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CAPÍTULO
1
1.1 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA
El 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica fue testigo del desarrollo de una tecnología
completamente nueva, donde Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto
amplificador del primer transistor en los laboratorios de la Bell Telephone. El transistor es un
dispositivo semiconductor de 3 capas compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de
tipo p, o 2 capas de material tipo p y un tipo n, denominándose transistor npn o pnp.
Símbolo:
Para que el transistor esté apto para amplificar debe cumplir las siguientes condiciones:
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 1
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Vcc
2N3904
RC
RB1 CC
+
CB
+
Q1
Vin +
1kHz RB2 RL
+
RE
CE
CB, C C : Son capacitores que permiten bloquear la componente de continua de la fuente VCC hacia
el generador (C B) y hacia la carga R L (C C).
El circuito equivalente empleando parámetros [T] del TBJ en la configuración E.C es la presentada
en la siguiente figura:
𝑖𝑏 𝐼𝐶
𝐵 𝐶
𝛽𝑖𝑏 𝑟´𝑐 = 𝑟𝑐 (1 − 𝛼)
𝑟𝑏
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑂
𝑟𝑒
𝑖𝑒
𝐸
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ING.Fig. 1.3 Representación
TARQUINO SÁNCHEZ del circuito emisor común utilizando parámetros T.2
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
𝑉
𝑟
𝐼
Donde:
K: Constante de Boltzman
-–9
q: carga del electrón y es igual 1.6 *10
𝑟 Resistencia dinámica de la
𝑟 Decenas de (despreciable)
Si se considera que:
𝑟 𝑟
𝑟 𝑖 𝐼
𝐵
𝐶
𝛽𝑖 𝑟 =𝑟 −𝛼
𝑟
𝑉
𝑟
𝑖
𝐸
_______________________________________________________________________________________________________
ING. TARQUINO SÁNCHEZ 3
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
𝑖
𝑒 𝛽
𝑖
Ganancia de voltaje, se define como la relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada y
se lo representa por
𝑉 𝛽
−
𝑉 𝛽 𝑟
− Si 𝛽 𝛽
𝑖𝑒 𝛽 𝑟
Impedancia de entrada:
Como
Cálculo :
−
𝑟
_______________________________________________________________________________________________________
ING. TARQUINO SÁNCHEZ 4
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
𝐶
𝑟
1.1.1.3 Análisis del amplificador E.C. sin CE.
𝑖 𝐼
𝐵
𝐶
𝛽𝑖
𝑟
𝑉 𝑉
𝑟
𝑖
𝐸
Ganancia de Corriente
𝑖
𝑒 𝛽
𝑖
Ganancia de voltaje
𝑉 𝛽
𝑉 𝛽 𝑟
− Si 𝛽 𝛽
𝑖𝑒 𝛽 𝑟
Impedancia de entrada:
𝑒
_______________________________________________________________________________________________________
ING. TARQUINO SÁNCHEZ 5
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Como
RE1
CE
RE2
Para DC:
Para AC:
𝛽
Para el cálculo del :
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 6
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Vcc
2N3904
RC
RB1 CC
+
CB
+
Q1
Vin +
1kHz RB2
RE1 RL 𝑉
+
RE2 CE
DC 𝑉
DC 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉
𝑉 + 𝑉
𝑉𝑖𝑛
DC 𝑉
𝐼
Limite mínimo para Vin
AC 𝑂 para enviar recortes
𝐼
_______________________________________________________________________________________________________
DC 𝑂
ING. TARQUINO SÁNCHEZ t
7
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
1) 𝑉 𝑉 𝑉𝑖𝑛 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
𝐼 𝐼
𝐼 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
3) Se garantiza que no haya distorsión debido a la corriente de emisor.
𝐼 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉𝑖𝑛 𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
EJERCICIO 1
Diseñe un amplificador en emisor común que cumpla con los siguientes datos:
R1 R3 C2
30k 1.3k 1.8uF
C1
1.5uF
Q1
V1 NPN
+ V2
-150m/150mV
R4 R6 16V
30k 4.7k
R2
1kHz 4.7k R5 C3
240 68uF
ANÁLISIS
Z IN R
re RE L
1 AV
2k 3.9k
re RE 19.8 re RE 156
101 25
Es posible diseñar con los datos del problema.
