.
Влажное химическое травление используется в литографии для
создания волноводов на поверхности стекол и полупроводников. Процедура
травления заключается в погружении подложек с масками из фоторезиста в
травящий раствор (рис. 4.7.6). Состав раствора, его температура и
продолжительность травления зависят от материала подложки, типа
фоторезиста, образующего маску и глубины травления. Для ускорения
процесса травления используют травление в ультразвуковом поле. Форма и
глубина вытравленных углубления зависит от площади отверстия в маске,
материала подложки, состава травителя. При литографии должны
использоваться растворы, которые воздействуют только на материал
подложки и не повреждают маску.
После завершения процесса травления маску из фоторезиста удаляют
путем растворения в ином растворителе. Подложку тщательно промывают,
высушивают и проводят контроль качества травления.
Наиболее детально изучены процессы травления кремния, так как он
широко используется в микроэлектронике и интегральной оптике.
Рассмотрим некоторые особенности химического травления кремния в
процессе литографии.

4.8. Метод лазерной записи волноводов в стекле

Данный метод основан на необратимом изменении показателя


преломления некоторых стекол под действием лазерного излучения. Для
записи волноводов используется сфокусированный лазерный пучок (рис.
4.8.1, а), который движется вдоль подложки. Фокус пучка может находиться
вблизи поверхности подложки, либо в глубине стекла. В зависимости от
этого формируется либо внедренный волновод, либо погруженный в стекло.
Достоинством данного метода является его технологическая простота и
отсутствие трудоемких фотолитографических процессов. Необходимо
отметить, что методом лазерной записи в стеклах могут быть сформированы
не только оптические волноводы, но и дифракционные решетки, голограммы,
микролинзы, амплитудные и фазовые транспаранты и другие оптические
элементы.

Ступенчатые и гардиентные волноводы


Химическое осаждение из газовой фазы (Chemical vapor deposition, CVD)
В процессе этого метода готовится подложка со слоем катализатора – частиц металла
(чаще всего никеля, кобальта, железа или их комбинаций). Диаметр нанотрубок,
выращенных таким способом, зависит от размера металлических частиц.
Подложка нагревается примерно до 700 оС. Для инициации роста нанотрубок
в реактор вводят два типа газов: технологический газ (например, аммиак, азот, водород и т.
д. ) и углеродосодержащий газ (ацитилен, этилен, этанол, метан и т. д. ). Нанотрубки
начинают расти на участках металлических катализаторов.
Этот механизм является наиболее распространенным коммерческим методом
производства углеродных нанотрубок. Среди других методов получения нанотрубок CVD
наиболее перспективен в промышленных масштабах благодаря наилучшему соотношению
в плане цены на единицу продукции. Кроме того, он позволяет получать вертикально
ориентированные нанотрубки на желаемом субстрате без дополнительного сбора, а также
контролировать их рост посредством катализатора.

7.Анализ градиентных волноводов скалярной теории дифракции.


Понятие волноводной моды. Фундаментальные свойства мод.
Моды Гаусса-Эрита и Гаусса-Лагерра. Фундаментальные
свойства гауссовых мод.
Мода – лучевая траетория.

Анализ градиентных волноводов.


На рисунке 11.1(б) показан профиль, имеющий постоянный показатель преломления в
оболочке ncl и произвольно изменяющийся в сердцевине. Такие профили характеризуются
скачкообразным изменением показателя преломления или его производной на границе
сердцевина – оболочка.
Определим, что nco – максимальный показатель преломления сердцевины, ncl – однородный
показатель преломления оболочки, где условие nco> ncl обеспечивает направляющие
свойства волоконного световода.
ф

Ниже Моды Гаусса-Эрмита и Гаусса-Лаггера и их свойства (Бесселя не надо)


8.Оператор распространения и свойства его собственных
функций. Разложение комплексной амплитуды по базису
собственных функций оператора распространения.

Оператор распространения и свойства его собственных функций


разложение комплексной амплитуды по базису собственных
функций оператора распространения
9.Поперечный и продольный модовое спектры. Понятие
интеграла перекрытия и его свойства
Продольный модовый спектр – это тот самый модовый спектр , который мы изучили, те длинны
волн распространение которых данный волновод поддерживается.
Поперечный спектр – когда мы фиксируем длину волны, у нас когерентный источник, и для данной
длины волны в нашем волноводе распространение может быть на определенной моде

Отдельная мода обозначается так:


ТЕМmnq,

где m, n – поперечные индексы моды, a q – продольный индекс; это то самое число q, которое
фигурирует в соотношениях (7.31) и (7.32).

Каждая мода характеризуется определенной пространственной структурой поля –


определенным распределением амплитуды и фазы поля в перпендикулярной к оси
резонатора плоскости, в частности, на поверхности зеркал резонатора. Специфику этой
структуры фиксируют поперечные индексы моды m и n.

Конкретному сочетанию индексов m и п соответствует ряд мод с разными значениями


индекса q; это продольные моды (их называют также аксиальными модами). В спектре
генерации каждой из них отвечает своя спектральная линия резонатора. Например, на рис.
7.14 представлены семь продольных мод; мода, соответствующая частоте , есть
центральная продольная мода.

Совокупность продольных мод с данным сочетанием индексов m и n объединяют под


названием поперечной моды. Поперечная мода обозначается как

ТЕМmn.

Каждый тип поперечной моды имеет определенную структуру светового пятна на зеркале
резонатора. На рис. 7.15 показана структура наблюдаемого на круглом зеркале светового
пятна для нескольких наиболее простых (низших) поперечных мод. Видно, что чем меньше
значения поперечных индексов, тем сильнее сконцентрировано поле моды вблизи центра
зеркала.

Поперечную моду ТЕМ00 называют основной модой. Для, нее характерна наиболее простая
структура светового пятна.

Наблюдаемая в реальных условиях структура светового пятна часто представляет собой


суперпозицию нескольких поперечных мод (многомодовый режим генерации). Спектр
генерируемого излучения содержит обычно несколько спектральных линий
(многочастотный режим генерации).

Частотный спектр – это множество (дискретный ряд) собственных частот мод резонатора.

Мода– это тип колебания в резонаторе. Моды бывают продольные и поперечные.

1. Продольная мода:

Условие устойчивости - , , -продольный тип колебаний.

