Universidad Nacional de Ingeniería

Trabajo de:
Electrónica Analógica.

Fecha: 18/12/2019

Elaborado por:
Samuel Josué martinez Espinoza.

Prof:
Héctor López.
Cuestiones
5. ¿Cuántos electrones de valencia
1. ¿Cuántos protones contiene el tiene un átomo de silicio? 9. Un semiconductor intrínseco tiene
núcleo de un átomo de cobre? algunos huecos a temperatura am-
a. 0 biente. ¿Qué causa estos huecos?
a. 1
b. 1 a. dopaje
b. 4
c. 18 c. 2 b. electrones libres
d. 29 d. 4 c. energía térmica
6. ¿Cuál es el semiconductor d. electrones de valencia
2. La carga neta de un átomo
de cobre neutro es cuyo uso está más extendido?
10. Cuando un electrón se mueve a un
a. 0 a. Cobre orbital de nivel mayor, su nivel de
b. +1 b. Germanio energía con respecto al núcleo
c. 21 c. Silicio a. aumenta
d. 14 d. Ninguno de los anteriores b. disminuye
c. permanece igual
3. Suponiendo que se elimina el 7. ¿Cuántos protones contiene el
núcleo de un átomo de silicio? d. depende del tipo de átomo
electrón de valencia de un átomo de
cobre. La carga neta del átomo será a. 4 11. La unión de un electrón libre
a. 0 b. 14 y de un hueco se denomina
b. +1 c. 29 a. enlace covalente
c. 21 d. 32 b. tiempo de vida
d. 14 c. recombinación
8. Los átomos de silicio se d. energía térmica
4. ¿Qué tipo de atracción experimenta combinan formando un patrón
el electrón de valencia de un átomo ordenado denominado 12. A temperatura ambiente, un
de cobre hacia el núcleo? a. enlace covalente cris-tal de silicio intrínseco se
comporta de manera similar a
a. ninguna b. cristal
a. una batería
b. débil c. semiconductor
b. un conductor
c. fuerte d. orbital de valencia
c. un aislante
d. imposible saberlo

d. un fragmento de cable de cobre

 5
1
13. El tiempo transcurrido entre
la creación de un hueco y su 21. A la temperatura de cero absoluto,
desa-parición se denomina un semiconductor intrínseco tiene 29. ¿En qué tipo de
a. dopaje a. pocos electrones libres semiconductor los portadores
b. tiempo de vida b. muchos huecos minoritarios son electrones?
c. recombinación c. muchos electrones libres a. extrínseco
d. valencia d. ni huecos ni electrones libres b. intrínseco
c. tipo n
14. El electrón de valencia de un con-
ductor también se puede llamar 22. A temperatura ambiente, un d. tipo p
semi-conductor intrínseco tiene
a. electrón de enlace
a. unos pocos electrones 30. ¿Cuántos electrones libres contie-
b. electrón libre libres y huecos ne un semiconductor de tipo P?
c. núcleo b. muchos huecos a. Muchos
d. protón c. muchos electrones libres b. Ninguno
15. ¿Cuántos tipos de flujo tiene d. ningún hueco c. Sólo los producidos por
un conductor? la energía térmica
a. 1 23. El número de electrones libres y
huecos en un semiconductor in-
d. Los mismos que huecos
b. 2 trínseco disminuye cuando la
c. 3 temperatura 31. La plata es el mejor conductor.
¿Cuántos electrones de
d. 4 a. disminuye valencia cree que tiene?
16. ¿Cuántos tipos de flujo tiene b. aumenta a. 1
un semiconductor? c. no varía b. 4
a. 1 d. Ninguna de las anteriores c. 18
b. 2 d. 29
24. El flujo de los electrones de va-
c. 3 lencia hacia la derecha indica que
d. 4 los huecos se mueven hacia 32. Suponiendo que un
a. la izquierda semiconductor intrínseco tiene
17. Cuando se aplica una tensión a un 1000 de millones de electrones
semiconductor, los huecos fluyen b. la derecha libres a temperatura ambiente,
a. alejándose del potencial negativo c. cualquier lado si la temperatura disminuye a
b. hacia el potencial positivo d. Ninguna de las anteriores 0°C, ¿cuántos huecos tendrá?
c. en el circuito externo a. Menos de 1000 millones
25. Los huecos son como b. 1000 millones
d. Ninguna de las anteriores
a. átomos c. Más de 1000 millones
18. En un material semiconductor, b. cristales
el orbital de valencia se satura d. Imposible decirlo
cuando contiene c. cargas negativas
a. 1 electrón d. cargas positivas 33. Se aplica una fuente de tensión
externa a un semiconductor de tipo
b. Los mismos iones (1) y (2) P. Si el extermo izquierdo del cristal
26. ¿Cuántos electrones de valencia
c. 4 electrones tienen los átomos trivalentes? es positivo, ¿cómo fluyen los
d. 8 electrones a. 1 portadores mayoritarios?
b. 3 a. Hacia la izquierda
19. En un semiconductor intrínseco, el
número de huecos es c. 4 b. Hacia la derecha
a. igual al número de electrones d. 5 c. No fluyen
libres d. Imposible decirlo
b. mayor que el número de 27. ¿Cuántos electrones de valencia
electrones libres tiene un átomo aceptor? 34. ¿Cuál de las siguientes respuestas
a. 1 no se ajusta al grupo?
c. menor que el número de
electrones libres b. 3 a. Conductor
d. Ninguna de las anteriores c. 4 b. Semiconductor
d. 5 c. Cuatro electrones de valencia
20. La temperatura de cero
absoluto es igual a d. Estructura de cristal
a. -273°C 28. Para producir un semiconductor de
tipo N, ¿qué utilizaría? 35. ¿Cuál de las temperaturas siguien-
b. 0°C tes es aproximadamente igual a la
a. Átomos aceptores
c. 25°C temperatura ambiente?
b. Átomos donantes a. 0°C
d. 50°C
c. Impurezas pentavalentes b. 25°C
d. Silicio
c. 50°C
d. 75°C
 Capítulo 2