DISEÑO
re R E 30
Escojo
RL AV (re RE ) 25(30) 750k
RL .RL 750(3.9k)
RC k RC 1k
RL RL 3.9k 750
1K(3.9 K)
RL RC RL 796 K
1K 3.9 K
^
R .V 1k(25)(0.2)(1.1)
VRC C O 6.9V VRC 7V
RL 796k
V 7V
I E I C RC 7mA
RC 1.k I 7mA
IB C 69.3A
101
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 9
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
26mV 26mV
re 3.71
IE 7mA
^ ^
VCE VO Vi VCE min 25(0.2) 0.2 2 7.2V VCE 7.5V
R 796
R E L re 3.71 28.13 R E 30
Av 25
V 5.7V
RE E 814.3
IE 7 mA
R E R E R E 814.3 30 784.3 R E 750
VCC VRC VCE VE 7V 7.5V 5.7V 20.2V VCC 20V
RB1 * RB 2 18k(9.1k)
RBB 6.04 K
RB1 RB 2 18k 9.1k
Z INT 1(re RE ) (101)3.71 30 3.4.k
6.04k(3.4k)
Z IN RBB || Z INT 2.17 k El resultado está dentro lo esperado Z IN 2k
6.04k 3.4k
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 10
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
CÁLCULO DE CAPACITORES
10 10
CB 0.47 F C B 1F
2f min Z IN 2 .1kHz.3.4k
10 10
CC 1.56F C C 1.8F
2f min RL 2 .1kHz.1.02k
10 10
CE 45.7 F C B 68F
2f min (re RE ) 2 .1kHz.(4.83 30)
COMPROBACIÓN
RL 1.02k
AV AV 29.3
re RE 4.83 30
Falta 2 jercicio 14 15
CASO 1
RC Cc
RB1
+ Vcc
CE V2
-100m/100mV RL
RB2
1kHz
CB RE
Ganancia de corriente:
𝑖
𝑖
𝑖
Ganancia de Voltaje:
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 11
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
RL RL
AV
RBB // X CB re
re
1
Z INT re
Impedancia de entrada:
Z IN RE Z INT
Capacitores:
𝑐𝑐
𝑐𝑒 𝑖𝑛
𝑐𝐵 𝑟𝑒 1
RC Cc
RB1
+ Vcc
CE V2
-100m/100mV RL
RB2
1kHz
RE
El circuito equivalente empleando parámetros [T] del TBJ en la configuración Base Común es la
presentada en la siguiente figura, que nos permite obtener las ecuaciones de ganancias e
impedancias.
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 12
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
ib ic
B C
Is1
100mA
Bib
RBB ie RL Vo
re
E Vin
RE
Ganancia de corriente:
𝑖
𝑖
𝑖
Ganancia de Voltaje:
RL R
AV L
R Z INT
re BB
1
RBB
Z INT re
1
Impedancia de entrada:
Z IN RE Z INT
Impedancia de Salida:
Z o RL ' Z OT
Z o RL '
Capacitores:
10
CC
2f min RL
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 13
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
10
CE
2f min Z IN
CRITERIOS DE DISEÑO:
^
R .V
VRC C O
RL
^ ^
VCE VO Vi VCE min
VE 1
VCE min 2V
EJERCICIO 3:
Diseñe un amplificador en base común que cumpla con los siguientes datos:
|Av|=20 ; RL=1k ; ZIN ≥ 100 ; fmin = 1kHz ; Vin = 0.1senwt ; Bmin = 100.
RB1 RC
91k 5.6k
Cc
1uF
Q1
2N3904
+ V1
Ce 15V
12uF RL
V2 6.8k
RB2 -200m/200mV
15k
RE 1kHz
3.3k
Z IN = R E || Z INT
Si R E >> Z INT Z IN Z INT
R′L R′ R′L
AV = = L Z INT =
R Z INT AV
re + BB
β +1
R′ R 1kΩ
Z INT max = L max = L Z IN = = 50 Z INT max no es mayor que Z IN
AV AV 20
∴ No es posible diseñar con los datos del problema.