2. Поперечная мода: ТЕМmn


Т.о. мода-объемная структура поля в резонаторе. Она определяется индексами поперечной
моды m, n и индексом продольной моды q. (это определяет волны в резонаторе.)

Мода:

Чем выше порядок поперечных колебаний, тем ниже добротность контура (большие потери)

Основные изменения состояний электронов, возникающие при сближении атомов и образовании


кристаллической структуры, можно проиллюстрировать на простой модели связывания атома водорода и
протона в двухатомную систему - молекулярный ион Н2+.

При приближении протона к атому водорода потенциальная энергия системы изменяется на величину

(3.7)

связанную с электростатическим притяжением электрона атома водорода к приближающемуся протону и


отталкиванием между протонами. Расстояния r и R (3.7) изображены на рисунке 27, где справа от плоскости Н,
перпендикулярной отрезку Р1Р2, находится атом водорода Р1, а слева - протон Р2.
Рис. 27.

Знак зависит от расстояния r электрона до протона. При , то есть когда электрон находится в
заштрихованной на рисунке области, называемой областью связывания, потенциальная энергия системы (3.7)
уменьшается . Если электрон находится в области r>R (область разрыхления), то потенциальная
энергия растет.

Волновые функции (атомные орбитали) и электронных состояний вблизи отдельных протонов P 1 и P2,
соответственно, при сближении начинают перекрываться. Количественной характеристикой степени
перекрытия волновых функций является интеграл перекрытия

(3.8)

в котором интегрирование производится по всему пространству (sp). Интеграл перекрытия имеет


максимальное значение в области перекрытия волновых функций и мал вне этой области.

При наличии перекрытия ( ) электрон не может рассматриваться как принадлежащий одному из атомов.
При этом по мере сближения атомные орбитали видоизменяются и называются молекулярными орбиталями.
Из двух атомных орбиталей, например, , атомов (a) и (b) образуются, соответственно, две молекулярные
орбитали:

(3.9)

(3.10)

где S- интеграл перекрытия (3.8), а множитель перед скобками, содержащий S, следует из условий нормировки:
Для -молекулярной орбитали электронная плотность равна

При сближении атомов электронная плотность растет в области перекрытия, где , за счет
уменьшения электронной плотности вне области перекрытия. Таким образом, происходит концентрирование
электронной плотности в пространстве между ядрами. Энергия -электронного состояния ниже энергии
электрона в изолированном атоме на (3.7). -орбиталь называется связывающей молекулярной
орбиталью.

Для -молекулярной орбитали электронная плотность, определяемая соотношением

по мере сближения атомов и роста интеграла перекрытия уменьшается в области, где , по

сравнению с суммой плотностей исходных атомных орбиталей. Электронная плотность за

счет роста увеличивается в области разрыхления.

Следовательно, энергия - орбитали выше , так как . Связанные состояния на таких орбиталях не
осуществляются. -орбиталь называется разрыхляющей молекулярной орбиталью.

Видоизменение (3.3) орбиталей при сближении атомов и образование молекулярных


орбиталей и наглядно иллюстрируется диаграммами, представленными на рис28а. На рисунке
28б представлены диаграммы атомных орбиталей и (3.4), и диаграммы
связывающей и - разрыхляющей молекулярных орбиталей, иллюстрирующие форму электронных
облаков получающихся в результате перекрытия атомных орбиталей. Оси оx и oy соответствуют рисункам
26а,б, причем ось оx проходит через центры атомов (a) и (b).

10. Трансляционная инвариантность. Анализ влияние


неоднородностей волновода.
Трансляционная инвариантность. Анализ влияния неоднородностей волновода.

Твёрдыми телами в физике называют тела имеющие периодическую структуру, то есть обладающие
трансляционной инвариантностью. Трансляционной инвариантностью называется свойство среды
переходить саму в себя при преобразовании трансляции T : ⃗r →⃗r+ ⃗a , где ⃗r - радиус вектор
произвольной точки, а ⃗a - некоторый вектор трансляции. Другими словами, среда выглядит
одинаково для «наблюдателя» находящегося в точках с координатами ⃗r и ⃗r+ ⃗a . Очевидно, что,
если ⃗a вектор трансляции, то и n⃗a ( n - целое) также будет вектором трансляции. Для тела конечных
размеров это определение применимо с точностью до граничных эффектов. В задачах, где идёт речь
о телах макроскопического размера, смещение границы на несколько межатомных расстояний
является как правило пренебрежимым эффектом. Мы будем называть кристаллом тело, в котором
существует тройка некомпланарных векторов2 трансляции ⃗a , ⃗b , ⃗c . Выбор этой тройки
неоднозначен: любые невырожденные линейные комбинации этих векторов также являются
тройкой векторов трансляции. Обычно стараются выбрать вектора трансляции наименьшей длины,
либо тройку, обладающую какой- то дополнительной симметрией. Вектора трансляции ⃗a , ⃗b , ⃗c
определяются так, чтобы образовывать правую тройку векторов. Углы между векторами обозначают
α , β ,γ , по определению угол α - это угол между ⃗b и ⃗c , β - между ⃗c и ⃗a , γ - между ⃗a и ⃗b . Длины
этих векторов называются постоянными решётки. Периодическое расположение атомов в
пространстве, получаемое под действием этих трансляций называется кристаллической структурой.

Трансляционная симметрия — тип симметрии, при которой свойства рассматриваемой системы не


изменяются при сдвиге на определённый вектор, который называется вектором трансляции. Например,
однородная среда совмещается сама с собой при сдвиге на любой вектор, поэтому для неё свойственна
трансляционная симметрия.
Трансляционная симметрия свойственна также для кристаллов. В этом случае векторы трансляции не
произвольны, хотя их существует бесконечное число. Среди всех векторов трансляций кристаллической
решётки можно выбрать 3 линейно независимых таким образом, что любой другой вектор трансляции был
бы целочисленно-линейной комбинацией этих трёх векторов. Эти три вектора составляют базис
кристаллической решётки.
Теория групп показывает, что трансляционная симметрия в кристаллах совместима только с поворотами
на углы θ=2π/n, где n может принимать значения 1, 2, 3, 4, 6.
При повороте на углы 180, 120, 90, 60 градусов положение атомов в кристалле не меняется. Говорят, что
кристаллы имеют ось вращения n-го порядка.
Перенос в плоском четырёхмерном пространстве-времени не меняет физических законов. В теории поля
трансляционная симметрии, согласно теореме Нётер, соответствует сохранению тензора энергии-
импульса. В частности, чисто временные трансляции соответствуют закону сохранения энергии, а чисто
пространственные сдвиги — закону сохранения импульса.
Независимость профиля от точки сечения. Нет потери мощности и распределение энергии будет
постоянным.

