Preparatorio: DISEÑO DE AMPLIFICADOR

CON TBJ

Resumen – En este documento se pretende investigar la infor-

mación relacionada con el diseño de un amplificador en emisor
común para su posterior diseño.

I. OBJETIVOS
 Diseñar amplificador en configuración de Emisor
Común, utilizando un TBJ en base a criterios de
diseño.

II. . TRABAJO PREPARATORIO

A. Consultar los criterios de diseño para el amplificador en
configuración de Emisor Común.
Cálculo de capacitores
Con el capacitor de Base: Se debe cumplir que Zin XCB por
lo que el capacitor de base debe cumplir la siguiente
expresión:
10
𝐶𝐵 ≥ B. Consultar el procedimiento de diseño para el amplificador
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛𝑍𝑚𝑖𝑛
Con el capacitor de colector. en configuración de Emisor Común.
Se debe cumplir que RL XCC por lo que el capacitor del Para poder diseñar un circuito amplificador se necesita
colector debe cumplir la siguiente expresión: comenzar calculando los respectivos valores de las resistencias
y luego de los capacitores. Se inicia determinando el valor
10 de Rc a través de la siguiente desigualdad:
𝐶𝐶 ≥
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛𝑅𝑙
Con el capacitor de emisor. 𝑅𝑐
≥1
𝑅𝑙´
10 Después, se debe calcular VRC por medio de la siguiente
𝐶𝐸 ≥ relación:
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛𝑅𝐸1
𝑅𝑐
𝑉𝑅𝐶 = 𝑉
Condiciones de recorte. 𝑅𝑙´ 𝑜𝑢𝑡
Existe recorte en el mismo semiciclo positivo cuando 𝑉𝑜𝑝𝑖𝑐𝑜 ≥
𝐼𝑐𝑅𝑙. En otras palabras, se puede expresar esta condición de la
siguiente manera. Donde adicionalmente se calculará una tolerancia del 20%.
𝐼𝑐𝑅𝑙. Para poder calcular VCE se debe colocar un voltaje de guarda
𝑉𝑖𝑛 < para evitar el solapamiento de las señales de entrada y salida.
|𝐴𝑣| Se puede determinar VCE de la siguiente manera:
Por lo que se debe evitar cumplir esta condición.
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑜𝑢𝑡 + 𝑉𝑖𝑛 + 𝑉𝑔𝑢𝑎𝑟𝑑𝑎
También existe recorte cuando se cumple la siguiente
expresión ya que el voltaje de entrada se solapa con el voltaje El valor de IE se puede determinar por medio del uso de las
de salida. relaciones de corriente en el transistor o se puede aproximar
que IC ͌ IE. Después de realizar esto se aproxima VE a un
valor mayor o igual al valor máximo del voltaje de entrada y
una vez se establece este valor se calcula RE con la ley de
Ohm.
Después de esto se puede determinar VB a través de la
𝑉𝐶𝐸 siguiente relación:
𝑉𝑖𝑛 > 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
|𝐴𝑣| + 1
Y se puede tener IBmax con las relaciones de corriente. Luego
se puede obtener el valor de Vcc por medio del uso de la
siguiente relación:

𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝐼𝐶 𝑅𝑐 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
Se determina el valor de RB2 y a partir de este y el valor de
Vcc se puede obtener el valor de RB1.
Finalmente, para obtener los valores de RE1 y RE2 se calcula
el valor de la resistencia dinámica del transistor y por medio la
siguiente relación:
𝑅𝐿′
𝑅𝐸1 = − 𝑟𝐸
𝐴𝑣
Para calcular RE2 basta con restar el valor de RE el valor de
RE1.
Para poder obtener el valor de los capacitores
correspondientes se debe usar las ecuaciones indicadas
anteriormente.
C. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración de
Emisor Común que cumpla con las siguientes condiciones
(frecuencia de operación: 1.5 kHz):

Procedimiento del diseño en Anexo 1.

D. Realizar las simulaciones del circuito diseñado, presentar

las formas de onda de entrada y salida en papel milimetrado,
las formas de onda en los terminales del TBJ y una tabla de
los valores DC que considere que debería tomar en
simulación para poder comparar con la práctica del diseño.
Expresión Valor
IE 1.19mA
IB 10.4uA
IC 1.31mA
VB 1.96V
VC 6.45V
VE 1.33V
VCE 5.24V
Vcc 8.5V

Simulaciones y graficas de ondas en Anexo 2 y 3

respectivamente.
BIBLIOGRAFIA
[1] Boylestad y Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos
y Dispositivos electrónicos, México: PEARSON
EDUCACION, 2004.