Cambio R L a 6.8kΩ y empiezo a diseñar el amplificad or solicitado :
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 14
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
VRC 6V IC 1mA
IE = IC = = = 1mA ⇒IB = = = 10μA
RC 5.6kΩ β 100
^ ^
⇒VCE ≥ VO Vi + VCE min = 20(0.1) 0.1 + 2 = 3.9V
VRB1 9.2V
⇒I1 = 11IB = 11(10μA) = 0.11mA ⇒R B1 = = = 83.6kΩ ⇒R B1 = 91kΩ
I1 0.11mA
Escojo un VE 3V
VE 3V
⇒ RE 3k ⇒ R E 3.3k
I E 1mA
Recalculan do VE :
⇒ VE I E .RE 1mA(3.3k) 3.3V
VT 26mV RL R
re 26 ⇒ A V ⇒ R BB L re ( 1)
IE 1mA R AV
re BB
1
3k
⇒ RBB 26 (101) 12.52k ⇒ R BB 12k
20
R .R 91k(12k)
⇒ RB 2 B1 BB 13.82k ⇒ R B2 15k
RB1 RBB 91k 12k
Re calculando R BB :
91k(15k)
⇒ RBB RB1 || RB 2 12.88k
91k 15k
⇒ VB VE VBE 3.3V 0.7V 4V
⇒ VCC VRC VCE VE 6V 3.9V 4V 13.9V ⇒ VCC 15V
R 12.88k
⇒ Z INT re BB 26 153.52
1 101
3.3k(153.52)
⇒ Z IN RE || Z INT 146.7
3.3k 153.52
Cálculo de condesador es :
10 10
CC ≥ 0.53F ⇒ C C 1F
2f min RL 2 .1kHz.3k
10 10
CE ≥ 10 F ⇒ C E 12F
2f min Z IN 2 .1kHz.146.7
Comprobación :
R 12.88k
⇒ Z INT re BB 26 153.52
1 101
3.3k(153.52)
⇒ Z IN RE || Z INT 146.7
3.3k 153.52
a)
Vcc
RB1 CC
+
CB
Q1
+
CE
Vin +
1kHz RB2 RL
RE
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 16
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
b) 2N3904
Vcc
RB1 RC
CC
+
CB
Q1
+
CE
Vin +
1kHz RB2 RL
RE
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 17
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
ib ic
B C
Is1
100mA
Bib
RBB ie RL Vo
re
E Vin
RE
Impedancia de entrada:
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 18
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Cálculo de condensadores:
EJERCICIO 4
Diseñe un amplificador en colector común que cumpla con los siguientes datos:
RL=1.8k ; ZIN ≥ 2k ; fmin = 1kHz ; Vin = 3.5senwt ; Bmin = 100.
RB1
5.6k
V1
-5/5V CB
1uF
+ Q1 + V2
NPN CE 10V
1kHz 4.7uF
+
A
RB2 RE RL
9.1k 1k 1.8k
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 19
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Z IN = Z INT || R BB
Z INT = (β + 1)(re + R ′L )
Como la condición es : Z IN = Z INT || R BB ≥ 2k
Si R BB >> Z INT Z IN Z INT ≥ 1.5k (β + 1)(re + R ′L ) ≥ 2k
2k 2k
Si re << R ′L R ′L > > > 19.8Ω
(β + 1) 101
R ′L .R L 2.2kΩ(19.8Ω)
R ′L = R L || R E RE = = =Ω R E > 19.99Ω
R L R ′L 2.2kΩ 19.8Ω
RE ^
Como VE debe ser : VE ≥ 1 ∧ VE ≥ VO
R ′L
Entoncesasumo R E = 390Ω
390Ω(2.2kΩ)
⇒R ′L = R L || R E = = 38.32Ω
390Ω + 2.2kΩ