При создании неоднородности происходит потеря мощности в волноводе (сгибание и луч как бы выходит
из места сгиба). Мощность с низших мод переходит в высшие. Для анализа можн использовать интеграл
перекрытия.

Неоднородности в волноводе

Микроизгибные потери
Этот вид затухания связан с небольшими вариациями профиля границы
ядро/оптическая оболочка. Данные вариации границы могут приводить к
отражению мод высокого порядка под углами, не допускающими дальнейших
отражений. При этом свет покидает волокно.

Микронеоднородности границы могут возникнуть при производстве волокна.


Развитие технологий производства направлено на уменьшение этих
микронеоднородностей.
Волновод, у которого форма и размеры сечения, граничные условия на поверхности стенок и
свойства диэлектрика сохраняются неизменными вдоль оси, а длина волновода бесконечна,
называется регулярным. Любое нарушение указанных условий называется нерегулярностью, а сам
волновод в этом случае будет нерегулярным.

Простейшей нерегулярностью может явиться «открытый конец» волновода или «закорачивающая


плоскость», изгиб, ответвление и др.

Если в регулярном волноводе имеется только одна бегущая прямая волна, то при наличии
нерегулярности в месте, где она расположена, возникает вторая, обратная отраженная бегущая
волна. В результате в волноводе образуется стоячая волна определенной амплитуды.

Волновод условно можно заменить эквивалентной линией с распределенными параметрами, с


волновым сопротивлением Z Â и коэффициентом фазы  . Действие нерегулярности на основную
волну можно представить в виде полного сопротивления Z , включенного в эквивалентную линию.

Для волны типа TE mn имеем

Z0 2
ZÂ  ;  , (1)
  
2 В
1  
 K 

0
где Z 0   377 Ом — волновое сопротивление свободного пространства.
0

Рис. 40. Структура поля волны типа TE10


Рис. 41. Пути электрического тока в волноводе при волне типа TE10

Полное сопротивление Z , являющееся эквивалентным параметром нерегулярности, определяется с


помощью специальной аппаратуры путём измерения коэффициента стоячей волны (к.с.в.) k и
фазового угла z в волноводе, имеющем нерегулярность [3], и вычисляется по формуле:

k  0,5 j  k 2  1 sin 2az


Z  ZB (2)
k 2 sin 2 az  cos 2 az
E макс
где k  - коэффициент стоячей волны,
E мин

E м акс и E м ин - максимальное и минимальное значения напряженности электрического поля,


в
измеренные вдоль волновода в пределах .
2

Волновое сопротивление Z B для данного типа волны и заданных размеров сечения волновода
является величиной известной. Фазовый угол находится путем измерений (методика измерений
изложена ниже).

По данным к.с.в. и фазового угла комплексное сопротивление с достаточной точностью можно


вычислить по круговой диаграмме. Диаграмма и порядок пользования ей для определения Z
находятся на рабочем месте.
Рис. 42. Расположение проводников в решетках для экспериментального
определения ориентации векторов поля волноводе.

Создавая нерегулярность определенного характера и измеряя при этом к.с.в. (или величину, ему
обратную – коэффициент бегущей волны - k ÁÂ ), можно экспериментальным путем установить
ориентацию вектора поля E , а затем и H в волноводе. Для этого конец волновода закрывают
поочередно решетками, у которых расстояние между проводниками много больше длины
генератора (рис. 42), и замеряют коэффициент бегущей волны

1
k бв 
k.

Если силовые линии поля E параллельны и проводникам решетки, то в последних возникает ток,
который возбуждает отражающую волну. k бв в этом случае будет равен нулю.

Если силовые линии поля E перпендикулярны проводникам решетки, то тока в проводниках не


будет (не возникает отраженной волны). Коэффициент k бв при этом будет равен такой же величине,
что и при открытом конце волновода.

11.Функция комплексного пропускания тонкого


оптического элемента.
T(x,y)

ω(x,y) ω1(x,y)
Тонким оптическим элементом называют элемент, в котором пренебрегают дифракционными
эффектами внутри. Т.е тонкий на столько, что дифракцией внутри его структуры можно пренебречь.

Воздействие тонкого оптического элемента на падающий пучок с комплексным распределением


сечения ω(x,y) описывают с помощью введения функции комплексного пропускания.

ФКП- комплекснозначная функция равная отношению того комплексного распределения после


пропускания , к тому комплексному распределению, который был в сечении пучка

𝜔 (𝑥,𝑦)
1
Функция комплексного пропускания T(x,y)= 𝜔(𝑥,𝑦)

𝜔1 (𝑥, 𝑦) = 𝜓𝑚𝑛 (𝑥,y)

𝜓𝑚𝑛 (𝑥,𝑦)
Иначе функция комплексного пропускания T(x,y)= 𝜔(𝑥,𝑦)

𝜓𝑚𝑛 (𝑥,y)- желаемая мода

𝜔(𝑥, 𝑦)- входной пучок

𝜔1 (𝑥, 𝑦)- выходной пучок

|T(x,y)|=exp(iϕ(x,y))

exp(iϕ(x,y))- фаза (наносим рельеф на пластину)

T(x,y)=𝜓𝑛 (𝑥, 𝑦)exp⁡(𝑖2𝜋𝜈𝑥)- ФКП для множества мод

𝜓𝑛 (𝑥,𝑦)
T(x,y)= 𝐶 ФКП с учетом интенсивности, также для нескольких мод
√𝐼(𝑥,𝑦)

−2𝑟 2
I(x,y)=exp⁡( ϭ20
)- интенсивность

С- вес

ϭ20 − модовый⁡радиус

12.Методы амплитудного и фазового кодирования функции


комплексного пропускания тонкого оптического элементы.
Среди итерационных методов кодирования амплитуды фазовой функции ДОЭ
наиболее распространенным является метод Кирка-Джонса и его обобщение на
произвольный вид функции пространственной несущей. Известны несколько
методов кодирования, ориентированные на применение ПМС: метод
наименьших расстояний, метод диффузии ошибки, метод псевдослучайного
кодирования и их комбинации между собой.