36. ¿Cuántos electrones hay en el or- d. Iones d. no conduzca

bital de valencia de un átomo de si-
licio que está dentro de un cristal?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14
37. Los iones negativos son
átomos que han
a. ganado un protón
b. perdido un protón
c. ganado un electrón
d. perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes
términos describe a un
semiconductor de tipo N?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor de tipo P
contiene huecos y
a. iones positivos
b. iones negativos
c. átomos pentavalentes
d. átomos donantes
40. ¿Cuál de los siguientes
términos describe a un
semiconductor de tipo P?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres
41. Comparada con un diodo de ger-
manio, la corriente inversa de
saturación de un diodo de silicio es
a. igual a altas temperaturas
b. menor
c. igual a bajas temperaturas
d. mayor
42. ¿Qué es lo que genera la
zona de deflexión?
a. Dopaje
b. Recombinación
c. Barrera de potencial
43. ¿Cuál es la barrera de potencial
de un diodo de silicio a
49. Cuando la tensión inversa
temperatura ambiente?
dismi-nuye de 10 a 5 V, la
zona de deplexión
a. 0,3 V a. se hace más pequeña
b. 0,7 V b. se hace más grande
c. 1 V c. no se ve afectada
d. 2 mV por grado Celsius d. entra en disrupción
44. Al comparar las bandas prohibidas 50. Cuando un diodo está
de los átomos de germanio y de polarizado en directa, la
silicio, un átomo de silicio tiene una recombinación de electrones
banda prohibida libres y huecos puede producir
a. aproximadamente igual a. calor
b. menor b. luz
c. mayor c. radiación
d. impredecible d. Todas las anteriores
45. Normalmente, en un diodo de 51. Una tensión inversa de 10 V cae en
silicio, la corriente inversa un diodo. ¿Cuál es la tensión
a. es muy pequeña existente en la zona de deplexión?
b. es muy grande a. 0 V
c. es igual a cero b. 0,7 V
d. está en la región de disrupción c. 10 V
d. Ninguna de las anteriores
46. Manteniendo la temperatura cons-
tante, la tensión de polarización
inversa de un diodo de silicio 52. La banda prohibida de un
aumenta. La corriente de satura- átomo de silicio es la distancia
ción del diodo entre la banda de valencia y
a. el núcleo
a. aumentará
b. disminuirá b. la banda de conducción
c. permanecerá constante c. la parte interna del átomo
d. será igual a la corriente d. los iones positivos
superficial de fugas
53. La corriente inversa de saturación
47. La tensión a la que se produce el se duplica cuando la temperatura
efecto de avalancha se denomina de la unión aumenta
a. barrera de potencial a. 1°C
b. zona de deplexión b. 2°C
c. tensión de codo c. 4°C
d. tensión de disrupción d. 10°C
48. La barrera de energía de la 54. La corriente superficial de
unión de un diodo PN fugas se duplica cuando la
disminuirá cuando el diodo tensión inversa aumenta
a. esté polarizado en directa a. un 7%
b. se fabrique b. un 100%
c. esté polarizado en inversa c. un 200%
d. 2 mV
 Problemas
 2.1 ¿Cuál es la carga neta de un
átomo de cobre si gana dos
electrones?

=+30

 2.2 ¿Cuál es la carga neta de un

átomo de silicio si gana dos
electrones de valencia?

 2-3 Clasificar cada uno de los

siguientes elementos como
conductor o semiconductor:
a. Germanio b. Plata
c.Silicio
o Oro
=Conductores (plata y oro)
=Semiconductores (Germanio y Silicio)

 2.4 Si un cristal de silicio puro tiene

en su interior 500.000 huecos,
¿Cuántos electrones libres tendrá?

=500.000 Electrones libres.

 2.5 Un diodo está polarizado en directa.

Si la corriente es de 5 mA en el lado n,
¿cuál será cada una de las siguientes
corrientes?

= Sera la misma, ya que disminuye la

barrera de potencial, ya que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos
fluyan hacia la unión.

La corriente fluye con facilidad.