RE ^ 38.32Ω(3.5)
⇒VE ≥ VO = * 1.1 = 3.85V
R ′L 38.32Ω
VE = 4 V
VE 4V IE 4.4mA
⇒I C = I E = = = mA ⇒I B = = = 54.3μA
RE 39Ω β 80
⇒VCC = 2 VE = 2(4 V) = 8 V
⇒VB = VBE + VE = 0.7 V + 4 V = 4.7 V
VB 4.7 V 4.7 V
⇒R B 2 = = = = 8.66kΩ ⇒R B 2 = 9.1kΩ
I2 10(I B ) 10(54.3μA)
Recalculan do I 2 :
VB 4.7 V
I2 = = = 0.52mA ⇒I1 = I 2 + I B = 0.52mA + 54.3μA = 0.57mA
R B2 9.1kΩ
VCC VB 8 V 4.7 V
⇒R B1 = = = 5.7kΩ ⇒R B1 = 5.6kΩ
I1 057mA
9.1kΩ(5.6kΩ)
⇒R BB = R B1 || R B 2 = = 3.5kΩ
9.1kΩ + 5..6kΩ
VT 26mV
⇒re = = = 5.9Ω
IE 4.4mA
⇒Z INT = (β + 1)(re + R ′L ) = 81(5.9 + 604Ω) = 49.4kΩ
3.5kΩ(49.4kΩ)
⇒Z IN = R BB || Z INT = = 3.27kΩ
3.5Ω + 49.4k
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 20
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Cálculo de condesadores :
10 10
CE ≥ = = 0.49μF ⇒C C = 1.5μF
2πfminR′L 2π.1kHz.604Ω
10 10
CB ≥ = = 2.64μF ⇒CE = 68μF
2πfminZ IN 2π.1kHz.3.27k
Comprobación :
⇒Z INT = (β + 1)(re + R′L ) = 121(6.24 + 1.2kΩ) = 146k
2.5kΩ(146k )
⇒Z IN = R BB || Z INT = = 2.46k ∴El resultado está dentro lo esperado Z IN ≥1.5k
2.5kΩ + 146k
R′L 1.2kΩ
⇒ AV = ⇒ AV = = 0.99 Que se acerca a la ganancia esperada.
re + R′L 6.24 + 1.2kΩ
AV = 1
EJERCICIO 5
Diseñar un amplificador en colector común que cumpla con las siguientes condiciones:
𝑖𝑛 𝑒𝑛
RB1
𝑖𝑛 15k
CB Q1
𝛽 𝑖𝑛 1uF 2N3904
CE + Vcc
+
V2 1.8uF 9V
𝑖𝑛 -2/2V +
RB2
1.2kHz 22k RE RL
1.8k 3.9k
𝑖𝑛 𝛽 𝑟𝑒
𝑖𝑛 𝑖𝑛 𝐵 𝑖𝑛
𝑟𝑒
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 21
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
𝑖 𝑟𝑒
𝐸
− −
𝐸
𝑉𝐸 𝑉
𝑉𝐸
𝑉𝑐𝑐 𝑉𝐸
𝑉𝐸
𝐼𝐸
𝐸
𝑉𝐵 𝑉𝐸 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸
𝐼𝐵
𝛽
𝐼 𝐼𝐵 𝐼
𝑉 𝐵
𝐵
𝐼
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵 −
𝐵
𝐼
𝐵𝐵 𝐵 𝐵
𝐵𝐵
𝑖𝑛 𝛽 )(re+R )
𝑟𝑒
𝑖𝑛
𝑖𝑛 𝑖𝑛 𝐵𝐵
𝑖𝑛
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 22
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Cálculo de Capacitores:
𝐶𝐵
𝐶𝐵
𝐶𝐸
𝐶𝐵
Comprobación:
𝐸
Alta Alta
𝛼=1 𝛽 𝛽
Pequeña
EJERCICIOS PROPUESTOS
1) Diseñar un amplificador en E.C que permita 30 veces la señal de entrada Vi=50 sen wt (V). Si
la carga es 1 k , para efecto se dispone e un TBJ npn de silicio con = 50, = 80 y
= 100. La frecuencia mínima de trabajo es 1khz. Y la máxima de 20 khz.
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 23
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
𝑉 𝑒𝑛 𝑉 𝛽
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
𝑉 𝑉
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 24