Метод Кирка-Джонса:
1 x, y   0 x, y   Qx, y   q , x 

Кодирование функции комплексного пропускания:

 Tij x, y  
1 x, y   argT xi , y j   Q   q , x 
 Tmax 
 
В случае только амплитудного кодирования первым слагаемым пренебрегают.
13. Формирование волноводных пучков с заданным поперечно-
модовым составом.
я бы говорил о том, что используя некие транспаранты, мы можем получить
необходимый поперечно-модовый спектр или даже выделить какую-то одну моду.
Это вытекает из того, что в основе скалярной теории лежит разложение исходного
пучка по счётному ортогональному базису мод. Таким образом, имея на выходе
транспаранта распределение Пси, функция комплексного пропускания транспаранта
будет равна отношению Пси к облучающему транспарант комплексному
распределению W(x,y).

14. Анализ поперечно-модового состава излучения.


Анализ это обратная задача. Нужно создать некий транспарант с такой фкп чтобы при освещении его
неизвестным пучком( принципиальный момент) пропорционально (равно)комплексно сопряжённой
той моде, вклад которой мы ищем.

Уметь объяснить почему это так. Сводится к скалярному произведению , которое будет не равен
нулю только если в том случае фкп = пси n *
15. Применение свойств поперечно-модового спектра для
уплотнения каналов связи в ВОЛС и повышения
чувствительности волоконно-оптических датчиков.
Для многомодовых оптических волокон существует термин модовое уплотнение каналов
- mode division multiplexing (MDM), который используется для методов уплотнения
каналов передачи информации, где каждая распространяющаяся в волокне
пространственная мода рассматривается как отдельный канал, несущий свой сигнал.
Суть модового уплотнения каналов состоит в том, чтобы с помощью лазерных пучков,
являющихся линейной суперпозицией распространяющихся в волноводе мод, можно
формировать сигналы, которые будут эффективно передавать информацию в одном
физическом носителе - многомодовом волокне. Передаваемая информация может
содержаться как в модовом составе, так и в доле энергии, которую несет каждая мода
лазерного пучка.

При распространении излучения в волоконном световоде (ВОЛС) поперечно-модовая


структура его обладает устойчивостью, имеется возможность уплотнить канал передачи
информации. Для этого нужно использовать в качестве переносчиков сообщения
колебания, соответствующие различным поперечным модам. Число одновременно
возбуждаемых на входе ВОЛС колебаний может составлять от нескольких единиц до
нескольких десятков. Каждое колебание-переносчик несет свое сообщение и
распространяется по волоконному световоду независимо от других переносчиков. На
выходе ВОЛС проводится анализ поперечно-модового состава излучения и
индивидуальная демодуляция сообщения в каждой из выделяемых мод. Пропускная
способность ВОЛС при модовом уплотнении резко возрастает. При этом усложнение
аппаратуры связи, особенно на приемном конце, не очень существенно.

Передача информации с модовым уплотнением каналов


Повышение пропускной способности современных телекоммуникационных систем
является важной научно-технической задачей, требующей дальнейшего исследования
физических (в том числе оптических) эффектов. Одним из наиболее привлекательных
подходов к решению этой задачи является поиск возможностей увеличения числа
каналов без построения дополнительных физических линий связи. В случае, если в
качестве носителя информации рассматривается когерентный световой пучок, а в
качестве линии связи используется линейная волноводная среда (например, оптический
световод), весьма перспективным представляется параллельное использование
различных мод лазерного излучения (как продольных, так и поперечных [4]) для
передачи сигналов по отдельным каналам. В на стоящее время уже получили
распространение телекоммуникационные системы, использующие для передачи
сигналов по различным каналам различные продольные моды, то есть различные длины
волн излучения, распространяющегося в волноводе. Такие системы, получившие
название "WDM-систем'’ (Wavelength Division Multiplexing systems), используют в
качестве демультиплексоров оптические фильтры, разделяющие различные длины волн.

В качестве демультиплексора могут применяться спектральные дифракционные


элементы, согласованные с несколькими длинами волн. Представляется
привлекательным рассмотреть также поперечные моды в качестве независимых
носителей информационных каналов вместо используемых продольных мод, а может
быть, и в дополнение к ним. Фундаментальным свойством мод является сохранение
структуры и взаимной ортогональности при распространении в среде что делает
возможным их разделение методами компьютерной оптики. Именно это свойство
поперечных мод является основой для построения систем связи с поперечно-модовым
уплотнением каналов. Интерес к поперечным модам как основе для реализации не
зависимых каналов передачи информации связан, во-первых, с постоянным повышением
качества производимых многомодовых волокон, во-вторых, с разработкой методов
качественного синтеза дифракционных оптических элементов — моданов, способных
эффективно формировать и селектировать поперечные моды лазерного излучения.
Общая теория построения телекоммуникационных систем с уплотнением каналов,
основанном на использовании поперечных мод, изложена в [4]. Отметим, что
селективное возбуждение поперечных мод оптоволокна позволит увеличить пропускную
способность линии связи не только за счет параллельной передачи нескольких каналов
по одному волокну, но и за счет решения проблемы уширения импульса, вызываемого
наличием межмодовой дисперсии [4]. В то же время существует ряд принципиальных
проблем, в силу которых поперечно-модовое уплотнение до сих пор не составило
конкуренции WDM- уплотнению:

-описанный в [4] подход, заключающийся в селекции гауссовых мод, применим к


градиентным волокнам с параболическим профилем. Однако существующие на данный
момент технологии изготовления таких волокон не позволяют реализовать заданный
профиль с качеством, необходимым для качественного каналирования гауссовых мод;

-в [4] предлагается использовать в качестве источника излучения газовый лазер, однако


в реальных волоконно-оптических линиях связи применяются полупроводниковые
лазеры, позволяющие достигать весьма высоких частот модуляции;

-в [4] предложено осуществлять передачу сигналов по каналам связи с помощью


возбуждения отдельных мод Гаусса-Эрмита или Гаусса-Лагерра в градиентных волокнах
с параболическим профилем. Однако сильное отличие амплитудного распределения мод
высокого порядка от амплитудного распределения в сечении выходного пучка газового
или полупроводникового лазера приводит к низкой энергетической эффективности
формирования моды.

