UNIVERSIDAD IBEROAMERICANA-PUEBLA

Laboratorio de Electrónica de Potencia

PRÁCTICA 1: Caracterización de Diodos de potencia
Nombre de los alumnos:

Apellido paterno Apellido materno Nombre(s)

Objetivo: Caracterizar el comportamiento estático y dinámico de diferentes diodos de potencia. Comparar los
resultados para obtener conclusiones en cuanto a los rangos de funcionamiento para polarizaciones directa e inversa,
así como del tiempo de respuesta de cada uno de los dispositivos.

Fecha de Entrega:
Material y equipo:
 Voltímetro digital  Diodo de red: 1N4007 o similar
 Fuente de alimentación regulada  Diodo Schottky de potencia: MBR735 o
 Osciloscopio digital similar
 Resistencias: 100Ω, 1K, 100K, 1MEG  Diodo de potencia: BYW29-200 o similar

Introducción

En esta práctica se pretende medir la característica estática de los diodos de potencia, obtenida punto a punto en un
circuito rectificador simple (R-D). Se comparan los resultados obtenidos con medidas realizadas con diodos de red,
potencia y Schottky respectivamente.

En segundo lugar, se mide el comportamiento dinámico de los diferentes diodos, sometiéndolos a conmutaciones
rápidas, resaltando los problemas en el corte asociados a la recuperación inversa para aquellos componentes con
respuesta temporal lenta.

Desarrollo: Leer el procedimiento antes de realizar la práctica.

Caracteristicas estáticas

Polarización directa

Montar el circuito de la figura 1, con los diodos polarizados directamente. Variando la tensión de
alimentación V1 de 0 a 10V, en incrementos de 0.5V, anotar en cada caso Id y Vd que permitirá trazar la
caracteriś tica estática para cada tipo de diodo. El valor de R1 ha de ser 100Ω.

Se realizará la caracterización del diodo de red y se comparará posteriormente con el diodo Schottky. Asi ́
se podrán determinar las diferencias entre ambos en el funcionamiento estático.

Polarización inversa: corriente inversa de saturación

Determinar la resistencia interna equivalente para polarización inversa para cada uno de los diodos
midiendo la corriente en inversa para dos tensiones de 10V y 20V en el esquema de la figura 1.

Debido al reducido valor de Io (corriente inversa de saturación), realizar la medida ensayando con
resistencias serie de alto valor (100K, 1M). Anotar también el valor de Io. Comprobar la variación de Io con
la temperatura calentando el diodo con un dedo.

Caracterización dinámica: tiempo de recuperación inversa

Utilizando el generador de señal, seleccionar forma de onda cuadrada de amplitud 10Vpp y montar el
circuito de conmutación de la figura 2. Representar las formas de onda de la tensión en la resistencia para
los diferentes diodos para frecuencias de 10 kHz y 100 kHz. Determinar el tiempo de recuperación inversa
de los diferentes diodos en la forma indicada en la figura 3.
 Referencias Bibliográficas

 Electrónica de Potencia. Convertidores, aplicaciones y diseño; Autores: Ned 

 Mohan, Tore M. Undeland y William P. Robbins; Editorial: Mc Graw Hill. 
 High Power Converters and AC Drives; Autor: Bin Wu; Editorial: John Wiley & Sons. 
 Electrónica de Potencia. Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones; Autores: Muhammad H.
Rashid; Editorial: Prentice Hall 
 Switched Mode Power Supplies in Practice; Autores: Kilgenstein, Otmar; Editorial: Wiley
1 edition (June 1989)
 http://www.dinel.us.es/docencia/index.php?c=3&d=1&titulacion=12

Puntos a considerar

Caracterización estática: Polarización Directa

Dibujar la curva Id-Vd (característica estática) para el diodo de red proporcionado. Incluir en una tabla los
valores que se utilizan para poder construir la curva gráfica tal y como se describe en la memoria de la
práctica.
Dibujar la curva Id-Vd (característica estática) para el diodo Schottky proporcionado. Incluir en una tabla
los valores que se utilizan para poder construir la curva gráfica. No es necesario medir todos los puntos
indicados en la memoria, sino que es decisión del alumno elegir los puntos más relevantes