Оптоволоконные датчики на основе селекции мод


Волоконно-оптические преобразователи в зависимости от физической основы
используемых в них явлений можно подразделить на два типа - интерференционные и
амплитудные. В преобразователях интерференционного типа используют, как правило,
два одномодовых световода, причем физическому воздействию подвергается один
световод, в то время как другой является опорным, и далее получают
интерференционную картину, расшифровав которую определяют величину физического
воздействия. В преобразователях амплитудного типа используют один многомодовый
световод. В таких преобразователях измеряют изменения амплитуды светового потока в
световоде в результате внешнего воздействия. Изменения амплитуды происходят из-за
перехода части энергии направляемых мод в неканали- руемые моды в результате
физического воздействия. Вид этих воздействий различен в различных
преобразователях. Но, независимо от вида воздействия, переход энергии в
неканалируемые моды будет осуществляться по-разному для различных мод. Для мод
более высоких порядков, то есть находящихся ближе к отсечке, энергия света
локализована ближе к границам сердечника световода и, следовательно, будет
переходить в неканалируемые моды при меньших величинах воздействий, чем для мод
более низких порядков. Именно на разной чувствительности разных мод к внешним
воздействиям в волоконно-оптических преобразователях ампли тудного типа и
базируется выигрыш в характеристиках преобразователей в результате введения в них
анализатора и формирователя по перечных мод. Здесь следует отметить, что применение
модовой фильтрации также позволяет добиться улучшения характеристик ин-
терференционных волоконно-оптических преобразователей. При этом используется
интерференция между модами одного световода, что позволяет упростить конструкцию
по сравнению с известными. Этот же принцип может использоваться и для контроля
профиля показателя преломления самого световода, что также является важной задачей.

16. Обратная задача теории дифракции. Численное


решение обратной задачи теории дифракции. Итерационные
методы решения обратной задачи теории дифракции.
17.
17.Технологии двух и трехмерного микро- и
наноструктурирования оптический материалов.
Для создания сложных многокомпонентных устройств интегральной
оптики, как правило, используют сочетание нескольких методов и технологий.
Для создания волноводных структур в большинстве случаев применяют
методы фотолитографии. Упрощенная схема технологического процесса
изготовления интегрально-оптического устройства показана на рис.1.
Начинается процесс с изготовления подложек и включает в себя изготовление
материала подложек, резки и шлифовки заготовок и окончательной их
полировки. Затем проводится изготовление слоев с высоким показателем
преломления и создание на подложке волноводов заданной конфигурации с
помощью фотолитографии.
Затем проводится изготовление согласующих и вспомогательных
слоев. Каждый из этих этапов включает в себя фотолитографию. При
создании слоев сложной конфигурации и многослойных конструкций
каждый этап может повторяться несколько раз (на рисунке повторы показаны
пунктиром).
Рис. 1. Технологический процесс изготовления интегрально-оптического
устройства

Методы фотолитографии

Принцип фотолитографии заключается в создании на поверхности


подложки защитной маски с заданным рисунком, соответствующим
формируемому оптическому узлу, например, волноводу. После этого
производится обработка подложки, например ее травление, через открытые
области маски. В процессе изготовления сложного интегрально-оптического
устройства часто приходится проводить фотолитографию многократно.
На рис. 2 показана упрощенная схема технологического процесса
фотолитографии.
Рис. 2. Технологический процесс фотолитографии

Технологический процесс состоит из четырех основных этапов:


изготовления фотошаблона, изготовления подложек с фоточувствительным
слоем (фоторезистом), экспонирования подложек с фоторезистом и
собственно литографического процесса. Так как от качества
фотолитографии зависит работоспособность интегрально-оптического
устройства, то на каждом шаге фотолитографического процесса
производится контроль результата и выявление дефектов и брака.
Наиболее перспективными методами получения структур с
субмикронными размерами элементов являются электронная и рентгеновская
литографии.
Рентгеновская литография
Рентгеновская литография является разновидностью оптической
бесконтактной печати, в которой для экспонирования используют «мягкие»
рентгеновские лучи длиной волны 0,4 – 12 нм, возбуждаемые с помощью
интенсивных электронных лучей. Несмотря на то, что при рентгеновской
литографии используется бесконтактная экспонирующая система,
проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины
волны рентгеновского излучения.
Для практической реализации технологий рентгеновской литографии
при производстве элементов с субмикронными размерами необходимы
потоки рентгеновского излучения с длиной волны (0,5 – 15) нм. Такие
параметры потоков рентгеновского излучения не могут быть получены с
использованием рентгеновских трубок или плазменных источников
излучения различного типа, однако легко достигаются на источниках
синхротронного излучения (СИ) - электронных синхротронах и накопителях,
где СИ генерируется как в поворотных магнитах, так и в специальных
вставных устройствах, размещаемых в прямолинейных промежутках
ускорителя.
Высокая интенсивность пучка СИ позволяет не только получать
высококачественные субмикронные изображения шаблонов в резистах за
малое время экспозиции, но и перейти к изготовлению литографическим
методом трехмерных микроструктур. Например, получать цилиндрические
отверстия диаметром от 0,1 мкм в полимерных пленках толщиной в
несколько десятков мкм. Такой литографический процесс получил название
глубокой рентгеновской литографии с синхротронным излучением, что
является первым этапом LIGA-технологии. LIGA-технология позволяет
изготавливать калиброванные микроструктуры и наноструктуры любых
форм и из любых материалов металлов, стекол, керамики для различных
изделий микромеханики, путем заполнения формы, полученные в полимерах,
металлами с помощью гальванических методов или формируя в таких
металлических формах структуры из стекол и керамик.

Электронная литография
В отличие от оптического и рентгеновского излучений поток
электронов не является электромагнитным излучением. Электрон несет
заряд, что позволяет формировать (фокусировать) и отклонять пучок
электронов с помощью электрических и магнитных полей. При попадании
быстродвижущихся электронов в слой электронорезиста они теряют часть
своей кинетической энергии за счет электростатического взаимодействия с
электронами, входящими в состав молекулы полимера При этом
возбужденные молекулы могут диссоциировать и образовывать свободные
радикалы. Таким образом, первичное воздействие электронов на полимер
проявляется в образовании ионов и свободных радикалов. Эти активные
группы в дальнейшем вступают в реакцию в зависимости от структуры
полимера. Существуют две основные возможности использования
электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью
нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование всего изображения
целиком (проекционные системы) и последовательное экспонирование
отдельных участков рисунка (сканирующие системы).
Реализовать потенциальные возможности ЭЛ можно лишь при
использовании специальных электронных резистов. Эти резисты
представляют собой растворы электроночувствительных веществ в
полимерах.
Технологии литографии
В основе литографических процессов лежит травление или
изменение физических и оптических свойств подложки через отверстия в
сформированной на ее поверхности маске. В результате травления на
подложке формируется рельефный рисунок, повторяющий рисунок маски.
В литографии применяют процессы влажного (химического) травления в
жидких средах и сухого травления в плазме.
Влажное химическое травление используется в литографии для
создания волноводов на поверхности стекол и полупроводников.
Процедура травления заключается в погружении подложек с масками из
фоторезиста в травящий раствор. Состав раствора, его температура и
продолжительность травления зависят от материала подложки, типа
фоторезиста, образующего маску и глубины травления. Для ускорения
процесса травления используют травление в ультразвуковом поле. Форма и
глубина вытравленных углубления зависит от площади отверстия в маске,
материала подложки, состава травителя. При литографии должны
использоваться растворы, которые воздействуют только на материал
подложки и не повреждают маску.
После завершения процесса травления маску из фоторезиста удаляют
путем растворения в ином растворителе. Подложку тщательно промывают,
высушивают и проводят контроль качества травления.
Под термином «плазменное травление» понимают процесс
контролируемого удаления материала с поверхности подложек под
воздействием частиц низкотемпературной плазмы. При использовании
плазменных (сухих) способов возможно совмещение операций травления
материала, удаления маски фоторезиста и очистки поверхности подложки в
одном технологическом цикле. При этом улучшаются качество обработки и
контроль проводимого технологического процесса.

Метод лазерной абляции


Взаимодействие импульсного лазерного излучения высокой
интенсивности с поверхностью твердого тела приводит к мгновенному
испарению (абляции) части вещества и образованию плазмы, состоящей из
атомов, ионов, электронов и кластеров вещества, разлетающихся с высокой
скоростью. Схематично метод показан на рис. 3.
Рис. 3. Испарение материала методом лазерной абляции

Импульсный лазерный луч с помощью объектива через окно в


вакуумной камере фокусируется на поверхность материала, находящегося в
охлаждаемом тигле. Испаряемое вещество в виде плазмы достигает
подложку и формирует на ней пленку. Метод лазерной абляции позволяет
испарять любые вещества независимо от их температуры плавления,
электропроводности и химического состава.

18.Приведение фазовой функции элемента к диапозону


[0,2pi]. Квантование фазовой функции. Расчет
дифракционного микрорельефа, пропускающего и
отражательного дифракционного оптического элемента.

Широкие возможности дифракционной оптики ограничены характеристиками


разрешения устройств расчет и генерации дифракционного микрорельефа ДОЭ.
Дискретизация по аргументам и квантование по уровням функции фазового пропускания,
приводит к отклонению характеристик ДОЭ от расчетных.

Рассмотрим технологию изготовления синтезированных ДОЭ с помощью


растровых генераторов изображений, управляемых компьютером. Вначале формулируется
математическая модель дискретизации и квантования. Далее рассматриваются свойства
возмущений дискретизации, квантования, и производится оценка погрешностей фазы
непосредственно во входной плоскости синтезированного ДОЭ. И, наконец, оценивается
структура поля в выходной плоскости, параллельной плоскости синтезированного
оптического элемента.

Все основные этапы синтеза фазовых ДОЭ с помощью компьютера так или иначе
связаны с дискретизацией и квантованием фазы. Гладка фаза 𝜑(𝑢, 𝑣) = 𝜑(𝑢)
рассчитывается в виде матрицы отсчетов (пикселов), приводится к интервалу [0,2*Pi*n), в
результате чего образуется приведенная фаза Ф(𝑢, 𝑣) = Ф(𝑢), значения которой затем
квантуются по М уровням и подаются для управления генератором фотошаблонов,
отображающим ее в виде вариаций плотности почернения: полутоновых или бинарных.
Далее следует технологический процесс формирования микрорельефа: полутоновые
фотошаблоны могут быть использованы для формирования непрерывного дифракционно-
фазового микрорельефа; набор бинарных фотошаблонов позволяет литографически
получить ступенчатый фазовый микрорельеф.

Возмущенная дискретизация и квантования являются принципиально


неустранимыми для оптических элементов, синтезируемых на компьютере, и подлежат
оценке.

Рассмотрим далее модель квантования значений фазы. При создании


фотошаблонов отсчеты фазы (пикселы) Фj подвергаются квантованию по М
2𝜋𝑚
эквидистантным уровням с постоянным шагом, ℎ𝑚 = ̂𝑗 ,
, и преобразуются в отсчеты Ф
𝑀

𝑗𝜖𝐽, квантованной фазы (рис. 1.57)

̂𝑗 = Ф
Ф ̂ (Ф𝑗 ).

Квантованные значения Ф ̂𝑗 являются управляющими сигналами растрового


генератора фотошаблонов. С учетом квантования фазы по уровням фазовая функция и
̂ (𝑢) = ∑𝑗∈𝐽 Ф
функции пропускания записываются, соответственно, в виде Ф ̂𝑗 𝐸𝑗 (𝑢), 𝑇̂𝑢 =
̂ (𝑢)].
𝑒𝑥𝑝[𝑖Ф

Приведение к интервалу [0, 2п]; приведение значений фазовой функции к


диапазону [0,2п]проводится используя обычное деление действительного числа на 2п по
модулю 2п.

Для фиксированной длины волны мод типа, приведение элемента к диапазону


[0,2pi), приводит к тому, что получается элемент с тем же функционалом, что и
дифракционный, для данной длины волны только, но гораздо более легче.

Квантование фазовой функции. Сделать непрерывный рельеф, получившийся в


результате приведения к диапазону от [0,2pi), технологически непросто, поэтому
приходится колдовать, что приводит к потерям. Теряем эффективность.

Расчет пропускающего и отражательного. В чем разница? Когда пропускающий,


разную фазовую задержку будет обеспечивать разная высота микрорельефа,
соответственно высота будет определяться 2 вещами: 1) обозначение фазовой функции в
этой точке 2) показателем преломления оптического материла. С отражающим сложнее.
Под углом падает пучок и за 2 прохода в воздухе приобретается разным набегом.
Излучение проходит в воздухе, форма микрорельефа не будет когерировать, но будет
когерировать угол, под которым падает пучок. Есть нюансы. Нюансы заключаются в том,
1) что когда мы создаем отражательный элемент, у нас неизбежно возникает маленькая
зона затемнения (место, из которого луч может не выйти). 2) Если не делать
принципиально идеально симметричный элемент, в случае пропускающего элемента, мы
можем использовать технологию изготовления идеально симметричных элементов, а вот
если делать отражающий элемент – не получится, потому что ваш идеально
симметричный профиль будет ЦПВС??.

19. Методы исследования элементов интегральной


оптики микросистемной техники
Для анализа диагностики элементов интегральной оптики и микросистемной техники
используются в основном три метода исследований. Каждый из них имеет свои достоинства и
недостатки, но лучше их применять в совокупности.

1. Микроинтерферометрия. Для контроля рельефа поверхности и оценки трехмерных


дефектов на поверхности наиболее пригодны методы интерферометрии. Основным прибором,
использующим интерферометрический принцип при измерениях высоты, глубины, профиля
элементов микроструктур и толщины пленок, является микроинтерферометр, принцип действия
которого основан на сравнении световых волн, получаемых при отражении когерентных пучков
света от контролируемой и эталонной поверхностей. Интерференционным способом производится
измерение неплоскостности стеклянных пластин фотошаблонов. Этому способствует высокая
чистота поверхности стекол, позволяющая получить чёткую интерференционную картину. Этим
способом исследуется поверхность полированных полупроводниковых пластин. С его помощью
может быть измерена неплоскостность (прогиб) пластин и некоторые поверхностные дефекты.
Контроль толщины диэлектрических плёнок интерференционными методами. В технологии
производства ИС для ЭА и СМЭ на основе кремния операция термического окисления стоит на
первом месте в цепи технологических операций по созданию топологического рисунка. Далее в
ходе изготовления ИС эта операция повторяется несколько раз. Толщина слоя диэлектрика редко
превышает 1 мкм и обычно находится в пределах 0,1-0,6 мкм. Учитывая задачу контроля
толщины, следует отметить, что стабилизация скорости термических процессов осаждения плёнок
технически сложна, и если возможна, то при наличии сигнала обратной связи, информирующего о
наращиваемой толщине. С учётом высоких температур и кислородной среды наиболее
перспективными для указанных процессов являются неконтактные оптические способы
измерений, использующие явление интерференции в плёнке: метод отражательной интерференции
с автоматическим отсчётом толщины плёнки и с визуальным цветовым контролем. Метод
отражательной интерференции основан на регистрации интерференции отраженных от подложки
с пленкой когерентных лучей света с известной длиной волны и определении толщины наносимой
пленки по интенсивности суммарного светового потока. Метод отражательной интерференции
основан на регистрации интерференции отраженных от подложки с пленкой когерентных лучей
света с известной длиной волны и определении толщины наносимой пленки по интенсивности
суммарного светового потока. Визуальный цветовой метод контроля. Цветовой метод контроля
основан на свойстве тонких прозрачных плёнок, нанесённых на отражающую подложку, изменять
свой цвет в зависимости от толщины. В основе этого свойства лежит интерференция световых
лучей, отражённых от границы раздела «окружающая среда-плёнка» и «плёнка-подложка»,
усиливающая световые лучи определенного цвета и гасящая лучи света другого цвета. Данный
метод нашёл широкое применение в микроэлектронном производстве благодаря простоте и
оперативности контроля. Особенно эффективным цветовой метод является в условиях массового
производства при известном технологическом режиме наращивания плёнки. Контроль
производится на воздухе после изъятия полупроводниковых пластин из технологической камеры
при воспроизводимых условиях освещения и наблюдения.

2. Сканирующие зондовые микроскопы (СЗМ, англ. SPM — Scanning Probe Microscope) —


класс микроскопов для получения изображения поверхности и её локальных характеристик.
Процесс построения изображения основан на сканировании поверхности зондом. В общем случае
позволяет получить трёхмерное изображение поверхности (топографию) с высоким разрешением.
Сканирующий зондовый микроскоп в современном виде изобретен (принципы этого класса
приборов были заложены ранее другими исследователями) Гердом Карлом Биннигом и Генрихом
Рорером в 1981 году. За это изобретение были удостоены Нобелевской премии по
физике в 1986 году, которая была разделена между ними и изобретателем просвечивающего
электронного микроскопа Э. Руска. Отличительной особенностью СЗМ является наличие:
 зонда,
 системы перемещения зонда относительно образца по 2-м (X-Y) или 3-м (X-Y-Z)
координатам,
 регистрирующей системы.
Регистрирующая система фиксирует значение функции, зависящей от расстояния зонд-
образца. Обычно регистрируемое значение обрабатывается системой отрицательной обратной
связи, которая управляет положением образца или зонда по одной из координат (Z). В качестве
системы обратной связи чаще всего используется ПИД-регулятор.

Основные типы сканирующих зондовых микроскопов:

 Сканирующий атомно-силовой микроскоп


 Сканирующий туннельный микроскоп
 Ближнепольный оптический микроскоп
Работа сканирующего зондового микроскопа основана на взаимодействии поверхности
образца с зондом (кантилевер, игла или оптический зонд). При малом расстоянии между
поверхностью и зондом действие сил взаимодействия (отталкивания, притяжения, и других сил) и
проявление различных эффектов (например, туннелирование электронов) можно зафиксировать с
помощью современных средств регистрации. Для регистрации используют различные типы
сенсоров, чувствительность которых позволяет зафиксировать малые по величине возмущения.
Для получения полноценного растрового изображения используют различные устройства
развертки по осям X и Y (например, пьезотрубки, плоскопараллельные сканеры).

Основные технические сложности при создании сканирующего зондового микроскопа:

 Конец зонда должен иметь размеры сопоставимые с исследуемыми объектами.

 Обеспечение механической (в том числе тепловой и вибрационной) стабильности на


уровне лучше 0,1 ангстрема.
 Детекторы должны надежно фиксировать малые по величине возмущения
регистрируемого параметра.
 Создание прецизионной системы развёртки.

 Обеспечение плавного сближения зонда с поверхностью.

3. Электронная микроскопия — это метод исследования структур, находящихся вне


пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона (от 1 мк до
1—5 Å).
Действие электронного микроскопа основано на использовании направленного потока электронов,
который выполняет роль светового луча в световом микроскопе, а роль линз играют магниты
(магнитные линзы). Вследствие того, что различные участки исследуемого объекта по-разному
задерживают электроны, на экране электронного микроскопа получается черно-белое
изображение изучаемого объекта, увеличенное в десятки и сотни тысяч раз.

ЭМ -совокупность электронно-зондовых методов исследования микроструктуры твердых


тел, их локального состава и микрополей (электрических, магнитных и др.) с помощью
электронных микроскопов (ЭМ) - приборов, в которых для получения увеличенных изображений
используют электронный пучок. Электронная микроскопия включает также методики подготовки
изучаемых объектов, обработки и анализа результирующей информации. Различают два главных
направления электронной микроскопии: трансмиссионную (просвечивающую) и растровую
(сканирующую), основанных на использовании соответствующих типов ЭМ. Они дают
качественно различную информацию об объекте исследования и часто применяются совместно.
Известны также отражательная, эмиссионная, оже-электронная, лоренцова и иные виды
электронной микроскопии, реализуемые, как правило, с помощью приставок к трансмиссионным
и растровым ЭМ.

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных


(просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ; рис. 1), в которых тонкопленочный объект
просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны,
отклоненные атомами объекта на малые углы и прошедшие сквозь него с небольшими
энергетическими потерями, попадают в систему магнитных линз, которые формируют на
люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутренней структуры.
При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 х
106 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра которых в значит,
степени зависит контраст изображения. При изучении сильнорассеивающих объектов более
информативны темнопольные изображения.

Разрешение и информативность ТЭМ-изображений во многом определяются


характеристиками объекта и способом его подготовки. При исследовании тонких пленок и срезов
полимерных материалов и биологических тканей контраст возрастает пропорционально их
толщине, но одновременно снижается разрешение. Поэтому применяют очень тонкие (не более
0,01 мкм) пленки и срезы, повышая их контраст обработкой соединениями тяжелых металлов (Os,
U, Pb и др.), которые избирательно взаимодействуют с компонентами микроструктуры
(химическое контрастирование). Ультратонкие срезы полимерных материалов (10-100 нм)
получают с помощью ультрамикротомов, а пористые и волокнистые материалы предварительно
пропитывают и заливают в эпоксидные компаунды. Металлы исследуют в виде получаемой
химическим или ионным травлением ультратонкой фольги. Для изучения формы и размеров
микрочастиц (микрокристаллы, аэрозоли, вирусы, макромолекулы) их наносят в виде суспензий
либо аэрозолей на пленки-подложки из формвара (поливинилформаль) или аморфного С,
проницаемые для электронного луча, и контрастируют методом оттенения или негативного
контрастирования. ТЭМ обеспечивает также получение дифракционных картин (электронограмм),
позволяющих судить о кристаллической структуре объектов и точно измерять параметры
кристаллических решеток. Всочетании с непосредственными наблюдениями кристаллических
решеток в высокоразрешающих ТЭМ данный метод - одно из основных средств исследования
ультратонкой структуры твердого тела.

Растровая (сканирующая) микроскопия. В растровых электронных микроскопах (РЭМ;


рис. 2) электронный луч, сжатый магнитными линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует
поверхность образца, формируя на ней растр из нескольких тысяч параллельных линий.
Возникающее при электронной бомбардировке поверхности вторичные излучения (вторичная
эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются различными детекторами и
преобразуются в видеосигналы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в
колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение,
представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по
сканируемой площади объекта. Увеличение РЭМ определяется как М = L/l, где L и l - длины
линий сканирования на экране ЭЛТ и на поверхности образца. В технических исследованиях
используется также регистрация поглощенных электронов в сочетании с приложением рабочих
напряжений к изучаемому транзистору или интегральной схеме. Это позволяет получать
изображение, отвечающее распределению электрических потенциалов, и таким образом
выявлять микродефекты в элементах схемы. При этом можно прерывать первичный электронный
луч с высокой частотой и визуализировать прохождение по схеме высокочастотных сигналов.

С помощью соответствующих детекторных систем и спектрометров в РЭМ можно


регистрировать электромагнитные излучения: катодолюминесценцию, тормозное и
характеристические рентгеновские излучения, а также оже-электроны. Получаемые при этом
изображения и спектры дают количеств, информацию о локальном элементном составе
поверхностных слоев образца и широко применяются в материаловедении.

Для изучения структуры поверхности посредством РЭМ к образцу предъявляется ряд


требований. Прежде всего, его поверхность должна быть электропроводящей, чтобы исключить
помехи за счет накопления поверхностного заряда при сканировании. Кроме того, нужно всемерно
повышать отношение сигнал/шум, которое наряду с параметрами оптической системы определяет
разрешение. Поэтому перед исследованием на диэлектрические поверхности путем вакуумного
испарения или ионного распыления наносят тонкую (15-20 нм) однородную пленку металла с
высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии (Au, Au-Pd, Pt-Pd). Биологические
объекты, содержащие, как правило, большое количество воды, перед нанесением покрытия
необходимо зафиксировать специальной химической обработкой и высушить, сохранив
естественный микрорельеф поверхности (сушка в критической точке с использованием
сжиженных СО2 и N2O, хладонов или вакуумнокриогенными методами).

Разрешающая способность РЭМ определяется многими факторами, зависящими как от


конструкции прибора, так и от природы исследуемого объекта. Если образец электро- и
теплопроводен, однороден по составу и не обладает приповерхностной пористостью, в РЭМ с
вольфрамовыми электродами достигается разрешение 5-7 нм, в РЭМ с электронными пушками на
полевой эмиссии - 1,0-1,5 нм.